JP2937166B2 - アバランシェフォトダイオード - Google Patents
アバランシェフォトダイオードInfo
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- semiconductor
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高速光通信用の高
信頼特性を有する高感度アバランシェフォトダイオード
（ＡＰＤ）の構造に関する。
信頼特性を有する高感度アバランシェフォトダイオード
（ＡＰＤ）の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】次世代光通信システム用の高速高感度受
光素子として、図９に示されるような超格子ＡＰＤが報
告されている（アプライド フィジックス レターズ(A
ppl. phys. Lett.)、１８９５-１８９７頁、５７巻、１
９９０年）。この素子ではＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ
超格子増倍層６３のイオン化率比増大効果で高利得帯域
幅積（ＧＢ積）、低雑音化がなされている。
光素子として、図９に示されるような超格子ＡＰＤが報
告されている（アプライド フィジックス レターズ(A
ppl. phys. Lett.)、１８９５-１８９７頁、５７巻、１
９９０年）。この素子ではＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ
超格子増倍層６３のイオン化率比増大効果で高利得帯域
幅積（ＧＢ積）、低雑音化がなされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来例で
代表される超格子ＡＰＤは、受光領域外の成長層（ｎ+
型ＩｎＰバッファ層６２、ノンドープＩｎＡｌＡｓ／Ｉ
ｎＧａＡｓ超格子増倍層６３、ｐ型ＩｎＰ電界緩和層６
４、ｐ-型ＩｎＧａＡｓ光吸収層６５、ｐ+型ＩｎＰキャ
ップ層６６及びｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６７）
すべてを基板６１までエッチングして形成される高メサ
型構造であり、メサ端面の表面パッシベーション膜６８
としてＳｉＮ若しくはポリイミドが形成された後、ｐ電
極６９及びｎ電極６１０、更に所望により反射防止（Ａ
Ｒ）コート６１１が形成されている。このような構造で
は、作製が容易で低コスト化に有利である反面、雑音特
性を支配する暗電流のうち、主に表面リーク暗電流成分
が経時的に増大するため、素子寿命が短いという欠点を
有している。
代表される超格子ＡＰＤは、受光領域外の成長層（ｎ+
型ＩｎＰバッファ層６２、ノンドープＩｎＡｌＡｓ／Ｉ
ｎＧａＡｓ超格子増倍層６３、ｐ型ＩｎＰ電界緩和層６
４、ｐ-型ＩｎＧａＡｓ光吸収層６５、ｐ+型ＩｎＰキャ
ップ層６６及びｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６７）
すべてを基板６１までエッチングして形成される高メサ
型構造であり、メサ端面の表面パッシベーション膜６８
としてＳｉＮ若しくはポリイミドが形成された後、ｐ電
極６９及びｎ電極６１０、更に所望により反射防止（Ａ
Ｒ）コート６１１が形成されている。このような構造で
は、作製が容易で低コスト化に有利である反面、雑音特
性を支配する暗電流のうち、主に表面リーク暗電流成分
が経時的に増大するため、素子寿命が短いという欠点を
有している。
【０００４】そこで、図９の構造のメサ端面に、ＩｎＡ
ｌＡｓ再成長膜を保護膜に用いた構造が提案されている
（特開平６−２３２４４２号公報、特開平７−３８１４
１号公報）。このような表面酸化されやすいＡｌを含む
増倍層部分のメサ端面に半導体を再成長して形成される
保護膜構造の場合、再成長開始前の表面酸化膜除去を完
全にかつ、再現性良く行うことは、現在の技術では実現
困難である。このため、再成長界面には残留酸化膜に起
因する欠陥・転移が発生し、表面リーク電流の発生及び
経時的増加の原因となるので信頼性の高い素子が高歩留
りには得られない。
ｌＡｓ再成長膜を保護膜に用いた構造が提案されている
（特開平６−２３２４４２号公報、特開平７−３８１４
１号公報）。このような表面酸化されやすいＡｌを含む
増倍層部分のメサ端面に半導体を再成長して形成される
保護膜構造の場合、再成長開始前の表面酸化膜除去を完
全にかつ、再現性良く行うことは、現在の技術では実現
困難である。このため、再成長界面には残留酸化膜に起
因する欠陥・転移が発生し、表面リーク電流の発生及び
経時的増加の原因となるので信頼性の高い素子が高歩留
りには得られない。
【０００５】また、メサ端面に不活性不純物を直接導入
して、端面部を絶縁物化、半絶縁物化しようとする素子
構造も松田らにより提案されている（特開平２−１５６
８０号公報）。この構造では、酸素等のイオン打ち込み
により形成した高抵抗領域がｐｎ接合端面に形成されて
いる。一般に酸素のイオン注入による高抵抗化は、酸素
によるディープレベルの形成・キャリア減少効果ととも
に、イオン注入ダメージにより半導体中に欠陥が導入さ
れ、これが再結合中心を形成して、キャリアを補償して
高抵抗化するというメカニズムをもつ。この従来例では
受光領域メサ端面の光吸収層を高抵抗化しているが、こ
のようなバンドギャップの小さいＩｎＧａＡｓ光吸収層
を高い抵抗率（１０-6Ωcｍ台）に高抵抗化するには高
ドーズ（１０14ｃｍ-2台）のイオン打ち込みをもってし
ても不可能である。このためｐｉｎ構造に逆方向電界を
印加する受光素子の場合、リーク暗電流の増大をまねき
実用上使用不可能となる。すなわち、この従来例に記載
のバンドギャップの小さな半導体層を含むメサ端面に直
接高抵抗領域を形成する手法では、低暗電流の受光素子
を形成することはできない。
して、端面部を絶縁物化、半絶縁物化しようとする素子
構造も松田らにより提案されている（特開平２−１５６
８０号公報）。この構造では、酸素等のイオン打ち込み
により形成した高抵抗領域がｐｎ接合端面に形成されて
いる。一般に酸素のイオン注入による高抵抗化は、酸素
によるディープレベルの形成・キャリア減少効果ととも
に、イオン注入ダメージにより半導体中に欠陥が導入さ
れ、これが再結合中心を形成して、キャリアを補償して
高抵抗化するというメカニズムをもつ。この従来例では
受光領域メサ端面の光吸収層を高抵抗化しているが、こ
のようなバンドギャップの小さいＩｎＧａＡｓ光吸収層
を高い抵抗率（１０-6Ωcｍ台）に高抵抗化するには高
ドーズ（１０14ｃｍ-2台）のイオン打ち込みをもってし
ても不可能である。このためｐｉｎ構造に逆方向電界を
印加する受光素子の場合、リーク暗電流の増大をまねき
実用上使用不可能となる。すなわち、この従来例に記載
のバンドギャップの小さな半導体層を含むメサ端面に直
接高抵抗領域を形成する手法では、低暗電流の受光素子
を形成することはできない。
【０００６】一方、プレーナ型素子を実現するものとし
て小川らが提案する構造（特開昭６１−１９９６７５号
公報）を図１０に示す。このプレーナ型素子は、ｎ+型
ＩｎＰ基板７１上にｎ-型ＩｎＧａＡｓ光吸収層７２、
ｐ+型ＩｎＧａＡｓ７３、高抵抗領域７４、絶縁膜７
５、ｐ電極７６が形成され、基板７１下にｎ電極７７を
有する構造である。このプレーナ構造では、プロトン等
の軽質量イオン打ち込みにより形成した高抵抗領域７４
がｐｎ接合端面を埋め込んでいるが、一般にプロトンの
イオン注入による高抵抗化メカニズムは、イオン注入ダ
メージにより半導体中に欠陥が導入され、これが再結合
中心を形成してキャリアを補償し高抵抗化するというも
のである。特にその実施例では受光領域７８外の高濃度
ｐ型領域７３と光吸収層７２を高抵抗化しているが、こ
のような高濃度ｐ型領域、及びバンドギャップの小さい
光吸収層を高抵抗化するには、高ドーズ（１０14ｃｍ-2
台）のイオン打ち込みが必要であり、高濃度の欠陥が導
入されるという欠点を有する。このためｐｉｎ構造に逆
方向電界を印加する受光素子の場合、この欠陥が暗電流
の増大をまねき実用上使用不可能なレベルに達する。す
なわち、この従来例に記載の高抵抗形成手法（プロトン
に代表される軽質量元素のイオン注入）では、元ウエハ
において高濃度ｐ、あるいはｎ型キャップ層が全面につ
ながっている層構造の場合、低暗電流の受光素子を形成
することはできない。
て小川らが提案する構造（特開昭６１−１９９６７５号
公報）を図１０に示す。このプレーナ型素子は、ｎ+型
ＩｎＰ基板７１上にｎ-型ＩｎＧａＡｓ光吸収層７２、
ｐ+型ＩｎＧａＡｓ７３、高抵抗領域７４、絶縁膜７
５、ｐ電極７６が形成され、基板７１下にｎ電極７７を
有する構造である。このプレーナ構造では、プロトン等
の軽質量イオン打ち込みにより形成した高抵抗領域７４
がｐｎ接合端面を埋め込んでいるが、一般にプロトンの
イオン注入による高抵抗化メカニズムは、イオン注入ダ
メージにより半導体中に欠陥が導入され、これが再結合
中心を形成してキャリアを補償し高抵抗化するというも
のである。特にその実施例では受光領域７８外の高濃度
ｐ型領域７３と光吸収層７２を高抵抗化しているが、こ
のような高濃度ｐ型領域、及びバンドギャップの小さい
光吸収層を高抵抗化するには、高ドーズ（１０14ｃｍ-2
台）のイオン打ち込みが必要であり、高濃度の欠陥が導
入されるという欠点を有する。このためｐｉｎ構造に逆
方向電界を印加する受光素子の場合、この欠陥が暗電流
の増大をまねき実用上使用不可能なレベルに達する。す
なわち、この従来例に記載の高抵抗形成手法（プロトン
に代表される軽質量元素のイオン注入）では、元ウエハ
において高濃度ｐ、あるいはｎ型キャップ層が全面につ
ながっている層構造の場合、低暗電流の受光素子を形成
することはできない。
【０００７】そこで、本発明は信頼性の高い新しいメサ
型超格子ＡＰＤの実現を目的とする。
型超格子ＡＰＤの実現を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下の素子構
造を有することで前述の問題を解決した。
造を有することで前述の問題を解決した。
【０００９】第１導電型半導体基板に、第１導電型半導
体バッファ層、半導体増倍層、第２導電型半導体電界緩
和層、第２導電型半導体光吸収層、第２導電型半導体キ
ャップ層、第２導電型半導体コンタクト層を順次積層し
た光吸収増倍分離型の超格子アバランシェフォトダイオ
ードにおいて、第２導電型半導体コンタクト層、該第２
導電型半導体キャップ層、及び、該第２導電型光吸収層
の３層のみをエッチング除去して形成された低メサ構造
を有し、かつ、該メサ形成領域外周に該光吸収層のバン
ドギャップより大きな半導体を再成長形成した保護膜を
有することを特徴とするメサ型の超格子アバランシェフ
ォトダイオード。
体バッファ層、半導体増倍層、第２導電型半導体電界緩
和層、第２導電型半導体光吸収層、第２導電型半導体キ
ャップ層、第２導電型半導体コンタクト層を順次積層し
た光吸収増倍分離型の超格子アバランシェフォトダイオ
ードにおいて、第２導電型半導体コンタクト層、該第２
導電型半導体キャップ層、及び、該第２導電型光吸収層
の３層のみをエッチング除去して形成された低メサ構造
を有し、かつ、該メサ形成領域外周に該光吸収層のバン
ドギャップより大きな半導体を再成長形成した保護膜を
有することを特徴とするメサ型の超格子アバランシェフ
ォトダイオード。
【００１０】また、上記の素子構造において、メサ底面
の再成長層、第２導電型半導体電界緩和層、増倍層、及
び、第１導電型半導体バッファ層を第２のメサエッチン
グにより除去した２段メサ構造を有することを特徴とす
るアバランシェフォトダイオード。
の再成長層、第２導電型半導体電界緩和層、増倍層、及
び、第１導電型半導体バッファ層を第２のメサエッチン
グにより除去した２段メサ構造を有することを特徴とす
るアバランシェフォトダイオード。
【００１１】あるいは、前述の素子構造において、メサ
底面のみに少なくとも前記第２導電型半導体電界緩和層
に達する以上の深さで、あるいは、メサ底面に少なくと
も前記第２導電型半導体電界緩和層に達する以上の深さ
及びメサ側壁の再成長層の両方に、イオン注入若しくは
不純物拡散による高抵抗化領域を形成した構造を特徴と
するアバランシェフォトダイオード。
底面のみに少なくとも前記第２導電型半導体電界緩和層
に達する以上の深さで、あるいは、メサ底面に少なくと
も前記第２導電型半導体電界緩和層に達する以上の深さ
及びメサ側壁の再成長層の両方に、イオン注入若しくは
不純物拡散による高抵抗化領域を形成した構造を特徴と
するアバランシェフォトダイオード。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の作用を図１〜図９を用い
て説明する。これらのうち、図１〜図４は本発明の素子
構造を、図５〜８は作製工程を、図９は従来例を示す図
である。
て説明する。これらのうち、図１〜図４は本発明の素子
構造を、図５〜８は作製工程を、図９は従来例を示す図
である。
【００１３】図１に示すように、本発明では、第１導電
型半導体基板１１に、第１導電型半導体バッファ層１
２、半導体増倍層１３、第２導電型半導体電界緩和層１
４、第２導電型半導体光吸収層１５、第２導電型半導体
キャップ層１６、第２導電型半導体コンタクト層１７を
順次積層した吸収増倍分離型の超格子アバランシェフォ
トダイオードにおいて、受光領域１８の外周領域の該第
２導電型半導体コンタクト層１７、該第２導電型半導体
キャップ層１６及び該第２導電型光吸収層１５の３層の
みをエッチング除去した低メサ構造（図５ａ）を形成
し、かつ、該メサ形成領域外周に前記第２導電型半導体
光吸収層１５のバンドギャップより大きな半導体を再成
長形成した保護膜１９（図５ｂ）を形成したことを特徴
とするアバランシェフォトダイオードである。
型半導体基板１１に、第１導電型半導体バッファ層１
２、半導体増倍層１３、第２導電型半導体電界緩和層１
４、第２導電型半導体光吸収層１５、第２導電型半導体
キャップ層１６、第２導電型半導体コンタクト層１７を
順次積層した吸収増倍分離型の超格子アバランシェフォ
トダイオードにおいて、受光領域１８の外周領域の該第
２導電型半導体コンタクト層１７、該第２導電型半導体
キャップ層１６及び該第２導電型光吸収層１５の３層の
みをエッチング除去した低メサ構造（図５ａ）を形成
し、かつ、該メサ形成領域外周に前記第２導電型半導体
光吸収層１５のバンドギャップより大きな半導体を再成
長形成した保護膜１９（図５ｂ）を形成したことを特徴
とするアバランシェフォトダイオードである。
【００１４】従来例（図９）のような高メサ構造素子で
は、メサ側壁で特にバンドギャップの小さい光吸収層部
分の半導体／保護膜界面（ＳｉＮ、ポリイミド等）が不
安定であるため、経時的に暗電流が増加し信頼性の高い
素子が得られない。これに対して、本発明の構造では、
バンドギャップの大きな半導体を再成長形成した再成長
層を保護膜として有するため、半導体／保護膜界面が安
定となり、経時的に暗電流が増加せず、信頼性の高い素
子が得られる。
は、メサ側壁で特にバンドギャップの小さい光吸収層部
分の半導体／保護膜界面（ＳｉＮ、ポリイミド等）が不
安定であるため、経時的に暗電流が増加し信頼性の高い
素子が得られない。これに対して、本発明の構造では、
バンドギャップの大きな半導体を再成長形成した再成長
層を保護膜として有するため、半導体／保護膜界面が安
定となり、経時的に暗電流が増加せず、信頼性の高い素
子が得られる。
【００１５】また、従来例（図９）のような高メサ構造
のメサ側壁全体に再成長半導体よる保護膜を形成した素
子構造の場合、表面自然酸化膜の除去しにくいＡｌを含
む結晶からなる半導体増倍層のメサ端面の半導体／保護
膜界面（ＩｎＡｌＡｓ）において、再成長開始前の表面
酸化膜除去を完全にかつ、再現性良く行うことは、現在
の技術では実現困難である。このため、再成長界面には
残留酸化膜に起因する欠陥・転移が発生し、漏れ電流の
発生・経時的増加の原因となるので信頼性の高い素子が
得られない。これに対して、本発明の構造では、第２導
電型半導体コンタクト層１７、第２導電型半導体キャッ
プ層１６及び第２導電型光吸収層１５の３層のみをエッ
チング除去して形成された低メサ構造の外周にバンドギ
ャップの大きな半導体（ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＰ、等）で
再成長形成した保護膜を有しており、表面酸化されやす
いＡｌを含む増倍層１３がメサ端面に露出することがな
いため、再成長時に上記の問題が生じず、良好な再成長
界面を有する信頼性の高い素子が得られる。
のメサ側壁全体に再成長半導体よる保護膜を形成した素
子構造の場合、表面自然酸化膜の除去しにくいＡｌを含
む結晶からなる半導体増倍層のメサ端面の半導体／保護
膜界面（ＩｎＡｌＡｓ）において、再成長開始前の表面
酸化膜除去を完全にかつ、再現性良く行うことは、現在
の技術では実現困難である。このため、再成長界面には
残留酸化膜に起因する欠陥・転移が発生し、漏れ電流の
発生・経時的増加の原因となるので信頼性の高い素子が
得られない。これに対して、本発明の構造では、第２導
電型半導体コンタクト層１７、第２導電型半導体キャッ
プ層１６及び第２導電型光吸収層１５の３層のみをエッ
チング除去して形成された低メサ構造の外周にバンドギ
ャップの大きな半導体（ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＰ、等）で
再成長形成した保護膜を有しており、表面酸化されやす
いＡｌを含む増倍層１３がメサ端面に露出することがな
いため、再成長時に上記の問題が生じず、良好な再成長
界面を有する信頼性の高い素子が得られる。
【００１６】図２に示す本発明の第２の素子構造では、
図１の素子構造に加えて再成長工程後に、メサ底面の再
成長層２９、第２導電型半導体電界緩和層２４、半導体
増倍層２３及び第１導電型半導体バッファ層２２を第２
のメサエッチングにより除去した２段メサ構造を有して
いる。これにより、第２導電型半導体電界緩和層２４が
部分的な領域に限定され、ｐｎ接合面積が小さく素子容
量を小さくできる。第２のメサエッチングにより形成し
たメサ端面では、バンドギャップの大きな超格子増倍層
が露出しているだけなので、通常のＳｉＮ、ポリイミド
等で被覆すれば安定な保護膜２１０として作用し、経時
的に暗電流の増加しない信頼性の高い素子が得られる。
図１の素子構造に加えて再成長工程後に、メサ底面の再
成長層２９、第２導電型半導体電界緩和層２４、半導体
増倍層２３及び第１導電型半導体バッファ層２２を第２
のメサエッチングにより除去した２段メサ構造を有して
いる。これにより、第２導電型半導体電界緩和層２４が
部分的な領域に限定され、ｐｎ接合面積が小さく素子容
量を小さくできる。第２のメサエッチングにより形成し
たメサ端面では、バンドギャップの大きな超格子増倍層
が露出しているだけなので、通常のＳｉＮ、ポリイミド
等で被覆すれば安定な保護膜２１０として作用し、経時
的に暗電流の増加しない信頼性の高い素子が得られる。
【００１７】一方、図３に示す本発明の第３の素子構造
では、図１の素子構造に加えて再成長工程後に、メサ底
面のみに、少なくとも第２導電型半導体電界緩和層３４
以上に達する深さでイオン注入ないし不純物拡散による
高抵抗化領域３１０を形成した構造となっている。これ
により、第２導電型半導体電界緩和層３４が部分的に高
抵抗領域となり、ｐｎ接合面積が限定されて小さくな
り、素子容量を小さくできる。この場合、イオン注入等
により高抵抗化される領域はバンドギャップの大きな半
導体であるため、リーク暗電流の増加はほとんどない。
では、図１の素子構造に加えて再成長工程後に、メサ底
面のみに、少なくとも第２導電型半導体電界緩和層３４
以上に達する深さでイオン注入ないし不純物拡散による
高抵抗化領域３１０を形成した構造となっている。これ
により、第２導電型半導体電界緩和層３４が部分的に高
抵抗領域となり、ｐｎ接合面積が限定されて小さくな
り、素子容量を小さくできる。この場合、イオン注入等
により高抵抗化される領域はバンドギャップの大きな半
導体であるため、リーク暗電流の増加はほとんどない。
【００１８】また、一方、図４に示す本発明の第４の素
子構造では、図３の素子構造に加えてメサ端面外周の再
成長層にも、イオン注入ないし不純物拡散による高抵抗
化領域４１０を形成した構造となっている。これにより
メサ端面外周の再成長層がノンドーブで高抵抗を示さな
いワイドギャップの半導体（ＩｎＰ等）の場合でも、良
好な絶縁特性を有する低漏れ電流の表面保護膜となり、
素子の暗電流特性の経時的安定性が改善できる。
子構造では、図３の素子構造に加えてメサ端面外周の再
成長層にも、イオン注入ないし不純物拡散による高抵抗
化領域４１０を形成した構造となっている。これにより
メサ端面外周の再成長層がノンドーブで高抵抗を示さな
いワイドギャップの半導体（ＩｎＰ等）の場合でも、良
好な絶縁特性を有する低漏れ電流の表面保護膜となり、
素子の暗電流特性の経時的安定性が改善できる。
【００１９】なお、図３及び図４の高抵抗化領域を形成
する手段としては、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｏ、Ｈ、Ｈｅ、
Ｂ、Ａｒ、Ｎ、Ｃのいずれか、あるいは、これらの組合
せのイオン注入とそれに引き続いて行う熱アニールが適
当である。
する手段としては、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｏ、Ｈ、Ｈｅ、
Ｂ、Ａｒ、Ｎ、Ｃのいずれか、あるいは、これらの組合
せのイオン注入とそれに引き続いて行う熱アニールが適
当である。
【００２０】
【実施例】以下、実施例を参照して本発明を具体的に説
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。 実施例１ 第１の実施例について図１及び図５を参照して説明す
る。まずはじめにｎ+−ＩｎＰ基板上１１にｎ型ＩｎＰ
バッファ層１２を０．２μｍ、ノンドーブＩｎＡｌＧａ
Ａｓ／ＩｎＡｌＡｓ超格子増倍層１３を０．２３μｍ、
ｐ+型ＩｎＰ電界緩和層１４を３０〜１００ｎｍ、ｐ-型
ＩｎＧａＡｓ光吸収層１５を１μｍ、ｐ+型ＩｎＰキャ
ップ層１６を０．５μｍ、ｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層１７を０．１μｍ、順次ガスソースＭＢＥ法で積層
する。次に、直径３０μｍの円形受光領域１８の外周領
域で、前述のＰ-型ＩｎＧａＡｓ光吸収層１５、該ｐ+型
ＩｎＰキャップ１６及び該ｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層１７のみを第１のエッチングで選択的にエッチング
除去する（図５ａ）。次に、該光吸収層１５よりバンド
ギャップの大きな半導体としてＩｎＡｌＡｓ層１９を全
面に再成長後、円形受光領域１８上の再成長層１９を直
径２５μｍの円形に除去する（図５ｂ）。最後にパッシ
ベーション膜１１０、ｐ電極１１１、ｎ電極１１２、Ａ
Ｒコート１１３を形成する。ここで、第１のメサエッチ
ングで形成されたメサの外周から１０μｍ程度以上離れ
た領域に、第２のエッチングで基板に達する深さのコン
タクトホール領域を形成し、その部分にｎ電極１１２を
形成している（図１）。なお、このｎ電極用のコンタク
トホール領域の形状には上記円環状のみに限定されるも
のでないことは明らかである。
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。 実施例１ 第１の実施例について図１及び図５を参照して説明す
る。まずはじめにｎ+−ＩｎＰ基板上１１にｎ型ＩｎＰ
バッファ層１２を０．２μｍ、ノンドーブＩｎＡｌＧａ
Ａｓ／ＩｎＡｌＡｓ超格子増倍層１３を０．２３μｍ、
ｐ+型ＩｎＰ電界緩和層１４を３０〜１００ｎｍ、ｐ-型
ＩｎＧａＡｓ光吸収層１５を１μｍ、ｐ+型ＩｎＰキャ
ップ層１６を０．５μｍ、ｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層１７を０．１μｍ、順次ガスソースＭＢＥ法で積層
する。次に、直径３０μｍの円形受光領域１８の外周領
域で、前述のＰ-型ＩｎＧａＡｓ光吸収層１５、該ｐ+型
ＩｎＰキャップ１６及び該ｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層１７のみを第１のエッチングで選択的にエッチング
除去する（図５ａ）。次に、該光吸収層１５よりバンド
ギャップの大きな半導体としてＩｎＡｌＡｓ層１９を全
面に再成長後、円形受光領域１８上の再成長層１９を直
径２５μｍの円形に除去する（図５ｂ）。最後にパッシ
ベーション膜１１０、ｐ電極１１１、ｎ電極１１２、Ａ
Ｒコート１１３を形成する。ここで、第１のメサエッチ
ングで形成されたメサの外周から１０μｍ程度以上離れ
た領域に、第２のエッチングで基板に達する深さのコン
タクトホール領域を形成し、その部分にｎ電極１１２を
形成している（図１）。なお、このｎ電極用のコンタク
トホール領域の形状には上記円環状のみに限定されるも
のでないことは明らかである。
【００２１】以上のプロセスにより本発明の第１の実施
例のメサ型超格子アバランシェフォトダイオードが作製
できる。
例のメサ型超格子アバランシェフォトダイオードが作製
できる。
【００２２】本素子では、増倍暗電流が２０〜１００ｎ
Ａの低暗電流で高速（ＧＢ積１２０ＧＨｚ）な特性が確
認され、さらには、暗電流の経時的安定性も、例えば１
５０℃のエージングで１０００時間経過後も暗電流の増
加が全くない信頼性の高い特性が確認された。
Ａの低暗電流で高速（ＧＢ積１２０ＧＨｚ）な特性が確
認され、さらには、暗電流の経時的安定性も、例えば１
５０℃のエージングで１０００時間経過後も暗電流の増
加が全くない信頼性の高い特性が確認された。
【００２３】実施例２ 図２に示す第２の実施例について図２及び図６を参照し
て説明する。まずはじめに、実施例１と同様に、ｎ+−
ＩｎＰ基板上２１にｎ型ＩｎＰバッファ層２２を０．２
μｍ、ノンドープＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ超格
子増倍層２３を０．２３μｍ、ｐ+型ＩｎＰ電界緩和層
２４を３０〜１００ｎｍ、ｐ-型ＩｎＧａＡｓ光吸収層
２５を１μｍ、ｐ+型ＩｎＰキャップ層２６を０．５μ
ｍ、ｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２７を０．１μ
ｍ、順次ガスソースＭＢＥ法で積層する。次に、直径３
０μｍの円形受光領域２８の外周領域で、前述のｐ-型
ＩｎＧａＡｓ光吸収層２５、該ｐ+型ＩｎＰキャップ層
２６、及び、該ｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２７の
みを第１のエッチングで選択的にエッチング除去する。
次に、該光吸収層２５よりバンドギャップの大きな半導
体としてＩｎＡｌＡｓ再成長層２９を全面に再成長後、
円形受光領域２８上の再成長層２９を直径２５μｍの円
形に除去する。次に、円形受光領域２８の外周を直径３
１〜３６μｍの円形領域を残して第２のエッチングで環
状に除去し２段メサを形成する（図６ａ）。実施例１と
の違いは、第２のメサエッチングで円形メサ領域を形成
することである。
て説明する。まずはじめに、実施例１と同様に、ｎ+−
ＩｎＰ基板上２１にｎ型ＩｎＰバッファ層２２を０．２
μｍ、ノンドープＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ超格
子増倍層２３を０．２３μｍ、ｐ+型ＩｎＰ電界緩和層
２４を３０〜１００ｎｍ、ｐ-型ＩｎＧａＡｓ光吸収層
２５を１μｍ、ｐ+型ＩｎＰキャップ層２６を０．５μ
ｍ、ｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２７を０．１μ
ｍ、順次ガスソースＭＢＥ法で積層する。次に、直径３
０μｍの円形受光領域２８の外周領域で、前述のｐ-型
ＩｎＧａＡｓ光吸収層２５、該ｐ+型ＩｎＰキャップ層
２６、及び、該ｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２７の
みを第１のエッチングで選択的にエッチング除去する。
次に、該光吸収層２５よりバンドギャップの大きな半導
体としてＩｎＡｌＡｓ再成長層２９を全面に再成長後、
円形受光領域２８上の再成長層２９を直径２５μｍの円
形に除去する。次に、円形受光領域２８の外周を直径３
１〜３６μｍの円形領域を残して第２のエッチングで環
状に除去し２段メサを形成する（図６ａ）。実施例１と
の違いは、第２のメサエッチングで円形メサ領域を形成
することである。
【００２４】最後にパッシベーション膜２１０及びｐ電
極２１１を形成し（図６ｂ）、更にｎ電極２１２、ＡＲ
コート２１３を形成することにより図２に示す本発明の
第２の実施例のメサ型超格子アバランシェフォトダイオ
ードが作製できる。
極２１１を形成し（図６ｂ）、更にｎ電極２１２、ＡＲ
コート２１３を形成することにより図２に示す本発明の
第２の実施例のメサ型超格子アバランシェフォトダイオ
ードが作製できる。
【００２５】本素子では、増倍暗電流が２０〜１００ｎ
Ａの低暗電流で高速（ＧＢ積１２０ＧＨｚ）な特性が確
認され、さらには、暗電流の経時的安定性も、例えば１
５０℃のエージングで１０００時間経過後も暗電流の増
加が全くない信頼性の高い特性が確認された。
Ａの低暗電流で高速（ＧＢ積１２０ＧＨｚ）な特性が確
認され、さらには、暗電流の経時的安定性も、例えば１
５０℃のエージングで１０００時間経過後も暗電流の増
加が全くない信頼性の高い特性が確認された。
【００２６】実施例３ 図３に示す第３の実施例について図３及び図７を参照し
て説明する。まずはじめに、実施例１と同様にして、ｎ
+−ＩｎＰ基板上３１にｎ型ＩｎＰバッファ層３２を
０．２μｍ、ノンドープＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡ
ｓ超格子増倍層３３を０．２３μｍ、ｐ+型ＩｎＰ電界
緩和層３４を３０〜１００ｎｍ、ｐ-型ＩｎＧａＡｓ光
吸収層３５を１μｍ、ｐ+型ＩｎＰキャップ層３６を
０．５μｍ、ｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３７を
０．１μｍ、順次ガスソースＭＢＥ法で積層する。次
に、直径３０μｍの円形受光領域３８の外周領域で、前
述のｐ-型ＩｎＧａＡｓ光吸収層３５、該ｐ+型ＩｎＰキ
ャップ層３６、及び、該ｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタクト
層３７のみを選択的にエッチング除去する。次に、該光
吸収層３５よりバンドギャップの大きな半導体としてＩ
ｎＡｌＡｓ層３９を全面に再成長後、円形受光領域３８
上の再成長層を直径２５μｍの円形に除去する。次に、
円形受光領域３８の外周領域でメサ底面に相当する領域
に、Ｔｉイオン注入等により、深さは少なくとも該ｐ+
型ＩｎＰ電界緩和層３４に達する高抵抗領域３１０を形
成する（図７ａ）。最後にパッシベーション膜３１１及
びｐ電極３１２を形成し（図７ｂ）、更にｎ電極３１
３、ＡＲコート３１４を形成する。ｎ電極３１３は、実
施例１と同様にして形成する。
て説明する。まずはじめに、実施例１と同様にして、ｎ
+−ＩｎＰ基板上３１にｎ型ＩｎＰバッファ層３２を
０．２μｍ、ノンドープＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡ
ｓ超格子増倍層３３を０．２３μｍ、ｐ+型ＩｎＰ電界
緩和層３４を３０〜１００ｎｍ、ｐ-型ＩｎＧａＡｓ光
吸収層３５を１μｍ、ｐ+型ＩｎＰキャップ層３６を
０．５μｍ、ｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３７を
０．１μｍ、順次ガスソースＭＢＥ法で積層する。次
に、直径３０μｍの円形受光領域３８の外周領域で、前
述のｐ-型ＩｎＧａＡｓ光吸収層３５、該ｐ+型ＩｎＰキ
ャップ層３６、及び、該ｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタクト
層３７のみを選択的にエッチング除去する。次に、該光
吸収層３５よりバンドギャップの大きな半導体としてＩ
ｎＡｌＡｓ層３９を全面に再成長後、円形受光領域３８
上の再成長層を直径２５μｍの円形に除去する。次に、
円形受光領域３８の外周領域でメサ底面に相当する領域
に、Ｔｉイオン注入等により、深さは少なくとも該ｐ+
型ＩｎＰ電界緩和層３４に達する高抵抗領域３１０を形
成する（図７ａ）。最後にパッシベーション膜３１１及
びｐ電極３１２を形成し（図７ｂ）、更にｎ電極３１
３、ＡＲコート３１４を形成する。ｎ電極３１３は、実
施例１と同様にして形成する。
【００２７】以上のプロセスにより図３に示す本発明の
第３の実施例のメサ型超格子アバランシェフォトダイオ
ードが作製できる。
第３の実施例のメサ型超格子アバランシェフォトダイオ
ードが作製できる。
【００２８】本素子では、増倍暗電流が２０〜１００ｎ
Ａの低暗電流で高速な（ＧＢ積１２０ＧＨｚ）特性が確
認され、さらには、暗電流の経時的安定性も、例えば１
５０℃のエージングで１０００時間経過後も暗電流の増
加が全くない信頼性の高い特性が確認された。
Ａの低暗電流で高速な（ＧＢ積１２０ＧＨｚ）特性が確
認され、さらには、暗電流の経時的安定性も、例えば１
５０℃のエージングで１０００時間経過後も暗電流の増
加が全くない信頼性の高い特性が確認された。
【００２９】実施例４ 図４に示す第４の実施例について図４及び図８を参照し
て説明する。まずはじめに、実施例１と同様にして、ｎ
+−ＩｎＰ基板上４１にｎ型ＩｎＰバッファ層４２を
０．２μｍ、ノンドーブＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡ
ｓ超格子増倍層４３を０．２３μｍ、ｐ+型ＩｎＰ電界
緩和層４４を３０〜１００ｎｍ、ｐ-型ＩｎＧａＡｓ光
吸収層４５を１μｍ、ｐ+型ＩｎＰキャップ層４６を
０．５μｍ、ｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタクト層４７を
０．１μｍ、順次ガスソースＭＢＥ法で積層する。次
に、直径３０μｍの円形受光領域４８の外周領域で、前
述のｐ-型ＩｎＧａＡｓ光吸収層４５、該ｐ+型ＩｎＰキ
ャップ層４６、及び、該ｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタクト
層４７のみを選択的にエッチング除去する。次に、該光
吸収層４５よりバンドギャップの大きな半導体としてＩ
ｎＰ層４９を全面に再成長後、円形受光領域４８上の再
成長層４９を直径２５μｍの円形に除去する。再成長層
としてのＩｎＰは、ＩｎＡｌＡｓと違い格子整合条件の
制約がないという利点がある。次に、円形受光領域４８
の外周領域でメサ底面に相当する領域及びメサ側壁上の
再成長層４９に、ＴｉとＦｅのイオン注入により高抵抗
領域４１０を形成する（図８ａ）。注入深さは、メサ底
面においては、少なくとも該ｐ+型ＩｎＰ電界緩和層４
４に達する以上とし、メサ側壁上では、再成長層４９の
厚さと同じとする。イオン注入は、１ないし複数回の打
ち込み回数とする。最後にパッシベーション膜４１１及
びｐ電極４１２（図８ｂ）、更にｎ電極４１３、ＡＲコ
ート４１４を形成することで、図４に示す本発明の第４
の実施例のメサ型超格子アバランシェフォトダイオード
が作製できる。ｎ電極４１３は、実施例１と同様にして
形成する。
て説明する。まずはじめに、実施例１と同様にして、ｎ
+−ＩｎＰ基板上４１にｎ型ＩｎＰバッファ層４２を
０．２μｍ、ノンドーブＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡ
ｓ超格子増倍層４３を０．２３μｍ、ｐ+型ＩｎＰ電界
緩和層４４を３０〜１００ｎｍ、ｐ-型ＩｎＧａＡｓ光
吸収層４５を１μｍ、ｐ+型ＩｎＰキャップ層４６を
０．５μｍ、ｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタクト層４７を
０．１μｍ、順次ガスソースＭＢＥ法で積層する。次
に、直径３０μｍの円形受光領域４８の外周領域で、前
述のｐ-型ＩｎＧａＡｓ光吸収層４５、該ｐ+型ＩｎＰキ
ャップ層４６、及び、該ｐ+型ＩｎＧａＡｓコンタクト
層４７のみを選択的にエッチング除去する。次に、該光
吸収層４５よりバンドギャップの大きな半導体としてＩ
ｎＰ層４９を全面に再成長後、円形受光領域４８上の再
成長層４９を直径２５μｍの円形に除去する。再成長層
としてのＩｎＰは、ＩｎＡｌＡｓと違い格子整合条件の
制約がないという利点がある。次に、円形受光領域４８
の外周領域でメサ底面に相当する領域及びメサ側壁上の
再成長層４９に、ＴｉとＦｅのイオン注入により高抵抗
領域４１０を形成する（図８ａ）。注入深さは、メサ底
面においては、少なくとも該ｐ+型ＩｎＰ電界緩和層４
４に達する以上とし、メサ側壁上では、再成長層４９の
厚さと同じとする。イオン注入は、１ないし複数回の打
ち込み回数とする。最後にパッシベーション膜４１１及
びｐ電極４１２（図８ｂ）、更にｎ電極４１３、ＡＲコ
ート４１４を形成することで、図４に示す本発明の第４
の実施例のメサ型超格子アバランシェフォトダイオード
が作製できる。ｎ電極４１３は、実施例１と同様にして
形成する。
【００３０】本実施例では、再成長層のＩｎＰはＡｓ
ｇｒｏｗｎでは高抵抗ではないが、イオン注入により高
抵抗化されている。
ｇｒｏｗｎでは高抵抗ではないが、イオン注入により高
抵抗化されている。
【００３１】本素子では、増倍暗電流が２０〜１００ｎ
Ａの低暗電流で高速（ＧＢ積１２０ＧＨｚ）な特性が確
認され、さらには、暗電流の経時的安定性も、例えば１
５０℃のエージングで１０００時間経過後も暗電流の増
加が全くない信頼性の高い特性が確認された。
Ａの低暗電流で高速（ＧＢ積１２０ＧＨｚ）な特性が確
認され、さらには、暗電流の経時的安定性も、例えば１
５０℃のエージングで１０００時間経過後も暗電流の増
加が全くない信頼性の高い特性が確認された。
【００３２】以上の実施例１から４では、増倍層にＩｎ
ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ超格子、電界緩和層にＩｎ
Ｐを用いた素子構造で説明がなされているが、増倍層に
ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＡｌＡｓ超格子、ＩｎＧａＡｓ／
ＩｎＡｌＡｓ超格子、あるいはＡｌを含む半導体層、例
えば、ＩｎＡｌＡｓあるいはＩｎＡｌＡｓを含む半導体
混晶、また電界緩和層にＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＡｌＡ
ｓ、若しくは、ＩｎＡｌＧａＡｓを用いた素子構造、及
び、これらの組合せで構成される素子構造の場合もすべ
て同様である。電界緩和層がＩｎＡｌＡｓ若しくはＩｎ
ＡｌＧａＡｓの場合は、第１メサエッチングでＡｌを含
む層が露出するが、この部分での再成長領域は基本的に
はＡＰＤとして動作する領域の外周部分に相当するの
で、ほぼ同様の効果が得られる。
ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ超格子、電界緩和層にＩｎ
Ｐを用いた素子構造で説明がなされているが、増倍層に
ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＡｌＡｓ超格子、ＩｎＧａＡｓ／
ＩｎＡｌＡｓ超格子、あるいはＡｌを含む半導体層、例
えば、ＩｎＡｌＡｓあるいはＩｎＡｌＡｓを含む半導体
混晶、また電界緩和層にＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＡｌＡ
ｓ、若しくは、ＩｎＡｌＧａＡｓを用いた素子構造、及
び、これらの組合せで構成される素子構造の場合もすべ
て同様である。電界緩和層がＩｎＡｌＡｓ若しくはＩｎ
ＡｌＧａＡｓの場合は、第１メサエッチングでＡｌを含
む層が露出するが、この部分での再成長領域は基本的に
はＡＰＤとして動作する領域の外周部分に相当するの
で、ほぼ同様の効果が得られる。
【００３３】一方、再成長層に上記実施例ではＩｎＡｌ
ＡｓないしＩｎＰを用いたが、ＩｎＧａＡｓ光吸収層よ
り大きなバンドギャップを有するＩｎＡｌＧａＡｓ、Ｉ
ｎＧａＡｓＰを用いても同様の効果がある。
ＡｓないしＩｎＰを用いたが、ＩｎＧａＡｓ光吸収層よ
り大きなバンドギャップを有するＩｎＡｌＧａＡｓ、Ｉ
ｎＧａＡｓＰを用いても同様の効果がある。
【００３４】更に、上記実施例の構成では裏面入射型に
ついて説明をしているが、表面入射型の場合も本発明の
原理上、全く同様である。
ついて説明をしているが、表面入射型の場合も本発明の
原理上、全く同様である。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
信頼性が高く、かつ、低暗電流、高速応答のメサ型超格
子ＡＰＤが作製でき、２．５〜１０Ｇｂ／ｓの信頼性の
高い幹線系光通信システム用受光素子が実現できる。
信頼性が高く、かつ、低暗電流、高速応答のメサ型超格
子ＡＰＤが作製でき、２．５〜１０Ｇｂ／ｓの信頼性の
高い幹線系光通信システム用受光素子が実現できる。
【図１】本発明の素子構造の一実施態様を示す概略断面
図である。
図である。
【図２】本発明の素子構造の他の実施態様を示す概略断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の素子構造の他の実施態様を示す概略断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の素子構造の更に別の実施態様を示す概
略断面図である。
略断面図である。
【図５】本発明の実施例１のＡＰＤの作製工程を示す図
である。
である。
【図６】本発明の実施例２のＡＰＤの作製工程を示す図
である。
である。
【図７】本発明の実施例３のＡＰＤの作製工程を示す図
である。
である。
【図８】本発明の実施例４のＡＰＤの作製工程を示す図
である。
である。
【図９】従来の高メサ型の素子構造を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図１０】従来のプレーナ型の素子構造を示す部分断面
図である。
図である。
１１ 第１導電型半導体基板 １２ 第１導電型半導体バッファ層 １３ 半導体増倍層 １４ 第２導電型半導体電界緩和層 １５ 第２導電型半導体光吸収層 １６ 第２導電型半導体キャップ層 １７ 第２導電型半導体コンタクト層 １８ 受光領域 １９ 再成長半導体層 １１０ パッシベーション膜 １１１ ｐ電極 １１２ ｎ電極 １１３ ＡＲコート ２１ 第１導電型半導体基板 ２２ 第１導電型半導体バッファ層 ２３ 半導体増倍層 ２４ 第２導電型半導体電界緩和層 ２５ 第２導電型半導体光吸収層 ２６ 第２導電型半導体キャップ層 ２７ 第２導電型半導体コンタクト層 ２８ 受光領域 ２９ 再成長半導体層 ２１０ パッシベーション膜 ２１１ ｐ電極 ２１２ ｎ電極 ２１３ ＡＲコート ３１ コンタクト第１導電型半導体基板 ３２ 第１導電型半導体バッファ層 ３３ 半導体増倍層 ３４ 第２導電型半導体電界緩和層 ３５ 第２導電型半導体光吸収層 ３６ 第２導電型半導体キャップ層 ３７ 第２導電型半導体コンタクト層 ３８ 受光領域 ３９ 再成長半導体層 ３１０ 高抵抗化領域 ３１１ パッシベーション膜 ３１２ ｐ電極 ３１３ ｎ電極 ３１４ ＡＲコート ４１ 第１導電型半導体基板 ４２ 第１導電型半導体バッファ層 ４３ 半導体増倍層 ４４ 第２導電型半導体電界緩和層 ４５ 第２導電型半導体光吸収層 ４６ 第２導電型半導体キャップ層 ４７ 第２導電型半導体コンタクト層 ４８ 受光領域 ４９ 再成長半導体層 ４１０ 高抵抗化領域 ４１１ パッシベーション膜 ４１２ ｐ電極 ４１３ ｎ電極 ４１４ ＡＲコート
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−232443（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−232442（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−38141（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−181349（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−312442（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−226687（ＪＰ，Ａ) 1997年電子情報通信学会総合大会 Ｃ −４−35 ｐ．407 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/10 - 31/119
Claims (7)
- 【請求項１】 第１導電型半導体基板に、第１導電型半
導体バッファ層、半導体増倍層、第２導電型半導体電界
緩和層、第２導電型半導体光吸収層、第２導電型半導体
キャップ層、第２導電型半導体コンタクト層を順次積層
した光吸収増倍分離型の超格子アバランシェフォトダイ
オードにおいて、 前記第２導電型半導体コンタクト層、第２導電型半導体
キャップ層及び第２導電型光吸収層の３層のみをエッチ
ング除去して形成された低メサ構造を有し、かつ、該メ
サ形成領域外周に前記第２導電型光吸収層よりも大きな
バンドギャップを有する半導体を再成長形成した層を有
することを特徴とするメサ型の超格子アバランシェフォ
トダイオード。 - 【請求項２】 請求項１に記載のアバランシェフォトダ
イオードにおいて、前記メサの底部の再成長層、第２導
電型半導体電界緩和層、半導体増倍層及び第１導電型半
導体バッファ層を、第２のエッチングにより除去した２
段メサ構造を有することを特徴とする、メサ型の超格子
アバランシェフォトダイオード。 - 【請求項３】 請求項１に記載の素子構造において、メ
サ底面のみに、少なくとも前記第２導電型半導体電界緩
和層に達する以上の深さでイオン注入ないし不純物拡散
による高抵抗化領域を形成した構造を特徴とするアバラ
ンシェフォトダイオード。 - 【請求項４】 請求項１に記載の素子構造において、少
なくとも前記第２導電型半導体電界緩和層に達する以上
の深さでメサ底面、及びメサ側壁の再成長層の両方に、
イオン注入若しくは不純物拡散による高抵抗化領域を形
成した構造を特徴とするアバランシェフォトダイオー
ド。 - 【請求項５】 前記高抵抗化領域が、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｏ、Ｈ、Ｈｅ、Ｂ、Ａｒ、Ｎ、Ｃのいずれか、ある
いは、これらの組合せのイオン注入を用いて形成された
ことを特徴とする請求項３又は４に記載のアバランシェ
フォトダイオード。 - 【請求項６】 前記半導体増倍層が、ＩｎＡｌＡｓ及び
ＩｎＡｌＡｓを含む半導体混晶、若しくは、ＩｎＡｌＧ
ａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ超格子、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌ
Ａｓ超格子、あるいは、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＡｌＡｓ
超格子のいずれかで構成されている請求項１ないし５の
いずれか１項に記載のアバランシェフォトダイオード。 - 【請求項７】 前記第２導電型半導体電界緩和層が、Ｉ
ｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＡｌＡｓ、若しくは、Ｉｎ
ＡｌＧａＡｓで構成されている請求項６に記載のアバラ
ンシェフォトダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9123978A JP2937166B2 (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | アバランシェフォトダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9123978A JP2937166B2 (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | アバランシェフォトダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10313131A JPH10313131A (ja) | 1998-11-24 |
| JP2937166B2 true JP2937166B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=14874026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9123978A Expired - Fee Related JP2937166B2 (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | アバランシェフォトダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2937166B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2613366A4 (en) * | 2010-09-02 | 2018-02-14 | NTT Electronics Corporation | Avalanche photodiode |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4861388B2 (ja) * | 2001-02-26 | 2012-01-25 | 日本オプネクスト株式会社 | アバランシェホトダイオード |
| KR100463416B1 (ko) * | 2002-09-05 | 2004-12-23 | 한국전자통신연구원 | 아발란치 포토트랜지스터 |
| EP1811578B1 (en) * | 2004-10-25 | 2016-12-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Avalanche photodiode |
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| JPH10313131A (ja) | 1998-11-24 |
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