JPH0697491A - 光−光変換素子 - Google Patents
光−光変換素子Info
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- JPH0697491A JPH0697491A JP27083492A JP27083492A JPH0697491A JP H0697491 A JPH0697491 A JP H0697491A JP 27083492 A JP27083492 A JP 27083492A JP 27083492 A JP27083492 A JP 27083492A JP H0697491 A JPH0697491 A JP H0697491A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光素子をシリコンで作製した光−光変換素
子を提供する。 【構成】 光−光変換素子は、ホトダイオード２と発光
素子４とを垂直方向に集積したものである。ホトダイオ
ード２は、ｐ型単結晶シリコン基板１２の裏面にイオン
注入法又は拡散法によりｎ+ 型単結晶シリコン層１４を
堆積させて形成される。ｎ+ 型単結晶シリコン層１４上
にはＡｌ層で電極６ａが形成される。また、発光素子４
は、ｐ型単結晶シリコン基板１２の表面に陽極化成法に
より多孔質シリコン層１６を形成し、更にその上に電子
サイクロトロン共鳴プラズマＣＶＤ法によりｎ型の微結
晶を含有する非晶質シリコンカーボン層１８を堆積させ
て形成される。ｎ型の微結晶を含有する非晶質シリコン
カーボン層１８上にはＩＴＯ膜で透明電極６ｂが形成さ
れる。
子を提供する。 【構成】 光−光変換素子は、ホトダイオード２と発光
素子４とを垂直方向に集積したものである。ホトダイオ
ード２は、ｐ型単結晶シリコン基板１２の裏面にイオン
注入法又は拡散法によりｎ+ 型単結晶シリコン層１４を
堆積させて形成される。ｎ+ 型単結晶シリコン層１４上
にはＡｌ層で電極６ａが形成される。また、発光素子４
は、ｐ型単結晶シリコン基板１２の表面に陽極化成法に
より多孔質シリコン層１６を形成し、更にその上に電子
サイクロトロン共鳴プラズマＣＶＤ法によりｎ型の微結
晶を含有する非晶質シリコンカーボン層１８を堆積させ
て形成される。ｎ型の微結晶を含有する非晶質シリコン
カーボン層１８上にはＩＴＯ膜で透明電極６ｂが形成さ
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光コンピュータ用素
子、波長変換素子等に用いられる光−光変換素子に関す
るものである。
子、波長変換素子等に用いられる光−光変換素子に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコン半導体は間接遷移半導体である
ため発光素子の作製は実現不可能であると考えられてお
り、従来、ｐｎ接合を用いた発光素子は III−V 属化合
物半導体、II−VI属化合物半導体、又はIV−VI属化合物
半導体で作製されていた。たとえば従来の光−光変換素
子では、発光素子を形成するのにＩｎＰ基板上にＩｎＧ
ａＡｓＰ、ＩｎＰ層を多層成長させて形成しており、そ
の構造は非常に複雑なものであった。しかし、シリコン
半導体は化合物半導体に比べ、資源が豊富、単結晶作製
技術が高く大面積のものを安価に供給できる。また、シ
リコン半導体はデバイス設計・作製技術が高く、現状の
化合物半導体では実現することが難しい高集積度でかつ
高信頼性のある論理、演算、駆動、受光素子等を同一基
板上に作り込める等の利点を有する。このため、シリコ
ンを用いた発光素子、特にこの発光素子を用いた光−光
変換素子の実現が切望されていた。
ため発光素子の作製は実現不可能であると考えられてお
り、従来、ｐｎ接合を用いた発光素子は III−V 属化合
物半導体、II−VI属化合物半導体、又はIV−VI属化合物
半導体で作製されていた。たとえば従来の光−光変換素
子では、発光素子を形成するのにＩｎＰ基板上にＩｎＧ
ａＡｓＰ、ＩｎＰ層を多層成長させて形成しており、そ
の構造は非常に複雑なものであった。しかし、シリコン
半導体は化合物半導体に比べ、資源が豊富、単結晶作製
技術が高く大面積のものを安価に供給できる。また、シ
リコン半導体はデバイス設計・作製技術が高く、現状の
化合物半導体では実現することが難しい高集積度でかつ
高信頼性のある論理、演算、駆動、受光素子等を同一基
板上に作り込める等の利点を有する。このため、シリコ
ンを用いた発光素子、特にこの発光素子を用いた光−光
変換素子の実現が切望されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、1990年、L.
T.Canhamにより単結晶シリコンを弗酸溶液中で陽極化成
した多孔質シリコンが室温で強いホトルミネッセンスを
示すことが示された（Applied Physics Letters 57, 19
90, p.1046）。このことは、シリコンでも発光素子が実
現できる可能性があることを示しており、この後、この
ホトルミネッセンスの発生メカニズムについて盛んに研
究が行われた。
T.Canhamにより単結晶シリコンを弗酸溶液中で陽極化成
した多孔質シリコンが室温で強いホトルミネッセンスを
示すことが示された（Applied Physics Letters 57, 19
90, p.1046）。このことは、シリコンでも発光素子が実
現できる可能性があることを示しており、この後、この
ホトルミネッセンスの発生メカニズムについて盛んに研
究が行われた。
【０００４】しかしながら、多孔質シリコンと良好なｐ
ｎ接合を形成し、発光素子が作製可能な材料を見出すこ
とができなかったため、この多孔質シリコンを用いたｐ
ｎ接合構造の電荷注入型発光素子は実現されておらず、
したがって、シリコンを用いた発光素子を有する光−光
変換素子の実現も困難であると思われていた。
ｎ接合を形成し、発光素子が作製可能な材料を見出すこ
とができなかったため、この多孔質シリコンを用いたｐ
ｎ接合構造の電荷注入型発光素子は実現されておらず、
したがって、シリコンを用いた発光素子を有する光−光
変換素子の実現も困難であると思われていた。
【０００５】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、発光素子をシリコンで作製した光−光変換素子
を提供することを目的とするものである。
であり、発光素子をシリコンで作製した光−光変換素子
を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、単結晶シリコン基板に、ｐ型半導体とｎ
型半導体とで多孔質シリコンを挟んだ構成とした発光素
子と、受光素子とを垂直方向に集積したことを特徴とす
るものである。
めの本発明は、単結晶シリコン基板に、ｐ型半導体とｎ
型半導体とで多孔質シリコンを挟んだ構成とした発光素
子と、受光素子とを垂直方向に集積したことを特徴とす
るものである。
【０００７】
【作用】ｐｎ接合を用いた電荷注入型発光素子を実現す
るためには、発光層である多孔質シリコンにｐ型半導体
から正孔を注入し、かつｎ型半導体から電子を注入し、
発光層で再結合させることが必要である。
るためには、発光層である多孔質シリコンにｐ型半導体
から正孔を注入し、かつｎ型半導体から電子を注入し、
発光層で再結合させることが必要である。
【０００８】本発明者等は、ｐ型又はｎ型単結晶シリコ
ン基板上に発光層である多孔質シリコンを陽極化成法で
形成し、その後、ｎ型又はｐ型半導体として広いバンド
ギャップ（２．０〜２．４ｅＶ）と高い導電率（１０-2
〜１０1 Ｓ／ｃｍ）を持つ微結晶を含有する非晶質シリ
コンカーボン膜を多孔質シリコン上に堆積すると良好な
ｐｎ接合が得られることを見出した。このため、この発
光素子とシリコンを用いて形成した受光素子とを垂直方
向に集積して光−光変換素子を形成することにより、発
光素子と受光素子とをすべてシリコンで作製することが
できるので、従来のものに比べて、製造コストが安く、
しかも信頼性が高い光−光変換素子を実現することがで
きる。
ン基板上に発光層である多孔質シリコンを陽極化成法で
形成し、その後、ｎ型又はｐ型半導体として広いバンド
ギャップ（２．０〜２．４ｅＶ）と高い導電率（１０-2
〜１０1 Ｓ／ｃｍ）を持つ微結晶を含有する非晶質シリ
コンカーボン膜を多孔質シリコン上に堆積すると良好な
ｐｎ接合が得られることを見出した。このため、この発
光素子とシリコンを用いて形成した受光素子とを垂直方
向に集積して光−光変換素子を形成することにより、発
光素子と受光素子とをすべてシリコンで作製することが
できるので、従来のものに比べて、製造コストが安く、
しかも信頼性が高い光−光変換素子を実現することがで
きる。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の第一実施例について図面を参
照して説明する。図１は本発明の第一実施例である光−
光変換素子の概略構成図、図２はその光−光変換素子に
バイアスを加えていないときのバンド図、図３はその光
−光変換素子にバイアスを加え且つ光を照射したときの
バンド図、図４は陽極化成法を説明するための図であ
る。
照して説明する。図１は本発明の第一実施例である光−
光変換素子の概略構成図、図２はその光−光変換素子に
バイアスを加えていないときのバンド図、図３はその光
−光変換素子にバイアスを加え且つ光を照射したときの
バンド図、図４は陽極化成法を説明するための図であ
る。
【００１０】図１に示す光−光変換素子は、受光素子で
あるホトダイオード２と発光素子４とを垂直方向に集積
したものである。ホトダイオード２は、ｐ型単結晶シリ
コン基板１２の裏面にｎ+ 型単結晶シリコン層１４を作
製し、ｐｎ接合で形成したものである。ｎ+ 型単結晶シ
リコン層１４上にはＡｌ層で電極６ａを形成している。
また、発光素子４は、ｐ型単結晶シリコン基板１２の表
面に多孔質シリコン層１６を形成し、更にその上にｎ型
の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン層１８を形
成したものである。ｎ型の微結晶を含有する非晶質シリ
コンカーボン層１８上にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）
膜で透明電極６ｂを形成している。この光−光変換素子
にバイアスを加えていないときのバンド図を図２に示
す。
あるホトダイオード２と発光素子４とを垂直方向に集積
したものである。ホトダイオード２は、ｐ型単結晶シリ
コン基板１２の裏面にｎ+ 型単結晶シリコン層１４を作
製し、ｐｎ接合で形成したものである。ｎ+ 型単結晶シ
リコン層１４上にはＡｌ層で電極６ａを形成している。
また、発光素子４は、ｐ型単結晶シリコン基板１２の表
面に多孔質シリコン層１６を形成し、更にその上にｎ型
の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン層１８を形
成したものである。ｎ型の微結晶を含有する非晶質シリ
コンカーボン層１８上にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）
膜で透明電極６ｂを形成している。この光−光変換素子
にバイアスを加えていないときのバンド図を図２に示
す。
【００１１】次に、図１に示す光−光変換素子の製法に
ついて説明する。まず、ｐ型単結晶シリコン基板１２
（結晶面（１００）、抵抗率０．１〜４０Ωｃｍ）の裏
面にｎ+ 型単結晶シリコン層１４を形成する。このｎ+
型単結晶シリコン層１４はイオン注入法又は拡散法を用
いて作製する。そして、ｎ+ 型単結晶シリコン層１４上
にＡｌを蒸着してオーミックコンタクトをとり、電極６
ａを形成する。
ついて説明する。まず、ｐ型単結晶シリコン基板１２
（結晶面（１００）、抵抗率０．１〜４０Ωｃｍ）の裏
面にｎ+ 型単結晶シリコン層１４を形成する。このｎ+
型単結晶シリコン層１４はイオン注入法又は拡散法を用
いて作製する。そして、ｎ+ 型単結晶シリコン層１４上
にＡｌを蒸着してオーミックコンタクトをとり、電極６
ａを形成する。
【００１２】次に、ｐ型単結晶シリコン基板１２の表面
に多孔質シリコン層１６を陽極化成法で形成する。すな
わち、まず、図４に示すように、ｐ型単結晶シリコン基
板１２上に、多孔質化したい部分を除いてワックス３２
でマスクをする。定電流電源３４を用い、その陰極側に
白金電極を、その陽極側にｐ型単結晶シリコン基板１２
の電極６ａを付け、その後、ｐ型単結晶シリコン基板１
２をエチルアルコール：弗酸（４８％の水溶液）＝０．
１〜５：１の溶液中に浸す。ここで、エチルアルコール
と弗酸の比率を上記のように設定したのは、エチルアル
コール：弗酸＝０．１：１未満になると陽極化成の際生
じる泡によって、多孔質シリコン層１６が均一に形成さ
れないためである。そして、定電流電源３４の電流を５
〜５０ｍＡ／ｃｍ2 に固定し、１〜５分間陽極化成を行
う。ただし、電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ2 を越えると、
除々にシリコンの電界研磨が起こり始めてくるので注意
を要する。その後、ｐ型単結晶シリコン基板１２を光化
学エッチング又はＫＯＨ溶液に約数秒間浸して多孔質シ
リコン層１６の表面の不純物層を取り除き、また、ｐ型
単結晶シリコン基板１２上のワックス３２を有機溶剤で
解かし、純水で洗浄する。
に多孔質シリコン層１６を陽極化成法で形成する。すな
わち、まず、図４に示すように、ｐ型単結晶シリコン基
板１２上に、多孔質化したい部分を除いてワックス３２
でマスクをする。定電流電源３４を用い、その陰極側に
白金電極を、その陽極側にｐ型単結晶シリコン基板１２
の電極６ａを付け、その後、ｐ型単結晶シリコン基板１
２をエチルアルコール：弗酸（４８％の水溶液）＝０．
１〜５：１の溶液中に浸す。ここで、エチルアルコール
と弗酸の比率を上記のように設定したのは、エチルアル
コール：弗酸＝０．１：１未満になると陽極化成の際生
じる泡によって、多孔質シリコン層１６が均一に形成さ
れないためである。そして、定電流電源３４の電流を５
〜５０ｍＡ／ｃｍ2 に固定し、１〜５分間陽極化成を行
う。ただし、電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ2 を越えると、
除々にシリコンの電界研磨が起こり始めてくるので注意
を要する。その後、ｐ型単結晶シリコン基板１２を光化
学エッチング又はＫＯＨ溶液に約数秒間浸して多孔質シ
リコン層１６の表面の不純物層を取り除き、また、ｐ型
単結晶シリコン基板１２上のワックス３２を有機溶剤で
解かし、純水で洗浄する。
【００１３】次に、ｎ型の微結晶を含有する非晶質シリ
コンカーボン膜１８を電子サイクロトロン共鳴プラズマ
ＣＶＤ法により堆積させる。ところで、発光するのに良
好なｐｎ接合を作製するためには、多孔質シリコン層１
６の作製方法はもちろんのこと、特に多孔質シリコン層
１６とｎ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン
膜１８との界面特性にダメージを与えないよう、ｎ型の
微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン膜１８の堆積
条件を最適化することが非常に重要である。
コンカーボン膜１８を電子サイクロトロン共鳴プラズマ
ＣＶＤ法により堆積させる。ところで、発光するのに良
好なｐｎ接合を作製するためには、多孔質シリコン層１
６の作製方法はもちろんのこと、特に多孔質シリコン層
１６とｎ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン
膜１８との界面特性にダメージを与えないよう、ｎ型の
微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン膜１８の堆積
条件を最適化することが非常に重要である。
【００１４】本発明者等は、ｎ型の微結晶を含有する非
晶質シリコンカーボン膜から多孔質シリコン層上に電子
が良好に注入できるようなｎ型の微結晶を含有する非晶
質シリコンカーボン膜の堆積条件を見出した。すなわ
ち、電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶＤ装置でｎ型
の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン膜１８を堆
積させる堆積条件は、ガス圧０．００１〜０．００８Ｔ
ｏｒｒ、投入電力２００〜３５０Ｗ、ＳｉＨ4 ：Ｃ
Ｈ4 ：ＰＨ3 ：Ｈ2 ＝１：１〜３：０．００５〜０．０
３：１００〜２００、基板温度１５０〜３５０℃であ
る。尚、本発明者等が調べたところでは、電子サイクロ
トロン共鳴プラズマＣＶＤ法のガス圧が０．００１Ｔｏ
ｒｒ未満では、エッチング効果で下地の多孔質シリコン
層１６にダメージを与え、また０．００８Ｔｏｒｒを越
えると、プラズマが安定せずｎ型の微結晶を含有する非
晶質シリコンカーボン膜１８が作製不可能となる。ま
た、基板温度が１５０℃未満では、ｎ型の微結晶を含有
する非晶質シリコンカーボン膜１８が作製不可能とな
り、また３５０℃以上では多孔質シリコン層１６の表面
状態が変化し発光しなくなることがわかった。
晶質シリコンカーボン膜から多孔質シリコン層上に電子
が良好に注入できるようなｎ型の微結晶を含有する非晶
質シリコンカーボン膜の堆積条件を見出した。すなわ
ち、電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶＤ装置でｎ型
の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン膜１８を堆
積させる堆積条件は、ガス圧０．００１〜０．００８Ｔ
ｏｒｒ、投入電力２００〜３５０Ｗ、ＳｉＨ4 ：Ｃ
Ｈ4 ：ＰＨ3 ：Ｈ2 ＝１：１〜３：０．００５〜０．０
３：１００〜２００、基板温度１５０〜３５０℃であ
る。尚、本発明者等が調べたところでは、電子サイクロ
トロン共鳴プラズマＣＶＤ法のガス圧が０．００１Ｔｏ
ｒｒ未満では、エッチング効果で下地の多孔質シリコン
層１６にダメージを与え、また０．００８Ｔｏｒｒを越
えると、プラズマが安定せずｎ型の微結晶を含有する非
晶質シリコンカーボン膜１８が作製不可能となる。ま
た、基板温度が１５０℃未満では、ｎ型の微結晶を含有
する非晶質シリコンカーボン膜１８が作製不可能とな
り、また３５０℃以上では多孔質シリコン層１６の表面
状態が変化し発光しなくなることがわかった。
【００１５】最後に、電子ビーム蒸着装置を用い、ｎ型
の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン膜１８上に
ＩＴＯ膜を堆積させて透明電極６ｂを形成することによ
り、図１に示す光−光変換素子を得ることができる。
の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン膜１８上に
ＩＴＯ膜を堆積させて透明電極６ｂを形成することによ
り、図１に示す光−光変換素子を得ることができる。
【００１６】次に、第一実施例の光−光変換素子の動作
について説明する。図３に示すように、光−光変換素子
に電圧を加えると、ホトダイオード２は逆バイアス状態
になり、発光素子４は順バイアス状態になる。ホトダイ
オード２側から光が入射すると、ｐ型単結晶シリコン基
板１２で電子と正孔の対が光励起されて生成する。そし
て、これらのキャリアのうち、電子はｎ+ 型単結晶シリ
コン層１４に移動し、正孔は多孔質シリコン層１６に移
動する。また、発光素子４には順バイアスが加わるた
め、多孔質シリコン層１６には、ｎ型の微結晶を含有す
る非晶質シリコンカーボン膜１８から電子が注入される
ので、多孔質シリコン層１６で電子と正孔が再結合し
て、光が放射される。単結晶シリコンのエネルギーギャ
ップは１．１２ｅＶであるので、この光−光変換素子で
は、波長１．１μｍの近赤外光まで感知することができ
る。しかも、多孔質シリコンは直接遷移を起こし、波長
６００〜８００ｎｍのだいだい・赤色の光を発光するの
で、第一実施例の光−光変換素子では、赤外光を入射さ
せて可視光を放出させることができる。尚、ホトダイオ
ード２側から光が入射しない場合には、ｎ+ 型単結晶シ
リコン層１４とｐ型単結晶シリコン基板１２が逆バイア
ス状態であるため、正孔が多孔質シリコン層１６に注入
されないので、発光しない。
について説明する。図３に示すように、光−光変換素子
に電圧を加えると、ホトダイオード２は逆バイアス状態
になり、発光素子４は順バイアス状態になる。ホトダイ
オード２側から光が入射すると、ｐ型単結晶シリコン基
板１２で電子と正孔の対が光励起されて生成する。そし
て、これらのキャリアのうち、電子はｎ+ 型単結晶シリ
コン層１４に移動し、正孔は多孔質シリコン層１６に移
動する。また、発光素子４には順バイアスが加わるた
め、多孔質シリコン層１６には、ｎ型の微結晶を含有す
る非晶質シリコンカーボン膜１８から電子が注入される
ので、多孔質シリコン層１６で電子と正孔が再結合し
て、光が放射される。単結晶シリコンのエネルギーギャ
ップは１．１２ｅＶであるので、この光−光変換素子で
は、波長１．１μｍの近赤外光まで感知することができ
る。しかも、多孔質シリコンは直接遷移を起こし、波長
６００〜８００ｎｍのだいだい・赤色の光を発光するの
で、第一実施例の光−光変換素子では、赤外光を入射さ
せて可視光を放出させることができる。尚、ホトダイオ
ード２側から光が入射しない場合には、ｎ+ 型単結晶シ
リコン層１４とｐ型単結晶シリコン基板１２が逆バイア
ス状態であるため、正孔が多孔質シリコン層１６に注入
されないので、発光しない。
【００１７】上記の第一実施例では、発光素子をｐ型単
結晶シリコンとｎ型の微結晶を含有する非晶質シリコン
カーボン膜とで多孔質シリコン層を挟んで構成したこと
により、発光層である多孔質シリコン層に電子や正孔が
入り易くなり、良好なｐｎ接合を得ることができる。こ
のため、この発光素子と、シリコンを用いて形成した受
光素子とを垂直方向に集積することによって、光−光変
換素子をすべてシリコンで作製することができるので、
化合物半導体を用いて作製した従来のものに比べて、構
造が簡易で、製造コストが安く、しかも信頼性を高める
ことができ、また、幅が３インチ以上の大きい面積のも
のであっても作ることができるという利点がある。した
がって、第一実施例の光−光変換素子は、光コンピュー
タ用素子や波長変換素子等として用いるのに好適であ
る。
結晶シリコンとｎ型の微結晶を含有する非晶質シリコン
カーボン膜とで多孔質シリコン層を挟んで構成したこと
により、発光層である多孔質シリコン層に電子や正孔が
入り易くなり、良好なｐｎ接合を得ることができる。こ
のため、この発光素子と、シリコンを用いて形成した受
光素子とを垂直方向に集積することによって、光−光変
換素子をすべてシリコンで作製することができるので、
化合物半導体を用いて作製した従来のものに比べて、構
造が簡易で、製造コストが安く、しかも信頼性を高める
ことができ、また、幅が３インチ以上の大きい面積のも
のであっても作ることができるという利点がある。した
がって、第一実施例の光−光変換素子は、光コンピュー
タ用素子や波長変換素子等として用いるのに好適であ
る。
【００１８】次に、本発明の第二実施例である光−光変
換素子について図面を参照して説明する。図５は本発明
の第二実施例である光−光変換素子の概略構成図、図６
はこの光−光変換素子にバイアスを加えていない場合の
バンド図、図７はこの光−光変換素子にバイアスを加え
た場合のバンド図、図８はこの光−光変換素子にバイア
スを加え且つ光を照射した場合のバンド図である。
換素子について図面を参照して説明する。図５は本発明
の第二実施例である光−光変換素子の概略構成図、図６
はこの光−光変換素子にバイアスを加えていない場合の
バンド図、図７はこの光−光変換素子にバイアスを加え
た場合のバンド図、図８はこの光−光変換素子にバイア
スを加え且つ光を照射した場合のバンド図である。
【００１９】第二実施例の光−光変換素子が第一実施例
のものと異なる点は、受光素子としてホトトランジスタ
２ａを用いた点である。ホトトランジスタ２ａは、ｐ型
単結晶シリコン基板２２上にｎ型単結晶シリコン層２４
とｐ+ 型単結晶シリコン層２６とを形成したｐｎｐ構造
のものである。その他の構成は第一実施例と同様であ
り、第一実施例と同様の構成を有するものには同一の符
号を付すことによりその詳細な説明を省略する。この光
−光変換素子にバイアスを加えていない場合のバンド図
を図６に示す。
のものと異なる点は、受光素子としてホトトランジスタ
２ａを用いた点である。ホトトランジスタ２ａは、ｐ型
単結晶シリコン基板２２上にｎ型単結晶シリコン層２４
とｐ+ 型単結晶シリコン層２６とを形成したｐｎｐ構造
のものである。その他の構成は第一実施例と同様であ
り、第一実施例と同様の構成を有するものには同一の符
号を付すことによりその詳細な説明を省略する。この光
−光変換素子にバイアスを加えていない場合のバンド図
を図６に示す。
【００２０】第二実施例の光−光変換素子を作製するに
は、まず、ｐ型単結晶シリコン基板２２の裏面にｎ型単
結晶シリコン層２４をエピタキシャル成長させて形成す
る。そして、ｎ型単結晶シリコン層２４上に拡散法又は
イオン注入法によりｐ+ 型単結晶シリコン層２６を形成
することにより、ホトトランジスタ２ａが形成される。
また、ｐ+ 型単結晶シリコン層２６上にＡｌを蒸着して
オーミックコンタクトをとり、電極６ａを形成する。
は、まず、ｐ型単結晶シリコン基板２２の裏面にｎ型単
結晶シリコン層２４をエピタキシャル成長させて形成す
る。そして、ｎ型単結晶シリコン層２４上に拡散法又は
イオン注入法によりｐ+ 型単結晶シリコン層２６を形成
することにより、ホトトランジスタ２ａが形成される。
また、ｐ+ 型単結晶シリコン層２６上にＡｌを蒸着して
オーミックコンタクトをとり、電極６ａを形成する。
【００２１】次に、ｐ型単結晶シリコン基板２２の表面
に発光素子４を形成するが、これは、上記第一実施例と
同様に、陽極化成法で多孔質シリコン層１６を、電子サ
イクロトロン共鳴プラズマＣＶＤ法でｎ型の微結晶を含
有する非晶質シリコンカーボン膜１８を形成する。最後
に、ｎ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン膜
１８上にＩＴＯ膜で透明電極６ｂを形成して、図５に示
す光−光変換素子を得ることができる。
に発光素子４を形成するが、これは、上記第一実施例と
同様に、陽極化成法で多孔質シリコン層１６を、電子サ
イクロトロン共鳴プラズマＣＶＤ法でｎ型の微結晶を含
有する非晶質シリコンカーボン膜１８を形成する。最後
に、ｎ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン膜
１８上にＩＴＯ膜で透明電極６ｂを形成して、図５に示
す光−光変換素子を得ることができる。
【００２２】次に、第二実施例の光−光変換素子の動作
について説明する。まず、図７に示すように、光−光変
換素子に電圧を加えると、ホトトランジスタ２ａのｐ+
型単結晶シリコン層２６とｎ型単結晶シリコン層２４は
順バイアス状態に、ｎ型単結晶シリコン層２４とｐ型単
結晶シリコン基板２２は逆バイアス状態になる。また、
発光素子４は順バイアス状態になる。このとき、ホトト
ランジスタ２ａでは、電圧は主にｎ型単結晶シリコン層
２４とｐ型単結晶シリコン基板２２との間にかかるた
め、ｐ+ 型単結晶シリコン層２６の正孔は、ｐ型単結晶
シリコン基板２２には注入されない。
について説明する。まず、図７に示すように、光−光変
換素子に電圧を加えると、ホトトランジスタ２ａのｐ+
型単結晶シリコン層２６とｎ型単結晶シリコン層２４は
順バイアス状態に、ｎ型単結晶シリコン層２４とｐ型単
結晶シリコン基板２２は逆バイアス状態になる。また、
発光素子４は順バイアス状態になる。このとき、ホトト
ランジスタ２ａでは、電圧は主にｎ型単結晶シリコン層
２４とｐ型単結晶シリコン基板２２との間にかかるた
め、ｐ+ 型単結晶シリコン層２６の正孔は、ｐ型単結晶
シリコン基板２２には注入されない。
【００２３】そして、ホトトランジスタ２ａ側から光が
入射すると、図８に示すように、ｐ型単結晶シリコン基
板２２で光が吸収され、電子と正孔の対が生成される。
これらのキャリアのうち、電子はｎ型単結晶シリコン層
２４に移動し、そこに溜まる。このため、ｐ+ 型単結晶
シリコン層２６とｎ型単結晶シリコン層２４はより順バ
イアス状態となり、ｐ+ 型単結晶シリコン層２６とｎ型
単結晶シリコン層２４間の正孔に対する障壁が小さくな
る。したがって、ｐ+ 型単結晶シリコン層２６の正孔
は、ｎ型単結晶シリコン層２４及びｐ型単結晶シリコン
基板２２を通過し、ｐ型単結晶シリコン基板２２で生成
された正孔と共に、多孔質シリコン層１６に移動する。
多孔質シリコン層１６には、ｎ型の微結晶を含有する非
晶質シリコンカーボン膜１８から電子が注入されるた
め、多孔質シリコン層１６で電子と正孔の再結合が起こ
り、可視光が放射される。
入射すると、図８に示すように、ｐ型単結晶シリコン基
板２２で光が吸収され、電子と正孔の対が生成される。
これらのキャリアのうち、電子はｎ型単結晶シリコン層
２４に移動し、そこに溜まる。このため、ｐ+ 型単結晶
シリコン層２６とｎ型単結晶シリコン層２４はより順バ
イアス状態となり、ｐ+ 型単結晶シリコン層２６とｎ型
単結晶シリコン層２４間の正孔に対する障壁が小さくな
る。したがって、ｐ+ 型単結晶シリコン層２６の正孔
は、ｎ型単結晶シリコン層２４及びｐ型単結晶シリコン
基板２２を通過し、ｐ型単結晶シリコン基板２２で生成
された正孔と共に、多孔質シリコン層１６に移動する。
多孔質シリコン層１６には、ｎ型の微結晶を含有する非
晶質シリコンカーボン膜１８から電子が注入されるた
め、多孔質シリコン層１６で電子と正孔の再結合が起こ
り、可視光が放射される。
【００２４】第二実施例の光−光変換素子では、受光素
子としてホトトランジスタを用いたことにより、応答速
度がホトダイオードを用いた場合に比べて遅くなるが、
光増幅ができ、発光輝度を増やすことができる。その他
の効果は第一実施例と同様である。
子としてホトトランジスタを用いたことにより、応答速
度がホトダイオードを用いた場合に比べて遅くなるが、
光増幅ができ、発光輝度を増やすことができる。その他
の効果は第一実施例と同様である。
【００２５】尚、本発明は、上記の各実施例に限定され
るものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形
が可能である。たとえば、上記の各実施例では、発光素
子を構成するｎ型半導体としてｎ型の微結晶を含有する
非晶質シリコンカーボン膜を用いた場合について説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、たとえ
ば、ｎ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン膜
の代わりにｎ型の非晶質シリコンカーボンを用いても原
理的に発光素子を実現できる。この場合、非晶質シリコ
ンカーボンを形成するには、通常のＰＶＣＶＤ法を用い
ればよいので、製法が容易であるという利点がある。し
かし、非晶質シリコンカーボンのバンドギャップと導電
率はバンドギャップ２．０ｅＶの所で、導電率１０-5Ｓ
／ｃｍであり、微結晶を含有する非晶質シリコンカーボ
ン膜に比べてバンドギャップ、導電率共に低い値を示す
ため、発光輝度が低下するという欠点もある。
るものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形
が可能である。たとえば、上記の各実施例では、発光素
子を構成するｎ型半導体としてｎ型の微結晶を含有する
非晶質シリコンカーボン膜を用いた場合について説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、たとえ
ば、ｎ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン膜
の代わりにｎ型の非晶質シリコンカーボンを用いても原
理的に発光素子を実現できる。この場合、非晶質シリコ
ンカーボンを形成するには、通常のＰＶＣＶＤ法を用い
ればよいので、製法が容易であるという利点がある。し
かし、非晶質シリコンカーボンのバンドギャップと導電
率はバンドギャップ２．０ｅＶの所で、導電率１０-5Ｓ
／ｃｍであり、微結晶を含有する非晶質シリコンカーボ
ン膜に比べてバンドギャップ、導電率共に低い値を示す
ため、発光輝度が低下するという欠点もある。
【００２６】また、上記の各実施例において、ｎ型の微
結晶を含有する非晶質シリコンカーボン膜とＩＴＯ膜の
代わりに、たとえばＡｕ層やＩＴＯ膜を直接形成しても
よい。図９にその光−光変換素子の概略構造図、図１０
にその光−光変換素子にバイアスを加え且つ光を照射し
た場合のバンド図を示す。この場合も、構造が非常に簡
単になるが、発光輝度が小さくなるという欠点がある。
結晶を含有する非晶質シリコンカーボン膜とＩＴＯ膜の
代わりに、たとえばＡｕ層やＩＴＯ膜を直接形成しても
よい。図９にその光−光変換素子の概略構造図、図１０
にその光−光変換素子にバイアスを加え且つ光を照射し
た場合のバンド図を示す。この場合も、構造が非常に簡
単になるが、発光輝度が小さくなるという欠点がある。
【００２７】更に、上記の各実施例において、光−光変
換素子を構成する各半導体を、その伝導型が異なる半導
体を用いて形成してもよい。この場合、光−光変換素子
を作製するのに、以下の二点に注意する必要がある。す
なわち、ｎ型単結晶シリコン基板から多孔質シリコン層
へ良好に電子を注入できる多孔質シリコン層を作製する
ためには、光を照射しながらｎ型単結晶シリコン基板上
に多孔質シリコン層を作製しなければならない。また、
発光素子を構成するｐ型半導体として、たとえばｐ型の
微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン膜を用いる場
合には、多孔質シリコン層に正孔が良好に注入できるよ
うなｐ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン膜
の堆積条件は、上記に説明したｎ型の微結晶を含有する
非晶質シリコンカーボン膜の堆積条件とほとんど同じで
あるが、原料ガスとしてＰＨ3 の代わりにＢ2 Ｈ6 を用
いる必要がある。
換素子を構成する各半導体を、その伝導型が異なる半導
体を用いて形成してもよい。この場合、光−光変換素子
を作製するのに、以下の二点に注意する必要がある。す
なわち、ｎ型単結晶シリコン基板から多孔質シリコン層
へ良好に電子を注入できる多孔質シリコン層を作製する
ためには、光を照射しながらｎ型単結晶シリコン基板上
に多孔質シリコン層を作製しなければならない。また、
発光素子を構成するｐ型半導体として、たとえばｐ型の
微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン膜を用いる場
合には、多孔質シリコン層に正孔が良好に注入できるよ
うなｐ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン膜
の堆積条件は、上記に説明したｎ型の微結晶を含有する
非晶質シリコンカーボン膜の堆積条件とほとんど同じで
あるが、原料ガスとしてＰＨ3 の代わりにＢ2 Ｈ6 を用
いる必要がある。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、発
光素子をｐ型半導体とｎ型半導体とで多孔質シリコンを
挟んだ構成としたことにより、発光層である多孔質シリ
コン層に電子や正孔が入り易くなり、良好なｐｎ接合構
造の発光素子を得ることができるので、この発光素子と
受光素子とをシリコンを用いて垂直方向に集積すること
によって、従来のように化合物半導体で作製した場合に
比べて、製造コストが安く、信頼性を高めることがで
き、また大きい面積のものであっても作ることができ、
したがって光コンピュータ用素子や波長変換素子等とし
て用いるのに好適な光−光変換素子を提供することがで
きる。
光素子をｐ型半導体とｎ型半導体とで多孔質シリコンを
挟んだ構成としたことにより、発光層である多孔質シリ
コン層に電子や正孔が入り易くなり、良好なｐｎ接合構
造の発光素子を得ることができるので、この発光素子と
受光素子とをシリコンを用いて垂直方向に集積すること
によって、従来のように化合物半導体で作製した場合に
比べて、製造コストが安く、信頼性を高めることがで
き、また大きい面積のものであっても作ることができ、
したがって光コンピュータ用素子や波長変換素子等とし
て用いるのに好適な光−光変換素子を提供することがで
きる。
【図１】本発明の第一実施例である光−光変換素子の概
略構成図である。
略構成図である。
【図２】その光−光変換素子にバイアスを加えていない
ときのバンド図である。
ときのバンド図である。
【図３】その光−光変換素子にバイアスを加え且つ光を
照射したときのバンド図である。
照射したときのバンド図である。
【図４】陽極化成法を説明するための図である。
【図５】本発明の第二実施例である光−光変換素子の概
略構成図である。
略構成図である。
【図６】この光−光変換素子にバイアスを加えていない
場合のバンド図である。
場合のバンド図である。
【図７】この光−光変換素子にバイアスを加えた場合の
バンド図である。
バンド図である。
【図８】この光−光変換素子にバイアスを加え且つ光を
照射した場合のバンド図である。
照射した場合のバンド図である。
【図９】本発明の変形例である光−光変換素子の概略構
造図である。
造図である。
【図１０】その光−光変換素子にバイアスを加え且つ光
を照射した場合のバンド図を示す。
を照射した場合のバンド図を示す。
２ ホトダイオード ２ａ ホトトランジスタ ４ 発光素子 ６ａ 電極 ６ｂ 透明電極 １２ ｐ型単結晶シリコン基板 １４ ｎ+ 型単結晶シリコン層 １６ 多孔質シリコン層 １８ ｎ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボ
ン層 ２２ ｐ型単結晶シリコン基板 ２４ ｎ型単結晶シリコン層 ２６ ｐ+ 型単結晶シリコン層 ３２ ワックス ３４ 定電流電源
ン層 ２２ ｐ型単結晶シリコン基板 ２４ ｎ型単結晶シリコン層 ２６ ｐ+ 型単結晶シリコン層 ３２ ワックス ３４ 定電流電源
Claims (5)
- 【請求項１】 単結晶シリコン基板に、ｐ型半導体とｎ
型半導体とで多孔質シリコンを挟んだ構成とした発光素
子と、受光素子とを垂直方向に集積したことを特徴とす
る光−光変換素子。 - 【請求項２】 前記発光素子は、単結晶シリコンと前記
単結晶シリコンと異なる伝導型をもつ微結晶を含有する
非晶質シリコンカーボン膜からなるｐｎ接合を用いたも
のである請求項１記載の光−光変換素子。 - 【請求項３】 前記発光素子は、単結晶シリコンと前記
単結晶シリコンと異なる伝導型をもつ非晶質シリコンカ
ーボン膜からなるｐｎ接合を用いたものである請求項１
記載の光−光変換素子。 - 【請求項４】 前記受光素子は、単結晶シリコンを用い
て形成したホトダイオードである請求項１、２又は３記
載の光−光変換素子。 - 【請求項５】 前記受光素子は、単結晶シリコンを用い
て形成したホトトランジスタである請求項１、２又は３
記載の光−光変換素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27083492A JPH0697491A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 光−光変換素子 |
| US08/008,566 US5285078A (en) | 1992-01-24 | 1993-01-22 | Light emitting element with employment of porous silicon and optical device utilizing light emitting element |
| DE4301940A DE4301940A1 (ja) | 1992-01-24 | 1993-01-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27083492A JPH0697491A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 光−光変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697491A true JPH0697491A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17491666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27083492A Withdrawn JPH0697491A (ja) | 1992-01-24 | 1992-09-14 | 光−光変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697491A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6054747A (en) * | 1998-06-19 | 2000-04-25 | National Science Council | Integrated photoreceiver having metal-insulator-semiconductor switch |
| US20070238216A1 (en) * | 2006-04-05 | 2007-10-11 | Sang-Wook Park | Solar cell and its method of manufacture |
-
1992
- 1992-09-14 JP JP27083492A patent/JPH0697491A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6054747A (en) * | 1998-06-19 | 2000-04-25 | National Science Council | Integrated photoreceiver having metal-insulator-semiconductor switch |
| US20070238216A1 (en) * | 2006-04-05 | 2007-10-11 | Sang-Wook Park | Solar cell and its method of manufacture |
| US8227881B2 (en) * | 2006-04-05 | 2012-07-24 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Solar cell and its method of manufacture |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |