JPH07105849A - シャドウマスク洗浄方法 - Google Patents
シャドウマスク洗浄方法Info
- Publication number
- JPH07105849A JPH07105849A JP24426993A JP24426993A JPH07105849A JP H07105849 A JPH07105849 A JP H07105849A JP 24426993 A JP24426993 A JP 24426993A JP 24426993 A JP24426993 A JP 24426993A JP H07105849 A JPH07105849 A JP H07105849A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shadow mask
- hot air
- temperature
- drying
- air blow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 薄肉化シャドウマスクが洗浄工程で変形する
のを防止する。 【構成】 シャドウマスク１を超音波洗浄した後、ホッ
トエアー２１ブローして水切りし、その後乾燥炉で乾燥
するシャドウマスク洗浄方法において、超音波洗浄後の
シャドウマスク表面温度よりホットエアーブロー温度を
１２℃以下の温度範囲で高くした。
のを防止する。 【構成】 シャドウマスク１を超音波洗浄した後、ホッ
トエアー２１ブローして水切りし、その後乾燥炉で乾燥
するシャドウマスク洗浄方法において、超音波洗浄後の
シャドウマスク表面温度よりホットエアーブロー温度を
１２℃以下の温度範囲で高くした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシャドウマスク洗浄方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】シャドウマスクの洗浄工程は、超音波洗
浄工程、水切りするホットエアーブロー工程、乾燥炉で
乾燥する乾燥工程からなっている。近年、シャドウマス
クの薄肉化等により、シャドウマスクが多品種になって
いる。しかし、従来は、洗浄工程の温度設定については
特に配慮されていなかった。
浄工程、水切りするホットエアーブロー工程、乾燥炉で
乾燥する乾燥工程からなっている。近年、シャドウマス
クの薄肉化等により、シャドウマスクが多品種になって
いる。しかし、従来は、洗浄工程の温度設定については
特に配慮されていなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、薄
肉化された板厚０．１３ｍｍ以下のシャドウマスクは、
シャドウマスク自体が受ける急激な周辺温度の変化とシ
ャドウマスク自体の温度変化によってシャドウマスクが
変形するという問題があった。
肉化された板厚０．１３ｍｍ以下のシャドウマスクは、
シャドウマスク自体が受ける急激な周辺温度の変化とシ
ャドウマスク自体の温度変化によってシャドウマスクが
変形するという問題があった。
【０００４】本発明の目的は、薄肉化シャドウマスクが
洗浄工程で変形するのを防止することができるシャドウ
マスク洗浄方法を提供することにある。
洗浄工程で変形するのを防止することができるシャドウ
マスク洗浄方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の第１の方法は、シャドウマスクを超音波洗浄した後、
ホットエアーブローして水切りし、その後乾燥炉で乾燥
するシャドウマスク洗浄方法において、超音波洗浄後の
シャドウマスク表面温度よりホットエアーブロー温度を
１２℃以下の温度範囲で高くしたことを特徴とする。
の第１の方法は、シャドウマスクを超音波洗浄した後、
ホットエアーブローして水切りし、その後乾燥炉で乾燥
するシャドウマスク洗浄方法において、超音波洗浄後の
シャドウマスク表面温度よりホットエアーブロー温度を
１２℃以下の温度範囲で高くしたことを特徴とする。
【０００６】上記目的を達成するための第２の方法はシ
ャドウマスクを超音波洗浄した後、ホットエアーブロー
して水切りし、その後乾燥炉で乾燥するシャドウマスク
洗浄方法において、ホットエアーブロー後のシャドウマ
スク表面温度よりホットエアーブロー直後の乾燥炉温度
を１２℃以下の温度範囲で高くしたことを特徴とする。
ャドウマスクを超音波洗浄した後、ホットエアーブロー
して水切りし、その後乾燥炉で乾燥するシャドウマスク
洗浄方法において、ホットエアーブロー後のシャドウマ
スク表面温度よりホットエアーブロー直後の乾燥炉温度
を１２℃以下の温度範囲で高くしたことを特徴とする。
【０００７】
【作用】超音波洗浄工程後のシャドウマスク表面温度よ
りホットエアーブロー温度を１２℃以下の温度範囲で高
くすることにより、ホットエアーブローによるシャドウ
マスクの熱変形を防止することができた。またホットエ
アーブロー工程後のシャドウマスク表面温度よりホット
エアーブロー直後の乾燥工程の温度を１２℃以下の温度
範囲で高くすることにより、乾燥炉におけるシャドウマ
スク変形が防止された。
りホットエアーブロー温度を１２℃以下の温度範囲で高
くすることにより、ホットエアーブローによるシャドウ
マスクの熱変形を防止することができた。またホットエ
アーブロー工程後のシャドウマスク表面温度よりホット
エアーブロー直後の乾燥工程の温度を１２℃以下の温度
範囲で高くすることにより、乾燥炉におけるシャドウマ
スク変形が防止された。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１乃至図５によ
り説明する。図２乃至図５に示すように、シャドウマス
ク１はコンベアのチェーン２に吊り下げられ、図２に示
す超音波洗浄工程３、ホットエアーブロー工程４、乾燥
工程５を通って洗浄される。超音波洗浄工程３は、図３
に示すように、図示しない超音波発振器を備えた第１及
び第２洗浄槽１０、１１とを有し、第１洗浄槽１０と第
２洗浄槽１１間にはリンス手段１２が配設されている。
第２洗浄槽１１の後方にもリンス手段１３、１４が設け
られている。ホットエアーブロー工程４は、図４に示す
ように、シャドウマスク１にノズル２０でホットエアー
２１を吹き付けるようになっている。乾燥工程５は、図
５に示すように、乾燥炉２５よりなり、乾燥炉２５は３
つの第１、第２及び第３乾燥炉２６、２７、２８とから
なっており、第２乾燥炉２７は第１乾燥炉２６より若干
温度が高く、また第３乾燥炉２８は第２乾燥炉２７より
若干温度が高くなるように設定されている。
り説明する。図２乃至図５に示すように、シャドウマス
ク１はコンベアのチェーン２に吊り下げられ、図２に示
す超音波洗浄工程３、ホットエアーブロー工程４、乾燥
工程５を通って洗浄される。超音波洗浄工程３は、図３
に示すように、図示しない超音波発振器を備えた第１及
び第２洗浄槽１０、１１とを有し、第１洗浄槽１０と第
２洗浄槽１１間にはリンス手段１２が配設されている。
第２洗浄槽１１の後方にもリンス手段１３、１４が設け
られている。ホットエアーブロー工程４は、図４に示す
ように、シャドウマスク１にノズル２０でホットエアー
２１を吹き付けるようになっている。乾燥工程５は、図
５に示すように、乾燥炉２５よりなり、乾燥炉２５は３
つの第１、第２及び第３乾燥炉２６、２７、２８とから
なっており、第２乾燥炉２７は第１乾燥炉２６より若干
温度が高く、また第３乾燥炉２８は第２乾燥炉２７より
若干温度が高くなるように設定されている。
【０００９】次に作用について説明する。チェーン２に
吊り下げられたシャドウマスク１は、超音波洗浄工程３
に搬送される。まず、第１洗浄槽１０に浸漬され、超音
波洗浄される。次にシャドウマスク１は第１洗浄槽１０
より引き上げられ、リンス手段１２でリンスされ、次の
第２洗浄槽１１への異物の持込みが防止される。次に第
２洗浄槽１１に浸漬されて再び超音波洗浄され、その後
第２洗浄槽１１より引き上げられ、リンス手段１３、１
４で仕上げリンスされ、異物が除去される。
吊り下げられたシャドウマスク１は、超音波洗浄工程３
に搬送される。まず、第１洗浄槽１０に浸漬され、超音
波洗浄される。次にシャドウマスク１は第１洗浄槽１０
より引き上げられ、リンス手段１２でリンスされ、次の
第２洗浄槽１１への異物の持込みが防止される。次に第
２洗浄槽１１に浸漬されて再び超音波洗浄され、その後
第２洗浄槽１１より引き上げられ、リンス手段１３、１
４で仕上げリンスされ、異物が除去される。
【００１０】超音波洗浄工程３で洗浄されたシャドウマ
スク１は、次にホットエアーブロー工程４に送られる。
ホットエアーブロー工程４では、ホットエアー２１が吹
き付けられて水切りされ、シャドウマスク１の乾燥の手
助けをしている。
スク１は、次にホットエアーブロー工程４に送られる。
ホットエアーブロー工程４では、ホットエアー２１が吹
き付けられて水切りされ、シャドウマスク１の乾燥の手
助けをしている。
【００１１】ホットエアーブロー工程４でホットエアー
ブローされたシャドウマスク１は、乾燥工程５に送ら
れ、第１、第２及び第３乾燥炉２６、２７、２８で乾燥
される。これにより、シャドウマスク１の洗浄が完了す
る。
ブローされたシャドウマスク１は、乾燥工程５に送ら
れ、第１、第２及び第３乾燥炉２６、２７、２８で乾燥
される。これにより、シャドウマスク１の洗浄が完了す
る。
【００１２】このように、シャドウマスク１は超音波洗
浄工程３、ホットエアーブロー工程４及び乾燥工程５に
よって洗浄されるが、実験の結果、前工程から次工程に
移る時の温度変化が急激であると、シャドウマスク１が
変形することが判った。図１は超音波洗浄工程３後のシ
ャドウマスク１の表面温度と、ホットエアーブロー工程
４におけるホットエアーブロー温度差について実験した
結果を示す。超音波洗浄工程３後のシャドウマスク表面
温度が例えば約６０℃の場合、ホットエアー２１の温度
を７３℃以上、即ち超音波洗浄工程３後のシャドウマス
ク表面温度とホットエアーブロー温度差が１３℃以上に
なると、シャドウマスク変形が発生した。そこで、本実
施例においては、超音波洗浄工程３後のシャドウマスク
表面温度よりホットエアーブロー温度を１２℃以下の温
度範囲で高くした。これにより、シャドウマスク１の熱
変形を防止することができた。
浄工程３、ホットエアーブロー工程４及び乾燥工程５に
よって洗浄されるが、実験の結果、前工程から次工程に
移る時の温度変化が急激であると、シャドウマスク１が
変形することが判った。図１は超音波洗浄工程３後のシ
ャドウマスク１の表面温度と、ホットエアーブロー工程
４におけるホットエアーブロー温度差について実験した
結果を示す。超音波洗浄工程３後のシャドウマスク表面
温度が例えば約６０℃の場合、ホットエアー２１の温度
を７３℃以上、即ち超音波洗浄工程３後のシャドウマス
ク表面温度とホットエアーブロー温度差が１３℃以上に
なると、シャドウマスク変形が発生した。そこで、本実
施例においては、超音波洗浄工程３後のシャドウマスク
表面温度よりホットエアーブロー温度を１２℃以下の温
度範囲で高くした。これにより、シャドウマスク１の熱
変形を防止することができた。
【００１３】またホットエアーブロー工程４後のシャド
ウマスク表面温度よりホットエアーブロー直後の乾燥工
程５の第１乾燥炉２６の温度を１２℃以下の温度範囲で
高くした。これにより、第１乾燥炉２６におけるシャド
ウマスク変形が防止された。また第１乾燥炉２６から第
２乾燥炉２７、第２乾燥炉２７から第３乾燥炉２８に移
り、第３乾燥炉２８から外部に搬送される時におけるシ
ャドウマスク変形を防止するために、乾燥炉２５内にお
ける温度上昇及び下降を０．２５℃／ｓ以下にしたとこ
ろ、良好な結果が得られた。
ウマスク表面温度よりホットエアーブロー直後の乾燥工
程５の第１乾燥炉２６の温度を１２℃以下の温度範囲で
高くした。これにより、第１乾燥炉２６におけるシャド
ウマスク変形が防止された。また第１乾燥炉２６から第
２乾燥炉２７、第２乾燥炉２７から第３乾燥炉２８に移
り、第３乾燥炉２８から外部に搬送される時におけるシ
ャドウマスク変形を防止するために、乾燥炉２５内にお
ける温度上昇及び下降を０．２５℃／ｓ以下にしたとこ
ろ、良好な結果が得られた。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、超音波洗浄工程後のシ
ャドウマスク表面温度よりホットエアーブロー温度を１
２℃以下の温度範囲で高くするので、ホットエアーブロ
ーによるシャドウマスクの熱変形を防止することができ
る。またホットエアーブロー工程後のシャドウマスク表
面温度よりホットエアーブロー直後の乾燥工程の温度を
１２℃以下の温度範囲で高くするので、乾燥炉における
シャドウマスク変形が防止される。
ャドウマスク表面温度よりホットエアーブロー温度を１
２℃以下の温度範囲で高くするので、ホットエアーブロ
ーによるシャドウマスクの熱変形を防止することができ
る。またホットエアーブロー工程後のシャドウマスク表
面温度よりホットエアーブロー直後の乾燥工程の温度を
１２℃以下の温度範囲で高くするので、乾燥炉における
シャドウマスク変形が防止される。
【図１】本発明になる前工程後と次工程における温度差
による不良率を示す実験結果図である。
による不良率を示す実験結果図である。
【図２】シャドウマスク洗浄工程の平面説明図である。
【図３】超音波洗浄工程の正面説明図である。
【図４】ホットエアーブロー工程の正面説明図である。
【図５】乾燥工程の正面説明図である。
１ シャドウマスク ３ 超音波洗浄工程 ４ ホットエアーブロー工程 ５ 乾燥工程
Claims (3)
- 【請求項１】 シャドウマスクを超音波洗浄した後、ホ
ットエアーブローして水切りし、その後乾燥炉で乾燥す
るシャドウマスク洗浄方法において、超音波洗浄後のシ
ャドウマスク表面温度よりホットエアーブロー温度を１
２℃以下の温度範囲で高くしたことを特徴とするシャド
ウマスク洗浄方法。 - 【請求項２】 シャドウマスクを超音波洗浄した後、ホ
ットエアーブローして水切りし、その後乾燥炉で乾燥す
るシャドウマスク洗浄方法において、ホットエアーブロ
ー後のシャドウマスク表面温度よりホットエアーブロー
直後の乾燥炉温度を１２℃以下の温度範囲で高くしたこ
とを特徴とするシャドウマスク洗浄方法。 - 【請求項３】 乾燥炉内でのシャドウマスク温度上昇を
０．２５℃／ｓ以下にしたことを特徴とする請求項２記
載のシャドウマスク洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24426993A JPH07105849A (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | シャドウマスク洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24426993A JPH07105849A (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | シャドウマスク洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07105849A true JPH07105849A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17116240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24426993A Pending JPH07105849A (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | シャドウマスク洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105849A (ja) |
-
1993
- 1993-09-30 JP JP24426993A patent/JPH07105849A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6118958A (ja) | 半導体装置用ガラスマスクの洗浄方法 | |
| JPH07105849A (ja) | シャドウマスク洗浄方法 | |
| CN101339879A (zh) | 荫罩清洗回收方法 | |
| JPH08236498A (ja) | エアナイフ乾燥方法 | |
| JPH05107744A (ja) | フオトマスクの異物除去方法 | |
| JP3465467B2 (ja) | レジスト剥離装置の制御方法 | |
| JPH06252115A (ja) | 被洗浄物の洗浄方法 | |
| CN105399041A (zh) | 传感器的微凸状氧化层结构及其制造方法 | |
| JP2000340632A (ja) | 基板の化学的処理装置および基板の化学的処理方法 | |
| KR0152303B1 (ko) | 패널재생시의 세척방법 | |
| JPH11305002A (ja) | レンズ洗浄方法及び装置 | |
| JPH06312163A (ja) | 成形型のクリーニング方法 | |
| JPS59195653A (ja) | フオトマスクの洗浄方法および洗浄装置 | |
| KR100189420B1 (ko) | 패널의 재처리 공정방법 | |
| JPH02216824A (ja) | 清浄化方法及びその装置 | |
| JPH04202028A (ja) | 板ガラスの洗浄法 | |
| KR19980066216A (ko) | 금속시트재의 감압건조장치 및 그 건조방법 | |
| JPH0438470B2 (ja) | ||
| JPH06138640A (ja) | ホトマスクの製法 | |
| KR101032912B1 (ko) | 양방향 일직형 노즐이 구비된 웨이퍼 양면 세정 및 건조 방법 | |
| JP2006054344A (ja) | シリコンウェハの乾燥方法 | |
| JPH0521583A (ja) | 洗浄用治具および洗浄方法 | |
| TWI242693B (en) | Optical mask processor | |
| JPH05104693A (ja) | 積層板製造用のプレート金型の水切り方法 | |
| KR100850101B1 (ko) | 실리사이드공정을 위한 잔류물 제거 공정 |