JPH06283755A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
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- JPH06283755A JPH06283755A JP9246593A JP9246593A JPH06283755A JP H06283755 A JPH06283755 A JP H06283755A JP 9246593 A JP9246593 A JP 9246593A JP 9246593 A JP9246593 A JP 9246593A JP H06283755 A JPH06283755 A JP H06283755A
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- silicon
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコン用いた発光素子、特にｐｎ接合を用
いて電荷を注入し発光させる発光素子を提供することを
目的としている。 【構成】 ｐ型単結晶シリコン基板１２上に高速熱窒化
多孔質シリコン層１３を作製し、ｎ型の微結晶を含有す
る非晶質シリコンカーボン合金１４を高速熱窒化多孔質
シリコン層１３上へ堆積した。上記の構成とすることに
よりシリコンを用いたｐｎ接合型の発光素子を実現でき
た。また、高速熱窒化多孔質シリコンを用いることによ
り発光効率の低下を防止することのできる発光素子を提
供することができる。
いて電荷を注入し発光させる発光素子を提供することを
目的としている。 【構成】 ｐ型単結晶シリコン基板１２上に高速熱窒化
多孔質シリコン層１３を作製し、ｎ型の微結晶を含有す
る非晶質シリコンカーボン合金１４を高速熱窒化多孔質
シリコン層１３上へ堆積した。上記の構成とすることに
よりシリコンを用いたｐｎ接合型の発光素子を実現でき
た。また、高速熱窒化多孔質シリコンを用いることによ
り発光効率の低下を防止することのできる発光素子を提
供することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信、自発光型ディ
スプレイ、光源、光集積回路等に用いることのできる発
光素子、特にｐｎ接合を用いた発光素子に関するもので
ある。
スプレイ、光源、光集積回路等に用いることのできる発
光素子、特にｐｎ接合を用いた発光素子に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】シリコン半導体は間接遷移半導体である
ため発光素子の作製は実現不可能であると考えられてお
り、そのため従来ｐｎ接合を用いた発光素子はIII −Ｖ
属化合物半導体、II−VI属化合物半導体、およびIV−VI
属化合物半導体で作製されていた。しかし、シリコン半
導体は化合物半導体に比べ、資源が豊富、安価であり、
特に多結晶シリコンは、ステンレス基板、石英基板、ガ
ラス基板等種々の基板上に大面積のものを安価に作製す
ることができる。また、デバイス設計・作製技術が高く
現状の化合物半導体では実現することが難しい高集積度
でかつ高信頼性のある論理、演算、駆動、受光素子等を
同一基板上に作り込める等の利点により、シリコンを用
いた発光素子、特に最終的にはレーザへの応用が可能な
ｐｎ接合を用いた発光素子の実現が切望されていた。
ため発光素子の作製は実現不可能であると考えられてお
り、そのため従来ｐｎ接合を用いた発光素子はIII −Ｖ
属化合物半導体、II−VI属化合物半導体、およびIV−VI
属化合物半導体で作製されていた。しかし、シリコン半
導体は化合物半導体に比べ、資源が豊富、安価であり、
特に多結晶シリコンは、ステンレス基板、石英基板、ガ
ラス基板等種々の基板上に大面積のものを安価に作製す
ることができる。また、デバイス設計・作製技術が高く
現状の化合物半導体では実現することが難しい高集積度
でかつ高信頼性のある論理、演算、駆動、受光素子等を
同一基板上に作り込める等の利点により、シリコンを用
いた発光素子、特に最終的にはレーザへの応用が可能な
ｐｎ接合を用いた発光素子の実現が切望されていた。
【０００３】ところが、１９９０年、Ｌ．Ｔ．Ｃａｎｈ
ａｍにより単結晶シリコンを弗酸溶液中で陽極化成した
多孔質シリコンが室温で強いホトルミネッセンスを示す
ことが示された（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ ５７，１９９０，ｐ．１０４６）。この
ことは、シリコンでも発光素子が実現できる可能性があ
ることを示しており、その後このホトルミネッセンスの
発生メカニズムについて盛んに研究が行われていた。
ａｍにより単結晶シリコンを弗酸溶液中で陽極化成した
多孔質シリコンが室温で強いホトルミネッセンスを示す
ことが示された（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ ５７，１９９０，ｐ．１０４６）。この
ことは、シリコンでも発光素子が実現できる可能性があ
ることを示しており、その後このホトルミネッセンスの
発生メカニズムについて盛んに研究が行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この多孔質シリコンを
用いた発光素子としては、特願平４−３４５０７がある
が、従来の多孔質シリコンを用いた発光素子は赤色から
オレンジ色までの発光しか示さず、白色に発光するもの
はなかった。また、従来の発光素子は動作中に発光輝度
の低下が見られた。
用いた発光素子としては、特願平４−３４５０７がある
が、従来の多孔質シリコンを用いた発光素子は赤色から
オレンジ色までの発光しか示さず、白色に発光するもの
はなかった。また、従来の発光素子は動作中に発光輝度
の低下が見られた。
【０００５】本発明は、上記事情に基づいてなされたも
のであり、シリコンを用いた発光素子、特に白色発光素
子を提供することを目的としたものである。
のであり、シリコンを用いた発光素子、特に白色発光素
子を提供することを目的としたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１記載の発明の発光素子は、ｐ型又はｎ型の単
結晶シリコン上に形成された多孔質シリコンを熱窒化し
た熱窒化多孔質シリコンを用いたことを特徴とするもの
である。
に請求項１記載の発明の発光素子は、ｐ型又はｎ型の単
結晶シリコン上に形成された多孔質シリコンを熱窒化し
た熱窒化多孔質シリコンを用いたことを特徴とするもの
である。
【０００７】請求項２記載の発明の発光素子は、ｐ型又
はｎ型の単結晶シリコン上に形成された多孔質シリコン
を熱窒化した熱窒化多孔質シリコンと前記熱窒化多孔質
シリコンが形成された単結晶シリコンと異なる伝導型を
持つ半導体からなるｐｎ接合を用いたことを特徴とする
ものである。
はｎ型の単結晶シリコン上に形成された多孔質シリコン
を熱窒化した熱窒化多孔質シリコンと前記熱窒化多孔質
シリコンが形成された単結晶シリコンと異なる伝導型を
持つ半導体からなるｐｎ接合を用いたことを特徴とする
ものである。
【０００８】請求項３記載の発明の発光素子は、請求項
２記載の発明において、前記半導体が微結晶を含有する
非晶質シリコンカーボン合金からなることを特徴とする
ものである。
２記載の発明において、前記半導体が微結晶を含有する
非晶質シリコンカーボン合金からなることを特徴とする
ものである。
【０００９】請求項４記載の発明の発光素子は、請求項
２記載の発明において、前記半導体が非晶質シリコンカ
ーボン合金からなることを特徴とするものである。
２記載の発明において、前記半導体が非晶質シリコンカ
ーボン合金からなることを特徴とするものである。
【００１０】請求項５記載の発明の発光素子は、請求項
２記載の発明において、前記半導体が微結晶を含有する
シリコンからなることを特徴とするものである。
２記載の発明において、前記半導体が微結晶を含有する
シリコンからなることを特徴とするものである。
【００１１】請求項６記載の発明の発光素子は、ｐ型又
はｎ型の多結晶シリコン上に形成された多孔質シリコン
を熱窒化した熱窒化多孔質シリコンを用いたことを特徴
とするものである。
はｎ型の多結晶シリコン上に形成された多孔質シリコン
を熱窒化した熱窒化多孔質シリコンを用いたことを特徴
とするものである。
【００１２】請求項７記載の発明の発光素子は、ｐ型又
はｎ型の多結晶シリコン上に形成された多孔質シリコン
を熱窒化した熱窒化多孔質シリコンと前記熱窒化多孔質
シリコンが形成された多結晶シリコンと異なる伝導型を
持つ半導体からなるｐｎ接合を用いたことを特徴とする
ものである。
はｎ型の多結晶シリコン上に形成された多孔質シリコン
を熱窒化した熱窒化多孔質シリコンと前記熱窒化多孔質
シリコンが形成された多結晶シリコンと異なる伝導型を
持つ半導体からなるｐｎ接合を用いたことを特徴とする
ものである。
【００１３】請求項８記載の発明の発光素子は、請求項
７記載の発明において、前記半導体が微結晶を含有する
非晶質シリコンカーボン合金からなることを特徴とする
ものである。
７記載の発明において、前記半導体が微結晶を含有する
非晶質シリコンカーボン合金からなることを特徴とする
ものである。
【００１４】請求項９記載の発明の発光素子は、請求項
７記載の発明において、前記半導体が非晶質シリコンカ
ーボン合金からなることを特徴とするものである。
７記載の発明において、前記半導体が非晶質シリコンカ
ーボン合金からなることを特徴とするものである。
【００１５】請求項１０記載の発明の発光素子は、請求
項７記載の発明において、前記半導体が微結晶を含有す
るシリコンからなることを特徴とするものである。
項７記載の発明において、前記半導体が微結晶を含有す
るシリコンからなることを特徴とするものである。
【００１６】請求項１１記載の発明の発光素子は、請求
項１又は６記載の発明において、前記熱窒化多孔質シリ
コン上にインジウムティンオキサイトを形成したことを
特徴とするものである。
項１又は６記載の発明において、前記熱窒化多孔質シリ
コン上にインジウムティンオキサイトを形成したことを
特徴とするものである。
【００１７】請求項１２記載の発明の発光素子は、請求
項１又は６記載の発明において、前記熱窒化多孔質シリ
コン上にＡｕを形成したことを特徴とするものである。
項１又は６記載の発明において、前記熱窒化多孔質シリ
コン上にＡｕを形成したことを特徴とするものである。
【００１８】請求項１３記載の発明の発光素子は、請求
項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１又
は１２記載の発明において、前記熱窒化多孔質シリコン
は、高速熱窒化した高速熱窒化多孔質シリコンであるこ
とを特徴とするものである。
項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１又
は１２記載の発明において、前記熱窒化多孔質シリコン
は、高速熱窒化した高速熱窒化多孔質シリコンであるこ
とを特徴とするものである。
【００１９】
【作用】白色発光素子を作製するためには、その発光層
が青色より広いエネルギーバンドギャップ（約２．５ｅ
Ｖ以上）を持ち、かつ電子と正孔が発光再結合し、その
発光再結合過程のエネルギー差が青から赤まで幅広く有
していることが必要である。簡便にこの必要条件を持つ
ことを確認するためには、紫外光励起によるホトルミネ
ッセンスを測定し、白色発光することを確認すればよ
い。この現象が確認できれば、発光層に電子及び正孔を
なんらかの手段で注入し、発光層で再結合を起こさせれ
ば白色発光素子が実現できる。本発明者たちは、多孔質
シリコンを熱窒化することにより作製した熱窒化多孔質
シリコンが紫外光励起により、白色発光することを見い
だした。また、発光層に正孔と電子を注入し発光層で再
結合させる手段を見いだした。
が青色より広いエネルギーバンドギャップ（約２．５ｅ
Ｖ以上）を持ち、かつ電子と正孔が発光再結合し、その
発光再結合過程のエネルギー差が青から赤まで幅広く有
していることが必要である。簡便にこの必要条件を持つ
ことを確認するためには、紫外光励起によるホトルミネ
ッセンスを測定し、白色発光することを確認すればよ
い。この現象が確認できれば、発光層に電子及び正孔を
なんらかの手段で注入し、発光層で再結合を起こさせれ
ば白色発光素子が実現できる。本発明者たちは、多孔質
シリコンを熱窒化することにより作製した熱窒化多孔質
シリコンが紫外光励起により、白色発光することを見い
だした。また、発光層に正孔と電子を注入し発光層で再
結合させる手段を見いだした。
【００２０】本発明者等は、ｐ型又はｎ型の単結晶シリ
コン基板（面方位（１１１）及び（１００）、抵抗率
０．０５〜５０Ωｃｍ）の上に、陽極化成法（エチルア
ルコール：弗酸（４８％の水溶液）＝０：１〜１０：１
の水溶液中で、陽極側に多結晶シリコンを接続し、また
陰極側に白金等の電極を接続して電流密度：１ｍＡ／ｃ
ｍ2 〜２００ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、単結晶シリコ
ンを加工する方法）で３０秒〜１０分間処理することに
より、多孔質シリコン（ｐｏｒｏｕｓ Ｓｉ）層を作製
し、その後前記多孔質シリコン層を高速熱窒化（窒素、
アンモニア又は窒素及びアンモニア雰囲気中において、
８００℃〜１２００℃で１０秒〜１２０秒間熱窒化を行
う）することにより作製した高速熱窒化多孔質シリコン
層が紫外光励起により強い白色ホトルミネッセンスを示
すことを見いだした。また、高速熱窒化多孔質シリコン
上に、高速熱窒化多孔質シリコンを作製した単結晶シリ
コン基板と異なる伝導型の広いバンドギャップ（２．０
〜２．４ｅＶ）と高い導電率（１０-2〜１０1 Ｓ／ｃ
ｍ）とを有する微結晶を含有する非晶質シリコンカーボ
ン合金（μｃ−ＳｉＣ）を堆積すると良好なｐｎ接合が
得られることを見いだした。また、単結晶シリコン基板
のかわりにｐ型又はｎ型の多結晶シリコン基板を用い高
速熱窒化多孔質シリコンを作製した場合にも、同様の方
法で良好なｐｎ接合が得られることを見いだした。
コン基板（面方位（１１１）及び（１００）、抵抗率
０．０５〜５０Ωｃｍ）の上に、陽極化成法（エチルア
ルコール：弗酸（４８％の水溶液）＝０：１〜１０：１
の水溶液中で、陽極側に多結晶シリコンを接続し、また
陰極側に白金等の電極を接続して電流密度：１ｍＡ／ｃ
ｍ2 〜２００ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、単結晶シリコ
ンを加工する方法）で３０秒〜１０分間処理することに
より、多孔質シリコン（ｐｏｒｏｕｓ Ｓｉ）層を作製
し、その後前記多孔質シリコン層を高速熱窒化（窒素、
アンモニア又は窒素及びアンモニア雰囲気中において、
８００℃〜１２００℃で１０秒〜１２０秒間熱窒化を行
う）することにより作製した高速熱窒化多孔質シリコン
層が紫外光励起により強い白色ホトルミネッセンスを示
すことを見いだした。また、高速熱窒化多孔質シリコン
上に、高速熱窒化多孔質シリコンを作製した単結晶シリ
コン基板と異なる伝導型の広いバンドギャップ（２．０
〜２．４ｅＶ）と高い導電率（１０-2〜１０1 Ｓ／ｃ
ｍ）とを有する微結晶を含有する非晶質シリコンカーボ
ン合金（μｃ−ＳｉＣ）を堆積すると良好なｐｎ接合が
得られることを見いだした。また、単結晶シリコン基板
のかわりにｐ型又はｎ型の多結晶シリコン基板を用い高
速熱窒化多孔質シリコンを作製した場合にも、同様の方
法で良好なｐｎ接合が得られることを見いだした。
【００２１】ＬＥＤ発光するような良好なｐｎ接合を作
製するためには、高速熱窒化多孔質シリコン層の作製方
法（基板の比抵抗、陽極化成の方法、高速熱窒化炉の温
度、雰囲気、窒化時間等）はもちろんのこと、特に高速
熱窒化多孔質シリコン層と、微結晶を含有する非晶質シ
リコンカーボン合金膜との界面特性にダメージを与えな
いように、微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合
金の堆積条件を最適化することが非常に重要である。
製するためには、高速熱窒化多孔質シリコン層の作製方
法（基板の比抵抗、陽極化成の方法、高速熱窒化炉の温
度、雰囲気、窒化時間等）はもちろんのこと、特に高速
熱窒化多孔質シリコン層と、微結晶を含有する非晶質シ
リコンカーボン合金膜との界面特性にダメージを与えな
いように、微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合
金の堆積条件を最適化することが非常に重要である。
【００２２】これらについて本発明者等は鋭意研究を行
った結果、陽極化成法によりエチルアルコール：弗酸
（４８％の水溶液）＝０．１：１〜５：１、電流密度５
〜５０ｍＡ／ｃｍ2 、陽極化成時間１〜５分において面
方位（１１１）及び（１００）、抵抗率０．１〜４０Ω
ｃｍのｐ型単結晶シリコン基板の表面に多孔質シリコン
層を作製し、さらに５０℃／ｓｅｃ〜２５０℃／ｓｅｃ
の温度上昇を持つ、高速熱窒化炉で８００℃〜１２００
℃で３０秒から６０秒間熱窒化することにより、ｐ型単
結晶シリコン基板から高速熱窒化多孔質シリコン層に正
孔が注入できる高速熱窒化多孔質シリコン層の作製条件
を見いだした。
った結果、陽極化成法によりエチルアルコール：弗酸
（４８％の水溶液）＝０．１：１〜５：１、電流密度５
〜５０ｍＡ／ｃｍ2 、陽極化成時間１〜５分において面
方位（１１１）及び（１００）、抵抗率０．１〜４０Ω
ｃｍのｐ型単結晶シリコン基板の表面に多孔質シリコン
層を作製し、さらに５０℃／ｓｅｃ〜２５０℃／ｓｅｃ
の温度上昇を持つ、高速熱窒化炉で８００℃〜１２００
℃で３０秒から６０秒間熱窒化することにより、ｐ型単
結晶シリコン基板から高速熱窒化多孔質シリコン層に正
孔が注入できる高速熱窒化多孔質シリコン層の作製条件
を見いだした。
【００２３】また、電子サイクロトロン共鳴プラズマＣ
ＶＤ法によりガス圧０．００１〜０．００８Ｔｏｒｒ、
基板温度１５０〜３５０℃、投入電力２００〜３５０
Ｗ、ＳｉＨ4 ：ＣＨ4 ：ＰＨ3 ：Ｈ2 ＝１：１〜３：
０．００５〜０．０３：１００〜２００において前記多
孔質シリコン層の表面にｎ型の微結晶を含有する非晶質
シリコンカーボン合金膜を作製することにより、ｎ型の
微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合金膜から高
速熱窒化多孔質シリコン層に電子が良好に注入できるｎ
型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合金の堆
積条件を見いだした。その結果、白色発光素子が実現で
きたわけである。
ＶＤ法によりガス圧０．００１〜０．００８Ｔｏｒｒ、
基板温度１５０〜３５０℃、投入電力２００〜３５０
Ｗ、ＳｉＨ4 ：ＣＨ4 ：ＰＨ3 ：Ｈ2 ＝１：１〜３：
０．００５〜０．０３：１００〜２００において前記多
孔質シリコン層の表面にｎ型の微結晶を含有する非晶質
シリコンカーボン合金膜を作製することにより、ｎ型の
微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合金膜から高
速熱窒化多孔質シリコン層に電子が良好に注入できるｎ
型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合金の堆
積条件を見いだした。その結果、白色発光素子が実現で
きたわけである。
【００２４】またこの発光素子は白色発光するだけでな
く、発光効率の低下が極めて少ない。これは、一般に多
孔質シリコンは水素でターミネートされているが、水素
は熱等に対して不安定であるため多孔質シリコンから外
れ易いのに対し、窒素は熱等に対して安定しているため
多孔質シリコンから外れ難いので、多孔質シリコンをタ
ーミネートしている水素を窒素に置換することにより、
多孔質シリコンのダングリングボンドによる特性劣化を
防止することができるからである。
く、発光効率の低下が極めて少ない。これは、一般に多
孔質シリコンは水素でターミネートされているが、水素
は熱等に対して不安定であるため多孔質シリコンから外
れ易いのに対し、窒素は熱等に対して安定しているため
多孔質シリコンから外れ難いので、多孔質シリコンをタ
ーミネートしている水素を窒素に置換することにより、
多孔質シリコンのダングリングボンドによる特性劣化を
防止することができるからである。
【００２５】また、ｎ型単結晶シリコン基板を用いて発
光素子を作製する条件について、ｎ型単結晶シリコン基
板から高速熱窒化多孔質シリコン層に電子が良好に注入
できる高速熱窒化多孔質シリコン層の作製条件は、陽極
化成の際に光を照射しなければならないことを除けば、
ｐ型単結晶シリコン基板を用いた場合と同じ条件である
こと、ｐ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン
合金膜から高速熱窒化多孔質シリコン層に正孔が良好に
注入できるｐ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカー
ボン合金の堆積条件は、原料ガスとしてＰＨ3 の代わり
にＢ2 Ｈ6 を用いることを除けば、ｎ型の微結晶を含有
する非晶質シリコンカーボン合金の堆積条件と同じであ
ることを見いだした。
光素子を作製する条件について、ｎ型単結晶シリコン基
板から高速熱窒化多孔質シリコン層に電子が良好に注入
できる高速熱窒化多孔質シリコン層の作製条件は、陽極
化成の際に光を照射しなければならないことを除けば、
ｐ型単結晶シリコン基板を用いた場合と同じ条件である
こと、ｐ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン
合金膜から高速熱窒化多孔質シリコン層に正孔が良好に
注入できるｐ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカー
ボン合金の堆積条件は、原料ガスとしてＰＨ3 の代わり
にＢ2 Ｈ6 を用いることを除けば、ｎ型の微結晶を含有
する非晶質シリコンカーボン合金の堆積条件と同じであ
ることを見いだした。
【００２６】さらに、ｐ型多結晶シリコンを用いて発光
素子を作製する条件について、ｐ型多結晶シリコンから
高速熱窒化多孔質シリコン層に正孔が良好に注入できる
高速熱窒化多孔質シリコン層の作製条件は、陽極化成の
際に光を照射しなければならないことを除けば、ｐ型単
結晶シリコン基板を用いた場合と同じ条件であること、
およびｎ型多結晶シリコンを用いて発光素子を作製する
条件について、ｎ型単結晶シリコン基板を用いた場合と
同じ条件であることを見いだした。
素子を作製する条件について、ｐ型多結晶シリコンから
高速熱窒化多孔質シリコン層に正孔が良好に注入できる
高速熱窒化多孔質シリコン層の作製条件は、陽極化成の
際に光を照射しなければならないことを除けば、ｐ型単
結晶シリコン基板を用いた場合と同じ条件であること、
およびｎ型多結晶シリコンを用いて発光素子を作製する
条件について、ｎ型単結晶シリコン基板を用いた場合と
同じ条件であることを見いだした。
【００２７】尚、発明者等が調べたところでは、単結晶
シリコンの抵抗率が４０Ωｃｍを越えると基板の抵抗が
高くなって基板から高速熱窒化多孔質シリコン層に電荷
が良好に注入されなくなり、良好な発光素子を作製でき
ないことが分かった。なお、多結晶シリコンは薄膜で用
いるため、多結晶シリコンの抵抗率が１０6 Ωｍまで、
多結晶シリコンから高速熱窒化多孔質シリコンに電荷が
注入される接合が得られることが分かった。
シリコンの抵抗率が４０Ωｃｍを越えると基板の抵抗が
高くなって基板から高速熱窒化多孔質シリコン層に電荷
が良好に注入されなくなり、良好な発光素子を作製でき
ないことが分かった。なお、多結晶シリコンは薄膜で用
いるため、多結晶シリコンの抵抗率が１０6 Ωｍまで、
多結晶シリコンから高速熱窒化多孔質シリコンに電荷が
注入される接合が得られることが分かった。
【００２８】また、陽極化成法により多孔質シリコン層
を作製するに際し、エチルアルコールと弗酸の比率がエ
チルアルコール：弗酸＝０．１：１未満になると陽極化
成の際に生じる泡のため多孔質シリコンが均一にでき
ず、また電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ2 を越えると除々に
シリコンの電界研磨が起こり始めてくるため、良好な発
光素子を作製できないことが分かった。
を作製するに際し、エチルアルコールと弗酸の比率がエ
チルアルコール：弗酸＝０．１：１未満になると陽極化
成の際に生じる泡のため多孔質シリコンが均一にでき
ず、また電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ2 を越えると除々に
シリコンの電界研磨が起こり始めてくるため、良好な発
光素子を作製できないことが分かった。
【００２９】さらに、電子サイクロトロン共鳴プラズマ
ＣＶＤ法により微結晶を含有する非晶質シリコンカーボ
ン合金膜を作製するに際し、ガス圧が０．００１Ｔｏｒ
ｒ未満ではエッチング効果により下地の高速熱窒化多孔
質シリコン層にダメージを与え、０．００８Ｔｏｒｒを
越えるとプラズマが安定せず微結晶を含有する非晶質シ
リコンカーボン合金が作製不可能となるため、良好な発
光素子を作製できないことが分かった。
ＣＶＤ法により微結晶を含有する非晶質シリコンカーボ
ン合金膜を作製するに際し、ガス圧が０．００１Ｔｏｒ
ｒ未満ではエッチング効果により下地の高速熱窒化多孔
質シリコン層にダメージを与え、０．００８Ｔｏｒｒを
越えるとプラズマが安定せず微結晶を含有する非晶質シ
リコンカーボン合金が作製不可能となるため、良好な発
光素子を作製できないことが分かった。
【００３０】また、基板温度が１５０℃未満では微結晶
を含有する非晶質シリコンカーボン合金が作製不可能と
なり、３５０℃を越えると高速熱窒化多孔質シリコン層
の表面状態が変化し発光しなくなるため、良好な発光素
子を作製できないことが分かった。
を含有する非晶質シリコンカーボン合金が作製不可能と
なり、３５０℃を越えると高速熱窒化多孔質シリコン層
の表面状態が変化し発光しなくなるため、良好な発光素
子を作製できないことが分かった。
【００３１】さらに、多孔質シリコン層を高速熱窒化し
て高速熱窒化多孔質シリコン層を作製するに際し、熱窒
化時間が１０秒未満では多孔質シリコンをターミネート
している水素の大部分を窒素に置換することができず、
１２０秒を越えると多孔質シリコンの構造が変化するた
め、良好な発光を示さず、結果として発光素子を作製で
きないことが分かった。
て高速熱窒化多孔質シリコン層を作製するに際し、熱窒
化時間が１０秒未満では多孔質シリコンをターミネート
している水素の大部分を窒素に置換することができず、
１２０秒を越えると多孔質シリコンの構造が変化するた
め、良好な発光を示さず、結果として発光素子を作製で
きないことが分かった。
【００３２】
【実施例】本発明の第一実施例について、図１、図５、
図７を参照して説明する。図１は、本発明の第一実施例
であるｐ型単結晶シリコンを用いた発光素子の概略構造
図である。図５は、陽極化成法により多孔質シリコンを
作製する方法を説明するための図である。図７は、図１
に示す発光素子のインジウムティンオキサイド（ＩＴ
Ｏ）側に３０Ｖの正電圧を印加した場合における発光ス
ペクトルを表した図である。
図７を参照して説明する。図１は、本発明の第一実施例
であるｐ型単結晶シリコンを用いた発光素子の概略構造
図である。図５は、陽極化成法により多孔質シリコンを
作製する方法を説明するための図である。図７は、図１
に示す発光素子のインジウムティンオキサイド（ＩＴ
Ｏ）側に３０Ｖの正電圧を印加した場合における発光ス
ペクトルを表した図である。
【００３３】図１に示す発光素子１は、ｐ型単結晶シリ
コン基板１２の裏面にＡｌ１１を蒸着し、ｐ型単結晶シ
リコン基板１２の表面に高速熱窒化多孔質シリコン層１
３を形成し、高速熱窒化多孔質シリコン層１３の上にｎ
型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合金膜１
４を形成し、さらにｎ型の微結晶を含有する非晶質シリ
コンカーボン合金膜１４の上に透明電極としてＩＴＯ１
５を形成したものである。
コン基板１２の裏面にＡｌ１１を蒸着し、ｐ型単結晶シ
リコン基板１２の表面に高速熱窒化多孔質シリコン層１
３を形成し、高速熱窒化多孔質シリコン層１３の上にｎ
型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合金膜１
４を形成し、さらにｎ型の微結晶を含有する非晶質シリ
コンカーボン合金膜１４の上に透明電極としてＩＴＯ１
５を形成したものである。
【００３４】図１に示す発光素子１の製造方法について
説明する。先ず、ｐ型単結晶シリコン基板１２（（１０
０）面、抵抗率０．２〜１０Ωｃｍ）の裏面にＡｌ１１
を蒸着してオーミックコンタクトをとり、第一中間生成
物を作製する。
説明する。先ず、ｐ型単結晶シリコン基板１２（（１０
０）面、抵抗率０．２〜１０Ωｃｍ）の裏面にＡｌ１１
を蒸着してオーミックコンタクトをとり、第一中間生成
物を作製する。
【００３５】次に、図５に示すように、ｐ型単結晶シリ
コン基板１２の表面に多孔質化したい部分を除いて第一
中間生成物をワックスで覆い、陰極側に白金電極Ｐｔを
接続し、また陽極側にＡｌ１１を接続して、白金電極Ｐ
ｔ及び第一中間生成物をエチルアルコール：弗酸（４８
％の水溶液）＝１：１の溶液（Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ＋ＨＦ＋Ｈ
2 Ｏ）の中に浸す。定電流電源を用いて電流密度を１０
〜３０ｍＡ／ｃｍ2 に固定し約３〜５分間陽極化成を行
うことによって多孔質シリコン層を作製し、第二中間生
成物を作製する。
コン基板１２の表面に多孔質化したい部分を除いて第一
中間生成物をワックスで覆い、陰極側に白金電極Ｐｔを
接続し、また陽極側にＡｌ１１を接続して、白金電極Ｐ
ｔ及び第一中間生成物をエチルアルコール：弗酸（４８
％の水溶液）＝１：１の溶液（Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ＋ＨＦ＋Ｈ
2 Ｏ）の中に浸す。定電流電源を用いて電流密度を１０
〜３０ｍＡ／ｃｍ2 に固定し約３〜５分間陽極化成を行
うことによって多孔質シリコン層を作製し、第二中間生
成物を作製する。
【００３６】第二中間生成物の表面に付着したワックス
を有機溶剤で解かし、Ａｌをエッチングし純水で洗浄し
た後、ｐ型単結晶シリコン基板１２上に作製した多孔質
シリコン層を窒素、アンモニア又は窒素及びアンモニア
雰囲気中において、赤外線高速加熱炉を用いて８００℃
〜１２００℃で３０秒〜６０秒間熱窒化することにより
高速熱窒化多孔質シリコン層１３を作製し、第三中間生
成物を作製する。その後再び、ｐ型単結晶シリコン基板
１２の裏面にＡｌ１１を蒸着しオーミックコンタクトを
とる。
を有機溶剤で解かし、Ａｌをエッチングし純水で洗浄し
た後、ｐ型単結晶シリコン基板１２上に作製した多孔質
シリコン層を窒素、アンモニア又は窒素及びアンモニア
雰囲気中において、赤外線高速加熱炉を用いて８００℃
〜１２００℃で３０秒〜６０秒間熱窒化することにより
高速熱窒化多孔質シリコン層１３を作製し、第三中間生
成物を作製する。その後再び、ｐ型単結晶シリコン基板
１２の裏面にＡｌ１１を蒸着しオーミックコンタクトを
とる。
【００３７】第三中間生成物を電子サイクロトロン共鳴
プラズマＣＶＤ装置に入れ、ｎ型の微結晶を含有する非
晶質シリコンカーボン合金を高速熱窒化多孔質シリコン
層１３の上に１５０オングストローム堆積してｎ型の微
結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合金膜１４を作
製し、第四中間生成物を作製する。堆積条件はガス圧
０．００５〜０．００８Ｔｏｒｒ、投入電力３００Ｗ、
ＳｉＨ4 ：ＣＨ4 ：ＰＨ3 ：Ｈ2 ＝１：１〜３：０．０
０５〜０．０３：１００〜２００、基板温度３００℃で
ある。
プラズマＣＶＤ装置に入れ、ｎ型の微結晶を含有する非
晶質シリコンカーボン合金を高速熱窒化多孔質シリコン
層１３の上に１５０オングストローム堆積してｎ型の微
結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合金膜１４を作
製し、第四中間生成物を作製する。堆積条件はガス圧
０．００５〜０．００８Ｔｏｒｒ、投入電力３００Ｗ、
ＳｉＨ4 ：ＣＨ4 ：ＰＨ3 ：Ｈ2 ＝１：１〜３：０．０
０５〜０．０３：１００〜２００、基板温度３００℃で
ある。
【００３８】電子ビーム蒸着装置を用い、第四中間生成
物のｎ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合
金膜１４の上に透明電極としてＩＴＯ１５を６００オン
グストローム堆積し、発光素子１を作製する。
物のｎ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合
金膜１４の上に透明電極としてＩＴＯ１５を６００オン
グストローム堆積し、発光素子１を作製する。
【００３９】ＩＴＯ１５側に３０Ｖの負電圧を印加した
ときの発光スペクトルは、図７に示すように、発光波長
が約４００〜７００ｎｍでピーク波長は６００ｎｍであ
った。
ときの発光スペクトルは、図７に示すように、発光波長
が約４００〜７００ｎｍでピーク波長は６００ｎｍであ
った。
【００４０】本発明の第一実施例によれば、ｐ型単結晶
シリコン基板１２上に形成された高速熱窒化多孔質シリ
コン層１３とｎ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカ
ーボン合金膜１４からなるｐｎ接合を用いたので、ｐ型
単結晶シリコン基板１２から正孔を、またｎ型の微結晶
を含有する非晶質シリコンカーボン合金膜１４から電子
を高速熱窒化多孔質シリコン層１３に良好に注入するこ
とができる。また、第一実施例の発光素子は、図７に示
すように白色発光となる。
シリコン基板１２上に形成された高速熱窒化多孔質シリ
コン層１３とｎ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカ
ーボン合金膜１４からなるｐｎ接合を用いたので、ｐ型
単結晶シリコン基板１２から正孔を、またｎ型の微結晶
を含有する非晶質シリコンカーボン合金膜１４から電子
を高速熱窒化多孔質シリコン層１３に良好に注入するこ
とができる。また、第一実施例の発光素子は、図７に示
すように白色発光となる。
【００４１】また、発光層である多孔質シリコン層を高
速熱窒化して高速熱窒化多孔質シリコン層１３としたの
で、多孔質シリコンをターミネートしている水素を窒素
に置換することにより熱等の原因によって発光効率が低
下するのを防止することができる。
速熱窒化して高速熱窒化多孔質シリコン層１３としたの
で、多孔質シリコンをターミネートしている水素を窒素
に置換することにより熱等の原因によって発光効率が低
下するのを防止することができる。
【００４２】さらに、多孔質シリコン層を高速熱窒化し
て高速熱窒化多孔質シリコン層１３としたので、多孔質
シリコンの構造を変化させることなく多孔質シリコンを
ターミネートしている水素を窒素に置換することができ
る。
て高速熱窒化多孔質シリコン層１３としたので、多孔質
シリコンの構造を変化させることなく多孔質シリコンを
ターミネートしている水素を窒素に置換することができ
る。
【００４３】次に、本発明の第二実施例について、図
２、図６、図８を参照して説明する。図２は、本発明の
第二実施例であるｎ型単結晶シリコンを用いた発光素子
の概略構造図である。図６は、陽極化成法により多孔質
シリコンを作製する方法を説明するための図である。図
８は、図２に示す発光素子のＩＴＯ側に３０Ｖの正電圧
を印加した場合における発光スペクトルを示す図であ
る。
２、図６、図８を参照して説明する。図２は、本発明の
第二実施例であるｎ型単結晶シリコンを用いた発光素子
の概略構造図である。図６は、陽極化成法により多孔質
シリコンを作製する方法を説明するための図である。図
８は、図２に示す発光素子のＩＴＯ側に３０Ｖの正電圧
を印加した場合における発光スペクトルを示す図であ
る。
【００４４】図２に示す発光素子２は、ｎ型単結晶シリ
コン基板２２の裏面にＡｌ２１を蒸着し、ｎ型単結晶シ
リコン基板２２の表面に高速熱窒化多孔質シリコン層２
３を形成し、高速熱窒化多孔質シリコン層２３の上にｐ
型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合金膜２
４を形成し、さらにｐ型の微結晶を含有する非晶質シリ
コンカーボン合金膜２４の上に透明電極としてＩＴＯ２
５を形成したものである。発光素子２の製造方法は、陽
極化成を行う際、図６に示すように、ｎ型単結晶シリコ
ン基板２２の多孔質シリコンを作製する面にタングステ
ンランプ光を照射すること、及び、電子サイクロトロン
共鳴プラズマＣＶＤ装置を用いてｐ型の微結晶を含有す
る非晶質シリコンカーボン合金を高速熱窒化多孔質シリ
コン層２３上に堆積する条件がＳｉＨ4 ：ＣＨ4 ：Ｂ2
Ｈ6 ：Ｈ2 ＝１：１〜３：０．００５〜０．０３：１０
０〜２００であることを除けば、第一実施例と同様であ
るので、その詳細な説明を省略する。
コン基板２２の裏面にＡｌ２１を蒸着し、ｎ型単結晶シ
リコン基板２２の表面に高速熱窒化多孔質シリコン層２
３を形成し、高速熱窒化多孔質シリコン層２３の上にｐ
型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合金膜２
４を形成し、さらにｐ型の微結晶を含有する非晶質シリ
コンカーボン合金膜２４の上に透明電極としてＩＴＯ２
５を形成したものである。発光素子２の製造方法は、陽
極化成を行う際、図６に示すように、ｎ型単結晶シリコ
ン基板２２の多孔質シリコンを作製する面にタングステ
ンランプ光を照射すること、及び、電子サイクロトロン
共鳴プラズマＣＶＤ装置を用いてｐ型の微結晶を含有す
る非晶質シリコンカーボン合金を高速熱窒化多孔質シリ
コン層２３上に堆積する条件がＳｉＨ4 ：ＣＨ4 ：Ｂ2
Ｈ6 ：Ｈ2 ＝１：１〜３：０．００５〜０．０３：１０
０〜２００であることを除けば、第一実施例と同様であ
るので、その詳細な説明を省略する。
【００４５】ＩＴＯ２５側に３０Ｖの正電圧を印加した
ときの発光スペクトルは、図８に示すように、発光波長
が約４００〜７００ｎｍでピーク波長は６００ｎｍであ
った。
ときの発光スペクトルは、図８に示すように、発光波長
が約４００〜７００ｎｍでピーク波長は６００ｎｍであ
った。
【００４６】本発明の第二実施例によれば、ｎ型単結晶
シリコン基板２２上に形成された高速熱窒化多孔質シリ
コン層２３とｐ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカ
ーボン合金膜２４からなるｐｎ接合を用いたので、ｎ型
単結晶シリコン基板２２から電子を、またｐ型の微結晶
を含有する非晶質シリコンカーボン合金膜２４から正孔
を高速熱窒化多孔質シリコン層２３に良好に注入するこ
とができる。その他の効果は、第一実施例と同様であ
る。
シリコン基板２２上に形成された高速熱窒化多孔質シリ
コン層２３とｐ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカ
ーボン合金膜２４からなるｐｎ接合を用いたので、ｎ型
単結晶シリコン基板２２から電子を、またｐ型の微結晶
を含有する非晶質シリコンカーボン合金膜２４から正孔
を高速熱窒化多孔質シリコン層２３に良好に注入するこ
とができる。その他の効果は、第一実施例と同様であ
る。
【００４７】次に、本発明の第三実施例について、図３
を参照して説明する。図３は、本発明の第三実施例であ
るｐ型単結晶シリコンを用いた発光素子の概略構造図で
ある。
を参照して説明する。図３は、本発明の第三実施例であ
るｐ型単結晶シリコンを用いた発光素子の概略構造図で
ある。
【００４８】図３に示す発光素子３は、ｐ型単結晶シリ
コン基板３２の裏面にＡｌ３１を蒸着し、ｐ型単結晶シ
リコン基板３２の表面に高速熱窒化多孔質シリコン層３
３を形成し、高速熱窒化多孔質シリコン層３３の上にｎ
型の非晶質シリコンカーボン合金（ａ−ＳｉＣ）膜３４
を形成し、さらにｎ型の非晶質シリコンカーボン合金膜
３４の上に透明電極としてＩＴＯ３５を形成したもので
ある。発光素子３の製造方法は、電子サイクロトロン共
鳴プラズマＣＶＤ装置を用いずに通常のプラズマＣＶＤ
装置を用いて、ｎ型の非晶質シリコンカーボン合金膜を
高速熱窒化多孔質シリコン層３３上に作製できる点を除
いては、第一実施例と同様であるので、その詳細な説明
を省略する。
コン基板３２の裏面にＡｌ３１を蒸着し、ｐ型単結晶シ
リコン基板３２の表面に高速熱窒化多孔質シリコン層３
３を形成し、高速熱窒化多孔質シリコン層３３の上にｎ
型の非晶質シリコンカーボン合金（ａ−ＳｉＣ）膜３４
を形成し、さらにｎ型の非晶質シリコンカーボン合金膜
３４の上に透明電極としてＩＴＯ３５を形成したもので
ある。発光素子３の製造方法は、電子サイクロトロン共
鳴プラズマＣＶＤ装置を用いずに通常のプラズマＣＶＤ
装置を用いて、ｎ型の非晶質シリコンカーボン合金膜を
高速熱窒化多孔質シリコン層３３上に作製できる点を除
いては、第一実施例と同様であるので、その詳細な説明
を省略する。
【００４９】本発明の第三実施例によれば、通常のプラ
ズマＣＶＤ装置を用いてｎ型の非晶質シリコンカーボン
合金膜３４を高速熱窒化多孔質シリコン層３３上に作製
することができるので、第一実施例に比べて発光素子の
作製装置を簡略化することができる。しかし、非晶質シ
リコンカーボン合金は、バンドギャップ２．０ｅＶの所
で導電率１０ -5 Ｓ／ｃｍであり、微結晶を含有する非
晶質シリコンカーボン合金と比べてバンドギャップ、導
電率共に低い値を示すため、第一実施例に示す発光素子
に比べて若干発光輝度が低下する。その他の効果は、第
一実施例と同様である。
ズマＣＶＤ装置を用いてｎ型の非晶質シリコンカーボン
合金膜３４を高速熱窒化多孔質シリコン層３３上に作製
することができるので、第一実施例に比べて発光素子の
作製装置を簡略化することができる。しかし、非晶質シ
リコンカーボン合金は、バンドギャップ２．０ｅＶの所
で導電率１０ -5 Ｓ／ｃｍであり、微結晶を含有する非
晶質シリコンカーボン合金と比べてバンドギャップ、導
電率共に低い値を示すため、第一実施例に示す発光素子
に比べて若干発光輝度が低下する。その他の効果は、第
一実施例と同様である。
【００５０】尚、第三実施例では、ｐ型単結晶シリコン
基板３２の表面に高速熱窒化多孔質シリコン層３３を形
成し、高速熱窒化多孔質シリコン層３３の上にｎ型の非
晶質シリコンカーボン合金膜３４を形成したが、本発明
はこれに限定されず、ｎ型単結晶シリコン基板の表面に
高速熱窒化多孔質シリコン層を形成し、高速熱窒化多孔
質シリコン層の上にｐ型の非晶質シリコンカーボン合金
膜を形成するものであってもよい。
基板３２の表面に高速熱窒化多孔質シリコン層３３を形
成し、高速熱窒化多孔質シリコン層３３の上にｎ型の非
晶質シリコンカーボン合金膜３４を形成したが、本発明
はこれに限定されず、ｎ型単結晶シリコン基板の表面に
高速熱窒化多孔質シリコン層を形成し、高速熱窒化多孔
質シリコン層の上にｐ型の非晶質シリコンカーボン合金
膜を形成するものであってもよい。
【００５１】また、非晶質シリコンカーボン合金膜に代
えて微結晶を含有するシリコン（μｃ−Ｓｉ）膜を用い
てもよい。しかし、微結晶を含有するシリコンも、微結
晶を含有する非晶質シリコンカーボン合金ほどバンドギ
ャップが広い所で導電率を高くすることができなため、
非晶質シリコンカーボンを用いた場合と同様に第一実施
例に示す発光素子に比べて若干発光輝度が低下する。
えて微結晶を含有するシリコン（μｃ−Ｓｉ）膜を用い
てもよい。しかし、微結晶を含有するシリコンも、微結
晶を含有する非晶質シリコンカーボン合金ほどバンドギ
ャップが広い所で導電率を高くすることができなため、
非晶質シリコンカーボンを用いた場合と同様に第一実施
例に示す発光素子に比べて若干発光輝度が低下する。
【００５２】次に、本発明の第四実施例について、図４
を参照して説明する。図４は、本発明の第四実施例であ
るｐ型単結晶シリコンを用いた発光素子の構造図であ
る。
を参照して説明する。図４は、本発明の第四実施例であ
るｐ型単結晶シリコンを用いた発光素子の構造図であ
る。
【００５３】図４に示す発光素子４は、ｐ型単結晶シリ
コン基板４２の裏面にＡｌ４１を蒸着し、ｐ型単結晶シ
リコン基板４２の表面に高速熱窒化多孔質シリコン層４
３を形成し、高速熱窒化多孔質シリコン層４３の上にＩ
ＴＯ４４を直接形成したものである。発光素子４の製造
方法は、電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶＤ装置を
用いてｎ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン
合金を多孔質シリコン層の上に作製する工程がない点を
除いては、第一実施例と同様であるので、その詳細な説
明を省略する。
コン基板４２の裏面にＡｌ４１を蒸着し、ｐ型単結晶シ
リコン基板４２の表面に高速熱窒化多孔質シリコン層４
３を形成し、高速熱窒化多孔質シリコン層４３の上にＩ
ＴＯ４４を直接形成したものである。発光素子４の製造
方法は、電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶＤ装置を
用いてｎ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン
合金を多孔質シリコン層の上に作製する工程がない点を
除いては、第一実施例と同様であるので、その詳細な説
明を省略する。
【００５４】本発明の第四実施例によれば、高速熱窒化
多孔質シリコン層４３の上にＩＴＯ４４を直接形成して
いるので、第一実施例に比べて、発光素子の構造を簡単
にできる。しかし、第一実施例に示す発光素子に比べて
若干発光輝度が低下する。その他の効果は、第一実施例
と同様である。
多孔質シリコン層４３の上にＩＴＯ４４を直接形成して
いるので、第一実施例に比べて、発光素子の構造を簡単
にできる。しかし、第一実施例に示す発光素子に比べて
若干発光輝度が低下する。その他の効果は、第一実施例
と同様である。
【００５５】尚、第四実施例ではｐ型単結晶シリコン基
板４２の表面に高速熱窒化多孔質シリコン層４３を形成
し、高速熱窒化多孔質シリコン層４３の上にＩＴＯ４４
を直接形成したが、本発明はこれに限定されず、ｎ型単
結晶シリコン基板の表面に高速熱窒化多孔質シリコン層
を形成し、高速熱窒化多孔質シリコン層の上にＩＴＯを
直接形成するものであってもよい。
板４２の表面に高速熱窒化多孔質シリコン層４３を形成
し、高速熱窒化多孔質シリコン層４３の上にＩＴＯ４４
を直接形成したが、本発明はこれに限定されず、ｎ型単
結晶シリコン基板の表面に高速熱窒化多孔質シリコン層
を形成し、高速熱窒化多孔質シリコン層の上にＩＴＯを
直接形成するものであってもよい。
【００５６】また、ＩＴＯ４４に代えてＡｕを用いても
よい。しかし、ＩＴＯを用いた場合と同様に第一実施例
に示す発光素子に比べて若干発光輝度が低下する。
よい。しかし、ＩＴＯを用いた場合と同様に第一実施例
に示す発光素子に比べて若干発光輝度が低下する。
【００５７】本発明は、上記の各実施例に限定されるも
のではなく、その要旨の範囲内において種々の変形が可
能である。上記の各実施例では、ｐ型又はｎ型単結晶シ
リコン基板上に形成された多孔質シリコン層を高速熱窒
化して高速熱窒化多孔質シリコン層を作製したが、たと
えば、ステンレス基板、石英基板等の上に低圧ＣＶＤ法
等により形成されたｐ型又はｎ型多結晶シリコン層上に
形成された多孔質シリコン層を高速熱窒化して高速熱窒
化多孔質シリコン層を作製してもよい。多結晶シリコン
を用いて発光素子を作製した場合、純粋なシリコンウェ
ハから切り出した単結晶シリコン基板を用いて発光素子
を作製する場合に比べて大面積のものを安価に作製する
ことができる。
のではなく、その要旨の範囲内において種々の変形が可
能である。上記の各実施例では、ｐ型又はｎ型単結晶シ
リコン基板上に形成された多孔質シリコン層を高速熱窒
化して高速熱窒化多孔質シリコン層を作製したが、たと
えば、ステンレス基板、石英基板等の上に低圧ＣＶＤ法
等により形成されたｐ型又はｎ型多結晶シリコン層上に
形成された多孔質シリコン層を高速熱窒化して高速熱窒
化多孔質シリコン層を作製してもよい。多結晶シリコン
を用いて発光素子を作製した場合、純粋なシリコンウェ
ハから切り出した単結晶シリコン基板を用いて発光素子
を作製する場合に比べて大面積のものを安価に作製する
ことができる。
【００５８】また、多孔質シリコン層を高速熱窒化して
高速熱窒化多孔質シリコン層を作製したが、多孔質シリ
コン層を通常の熱窒化炉に入れて、数秒で取り出すこと
により熱窒化多孔質シリコン層を作製するものでも代用
できる。
高速熱窒化多孔質シリコン層を作製したが、多孔質シリ
コン層を通常の熱窒化炉に入れて、数秒で取り出すこと
により熱窒化多孔質シリコン層を作製するものでも代用
できる。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の発明
によれば、ｐ型又はｎ型の単結晶シリコン上に形成され
た多孔質シリコンを熱窒化した熱窒化多孔質シリコンを
発光層として用いたので、その発光層が青色より広いエ
ネルギーバンドギャップ（約２．５ｅＶ以上）を持ち、
かつ電子と正孔が発光再結合し、その発光再結合過程の
エネルギー差が青から赤まで幅広く有しており、このた
め白色発光素子が実現できる。
によれば、ｐ型又はｎ型の単結晶シリコン上に形成され
た多孔質シリコンを熱窒化した熱窒化多孔質シリコンを
発光層として用いたので、その発光層が青色より広いエ
ネルギーバンドギャップ（約２．５ｅＶ以上）を持ち、
かつ電子と正孔が発光再結合し、その発光再結合過程の
エネルギー差が青から赤まで幅広く有しており、このた
め白色発光素子が実現できる。
【００６０】また、発光層に多孔質シリコンを熱窒化し
た熱窒化多孔質シリコンを用いたことにより、ダングリ
ングボンドによる多孔質シリコンの特性劣化を防止する
ことができ、発光効率の低下を防止することができる発
光素子を提供することができる。
た熱窒化多孔質シリコンを用いたことにより、ダングリ
ングボンドによる多孔質シリコンの特性劣化を防止する
ことができ、発光効率の低下を防止することができる発
光素子を提供することができる。
【００６１】請求項２記載の発明によれば、ｐ型又はｎ
型の単結晶シリコン上に形成された多孔質シリコンを熱
窒化した熱窒化多孔質シリコンと前記単結晶シリコンと
異なる伝導型を持つ半導体からなるｐｎ接合を用いたの
で、発光層である熱窒化多孔質シリコンに正孔や電子を
注入し、再結合させることができる。このため、請求項
１記載の発明の効果に加えて効率よく発光させることが
できる発光素子を提供することができる。
型の単結晶シリコン上に形成された多孔質シリコンを熱
窒化した熱窒化多孔質シリコンと前記単結晶シリコンと
異なる伝導型を持つ半導体からなるｐｎ接合を用いたの
で、発光層である熱窒化多孔質シリコンに正孔や電子を
注入し、再結合させることができる。このため、請求項
１記載の発明の効果に加えて効率よく発光させることが
できる発光素子を提供することができる。
【００６２】請求項３記載の発明によれば、請求項２記
載の発明において、半導体として微結晶を含有する非晶
質シリコンカーボン合金を用いたので、発光層である熱
窒化多孔質シリコンに正孔や電子を良好に注入し、再結
合させることができる。このため、請求項１記載の発明
の効果に加えて効率よく発光させることができる発光素
子を提供することができる。
載の発明において、半導体として微結晶を含有する非晶
質シリコンカーボン合金を用いたので、発光層である熱
窒化多孔質シリコンに正孔や電子を良好に注入し、再結
合させることができる。このため、請求項１記載の発明
の効果に加えて効率よく発光させることができる発光素
子を提供することができる。
【００６３】請求項４記載の発明によれば、請求項２記
載の発明において、半導体として非晶質シリコンカーボ
ン合金を用いたので、通常のプラズマＣＶＤ装置を用い
て発光素子を作製することができる。このため、請求項
１記載の発明の効果に加えて作製が容易で安価な発光素
子を提供することができる。
載の発明において、半導体として非晶質シリコンカーボ
ン合金を用いたので、通常のプラズマＣＶＤ装置を用い
て発光素子を作製することができる。このため、請求項
１記載の発明の効果に加えて作製が容易で安価な発光素
子を提供することができる。
【００６４】請求項５記載の発明によれば、請求項２記
載の発明において、半導体として微結晶を含有するシリ
コンを用いたので、通常のプラズマＣＶＤ装置を用いて
発光素子を作製することができる。このため、請求項１
記載の発明の効果に加えて作製が容易で安価な発光素子
を提供することができる。
載の発明において、半導体として微結晶を含有するシリ
コンを用いたので、通常のプラズマＣＶＤ装置を用いて
発光素子を作製することができる。このため、請求項１
記載の発明の効果に加えて作製が容易で安価な発光素子
を提供することができる。
【００６５】請求項６記載の発明によれば、多結晶シリ
コン上に形成された多孔質シリコンを熱窒化した熱窒化
多孔質シリコンを用いたことにより、請求項１記載の発
明の効果に加えて純粋なシリコンウェハから切り出した
単結晶シリコン基板上に作製した熱窒化多孔質シリコン
を用いて作製した発光素子に比べて大面積のものを安価
に作製できる発光素子を提供することができる。
コン上に形成された多孔質シリコンを熱窒化した熱窒化
多孔質シリコンを用いたことにより、請求項１記載の発
明の効果に加えて純粋なシリコンウェハから切り出した
単結晶シリコン基板上に作製した熱窒化多孔質シリコン
を用いて作製した発光素子に比べて大面積のものを安価
に作製できる発光素子を提供することができる。
【００６６】請求項７記載の発明によれば、多結晶シリ
コン上に形成された多孔質シリコンを熱窒化した熱窒化
多孔質シリコンと前記多結晶シリコンと異なる伝導型を
持つ半導体からなるｐｎ接合を用いたので、発光層であ
る熱窒化多孔質シリコンに正孔や電子を注入し、再結合
させることができる。このため、請求項６記載の発明の
効果に加えて効率よく発光させることができる発光素子
を提供することができる。
コン上に形成された多孔質シリコンを熱窒化した熱窒化
多孔質シリコンと前記多結晶シリコンと異なる伝導型を
持つ半導体からなるｐｎ接合を用いたので、発光層であ
る熱窒化多孔質シリコンに正孔や電子を注入し、再結合
させることができる。このため、請求項６記載の発明の
効果に加えて効率よく発光させることができる発光素子
を提供することができる。
【００６７】請求項８記載の発明によれば、請求項６記
載の発明において、半導体として微結晶を含有する非晶
質シリコンカーボン合金を用いたので、発光層である熱
窒化多孔質シリコンに正孔や電子を良好に注入し、再結
合させることができる。このため、請求項６記載の発明
の効果に加えて効率よく発光させることができる発光素
子を提供することができる。
載の発明において、半導体として微結晶を含有する非晶
質シリコンカーボン合金を用いたので、発光層である熱
窒化多孔質シリコンに正孔や電子を良好に注入し、再結
合させることができる。このため、請求項６記載の発明
の効果に加えて効率よく発光させることができる発光素
子を提供することができる。
【００６８】請求項９記載の発明によれば、請求項６記
載の発明において、半導体として非晶質シリコンカーボ
ン合金を用いたので、通常のプラズマＣＶＤ装置を用い
て発光素子を作製することができる。このため、請求項
６記載の発明の効果に加えて作製が容易で安価な発光素
子を提供することができる。
載の発明において、半導体として非晶質シリコンカーボ
ン合金を用いたので、通常のプラズマＣＶＤ装置を用い
て発光素子を作製することができる。このため、請求項
６記載の発明の効果に加えて作製が容易で安価な発光素
子を提供することができる。
【００６９】請求項１０記載の発明によれば、請求項６
記載の発明において、半導体として微結晶を含有するシ
リコンを用いたので、通常のプラズマＣＶＤ装置を用い
て発光素子を作製することができる。このため、請求項
５記載の発明の効果に加えて作製が容易で安価な発光素
子を提供することができる。
記載の発明において、半導体として微結晶を含有するシ
リコンを用いたので、通常のプラズマＣＶＤ装置を用い
て発光素子を作製することができる。このため、請求項
５記載の発明の効果に加えて作製が容易で安価な発光素
子を提供することができる。
【００７０】請求項１１記載の発明によれば、ｐ型又は
ｎ型の単結晶又は多結晶のシリコン上に形成された多孔
質シリコンを熱窒化した熱窒化多孔質シリコン上にＩＴ
Ｏを直接形成したので、構造の簡単な発光素子を提供す
ることができる。
ｎ型の単結晶又は多結晶のシリコン上に形成された多孔
質シリコンを熱窒化した熱窒化多孔質シリコン上にＩＴ
Ｏを直接形成したので、構造の簡単な発光素子を提供す
ることができる。
【００７１】請求項１２記載の発明によれば、ｐ型又は
ｎ型の単結晶又は多結晶のシリコン上に形成された多孔
質シリコンを熱窒化した熱窒化多孔質シリコン上にＡｕ
を直接形成したので、構造の簡単な発光素子を提供する
ことができる。
ｎ型の単結晶又は多結晶のシリコン上に形成された多孔
質シリコンを熱窒化した熱窒化多孔質シリコン上にＡｕ
を直接形成したので、構造の簡単な発光素子を提供する
ことができる。
【００７２】請求項１３記載の発明によれば、熱窒化多
孔質シリコンは、高速熱窒化した高速熱窒化多孔質シリ
コンであるので、多孔質シリコンの構造を変化させるこ
となく多孔質シリコンをターミネートしている水素を窒
素に置換することができ、したがって特性劣化を防止す
ることができる発光素子を提供することができる。
孔質シリコンは、高速熱窒化した高速熱窒化多孔質シリ
コンであるので、多孔質シリコンの構造を変化させるこ
となく多孔質シリコンをターミネートしている水素を窒
素に置換することができ、したがって特性劣化を防止す
ることができる発光素子を提供することができる。
【図１】本発明の第一実施例であるｐ型単結晶シリコン
を用いた発光素子の概略構造図である。
を用いた発光素子の概略構造図である。
【図２】本発明の第二実施例であるｎ型単結晶シリコン
を用いた発光素子の概略構造図である。
を用いた発光素子の概略構造図である。
【図３】本発明の第三実施例であるｐ型単結晶シリコン
を用いた発光素子の概略構造図である。
を用いた発光素子の概略構造図である。
【図４】本発明の第四実施例であるｐ型単結晶シリコン
を用いた発光素子の概略構造図である。
を用いた発光素子の概略構造図である。
【図５】陽極化成法により多孔質シリコンを作製する方
法を説明するための図である。
法を説明するための図である。
【図６】陽極化成法により多孔質シリコンを作製する方
法を説明するための図である。
法を説明するための図である。
【図７】図１に示す発光素子のＩＴＯ側に３０Ｖの正電
圧を印加した場合における発光スペクトルを表した図で
ある。
圧を印加した場合における発光スペクトルを表した図で
ある。
【図８】図２に示す発光素子のＩＴＯ側に３０Ｖの正電
圧を印加した場合における発光スペクトルを表した図で
ある。
圧を印加した場合における発光スペクトルを表した図で
ある。
１，２，３，４ 発光素子 １１，２１，３１，４１ Ａｌ １２，３２，４２ ｐ型単結晶シリコン基板 １３，２３，３３，４３ 高速熱窒化多孔質シリコン
層 １４ ｎ型の微結晶を含有するシリコンカーボン合金
膜 １５，２５，３５，４４ ＩＴＯ ２２ ｎ型単結晶シリコン基板 ２４ ｐ型の微結晶を含有するシリコンカーボン合金
膜 ３４ ｎ型の非晶質シリコンカーボン合金膜
層 １４ ｎ型の微結晶を含有するシリコンカーボン合金
膜 １５，２５，３５，４４ ＩＴＯ ２２ ｎ型単結晶シリコン基板 ２４ ｐ型の微結晶を含有するシリコンカーボン合金
膜 ３４ ｎ型の非晶質シリコンカーボン合金膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年６月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】請求項５記載の発明の発光素子は、請求項
２記載の発明において、前記半導体が微結晶を含有する
非晶質シリコンからなることを特徴とするものである。
２記載の発明において、前記半導体が微結晶を含有する
非晶質シリコンからなることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】請求項１０記載の発明の発光素子は、請求
項７記載の発明において、前記半導体が微結晶を含有す
る非晶質シリコンからなることを特徴とするものであ
る。
項７記載の発明において、前記半導体が微結晶を含有す
る非晶質シリコンからなることを特徴とするものであ
る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】本発明者等は、ｐ型又はｎ型の単結晶シリ
コン基板（面方位（１１１）及び（１００）、抵抗率
０．０５〜５０Ωｃｍ）の上に、陽極化成法（エチルア
ルコール：弗酸（４８％の水溶液）＝０：１〜１０：１
の水溶液中で、陽極側に単結晶シリコンを接続し、また
陰極側に白金等の電極を接続して電流密度：１ｍＡ／ｃ
ｍ2 〜２００ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、単結晶シリコ
ンを加工する方法）で３０秒〜１０分間処理することに
より、多孔質シリコン（ｐｏｒｏｕｓ Ｓｉ）層を作製
し、その後前記多孔質シリコン層を高速熱窒化（窒素、
アンモニア又は窒素及びアンモニア雰囲気中において、
８００℃〜１２００℃で１０秒〜１２０秒間熱窒化を行
う）することにより作製した高速熱窒化多孔質シリコン
層が紫外光励起により強い白色ホトルミネッセンスを示
すことを見いだした。また、高速熱窒化多孔質シリコン
上に、高速熱窒化多孔質シリコンを作製した単結晶シリ
コン基板と異なる伝導型の広いバンドギャップ（２．０
〜２．４ｅＶ）と高い導電率（１０-2〜１０1 Ｓ／ｃ
ｍ）とを有する微結晶を含有する非晶質シリコンカーボ
ン合金（μｃ−ＳｉＣ）を堆積すると良好なｐｎ接合が
得られることを見いだした。また、単結晶シリコン基板
のかわりにｐ型又はｎ型の多結晶シリコン基板を用い高
速熱窒化多孔質シリコンを作製した場合にも、同様の方
法で良好なｐｎ接合が得られることを見いだした。
コン基板（面方位（１１１）及び（１００）、抵抗率
０．０５〜５０Ωｃｍ）の上に、陽極化成法（エチルア
ルコール：弗酸（４８％の水溶液）＝０：１〜１０：１
の水溶液中で、陽極側に単結晶シリコンを接続し、また
陰極側に白金等の電極を接続して電流密度：１ｍＡ／ｃ
ｍ2 〜２００ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、単結晶シリコ
ンを加工する方法）で３０秒〜１０分間処理することに
より、多孔質シリコン（ｐｏｒｏｕｓ Ｓｉ）層を作製
し、その後前記多孔質シリコン層を高速熱窒化（窒素、
アンモニア又は窒素及びアンモニア雰囲気中において、
８００℃〜１２００℃で１０秒〜１２０秒間熱窒化を行
う）することにより作製した高速熱窒化多孔質シリコン
層が紫外光励起により強い白色ホトルミネッセンスを示
すことを見いだした。また、高速熱窒化多孔質シリコン
上に、高速熱窒化多孔質シリコンを作製した単結晶シリ
コン基板と異なる伝導型の広いバンドギャップ（２．０
〜２．４ｅＶ）と高い導電率（１０-2〜１０1 Ｓ／ｃ
ｍ）とを有する微結晶を含有する非晶質シリコンカーボ
ン合金（μｃ−ＳｉＣ）を堆積すると良好なｐｎ接合が
得られることを見いだした。また、単結晶シリコン基板
のかわりにｐ型又はｎ型の多結晶シリコン基板を用い高
速熱窒化多孔質シリコンを作製した場合にも、同様の方
法で良好なｐｎ接合が得られることを見いだした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３７】第三中間生成物を電子サイクロトロン共鳴
プラズマＣＶＤ装置に入れ、ｎ型の微結晶を含有する非
晶質シリコンカーボン合金を高速熱窒化多孔質シリコン
層１３の上に１００〜６００オングストローム堆積して
ｎ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合金膜
１４を作製し、第四中間生成物を作製する。堆積条件は
ガス圧０．００５〜０．００８Ｔｏｒｒ、投入電力３０
０Ｗ、ＳｉＨ4 ：ＣＨ4 ：ＰＨ3 ：Ｈ2 ＝１：１〜３：
０．００５〜０．０３：１００〜２００、基板温度３０
０℃である。
プラズマＣＶＤ装置に入れ、ｎ型の微結晶を含有する非
晶質シリコンカーボン合金を高速熱窒化多孔質シリコン
層１３の上に１００〜６００オングストローム堆積して
ｎ型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合金膜
１４を作製し、第四中間生成物を作製する。堆積条件は
ガス圧０．００５〜０．００８Ｔｏｒｒ、投入電力３０
０Ｗ、ＳｉＨ4 ：ＣＨ4 ：ＰＨ3 ：Ｈ2 ＝１：１〜３：
０．００５〜０．０３：１００〜２００、基板温度３０
０℃である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５１】また、非晶質シリコンカーボン合金膜に代
えて微結晶を含有する非晶質シリコン（μｃ−Ｓｉ）膜
を用いてもよい。しかし、微結晶を含有する非晶質シリ
コンも、微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合金
ほどバンドギャップが広い所で導電率を高くすることが
できないため、非晶質シリコンカーボンを用いた場合と
同様に第一実施例に示す発光素子に比べて若干発光輝度
が低下する。
えて微結晶を含有する非晶質シリコン（μｃ−Ｓｉ）膜
を用いてもよい。しかし、微結晶を含有する非晶質シリ
コンも、微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合金
ほどバンドギャップが広い所で導電率を高くすることが
できないため、非晶質シリコンカーボンを用いた場合と
同様に第一実施例に示す発光素子に比べて若干発光輝度
が低下する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６４】請求項５記載の発明によれば、請求項２記
載の発明において、半導体として微結晶を含有する非晶
質シリコンを用いたので、通常のプラズマＣＶＤ装置を
用いて発光素子を作製することができる。このため、請
求項１記載の発明の効果に加えて作製が容易で安価な発
光素子を提供することができる。
載の発明において、半導体として微結晶を含有する非晶
質シリコンを用いたので、通常のプラズマＣＶＤ装置を
用いて発光素子を作製することができる。このため、請
求項１記載の発明の効果に加えて作製が容易で安価な発
光素子を提供することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６９】請求項１０記載の発明によれば、請求項６
記載の発明において、半導体として微結晶を含有する非
晶質シリコンを用いたので、通常のプラズマＣＶＤ装置
を用いて発光素子を作製することができる。このため、
請求項５記載の発明の効果に加えて作製が容易で安価な
発光素子を提供することができる。
記載の発明において、半導体として微結晶を含有する非
晶質シリコンを用いたので、通常のプラズマＣＶＤ装置
を用いて発光素子を作製することができる。このため、
請求項５記載の発明の効果に加えて作製が容易で安価な
発光素子を提供することができる。
Claims (13)
- 【請求項１】 ｐ型又はｎ型の単結晶シリコン上に形成
された多孔質シリコンを熱窒化した熱窒化多孔質シリコ
ンを用いたことを特徴とする発光素子。 - 【請求項２】 ｐ型又はｎ型の単結晶シリコン上に形成
された多孔質シリコンを熱窒化した熱窒化多孔質シリコ
ンと前記熱窒化多孔質シリコンが形成された単結晶シリ
コンと異なる伝導型を持つ半導体からなるｐｎ接合を用
いたことを特徴とする発光素子。 - 【請求項３】 前記半導体が微結晶を含有する非晶質シ
リコンカーボン合金からなることを特徴とする請求項２
記載の発光素子。 - 【請求項４】 前記半導体が非晶質シリコンカーボン合
金からなることを特徴とする請求項２記載の発光素子。 - 【請求項５】 前記半導体が微結晶を含有するシリコン
からなることを特徴とする請求項２記載の発光素子。 - 【請求項６】 ｐ型又はｎ型の多結晶シリコン上に形成
された多孔質シリコンを熱窒化した熱窒化多孔質シリコ
ンを用いたことを特徴とする発光素子。 - 【請求項７】 ｐ型又はｎ型の多結晶シリコン上に形成
された多孔質シリコンを熱窒化した熱窒化多孔質シリコ
ンと前記熱窒化多孔質シリコンが形成された多結晶シリ
コンと異なる伝導型を持つ半導体からなるｐｎ接合を用
いたことを特徴とする発光素子。 - 【請求項８】 前記半導体が微結晶を含有する非晶質シ
リコンカーボン合金からなることを特徴とする請求項７
記載の発光素子。 - 【請求項９】 前記半導体が非晶質シリコンカーボン合
金からなることを特徴とする請求項７記載の発光素子。 - 【請求項１０】 前記半導体が微結晶を含有するシリコ
ンからなることを特徴とする請求項７記載の発光素子。 - 【請求項１１】 前記熱窒化多孔質シリコン上にインジ
ウムティンオキサイトを形成したことを特徴とする請求
項１又は６記載の発光素子。 - 【請求項１２】 前記熱窒化多孔質シリコン上にＡｕを
形成したことを特徴とする請求項１又は６記載の発光素
子。 - 【請求項１３】 前記熱窒化多孔質シリコンは、高速熱
窒化した高速熱窒化多孔質シリコンであることを特徴と
する請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１
０，１１又は１２記載の発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9246593A JPH06283755A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9246593A JPH06283755A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283755A true JPH06283755A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=14055100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9246593A Withdrawn JPH06283755A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283755A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100483481B1 (ko) * | 2000-03-09 | 2005-04-15 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 광전자재료 및 응용소자, 및 광전자재료의 제조방법 |
| US7943945B2 (en) | 1996-03-26 | 2011-05-17 | Cree, Inc. | Solid state white light emitter and display using same |
| JP2012234889A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Meijo University | 発光ダイオード素子及びその製造方法 |
| US9739444B2 (en) | 2007-03-05 | 2017-08-22 | Intematix Corporation | Light emitting diode (LED) based lighting systems |
| US10204888B2 (en) | 2011-04-13 | 2019-02-12 | Intematix Corporation | LED-based light sources for light emitting devices and lighting arrangements with photoluminescence wavelength conversion |
| US10234725B2 (en) | 2015-03-23 | 2019-03-19 | Intematix Corporation | Photoluminescence color display |
-
1993
- 1993-03-25 JP JP9246593A patent/JPH06283755A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7943945B2 (en) | 1996-03-26 | 2011-05-17 | Cree, Inc. | Solid state white light emitter and display using same |
| US8860058B2 (en) | 1996-03-26 | 2014-10-14 | Cree, Inc. | Solid state white light emitter and display using same |
| US8963182B2 (en) | 1996-03-26 | 2015-02-24 | Cree, Inc. | Solid state white light emitter and display using same |
| US9698313B2 (en) | 1996-03-26 | 2017-07-04 | Cree, Inc. | Solid state white light emitter and display using same |
| KR100483481B1 (ko) * | 2000-03-09 | 2005-04-15 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 광전자재료 및 응용소자, 및 광전자재료의 제조방법 |
| US6943048B2 (en) | 2000-03-09 | 2005-09-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing optoelectronic material |
| US9739444B2 (en) | 2007-03-05 | 2017-08-22 | Intematix Corporation | Light emitting diode (LED) based lighting systems |
| US10204888B2 (en) | 2011-04-13 | 2019-02-12 | Intematix Corporation | LED-based light sources for light emitting devices and lighting arrangements with photoluminescence wavelength conversion |
| JP2012234889A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Meijo University | 発光ダイオード素子及びその製造方法 |
| US10234725B2 (en) | 2015-03-23 | 2019-03-19 | Intematix Corporation | Photoluminescence color display |
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