JPH07101208B2 - ガスクロマトグラフの自己診断方法 - Google Patents

ガスクロマトグラフの自己診断方法

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JPH07101208B2
JPH07101208B2 JP20393890A JP20393890A JPH07101208B2 JP H07101208 B2 JPH07101208 B2 JP H07101208B2 JP 20393890 A JP20393890 A JP 20393890A JP 20393890 A JP20393890 A JP 20393890A JP H07101208 B2 JPH07101208 B2 JP H07101208B2
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gain
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gain amplifier
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肇 太田
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山武ハネウエル株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、キャリアガスによって移送されてくるサンプ
ルガスの濃度を熱伝導度検出器により検出するガスクロ
マトグラフ装置に関し、特にこの装置が異常時に自己診
断を行うようにしたガスクロマトグラフの自己診断方法
に関するものである。
[従来の技術] 従来のこの種のガスクロマトグラフ装置の要部の構成を
第2図に示す。
同図において、1は被計測用のサンプルガス、2は移動
相であるキャリアガス、3,4は到来するガスの濃度,す
なわちその温度を抵抗値の変化により検出する熱伝導度
検出器(以下、TCDセンサ)、5はこれらTCDセンサへ一
定電流を供給する定電流源、6はゲインアンプ部、7は
ゲイン部、R1,rは抵抗、aはゲイン切換信号、vはゲイ
ンアンプ部6の出力電圧信号である。
そして、従来の装置は、TCDセンサ3,4としてフィラメン
トやサーミスタを用い、これらTCDセンサ3,4と抵抗R1,r
とを第2図に示すようなブリッジ構成にしてサンプルガ
ス1の濃度を検出している。すなわち、TCDセンサ4は
常時キャリアガス2を検出しており、また、TCDセンサ
3も、通常は、キャリアガス2を検出している。この場
合、このブリッジ回路は平衡状態となっており、従って
ゲインアンプ部6の2つの入力電圧間に電位差が生じな
いことから、このゲインアンプ部6の出力電圧は0Vとな
っている。
その後、キャリアガス2に続きサンプルガス1が移送さ
れてくると、TCDセンサ3においてこのサンプルガス1
の温度が検出され、この結果、TCDセンサ3の抵抗値が
変化することから、ブリッジ回路が不平衡となってゲイ
ンアンプ部6の2つの入力電圧間に電位差が生じ、従っ
て、第3図のグラフに示されるように、ゲインアンプ部
6の出力電圧vは0Vから上昇し、このサンプルガス1が
TCDセンサ3を通過すると低下して再び0Vになる。第3
図のグラフは、このようなサンプルガスが3種、或る時
間間隔でTCDセンサ3に移送されてきた場合のゲインア
ンプ部6の出力電圧を示している。
[発明が解決しようとする課題] 上述した従来のガスクロマトグラフ装置は、ブリッジ回
路により構成されているとともに、オンラインでゲイン
アンプ部6への入力電圧値を自在に設定できないので、
ゲインアンプ部6からの出力電圧のゼロ点やスパンのド
リフトおよび異常電圧が発生した場合、ゲインアンプ部
6の正否の判定が行えず、従って異常の原因がTCDセン
サ3,4側にあるか、またはゲインアンプ部6側にあるか
の特定を迅速に行うことができないという問題があっ
た。
[課題を解決するための手段] このような課題を解決するために本発明に係るガスクロ
マトグラフの自己診断方法は、TCDセンサへの供給電流
をオフするとともに、ゲインアンプ部のゲインの切換え
を行うゲイン選択部のゲインをそれぞれ選択し、この選
択されたゲインにおいてTCDセンサの出力電圧からベー
スライン電圧をキャンセルするためのベースラインキャ
ンセル電圧をそれぞれの値に設定し、この設定された値
に応じたディジタル信号をそれぞれ読み取ってその差分
と、選択されたゲインにそれぞれのベースラインキャン
セル電圧の差分を乗じた値とを比較することによりゲイ
ンアンプ部の自己診断を行うようにした方法である。
[作用] TCDセンサへの供給電流をオフしてゲインアンプ部の正
否を判定しているので、ゲインアンプ部の出力が異常と
なった場合、異常の原因がTCDセンサ側にあるか、また
はゲインアンプ部側にあるかの特定が容易に行える。
[実施例] 次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は、本発明のガスクロマトグラフの自己診断方法
を適用した装置の一実施例を示すブロック図である。同
図において、第2図の従来の構成図と同等部分は同一符
号を付してその説明を省略する。
第1図において、10は恒温漕であり、この恒温漕10の中
は、アナライザバルブ11、サンプルガス1とキャリアガ
ス2とを通過させるカラム12、サンプルガス1の濃度,
すなわちその温度を抵抗の値の変化により検出するTCD
センサ13から構成される。また、14はTCDセンサ13へ供
給される定電流を切り換える電流切換部、15は加算回
路、16はベースライン電圧をキャンセルするベースライ
ンキャンセル電圧発生部、17はゲインアンプ部6のゲイ
ンを選択して切り換えるゲイン選択部、18は電圧信号を
周波数に変換してディジタルのカウント値として送出す
る電圧・周波数変換部、20はCPUである。
そして、所定のサンプルガス1の濃度を検出するため
に、CPU20は、まず、このサンプルガス1の検出に適合
するようにTCDセンサ13への供給電流を電流切換部14を
切り換えることにより供給しておく。そして、TCDセン
サ13へキャリアガス2が到来している間は、TCDセンサ1
3の出力電圧は、一定値となって加算回路15の一方の入
力端子へ供給されており、この電圧信号は加算回路15に
より加算され、さらにゲインアンプ部6により所定のゲ
インで増幅されて電圧・周波数変換部18に送出される。
一方、電圧・周波数変換部18においては、この入力した
電圧信号に応じた周波数の信号を生成するとともにこの
生成された周波数信号を計数しこのディジタルの計数値
をCPU20に伝達する。
CPU20は、ディジタルの計数値を入力し、このキャリア
ガス2の到来による電圧値(ベースライン電圧値)を判
定し、ベースラインキャンセル電圧発生部16を駆動して
上記において判定した電圧値だけ加算回路15から減じる
制御を行う。こうして、キャリアガス2の到来中には、
ベースライン電圧がキャンセルされているので、CPU20
への入力電圧は0Vに設定されている。
その後、サンプルガス1がTCDセンサ13上に移送されて
くると、TCDセンサ13においては、その抵抗値がキャリ
アガス2の到来時よりも大きく変動し、この結果、TCD
センサ13からの出力電圧も大となって加算回路15の一方
の入力端子に送出される。
一方、加算回路15においては、ベースライン電圧がキャ
ンセルされているので、サンプルガス1に相当するだけ
の電圧信号を出力し、この出力された電圧信号は、上記
したと同様に、ゲインアンプ部6,電圧・周波数変換部18
を介し、ディジタルの計数値としてCPU20に伝達され
る。そして、CPU20ではこの伝達された計数値に基づい
てサンプルガス1の濃度分析が行われる。また、ゲイン
アンプ部6の出力電圧が低くサンプルガス1を検出が不
可能になる場合は、CPU20によりゲイン選択部17が制御
されることによってより高いゲインが選択され、この結
果、ゲインアンプ部6からより高い電圧信号が出力され
てサンプルガス1を確実に検出することができる。な
お、ゲイン選択部17中のG1は8倍のゲインを選択するス
イッチ、G2は40倍のゲインを選択するスイッチ、G3は20
0倍のゲインを選択するスイッチ、またG0は0倍のゲイ
ンを選択するスイッチである。
このようにして行われる各種のガスの濃度分析中に異常
な電圧信号、すなわち異常なディジタルの計数値をCPU2
0が入力した場合、この原因がTCDセンサ13側にあるの
か、または、TCDセンサ13からの電圧信号をCPU20へ伝達
する電気回路側にあるのかを特定するために、CPU20
は、まず、電流切換部14を制御してTCDセンサ13への供
給電流をオフして電気回路側とTCDセンサ13側とを切り
離す。
次に、CPU20は、ゲイン選択部17を制御して8倍のゲイ
ンを選択するスイッチG1を閉成させ、ベースラインキャ
ンセル電圧発生部16を駆動してベースライン・キャンセ
ル電圧をV1に設定し、次に電圧・周波数変換部18からの
計数値を入力してこの計数値VFC1を記憶する。その後、
ベースライン・キャンセル電圧をV2に設定し、電圧・周
波数変換部18からの計数値を再入力してこの計数値VFC2
を記憶する。次に、CPU20は、これらの計数値の差(VFC
2−VFC1)がG(V2−V1)に等しいか否かを判断する。
なお、ここで、Gはゲインを示しこの場合は「8」であ
る。こうして、これら双方の値が等しい場合は電気回路
側は正常であるのでTCDセンサ13側に異常が発生してい
ると判定し、双方の値が等しくない場合は電気回路側に
異常が発生していると判定する。
このような試験が終了すると、次にCPU20は、次のゲイ
ンを選択するスイッチG2を閉成させて上記と同様な試験
を行い、以下順次G3,G0を閉成させて同様に試験を行い
ものとなっている。
[発明の効果] 以上説明したように本発明に係るガスクロマトグラフの
自己診断方法は、熱伝導度検出器への供給電流をオフし
てゲインアンプ部の正否を判定しているので、ゲインア
ンプ部からの出力電圧のゼロ点やスパンのドリフトおよ
び異常電圧の発生を検出した場合、異常の原因が熱伝導
度検出器側にあるか、またはゲインアンプ部側にあるか
の特定が容易に迅速に行えるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るガスクロマトグラフの自己診断方
法を適用した装置のブロック図、第2図は従来のガスク
ロマトグラフの装置の構成図、第3図はこの装置により
検出されたガスの濃度状況を示すグラフである。 1……サンプルガス、2……キャリアガス、6……ゲイ
ンアンプ部、10……恒温漕、11……アナライザバルブ、
12……カラム、13……熱伝導度検出器(TCDセンサ)、1
4……電流切換部、15……加算回路、16……ベースライ
ンキャンセル電圧発生部、17……ゲイン選択部、18……
電圧・周波数変換部、20……CPU。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】キャリアガスによって移送されるサンプル
    ガスの濃度を熱伝導度検出器の抵抗値の変化により検出
    して分析を行うガスクロマトグラフ装置において、 前記熱伝導度検出器への供給電流をオン・オフする電流
    切換部と、前記熱伝導度検出器の出力電圧からベースラ
    イン電圧をキャンセルするためのベースラインキャンセ
    ル電圧発生部と、このベースライン電圧がキャンセルさ
    れた前記熱伝導度検出器の出力電圧を増幅するゲインア
    ンプ部と、ゲインアンプ部のゲインの切換を行うゲイン
    選択部と、前記ゲインアンプ部の出力電圧をディジタル
    信号へ変換するための電圧・周波数変換部と、電圧・周
    波数変換部のディジタル信号を入力して前記サンプルガ
    スの濃度を分析するCPUとを備え、 前記熱伝導度検出器への供給電流をオフするとともに、
    前記ゲイン選択部のゲインをそれぞれ選択し、この選択
    されたゲインにおける前記ベースラインキャンセル電圧
    をそれぞれの値に設定し、この設定された値に応じたデ
    ィジタル信号をそれぞれ読み取ってその差分と、選択さ
    れたゲインにそれぞれのベースラインキャンセル電圧の
    差分を乗じた値とを比較することにより前記ゲインアン
    プ部の自己診断を行うようにしたことを特徴とするガス
    クロマトグラフの自己診断方法。
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