JPH0684817A - 洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents
洗浄装置及び洗浄方法Info
- Publication number
- JPH0684817A JPH0684817A JP23342892A JP23342892A JPH0684817A JP H0684817 A JPH0684817 A JP H0684817A JP 23342892 A JP23342892 A JP 23342892A JP 23342892 A JP23342892 A JP 23342892A JP H0684817 A JPH0684817 A JP H0684817A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chloroform
- temperature
- diffusion furnace
- tube
- cleaning
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 拡散炉内にチューブ、ボート等を装着したま
まクロロホルムを用いたガスで洗浄効果を得る。 【構成】 バブラー９内にはサーモウェルが設けあり、
ここに温度センサー１１を設置する。バブラー９は温度
制御装置１３で制御される恒温槽１０内に設置され、サ
ーモウェル内に設置された温度センサー１１でフィード
バック管理されている。バブリングは窒素をキャリアガ
スとして用いる。温度とキャリアガスの流量からクロロ
ホルム８の発生量が決定される。この関係はマイクロコ
ンピューター１２により記憶される。
まクロロホルムを用いたガスで洗浄効果を得る。 【構成】 バブラー９内にはサーモウェルが設けあり、
ここに温度センサー１１を設置する。バブラー９は温度
制御装置１３で制御される恒温槽１０内に設置され、サ
ーモウェル内に設置された温度センサー１１でフィード
バック管理されている。バブリングは窒素をキャリアガ
スとして用いる。温度とキャリアガスの流量からクロロ
ホルム８の発生量が決定される。この関係はマイクロコ
ンピューター１２により記憶される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は洗浄装置及び洗浄方法に
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来の拡散炉におけるチューブ、
カンチレバー、ペデスタル、ボート等の洗浄装置及び洗
浄方法について説明する。
カンチレバー、ペデスタル、ボート等の洗浄装置及び洗
浄方法について説明する。
【０００３】まずチューブ内からカンチレバー、ペデス
タル、ボート等を取り出し、次に拡散炉内からチューブ
を引き出す。それからチューブが完全にはいる大きさの
槽に水と弗酸の混合液を満たし、これにチューブその他
を浸すことにより洗浄する。そうやってチューブ、カン
チレバー、ペデスタル、ボート等の表面を弗酸液でエッ
チングすることにより、浄化する。その後、またもとの
ようにチューブを拡散炉に装着し、カンチレバー、ペデ
スタル、ボート等をセットしていた。
タル、ボート等を取り出し、次に拡散炉内からチューブ
を引き出す。それからチューブが完全にはいる大きさの
槽に水と弗酸の混合液を満たし、これにチューブその他
を浸すことにより洗浄する。そうやってチューブ、カン
チレバー、ペデスタル、ボート等の表面を弗酸液でエッ
チングすることにより、浄化する。その後、またもとの
ようにチューブを拡散炉に装着し、カンチレバー、ペデ
スタル、ボート等をセットしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、洗浄の度に毎回拡散炉内からチューブ等
を取り外し、洗浄後にまた装着する必要があったので、
拡散炉の稼働率の低下という問題があった。また、装着
の際に汚染や発塵の可能性もあった。
来の構成では、洗浄の度に毎回拡散炉内からチューブ等
を取り外し、洗浄後にまた装着する必要があったので、
拡散炉の稼働率の低下という問題があった。また、装着
の際に汚染や発塵の可能性もあった。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、拡散炉内にチューブその他を装着したまま洗浄する
ことのできる半導体装置の洗浄方法および洗浄装置を提
供することを目的とする。
で、拡散炉内にチューブその他を装着したまま洗浄する
ことのできる半導体装置の洗浄方法および洗浄装置を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明の洗浄装置は、拡散炉と、前記拡散炉に接
続された第１のガス配管と、前記第１のガス配管の少な
くとも一部にクロロホルムを供給する第２の配管が備え
られ、前記クロロホルムが恒温槽に貯めてあり、その中
に前記クロロホルムの温度を測定する温度センサーが設
置され、前記温度センサーの値にしたがって前記恒温槽
の温度と前記クロロホルムの流量とを制御する。
めに、本発明の洗浄装置は、拡散炉と、前記拡散炉に接
続された第１のガス配管と、前記第１のガス配管の少な
くとも一部にクロロホルムを供給する第２の配管が備え
られ、前記クロロホルムが恒温槽に貯めてあり、その中
に前記クロロホルムの温度を測定する温度センサーが設
置され、前記温度センサーの値にしたがって前記恒温槽
の温度と前記クロロホルムの流量とを制御する。
【０００７】また、上記問題点を解決するために、本発
明の洗浄方法は、高温に加熱された拡散炉中に酸素と窒
素をキャリアガスとするクロロホルムを供給した後、前
記拡散炉を窒素でパージする。
明の洗浄方法は、高温に加熱された拡散炉中に酸素と窒
素をキャリアガスとするクロロホルムを供給した後、前
記拡散炉を窒素でパージする。
【０００８】
【作用】この構成によって、クロロホルムは酸化性雰囲
気中の酸素とＣＨＣｌ3＋Ｏ2→ＨＣｌ＋Ｃｌ2＋ＣＯ2な
る反応を生じ、酸化炉内でＨＣｌおよびＣｌ2が形成さ
れるためチューブ内に存在するＮａ+などのアルカリイ
オンおよびＦｅ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ等の重金属は塩化物
となり電気的に不活性化されるか、塩化物として蒸発す
るため、これらの不純物による汚染を取り除くことがで
きる。
気中の酸素とＣＨＣｌ3＋Ｏ2→ＨＣｌ＋Ｃｌ2＋ＣＯ2な
る反応を生じ、酸化炉内でＨＣｌおよびＣｌ2が形成さ
れるためチューブ内に存在するＮａ+などのアルカリイ
オンおよびＦｅ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ等の重金属は塩化物
となり電気的に不活性化されるか、塩化物として蒸発す
るため、これらの不純物による汚染を取り除くことがで
きる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１０】図１は本発明の一実施例における半導体装
置の洗浄装置を示すものである。図１は、本発明の一実
施例として横型電気炉を用いた場合を示す。１はヒータ
ー、２はヒーター１内に設置されたプロセスチューブ、
そしてペデスタル３、ボート４、カンチレバー５はそれ
ぞれプロセスチューブ２内に設置されている。クロロホ
ルム（ＣＨＣｌ3）８は純度９９．９９９９９％のもの
を高純度低アルカリ合成石英製のバブラー９に充填して
使用する。このバブラー９内にはサーモウェルが設けて
あり、ここに温度センサー１１を配置する。バブラー９
は温度制御装置１３で制御される恒温槽１０内に設置さ
れ、サーモウェル内に配置された温度センサー１１でフ
ィードバック管理されている。この時温度は２０±０．
５℃に温度管理されている。バブリングは窒素をキャリ
アガスとして用いる。温度とキャリアガスの流量からク
ロロホルム８の発生量が決定される。この関係はマイク
ロコンピューター１２により記憶され、温度センサー１
１により測定された恒温槽内の温度が変化した場合直ち
にキャリアガスのマスフローコントローラー７にフィー
ドバックされ常に発生量は一定に制御される。このクロ
ロホルム８を含んだキャリアガスは２５℃で、酸素ガス
８．０００cc／分と混合され、ガス導入口６よりプロセ
スチューブ２内に導入される。チューブ２内でクロロホ
ルム８は熱分解を生じＨＣｌ、Ｃｌ2と炭酸ガスとな
る。
置の洗浄装置を示すものである。図１は、本発明の一実
施例として横型電気炉を用いた場合を示す。１はヒータ
ー、２はヒーター１内に設置されたプロセスチューブ、
そしてペデスタル３、ボート４、カンチレバー５はそれ
ぞれプロセスチューブ２内に設置されている。クロロホ
ルム（ＣＨＣｌ3）８は純度９９．９９９９９％のもの
を高純度低アルカリ合成石英製のバブラー９に充填して
使用する。このバブラー９内にはサーモウェルが設けて
あり、ここに温度センサー１１を配置する。バブラー９
は温度制御装置１３で制御される恒温槽１０内に設置さ
れ、サーモウェル内に配置された温度センサー１１でフ
ィードバック管理されている。この時温度は２０±０．
５℃に温度管理されている。バブリングは窒素をキャリ
アガスとして用いる。温度とキャリアガスの流量からク
ロロホルム８の発生量が決定される。この関係はマイク
ロコンピューター１２により記憶され、温度センサー１
１により測定された恒温槽内の温度が変化した場合直ち
にキャリアガスのマスフローコントローラー７にフィー
ドバックされ常に発生量は一定に制御される。このクロ
ロホルム８を含んだキャリアガスは２５℃で、酸素ガス
８．０００cc／分と混合され、ガス導入口６よりプロセ
スチューブ２内に導入される。チューブ２内でクロロホ
ルム８は熱分解を生じＨＣｌ、Ｃｌ2と炭酸ガスとな
る。
【００１１】図２は本発明の一実施例における半導体装
置の洗浄シーケンスを示すものである。まず、炉にチュ
ーブ２およびボート４をセットしたまま窒素、酸素雰囲
気で約１時間９００℃に加熱する。この時の、窒素の流
量は約１２ｌ／minで、酸素の流量は約４ｌ／minであ
る。次に酸素、クロロホルム８雰囲気で１時間１５分ほ
どで１２００℃に昇温する。この時のクロロホルム８の
流量は、例えば３００cc／minとし、キャリアガスとし
ては窒素を用いる。それから、酸素、クロロホルム８雰
囲気で同じ流量にて１２００℃の状態を約５時間ほど保
つ。その後、その温度のまま、約３０分間酸素のみを流
す。さらにその後、同じ温度のまま約５時間ほど流量約
１２ｌ／minの窒素を流す。後は、この窒素雰囲気のま
ま約２時間３０分ほどかけて９００℃に降温する。
置の洗浄シーケンスを示すものである。まず、炉にチュ
ーブ２およびボート４をセットしたまま窒素、酸素雰囲
気で約１時間９００℃に加熱する。この時の、窒素の流
量は約１２ｌ／minで、酸素の流量は約４ｌ／minであ
る。次に酸素、クロロホルム８雰囲気で１時間１５分ほ
どで１２００℃に昇温する。この時のクロロホルム８の
流量は、例えば３００cc／minとし、キャリアガスとし
ては窒素を用いる。それから、酸素、クロロホルム８雰
囲気で同じ流量にて１２００℃の状態を約５時間ほど保
つ。その後、その温度のまま、約３０分間酸素のみを流
す。さらにその後、同じ温度のまま約５時間ほど流量約
１２ｌ／minの窒素を流す。後は、この窒素雰囲気のま
ま約２時間３０分ほどかけて９００℃に降温する。
【００１２】以上のように本実施例によれば、酸素、ク
ロロホルム８の混合雰囲気のまま１２００℃で約５時間
加熱したことによりチューブ２内および、ボート４の洗
浄をすることが可能となる。
ロロホルム８の混合雰囲気のまま１２００℃で約５時間
加熱したことによりチューブ２内および、ボート４の洗
浄をすることが可能となる。
【００１３】なお、上記実施例ではクロロホルムの流量
を約３００cc／min、加熱温度を１２００℃、加熱時間
を１時間１５分としたが、これらの代わりに適当な流
量、加熱温度、加熱時間を用いてもよい。また、上記実
施例では、横型電気炉を例にとったが、ホットウォール
型縦型電気炉及びランプ加熱によるコールドウォール型
のラピッドサーマルプロセス装置においても、クロロホ
ルムを用いて洗浄を行うことにより同様の結果が得られ
ることは言うまでもない。
を約３００cc／min、加熱温度を１２００℃、加熱時間
を１時間１５分としたが、これらの代わりに適当な流
量、加熱温度、加熱時間を用いてもよい。また、上記実
施例では、横型電気炉を例にとったが、ホットウォール
型縦型電気炉及びランプ加熱によるコールドウォール型
のラピッドサーマルプロセス装置においても、クロロホ
ルムを用いて洗浄を行うことにより同様の結果が得られ
ることは言うまでもない。
【００１４】
【発明の効果】本発明は、以上のようにクロロホルムを
用いた洗浄装置を設けることにより、拡散炉のチュー
ブ、カンチレバー、ペデスタル、ボート等を洗浄するこ
とができる優れた洗浄方法を実現できるものである。
用いた洗浄装置を設けることにより、拡散炉のチュー
ブ、カンチレバー、ペデスタル、ボート等を洗浄するこ
とができる優れた洗浄方法を実現できるものである。
【図１】本発明の一実施例における洗浄装置の概略図
【図２】本発明の一実施例における洗浄方法のガスダイ
アグラムを示す図
アグラムを示す図
１ ヒーター ２ チューブ ３ ペデスタル ４ ボート ５ カンチレバー ６ ガス導入口 ７ マスフローコントローラー ８ クロロホルム ９ バブラー １０ 恒温槽 １１ 温度センサー １２ マスフロー制御流量演算 １３ 温度制御装置
Claims (2)
- 【請求項１】拡散炉と、前記拡散炉に接続された第１の
ガス配管と、前記第１のガス配管の少なくとも一部にク
ロロホルムを供給する第２の配管が備えられ、前記クロ
ロホルムが恒温槽に貯めてあり、その中に前記クロロホ
ルムの温度を測定する温度センサーが設置され、前記温
度センサーの値にしたがって前記恒温槽の温度と前記ク
ロロホルムの流量とを制御することを特徴とする洗浄装
置。 - 【請求項２】高温に加熱された拡散炉中に酸素と窒素を
キャリアガスとするクロロホルムを供給した後、前記拡
散炉を窒素でパージすることを特徴とする洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23342892A JPH0684817A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23342892A JPH0684817A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684817A true JPH0684817A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16954895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23342892A Pending JPH0684817A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684817A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1172610A1 (en) | 2000-07-13 | 2002-01-16 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Fuel nozzle for premix turbine combustor |
| CN114737255A (zh) * | 2021-01-07 | 2022-07-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种扩散炉氮化工艺的残留物清除方法 |
-
1992
- 1992-09-01 JP JP23342892A patent/JPH0684817A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1172610A1 (en) | 2000-07-13 | 2002-01-16 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Fuel nozzle for premix turbine combustor |
| CN114737255A (zh) * | 2021-01-07 | 2022-07-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种扩散炉氮化工艺的残留物清除方法 |
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