JPH0685008A - テープ自動ボンディングのバンプ転写方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 工程が簡単で、大規模な設備を必要とするこ
とがなく、かつ一括工程の採用が容易で、生産歩留りの
向上を図ることができるＴＡＢ型バンプ転写方法を提供
する。 【構成】 金属基板表面の所定位置に一以上の溝１０を
形成する工程；前記各溝内に一つの金属コア１１をそれ
ぞれ配置する工程；一以上のリード１３を有するテープ
を、前記各リードが前記溝に配置した各金属コアと対向
するように、整列させる工程；および前記リードを前記
金属コアに熱圧着して、前記金属コア１１を前記リード
１３に転写させる工程で構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のパッケー
ジング技術として好適に用いられるテープ自動ボンディ
ング（Tape Automated Bonding；以下‘ＴＡＢ’とい
う）において、バンプリードを形成するためのＴＡＢ型
バンプ転写方法、及びバンプリードの製造方法の改良に
関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、電子機器の開発の趨勢は、高機能
化、大容量化、小型化および薄型化に向かう傾向が顕著
であり、特に、半導体素子については、多機能化、多ピ
ン化、高速化、高信頼性確保および表面実装型に進んで
いる。これに伴い、半導体素子の薄型化、基板面積減少
および実装密度の向上など総合的な実装技術の変化に対
応して優れた機能を発揮するＴＡＢ技術が注目されてい
る。

【０００３】ＴＡＢは、初期の時計、計算器、電卓など
のピン数の少ない、小型チップ適用分野から液晶ディス
プレイ駆動機、専用カスタムチップ（ＡＳＩＣ）、パソ
コン、メモリ素子などの多ピン、大型チップ適用分野に
までその応用範囲が拡大されている。

【０００４】現在の技術領域からみると、ＴＡＢは、絶
縁テープ上に形成された金属パターンに金属バンプを用
いてチップパッドをボンディングさせる表面実装型パッ
ケージ技術の一種であり、チップとリードフレームとを
直接ボンディングできるようにした進歩した相互連結技
術である。

【０００５】バンプは、既存のワイヤボンディングと異
なり、チップのパッドとＴＡＢのリードフレームをワイ
ヤなしに接続できるようにした一種の金属突起であり、
ワイヤボンディングにおけるワイヤの役割を担当するも
のである。

【０００６】そして、リードフレームの骨格を含むテー
プは、例えば、１２５μｍ厚さのポリイミドフィルムに
２０μｍ厚さの接着剤を塗布し、３５μｍ厚さの導電層
を結合した３層構造を有し、その幅が７０ｍｍのもので
あり、このテープのリード端子にチップのパッドを連結
するときは、ワイヤ接続ではなく、前記バンプとしての
金属突起を媒介させて行なう。以下このようなテープの
リードにバンプを転写する従来の一般的な工程につい
て、図面を参照して説明する。

【０００７】チップ、テープおよびバンプをそれぞれ別
個の工程により作製した後、先ず、テープとバンプとを
相互ボンディングにより結合し、得られたバンプ付のテ
ープをさらにチップと第二次ボンディングしてパッケー
ジ化する。

【０００８】図４（ａ），（ｂ），（ｃ）はバンプの形
成過程を示し、図４（ａ）は、例えば、ガラス材質の基
板１上に導電層２を形成することを示す断面図である。
導電層２上には図４（ｂ）に示すように、フォトレジス
ト層３を、コーティングによってパターン形成する。フ
ォトレジスト層３には、ホール４を転写相手のテープ上
のリード位置に対応して形成する。このホール４部分に
バンプを形成する。

【０００９】バンプ５は図４（ｃ）に示すような形状に
形成するが、このバンプの形成作業では、まず、Ａｕを
含んだメッキ浴中に図４（ｂ）に示す積層体を浸漬し、
電気メッキ法によって前記ホール４を通じてＡｕ材質の
バンプ５を導電層２上に析出形成する。導電層２はこの
電気メッキ法を行うために予め基板１上に形成してあ
る。すなわち、導電層２に電極を連結することにより、
ホールを通じてＡｕからなるバンプ５を析出形成する。
その後、バンプを形成した積層体をメッキ浴から取出
し、フォトレジスト層３を除去して、図４（ｃ）に示す
ような形状のバンプ５を形成する。

【００１０】その後、バンプを形成した基板を図４
（ｄ）に示すようにテープ６と対向させて位置合わせす
る。テープ６は、前述したように、導電層としてのイン
ナーリード６Ａとポリイミド層６Ｂとを有し、図におい
てポリイミド層６Ｂとインナーリード６Ａとの間の接着
層は示していない。テープのインナーリード６Ａとバン
プ５とは互いに対向するように位置付ける。

【００１１】次に、バンプを転写する工程であるが、図
４（ｅ）に示すようにボンディングツール７を用いてバ
ンプ５をインナーリード６Ａに圧着することにより転写
させる。

【００１２】最後に、バンプ５を有するテープ６と、図
示されていないチップとをボンディングしてリード端子
とチップパッドとを連結する。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来のバンプ転写方法においては次のような問題があっ
た。すなわち、先ず、図４（ｂ）及び図４（ｃ）に示し
たように、バンプを形成するためには、写真エッチング
工程および電気メッキ工程が不可欠であるため、作業時
間が長く、工程が複雑となり、大規模な製造設備を必要
とし、製造費用および効率面において不利であるととも
に、設備装置の利用融通性に欠けるため一括工程（ｉｎ
−ｌｉｎｅ化）を採用することが困難であった。さら
に、反復生産により量産する場合、生産歩留りを向上さ
せることが困難であった。

【００１４】本発明は、上述の問題に鑑みなされたもの
であり、工程が簡単で、大規模な設備を必要とすること
がなく、かつ一括工程の採用が容易で、生産歩留りの向
上を図ることができるＴＡＢ型バンプ転写方法を提供す
ることを目的とする。

【００１５】さらに本発明は、バンプ材質として、Ａｕ
以外の安価な金属材料を用いることのできる経済的なバ
ンプ転写方法を提供することを他の目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、金属基板表面の所定位置に、一以
上の溝を形成する工程；前記各溝内に一つの金属コアを
それぞれ配置する工程；一以上のリードを有するテープ
を、前記各リードが前記溝に配置した各金属コアと対向
するように、整列させる工程；および前記リードを前記
金属コアに熱圧着して、前記金属コアを前記リードに転
写させる工程を含むことを特徴とするテープ自動ボンデ
ィングのバンプ転写方法が提供される。

【００１７】また、前記金属基板表面に形成される溝の
形状が、Ｖ字形、または底面が平坦なＵ字形であること
を特徴とするテープ自動ボンディングのバンプ転写方法
が提供される。

【００１８】また、前記各溝の深さが、前記金属コアの
直径より小さいことを特徴とするテープ自動ボンディン
グのバンプ転写方法が提供される。

【００１９】また、前記底面が平坦なＵ字形の溝が、先
ずＶ字形溝を形成した後、底面が平坦なパンチツールを
用いて形成されたものであることを特徴とするテープ自
動ボンディングのバンプ転写方法が提供される。

【００２０】また、前記リードを前記金属コアに熱圧着
する前に、前記溝から前記金属コアを容易に離脱させる
ため、前記溝の内面にコーティング膜を形成する工程を
さらに含むことを特徴とするテープ自動ボンディングの
バンプ転写方法が提供される。

【００２１】また、前記コーティング膜が、セラミッ
ク、ＳｉＣおよびＳｉ₃ Ｎ₄ よりなる群から選択される
一以上の材料からなることを特徴とするテープ自動ボン
ディングのバンプ転写方法が提供される。

【００２２】また、前記金属コアを前記リードに転写さ
せた後に、前記金属コアが転写されたリードを、メッキ
物質でコーティングする工程をさらに含むことを特徴と
するテープ自動ボンディングのバンプ転写方法が提供さ
れる。

【００２３】また、前記メッキ物質によるコーティング
が、電気メッキまたは無電解メッキによるものであるこ
とを特徴とするテープ自動ボンディングのバンプ転写方
法が提供される。

【００２４】また、前記メッキ物質が、Ａｕ，Ｐｔ，Ｐ
ｄ，Ｓｎ，Ｐｂ、半田、またはこれらの合金からなるこ
とを特徴とするテープ自動ボンディングのバンプ転写方
法が提供される。

【００２５】また、前記メッキ物質によるコーティング
工程の前に、前記金属コアが転写されたリードを、前記
基板に形成された底面が平坦なＵ字形の溝に対向させた
後に圧着し、前記転写された金属コアの下部を平坦にす
る工程をさらに含むことを特徴とするテープ自動ボンデ
ィングのバンプ転写方法が提供される。

【００２６】また、前記金属コアを各溝内に配置する工
程が、多数の金属コアを前記基板表面に位置させる工程
と、スクイズを用いて左右にスクリーニングする工程と
からなることを特徴とするテープ自動ボンディングのバ
ンプ転写方法が提供される。

【００２７】また、前記金属コアが、ニッケル、Ｐｄ、
およびＡｇよりなる群から選択される一以上の金属の単
体又はその合金からなることを特徴とするテープ自動ボ
ンディングのバンプ転写方法が提供される。

【００２８】また、前記金属コアが、エアブローイング
法により作製され、かつ、スクリーニングされたもので
あることを特徴とするテープ自動ボンディングのバンプ
転写方法が提供される。

【００２９】また、前記リードが、Ｃｕ，Ｓｎ、または
ＡｕをメッキしたＣｕからなることを特徴とするテープ
自動ボンディングのバンプ転写方法が提供される。

【００３０】さらに、前記金属基板が、ステンレス鋼か
らなることを特徴とするテープ自動ボンディングのバン
プ転写方法が提供される。

【００３１】また、表面に少なくとも一以上の溝を形成
した基板を用意する工程；ほぼ球形の多数の導電性コア
を用意する工程；前記基板の各溝内に前記導電性コアを
配置する工程；一以上のインナーリードを有するテープ
を各インナーリードが前記コアと対向するように整列さ
せる工程；前記インナーリードを前記コアに熱圧着し
て、前記金属コアを前記インナーリードに転写させる工
程；および前記コアが転写されたインナーリードを、メ
ッキ物質でコーティングする工程を含むことを特徴とす
るバンプリードの製造方法が提供される。

【００３２】また、前記コーティング工程の前に、前記
球形状コアが転写されたリードを、平坦な基板に対向さ
せた後、平坦なツールで押えて、前記転写された球形状
コアの下部を平坦にする工程をさらに含むことを特徴と
するバンプリードの製造方法が提供される。

【００３３】また、前記インナーリードを前記コアに熱
圧着する前に、前記リードに圧着された前記コアが前記
溝から容易に離脱できるように、前記基板の溝の表面に
コーティング膜をＣＶＤまたはアーク放電により形成す
る工程をさらに含むことを特徴とするバンプリードの製
造方法が提供される。

【００３４】また、前記導電性コアが、ニッケル、Ｐ
ｄ、およびＡｇよりなる群から選択される一以上の金属
の単体またはその合金からなることを特徴とするバンプ
リードの製造方法が提供される。

【００３５】また、前記基板がステンレス鋼からなるこ
とを特徴とするバンプリードの製造方法が提供される。

【００３６】さらに、前記メッキ物質が、Ａｕ，Ｐｔ，
Ｐｄ，Ｓｎ，Ｐｂ、半田、またはこれらの合金からなる
ことを特徴とするバンプリードの製造方法が提供され
る。

【００３７】

【実施例】以下、本発明を、好ましい実施例に基づき、
図１〜図３を参照しつつ、詳細に説明する。図１（ａ）
は、バンプの形成のための基板８を用意する工程を示す
ものであり、基板８は従来とは異なり金属材質からな
り、その材質は、ステンレス鋼が好ましく、例えば、Ｓ
ＵＳ３０４を挙げることができる。

【００３８】図１（ｂ）は、前記基板８に溝１０を形成
したことを示す。これはパンチツール９で所定位置にＶ
字形溝１０を形成したことを示す。溝１０の位置は、バ
ンプが転写されたテープのリード端子位置に対応し、こ
の溝１０の位置および基板８は繰返し再生産の際継続的
に用いることができるのでパンチ作業は一度で済ますこ
とができる。

【００３９】この実施例においては、溝１０をＶ字形状
に形成しているがこれに限定されず、底面が平坦なＵ字
形等であってもよい。また溝１０は、この溝１０内に配
置される別個の金属コア等の物体が離脱しない程度の深
さを有する。

【００４０】図１（ｃ）は、前記溝１０内にほぼ球形状
金属コア１１を配置する工程を示す。金属コア１１は、
その大きさが従来のバンプの大きさと同様にほぼ直径が
３０μｍ程度である球形状金属バンプであり、基板表面
８Ａからみて溝１０内に位置するバンプは若干突出され
る。溝１０は、球形の金属バンプの直径が３０μｍ程度
であるため、この半分くらいの深さで図１（ｂ）の工程
で形成される。

【００４１】基板の材質としては、前述のようにステン
レス鋼が好ましく、例えばＳＵＳ３０４を挙げることが
でき、球形の金属バンプとしては、例えば、Ｎｉ、もし
くはその合金、またはＰｄ、Ａｇが好ましく、以後の工
程において金属基板と球形状バンプとの圧着により溝１
０からバンプの離脱が容易でない場合は図１（ｂ）の段
階において前処理工程が必要であるが、バンプ転写に無
理がない場合には省略してもよい。

【００４２】前処理工程としては、例えば、金属基板８
の溝１０上にＳｉ₃ Ｎ₄ 、ＳｉＣ、または硬いセラミッ
クス物質をＣＶＤやアーク放電法などでコーティングす
ることを挙げることができる。また、その先端がＶ字形
以外のほぼ丸形や平坦なパンチツールを連続的に使用し
て溝の形状を変え、金属コア１１の離脱を容易にしても
よい。

【００４３】金属基板８に対する正面は示していない
が、基板表面には整列した多数の溝１０が形成されてい
る。別途に用意した金属コア１１を各溝１０内にそれぞ
れ配置するため、スクイズ１２を用いたスクリーニング
方法を用いることが好ましい。

【００４４】より詳しくは、金属基板８上に多数の金属
コア１１を配置した後、スクイズ１２を用いて、図１
（ｃ）に示すように、基板表面に対し、左または右の一
定方向に押して、金属コア１１を各溝１０内に一つずつ
配置するようにする。このとき、残っている金属コア１
１は、スクイズ１２により残有コア筒のようなボックス
に収集し、再使用することができる。

【００４５】この実施例において、３０μｍ直径の均一
な金属コアを予め用意するが、これは、例えば、エアブ
ローイング法によって作製し、かつ、スクリーニングを
施して得ることができる。

【００４６】次の工程は、図４（ｄ）以後の工程と類似
する。図１（ｄ）は、基板表面８Ａ上に突出したこれら
金属コア１１とテープのインナーリード１３とを対向さ
せて整列させる工程を示す。

【００４７】図１（ｄ）において、インナーリード１３
の下側面１３Ａは突出した金属コア１１と相互接続す
る。このインナーリード１３はテープに含まれており、
リードと接着するチップパッドやパッケージ形態に応じ
て予め設計製作したものである。

【００４８】本実施例において、インナーリード１３と
しては、その材質として銅を用いている。従来のように
ＳｎやＡｕメッキの銅を用いる必要はないが、ＳｎやＡ
ｕメッキの銅を用いることが好ましい。

【００４９】次いで、図１（ｅ）に示すように、ボンデ
ィングツール１５を用いて、例えば銅からなるインナー
リード１３と、例えばＮｉからなる金属コア１１とを結
合させるため圧着し、金属コア１１をインナーリード１
３に転写させる。

【００５０】圧着時、溝１０から金属コア１１の離脱を
容易にすることが好ましいので、前述した前処理工程を
用いてもよい。パンチの作業の際、基板に加わる力は圧
着時に必要な力より十分大きいので溝は転写圧力により
変形することはない。

【００５１】転写工程以後も、金属コア１１が離脱した
基板８は、依然として変形しない溝１０を有し、継続繰
返して基板８を用いることができる。この場合、溝の形
成のためのパンチ作業が再度要求されることはない。し
かし、テープの金属パターンが異なるものを用いる場合
には、溝はこれに対応させて再び形成する必要がある。

【００５２】前述のように、本発明によると、従来のよ
うに写真エッチング工程や電気メッキ工程を必要としな
いので工程が簡単になる。図２は、金属コア１１がバン
プ転写されたインナーリード１３をメッキ物質、例え
ば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｐｂ、半田、またはこれ
らの合金を電気メッキまたは無電解メッキ方法でメッキ
した状態を示す。このメッキ処理により、結合した状態
を堅固にし、かつチップとのボンディングを容易にする
ことができる。

【００５３】本実施例においては、Ｖ字形溝とこれに配
置し得る球形の金属コアを用いた場合を説明している
が、図３に示すように本発明の他の実施例として金属コ
ア１１の一面がほぼ平坦なバンプを用いることもでき
る。

【００５４】金属コア１１を、図１（ｂ）に示すような
溝に入れる場合、溝の形状が球形ではないので、先ず、
図１（ｂ）の工程においてＶ字溝を形成し、次いで、こ
の溝に基づいて、その先端が平坦な他のパンチツールを
用いて再びＵ字形状の溝を形成してもよい。この溝の深
さは、転写のためＶ字形溝の場合と同程度とすることが
好ましい。しかし、溝の形態が底面が平坦なものであっ
てもこれに配置される金属コア１１は依然として球形の
ものである。このようにＵ字形溝を用いる場合、球形の
金属コア１１を図１（ｃ）に示すように容易に配置した
後、図１（ｅ）に示すようにボンディングツール１５で
押えて球形の金属コア１１を図３に示すように直方体状
に歪ませるとともに、インナーリード１３に転写させて
もよい。

【００５５】さらに他の方法としては、図１（ｅ）に示
すように、バンプ転写されたインナーリード１３を、図
３に示す底面が平坦な溝１６を有する基板１８に対向さ
せ、ボンディングツール１５を用いてリード上部を押し
て圧力を加えることにより、転写された金属コア１１の
下部を平坦とすることを挙げることができる。

【００５６】その後、前記方法の場合、いずれも図２に
示すメッキ工程を経て安定化させることができる。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
バンプが転写されたインナーリードの製作が簡単にな
り、工程が単純化して、大規模な設備を必要とすること
がなく、かつ、一括工程の採用が可能となり、また、使
用材料面においてもコスト低減を図ることができる。ま
た、バンプリード全体を導電性物質でメッキして結合自
体をより堅固にしチップパッドとのボンディング結合を
良好にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例におけるＴＡＢ工程のバンプ転
写方法を模式的に示す工程図である。

【図２】本発明の実施例における、金属コアがバンプ転
写されたインナーリードがメッキされた状態を模式的に
示す断面図である。

【図３】本発明の他の実施例を模式的に示す断面図であ
る。

【図４】従来技術におけるＴＡＢ工程のバンプ形成およ
び転写方法を模式的に示す工程図である。

【符号の説明】

８，１８…基板 ９…パンチツール １０，１６…溝 １１…金属コア １２…スクイズ １３…インナーリード １５…ボンディングツール

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 金属基板表面の所定位置に、一以上の溝
   を形成する工程；前記各溝内に一つの金属コアをそれぞ
   れ配置する工程；一以上のリードを有するテープを、前
   記各リードが前記溝に配置した各金属コアと対向するよ
   うに、整列させる工程；および前記リードを前記金属コ
   アに熱圧着して、前記金属コアを前記リードに転写させ
   る工程を含むことを特徴とするテープ自動ボンディング
   のバンプ転写方法。
2. 【請求項２】 前記金属基板表面に形成される溝の形状
   が、Ｖ字形、または底面が平坦なＵ字形であることを特
   徴とする請求項１に記載のテープ自動ボンディングのバ
   ンプ転写方法。
3. 【請求項３】 前記各溝の深さが、前記金属コアの直径
   より小さいことを特徴とする請求項１又は２に記載のテ
   ープ自動ボンディングのバンプ転写方法。
4. 【請求項４】 前記底面が平坦なＵ字形の溝が、先ずＶ
   字形溝を形成した後、底面が平坦なパンチツールを用い
   て形成されたものであることを特徴とする請求項２又は
   ３に記載のテープ自動ボンディングのバンプ転写方法。
5. 【請求項５】 前記リードを前記金属コアに熱圧着する
   前に、前記溝から前記金属コアを容易に離脱させるた
   め、前記溝の内面にコーティング膜を形成する工程をさ
   らに含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項
   に記載のテープ自動ボンディングのバンプ転写方法。
6. 【請求項６】 前記コーティング膜が、セラミック、Ｓ
   ｉＣおよびＳｉ₃ Ｎ₄ よりなる群から選択される一以上
   の材料からなることを特徴とする請求項５に記載のテー
   プ自動ボンディングのバンプ転写方法。
7. 【請求項７】 前記金属コアを前記リードに転写させた
   後に、前記金属コアが転写されたリードを、メッキ物質
   でコーティングする工程をさらに含むことを特徴とする
   請求項１〜６のいずれか１項に記載のテープ自動ボンデ
   ィングのバンプ転写方法。
8. 【請求項８】 前記メッキ物質によるコーティングが、
   電気メッキまたは無電解メッキによるものであることを
   特徴とする請求項７に記載のテープ自動ボンディングの
   バンプ転写方法。
9. 【請求項９】 前記メッキ物質が、Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，
   Ｓｎ，Ｐｂ、半田、またはこれらの合金からなることを
   特徴とする請求項７又は８に記載のテープ自動ボンディ
   ングのバンプ転写方法。
10. 【請求項１０】 前記メッキ物質によるコーティング工
    程の前に、前記金属コアが転写されたリードを、前記基
    板に形成された底面が平坦なＵ字形の溝に対向させた後
    に圧着し、前記転写された金属コアの下部を平坦にする
    工程をさらに含むことを特徴とする請求項７〜９のいず
    れか１項に記載のテープ自動ボンディングのバンプ転写
    方法。
11. 【請求項１１】 前記金属コアを各溝内に配置する工程
    が、多数の金属コアを前記基板表面に位置させる工程
    と、スクイズを用いて左右にスクリーニングする工程と
    からなることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１
    項に記載のテープ自動ボンディングのバンプ転写方法。
12. 【請求項１２】 前記金属コアが、ニッケル、Ｐｄ、お
    よびＡｇよりなる群から選択される一以上の金属の単体
    又はその合金からなることを特徴とする請求項１〜１１
    のいずれか１項に記載のテープ自動ボンディングのバン
    プ転写方法。
13. 【請求項１３】 前記金属コアが、エアブローイング法
    により作製され、かつ、スクリーニングされたものであ
    ることを特徴とする請求項１２に記載のテープ自動ボン
    ディングのバンプ転写方法。
14. 【請求項１４】 前記リードが、Ｃｕ，Ｓｎ、またはＡ
    ｕをメッキしたＣｕからなることを特徴とする請求項１
    〜１３のいずれか１項に記載のテープ自動ボンディング
    のバンプ転写方法。
15. 【請求項１５】 前記金属基板が、ステンレス鋼からな
    ることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記
    載のテープ自動ボンディングのバンプ転写方法。
16. 【請求項１６】 表面に少なくとも一以上の溝を形成し
    た基板を用意する工程；ほぼ球形の多数の導電性コアを
    用意する工程；前記基板の各溝内に前記導電性コアを配
    置する工程；一以上のインナーリードを有するテープを
    各インナーリードが前記コアと対向するように整列させ
    る工程；前記インナーリードを前記コアに熱圧着して、
    前記金属コアを前記インナーリードに転写させる工程；
    および前記コアが転写されたインナーリードを、メッキ
    物質でコーティングする工程を含むことを特徴とするバ
    ンプリードの製造方法。
17. 【請求項１７】 前記コーティング工程の前に、前記球
    形状コアが転写されたリードを、平坦な基板に対向させ
    た後、平坦なツールで押えて、前記転写された球形状コ
    アの下部を平坦にする工程をさらに含むことを特徴とす
    る請求項１６に記載のバンプリードの製造方法。
18. 【請求項１８】 前記インナーリードを前記コアに熱圧
    着する前に、前記リードに圧着された前記コアが前記溝
    から容易に離脱できるように、前記基板の溝の表面にコ
    ーティング膜をＣＶＤまたはアーク放電により形成する
    工程をさらに含むことを特徴とする請求項１６または１
    ７に記載のバンプリードの製造方法。
19. 【請求項１９】 前記導電性コアが、ニッケル、Ｐｄ、
    およびＡｇよりなる群から選択される一以上の金属の単
    体またはその合金からなることを特徴とする請求項１６
    〜１８のいずれか１項に記載のバンプリードの製造方
    法。
20. 【請求項２０】 前記基板がステンレス鋼からなること
    を特徴とする請求項１６〜１９のいずれか１項に記載の
    バンプリードの製造方法。
21. 【請求項２１】 前記メッキ物質が、Ａｕ，Ｐｔ，Ｐ
    ｄ，Ｓｎ，Ｐｂ、半田、またはこれらの合金からなるこ
    とを特徴とする請求項１６〜２０のいずれか１項に記載
    のバンプリードの製造方法。