JPH0689947A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＬＯＣ構造の樹脂封止型半導体装置のパッケー
ジのクラックが発生し難くなるようにし、これを用いた
製品の信頼性を高める。 【構成】リードフレーム１１と、リードフレームのイン
ナーリード部１１ａの下面側に接着テープ１３を介して
接着された半導体チップ１２と、この半導体チップとイ
ンナーリード部との間を接続する金属細線１４と、半導
体チップの周辺部を絶縁性樹脂により封止した樹脂パッ
ケージ１５とを具備し、樹脂パッケージは、半導体チッ
プの主面と平行な上下面を有し、インナーリード部の先
端部の上面側の樹脂の厚さａと半導体チップの下面側の
樹脂の厚さｅとが等しく、かつ、インナーリード部のア
ウターリード側部分１１ｃの上面側の樹脂の厚さｆと下
面側の樹脂の厚さｇとが等しく設定されていることを特
徴とする。
ジのクラックが発生し難くなるようにし、これを用いた
製品の信頼性を高める。 【構成】リードフレーム１１と、リードフレームのイン
ナーリード部１１ａの下面側に接着テープ１３を介して
接着された半導体チップ１２と、この半導体チップとイ
ンナーリード部との間を接続する金属細線１４と、半導
体チップの周辺部を絶縁性樹脂により封止した樹脂パッ
ケージ１５とを具備し、樹脂パッケージは、半導体チッ
プの主面と平行な上下面を有し、インナーリード部の先
端部の上面側の樹脂の厚さａと半導体チップの下面側の
樹脂の厚さｅとが等しく、かつ、インナーリード部のア
ウターリード側部分１１ｃの上面側の樹脂の厚さｆと下
面側の樹脂の厚さｇとが等しく設定されていることを特
徴とする。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に係り、特
にリードオンチップ（ＬＯＣ）構造の樹脂封止型半導体
装置におけるリードフレームおよびパッケージの構造に
関する。
にリードオンチップ（ＬＯＣ）構造の樹脂封止型半導体
装置におけるリードフレームおよびパッケージの構造に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来のＬＯＣ構造の樹脂封止型
半導体装置の断面構造を概略的に示している。
半導体装置の断面構造を概略的に示している。
【０００３】図３において、３１はリードフレーム、３
２は半導体チップ、３３は上記半導体チップの主面上の
一部と上記リードフレームのインナーリード部３１ａの
片面との間に介在する両面接着剤付きの接着テープ（例
えばポリイミドテープ）、３４は上記半導体チップと上
記インナーリード部との間を接続するボンディングワイ
ヤーである。これらのインナーリード部３１ａ、半導体
チップ３２、接着テープ３３およびボンディングワイヤ
ー３４は、絶縁性のモールド樹脂からなるパッケージ３
５により封止されている。この場合、チップ３２の主面
とパッケージの上下面とが平行となるように封止されて
おり、前記リードフレームのアウターリード部（外部リ
ード）３１ｂがチップ３２の主面に平行な向きでパッケ
ージ３５外に突出している。図４は、図３の半導体装置
の一端部の断面構造を拡大して示している。
２は半導体チップ、３３は上記半導体チップの主面上の
一部と上記リードフレームのインナーリード部３１ａの
片面との間に介在する両面接着剤付きの接着テープ（例
えばポリイミドテープ）、３４は上記半導体チップと上
記インナーリード部との間を接続するボンディングワイ
ヤーである。これらのインナーリード部３１ａ、半導体
チップ３２、接着テープ３３およびボンディングワイヤ
ー３４は、絶縁性のモールド樹脂からなるパッケージ３
５により封止されている。この場合、チップ３２の主面
とパッケージの上下面とが平行となるように封止されて
おり、前記リードフレームのアウターリード部（外部リ
ード）３１ｂがチップ３２の主面に平行な向きでパッケ
ージ３５外に突出している。図４は、図３の半導体装置
の一端部の断面構造を拡大して示している。
【０００４】インナーリード部上面側の樹脂の厚さａは
約１．１５ｍｍ、リードフレーム３１の厚さｂは約０．
２ｍｍ、接着テープ３３の厚さｃは約０．１ｍｍ、半導
体チップ３２の厚さｄは約０．４ｍｍ、半導体チップ下
面側の樹脂の厚さｅは約０．５５ｍｍであり、樹脂パッ
ケージ３５の厚さは約２．５ｍｍとなっている。また、
インナーリード部上面側の樹脂の厚さａと下面側の樹脂
の厚さｆ（＝ｃ＋ｄ＋ｅ）とは相等しくなっている。
約１．１５ｍｍ、リードフレーム３１の厚さｂは約０．
２ｍｍ、接着テープ３３の厚さｃは約０．１ｍｍ、半導
体チップ３２の厚さｄは約０．４ｍｍ、半導体チップ下
面側の樹脂の厚さｅは約０．５５ｍｍであり、樹脂パッ
ケージ３５の厚さは約２．５ｍｍとなっている。また、
インナーリード部上面側の樹脂の厚さａと下面側の樹脂
の厚さｆ（＝ｃ＋ｄ＋ｅ）とは相等しくなっている。
【０００５】上記従来の半導体装置においては、インナ
ーリード部上面側の樹脂の厚さａ（約１．１５ｍｍ）と
半導体チップ下面側の樹脂の厚さｅ（約０．５５ｍｍ）
とは大きく相違している。
ーリード部上面側の樹脂の厚さａ（約１．１５ｍｍ）と
半導体チップ下面側の樹脂の厚さｅ（約０．５５ｍｍ）
とは大きく相違している。
【０００６】このようにインナーリード部上面側の樹脂
の厚さａと半導体チップ下面側の樹脂の厚さｅとが大き
く相違する構造は、パッケージ３５のモールド成型時に
生じる反応収縮量の差や、温度サイクルテスト、ＩＲリ
フローなどに際して生じる熱収縮量の差により、パッケ
ージ内部の応力のバランスが崩れ、パッケージ３５にク
ラックやそりが発生し易いという問題があった。
の厚さａと半導体チップ下面側の樹脂の厚さｅとが大き
く相違する構造は、パッケージ３５のモールド成型時に
生じる反応収縮量の差や、温度サイクルテスト、ＩＲリ
フローなどに際して生じる熱収縮量の差により、パッケ
ージ内部の応力のバランスが崩れ、パッケージ３５にク
ラックやそりが発生し易いという問題があった。
【０００７】この対策として、インナーリード部上面側
の樹脂の厚さａ（約１．１５ｍｍ）とチップ下面側の樹
脂の厚さｅ（約０．５５ｍｍ）とを近付けることが考え
られるが、単純に樹脂の厚さｅを増やすと、インナーリ
ード部下面側の樹脂の厚さｆが増えてインナーリード部
上面側の樹脂の厚さａとのバランスが崩れるので、前記
したと同様の問題が発生するばかりでなく、パッケージ
３５が厚くなり、近年の電子機器の小型化に伴って必要
とされる実装厚さを薄くする要求に応じられなくなる。
の樹脂の厚さａ（約１．１５ｍｍ）とチップ下面側の樹
脂の厚さｅ（約０．５５ｍｍ）とを近付けることが考え
られるが、単純に樹脂の厚さｅを増やすと、インナーリ
ード部下面側の樹脂の厚さｆが増えてインナーリード部
上面側の樹脂の厚さａとのバランスが崩れるので、前記
したと同様の問題が発生するばかりでなく、パッケージ
３５が厚くなり、近年の電子機器の小型化に伴って必要
とされる実装厚さを薄くする要求に応じられなくなる。
【０００８】また、半導体チップ３２の主面上の一端部
とリードフレームのインナーリード部３１ａとの間は、
接着テープ３３が介在せず、薄い樹脂部３５ａが介在し
ている。この薄い樹脂部３５ａは、接着テープ３３と同
じ厚さｃ（約０．１ｍｍ）しかなく、樹脂の絶対強度の
一つである曲げ強さが１０〜１５Ｋｇｆ／ｍｍ2 であ
り、ポリイミドテープよりも強度が弱い。これにより、
パッケージ内部の応力により、最悪の場合、１Ｋｇｆ／
ｍｍ2 の力が上記薄い樹脂部３５ａに加わると、この樹
脂部３５ｃにクラック（内部クラック）が発生し易いと
いう問題があった。
とリードフレームのインナーリード部３１ａとの間は、
接着テープ３３が介在せず、薄い樹脂部３５ａが介在し
ている。この薄い樹脂部３５ａは、接着テープ３３と同
じ厚さｃ（約０．１ｍｍ）しかなく、樹脂の絶対強度の
一つである曲げ強さが１０〜１５Ｋｇｆ／ｍｍ2 であ
り、ポリイミドテープよりも強度が弱い。これにより、
パッケージ内部の応力により、最悪の場合、１Ｋｇｆ／
ｍｍ2 の力が上記薄い樹脂部３５ａに加わると、この樹
脂部３５ｃにクラック（内部クラック）が発生し易いと
いう問題があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
ＬＯＣ構造の樹脂封止型半導体装置は、パッケージのク
ラックが発生し易く、これを用いた製品の信頼性を低下
させるおそれがあるという問題があった。
ＬＯＣ構造の樹脂封止型半導体装置は、パッケージのク
ラックが発生し易く、これを用いた製品の信頼性を低下
させるおそれがあるという問題があった。
【００１０】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、パッケージのクラックが発生し難くなり、こ
れを用いた製品の信頼性を高め得るＬＯＣ構造の樹脂封
止型半導体装置を提供することを目的とする。
たもので、パッケージのクラックが発生し難くなり、こ
れを用いた製品の信頼性を高め得るＬＯＣ構造の樹脂封
止型半導体装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、リードフレームと、このリードフレームのイ
ンナーリード部の下面側に接着テープを介して接着され
た半導体チップと、この半導体チップと上記インナーリ
ード部との間を接続する金属細線と、上記半導体チップ
の周辺部を絶縁性樹脂により封止した樹脂パッケージと
を具備し、上記樹脂パッケージは、前記半導体チップの
主面と平行な上下面を有し、上記インナーリード部の先
端部の上面側の樹脂の厚さと半導体チップの下面側の樹
脂の厚さとが等しく、かつ、上記インナーリード部のア
ウターリード側部分の上面側の樹脂の厚さと半導体チッ
プの下面側の樹脂の厚さとが等しく設定されていること
を特徴とする。
体装置は、リードフレームと、このリードフレームのイ
ンナーリード部の下面側に接着テープを介して接着され
た半導体チップと、この半導体チップと上記インナーリ
ード部との間を接続する金属細線と、上記半導体チップ
の周辺部を絶縁性樹脂により封止した樹脂パッケージと
を具備し、上記樹脂パッケージは、前記半導体チップの
主面と平行な上下面を有し、上記インナーリード部の先
端部の上面側の樹脂の厚さと半導体チップの下面側の樹
脂の厚さとが等しく、かつ、上記インナーリード部のア
ウターリード側部分の上面側の樹脂の厚さと半導体チッ
プの下面側の樹脂の厚さとが等しく設定されていること
を特徴とする。
【００１２】
【作用】インナーリード部のアウターリード側部分が樹
脂パッケージ断面の上下方向の中心部に位置し、かつ、
インナーリード部の先端側部分の上面側の樹脂の厚さと
半導体チップの下面側の樹脂の厚さとが等しくなるよう
に設定されているので、パッケージのモールド成型時に
生じる反応収縮量や、温度サイクルテスト、ＩＲリフロ
ーなどに際して生じる熱収縮量バランスがよく、パッケ
ージ内部の応力のバランスがよくなるので、パッケージ
のクラックが発生し難くなる。
脂パッケージ断面の上下方向の中心部に位置し、かつ、
インナーリード部の先端側部分の上面側の樹脂の厚さと
半導体チップの下面側の樹脂の厚さとが等しくなるよう
に設定されているので、パッケージのモールド成型時に
生じる反応収縮量や、温度サイクルテスト、ＩＲリフロ
ーなどに際して生じる熱収縮量バランスがよく、パッケ
ージ内部の応力のバランスがよくなるので、パッケージ
のクラックが発生し難くなる。
【００１３】また、半導体チップの上面の一端部とイン
ナーリード部の先端部の下面との間に薄い樹脂部が介在
しなくなるように接着テープの大きさを設定することに
より、この薄い樹脂部にクラック（内部クラック）が発
生し易いという問題は根本的に生じなくなる。
ナーリード部の先端部の下面との間に薄い樹脂部が介在
しなくなるように接着テープの大きさを設定することに
より、この薄い樹脂部にクラック（内部クラック）が発
生し易いという問題は根本的に生じなくなる。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は、本発明の一実施例に係るＬＯＣ構
造の樹脂封止型半導体装置の断面構造を概略的に示して
いる。樹脂封止型半導体装置を示している。図２は、図
１の半導体装置の一端部の断面構造を拡大して示してい
る。
に説明する。図１は、本発明の一実施例に係るＬＯＣ構
造の樹脂封止型半導体装置の断面構造を概略的に示して
いる。樹脂封止型半導体装置を示している。図２は、図
１の半導体装置の一端部の断面構造を拡大して示してい
る。
【００１５】図１および図２において、１１はリードフ
レームであり、インナーリード部１１ａおよびアウター
リード部１１ｂを有し、上記インナーリード部の先端側
部分とアウターリード側部分１１ｃとが平行状態を保つ
ようにインナーリード部の途中が下方（パッケージ下面
方向）に折り曲げられている（例えばディプレスされて
いる）。１２は半導体チップであり、上記インナーリー
ド部１１ａの先端部の下面側に平行に位置する。
レームであり、インナーリード部１１ａおよびアウター
リード部１１ｂを有し、上記インナーリード部の先端側
部分とアウターリード側部分１１ｃとが平行状態を保つ
ようにインナーリード部の途中が下方（パッケージ下面
方向）に折り曲げられている（例えばディプレスされて
いる）。１２は半導体チップであり、上記インナーリー
ド部１１ａの先端部の下面側に平行に位置する。
【００１６】１３は両面接着剤付きの接着テープ（例え
ばポリイミドテープ）であり、前記インナーリード部１
１ａの先端部の下面と半導体チップ１２の上面との間に
介在して両者を接着し、前記アウターリード方向の一端
部が少なくとも半導体チップ１２の端部まで延長して設
けられている。１４は上記半導体チップ１２と上記イン
ナーリード部１１ａとの間を接続する金属細線（例えば
ボンディングワイヤー）である。
ばポリイミドテープ）であり、前記インナーリード部１
１ａの先端部の下面と半導体チップ１２の上面との間に
介在して両者を接着し、前記アウターリード方向の一端
部が少なくとも半導体チップ１２の端部まで延長して設
けられている。１４は上記半導体チップ１２と上記イン
ナーリード部１１ａとの間を接続する金属細線（例えば
ボンディングワイヤー）である。
【００１７】１５は樹脂パッケージであり、上記インナ
ーリード部１１ａ、半導体チップ１２、接着テープ１３
およびボンディングワイヤー１４を絶縁性樹脂で封止し
ている。この樹脂パッケージ１５は、上記半導体チップ
１２の主面と平行な上下面を有し、上記インナーリード
部１１ａの上面側の樹脂の厚さａと半導体チップ１２の
下面側の樹脂の厚さｅとが等しく、かつ、上記インナー
リード部１１ａのアウターリード側部分１１ｃの上面側
の樹脂の厚さｆと下面側の樹脂の厚さｇとが等しくなる
ように設定されている。そして、前記リードフレームの
アウターリード部（外部リード）１１ｂがチップ１２の
主面に平行な向きでパッケージ１５外に突出している。
ーリード部１１ａ、半導体チップ１２、接着テープ１３
およびボンディングワイヤー１４を絶縁性樹脂で封止し
ている。この樹脂パッケージ１５は、上記半導体チップ
１２の主面と平行な上下面を有し、上記インナーリード
部１１ａの上面側の樹脂の厚さａと半導体チップ１２の
下面側の樹脂の厚さｅとが等しく、かつ、上記インナー
リード部１１ａのアウターリード側部分１１ｃの上面側
の樹脂の厚さｆと下面側の樹脂の厚さｇとが等しくなる
ように設定されている。そして、前記リードフレームの
アウターリード部（外部リード）１１ｂがチップ１２の
主面に平行な向きでパッケージ１５外に突出している。
【００１８】前記インナーリード部先端部の上面側の樹
脂の厚さａは約０．９ｍｍ、インナーリード部１１ａの
厚さｂは約０．２ｍｍ、接着テープ１３の厚さｃは約
０．１ｍｍ、半導体チップ１２の厚さｄは約０．４ｍ
ｍ、半導体チップ下面側の樹脂の厚さｅは約０．９ｍｍ
であり、樹脂パッケージ１５の厚さは約２．５ｍｍとな
っている。
脂の厚さａは約０．９ｍｍ、インナーリード部１１ａの
厚さｂは約０．２ｍｍ、接着テープ１３の厚さｃは約
０．１ｍｍ、半導体チップ１２の厚さｄは約０．４ｍ
ｍ、半導体チップ下面側の樹脂の厚さｅは約０．９ｍｍ
であり、樹脂パッケージ１５の厚さは約２．５ｍｍとな
っている。
【００１９】また、インナーリード部の先端側部分とア
ウターリード側部分１１ｃとの段差は約０．２ｍｍであ
り、インナーリード部１１ａのアウターリード側部分１
１ｃの上面側の樹脂の厚さｆと下面側の樹脂の厚さｇと
は、それぞれ約１．１５ｍｍで相等しくなっている。
ウターリード側部分１１ｃとの段差は約０．２ｍｍであ
り、インナーリード部１１ａのアウターリード側部分１
１ｃの上面側の樹脂の厚さｆと下面側の樹脂の厚さｇと
は、それぞれ約１．１５ｍｍで相等しくなっている。
【００２０】上記実施例の半導体装置においては、イン
ナーリード部１１のアウターリード側部分１１ｃが樹脂
パッケージ断面の上下方向の中心部に位置し、かつ、イ
ンナーリード部１１ａの先端側部分の上面側の樹脂の厚
さａと半導体チップ１２の下面側の樹脂の厚さｅとが等
しくなるように設定されているので、パッケージ１５の
モールド成型時に生じる反応収縮量や、温度サイクルテ
スト、ＩＲリフローなどに際して生じる熱収縮量バラン
スがよく、パッケージ内部の応力のバランスがよくなる
ので、パッケージ１５のクラックが発生し難くなる。
ナーリード部１１のアウターリード側部分１１ｃが樹脂
パッケージ断面の上下方向の中心部に位置し、かつ、イ
ンナーリード部１１ａの先端側部分の上面側の樹脂の厚
さａと半導体チップ１２の下面側の樹脂の厚さｅとが等
しくなるように設定されているので、パッケージ１５の
モールド成型時に生じる反応収縮量や、温度サイクルテ
スト、ＩＲリフローなどに際して生じる熱収縮量バラン
スがよく、パッケージ内部の応力のバランスがよくなる
ので、パッケージ１５のクラックが発生し難くなる。
【００２１】また、接着テープ１３のアウターリード方
向の一端部が、インナーリード先端部の下面と半導体チ
ップ１２の上面との間で少なくとも半導体チップ１２の
端部まで延長して設けられており、半導体チップ１２の
上面の一端部とインナーリード先端部の下面との間に薄
い樹脂部が介在しなくなるので、この薄い樹脂部にクラ
ック（内部クラック）が発生し易いという従来の問題は
根本的に生じなくなる。次に、上記実施例の半導体装置
の製造工程の一例を簡単に説明する。
向の一端部が、インナーリード先端部の下面と半導体チ
ップ１２の上面との間で少なくとも半導体チップ１２の
端部まで延長して設けられており、半導体チップ１２の
上面の一端部とインナーリード先端部の下面との間に薄
い樹脂部が介在しなくなるので、この薄い樹脂部にクラ
ック（内部クラック）が発生し易いという従来の問題は
根本的に生じなくなる。次に、上記実施例の半導体装置
の製造工程の一例を簡単に説明する。
【００２２】先ず、インナーリード部１１ａの途中が約
０．２ｍｍディプレスされ、その先端側部分とアウター
リード側部分１１ｃとが平行状態を保つように形成され
た厚さが約０．２ｍｍのリードフレーム１１を用意す
る。次に、接着テープ１３を用いてインナーリード部上
に半導体チップ１２を固着する。次に、この半導体チッ
プ上の所要部と前記インナーリード部の所要部とを金属
細線１４により接続する。次に、この半導体チップの周
辺部を金属細線と共に封止するように、鋳型を用いて合
成樹脂等の絶縁樹脂を成型してパッケージ１５を形成す
る。次に、リードフレームからアウターリード部１１ｂ
を所要の長さに切り離し、個々の半導体装置に分離す
る。
０．２ｍｍディプレスされ、その先端側部分とアウター
リード側部分１１ｃとが平行状態を保つように形成され
た厚さが約０．２ｍｍのリードフレーム１１を用意す
る。次に、接着テープ１３を用いてインナーリード部上
に半導体チップ１２を固着する。次に、この半導体チッ
プ上の所要部と前記インナーリード部の所要部とを金属
細線１４により接続する。次に、この半導体チップの周
辺部を金属細線と共に封止するように、鋳型を用いて合
成樹脂等の絶縁樹脂を成型してパッケージ１５を形成す
る。次に、リードフレームからアウターリード部１１ｂ
を所要の長さに切り離し、個々の半導体装置に分離す
る。
【００２３】このような製造方法は、従来の製造方法に
比べてインナーリード部のディプレス工程を追加するだ
けで済み、既存の設備の大多数、特に高価な組み立て設
備をそのまま利用できるので、半導体装置を簡易かつ安
価に製造することができる。
比べてインナーリード部のディプレス工程を追加するだ
けで済み、既存の設備の大多数、特に高価な組み立て設
備をそのまま利用できるので、半導体装置を簡易かつ安
価に製造することができる。
【００２４】
【発明の効果】上述したように本発明のＬＯＣ構造の樹
脂封止型半導体装置によれば、パッケージのクラックが
発生し難くなり、これを用いた製品の信頼性を高めるこ
とができる。
脂封止型半導体装置によれば、パッケージのクラックが
発生し難くなり、これを用いた製品の信頼性を高めるこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例に係るＬＯＣ構造の樹脂封止
型半導体装置の構造を概略的に示す断面図。
型半導体装置の構造を概略的に示す断面図。
【図２】図１の半導体装置の一端部を拡大して示す断面
図。
図。
【図３】従来のＬＯＣ構造の樹脂封止型半導体装置の構
造を概略的に示す断面図。
造を概略的に示す断面図。
【図４】図３の半導体装置の一端部を拡大して示す断面
図。
図。
１１…リードフレーム、１１ａ…インナーリード部、１
１ｂ…アウターリード部、１１ｃ…インナーリード部の
アウターリード側部分、１２…半導体チップ、１３…接
着テープ、１４…金属細線、１５…樹脂パッケージ、ａ
…インナーリード部上面側の樹脂の厚さ、ｂ…インナー
リード部の厚さ、ｃ…接着テープの厚さ、ｄ…半導体チ
ップの厚さ、ｅ…半導体チップ下面側の樹脂の厚さ、ｆ
…インナーリード部のアウターリード側部分の上面側の
樹脂の厚さ、ｇ…インナーリード部のアウターリード側
部分の下面側の樹脂の厚さ。
１ｂ…アウターリード部、１１ｃ…インナーリード部の
アウターリード側部分、１２…半導体チップ、１３…接
着テープ、１４…金属細線、１５…樹脂パッケージ、ａ
…インナーリード部上面側の樹脂の厚さ、ｂ…インナー
リード部の厚さ、ｃ…接着テープの厚さ、ｄ…半導体チ
ップの厚さ、ｅ…半導体チップ下面側の樹脂の厚さ、ｆ
…インナーリード部のアウターリード側部分の上面側の
樹脂の厚さ、ｇ…インナーリード部のアウターリード側
部分の下面側の樹脂の厚さ。
Claims (4)
- 【請求項１】 インナーリード部およびアウターリード
部を有するリードフレームと、 このリードフレームのインナーリード部の下面側に接着
テープを介して接着された半導体チップと、 この半導体チップと上記インナーリード部との間を接続
する金属細線と、 上記半導体チップの周辺部を絶縁性樹脂により封止した
樹脂パッケージとを具備し、 上記樹脂パッケージは、前記半導体チップの主面と平行
な上下面を有し、上記インナーリード部の先端部の上面
側の樹脂の厚さと半導体チップの下面側の樹脂の厚さと
が等しく、かつ、上記インナーリード部のアウターリー
ド側部分の上面側の樹脂の厚さと下面側の樹脂の厚さと
が等しく設定されていることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置に
おいて、 前記リードフレームは、インナーリード部の先端側部分
とアウターリード側部分とが平行状態を保つようにイン
ナーリード部の途中が折り曲げられていることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置に
おいて、 前記接着テープは、前記半導体チップの上面と前記イン
ナーリード部の先端部の下面との間に介在して両者を接
着し、前記アウターリード方向の一端部が少なくとも半
導体チップの端部まで延長して設けられていることを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 インナーリード部およびアウターリード
部を有し、上記インナーリード部の先端側部分とアウタ
ーリード側部分とが平行状態を保つようにインナーリー
ド部の途中が折り曲げられたリードフレームと、 上記インナーリード部の先端部の下面側に平行に位置す
る半導体チップと、 この半導体チップの上面と前記インナーリード部の先端
部の下面との間に介在して両者を接着し、前記アウター
リード方向の一端部が少なくとも半導体チップの端部ま
で延長して設けられている接着テープと、 前記半導体チップと上記インナーリード部との間を接続
する金属細線と、 上記インナーリード部、半導体チップ、接着テープおよ
び金属細線を絶縁性樹脂により封止し、上記半導体チッ
プの主面と平行な上下面を有し、上記インナーリード部
の先端部の上面側の樹脂の厚さと半導体チップの下面側
の樹脂の厚さとが等しく、かつ、上記インナーリード部
のアウターリード側部分の上面側の樹脂の厚さと下面側
の樹脂の厚さとが等しく設定された樹脂パッケージとを
具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23852792A JPH0689947A (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23852792A JPH0689947A (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689947A true JPH0689947A (ja) | 1994-03-29 |
Family
ID=17031584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23852792A Pending JPH0689947A (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0689947A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0807972A2 (en) | 1996-05-09 | 1997-11-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of its fabrication |
| KR19990000204A (ko) * | 1997-06-03 | 1999-01-15 | 윤종용 | 접착 수단에 의한 반도체 칩의 본딩 패드와 내부 리드와의 연결 방법 및 그를 이용한 loc형 반도체 칩 패키지 |
| US11769714B2 (en) | 2020-09-08 | 2023-09-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with semiconductor chip mounted on die pad and leads of lead frame |
-
1992
- 1992-09-07 JP JP23852792A patent/JPH0689947A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0807972A2 (en) | 1996-05-09 | 1997-11-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of its fabrication |
| EP0807972A3 (en) * | 1996-05-09 | 2000-05-31 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of its fabrication |
| US6258621B1 (en) | 1996-05-09 | 2001-07-10 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device having insulating tape interposed between chip and chip support |
| KR100373891B1 (ko) * | 1996-05-09 | 2003-06-18 | 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 | 반도체장치 |
| EP1381084A1 (en) * | 1996-05-09 | 2004-01-14 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of its fabrication |
| KR19990000204A (ko) * | 1997-06-03 | 1999-01-15 | 윤종용 | 접착 수단에 의한 반도체 칩의 본딩 패드와 내부 리드와의 연결 방법 및 그를 이용한 loc형 반도체 칩 패키지 |
| US11769714B2 (en) | 2020-09-08 | 2023-09-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with semiconductor chip mounted on die pad and leads of lead frame |
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