JPH0710520A - 部分置換フルオロシランの製造方法 - Google Patents

部分置換フルオロシランの製造方法

Info

Publication number
JPH0710520A
JPH0710520A JP14735593A JP14735593A JPH0710520A JP H0710520 A JPH0710520 A JP H0710520A JP 14735593 A JP14735593 A JP 14735593A JP 14735593 A JP14735593 A JP 14735593A JP H0710520 A JPH0710520 A JP H0710520A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
znf
reaction
fluorosilane
surface area
specific surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14735593A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Hashimoto
隆 橋本
Makoto Aritsuka
眞 在塚
Sadaichi Kohara
定一 菰原
Isao Harada
功 原田
Atsuhisa Mitsumoto
敦久 三本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Toatsu Chemicals Inc filed Critical Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority to JP14735593A priority Critical patent/JPH0710520A/ja
Publication of JPH0710520A publication Critical patent/JPH0710520A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 一般式SiHCl4−n(n=1
〜3の整数)で表わされる部分置換クロロシランをハロ
ゲン交換法によって対応する部分置換フルオロシランに
変換するにあたり、フッ素化剤として比表面積1.0〜
10.0m/gの無水フッ化亜鉛を用いることを特徴
とする一般式SiH4−n(n=1〜3の整数)で
表わされる部分置換フルオロシランの製造方法に関す
る。 【効果】 高収率で部分置換フルオロシランが
得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は部分置換フルオロシラン
の製造方法に関する。更に詳しくは、ハロゲン交換法に
よるフルオロシラン(モノフルオロモノシラン;SiH
F、ジフルオロモノシラン;SiH、トリフル
オロモノシラン;SiHF)の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】部分置
換フルオロシランは、フッ素化アモルファスシリコン薄
膜を形成させる物質として有用な化合物である。部分置
換フルオロシラン類の製造方法としては、対応するクロ
ロシランをフッ素化剤でフッ素化するいわゆるハロゲン
交換法が一般的に知られている。本発明者らは先にアニ
ソールに懸濁したフッ素化剤をクロロシランに接触する
方法(特公平3−28370)、また、フッ素化剤とし
て無水フッ化亜鉛(以下、ZnFと記す)の含水率を
限定する出願(特願平3−310455)がある。
【0003】しかしながら、これらの方法では反応収率
が、満足できるほど高いものではなく、しかも副反応生
成物がかなり生成し易いという欠点があり、ZnF
使用したハロゲン交換法によるフルオロシラン(SiH
F、SiH、SiHF)の製造では、収率の
バラツキが生じ、より品質の安定したものが得られなか
った。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、ハロゲン交換
法によって高純度、高収率な部分置換フルオロシラン類
を製造するにあたり、取扱いが容易で、かつ反応効率の
良好なフッ素化剤を探索することを試み、本発明で用い
るZnFの比表面積が1.0〜10.0m/gであ
る無水フッ化亜鉛を用いることにより高純度、高収率
で、部分置換フルオロシランが製造可能であることを見
い出し、本発明を完成するに至ったものである。
【0005】すなわち、本発明は一般式SiHCl
4−n(n=1〜3の整数)で表わされる部分置換クロ
ロシランをハロゲン交換法によって対応する部分置換フ
ルオロシランに変換するにあたり、フッ素化剤として比
表面積1.0〜10.0m/gの無水フッ化亜鉛を用
いることを特徴とする一般式SiH4−n(n=1
〜3の整数)で表わされる部分置換フルオロシランの製
造方法に関する。
【0006】本発明を更に詳細に説明する。クロロシラ
ンとZnFとの反応は発熱反応であり、生成した部分
置換フルオロシランが熱的に不安定であることから、生
成した熱を有効に除去する配慮が高い純度を得るために
は必要である。その点から本発明に於ける製造方法はエ
ーテルなどの有機溶媒中にZnFを懸濁したスラリー
を撹拌しながら部分置換クロロシランを添加する、いわ
ゆるバッチ反応が好適な手段として用いられる。
【0007】本発明に於ける比表面積とは、ガス吸着法
により測定したものである。ガス吸着法による吸着媒
(本件についてはZnF)の表面積は、吸着ガス(例
えばNガス等)分子が吸着媒に吸着してその全表面に
単分子層を形成しているとすると、吸着ガス分子1個が
占めている面積(ガス分子の断面積)に単分子層を形成
している全分子数をかけることにより求められた値であ
る。
【0008】本発明で使用するZnFは比表面積1.
0〜10.0m/gが好ましく、更に好ましくは1〜
5m/gの無水物を使用するのが好ましい。比表面積
が1m/g未満のZnFを使用して部分置換クロロ
シランのハロゲン交換を行なうと、対応する部分置換フ
ルオロシランの収率が著しく低下するので好ましくな
い。
【0009】また、比表面積が10m/gを超える
と、バッチ反応で撹拌を必要とすることから、溶媒にZ
nFを懸濁したスラリーを最適条件にするには、Zn
の量を減少しなければならない。従って好適なスラ
リー粘度を保つには、同容量の溶媒に入れるZnF
は、10m/gを超えると好ましくない。さらに、1
バッチ当たりの収量も減少し、コストにも悪影響を及ぼ
す。
【0010】ここで用いる溶媒は、アニソール、ジブチ
ルエーテル等が好んで用いられる。ZnF/溶媒のス
ラリーの最適粘度は、1500cp以下が好ましく、こ
のようなスラリーにするには、溶媒に5℃のアニソール
を使用した場合、比表面積が10m/gのZnF
のスラリー濃度は約25重量%以下、比表面積が3m
/gのZnFでのスラリー濃度は40重量%以下が好
適である。
【0011】比表面積の大きいZnFでは、クロロシ
ランのフィード量に対してほぼ100%の発生量を示
す。しかし、比表面積の小さいZnFを使用した反応
では、クロロシランを同様にフィードしたが、ZnF
過剰にも関わらず反応当初からフルオロシランは低いと
ころで、安定して発生していることが判明している。
【0012】この理由としては、詳細は不明であるが、
次のように推察される。本発明に於ける製造方法が、バ
ッチ反応であることは上述した通りだが、反応は、溶媒
中にZnFを懸濁させ、撹拌しているスラリー中に、
部分置換クロロシランの添加を行う方法であるので、反
応開始からZnF過剰で反応が進み、対応する部分置
換フルオロシランの発生が見られる。
【0013】溶媒中に、懸濁しているZnF粒子と部
分置換クロロシランが反応してハロゲン交換が行われ、
この時にZnFがZnClになる。そして、対応す
る部分置換フルオロシランの発生量は、反応開始直後に
クロロシランフィード量に対してほぼ100%の値を示
し、しばらくその状態を保つが、反応が進みZnF
全てZnClになった時、反応が終了すると考えられ
る。
【0014】このような反応形態であれば、反応時間の
長短はあるものの、比表面積の大小に関係なく、どのよ
うなZnFでも、クロロシランのフィードに対してほ
ぼ100%のフルオロシランの発生量を示すはずであ
る。これらのことから何らかの影響で、比表面積の小さ
いZnFは活性も劣り、1m/gを境にして、極端
に劣ってくると考えられる。反応温度は、原料によって
多少は異なるが−10〜40℃が好ましく、−10℃未
満ではハロゲン交換反応の反応率が低下し、好ましくな
い。
【0015】
【実施例】以下実施例により本発明を、更に詳細に説明
する。 実施例1 3Lのジャケット付SUS反応容器に比表面積1.0m
/gのZnF5モルと溶媒であるアニソール1.
0Lを仕込み、撹拌してZnFをアニソール中に懸濁
させ、系内をNにて充分置換した。その後、N気流
下でSiHClを0.01mol/minの速度
で、全量4molになるよう反応容器内に供給した。
尚、反応中に反応容器のジャケット内に−10℃の冷媒
を通液し反応温度を0℃とし反応温度の上昇を防止し
た。反応容器から発生したガスは、−70℃冷媒トラッ
プで不純物を除去した後、液体窒素トラップ中に捕集し
た。SiHClベースに於ける収率は98%であっ
た。結果を表1に示す。
【0016】実施例2〜4 ZnF比表面積を2.0、4.0及び8.0m/g
にそれぞれ変更した以外は、実施例1と同一条件で行っ
た。結果を表1に示す。
【0017】実施例5 3Lのジャケット付SUS反応容器に比表面積2.0m
/gのZnF5モルと、溶媒ジブチルエーテル1.
0Lを仕込み、撹拌してZnFをジブチルエーテル中
に懸濁させ、系内をNにて充分置換した。その後、N
気流下でSiHClを0.01mol/minの速
度で、全量8molになるよう反応容器内に供給した。
尚、反応中は、実施例1と同様にジャケットに冷媒を通
液して、反応温度を5℃とし、反応温度の上昇を防止し
た。反応器から発生した反応ガスは、−70℃冷媒トラ
ップで不純物を除去したのち、液体窒素トラップ中に捕
集した。SiHClベースに於ける収率は90%であ
った。結果を表1に示す。
【0018】実施例6 3Lのジャケット付SUS反応容器に比表面積4.0m
/gのZnF5モルと、溶媒ジブチルエーテル1.
0Lを仕込み、撹拌してZnFをジブチルエーテル中
に懸濁させ、系内をNにて充分置換した。その後、N
気流下でSiHClを0.01mol/minの速
度で、全量3.5molになるよう反応容器内に供給し
た。尚反応中は実施例1と同様に、ジャケットに冷媒を
通液して反応温度を10℃で保持し、反応温度の上昇を
防止した。反応器から発生した反応ガスは−70℃冷媒
トラップで不純物を除去したのち、液体窒素トラップ中
に捕集した。SiHClベースに於ける収率は92%
であった。結果を表1に示す。
【0019】
【表1】
【0020】比較例1 比表面積0.8m/gのZnFを用いた以外は、実
施例1と同一条件で反応を行った。結果は表2に示す如
く、収率が大きく低いことが判明した。
【0021】比較例2 比表面積0.5m/gのZnFを用いた以外は、実
施例5と同一条件で反応を行った。結果は表2に示す如
く、収率が大きく低いことが判明した。
【0022】比較例3 比表面積15m/gのZnFを用いた以外は、実施
例6と同一条件で反応を行なった。結果は表1に示す如
く、収率が大きく低いことが判明した。
【0023】比較例4 比表面積12m/gのZnFを用いた以外は、実施
例1と同一条件で反応を行なった。結果は表1に示す如
く、収率が大きく低いことが判明した。
【0024】
【表2】
【0025】
【発明の効果】本発明は、以上詳細に説明したように、
実施例、比較例に示した如く、フッ素化剤として比表面
積1.0〜10m/gのZnFを使用することによ
り、従来から一般的に使用されているZnFに比べ
て、格段に高収率でその効果は極めて大なるものがあ
る。即ち、本発明の範囲外である比較例は、収率が大き
く低く、さらに、比表面積が10m/gを超えるとス
ラリー濃度が高くなり収量が低くなることになる。これ
に対し、本発明の範囲内である実施例は、これらの性能
がすべて優れているのは明らかであり、本発明の意義は
大きい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原田 功 山口県下関市彦島迫町七丁目1番1号 三 井東圧化学株式会社内 (72)発明者 三本 敦久 山口県下関市彦島迫町七丁目1番1号 三 井東圧化学株式会社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式SiHCl4−n(n=1〜
    3の整数)で表わされる部分置換クロロシランをハロゲ
    ン交換法によって対応する部分置換フルオロシランに変
    換するにあたり、フッ素化剤として比表面積1.0〜1
    0.0m/gの無水フッ化亜鉛を用いることを特徴と
    する一般式SiH4−n(n=1〜3の整数)で表
    わされる部分置換フルオロシランの製造方法。
JP14735593A 1993-06-18 1993-06-18 部分置換フルオロシランの製造方法 Pending JPH0710520A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14735593A JPH0710520A (ja) 1993-06-18 1993-06-18 部分置換フルオロシランの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14735593A JPH0710520A (ja) 1993-06-18 1993-06-18 部分置換フルオロシランの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0710520A true JPH0710520A (ja) 1995-01-13

Family

ID=15428324

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14735593A Pending JPH0710520A (ja) 1993-06-18 1993-06-18 部分置換フルオロシランの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0710520A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100806385B1 (ko) * 2007-03-23 2008-02-27 (주)유성특수산업 여과기 구조

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100806385B1 (ko) * 2007-03-23 2008-02-27 (주)유성특수산업 여과기 구조

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0082343B1 (en) Process for preparing silicon nitride powder
JP2020079219A (ja) テトラアルケニルシランの製造方法
JPH0710520A (ja) 部分置換フルオロシランの製造方法
JPH05178863A (ja) アルコール中弗化水素溶液とシリコンとを接触させるアルコキシシランの製造法
JP5563471B2 (ja) モノシランおよびテトラアルコキシシランの製造方法
CA1061795A (fr) Procede de preparation de chlorosilanes
JP4663079B2 (ja) トリアルコキシシランからシランの製造方法およびテトラアルコキシシランからトリアルコキシシランの製造方法
JP2615803B2 (ja) モノシランの製造法
JPH10168084A (ja) アルコキシシランの製造方法
JPH10182660A (ja) アルコキシシランの製造法
JP3123698B2 (ja) フッ化シランの製造法
JP2001002682A (ja) 高純度ジアルキルアミノシランおよびその製造方法
JP3880301B2 (ja) ヘキサフルオロアルミニウムアンモニウムの製造方法
JP3673394B2 (ja) アルキルシリケートの製造方法
JP2856636B2 (ja) アンモニウム氷晶石の製造法
JP3444711B2 (ja) トリフルオロシランの製造方法
JPH0328370B2 (ja)
JP2535525B2 (ja) シランの製造方法
JP2773568B2 (ja) トリアルコキシシランの製造方法
JP2914089B2 (ja) トリアルコキシシランの製造方法
JP2523123B2 (ja) シランガスの製造法
JPS6333422B2 (ja)
JPS606696A (ja) アルコキシシランの連続的製造方法
JP4136761B2 (ja) 二フッ化キセノンの精製方法
JPH10287682A (ja) ハロゲン含有量が極めて少量であるアルコキシシランおよびその製造方法