JPH0683048B2 - 発光素子駆動回路 - Google Patents
発光素子駆動回路Info
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- JPH0683048B2 JPH0683048B2 JP61235001A JP23500186A JPH0683048B2 JP H0683048 B2 JPH0683048 B2 JP H0683048B2 JP 61235001 A JP61235001 A JP 61235001A JP 23500186 A JP23500186 A JP 23500186A JP H0683048 B2 JPH0683048 B2 JP H0683048B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ディジタル光通信において用いられる発光素
子の立上り、立下り特性を改善した発光素子駆動回路に
関するものである。
子の立上り、立下り特性を改善した発光素子駆動回路に
関するものである。
［従来の技術］ 第３図は、例えば「民需向け光ファイバ伝送用送受信モ
ジュールが低価格から高機能品までそろう」（日経エレ
クトロニクス、1983年７月18日号P143）に示された従来
の発光素子駆動回路で、図において、１はエミッタホロ
ワトランジスタ、２はこのエミッタホロワトランジスタ
１のエミッタとアースとの間に接続されている発光素
子、23は変調信号の反転信号を出力するナンドゲート、
24はナンドゲート23の出力と上記エミッタホロワトラン
ジスタ１のベースとの間に接続されているコンデンサ、
25はナンドゲート23の出力のエミッタホロワトランジス
タ１のベースとの間に上記コンデンサ24と並列に接続さ
れている抵抗、26はナンドゲート23の出力とエミッタホ
ロワトランジスタ１のエミッタとの間に設けられたダイ
オードであり、エミッタホロワトランジスタ１のエミッ
タからナンドゲート23の出力に向かう方向が順方向とな
るように接続されている。27は電源とエミッタホロワト
ランジスタ１のコレクタとの間に接続されている抵抗で
ある。
ジュールが低価格から高機能品までそろう」（日経エレ
クトロニクス、1983年７月18日号P143）に示された従来
の発光素子駆動回路で、図において、１はエミッタホロ
ワトランジスタ、２はこのエミッタホロワトランジスタ
１のエミッタとアースとの間に接続されている発光素
子、23は変調信号の反転信号を出力するナンドゲート、
24はナンドゲート23の出力と上記エミッタホロワトラン
ジスタ１のベースとの間に接続されているコンデンサ、
25はナンドゲート23の出力のエミッタホロワトランジス
タ１のベースとの間に上記コンデンサ24と並列に接続さ
れている抵抗、26はナンドゲート23の出力とエミッタホ
ロワトランジスタ１のエミッタとの間に設けられたダイ
オードであり、エミッタホロワトランジスタ１のエミッ
タからナンドゲート23の出力に向かう方向が順方向とな
るように接続されている。27は電源とエミッタホロワト
ランジスタ１のコレクタとの間に接続されている抵抗で
ある。
上記抵抗25は、上記エミッタホロワトランジスタ１が導
通状態にあるとき、電流増幅率が低下することによりナ
ンドゲート23から過大電流が流れ出すことを防ぐために
設けられているものである。また、コンデンサ24の値
は、エミッタホロワトランジスタ１の導通時の入力抵
抗、入力容量をそれぞれRin,Cinとして、コンデンサ2
4、抵抗25をそれぞれC,Rとしたとき、 CR＝Cin・Rin ……（１） となるように決定される。
通状態にあるとき、電流増幅率が低下することによりナ
ンドゲート23から過大電流が流れ出すことを防ぐために
設けられているものである。また、コンデンサ24の値
は、エミッタホロワトランジスタ１の導通時の入力抵
抗、入力容量をそれぞれRin,Cinとして、コンデンサ2
4、抵抗25をそれぞれC,Rとしたとき、 CR＝Cin・Rin ……（１） となるように決定される。
このコンデンサ24は、抵抗25とエミッタホロワトランジ
スタ１の入力容量でナンドゲート23の出力の立上りがな
まることによる発光素子出力の立上りの劣化を防ぐため
のものである。
スタ１の入力容量でナンドゲート23の出力の立上りがな
まることによる発光素子出力の立上りの劣化を防ぐため
のものである。
また、ダイオード26は、ナンドゲート23が立ち下がると
導通状態になるため、発光素子２及びエミッタホロワト
ランジスタ１に蓄積された電荷を急速に放電する。すな
わちダイオード26は、発光素子駆動電圧をダイオード26
の導通時のアノード電位VD1まで強制的に立ち下げるも
のであり、発光素子出力の立下り劣化を防ぐために設け
られているものである。
導通状態になるため、発光素子２及びエミッタホロワト
ランジスタ１に蓄積された電荷を急速に放電する。すな
わちダイオード26は、発光素子駆動電圧をダイオード26
の導通時のアノード電位VD1まで強制的に立ち下げるも
のであり、発光素子出力の立下り劣化を防ぐために設け
られているものである。
第４図は第３図における発光素子駆動回路の各部波形図
であり、図において、28は発光素子の端子間電圧（以
下、発光素子駆動電圧と略す）、29は発光素子のスイッ
チング電圧レベル（すなわち閾値レベル）、30はアース
電圧、31は発光素子駆動電流、32は発光素子光出力であ
る。
であり、図において、28は発光素子の端子間電圧（以
下、発光素子駆動電圧と略す）、29は発光素子のスイッ
チング電圧レベル（すなわち閾値レベル）、30はアース
電圧、31は発光素子駆動電流、32は発光素子光出力であ
る。
尚、第４図中において、点線で示している立下り線はダ
イオード26を備えていない場合の立下り特性を示すもの
であり、実線はダイオード26を備えている場合の立下り
特性を示している。
イオード26を備えていない場合の立下り特性を示すもの
であり、実線はダイオード26を備えている場合の立下り
特性を示している。
次に動作について説明する。
変調信号はナンドゲート23で反転され、この反転出力に
よってエミッタホロワトランジスタ１を駆動する。エミ
ッタホロワトランジスタ１は飽和スイッチングを行い、
ナンドゲート23の出力が“H"となるとき導通し、出力が
“L"となるとき非導通となる。このように、エミッタホ
ロワトランジスタ１の飽和スイッチングにより、エミッ
タホロワトランジスタ１のエミッタとアースとの間に接
続された発光素子２の光出力が制御される。
よってエミッタホロワトランジスタ１を駆動する。エミ
ッタホロワトランジスタ１は飽和スイッチングを行い、
ナンドゲート23の出力が“H"となるとき導通し、出力が
“L"となるとき非導通となる。このように、エミッタホ
ロワトランジスタ１の飽和スイッチングにより、エミッ
タホロワトランジスタ１のエミッタとアースとの間に接
続された発光素子２の光出力が制御される。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記従来の発光素子駆動回路においては、第４図（ｃ）
に示すように、ダイオード26がない場合に比べてダイオ
ード26がある場合は、発光素子光出力32の立下り速度が
改善される。
に示すように、ダイオード26がない場合に比べてダイオ
ード26がある場合は、発光素子光出力32の立下り速度が
改善される。
しかしながら、ダイオード26の導通時のアノード電位V
D1と発光素子スイッチング電圧VDFとの差を大きく取れ
ず、発光素子駆動電圧28の低下とともに発光素子２の内
部抵抗も増加するため、発光素子２の蓄積キャリアの放
電時間を決める発光素子駆動電流31の立下りの振り込み
量ｗを充分大きく取れず、発光素子光出力32の立下りに
すそ引きが残る問題点がある。
D1と発光素子スイッチング電圧VDFとの差を大きく取れ
ず、発光素子駆動電圧28の低下とともに発光素子２の内
部抵抗も増加するため、発光素子２の蓄積キャリアの放
電時間を決める発光素子駆動電流31の立下りの振り込み
量ｗを充分大きく取れず、発光素子光出力32の立下りに
すそ引きが残る問題点がある。
また、発光素子光出力32の立上り時においても、発光素
子２の応答速度で制限される立下り時間を超えた部分の
改善を行う対策が取られていない問題点がある。
子２の応答速度で制限される立下り時間を超えた部分の
改善を行う対策が取られていない問題点がある。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、発光素子の光出力の立上り、立下りの高速化
が図れるとともに、光出力の立上り、立下り動作をスム
ーズに行せることができ、しかも立上り、立下り速度の
調整が容易に行える発光素子駆動回路を得ることを目的
とする。
たもので、発光素子の光出力の立上り、立下りの高速化
が図れるとともに、光出力の立上り、立下り動作をスム
ーズに行せることができ、しかも立上り、立下り速度の
調整が容易に行える発光素子駆動回路を得ることを目的
とする。
［問題点を解決するための手段］ 本発明の発光素子駆動回路は、エミッタホロワトランジ
スタと、このエミッタホロワトランジスタのエミッタに
接続された発光素子と、ベースに変調信号が供給され、
コレクタが上記エミッタホロワトランジスタのベース
に、また、抵抗を介して上記エミッタホロワトランジス
タのコレクタに接続されて成り、上記変調信号に基づい
て上記エミッタホロワトランジスタのエミッタに上記発
光素子の駆動電圧を発生させ、エミッタ電流を駆動電流
として発光素子に供給する第１のエミッタ接地トランジ
スタと、上記変調信号の立上り点においてパルスを出力
する立下り点検出回路と、ベースにこの立下り点検出回
路の出力が供給され、コレクタが上記第１のエミッタ接
地のトランジスタのコレクタに接続された第２のエミッ
タ接地トランジスタとより成り、変調信号の立下り点
で、上記立下り点検出回路の出力及び上記抵抗により発
生する所定の電圧を上記駆動電圧に加える立下り電圧供
給回路と、上記変調信号の立上り点においてパルスを出
力する立上り点検出回路と、ベースにこの立上り点検出
回路の出力が供給され、コレクタが上記エミッタホロワ
トランジスタのエミッタ及び発光素子に接続された第３
のエミッタ接地トランジスタとより成り、変調信号の立
上り点で、上記第３のエミッタ接地トランジスタにコレ
クタ電流を流す立上り電流供給回路と、上記発光素子の
カソードに接続され、上記エミッタホロワトランジスタ
のコレクタ電位より所定電位以上低くて上記第３エミッ
タ接地のトランジスタのエミッタ電位より所定電位以上
高い電圧を出力する電源回路と、上記各エミッタ接地ト
ランジスタのエミッタとアースとの間に接続された抵抗
とを備えて成るものである。
スタと、このエミッタホロワトランジスタのエミッタに
接続された発光素子と、ベースに変調信号が供給され、
コレクタが上記エミッタホロワトランジスタのベース
に、また、抵抗を介して上記エミッタホロワトランジス
タのコレクタに接続されて成り、上記変調信号に基づい
て上記エミッタホロワトランジスタのエミッタに上記発
光素子の駆動電圧を発生させ、エミッタ電流を駆動電流
として発光素子に供給する第１のエミッタ接地トランジ
スタと、上記変調信号の立上り点においてパルスを出力
する立下り点検出回路と、ベースにこの立下り点検出回
路の出力が供給され、コレクタが上記第１のエミッタ接
地のトランジスタのコレクタに接続された第２のエミッ
タ接地トランジスタとより成り、変調信号の立下り点
で、上記立下り点検出回路の出力及び上記抵抗により発
生する所定の電圧を上記駆動電圧に加える立下り電圧供
給回路と、上記変調信号の立上り点においてパルスを出
力する立上り点検出回路と、ベースにこの立上り点検出
回路の出力が供給され、コレクタが上記エミッタホロワ
トランジスタのエミッタ及び発光素子に接続された第３
のエミッタ接地トランジスタとより成り、変調信号の立
上り点で、上記第３のエミッタ接地トランジスタにコレ
クタ電流を流す立上り電流供給回路と、上記発光素子の
カソードに接続され、上記エミッタホロワトランジスタ
のコレクタ電位より所定電位以上低くて上記第３エミッ
タ接地のトランジスタのエミッタ電位より所定電位以上
高い電圧を出力する電源回路と、上記各エミッタ接地ト
ランジスタのエミッタとアースとの間に接続された抵抗
とを備えて成るものである。
［作用］ 立下り電圧供給回路により、変調信号の立下り点で、エ
ミッタホロワトランジスタのエミッタに駆動電圧＋所定
電圧を発生させる。
ミッタホロワトランジスタのエミッタに駆動電圧＋所定
電圧を発生させる。
立下り電流供給回路により、駆動電圧の立上り点で、第
３のエミッタ接地トランジスタのコレクタ電流を流し
て、発光素子の接合部に蓄積した電荷を吸い出す。
３のエミッタ接地トランジスタのコレクタ電流を流し
て、発光素子の接合部に蓄積した電荷を吸い出す。
第１、第２のエミッタ接地トランジスタのエミッタとア
ースとの間に接続されている抵抗の値を調整して、発光
素子の立上り時間を調整する。立下りに要する時間は、
第３のエミッタ接地トランジスタのエミッタに取付けた
抵抗の値を変えることで調整する。
ースとの間に接続されている抵抗の値を調整して、発光
素子の立上り時間を調整する。立下りに要する時間は、
第３のエミッタ接地トランジスタのエミッタに取付けた
抵抗の値を変えることで調整する。
また、電源回路は発光素子のアノード側に周波数特性の
ない電圧を印加するものである。
ない電圧を印加するものである。
［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は、本発明による発光素子駆動回路の一実施例を
示す。
示す。
図において、１はエミッタホロワトランジスタ、２は発
光素子であり、エミッタホロワトランジスタ１のエミッ
タに接続されている。３は第１のエミッタ接地トランジ
スタであり、これは、ベースに変調信号が供給され、コ
レクタがエミッタホロワトランジスタ１のベースに接続
されるとともに、抵抗８をエミッタホロワトランジスタ
１のコレクタに接続され、エミッタとアースとの間には
抵抗９が接続されている。
光素子であり、エミッタホロワトランジスタ１のエミッ
タに接続されている。３は第１のエミッタ接地トランジ
スタであり、これは、ベースに変調信号が供給され、コ
レクタがエミッタホロワトランジスタ１のベースに接続
されるとともに、抵抗８をエミッタホロワトランジスタ
１のコレクタに接続され、エミッタとアースとの間には
抵抗９が接続されている。
６は変調信号の立下り点において立下るパルスを出力す
る立下り点検出回路である。４は第２のエミッタ接地ト
ランジスタであり、これはベースに上記立下り点検出回
路６の出力が供給され、コレクタが第１のエミッタ接地
トランジスタ３のコレクタに接続され、エミッタとアー
スとの間に抵抗10が接続されている。この立下り点検出
回路６と第２のエミッタ接地トランジスタ４とで、立下
り電圧供給回路1Aを構成している。
る立下り点検出回路である。４は第２のエミッタ接地ト
ランジスタであり、これはベースに上記立下り点検出回
路６の出力が供給され、コレクタが第１のエミッタ接地
トランジスタ３のコレクタに接続され、エミッタとアー
スとの間に抵抗10が接続されている。この立下り点検出
回路６と第２のエミッタ接地トランジスタ４とで、立下
り電圧供給回路1Aを構成している。
７は変調信号の立下り点において立上るパルスを出力す
る立上り点検出回路である。５は第３のエミッタ接地ト
ランジスタであり、これは、ベースに上記立上り点検出
回路７の出力が供給され、コレクタがエミッタホロワト
ランジスタ１のエミッタ及び発光素子２に接続され、エ
ミッタとアースとの間に抵抗11が接続されている。上記
立上り点検出回路７と第３のエミッタ接地トランジスタ
５とで、立上り電流供給回路1Bを構成している。
る立上り点検出回路である。５は第３のエミッタ接地ト
ランジスタであり、これは、ベースに上記立上り点検出
回路７の出力が供給され、コレクタがエミッタホロワト
ランジスタ１のエミッタ及び発光素子２に接続され、エ
ミッタとアースとの間に抵抗11が接続されている。上記
立上り点検出回路７と第３のエミッタ接地トランジスタ
５とで、立上り電流供給回路1Bを構成している。
上記発光素子２は、アノードが、抵抗12とコンデンサ13
の並列回路を介して、エミッタホロワトランジスタ１の
エミッタと第３のエミッタ接地トランジスタ５のコレク
タとに接続されている。また、この発光素子２のカソー
ドには電源回路14が接続されている。この電源回路14
は、エミッタホロワトランジスタ１のコレクタ電位より
0.7V以上低くて第３のエミッタ接地トランジスタ５のエ
ミッタ電位より0.7V以上高い電圧を出力するものであ
る。
の並列回路を介して、エミッタホロワトランジスタ１の
エミッタと第３のエミッタ接地トランジスタ５のコレク
タとに接続されている。また、この発光素子２のカソー
ドには電源回路14が接続されている。この電源回路14
は、エミッタホロワトランジスタ１のコレクタ電位より
0.7V以上低くて第３のエミッタ接地トランジスタ５のエ
ミッタ電位より0.7V以上高い電圧を出力するものであ
る。
次に動作を第２図及び第１図に基づいて説明する。第２
図において、33は第１のエミッタ接地トランジスタ３の
ベース入力信号波形（以下、変調信号と略す。）、34は
第１のエミッタ接地トランジスタ３のコレクタ信号電
流、18Aは立下がり点検出回路６の出力、35は第２のエ
ミッタ接地トランジスタ４のコレクタ信号電流、15は発
光素子の端子間電圧（以下、発光素子駆動電圧と略
す。）、16は発光素子２のスイッチング電圧レベルVDF
（すなわち、しきい値レベル）、17は発光素子２のカソ
ード電圧レベル、19はエミッタホロワトランジスタ１の
エミッタ電流、18Bは立上がり点検出回路７の出力、20
は第３のエミッタ接地トランジスタ５のコレクタ信号電
流、21は発光素子２の駆動電流、22は発光素子の光出力
である。
図において、33は第１のエミッタ接地トランジスタ３の
ベース入力信号波形（以下、変調信号と略す。）、34は
第１のエミッタ接地トランジスタ３のコレクタ信号電
流、18Aは立下がり点検出回路６の出力、35は第２のエ
ミッタ接地トランジスタ４のコレクタ信号電流、15は発
光素子の端子間電圧（以下、発光素子駆動電圧と略
す。）、16は発光素子２のスイッチング電圧レベルVDF
（すなわち、しきい値レベル）、17は発光素子２のカソ
ード電圧レベル、19はエミッタホロワトランジスタ１の
エミッタ電流、18Bは立上がり点検出回路７の出力、20
は第３のエミッタ接地トランジスタ５のコレクタ信号電
流、21は発光素子２の駆動電流、22は発光素子の光出力
である。
なお、第２図において、t1〜t2及びt3〜t4で発光素子を
発光させる変調信号33が入力された場合について説明す
る。
発光させる変調信号33が入力された場合について説明す
る。
まず、発光素子の光出力の立上がり動作及び発光中の動
出を説明する。第１のエミッタ接地トランジスタ３は変
調信号33を信号電流に変換し、第１のエミッタ接地トラ
ジスタ３のコレクタ信号電流34を抵抗８に出力する。
出を説明する。第１のエミッタ接地トランジスタ３は変
調信号33を信号電流に変換し、第１のエミッタ接地トラ
ジスタ３のコレクタ信号電流34を抵抗８に出力する。
立下がり点検出回路６は、変調信号33の立下がり点に同
期して立下がり、持続時間td1［秒］だけLowレベルを保
持する立下がり点検出回路６の出力18Aを第２のエミッ
タ接地トランジスタ４へ出力する。この動作は、例えば
変調信号33をtd1［秒］だけ遅延させた信号と、変調信
号33の反転信号の論理積の反転信号をとることにより、
容易に実現できる。
期して立下がり、持続時間td1［秒］だけLowレベルを保
持する立下がり点検出回路６の出力18Aを第２のエミッ
タ接地トランジスタ４へ出力する。この動作は、例えば
変調信号33をtd1［秒］だけ遅延させた信号と、変調信
号33の反転信号の論理積の反転信号をとることにより、
容易に実現できる。
第２のエミッタ接地トランジスタ４は立下がり点検出回
路６の出力18Aを信号電流に変換し、第２のエミッタ接
地トランジスタ４のコレクタ信号電流35を抵抗８に出力
する。第２エミッタ接地トランジスタ４のコレクタ信号
電流35と第１のエミッタ接地トランジスタ３のコレクタ
信号電流34は抵抗８において電流加算される。従って、
変調信号33の立上がり点からtd1［秒］の間抵抗８に流
れる電流は最小になり、その後変調信号33が立上がる時
刻t2まで一定の電流が流れる。これに対して、エミッタ
ホロワトランジスタ１のエミッタに発生する発光素子駆
動電圧波形15は変調信号の立下がりにおいてV1、その後
一定の信号振幅V2を有する波形となる。エミッタホロワ
トランジスタ１のエミッタ電流19は発光素子駆動電圧15
の立上がり部のピーキングのため、先頭部ではI1、定常
状態でI2（I1＞I2）の電流を持つ波形となる。第３のエ
ミッタ接地トランジスタ５のコレクタから見たインピー
ダンスは充分高いので、エミッタホロワトランジスタ１
のエミッタ電流19は発光素子２に流れる。エミッタホロ
ワトランジスタ１のエミッタ電流19の立上がり部に生じ
たパルス電流I1は、発光素子２を定常電流I2より大きく
駆動することにより、発光素子の光出力22の立上がりを
高速化できる。ここにおいて、光出力電力は抵抗12で決
定され、コンデンサ13は発光素子２の寄生容量を補償し
ている。
路６の出力18Aを信号電流に変換し、第２のエミッタ接
地トランジスタ４のコレクタ信号電流35を抵抗８に出力
する。第２エミッタ接地トランジスタ４のコレクタ信号
電流35と第１のエミッタ接地トランジスタ３のコレクタ
信号電流34は抵抗８において電流加算される。従って、
変調信号33の立上がり点からtd1［秒］の間抵抗８に流
れる電流は最小になり、その後変調信号33が立上がる時
刻t2まで一定の電流が流れる。これに対して、エミッタ
ホロワトランジスタ１のエミッタに発生する発光素子駆
動電圧波形15は変調信号の立下がりにおいてV1、その後
一定の信号振幅V2を有する波形となる。エミッタホロワ
トランジスタ１のエミッタ電流19は発光素子駆動電圧15
の立上がり部のピーキングのため、先頭部ではI1、定常
状態でI2（I1＞I2）の電流を持つ波形となる。第３のエ
ミッタ接地トランジスタ５のコレクタから見たインピー
ダンスは充分高いので、エミッタホロワトランジスタ１
のエミッタ電流19は発光素子２に流れる。エミッタホロ
ワトランジスタ１のエミッタ電流19の立上がり部に生じ
たパルス電流I1は、発光素子２を定常電流I2より大きく
駆動することにより、発光素子の光出力22の立上がりを
高速化できる。ここにおいて、光出力電力は抵抗12で決
定され、コンデンサ13は発光素子２の寄生容量を補償し
ている。
次に消光時と立下がり動作を説明する。発光素子駆動電
圧15が発光素子２のスイッチング電圧レベルVDF16以下
となると、発光素子２の光出力は低下し、それと同時に
発光素子２のインピーダンスが高くなるため、エミッタ
ホロワトランジスタ１は遮断状態になる。この時、立上
がり点検出回路７は、変調信号33の立上がり点に同期し
て立上がり、持続時間td2［秒］だけHighレベルを保持
する立上がり点検出回路７の出力18Bを第３のエミッタ
接地トランジスタ５へ出力する。この動作は、例えば変
調信号33の反転信号をtd2［秒］だけ遅延させた信号
と、変調信号33の論理積をとることにより、容易に実現
できる。第３エミッタ接地トランジスタ５は立上がり点
検出回路７の出力18Bに発生するパルスにより、第３の
エミッタ接地トランジスタ５のコレクタ信号電流20には
電流値I3を有するパルス電流が発生し、これにより発光
素子２の接合部に蓄積した電荷を吸い出し、発光素子光
出力22の立下がりを高速化できる。
圧15が発光素子２のスイッチング電圧レベルVDF16以下
となると、発光素子２の光出力は低下し、それと同時に
発光素子２のインピーダンスが高くなるため、エミッタ
ホロワトランジスタ１は遮断状態になる。この時、立上
がり点検出回路７は、変調信号33の立上がり点に同期し
て立上がり、持続時間td2［秒］だけHighレベルを保持
する立上がり点検出回路７の出力18Bを第３のエミッタ
接地トランジスタ５へ出力する。この動作は、例えば変
調信号33の反転信号をtd2［秒］だけ遅延させた信号
と、変調信号33の論理積をとることにより、容易に実現
できる。第３エミッタ接地トランジスタ５は立上がり点
検出回路７の出力18Bに発生するパルスにより、第３の
エミッタ接地トランジスタ５のコレクタ信号電流20には
電流値I3を有するパルス電流が発生し、これにより発光
素子２の接合部に蓄積した電荷を吸い出し、発光素子光
出力22の立下がりを高速化できる。
以上をまとめると、発光素子２の駆動電流21は、立下が
り電圧供給回路1Aによって発生させられる立上がり時の
パルス電流I1を有し、発光素子の光出力22の立上がりを
高速化できる。また、発光素子２の駆動電流21は、立上
がり電流供給回路1Bにより発生させられる立下がり時の
パルス電流I3を有し、発光素子２の接合部に蓄積した電
荷を吸い出し、発光素子光出力22の立下がりを高速化で
きる。発光素子２の立上がり時間は、抵抗10を適切な値
に設定することによりパルス電流I1の値を調整し、ある
程度の範囲で任意に設定可能である。また、立下がり時
間は抵抗11を適切な値に設定することによりパルス電流
I3の値を調整し、ある程度の範囲で任意に設定可能であ
る。
り電圧供給回路1Aによって発生させられる立上がり時の
パルス電流I1を有し、発光素子の光出力22の立上がりを
高速化できる。また、発光素子２の駆動電流21は、立上
がり電流供給回路1Bにより発生させられる立下がり時の
パルス電流I3を有し、発光素子２の接合部に蓄積した電
荷を吸い出し、発光素子光出力22の立下がりを高速化で
きる。発光素子２の立上がり時間は、抵抗10を適切な値
に設定することによりパルス電流I1の値を調整し、ある
程度の範囲で任意に設定可能である。また、立下がり時
間は抵抗11を適切な値に設定することによりパルス電流
I3の値を調整し、ある程度の範囲で任意に設定可能であ
る。
［発明の効果］ 以上説明したように、この発明によれば、立下り電圧供
給回路により、変調信号の立下り点で、エミッタホロワ
トランジスタのエミッタに駆動電圧＋所定電圧を発光さ
せることにより、駆動力の大きいエミッタ電流を流し
て、発光素子の光出力の立下りを高速化する。
給回路により、変調信号の立下り点で、エミッタホロワ
トランジスタのエミッタに駆動電圧＋所定電圧を発光さ
せることにより、駆動力の大きいエミッタ電流を流し
て、発光素子の光出力の立下りを高速化する。
また、立上り電流供給回路により、変調信号の立上り点
で、第３のエミッタ接地トラジスタにコレクタ電流を流
して、発光素子の接合部に蓄積した電荷を吸い出すの
で、発光素子の光出力の立下りを高速化できる。
で、第３のエミッタ接地トラジスタにコレクタ電流を流
して、発光素子の接合部に蓄積した電荷を吸い出すの
で、発光素子の光出力の立下りを高速化できる。
さらに立下り、立上りに要する時間の調整は、各エミッ
タ接地トランジスタとアースとの間に設けられている抵
抗値を変えることで、立上り、立下りに要する時間が調
整可能である。
タ接地トランジスタとアースとの間に設けられている抵
抗値を変えることで、立上り、立下りに要する時間が調
整可能である。
第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図は発光素子
駆動回路の各部の波形図、第３図は従来の発光素子駆動
回路の構成図、第４図は第３図に示した発光素子駆動回
路の各部の波形図である。 １……エミッタホロワトランジスタ、２……発光素子、
３……第１のエミッタ接地トランジスタ、４……第２の
エミッタ接地トランジスタ、５……第２のエミッタ接地
トランジスタ、６……立下り点検出回路、７……立上り
点検出回路、８〜12……抵抗、13……コンデンサ、14…
…電源回路、1A……立下り電圧供給回路、1B……立上り
電流供給回路。
駆動回路の各部の波形図、第３図は従来の発光素子駆動
回路の構成図、第４図は第３図に示した発光素子駆動回
路の各部の波形図である。 １……エミッタホロワトランジスタ、２……発光素子、
３……第１のエミッタ接地トランジスタ、４……第２の
エミッタ接地トランジスタ、５……第２のエミッタ接地
トランジスタ、６……立下り点検出回路、７……立上り
点検出回路、８〜12……抵抗、13……コンデンサ、14…
…電源回路、1A……立下り電圧供給回路、1B……立上り
電流供給回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北山 忠義 神奈川県鎌倉市大船５丁目１番１号 三菱 電機株式会社情報電子研究所内 (56)参考文献 特開 昭54−152955（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−138927（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】エミッタホロワトランジスタと、このエミ
ッタホロワトランジスタのエミッタに接続された発光素
子と、ベースに変調信号が供給され、コレクタが上記エ
ミッタホロワトランジスタのベースに、また、抵抗を介
して上記エミッタホロワトランジスタのコレクタに接続
されて成り、上記変調信号に基づいて上記エミッタホロ
ワトランジスタのエミッタに上記発光素子の駆動電圧を
発生させ、エミッタ電流を駆動電流として発光素子に供
給する第１のエミッタ接地トランジスタと、 上記変調信号の立下り点においてパルスを出力する立下
り点検出回路と、ベースにこの立下り点検出回路の出力
が供給され、コレクタが上記第１のエミッタ接地トラン
ジスタのコレクタに接続された第２のエミッタ接地トラ
ンジスタとより成り、変調信号の立下り点で、上記立下
り点検出回路の出力及び上記抵抗により発生する電圧を
上記駆動電圧に加える立下り電圧供給回路と、 上記変調信号の立上り点においてパルスを出力する立上
り点検出回路と、ベースにこの立上り点検出回路の出力
が供給され、コレクタが上記エミッタホロワトランジス
タのエミッタ及び発光素子に接続された第３のエミッタ
接地トランジスタとより成り、変調信号の立上り点で、
上記第３のエミッタ接地トランジスタにコレクタ電流を
流す立上り電流供給回路と、 上記発光素子のカソードに接続され、上記エミッタホロ
ワトランジスタのコレクタ電位より所定電位以上低くて
上記第３のエミッタ接地トランジスタのエミッタ電位よ
り所定電位以上高い電圧を出力する電源回路と、 上記各エミッタ接地トランジスタのエミッタとアースと
の間に接続された抵抗とを備えて成ることを特徴とする
発光素子駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61235001A JPH0683048B2 (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 発光素子駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61235001A JPH0683048B2 (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 発光素子駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6388915A JPS6388915A (ja) | 1988-04-20 |
| JPH0683048B2 true JPH0683048B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=16979593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61235001A Expired - Lifetime JPH0683048B2 (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 発光素子駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0683048B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54152955A (en) * | 1978-05-24 | 1979-12-01 | Hitachi Ltd | Driver circuit |
| JPS55138927A (en) * | 1979-04-17 | 1980-10-30 | Mitsubishi Electric Corp | Photo-coupling semiconductor switch device |
-
1986
- 1986-10-02 JP JP61235001A patent/JPH0683048B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6388915A (ja) | 1988-04-20 |
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