JPH069502Y2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH069502Y2 JPH069502Y2 JP2801887U JP2801887U JPH069502Y2 JP H069502 Y2 JPH069502 Y2 JP H069502Y2 JP 2801887 U JP2801887 U JP 2801887U JP 2801887 U JP2801887 U JP 2801887U JP H069502 Y2 JPH069502 Y2 JP H069502Y2
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- Japan
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- gas supply
- head
- gas
- susceptor
- semiconductor wafer
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Description
【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 この考案は半導体製造装置で、特に半導体ウェーハ上に
酸化膜、ＰＳＧ膜、窒化膜など〔以下、ＣＶＤ膜と称
す〕を常圧下で形成する連続式常圧ＣＶＤ〔Chemical V
apor Deposition〕装置に関する。
酸化膜、ＰＳＧ膜、窒化膜など〔以下、ＣＶＤ膜と称
す〕を常圧下で形成する連続式常圧ＣＶＤ〔Chemical V
apor Deposition〕装置に関する。
従来の技術 半導体ウェーハ上にＣＶＤ膜を形成する装置に常圧ＣＶ
Ｄ装置がある。これは低温〔約400〜500℃〕に加熱され
た半導体ウェーハ上に常圧下で所望のガスを吹き付け
て、半導体ウェーハ上でガスを反応させ、半導体ウェー
ハ上に所望のＣＶＤ膜を成長させる装置で、これの連続
式常圧ＣＶＤ装置の一般的基本構造例を第２図及び第３
図を参照して以下説明する。
Ｄ装置がある。これは低温〔約400〜500℃〕に加熱され
た半導体ウェーハ上に常圧下で所望のガスを吹き付け
て、半導体ウェーハ上でガスを反応させ、半導体ウェー
ハ上に所望のＣＶＤ膜を成長させる装置で、これの連続
式常圧ＣＶＤ装置の一般的基本構造例を第２図及び第３
図を参照して以下説明する。
第２図及び第３図において、（１）は半導体ウェーハを
搬送するキャタピラーベルトで、プーリ（２）（２）に
て水平に張設されて図面矢印方向に連続走行する。
（３）はキャタピラーベルト（１）上に直交する方向で
固定された長方形のサセプタ〔トレー〕で、多数個がキ
ャタピラーベルト（１）上に等間隔で固定されてキャタ
ピラーベルト（１）と一体に水平な往路と復路を連続走
行する。（４）はキャタピラーベルト（１）の往路下定
位置に配置されたヒータブロック、（５）はサセプタ
（３）の往路の上方定位置に配置されたガス供給ヘッド
である。ガス供給ヘッド（５）は下端開口の内ボックス
（６）とこれを囲う下端開口の外ボックス（７）とに分
かれ、内ボックス（６）は下端にサセブタ進行方向と直
交する方向に並ぶスリット状の複数のガス吹出口（８）
（８）…が真下にガスを吹き出す角度で形成され、内ボ
ックス（６）の上部にはガス吹出口（８）（８）…の１
つ置きにガスを供給する第１ガス管（９）と、残りのガ
ス吹出口（８）（８）…にガスを供給する第２ガス管
（10）とが配管される。外ボックス（７）の天板には排
気管（11）が配管される。
搬送するキャタピラーベルトで、プーリ（２）（２）に
て水平に張設されて図面矢印方向に連続走行する。
（３）はキャタピラーベルト（１）上に直交する方向で
固定された長方形のサセプタ〔トレー〕で、多数個がキ
ャタピラーベルト（１）上に等間隔で固定されてキャタ
ピラーベルト（１）と一体に水平な往路と復路を連続走
行する。（４）はキャタピラーベルト（１）の往路下定
位置に配置されたヒータブロック、（５）はサセプタ
（３）の往路の上方定位置に配置されたガス供給ヘッド
である。ガス供給ヘッド（５）は下端開口の内ボックス
（６）とこれを囲う下端開口の外ボックス（７）とに分
かれ、内ボックス（６）は下端にサセブタ進行方向と直
交する方向に並ぶスリット状の複数のガス吹出口（８）
（８）…が真下にガスを吹き出す角度で形成され、内ボ
ックス（６）の上部にはガス吹出口（８）（８）…の１
つ置きにガスを供給する第１ガス管（９）と、残りのガ
ス吹出口（８）（８）…にガスを供給する第２ガス管
（10）とが配管される。外ボックス（７）の天板には排
気管（11）が配管される。
往路を連続走行する１つのサセプタ（３）がウェーハ供
給ポジションP1にくると、このサセプタ（３）上に２枚
の半導体ウェーハ（12）（12）が供給される。このサセ
プタ（３）がヒータブロック（４）上を走行する間に半
導体ウェーハ（12）（12）はサセプタ（３）を介し所望
の温度に加熱されてＣＶＤ膜が形成される。すなわちガ
ス供給ヘッド（５）の第１ガス管（９）からSiH4等の第
１反応ガス（13）が、第２ガス管（10）からO2等の第２
反応ガス（14）がガス吹出口（８）（８）…から真下の
半導体ウェーハ（12）（12）に向け垂直に吹き出されて
半導体ウエーハ（12）（12）上で混合し、SiH4＋O2→Si
O2＋2H2反応を起して半導体ウェーハ（12）（12）上にS
iO2等の所望のＣＶＤ膜が成長する。同時に外ボックス
（７）内が排気管（11）を介して図示しないファンにて
吸引されてH2等の処理済みガス（15）が内ボックス
（７）の間の空間を通り排気管（11）から外部に排出さ
れる。ガス供給ヘッド(5)の下を通過したサセプタ
（３）がウェーハ取出しポジションP2にくると、サセプ
タ（３）から外部に取出され、サセプタ（３）は復路を
通って再び往路に戻り、上記動作が繰り返し行われる。
給ポジションP1にくると、このサセプタ（３）上に２枚
の半導体ウェーハ（12）（12）が供給される。このサセ
プタ（３）がヒータブロック（４）上を走行する間に半
導体ウェーハ（12）（12）はサセプタ（３）を介し所望
の温度に加熱されてＣＶＤ膜が形成される。すなわちガ
ス供給ヘッド（５）の第１ガス管（９）からSiH4等の第
１反応ガス（13）が、第２ガス管（10）からO2等の第２
反応ガス（14）がガス吹出口（８）（８）…から真下の
半導体ウェーハ（12）（12）に向け垂直に吹き出されて
半導体ウエーハ（12）（12）上で混合し、SiH4＋O2→Si
O2＋2H2反応を起して半導体ウェーハ（12）（12）上にS
iO2等の所望のＣＶＤ膜が成長する。同時に外ボックス
（７）内が排気管（11）を介して図示しないファンにて
吸引されてH2等の処理済みガス（15）が内ボックス
（７）の間の空間を通り排気管（11）から外部に排出さ
れる。ガス供給ヘッド(5)の下を通過したサセプタ
（３）がウェーハ取出しポジションP2にくると、サセプ
タ（３）から外部に取出され、サセプタ（３）は復路を
通って再び往路に戻り、上記動作が繰り返し行われる。
考案が解決しようとする問題点 上述のように半導体ウェーハ（12）上にＣＶＤ膜を形成
するために、ヒータブロック（４）をキャタピラーベル
ト（１）の往路定位置に配置し、半導体ウェーハ（12）
を加熱している。しかし、ヒータブロック（４）は半導
体ウェーハ（12）だけでなくサセプタ（３）やガス供給
ヘッド（５）の下端開口部も加熱することになる。する
と、半導体ウェーハ（12）の表面にＣＶＤ膜が形成され
るのみならず、サセプタ（３）上やガス供給ヘッド
（５）の下端開口部にも反応生成物が付着することにな
る。サセプタ（３）上には半導体ウェーハ（12）の載置
以外の部分に反応生成物が形成されるが、サセプタ
（３）の往路動が繰り返えされるうちに、半導体ウェー
ハ（12）の載置部と載置部以外とで反応生成物により段
差が生じる。しかし半導体ウェーハ（12）は厳密に同じ
場所に載置されるわけではないのでサセプタ（３）上に
段差があると半導体ウェーハ（12）の温度分布状態が不
安定となる。従って、サセプタ（３）上に形成された反
応生成物は除去する必要がある。サセプタ（３）上のＣ
ＶＤ膜の除去は、通常装置を停止して、サセプタ（３）
を取り外して行われるが、サセプタ（３）が後路にある
段階において清掃することも可能である。
するために、ヒータブロック（４）をキャタピラーベル
ト（１）の往路定位置に配置し、半導体ウェーハ（12）
を加熱している。しかし、ヒータブロック（４）は半導
体ウェーハ（12）だけでなくサセプタ（３）やガス供給
ヘッド（５）の下端開口部も加熱することになる。する
と、半導体ウェーハ（12）の表面にＣＶＤ膜が形成され
るのみならず、サセプタ（３）上やガス供給ヘッド
（５）の下端開口部にも反応生成物が付着することにな
る。サセプタ（３）上には半導体ウェーハ（12）の載置
以外の部分に反応生成物が形成されるが、サセプタ
（３）の往路動が繰り返えされるうちに、半導体ウェー
ハ（12）の載置部と載置部以外とで反応生成物により段
差が生じる。しかし半導体ウェーハ（12）は厳密に同じ
場所に載置されるわけではないのでサセプタ（３）上に
段差があると半導体ウェーハ（12）の温度分布状態が不
安定となる。従って、サセプタ（３）上に形成された反
応生成物は除去する必要がある。サセプタ（３）上のＣ
ＶＤ膜の除去は、通常装置を停止して、サセプタ（３）
を取り外して行われるが、サセプタ（３）が後路にある
段階において清掃することも可能である。
他方ガス供給ヘッド（５）の下端開口部に形成される反
応生成物は、サセプタ（３）や半導体ウェーハ（12）か
らの輻射熱によって形成されるがこの輻射熱は半導体ウ
ェーハ（12）への直接加熱よりも低温であるため、ガス
供給ヘッド（５）に形成された反応生成物は密着強度が
弱く剥落しやすい。すると半導体ウェーハ（12）上に微
粉末ダストとして付着し膜質劣化の原因となっていた。
このため、ガス供給ヘッド（５）も清掃しなければなら
ないが、ガス供給ヘッド（５）は連続して反応ガス（1
3）（14）を供給しているため、サセプタ（３）のよう
に運転中に清掃することができない。従って、ガス供給
ヘッド（５）を清掃するためには当該設備の運転を休止
しなければならず、稼働率が低下するという問題があっ
た。
応生成物は、サセプタ（３）や半導体ウェーハ（12）か
らの輻射熱によって形成されるがこの輻射熱は半導体ウ
ェーハ（12）への直接加熱よりも低温であるため、ガス
供給ヘッド（５）に形成された反応生成物は密着強度が
弱く剥落しやすい。すると半導体ウェーハ（12）上に微
粉末ダストとして付着し膜質劣化の原因となっていた。
このため、ガス供給ヘッド（５）も清掃しなければなら
ないが、ガス供給ヘッド（５）は連続して反応ガス（1
3）（14）を供給しているため、サセプタ（３）のよう
に運転中に清掃することができない。従って、ガス供給
ヘッド（５）を清掃するためには当該設備の運転を休止
しなければならず、稼働率が低下するという問題があっ
た。
本考案は稼働率を低下させることのないガス供給ヘッド
（５）を提供することを目的とする。
（５）を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段 本考案は上記問題点を解決するために、キャタピラーベ
ルトに固定したサセプタ上に載置されて搬送される加熱
状態の半導体ウェーハ上に、所望のガスを吹き付けるガ
ス供給ヘッドを有する装置において、二連のガス供給ヘ
ッドを上記半導体ウェーハの搬送方向と直交する方向に
沿って往復動可能に並設したものである。
ルトに固定したサセプタ上に載置されて搬送される加熱
状態の半導体ウェーハ上に、所望のガスを吹き付けるガ
ス供給ヘッドを有する装置において、二連のガス供給ヘ
ッドを上記半導体ウェーハの搬送方向と直交する方向に
沿って往復動可能に並設したものである。
作用 本考案は半導体ウェーハの進行方向に対して直角方向に
ガス供給ヘッドを２連形に並設し、一方のガス供給ヘッ
ドに反応生成物が形成されてくると、他方のガス供給ヘ
ッドに切換え、一方のガス供給ヘッドを清掃する。
ガス供給ヘッドを２連形に並設し、一方のガス供給ヘッ
ドに反応生成物が形成されてくると、他方のガス供給ヘ
ッドに切換え、一方のガス供給ヘッドを清掃する。
実施例 本考案に係る一実施例を第１図を参照しながら説明す
る。
る。
図において、（１）はヒータブロック〔第２図参照〕上
のキャタピラーベルトの一部分、（３）はキャタピラー
ベルト（１）上に直交する方向で固定された長方形のサ
セプタで２枚の半導体ウェーハ（12）（12）を載置す
る。（５）はサセプタ（３）の上方定位置に配置された
ガス供給ヘッドで、半導体ウェーハ（12）の進行方向と
直角方向に第１のヘッド（5a）と第２のヘッド（5b）と
を具備する。（11）はガス供給ヘッド（５）の天板から
配管された排気管で、蛇腹管またはフレキシブルな材質
で構成する。（16a）（16b）は第１ガス管（９）と第２
ガス管（10）とを外装のみひとつにした第１及び第２の
ガス供給管で、第１のガス供給管（16a）は第１のヘッ
ド（5a）に配管し、第２のガス供給管（16b）は第２の
ヘッド（5b）に配管する。また第１及び第２のガス供給
管（16a）（16b）も蛇腹管またはフレキシブルな材質で
構成する。（17）は第１のガス供給管（16a）と第２の
ガス供給管（16b）とを切換えるガス切換装置である。
（18）（18）はキャタピラベルト（１）の進行方向と直
交し１のヘッド（５）の略３倍の長さのレールで、ガス
供給ヘッド（５）を懸下し、ガス供給ヘッド（５）を長
さ方向にガス供給ヘッド（５）を往復運動させる機能を
有する。（19a）（19b）は第１及び第２の掃除機で、キ
ャタピラーベルト（１）の両側で、かつ、ガス供給ヘッ
ド（５）の下端部が接触するように配置する。
のキャタピラーベルトの一部分、（３）はキャタピラー
ベルト（１）上に直交する方向で固定された長方形のサ
セプタで２枚の半導体ウェーハ（12）（12）を載置す
る。（５）はサセプタ（３）の上方定位置に配置された
ガス供給ヘッドで、半導体ウェーハ（12）の進行方向と
直角方向に第１のヘッド（5a）と第２のヘッド（5b）と
を具備する。（11）はガス供給ヘッド（５）の天板から
配管された排気管で、蛇腹管またはフレキシブルな材質
で構成する。（16a）（16b）は第１ガス管（９）と第２
ガス管（10）とを外装のみひとつにした第１及び第２の
ガス供給管で、第１のガス供給管（16a）は第１のヘッ
ド（5a）に配管し、第２のガス供給管（16b）は第２の
ヘッド（5b）に配管する。また第１及び第２のガス供給
管（16a）（16b）も蛇腹管またはフレキシブルな材質で
構成する。（17）は第１のガス供給管（16a）と第２の
ガス供給管（16b）とを切換えるガス切換装置である。
（18）（18）はキャタピラベルト（１）の進行方向と直
交し１のヘッド（５）の略３倍の長さのレールで、ガス
供給ヘッド（５）を懸下し、ガス供給ヘッド（５）を長
さ方向にガス供給ヘッド（５）を往復運動させる機能を
有する。（19a）（19b）は第１及び第２の掃除機で、キ
ャタピラーベルト（１）の両側で、かつ、ガス供給ヘッ
ド（５）の下端部が接触するように配置する。
本実施例にかかる装置は次のように動作する。今、第２
のヘッド（5b）がキャタピラーベルト（１）上に位置
し、半導体ウェーハ（12）に反応ガスを供給していると
する。第２のヘッド（5b）に反応生成膜が被着して剥落
する段階以前に、ガス供給ヘッド（５）がレール（18）
（18）によって移動し、第１のヘッド（5a）がキャタピ
ラーベルト（１）上に位置し、第２のヘッド（5b）が第
２の掃除機（19b）上に位置するようにする〔仮想線の
状態〕。第１のヘッド（5a）は連続して、半導体ウェー
ハ（12）に反応ガスを供給すると共に、第２のヘッド
（5b）は第２の掃除機（19b）によって付着した反応生
成物が除去される。供給ヘッド（５）の移動に際して、
ガス切換装置（17）によって第２のガス供給管（16b）
からの第１のガス供給管に切換えられて、第２のヘッド
（5b）への反応ガスの供給が停止する。この切換えはレ
ール（18）上にセンサ等〔図示せず〕を設置することに
より自動的に切換えることも可能である。次に、第１の
ヘッド（5a）に反応生成物が被着して剥落しそうになる
とガス供給ヘッド（５）がレール（18）（18）によって
移動し、第１のヘッド（5a）が第１の掃除機（19a）上
に位置し、第２のヘッド（5b）がキャタピラーベルト
（１）上に位置し、上記と同様の動作を繰り返す。
のヘッド（5b）がキャタピラーベルト（１）上に位置
し、半導体ウェーハ（12）に反応ガスを供給していると
する。第２のヘッド（5b）に反応生成膜が被着して剥落
する段階以前に、ガス供給ヘッド（５）がレール（18）
（18）によって移動し、第１のヘッド（5a）がキャタピ
ラーベルト（１）上に位置し、第２のヘッド（5b）が第
２の掃除機（19b）上に位置するようにする〔仮想線の
状態〕。第１のヘッド（5a）は連続して、半導体ウェー
ハ（12）に反応ガスを供給すると共に、第２のヘッド
（5b）は第２の掃除機（19b）によって付着した反応生
成物が除去される。供給ヘッド（５）の移動に際して、
ガス切換装置（17）によって第２のガス供給管（16b）
からの第１のガス供給管に切換えられて、第２のヘッド
（5b）への反応ガスの供給が停止する。この切換えはレ
ール（18）上にセンサ等〔図示せず〕を設置することに
より自動的に切換えることも可能である。次に、第１の
ヘッド（5a）に反応生成物が被着して剥落しそうになる
とガス供給ヘッド（５）がレール（18）（18）によって
移動し、第１のヘッド（5a）が第１の掃除機（19a）上
に位置し、第２のヘッド（5b）がキャタピラーベルト
（１）上に位置し、上記と同様の動作を繰り返す。
尚、第１、第２の掃除機（19a）（19b）は往復動または
回転させてもよいし、第１、第２のヘッド（5a）（5b）
から掻き落とした反応生成物を吸引するようにしてもよ
い。
回転させてもよいし、第１、第２のヘッド（5a）（5b）
から掻き落とした反応生成物を吸引するようにしてもよ
い。
以上は本考案に係る一実施例を説明したもので、本考案
はこの実施例に限定されることなく本考案の要旨内にお
いて設計変更することができ、例えば、第１及び第２の
掃除機を配置しないで手動によって清掃することも可能
である。
はこの実施例に限定されることなく本考案の要旨内にお
いて設計変更することができ、例えば、第１及び第２の
掃除機を配置しないで手動によって清掃することも可能
である。
考案の効果 本考案によればガス供給ヘッドを２連形にしたことによ
り、ガス供給ヘッドを交互に連続して使用できるため、
ガス供給ヘッドの掃除のために動作を中止する必要がな
く、従って稼働率を向上させることができる。
り、ガス供給ヘッドを交互に連続して使用できるため、
ガス供給ヘッドの掃除のために動作を中止する必要がな
く、従って稼働率を向上させることができる。
第１図は本考案に係る一実施例の概略を示した斜視図で
ある。 第２図は従来の連続式常圧ＣＶＤ装置の一部断面正面
図、第３図は第２図のＡ−Ａ線断面図である。 （１）……キャタピラーベルト、（３）……サセプタ、 （５）……ガス供給ヘッド、 （12）……半導体ウェーハ。
ある。 第２図は従来の連続式常圧ＣＶＤ装置の一部断面正面
図、第３図は第２図のＡ−Ａ線断面図である。 （１）……キャタピラーベルト、（３）……サセプタ、 （５）……ガス供給ヘッド、 （12）……半導体ウェーハ。
Claims (1)
- 【請求項１】キャタピラーベルトに固定したサセプタ上
に載置されて搬送される加熱状態の半導体ウェーハ上
に、所望のガスを吹き付けるガス供給ヘッドを有する装
置において、 二連のガス供給ヘッドを上記半導体ウェーハの搬送方向
と直交する方向に沿って往復動可能に並設したことを特
徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2801887U JPH069502Y2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2801887U JPH069502Y2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63134536U JPS63134536U (ja) | 1988-09-02 |
| JPH069502Y2 true JPH069502Y2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=30830595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2801887U Expired - Lifetime JPH069502Y2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069502Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-02-25 JP JP2801887U patent/JPH069502Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63134536U (ja) | 1988-09-02 |
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