JPH07288337A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
- Publication number
- JPH07288337A JPH07288337A JP10194994A JP10194994A JPH07288337A JP H07288337 A JPH07288337 A JP H07288337A JP 10194994 A JP10194994 A JP 10194994A JP 10194994 A JP10194994 A JP 10194994A JP H07288337 A JPH07288337 A JP H07288337A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- type
- junction
- porous
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大気に晒すことなく多孔質Ｓｉのｐｎ接合を
作製し、発光素子の輝度の向上と閾値電圧の低下を実現
することのできる発光素子を提供する。 【構成】 シリコンｐｎ接合基板を陽極化成することに
より、多孔質シリコンｐｎ接合を作製した。このように
して作製した多孔質シリコンｐｎ接合はｐｎ接合面が良
好なため、発光輝度と発光の閾値電圧の減少を図れるこ
とがわかった。
作製し、発光素子の輝度の向上と閾値電圧の低下を実現
することのできる発光素子を提供する。 【構成】 シリコンｐｎ接合基板を陽極化成することに
より、多孔質シリコンｐｎ接合を作製した。このように
して作製した多孔質シリコンｐｎ接合はｐｎ接合面が良
好なため、発光輝度と発光の閾値電圧の減少を図れるこ
とがわかった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信、自発光型ディ
スプレイ、光源、光集積回路等に用いることの出来る発
光素子、特にｐｎ接合を用いた電荷注入型発光素子（Ｌ
ＥＤ）に関するものである。
スプレイ、光源、光集積回路等に用いることの出来る発
光素子、特にｐｎ接合を用いた電荷注入型発光素子（Ｌ
ＥＤ）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコン半導体は間接遷移半導体である
ため発光素子の作製は実現不可能であると考えられてお
り、そのため従来ｐｎ接合を用いた発光素子は III−Ｖ
属化合物半導体、II−VI属化合物半導体、およびIV−VI
属化合物半導体で作製されていた。しかし、シリコン半
導体は化合物半導体に比べ、資源が豊富、単結晶作製技
術が高く大面積のものを安価に供給でき、また、デバイ
ス設計・作製技術が高く、現状化合物半導体では実現す
ることが難しい高集積度でかつ高信頼性のある論理、演
算、駆動、受光素子等を同一基板上に作り込める等の利
点により、シリコンを用いた発光素子、特に最終的には
レーザへの応用が可能なｐｎ接合を用いた電荷注入型の
発光素子の実現が切望されていた。１９９０年L.T.Canh
amにより単結晶シリコンを弗酸溶液中で陽極化成した多
孔質シリコンが、室温で強いホトルミネッセンスを示す
ことが示された（Applied Physics Letters 57,1990,p.
1046) 。このことは、シリコンでも発光素子が実現でき
る可能性があることを示しており、その後このホトルミ
ネッセンスの発生メカニズムについて盛んに研究が行わ
れている。
ため発光素子の作製は実現不可能であると考えられてお
り、そのため従来ｐｎ接合を用いた発光素子は III−Ｖ
属化合物半導体、II−VI属化合物半導体、およびIV−VI
属化合物半導体で作製されていた。しかし、シリコン半
導体は化合物半導体に比べ、資源が豊富、単結晶作製技
術が高く大面積のものを安価に供給でき、また、デバイ
ス設計・作製技術が高く、現状化合物半導体では実現す
ることが難しい高集積度でかつ高信頼性のある論理、演
算、駆動、受光素子等を同一基板上に作り込める等の利
点により、シリコンを用いた発光素子、特に最終的には
レーザへの応用が可能なｐｎ接合を用いた電荷注入型の
発光素子の実現が切望されていた。１９９０年L.T.Canh
amにより単結晶シリコンを弗酸溶液中で陽極化成した多
孔質シリコンが、室温で強いホトルミネッセンスを示す
ことが示された（Applied Physics Letters 57,1990,p.
1046) 。このことは、シリコンでも発光素子が実現でき
る可能性があることを示しており、その後このホトルミ
ネッセンスの発生メカニズムについて盛んに研究が行わ
れている。
【０００３】このような中で、越田等は、単結晶シリコ
ンの表面の一部を陽極化成して得た多孔質シリコン、及
び半透明の金電極からなる発光素子を提案している（Ap
pl.Phys.Lett.60(3),20 January 1992) 。上記多孔質Ｓ
ｉは、結晶シリコンを弗酸溶液中で電気化学的にエッチ
ングすることによって得られるが、その際に、かかる工
程を、シリコンがｐ型かｎ型かによって暗中又は５００
Ｗ程度のダングステンランプの光を化成表面に照射しな
がら行う。こうして得られた発光素子からは、赤色から
オレンジ色のＥＬ発光が得られている。
ンの表面の一部を陽極化成して得た多孔質シリコン、及
び半透明の金電極からなる発光素子を提案している（Ap
pl.Phys.Lett.60(3),20 January 1992) 。上記多孔質Ｓ
ｉは、結晶シリコンを弗酸溶液中で電気化学的にエッチ
ングすることによって得られるが、その際に、かかる工
程を、シリコンがｐ型かｎ型かによって暗中又は５００
Ｗ程度のダングステンランプの光を化成表面に照射しな
がら行う。こうして得られた発光素子からは、赤色から
オレンジ色のＥＬ発光が得られている。
【０００４】素子の構造としては上記と同様であるが、
陽極化成を行う際に紫外線（ＵＶ）光源からの光を照射
することを特徴とする発光素子が、スタイナー等によっ
て提案されている（Mat.Res.Soc.Sym.Proc.Vol.283 199
3)。
陽極化成を行う際に紫外線（ＵＶ）光源からの光を照射
することを特徴とする発光素子が、スタイナー等によっ
て提案されている（Mat.Res.Soc.Sym.Proc.Vol.283 199
3)。
【０００５】また、本出願人は先に、多孔質Ｓｉの上に
微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合金（μｃ−
ＳｉＣ）又は微結晶を含有する非晶質シリコン（μｃ−
Ｓｉ）などの半導体層を形成したｐｎ接合型の発光素子
を提案した（特願平５−９２４６３〜特願平５−９２４
６６）。
微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合金（μｃ−
ＳｉＣ）又は微結晶を含有する非晶質シリコン（μｃ−
Ｓｉ）などの半導体層を形成したｐｎ接合型の発光素子
を提案した（特願平５−９２４６３〜特願平５−９２４
６６）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
発光素子では、接合の一方の半導体である多孔質Ｓｉと
もう一方の半導体であるμｃ−ＳｉＣ又はμｃ−Ｓｉ等
の作製方法が異なっているため、多孔質シリコンの表面
を大気に晒さなければならず、そのためｐｎの境界面で
ある多孔質Ｓｉとμｃ−ＳｉＣ又はμｃ−Ｓｉ等の界面
の特性が悪く、発光素子の輝度が０．１Ｃｄ／ｍ2 程度
と低く、また発光の閾値電圧が５Ｖ以上と高かった。
発光素子では、接合の一方の半導体である多孔質Ｓｉと
もう一方の半導体であるμｃ−ＳｉＣ又はμｃ−Ｓｉ等
の作製方法が異なっているため、多孔質シリコンの表面
を大気に晒さなければならず、そのためｐｎの境界面で
ある多孔質Ｓｉとμｃ−ＳｉＣ又はμｃ−Ｓｉ等の界面
の特性が悪く、発光素子の輝度が０．１Ｃｄ／ｍ2 程度
と低く、また発光の閾値電圧が５Ｖ以上と高かった。
【０００７】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、大気に晒すことなく多孔質Ｓｉのｐｎ接合を作
製し、発光素子の輝度の向上と閾値電圧の低下を実現す
ることのできる発光素子を提供することを目的とするも
のである。
であり、大気に晒すことなく多孔質Ｓｉのｐｎ接合を作
製し、発光素子の輝度の向上と閾値電圧の低下を実現す
ることのできる発光素子を提供することを目的とするも
のである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに請求項１記載の発明である発光素子は、ｐ型又はｎ
型のシリコン上に、このシリコンとは異なる伝導型を有
するシリコン半導体を積層したｐｎ接合からなるシリコ
ン基板を陽極化成することにより作製したことを特徴と
するものである。
めに請求項１記載の発明である発光素子は、ｐ型又はｎ
型のシリコン上に、このシリコンとは異なる伝導型を有
するシリコン半導体を積層したｐｎ接合からなるシリコ
ン基板を陽極化成することにより作製したことを特徴と
するものである。
【０００９】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
光素子において、前記ｐｎからなるシリコン基板はシリ
コンエピタキシャル基板であることを特徴とするもので
ある。
光素子において、前記ｐｎからなるシリコン基板はシリ
コンエピタキシャル基板であることを特徴とするもので
ある。
【００１０】
【作用】ｐｎ接合を用いた電荷注入型発光素子を実現す
るためには、発光層に正孔および電子を効率よく注入
し、発光層で再結合させることが必要である。本発明者
は、ｐ型シリコン上にｎ型エピタキシャル層を堆積した
エピタキシャル基板に、光照射をしながら陽極化成を行
うことにより、多孔質Ｓｉのホモ接合からなるｐｎ接合
を作製した。このｐｎ接合は、接合面が大気に晒される
ことがないため、従来のヘテロｐｎ接合より、ｐ型多孔
質Ｓｉ層からｎ型多孔質Ｓｉ層に良好に正孔が注入され
ることがわかった。また本発明者は、ｎ型シリコン上に
ｐ型エピタキシャル層を堆積したエピタキシャル基板に
おいても、光照射をしながら陽極化成を行うことによ
り、ｎ型多孔質Ｓｉ層からｐ型多孔質Ｓｉ層に良好に電
子が注入されることを見いだした。
るためには、発光層に正孔および電子を効率よく注入
し、発光層で再結合させることが必要である。本発明者
は、ｐ型シリコン上にｎ型エピタキシャル層を堆積した
エピタキシャル基板に、光照射をしながら陽極化成を行
うことにより、多孔質Ｓｉのホモ接合からなるｐｎ接合
を作製した。このｐｎ接合は、接合面が大気に晒される
ことがないため、従来のヘテロｐｎ接合より、ｐ型多孔
質Ｓｉ層からｎ型多孔質Ｓｉ層に良好に正孔が注入され
ることがわかった。また本発明者は、ｎ型シリコン上に
ｐ型エピタキシャル層を堆積したエピタキシャル基板に
おいても、光照射をしながら陽極化成を行うことによ
り、ｎ型多孔質Ｓｉ層からｐ型多孔質Ｓｉ層に良好に電
子が注入されることを見いだした。
【００１１】本発明者は、この結果を基に、ｐ型シリコ
ン上にｎ型エピタキシャル層を堆積したエピタキシャル
基板を用いた多孔質シリコンｐｎ接合の場合には、ｎ型
多孔質Ｓｉとオーミック接合を形成し、電子が容易にｎ
型多孔質Ｓｉに注入することが予想されるインジュムス
ズオキサイド（ＩＴＯ）を電極として堆積し、発光素子
を作製した。また、ｎ型シリコン上にｐ型エピタキシャ
ル層を堆積したエピタキシャル基板を用いた多孔質シリ
コンｐｎ接合の場合には、ｐ型多孔質Ｓｉとオーミック
接合を形成し、正孔が容易にｐ型多孔質Ｓｉ層に注入す
ることが予想されるＡｕを電極として堆積し、発光素子
を作製した。その結果、従来より低い閾値電圧で、輝度
の高い発光素子を作製できることを見いだした。
ン上にｎ型エピタキシャル層を堆積したエピタキシャル
基板を用いた多孔質シリコンｐｎ接合の場合には、ｎ型
多孔質Ｓｉとオーミック接合を形成し、電子が容易にｎ
型多孔質Ｓｉに注入することが予想されるインジュムス
ズオキサイド（ＩＴＯ）を電極として堆積し、発光素子
を作製した。また、ｎ型シリコン上にｐ型エピタキシャ
ル層を堆積したエピタキシャル基板を用いた多孔質シリ
コンｐｎ接合の場合には、ｐ型多孔質Ｓｉとオーミック
接合を形成し、正孔が容易にｐ型多孔質Ｓｉ層に注入す
ることが予想されるＡｕを電極として堆積し、発光素子
を作製した。その結果、従来より低い閾値電圧で、輝度
の高い発光素子を作製できることを見いだした。
【００１２】
【実施例】以下に図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。ここで図１はｐ型シリコン上にｎ型エピタ
キシャル層を堆積したエピタキシャル基板を用いた場合
の多孔質化の概略図、図２はｎ型シリコン上にｐ型エピ
タキシャル層を堆積したエピタキシャル基板を用いた場
合の多孔質化の概略図、図３はｐ型シリコン上にｎ型エ
ピタキシャル層を堆積したエピタキシャル基板を用いた
場合の発光素子の構造図、図４はｎ型シリコン上にｐ型
エピタキシャル層を堆積したエピタキシャル基板を用い
た場合の発光素子の構造図である。
て説明する。ここで図１はｐ型シリコン上にｎ型エピタ
キシャル層を堆積したエピタキシャル基板を用いた場合
の多孔質化の概略図、図２はｎ型シリコン上にｐ型エピ
タキシャル層を堆積したエピタキシャル基板を用いた場
合の多孔質化の概略図、図３はｐ型シリコン上にｎ型エ
ピタキシャル層を堆積したエピタキシャル基板を用いた
場合の発光素子の構造図、図４はｎ型シリコン上にｐ型
エピタキシャル層を堆積したエピタキシャル基板を用い
た場合の発光素子の構造図である。
【００１３】まず、図１及び図３を用いて、多孔質シリ
コンｐｎ接合を作製する方法を説明する。ｐ型シリコン
１０（抵抗率０．１〜４０Ωｃｍ、結晶方位が（１１
１）及び（１００））上にｎ型エピタキシャル層１１
（抵抗率０．１〜４０Ωｃｍ、結晶方位が（１１１）及
び（１００）、膜厚３０００Å〜５μｍ）を堆積したエ
ピタキシャル基板３０の裏面にアルミニウム１２を蒸着
してオーミックコンタクトをとり、第一の中間生成物を
作製する。次に、図１に示すようにエピタキシャル基板
３０の表面に多孔質化する部分を除いて第一中間生成物
をワックス又はテフロン１３等で被い、陰極側に白金電
極Ｐｔを接続し、また陽極側にアルミニウム１２を接続
して、白金電極Ｐｔ及び第一の中間生成物をエチルアル
コール：弗酸（４８％の水溶液）＝１：１〜５：１の溶
液（Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ＋ＨＦ＋Ｈ2 Ｏ）の中に浸す。そして
低電圧電源を用いて電流密度を５〜５０ｍＡ／ｃｍ2 の
間で固定し、光を照射し、ｐ型シリコン層の一部が多孔
質化されるまで、数分間陽極化成を行う。タングステン
ランプ２０からの光を照射するのは、多孔質化のために
は正孔が必要であるため、ｎ型エピタキシャルシリコン
層１１に正孔を光励起するためである。このような方法
により、エピタキシャル基板３０のワックス又はテフロ
ン１３等で被われていない部分に多孔質シリコンｐｎ接
合１４が形成される。
コンｐｎ接合を作製する方法を説明する。ｐ型シリコン
１０（抵抗率０．１〜４０Ωｃｍ、結晶方位が（１１
１）及び（１００））上にｎ型エピタキシャル層１１
（抵抗率０．１〜４０Ωｃｍ、結晶方位が（１１１）及
び（１００）、膜厚３０００Å〜５μｍ）を堆積したエ
ピタキシャル基板３０の裏面にアルミニウム１２を蒸着
してオーミックコンタクトをとり、第一の中間生成物を
作製する。次に、図１に示すようにエピタキシャル基板
３０の表面に多孔質化する部分を除いて第一中間生成物
をワックス又はテフロン１３等で被い、陰極側に白金電
極Ｐｔを接続し、また陽極側にアルミニウム１２を接続
して、白金電極Ｐｔ及び第一の中間生成物をエチルアル
コール：弗酸（４８％の水溶液）＝１：１〜５：１の溶
液（Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ＋ＨＦ＋Ｈ2 Ｏ）の中に浸す。そして
低電圧電源を用いて電流密度を５〜５０ｍＡ／ｃｍ2 の
間で固定し、光を照射し、ｐ型シリコン層の一部が多孔
質化されるまで、数分間陽極化成を行う。タングステン
ランプ２０からの光を照射するのは、多孔質化のために
は正孔が必要であるため、ｎ型エピタキシャルシリコン
層１１に正孔を光励起するためである。このような方法
により、エピタキシャル基板３０のワックス又はテフロ
ン１３等で被われていない部分に多孔質シリコンｐｎ接
合１４が形成される。
【００１４】図２はｎ型シリコン１６（抵抗率０．１〜
４０Ωｃｍ、結晶方位が（１１１）及び（１００））上
にｐ型エピタキシャル層１７（抵抗率０．１〜４０Ωｃ
ｍ、結晶方位が（１１１）及び（１００）、膜厚３００
０Å〜５μｍ）を堆積したエピタキシャル基板３１を用
いて多孔質シリコンｐｎ接合を作製する方法である。ｎ
型シリコン１６上にｐ型エピタキシャル層１７を堆積し
たエピタキシャル基板３１の場合も、多孔質シリコンｐ
ｎ接合を作製する手順は、ｐ型シリコン１０上にｎ型エ
ピタキシャル層１１を堆積したエピタキシャル基板３０
の場合と同様であるので、詳しい説明は省略する。
４０Ωｃｍ、結晶方位が（１１１）及び（１００））上
にｐ型エピタキシャル層１７（抵抗率０．１〜４０Ωｃ
ｍ、結晶方位が（１１１）及び（１００）、膜厚３００
０Å〜５μｍ）を堆積したエピタキシャル基板３１を用
いて多孔質シリコンｐｎ接合を作製する方法である。ｎ
型シリコン１６上にｐ型エピタキシャル層１７を堆積し
たエピタキシャル基板３１の場合も、多孔質シリコンｐ
ｎ接合を作製する手順は、ｐ型シリコン１０上にｎ型エ
ピタキシャル層１１を堆積したエピタキシャル基板３０
の場合と同様であるので、詳しい説明は省略する。
【００１５】多孔質シリコンｐｎ接合を作製した後、ワ
ックス又はテフロン１３を落とし、ｐ型シリコン１０上
にｎ型エピタキシャル層１１を堆積したエピタキシャル
基板３０を用いた場合には、図３に示すように、ｎ型多
孔質Ｓｉ層とオーミック接合を形成するＩＴＯ１５を数
百Å、多孔質シリコン１４上に蒸着し発光素子とした。
また、ｎ型シリコン１６上にｐ型エピタキシャル層１７
を堆積したエピタキシャル基板３１を用いた場合には、
ワックス又はテフロン１３を落とした後、ｐ型多孔質Ｓ
ｉ層とオーミック接合を形成するＡｕ１９を５０Å〜２
００Å、多孔質シリコン１８上に蒸着し発光素子とし
た。
ックス又はテフロン１３を落とし、ｐ型シリコン１０上
にｎ型エピタキシャル層１１を堆積したエピタキシャル
基板３０を用いた場合には、図３に示すように、ｎ型多
孔質Ｓｉ層とオーミック接合を形成するＩＴＯ１５を数
百Å、多孔質シリコン１４上に蒸着し発光素子とした。
また、ｎ型シリコン１６上にｐ型エピタキシャル層１７
を堆積したエピタキシャル基板３１を用いた場合には、
ワックス又はテフロン１３を落とした後、ｐ型多孔質Ｓ
ｉ層とオーミック接合を形成するＡｕ１９を５０Å〜２
００Å、多孔質シリコン１８上に蒸着し発光素子とし
た。
【００１６】次に、上記の様に形成された発光素子の動
作について説明する。図３の発光素子において、ｐｎ接
合が順方向となるように、アルミニウム電極１２とＩＴ
Ｏ電極１５間にアルミニウム電極１２側が正電圧となる
ように電圧を印加すると、ｐｎ接合領域に陽極側から正
孔がまた陰極側から電子が注入され、この部分で正孔と
電子が輻射再結合して光を発生する。従来、ｐｎ接合界
面が一度大気に晒されていたため、ｐｎ接合界面での欠
陥が多く、そのため注入電荷の幾分かは、この欠陥を通
して、光を発せず消滅していたが、本実施例では、ｐｎ
接合界面が良好なため、注入電荷は有効に輻射再結合す
るため、閾値電圧の低下と輝度の向上が図れた。閾値電
圧は従来１０Ｖ以上であったのが、約３Ｖとなり、輝度
は印加電圧１０Ｖで１０Ｃｄ／ｍ2 程度と従来の百倍程
度にまで向上した。
作について説明する。図３の発光素子において、ｐｎ接
合が順方向となるように、アルミニウム電極１２とＩＴ
Ｏ電極１５間にアルミニウム電極１２側が正電圧となる
ように電圧を印加すると、ｐｎ接合領域に陽極側から正
孔がまた陰極側から電子が注入され、この部分で正孔と
電子が輻射再結合して光を発生する。従来、ｐｎ接合界
面が一度大気に晒されていたため、ｐｎ接合界面での欠
陥が多く、そのため注入電荷の幾分かは、この欠陥を通
して、光を発せず消滅していたが、本実施例では、ｐｎ
接合界面が良好なため、注入電荷は有効に輻射再結合す
るため、閾値電圧の低下と輝度の向上が図れた。閾値電
圧は従来１０Ｖ以上であったのが、約３Ｖとなり、輝度
は印加電圧１０Ｖで１０Ｃｄ／ｍ2 程度と従来の百倍程
度にまで向上した。
【００１７】同様に、図４の発光素子において、ｐｎ接
合が順方向となるように、アルミニウム電極１２とＡｕ
電極１９間にアルミニウム電極１２側が負電圧となるよ
うに電圧を印加すると、ｐｎ接合領域に陽極側から正孔
がまた陰極側から電子が注入され、この部分で正孔と電
子が輻射再結合して光を発生する。そして、従来ｐｎ接
合界面が一度大気に晒されていたため、ｐｎ接合界面で
の欠陥が多く、そのため注入電荷の幾分かは、この欠陥
を通して、光を発せず消滅していたが、本実施例では、
ｐｎ接合界面が良好なため、注入電荷は有効に輻射再結
合するため、閾値電圧の低下と輝度の向上が図れた。こ
の場合も閾値電圧は約３Ｖ、輝度は１０Ｃｄ／ｍ2 程度
に向上した。
合が順方向となるように、アルミニウム電極１２とＡｕ
電極１９間にアルミニウム電極１２側が負電圧となるよ
うに電圧を印加すると、ｐｎ接合領域に陽極側から正孔
がまた陰極側から電子が注入され、この部分で正孔と電
子が輻射再結合して光を発生する。そして、従来ｐｎ接
合界面が一度大気に晒されていたため、ｐｎ接合界面で
の欠陥が多く、そのため注入電荷の幾分かは、この欠陥
を通して、光を発せず消滅していたが、本実施例では、
ｐｎ接合界面が良好なため、注入電荷は有効に輻射再結
合するため、閾値電圧の低下と輝度の向上が図れた。こ
の場合も閾値電圧は約３Ｖ、輝度は１０Ｃｄ／ｍ2 程度
に向上した。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、良
好なｐｎ接合界面を持つ多孔質シリコンｐｎ接合を提供
することができるため発光の閾値電圧の低い、また輝度
の高い発光素子を提供することができる。
好なｐｎ接合界面を持つ多孔質シリコンｐｎ接合を提供
することができるため発光の閾値電圧の低い、また輝度
の高い発光素子を提供することができる。
【図１】ｐ型シリコン上にｎ型エピタキシャル層を積層
したエピタキシャル基板を用いて多孔質シリコンｐｎ接
合を作製する方法を示した概略図である。
したエピタキシャル基板を用いて多孔質シリコンｐｎ接
合を作製する方法を示した概略図である。
【図２】ｎ型シリコン上にｐ型エピタキシャル層を積層
したエピタキシャル基板を用いて多孔質シリコンｐｎ接
合を作製する方法を示した概略図である。
したエピタキシャル基板を用いて多孔質シリコンｐｎ接
合を作製する方法を示した概略図である。
【図３】ｐ型シリコン上にｎ型エピタキシャル層を積層
したエピタキシャル基板を用いた場合の発光素子の構造
図である。
したエピタキシャル基板を用いた場合の発光素子の構造
図である。
【図４】ｎ型シリコン上にｐ型エピタキシャル層を積層
したエピタキシャル基板を用いた場合の発光素子の構造
図である。
したエピタキシャル基板を用いた場合の発光素子の構造
図である。
１０ ｐ型シリコン層 １１ ｎ型エピタキシャルシリコン層 １２ アルミニウム電極 １３ ワックス又はテフロン １４ 多孔質シリコンｐｎ接合層 １５ ＩＴＯ膜 １６ ｎ型シリコン層 １７ ｐ型エピタキシャルシリコン層 １８ 多孔質シリコンｐｎ接合層 １９ 金膜 ２０ タングステンランプ ３０ ｐ型シリコン上にｎ型エピタキシャル層を積層
したエピタキシャル基板 ３１ ｎ型シリコン上にｐ型エピタキシャル層を積層
したエピタキシャル基板
したエピタキシャル基板 ３１ ｎ型シリコン上にｐ型エピタキシャル層を積層
したエピタキシャル基板
Claims (2)
- 【請求項１】 ｐ型又はｎ型のシリコン上に、このシリ
コンとは異なる伝導型を有するシリコン半導体を積層し
たｐｎ接合からなるシリコン基板を陽極化成することに
より作製した発光素子。 - 【請求項２】 前記ｐｎからなるシリコン基板はシリコ
ンエピタキシャル基板であることを特徴とする請求項１
記載の発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10194994A JPH07288337A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10194994A JPH07288337A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07288337A true JPH07288337A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=14314153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10194994A Withdrawn JPH07288337A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07288337A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11163400A (ja) * | 1997-09-11 | 1999-06-18 | Kdd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2005086198A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Hynix Semiconductor Inc | フラッシュメモリ素子の製造方法 |
-
1994
- 1994-04-15 JP JP10194994A patent/JPH07288337A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11163400A (ja) * | 1997-09-11 | 1999-06-18 | Kdd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2005086198A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Hynix Semiconductor Inc | フラッシュメモリ素子の製造方法 |
| JP4624014B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2011-02-02 | 株式会社ハイニックスセミコンダクター | フラッシュメモリ素子の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5458694A (en) | Multispectral photovoltaic component comprising a stack of cells, and method of manufacture | |
| Namavar et al. | Visible electroluminescence from porous silicon np heterojunction diodes | |
| KR100997669B1 (ko) | 스크린 인쇄법을 이용한 실리콘 태양전지 및 그 제조방법 | |
| US5458735A (en) | Process for the production of electroluminescent silicon structures | |
| US20110240099A1 (en) | Photovoltaic nanowire device | |
| Fauchet | Progress toward nanoscale silicon light emitters | |
| US7906354B1 (en) | Light emitting nanowire device | |
| US6017773A (en) | Stabilizing process for porous silicon and resulting light emitting device | |
| JPH06104463A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| JP2006156646A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPH07288337A (ja) | 発光素子 | |
| JPH05206514A (ja) | 発光素子 | |
| JPH06283755A (ja) | 発光素子 | |
| Chiu et al. | Nano-processing techniques applied in GaN-Based light-emitting devices with self-assembly Ni nano-masks | |
| JPH0690018A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| Palsule et al. | Electrical and optical characterization of crystalline silicon/porous silicon heterojunctions | |
| JPH0697499A (ja) | 発光素子 | |
| US4196263A (en) | Semiconductor devices with enhanced properties | |
| JP2001126610A (ja) | 電子放出素子 | |
| JPH06283754A (ja) | 発光素子 | |
| Hovel et al. | Technique for producing’’good’’GaAs solar cells using poor‐quality substrates | |
| JPH10256225A (ja) | 薄膜基板の陽極化成処理方法及びフォトルミネッセンス特性をもつ半導体薄膜 | |
| JPH07288339A (ja) | 発光素子 | |
| JP2004274061A (ja) | 化合物半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH0697491A (ja) | 光−光変換素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010703 |