JPH0682836A - アクティブマトリクス基板の検査方法、検査装置及び欠陥修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】欠陥モードの検出、並びに検出した欠陥部を修
正できるようにする。 【構成】検査装置の対向基板を、被検査用基板に対向配
設すると共に、検査装置の接続用端子をゲートバスライ
ン１、ソースバスライン２及び検査装置の対向電極のそ
れぞれに接続した状態となし、ライン１に１フレーム期
間を定めるオン信号と後続のオフ信号とを交互に与え
る。加えて、相前後する２フレーム各々のオン信号付与
前にライン２に与える電圧レベルを変更する第１パター
ンと、オン信号付与の前後にライン２に与える電圧レベ
ルを変更する第２パターンと、オン信号付与後にライン
２に与える電圧レベルを変更する第３パターンとを全て
行う。これにより欠陥部のある表示部分が暗くなり欠陥
モードが検出され、また、修正されることとなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶等の表示媒体と組
み合わせて表示装置を構成するためのアクティブマトリ
クス基板の検査方法、検査装置及び欠陥修正方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】絶縁性基板上に絵素電極をマトリクス状
に配し、絵素電極を独立して駆動するアクティブマトリ
クス方式は、液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、コ
ンピュータの端末表示装置等の表示装置に実用化されて
いる。上記絵素電極を選択駆動するスイッチング素子と
しては、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子、ＭＩＭ（金
属−絶縁層−金属）素子、ＭＯＳトランジスタ素子、ダ
イオード、バリスタ等が一般に知られている。

【０００３】図３１はスイッチング素子としてＴＦＴを
用いたアクティブマトリクス表示装置の概略回路図を示
し、図３２はそのアクティブマトリクス表示装置の部分
拡大図を示す。この表示装置は、液晶層を挟んで対向配
設されたアクティブマトリクス基板と対向基板とからな
る。アクティブマトリクス基板は、走査線として機能す
るゲートバスライン１が複数平行に配線され、該ゲート
バスライン１に直交させて信号線として機能するソース
バスライン２が多数平行に配線されている。両バスライ
ン１、２の交差する位置の近傍にはＴＦＴ３が配設さ
れ、このＴＦＴ３には両バスライン１、２で囲まれた領
域に設けてある絵素電極４が接続されている。

【０００４】一方、このアクティブマトリクス基板に対
向する対向基板には、液晶層側に対向電極５が形成され
ており、絵素電極４と対向電極５との間で絵素容量ＣＬ
Ｃが形成される。この絵素容量ＣＬＣとは並列に補助容
量（ＣＳ）６が形成され、補助容量６の一方は絵素電極
４に、他方は該当する絵素電極４を挟んで近接する別の
ゲートバスライン１に接続されている。即ち、上述した
アクティブマトリクス基板は、所謂Ｃｓ−Ｏｎ−Ｇａｔ
ｅ構造となっている。

【０００５】このように構成されたＣｓ−Ｏｎ−Ｇａｔ
ｅ構造の基板を有するアクティブマトリクス表示装置に
おいては、図３３に示す信号Ａ１が、図３１に示す配線
７を介して奇数番目のゲートバスライン１に与えられ、
信号Ａ２が配線８を介して偶数番目のゲートバスライン
１に与えられる。更に、信号Ｂが配線９を介してソース
バスライン２に与えられ、信号Ｃが対向電極５に与えら
れる。上記信号Ａ１とＡ２はＴＦＴ３のゲート電極をオ
ン・オフ制御する信号であり、信号ＢはＴＦＴ３で各絵
素に書き込んだ後も、次のフレームの書き込みまで変わ
らない信号であり、信号Ｃは最適な電圧値に固定された
信号である。

【０００６】図３４はスイッチング素子としてＴＦＴを
用いた別構成のアクティブマトリクス表示装置の概略回
路図を示し、図３５はそのアクティブマトリクス表示装
置の部分拡大図を示す。この表示装置は、液晶層を挟ん
で対向配設されたアクティブマトリクス基板と対向基板
とからなる。アクティブマトリクス基板は、走査線とし
て機能するゲートバスライン１が複数平行に配線され、
該ゲートバスライン１に直交させて信号線として機能す
るソースバスライン２が多数平行に配線されている。両
バスライン１、２の交差する位置の近傍にはＴＦＴ３が
配設され、このＴＦＴ３には両バスライン１、２で囲ま
れた領域に設けてある絵素電極４が接続されている。

【０００７】一方、このアクティブマトリクス基板に対
向する対向基板には、液晶層側に対向電極５が形成され
ており、絵素電極４と対向電極５との間で絵素容量ＣＬ
Ｃが形成される。この絵素容量ＣＬＣとは並列に補助容
量（ＣＳ）６が形成され、補助容量６の一方は絵素電極
４に、他方はゲートバスライン１と平行に設けた補助容
量用共通配線２９に接続されている。即ち、上述した別
構成のアクティブマトリクス基板は、所謂Ｃｓ−Ｏｎ−
Ｃｏｍｍｏｎ構造となっている。

【０００８】このように構成されたＣｓ−Ｏｎ−Ｃｏｍ
ｍｏｎ構造の基板を有するアクティブマトリクス表示装
置においては、図３６に示す信号Ａ３が、図３４に示す
配線２８ａを介してゲートバスライン１に与えられる。
更に、信号Ｂが配線９を介してソースバスライン２に与
えられ、信号Ｃが対向電極５に与えられる。上記信号Ａ
３はＴＦＴ３のゲート電極をオン・オフ制御する信号で
あり、信号ＢはＴＦＴ３で各絵素に書き込んだ後も、次
のフレームの書き込みまで変わらない信号であり、信号
Ｃは最適な電圧値に固定された信号である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前者のＣｓ
−Ｏｎ−Ｇａｔｅ構造のアクティブマトリクス基板や、
後者のＣｓ−Ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ構造のアクティブマト
リクス基板に欠陥が生じていても、従来においては一部
の欠陥検出を行うことが可能であるが、十分に欠陥を検
出することや欠陥修正を行うことができなかった。即
ち、前者の基板の場合には図３３に、後者の基板の場合
には図３６に各々破線で示すようにドレイン波形Ｄの立
ち上がり部分ｄの状態に基づいてＴＦＴ３のオン特性が
悪いオン不良欠陥モードを検出できる。しかし、上述し
たように信号Ｂが、ＴＦＴ３で各絵素に書き込んだ後も
次のフレームの書き込みまで変わらないため、ソース電
極−ドレイン電極の間にリークが生じることによりＴＦ
Ｔ３のオフ特性が悪くなっても常時一定になるので、オ
フ不良欠陥モードを検出できず、また、絵素電極４とソ
ースバスライン２との間等がリークしている場合にも、
同様の理由によりリーク不良欠陥モードを検出できない
でいた。

【００１０】また、対向電極５へ与えられる信号Ｃは、
最適な対向電圧に固定されているため、対向する対向電
極５と絵素電極４とが金属製のごみ等でリークする場合
のリーク不良欠陥モードや、補助容量電極間が絶縁不良
によりリークする場合のリーク不良欠陥モードを検出で
きるが、同様の絶縁不良により発生するオフ不良欠陥モ
ードと、上記リーク不良欠陥モードとを区別することが
できないでいた。

【００１１】このように、従来においては、オフ不良欠
陥モード、ソース電極−ドレイン電極の間や、対向電極
と絵素電極との間、或は補助容量電極間で起こるリーク
不良欠陥モードを検出することができず、また欠陥の存
在を検出できてもオフ不良欠陥モードとリーク不良欠陥
モードとの識別を行うことをできなかった。更に、欠陥
部を修正しようとしても、欠陥モードが何処で生じたか
が不明であるため実質的に欠陥の修正ができずに、歩留
りが低下するという問題があった。

【００１２】本発明は、このような従来技術の問題点を
解決するものであり、今まで検出できなかった欠陥モー
ドを検出できると共に、何の欠陥モードか何処で生じた
欠陥かを判別できる、Ｃｓ−Ｏｎ−Ｇａｔｅ構造又はＣ
ｓ−Ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ構造をしたアクティブマトリク
ス基板の検査方法及び検査装置の提供と、更に検出した
欠陥モードに基づいて欠陥部の修正を可能にする欠陥修
正方法の提供とを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス基板の検査方法は、絶縁性基板上に複数の絵素電
極と各絵素電極を駆動するための薄膜トランジスタとが
マトリクス状に配置され、該薄膜トランジスタと各々接
続し、かつ相互に交差して形成された走査線及び信号線
に、該薄膜トランジスタを介して各絵素を構成する絵素
電極が接続されていると共に、該絵素電極に関連して形
成された補助容量が、該絵素電極が接続されている走査
線とは絵素電極を挟んで近接する別の走査線に接続され
ているアクティブマトリクス基板の検査方法において、
該アクティブマトリクス基板に対向配設させる対向電極
を有する対向基板と、該対向基板の対向電極側に形成さ
れ、アクティブマトリクス基板側に配される液晶層と、
走査線、信号線及び該対向電極にそれぞれ接続するため
の接続用端子とを備える検査装置を使用し、該アクティ
ブマトリクス基板に対して該検査装置を対向配設すると
共に、該接続用端子を走査線、信号線及び該対向電極の
それぞれに接続する工程と、該アクティブマトリクス基
板の走査線に１フレームの期間を定めるオン信号と該オ
ン信号に後続するオフ信号とを交互に与えると共に、相
前後する２つのフレームそれぞれのオン信号付与の前に
信号線に与える電圧のレベルを変更する第１のパターン
と、相前後する２つのフレームそれぞれのオン信号付与
の前後に信号線に与える電圧のレベルを変更する第２の
パターンと、相前後する２つのフレームそれぞれのオン
信号付与の後に信号線に与える電圧のレベルを変更する
第３のパターンとを全て行い、又は選択的に行って欠陥
モードを検出する工程と、を行うので、そのことにより
上記目的が達成される。

【００１４】また、本発明のアクティブマトリクス基板
の検査方法は、絶縁性基板上に複数の絵素電極と各絵素
電極を駆動するための薄膜トランジスタとがマトリクス
状に配置され、該薄膜トランジスタと各々接続し、かつ
相互に交差して形成された走査線及び信号線に、該薄膜
トランジスタを介して各絵素を構成する絵素電極が接続
されていると共に、該絵素電極に関連して形成された補
助容量が、該絵素電極が接続されている走査線とは絵素
電極を挟んで近接する別の走査線に接続されているアク
ティブマトリクス基板の検査方法において、該アクティ
ブマトリクス基板に対向配設させる対向電極を有する対
向基板と、該対向基板の対向電極側に形成され、アクテ
ィブマトリクス基板側に配される液晶層と、走査線、信
号線及び該対向電極にそれぞれ接続するための接続用端
子とを備える検査装置を使用し、該アクティブマトリク
ス基板に対して該検査装置を対向配設すると共に、該接
続用端子を走査線、信号線及び該対向電極のそれぞれに
接続する工程と、該アクティブマトリクス基板の走査線
に１フレームの期間を定めるオン信号と該オン信号に後
続するオフ信号とを交互に与えると共に、相前後する２
つのフレームそれぞれのオン信号付与の前に信号線に与
える電圧のレベルを変更する第１のパターンと、相前後
する２つのフレームそれぞれのオン信号付与の前後に信
号線に与える電圧のレベルを変更する第２のパターン
と、相前後する２つのフレームそれぞれのオン信号付与
の後に信号線に与える電圧のレベルを変更する第３のパ
ターンとを全て行い、又は選択的に行い、更に、該対向
電極に与える電圧を、走査線に印加される該薄膜トラン
ジスタのオン電圧にすることと、該対向電極に与える電
圧を、走査線に印加される該薄膜トランジスタのオフ電
圧にすることと、該補助容量を該対向電極に接続した状
態で該オン電圧とオフ電圧との間で変化させることとを
選択的に行って欠陥モードを検出する工程と、を行うの
で、そのことにより上記目的が達成される。

【００１５】本発明のアクティブマトリクス基板の検査
装置は、絶縁性基板上に複数の絵素電極と各絵素電極を
駆動するための薄膜トランジスタとがマトリクス状に配
置され、該薄膜トランジスタと各々接続し、かつ相互に
交差して形成された走査線及び信号線に、該薄膜トラン
ジスタを介して各絵素を構成する絵素電極が接続されて
いると共に、該絵素電極に関連して形成された補助容量
が、該絵素電極が接続されている走査線とは絵素電極を
挟んで近接する別の走査線に接続されているアクティブ
マトリクス基板の検査装置であって、該アクティブマト
リクス基板に対向状態に配設される対向電極を有する対
向基板と、該対向基板の対向電極側に形成され、アクテ
ィブマトリクス基板側に配される液晶層と、該走査線、
信号線及び対向電極にそれぞれ接続するための接続用端
子と、該接続用端子を介してアクティブマトリクス基板
の欠陥モードを検出する検出手段とを備え、該検出手段
が、アクティブマトリクス基板の走査線に１フレームの
期間を定めるオン信号と該オン信号に後続するオフ信号
とを交互に与えると共に、相前後する２つのフレームそ
れぞれのオン信号付与の前に信号線に与える電圧のレベ
ルを変更する第１のパターンと、相前後する２つのフレ
ームそれぞれのオン信号付与の前後に信号線に与える電
圧のレベルを変更する第２のパターンと、相前後する２
つのフレームそれぞれのオン信号付与の後に信号線に与
える電圧のレベルを変更する第３のパターンとを全て行
い、又は選択的に行って欠陥モードを検出する構成とな
っているので、そのことにより上記目的が達成される。

【００１６】また、本発明のアクティブマトリクス基板
の検査装置は、絶縁性基板上に複数の絵素電極と各絵素
電極を駆動するための薄膜トランジスタとがマトリクス
状に配置され、該薄膜トランジスタと各々接続し、かつ
相互に交差して形成された走査線及び信号線に、該薄膜
トランジスタを介して各絵素を構成する絵素電極が接続
されていると共に、該絵素電極に関連して形成された補
助容量が、該絵素電極が接続されている走査線とは絵素
電極を挟んで近接する別の走査線に接続されているアク
ティブマトリクス基板の検査装置であって、該アクティ
ブマトリクス基板に対向状態に配設される対向電極を有
する対向基板と、該対向基板の対向電極側に形成され、
アクティブマトリクス基板側に配される液晶層と、走査
線、信号線及び該対向電極にそれぞれ接続するための接
続用端子と、該接続用端子を介してアクティブマトリク
ス基板の欠陥モードを検出する検出手段とを備え、該検
出手段が、アクティブマトリクス基板の走査線に１フレ
ームの期間を定めるオン信号と該オン信号に後続するオ
フ信号とを交互に与えると共に、相前後する２つのフレ
ームそれぞれのオン信号付与の前に信号線に与える電圧
のレベルを変更する第１のパターンと、相前後する２つ
のフレームそれぞれのオン信号付与の前後に信号線に与
える電圧のレベルを変更する第２のパターンと、相前後
する２つのフレームそれぞれのオン信号付与の後に信号
線に与える電圧のレベルを変更する第３のパターンとを
全て行い、又は選択的に行い、更に、該対向電極に与え
る電圧を、走査線に印加される該薄膜トランジスタのオ
ン電圧にすることと、該対向電極に与える電圧を、走査
線に印加される該薄膜トランジスタのオフ電圧にするこ
とと、該補助容量を該対向電極に接続した状態で該オン
電圧と該オフ電圧との間で変化させることとを選択的に
行って欠陥モードを検出する構成となっているので、そ
のことにより上記目的が達成される。

【００１７】本発明のアクティブマトリクス基板の欠陥
修正方法は、絶縁性基板上に複数の絵素電極と各絵素電
極を駆動するための薄膜トランジスタとがマトリクス状
に配置され、該薄膜トランジスタと各々接続し、かつ相
互に交差して形成された走査線及び信号線に、該薄膜ト
ランジスタを介して各絵素を構成する絵素電極が接続さ
れていると共に、該絵素電極に関連して形成された補助
容量が、該絵素電極が接続されている走査線とは絵素電
極を挟んで近接する別の走査線に接続されているアクテ
ィブマトリクス基板の欠陥修正方法において、該アクテ
ィブマトリクス基板に対向配設させる対向電極を有する
対向基板と、該対向基板の対向電極側に形成され、アク
ティブマトリクス基板側に配される液晶層と、走査線、
信号線及び該対向電極にそれぞれ接続するための接続用
端子とを備える検査装置を使用し、該アクティブマトリ
クス基板に対して該検査装置を対向配設すると共に、該
接続用端子を走査線、信号線及び該対向電極のそれぞれ
に接続する工程と、該アクティブマトリクス基板の走査
線に１フレームの期間を定めるオン信号と、該オン信号
に後続するオフ信号とを交互に与えると共に、相前後す
る２つのフレームそれぞれのオン信号付与の前に信号線
に与える電圧のレベルを変更する第１のパターンと、相
前後する２つのフレームそれぞれのオン信号付与の前後
に信号線に与える電圧のレベルを変更する第２のパター
ンと、相前後する２つのフレームそれぞれのオン信号付
与の後に信号線に与える電圧のレベルを変更する第３の
パターンとを全て行い、又は選択的に行って欠陥モード
を検出する工程と、検出された欠陥モードに応じて欠陥
を修正する工程とを行うので、そのことにより上記目的
が達成される。

【００１８】また、本発明のアクティブマトリクス基板
の欠陥修正方法は、絶縁性基板上に複数の絵素電極と各
絵素電極を駆動するための薄膜トランジスタとがマトリ
クス状に配置され、該薄膜トランジスタと各々接続し、
かつ相互に交差して形成された走査線及び信号線に、該
薄膜トランジスタを介して各絵素を構成する絵素電極が
接続されていると共に、該絵素電極に関連して形成され
た補助容量が、該絵素電極が接続されている走査線とは
絵素電極を挟んで近接する別の走査線に接続されている
アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法において、該
アクティブマトリクス基板に対向配設させる対向電極を
有する対向基板と、該対向基板の対向電極側に形成さ
れ、アクティブマトリクス基板側に配される液晶層と、
走査線、信号線及び該対向電極にそれぞれ接続するため
の接続用端子とを備える検査装置を使用し、該アクティ
ブマトリクス基板に対して該検査装置を対向配設すると
共に、該接続用端子を走査線、信号線及び該対向電極の
それぞれに接続する工程と、該アクティブマトリクス基
板の走査線に１フレームの期間を定めるオン信号と、該
オン信号に後続するオフ信号とを交互に与えると共に、
相前後する２つのフレームそれぞれのオン信号付与の前
に信号線に与える電圧のレベルを変更する第１のパター
ンと、相前後する２つのフレームそれぞれのオン信号付
与の前後に信号線に与える電圧のレベルを変更する第２
のパターンと、相前後する２つのフレームそれぞれのオ
ン信号付与の後に信号線に与える電圧のレベルを変更す
る第３のパターンとを全て行い、又は選択的に行い、更
に、該対向電極に与える電圧を、走査線に印加される該
薄膜トランジスタのオン電圧にすることと、該対向電極
に与える電圧を、走査線に印加される該薄膜トランジス
タのオフ電圧にすることと、該補助容量を該対向電極に
接続した状態で該オン電圧とオフ電圧との間で変化させ
ることとを選択的に行って欠陥モードを検出する工程
と、検出された欠陥モードに応じて欠陥を修正する工程
とを行うので、そのことにより上記目的が達成される。

【００１９】また、本発明のアクティブマトリクス基板
の検査方法、検査装置及び欠陥修正方法は、補助容量が
共通配線に接続されたＣｓ−Ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ構造の
アクティブマトリクス基板に対して、上記と同様にする
ことにより、上記目的を達成できる。

【００２０】

【作用】本発明にあっては、絶縁性基板上に複数の絵素
電極と各絵素電極を駆動するための薄膜トランジスタと
がマトリクス状に配置され、該薄膜トランジスタと各々
接続し、かつ相互に交差して形成された走査線及び信号
線に、該薄膜トランジスタを介して各絵素電極が接続さ
れていると共に、該絵素電極に関連して形成された補助
容量が、該絵素電極が接続されている走査線とは絵素電
極を挟んで近接する別の走査線、又は共通配線に接続さ
れているアクティブマトリクス基板に対しては、以下の
検査を行うとよい。即ち、検査装置の対向基板をアクテ
ィブマトリクス基板に対向配設すると共に、接続用端子
を走査線、信号線及び該対向電極のそれぞれに接続した
状態となし、その状態で、アクティブマトリクス基板の
走査線に１フレームの期間を定めるオン信号と、該オン
信号に後続するオフ信号とを交互に与えると共に、相前
後する２つのフレームそれぞれのオン信号付与の前に信
号線に与える電圧のレベルを変更する第１のパターン
と、相前後する２つのフレームそれぞれのオン信号付与
の前後に信号線に与える電圧のレベルを変更する第２の
パターンと、相前後する２つのフレームそれぞれのオン
信号付与の後に信号線に与える電圧のレベルを変更する
第３のパターンとを全て行い、又は選択的に行う。これ
により欠陥部に相当する表示部分に暗表示が生じて欠陥
モードが検出される。

【００２１】更に、検出しようとする欠陥モードの対象
を広げる場合は、以下のようにするとよい。即ち、検査
装置の対向基板をアクティブマトリクス基板に対向配設
すると共に、接続用端子を走査線、信号線及び該対向電
極のそれぞれに接続し、その状態で、アクティブマトリ
クス基板の走査線に１フレームの期間を定めるオン信号
と、該オン信号に後続するオフ信号とを交互に与えると
共に、相前後する２つのフレームそれぞれのオン信号付
与の前に信号線に与える電圧のレベルを変更する第１の
パターンと、相前後する２つのフレームそれぞれのオン
信号付与の前後に信号線に与える電圧のレベルを変更す
る第２のパターンと、相前後する２つのフレームそれぞ
れのオン信号付与の後に信号線に与える電圧のレベルを
変更する第３のパターンとを全て行い、又は選択的に行
い、更に、該対向電極に与える電圧を、走査線に印加さ
れる該薄膜トランジスタのオン電圧にすることと、該対
向電極に与える電圧を、走査線に印加される該薄膜トラ
ンジスタのオフ電圧にすることと、該補助容量を該対向
電極に接続した状態で該オン電圧とオフ電圧との間で変
化させることとを選択的に行う。これにより欠陥モード
の対象を広くして検出を行うことができる。

【００２２】また、検出された欠陥箇所を修正すること
により、欠陥修正がなされる。

【００２３】以上は、Ｃｓ−Ｏｎ−Ｇａｔｅ構造の場合
であるが、Ｃｓ−Ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ構造の場合でも同
様である。

【００２４】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。

【００２５】（実施例１）図１はスイッチング素子とし
てＴＦＴを用いたアクティブマトリクス基板の全体構成
を示し、図２はその一部を示す。この基板は、走査線と
して機能するゲートバスライン１が複数平行に配線さ
れ、該ゲートバスライン１に直交させて信号線として機
能するソースバスライン２が多数平行に配線されてい
る。両バスライン１、２の交差する位置の近傍にはＴＦ
Ｔ３が配設され、このＴＦＴ３には絵素電極４が接続さ
れている。上記ゲートバスライン１及びソースバスライ
ン２は絵素電極４の周縁に沿って設けられている。上記
ＴＦＴ３のドレイン電極と、このＴＦＴ３が接続された
ゲートバスライン１とは１つ位置がずれて近接するゲー
トバスライン１との間に、補助容量（ＣＳ）６が設けら
れている。つまり、このアクティブマトリクス基板は、
所謂Ｃｓ−Ｏｎ−Ｇａｔｅ構造となっている。

【００２６】更に、上記ゲートバスライン１は、奇数番
目のもの同士が共通の配線７により接続されており、そ
の共通の配線７の両端に端子７ａが設けられている。ま
た、偶数番目のもの同士が共通の配線８により接続され
ており、その共通の配線８の両端に端子８ａが設けられ
ている。ソースバスライン２は、一端側が共通の配線９
に接続され、その配線９の両端には端子９ａが設けられ
ている。

【００２７】かかる構成のアクティブマトリクス基板
に、液晶層と対向電極が予め形成された対向基板を、液
晶層をアクティブマトリクス基板側にして対向配設する
と、対向基板の液晶層側に予め形成してある対向電極５
と絵素電極４との間において絵素容量（ＣＬＣ）４が形
成される。

【００２８】一方、このようなアクティブマトリクス基
板を検査対象とする本発明のアクティブマトリクス基板
の検査装置について説明する。この検査装置は、上述し
たように液晶層と、この液晶層に接着され、対向電極５
が予め形成された対向基板とを有し、これら液晶層と対
向基板とは液晶層をアクティブマトリクス基板に接触さ
せて使用される。また、図３に示すように、基準信号発
生回路１１と、この基準信号発生回路１１からの出力信
号を分周する分周回路１２と、この分周回路１２からの
出力信号を入力する７つの信号発生回路１３〜１９と、
４つのスイッチ２０〜２３と、４つの検査用端子２４〜
２７とを備える。

【００２９】上記Ｂ１信号発生回路１３は、図４に示す
信号Ｂ１を発生してソースバスライン２に与える。Ｂ２
信号発生回路１４は、信号Ｂ２を発生してソースバスラ
イン２に与える。Ｂ３信号発生回路１５は、信号Ｂ３を
発生してソースバスライン２に与える。奇数ゲートライ
ン信号発生回路１６はゲートバスラインのオン・オフ制
御用信号Ａ１を発生し、奇数番目のゲートバスライン１
に与える。偶数ゲートライン信号発生回路１７はゲート
バスラインのオン・オフ制御用信号Ａ２を発生し、偶数
番目のゲートバスライン１に与える。

【００３０】対向電極用信号発生回路１８は、フリッカ
ーの無いように最適に合わせた対向電圧値に固定した信
号Ｃ１を発生し、対向電極５に与える。対向電極用信号
発生回路１９は、ＴＦＴ３をオンさせる電圧からオフさ
せる電圧までの間で変化する、図示しない信号（以下こ
の信号をＣ２とする）を発生し、対向電極５に与える。
なお、上述した奇数番目のゲートバスライン１に与えら
れるオン・オフ制御用信号Ａ１と、偶数番目のゲートバ
スライン１に与えられるオン・オフ制御用信号Ａ２と
は、波形は同一としてあるが、タイミング的には少しず
れて該当するゲートバスライン１に与えられる。このこ
とは、後述する図６、図９、図１１、図１４および図１
６においても同様である。

【００３１】上記信号Ｂ１は、ＴＦＴ３で各絵素に書き
込んだ後も次のフレームの書き込みまで一定レベルのま
ま変わらない信号であり、信号Ｂ２は各絵素に絵素書き
込み信号を印加した後、次のフレームの絵素書き込み信
号を印加するまでの間で、信号の電圧を書き込んだ時の
信号電圧とは異なる電圧に変化する信号であり、信号Ｂ
３は各絵素に絵素書き込み信号を印加した後、次のフレ
ームの絵素書き込み信号を印加するまでの間で、信号の
電圧を書き込んだ時の信号電圧とは異なる電圧に変化す
る信号である。

【００３２】上記Ｂ１信号発生回路１３からの信号Ｂ１
と、Ｂ２信号発生回路１４からの信号Ｂ２と、Ｂ３信号
発生回路１５からの信号Ｂ３とは、スイッチ２０の３つ
の端子２０ａ、２０ｂ、２０ｃに出力される。スイッチ
２０は、３つの端子２０ａ、２０ｂ、２０ｃの一つを選
択して検査用端子２４に与える。この検査用端子２４は
ソースバスライン２の端子９ａに接触される。

【００３３】奇数ゲートライン信号発生回路１６からの
オン・オフ制御用信号Ａ１は、スイッチ２１の３つの端
子２１ａ、２１ｂ、２１ｃの２端子２１ａ、２１ｂに出
力され、残り１つの端子２１ｃには対向電極用信号発生
回路１９からの信号Ｃ２が出力される。スイッチ２１
は、３つの端子２１ａ、２１ｂ、２１ｃの一つを選択し
て検査用端子２５に与える。この検査用端子２５は奇数
番目のゲートバスライン１の端子７ａに接触される。偶
数ゲートライン信号発生回路１７からのオン・オフ制御
用信号Ａ２は、スイッチ２２の３つの端子２２ａ、２２
ｂ、２２ｃの２端子２２ａ、２２ｃに出力され、残り１
つの端子２２ｂには対向電極用信号発生回路１９からの
信号Ｃ２が出力される。スイッチ２２は、３つの端子２
２ａ、２２ｂ、２２ｃの一つを選択して検査用端子２６
に与える。この検査用端子２６は偶数番目のゲートバス
ライン１の端子８ａに接触される。

【００３４】対向電極用信号発生回路１８からの信号Ｃ
１と、対向電極用信号発生回路１９からの信号Ｃ２と
は、スイッチ２３の２つの端子２１ａ、２１ｂに出力さ
れ、スイッチ２３は、２つの端子２１ａ、２１ｂの一つ
を選択して検査用端子２７に与える。この検査用端子２
７は対向電極５の端子（図示せず）に接触される。な
お、スイッチ２０〜２３の制御は、図示しない制御回路
にて行われ、そのうちのスイッチ２１と２２とは連動し
て作動する。

【００３５】次に、上記検査装置による前述のアクティ
ブマトリクス基板の検査方法について説明する。先ず、
被検査対象であるアクティブマトリクス基板に対し、液
晶層を接触させる。このとき、上記検査用端子２４をソ
ースバスライン２の端子９ａに、検査用端子２５を奇数
番目のゲートバスライン１の端部に設けた端子７ａに、
検査用端子２６を偶数番目のゲートバスライン１の端部
に設けた端子８ａに、検査用端子２７を対向電極５に設
けた図示しない端子にそれぞれ接触させておく。その
後、スイッチ２０〜２３を切換えて、ソースバスライン
２の端子９ａ、ゲートバスライン１の端子７ａと８ａ、
対向電極５の端子に与える信号を選択する。この選択
は、本実施例では表１に示すように以下の６通りを採用
している。

【００３６】

【表１】

【００３７】スイッチ２０を端子２０ａに選択し、スイ
ッチ２１、２２を端子２１ａ、２２ａに、スイッチ２３
を端子２３ａに選択して、信号Ａ１（又はＡ２）−Ｂ１
−Ｃ１で行う検査信号Ｎｏ１と、スイッチ２０を端子２
０ｂに選択し、スイッチ２１、２２を端子２１ａ、２２
ａに、スイッチ２３を端子２３ａに選択して、信号Ａ１
（又はＡ２）−Ｂ２−Ｃ１で行う検査信号Ｎｏ２と、ス
イッチ２０を端子２０ｃに選択し、スイッチ２１、２２
を端子２１ａ、２２ａに、スイッチ２３を端子２３ａに
選択して、信号Ａ１（又はＡ２）−Ｂ３−Ｃ１で行う検
査信号Ｎｏ３と、スイッチ２０を端子２０ａに選択し、
スイッチ２１、２２を端子２１ａ、２２ａに、スイッチ
２３を端子２３ｂに選択して、信号Ａ１（又はＡ２）−
Ｂ１−Ｃ２で行う検査信号Ｎｏ４と、スイッチ２０を端
子２０ａに選択し、スイッチ２１、２２を端子２１ａ、
２２ａに、スイッチ２３を端子２３ｂに選択して、信号
Ａ１（又はＡ２）−Ｂ１−Ｃ２で行う検査信号Ｎｏ５
と、スイッチ２０を端子２０ａに選択し、スイッチ２１
を端子２１ｂ又は２１ｃ、スイッチ２２を端子２２ｂ又
は２２ｃに、スイッチ２３を端子２３ｂに選択して、信
号Ａ１（又はＡ２）−Ｂ２（又はＢ３）−Ｃ２で行う検
査信号Ｎｏ６との６通りを採用している。なお、この実
施例では、表示モードがノーマリィーホワイトモードの
場合を例に挙げている。

【００３８】（オフ特性欠陥モード）先ず、オフ特性欠
陥モードの場合について説明する。このオフ特性欠陥モ
ードは、図５（ａ）に示すように、ＴＦＴ３のソース電
極とドレイン電極との間での弱いリークを起因として起
こる。この場合は、図６に示すようにゲートバスライン
１、ソースバスライン２及び対向電極５に、検査信号Ｎ
ｏ１、２、３の信号を与えて検査を行う。このとき、Ｔ
ＦＴ３のオフ特性が悪い欠陥絵素の部分では、最適な対
向電圧の信号Ｃ１において、表１および図７の（ａ）弱
いリーク部分に示すように、検査信号Ｎｏ１では黒表示
となり、検査信号Ｎｏ２及び検査信号Ｎｏ３では輝点表
示となる。この表示状態は、表１に示されるように、他
の欠陥検出の場合とは黒表示と輝点表示とのパターンが
異なるため、表示を目視検査することによりＴＦＴ３の
オフ特性欠陥モードと判別される。

【００３９】この場合の修正は、図５（ｂ）に示すよう
にゲートバスライン１とＴＦＴ３のゲート電極とを切り
離し、またＴＦＴ３のソース電極とドレイン電極とを接
続して、この欠陥絵素を修正する。この修正には、レー
ザ光等を使用することができる。また、以下に説明する
修正においても、レーザ光等が適用される。なお、検査
信号Ｎｏ１、２、３の場合には、ドレイン波形Ｄでの電
位が図６（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように異なるため、
その電位を電気的に測定すると、目視検査に代えて検査
することができる。

【００４０】（絵素電極とソースバスラインとの間のリ
ーク）この欠陥は、図８に示すように、絵素電極４とソ
ースバスライン２との間で起こる強いリークを原因とし
て生じる。この場合も上述と同様に検査信号Ｎｏ１、
２、３を行う。このとき、上述の欠陥のある絵素の部分
では、最適な対向電圧の信号Ｃ１において、表１および
図７の（ｂ）強いリーク部分に示すように、検査信号Ｎ
ｏ１及び検査信号Ｎｏ３では黒表示となり、検査信号Ｎ
ｏ２では輝点表示となる。この表示状態は、表１に示さ
れるように、他の欠陥検出の場合とは黒表示と輝点表示
とのパターンが異なるため、リーク不良欠陥モードが判
別される。この場合は、実駆動では殆ど欠陥として見え
ないため、修正を行わない。この場合も、ドレイン波形
Ｄでの電位が、図９（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように異
なるため、その電位を電気的に測定することにより、目
視検査に代えて検査することができる。

【００４１】（補助容量電極間のリークによる絵素欠
陥）この欠陥は、図１０（ａ）に示すように、或るゲー
トバスライン１に接続された絵素電極４と、この絵素電
極４に対向して補助容量６を構成し、かつ次のゲートバ
スライン１に接続された補助容量用の電極との間で生じ
るリークに起因して起こる。この場合は、検査信号Ｎｏ
１、２、３では検査を行うことができず、検査信号Ｎｏ
４、６を行う。検査信号Ｎｏ４では、対向電極５の電圧
を、ＴＦＴ３をオフさせるゲート電圧にした場合、輝点
表示となる。検査信号Ｎｏ６では、補助容量用の電極側
のゲートバスライン１を対向電極と接続し、ＴＦＴ３を
オフさせるゲート電圧からオンさせるゲート電圧まで可
変した場合、すべての電圧で輝点表示となる。この表示
状態は、表１に示されるように、他の欠陥検出の場合と
は黒表示と輝点表示とのパターンが異なるため、これに
より補助容量電極間のリークによる絵素欠陥が判別され
る。

【００４２】この場合の修正は、図１０（ｂ）に示すよ
うに、ゲートバスライン１と欠陥絵素となっているＴＦ
Ｔ３との間を切断し、かつ、ＴＦＴ３のソース電極とド
レイン電極との間を接続状態となす。加えて、補助容量
用の電極とゲートバスライン１との間を切り離す。

【００４３】この場合も、ドレイン波形Ｄでの電位が、
図１１（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように異なるため、そ
の電位を電気的に測定することにより、目視検査に代え
て検査することができる。

【００４４】なお、参考として、図１２（横軸に対向電
極に印加する電圧をとり、縦軸に液晶間に印加される実
効値電圧をとる）に示すように、正常な絵素の場合は検
査信号Ｎｏを種々変えても曲線Ｌ１のように黒表示の範
囲内となり、欠陥絵素の場合は検査信号Ｎｏを４〜６に
おいて種々変えると曲線Ｌ２のように黒表示の範囲内だ
けでなく、輝点表示となる範囲を有する。補助容量電極
間のリークによる絵素欠陥の場合は、上述した曲線Ｌ２
に基づいて検出される。また、後述するＴＦＴのゲート
とドレインとの間のリークによる絵素欠陥も同様の理由
により検出される。

【００４５】（対向電極と絵素電極との間のリークによ
る絵素欠陥）この欠陥は、対向電極と絵素電極とが電気
的に接続された状態となることにより発生しているの
で、表１に示すように、検査信号Ｎｏ１から６のどれを
行っても輝点表示となり、他の欠陥とは異なる表示状態
が得られる。これにより、対向電極と絵素電極との間の
リークによる絵素欠陥を検出できる。この場合の修正
は、電極間に導体異物が挟まっているときは、目視観察
等によって欠陥箇所を見つけ出し、欠陥状態に応じた加
工を施すことにより行うことができる。

【００４６】（ＴＦＴのゲートとドレインとの間のリー
クによる絵素欠陥）この欠陥は、図１３（ａ）に示すよ
うに、絵素駆動用ＴＦＴ３のゲート電極とドレイン電極
の間がリークすることにより発生している。この欠陥が
発生している場合、検査信号Ｎｏ１、２、３では検査を
行うことができず、検査信号Ｎｏ４、６を行う。検査信
号Ｎｏ４では、対向電極５の電圧を、ＴＦＴ３をオフさ
せるゲート電圧にした場合、輝点表示となる。検査信号
Ｎｏ６では、補助容量用の電極側のゲートバスライン１
を対向電極と接続し、ＴＦＴ３をオフさせるゲート電圧
からオンさせるゲート電圧まで可変すると、上述した補
助容量電極間のリークによる絵素欠陥の場合とは異な
り、対向電極の電圧をＴＦＴ３をオフさせるゲート電圧
にした場合のみ、輝点表示となる。この表示状態は、表
１に示されるように、他の欠陥検出の場合とは黒表示と
輝点表示とのパターンが異なるため、これによりＴＦＴ
のゲートとドレインとの間のリークによる絵素欠陥が判
別される。この場合の修正は、図１３（ｂ）に示すよう
に、ゲートバスライン１とＴＦＴ３との間を切断すると
共にＴＦＴ３のソース電極とドレイン電極との間を接続
する。

【００４７】この場合も、ドレイン波形Ｄでの電位が、
図１４（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように異なるため、そ
の電位を電気的に測定することにより、目視検査に代え
て検査することができる。

【００４８】（ゲートバスラインとソースバスラインと
の間のリークによる線欠陥）この欠陥は、図１５（ａ）
に示すように、ゲートバスライン１とソースバスライン
２との間でのリークにより生じ、このリークが生じてい
るゲートバスライン１に接続された横一列に並ぶ絵素電
極と、リークが生じているソースバスライン２に接続さ
れた縦一列に並ぶ絵素電極とに表示不良が発生し、つま
り十字状の線欠陥として表示される。

【００４９】上記欠陥が生じている場合は、ソースバス
ライン２の信号の影響で正常時に比べてＴＦＴをオフさ
せるゲート電圧からオンさせるゲート電圧の振幅が小さ
くなってしまうため、ＴＦＴ３のオン抵抗もオフ抵抗も
十分に維持できなくなる。したがって、ソースバスライ
ン２とリークしているゲートバスライン１とに接続され
ているＴＦＴ３は、見掛け上、オフ特性不良のＴＦＴ３
と同じような挙動を示す。よって、この欠陥の検出は、
検査信号Ｎｏ１、３により行う。このとき、検査信号Ｎ
ｏ１により検査を行っている場合より、検査信号Ｎｏ３
により検査を行っている場合の方が、線欠陥として表示
されている横方向の線の状態が明瞭に目視観察されるこ
ととなる。このとき、ソースバスライン２に接続された
絵素電極に基づく縦方向の線も明瞭に見えている。よっ
て、明瞭に表れた十字状のクロス部分に基づいて欠陥箇
所が判別される。この場合の修正は、図１５（ｂ）に示
すように、ソースバスライン２におけるリーク発生箇所
の両側を切断すると共に、該当するソースバスライン２
へ両端側から信号を与えるようにする。

【００５０】この場合も、ゲートバスライン１とソース
バスライン２との間のリーク時のゲート信号波形Ｅでの
電位が、図１６（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように異なる
ため、その電位を電気的に測定することにより、目視検
査に代えて検査することができる。

【００５１】（実施例２）図１７はスイッチング素子と
してＴＦＴを用いたアクティブマトリクス基板の全体構
成を示し、図１８はその一部を示す。この基板は、走査
線として機能するゲートバスライン１が複数平行に配線
され、該ゲートバスライン１に直交させて信号線として
機能するソースバスライン２が多数平行に配線されてい
る。両バスライン１、２の交差する位置の近傍にはＴＦ
Ｔ３が配設され、このＴＦＴ３には絵素電極４が接続さ
れている。上記ゲートバスライン１及びソースバスライ
ン２は絵素電極４の周縁に沿って設けられている。上記
ＴＦＴ３のドレイン電極と、このＴＦＴ３が接続された
ゲートバスライン１と平行に設けた補助容量用共通配線
２９との間に補助容量（ＣＳ）６が設けられている。つ
まり、このアクティブマトリクス基板は、所謂ＣＳ−Ｏ
Ｎ−Ｃｏｍｍｏｎ構造となっている。

【００５２】更に、上記ゲートバスライン１は、共通の
配線２８により接続されており、その共通の配線２８の
両端に端子２８ａが設けられている。補助容量用共通配
線２９同士は、共通の配線８に接続されており、その共
通の配線８の両端に補助容量用の端子８ａが設けられて
いる。ソースバスライン２は、一端側が共通の配線９に
接続され、その配線９の両端には端子９ａが設けられて
いる。

【００５３】かかる構成のアクティブマトリクス基板
に、液晶層と対向電極が予め形成された対向基板を、液
晶層をアクティブマトリクス基板側にして対向配設する
と、対向基板の液晶層側に予め形成してある対向電極５
と絵素電極４との間において絵素容量（ＣＬＣ）４が形
成される。

【００５４】一方、このようなアクティブマトリクス基
板を検査対象とする本発明のアクティブマトリクス基板
の検査装置について説明する。この検査装置は、上述し
たように液晶層と、この液晶層に接着され、対向電極５
が予め形成された対向基板とを有し、これら液晶層と対
向基板とは液晶層をアクティブマトリクス基板に接触さ
せて使用される。また、図１９に示すように、基準信号
発生回路３１と、この基準信号発生回路３１からの出力
信号を分周する分周回路３２と、この分周回路３２から
の出力信号を入力する７つの信号発生回路３３〜３９
と、３つのスイッチ４０〜４２と、４つの検査用端子４
３〜４６とを備える。

【００５５】上記Ｂ１信号発生回路３３は、図２０に示
す信号Ｂ１を発生してソースバスライン２に与える。Ｂ
２信号発生回路３４は、信号Ｂ２を発生してソースバス
ライン２に与える。Ｂ３信号発生回路３５は、信号Ｂ３
を発生してソースバスライン２に与える。ゲートライン
信号発生回路３６はゲートバスラインのオン・オフ制御
用信号Ａ３を発生し、ゲートバスライン１に与える。ゲ
ートオフ電圧信号発生回路３７はゲートバスラインのオ
フ制御用信号Ａ４（図示せず）を発生し、スイッチ４１
を切り換えた時に補助容量用共通配線２９に与える。対
向電極用信号発生回路３８は、フリッカーの無いように
最適に合わせた対向電圧値に固定した信号Ｃ１を発生
し、対向電極５に与える。対向電極用信号発生回路３９
は、ＴＦＴ３をオンさせる電圧からオフさせる電圧まで
の間で変化する、図示しない信号（以下この信号をＣ２
とする）を発生し、対向電極５に与える。

【００５６】上記信号Ｂ１は、ＴＦＴ３で各絵素に書き
込んだ後も次のフレームの書き込みまで一定レベルのま
ま変わらない信号であり、信号Ｂ２は各絵素に絵素書き
込み信号を印加した後、次のフレームの絵素書き込み信
号を印加するまでの間で、信号の電圧を書き込んだ時の
信号電圧とは異なる電圧に変化する信号であり、信号Ｂ
３は各絵素に絵素書き込み信号を印加した後、次のフレ
ームの絵素書き込み信号を印加するまでの間で、信号の
電圧を書き込んだ時の信号電圧とは異なる電圧に変化す
る信号である。

【００５７】上記Ｂ１信号発生回路３３からの信号Ｂ１
と、Ｂ２信号発生回路３４からの信号Ｂ２と、Ｂ３信号
発生回路３５からの信号Ｂ３とは、スイッチ４０の３つ
の端子４０ａ、４０ｂ、４０ｃに出力される。スイッチ
４０は、３つの端子４０ａ、４０ｂ、４０ｃの一つを選
択して検査用端子４３に与える。この検査用端子４３は
ソースバスライン２の端子９ａに接続される。

【００５８】ゲートライン信号発生回路３６からのオン
・オフ制御用信号Ａ３は、検査用端子４４に与えられ
る。この検査用端子４４はゲートバスライン１の端子２
８ａに接続される。ゲートオフ電圧信号発生回路３７か
らのオフ制御用信号Ａ４は、スイッチ４１の３つの端子
４１ａ、４１ｂ、４１ｃの１端子４１ｂに出力される。
残りの２つの端子４１ａと４１ｃとには、対向電極用信
号発生回路３８からの信号Ｃ１と、対向電極用信号発生
回路３９からの信号Ｃ２とが与えられる。スイッチ４１
は、３つの端子４１ａ、４１ｂ、４１ｃの一つを選択し
て該当する信号を検査用端子４５に与える。この検査用
端子４５は前記補助容量用の端子８ａに接続されてい
る。また、上述した信号Ｃ１と、Ｃ２とは、スイッチ４
２の端子４２ａと、端子４２ｂ及び４２ｃとに出力され
る。スイッチ４２は、３つの端子４２ａ、４２ｂ、４２
ｃの一つを選択して該当する信号を検査用端子４６に与
える。この検査用端子４６は、対向電極に設けた端子
（図示せず）に接続されている。なお、スイッチ４０〜
４２は、その制御が図示しない制御回路にて行われ、連
動して作動するようになっている。

【００５９】次に、上記検査装置による前述のアクティ
ブマトリクス基板の検査方法について説明する。先ず、
被検査対象であるアクティブマトリクス基板に対し、液
晶層を接触させる。このとき、上記検査用端子４３をソ
ースバスライン２の端子９ａに、検査用端子４４をゲー
トバスライン１の端子２８ａに、検査用端子４５を補助
容量用共通配線２９が接続された共通の配線８の端部に
設けた補助容量用の端子８ａに、検査用端子４６を対向
電極５に設けた図示しない端子にそれぞれ接触させてお
く。その後、スイッチ４０〜４２を切換えて、ソースバ
スライン２の端子９ａ、ゲートバスライン１の端子２８
ａ、補助容量用の端子８ａ、対向電極５の端子に与える
信号を選択する。この選択は、本実施例では表２に示す
ように以下の６通りを採用している。

【００６０】

【表２】

【００６１】スイッチ４０を端子４０ａに選択し、スイ
ッチ４１、４２を端子４１ａ、４２ａに選択して、信号
Ａ３−Ｂ１−Ｃ１で行う検査信号Ｎｏ１と、スイッチ４
０を端子４０ｂに選択し、スイッチ４１、４２を端子４
１ａ、４２ａに選択して、信号Ａ３−Ｂ２−Ｃ１で行う
検査信号Ｎｏ２と、スイッチ４０を端子４０ｃに選択
し、スイッチ４１、４２を端子４１ａ、４２ａに選択し
て、信号Ａ３−Ｂ３−Ｃ１で行う検査信号Ｎｏ３と、ス
イッチ４０を端子４０ａに選択し、スイッチ４１、４２
を端子４１ｂ、４２ｂに選択して、信号Ａ３−Ａ４−Ｂ
１−Ｃ２で行う検査信号Ｎｏ４と、スイッチ４０を端子
４０ａに選択し、スイッチ４１、４２を端子４１ｂ、４
２ｂに選択して、信号Ａ３−Ａ４−Ｂ１−Ｃ２で行う検
査信号Ｎｏ５と、スイッチ４０を端子４０ａに選択し、
スイッチ４１、４２を端子４１ｃ、４２ｃに選択して、
信号Ａ３−Ｂ１−Ｃ２で行う検査信号Ｎｏ６との６通り
を採用している。なお、この実施例では、表示モードが
ノーマリィーホワイトモードの場合を例に挙げている。

【００６２】（オフ特性欠陥モード）先ず、オフ特性欠
陥モードの場合について説明する。このオフ特性欠陥モ
ードは、図２１（ａ）に示すように、ＴＦＴ３のソース
電極とドレイン電極との間での弱いリークを起因として
起こる。この場合は、図２２に示すようにゲートバスラ
イン１、ソースバスライン２及び対向電極５に、検査信
号Ｎｏ１、２、３の信号を与えて検査を行う。このと
き、ＴＦＴ３のオフ特性が悪い欠陥絵素の部分では、最
適な対向電圧の信号Ｃ１において、表２および前記図７
の（ａ）弱いリーク部分に示したように、検査信号Ｎｏ
１では黒表示となり、検査信号Ｎｏ２及び検査信号Ｎｏ
３では輝点表示となる。この表示状態は、表２に示され
るように、他の欠陥検出の場合とは黒表示と輝点表示と
のパターンが異なるため、表示を目視検査することによ
りＴＦＴ３のオフ特性欠陥モードと判別される。

【００６３】この場合の修正は、図２１（ｂ）に示すよ
うにゲートバスライン１とＴＦＴ３のゲート電極とを切
り離し、またＴＦＴ３のソース電極とドレイン電極とを
接続して、この欠陥絵素を修正する。この修正には、レ
ーザ光等を使用することができる。また、以下に説明す
る修正においても、レーザ光等が適用される。なお、検
査信号Ｎｏ１、２、３の場合には、ドレイン波形Ｄでの
電位が図２２（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように異なるた
め、その電位を電気的に測定すると、目視検査に代えて
検査することができる。

【００６４】（絵素電極とソースバスラインとの間のリ
ーク）この欠陥は、図２３に示すように、絵素電極４と
ソースバスライン２との間で起こる強いリークを原因と
して生じる。この場合も上述と同様に検査信号Ｎｏ１、
２、３を行う。このとき、上述の欠陥のある絵素の部分
では、最適な対向電圧の信号Ｃ１において、表２および
前記図７の（ｂ）強いリーク部分に示したように、検査
信号Ｎｏ１及び検査信号Ｎｏ３では黒表示となり、検査
信号Ｎｏ２では輝点表示となる。この表示状態は、表２
に示されるように、他の欠陥検出の場合とは黒表示と輝
点表示とのパターンが異なるため、リーク不良欠陥モー
ドが判別される。この場合は、実駆動では殆ど欠陥とし
て見えないため、修正を行わない。この場合も、ドレイ
ン波形Ｄでの電位が、図２４（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す
ように異なるため、その電位を電気的に測定することに
より、目視検査に代えて検査することができる。

【００６５】（補助容量電極間のリークによる絵素欠
陥）この欠陥は、図２５（ａ）に示すように、或るゲー
トバスライン１に接続された絵素電極４と、この絵素電
極４に対向して補助容量６を構成し、かつ共通配線２９
に接続された補助容量用の電極との間で生じるリークに
起因して起こる。この場合は、検査信号Ｎｏ１、２、３
では検査を行うことができず、検査信号Ｎｏ４、５、６
を行う。検査信号Ｎｏ４、５では、補助容量用共通配線
２９をゲートオフ電圧に接続し、対向電極５の電圧をＴ
ＦＴ３をオフさせるゲート電圧にした場合、輝点表示と
なる。オンさせるゲート電圧にした場合、黒点となる。
検査信号Ｎｏ６では、補助容量用の電極側の補助容量用
共通配線２９を対向電極と接続し、ＴＦＴ３をオフさせ
るゲート電圧からオンさせるゲート電圧まで可変した場
合、すべての電圧で輝点表示となる。この表示状態は、
表２に示されるように、他の欠陥検出の場合とは黒表示
と輝点表示とのパターンが異なるため、これにより補助
容量電極間のリークによる絵素欠陥が判別される。

【００６６】この場合の修正は、図２５（ｂ）に示すよ
うに、ゲートバスライン１と欠陥絵素となっているＴＦ
Ｔ３との間を切断し、かつ、ＴＦＴ３のソース電極とド
レイン電極との間を接続状態となす。加えて、補助容量
用の電極とゲートバスライン１との間を切り離す。

【００６７】この場合も、ドレイン波形Ｄでの電位が、
図２６（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように異なるため、そ
の電位を電気的に測定することにより、目視検査に代え
て検査することができる。

【００６８】なお、参考として、前記図１２に示したよ
うに正常な絵素の場合は検査信号Ｎｏを種々変えても曲
線Ｌ１のように黒表示の範囲内となり、欠陥絵素の場合
は検査信号Ｎｏを４〜６において種々変えると曲線Ｌ２
のように黒表示の範囲内だけでなく、輝点表示となる範
囲を有する。補助容量電極間のリークによる絵素欠陥の
場合は、上述した曲線Ｌ２に基づいて検出される。ま
た、後述するＴＦＴのゲートとドレインとの間のリーク
による絵素欠陥も同様の理由により検出される。

【００６９】（対向電極と絵素電極との間のリークによ
る絵素欠陥）この欠陥は、対向電極と絵素電極とが電気
的に接続された状態となることにより発生しているの
で、表２に示すように、検査信号Ｎｏ１から６のどれを
行っても輝点表示となり、他の欠陥とは異なる表示状態
が得られる。これにより、対向電極と絵素電極との間の
リークによる絵素欠陥を検出できる。この場合の修正
は、電極間に導体異物が挟まっているときは、目視観察
等によって欠陥箇所を見つけ出し、欠陥状態に応じた加
工を施すことにより行うことができる。

【００７０】（ＴＦＴのゲートとドレインとの間のリー
クによる絵素欠陥）この欠陥は、図２７（ａ）に示すよ
うに、絵素駆動用ＴＦＴ３のゲート電極とドレイン電極
の間がリークすることにより発生している。この欠陥が
発生している場合、検査信号Ｎｏ１、２、３では検査を
行うことができず、検査信号Ｎｏ４、６を行う。検査信
号Ｎｏ４では、補助容量用共通配線２９をゲートオフ電
圧に接続し、対向電極５の電圧を、ＴＦＴ３をオフさせ
るゲート電圧にした場合、輝点表示となる。検査信号Ｎ
ｏ６では、補助容量用の電極側のゲートバスライン１を
対向電極と接続し、ＴＦＴ３をオフさせるゲート電圧か
らオンさせるゲート電圧まで可変すると、上述した補助
容量電極間のリークによる絵素欠陥の場合とは異なり、
対向電極の電圧をＴＦＴ３をオフさせるゲート電圧にし
た場合のみ、輝点表示となる。この表示状態は、表２に
示されるように、他の欠陥検出の場合とは黒表示と輝点
表示とのパターンが異なるため、これによりＴＦＴのゲ
ートとドレインとの間のリークによる絵素欠陥が判別さ
れる。

【００７１】この場合の修正は、図２７（ｂ）に示すよ
うに、ゲートバスライン１とＴＦＴ３との間を切断する
と共にＴＦＴ３のソース電極とドレイン電極との間を接
続する。

【００７２】この場合も、ドレイン波形Ｄでの電位が、
図２８（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように異なるため、そ
の電位を電気的に測定することにより、目視検査に代え
て検査することができる。

【００７３】（ゲートバスラインとソースバスラインと
の間のリークによる線欠陥）この欠陥は、図２９（ａ）
に示すように、ゲートバスライン１とソースバスライン
２との間でのリークにより生じ、このリークが生じてい
るゲートバスライン１に接続された横一列に並ぶ絵素電
極と、リークが生じているソースバスライン２に接続さ
れた縦一列に並ぶ絵素電極とに表示不良が発生し、つま
り十字状の線欠陥として表示される。

【００７４】上記欠陥が生じている場合は、ソースバス
ライン２の信号の影響で正常時に比べてＴＦＴをオフさ
せるゲート電圧からオンさせるゲート電圧の振幅が小さ
くなってしまうため、ＴＦＴ３のオン抵抗もオフ抵抗も
十分に維持できなくなる。したがって、ソースバスライ
ン２とリークしているゲートバスライン１とに接続され
ているＴＦＴ３は、見掛け上、オフ特性不良のＴＦＴ３
と同じような挙動を示す。よって、この欠陥の検出は、
検査信号Ｎｏ１、３により行う。このとき、検査信号Ｎ
ｏ１により検査を行っている場合より、検査信号Ｎｏ３
により検査を行っている場合の方が、線欠陥として表示
されている横方向の線の状態が明瞭に目視観察されるこ
ととなる。このとき、ソースバスライン２に接続された
絵素電極に基づく縦方向の線も明瞭に見えている。よっ
て、明瞭に表れた十字状のクロス部分に基づいて欠陥箇
所が判別される。この場合の修正は、図２９（ｂ）に示
すように、ソースバスライン２におけるリーク発生箇所
の両側を切断すると共に、該当するソースバスライン２
へ両端側から信号を与えるようにする。

【００７５】この場合も、ゲートバスライン１とソース
バスライン２との間のリーク時のゲート信号波形Ｅでの
電位が、図３０（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように異なる
ため、その電位を電気的に測定することにより、目視検
査に代えて検査することができる。

【００７６】従って、本発明にあっては、従来では検出
できなかった欠陥モードを検査でき、更にその検査結果
に基づいて欠陥修正を行うことができる。これにより、
アクティブマトリクス基板の良品率を向上させることが
可能となって歩留りを向上させることができる。なお、
本発明においては、オン不良欠陥モードはその検出を行
えることはもちろんである。

【００７７】

【発明の効果】本発明による場合には、今まで実際の駆
動を行うゲートドライバーＩＣを実装するまで検出する
ことができなかったＴＦＴのオフ特性欠陥やリーク等に
よる絵素欠陥などを検出でき、更には検出された欠陥を
修正することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１に係るアクティブマトリクス基板の検
査方法を適用するアクティブマトリクス基板の全体を示
す平面図である。

【図２】図１のアクティブマトリクス基板の一部を示す
平面図である。

【図３】実施例１のアクティブマトリクス基板の検査装
置を示すブロック図である。

【図４】実施例１のアクティブマトリクス基板の検査方
法において使用する信号波形図である。

【図５】（ａ）は実施例１により検出するオフ特性欠陥
モードの場合の欠陥状態を示す模式図、（ｂ）は修正箇
所を示す模式図である。

【図６】オフ特性欠陥モードを検出する際の電圧を示し
ており、（ａ）は検査信号Ｎｏ１の場合におけるドレイ
ン電極での電位を示す図、（ｂ）は検査信号Ｎｏ２によ
る場合のドレイン電極での電位を示す図、（ｃ）は検査
信号Ｎｏ３による場合のドレイン電極での電位を示す図
である。

【図７】横軸にＴＦＴのソース・ドレイン又はソースバ
スライン・絵素電極間のリーク抵抗をとり、縦軸に液晶
間に印加される実効電圧をとって、両者の関係を示すグ
ラフである。

【図８】実施例１により検出する絵素電極とソースバス
ラインとの間のリークの場合の欠陥状態を示す模式図で
ある。

【図９】絵素電極とソースバスラインとの間のリークを
検出する際の電圧を示しており、（ａ）は検査信号Ｎｏ
１による場合のドレイン電極での電位を示す図、（ｂ）
は検査信号Ｎｏ２による場合のドレイン電極での電位を
示す図、（ｃ）は検査信号Ｎｏ３による場合のドレイン
電極での電位を示す図である。

【図１０】（ａ）は実施例１により検出する補助容量電
極間のリークによる絵素欠陥の場合の欠陥状態を示す模
式図、（ｂ）は修正箇所を示す模式図である。

【図１１】補助容量電極間のリークによる絵素欠陥を検
出する際の電圧を示しており、（ａ）は検査信号Ｎｏ１
による場合のドレイン電極での電位を示す図、（ｂ）は
検査信号Ｎｏ２による場合のドレイン電極での電位を示
す図、（ｃ）は検査信号Ｎｏ３による場合のドレイン電
極での電位を示す図である。

【図１２】横軸に対向電極に印加する電圧をとり、縦軸
に液晶間に印加される実効電圧をとって、両者の関係を
示すグラフである。

【図１３】（ａ）は実施例１により検出するＴＦＴのゲ
ートとソースとの間のリークによる絵素欠陥の場合の欠
陥状態を示す模式図、（ｂ）は修正箇所を示す模式図で
ある。

【図１４】ＴＦＴのゲートとソースとの間のリークによ
る絵素欠陥を検出する際の電圧を示しており、（ａ）は
検査信号Ｎｏ１による場合のドレイン電極での電位を示
す図、（ｂ）は検査信号Ｎｏ２による場合のドレイン電
極での電位を示す図、（ｃ）は検査信号Ｎｏ３による場
合のドレイン電極での電位を示す図である。

【図１５】（ａ）は実施例１により検出するゲートバス
ラインとソースバスラインとの間のリークによる線欠陥
の場合の欠陥状態を示す模式図、（ｂ）は修正箇所を示
す模式図である。

【図１６】ゲートバスラインとソースバスラインとの間
のリークによる線欠陥を検出する際の電圧を示してお
り、（ａ）は検査信号Ｎｏ１による場合のゲートバスラ
インとソースバスラインとの間のリーク時のゲート信号
波形Ｅを示す図、（ｂ）は検査信号Ｎｏ２による場合の
正常時のゲート信号波形Ｅを示す図、（ｃ）は検査信号
Ｎｏ３による場合のゲートバスラインとソースバスライ
ンとの間のリーク時のゲート信号波形Ｅを示す図であ
る。

【図１７】実施例２に係るアクティブマトリクス基板の
検査方法を適用するアクティブマトリクス基板の全体を
示す平面図である。

【図１８】図１７のアクティブマトリクス基板の一部を
示す平面図である。

【図１９】実施例２のアクティブマトリクス基板の検査
装置を示すブロック図である。

【図２０】実施例２のアクティブマトリクス基板の検査
方法において使用する信号波形図である。

【図２１】（ａ）は実施例２により検出するオフ特性欠
陥モードの場合の欠陥状態を示す模式図、（ｂ）は修正
箇所を示す模式図である。

【図２２】オフ特性欠陥モードを検出する際の電圧を示
しており、（ａ）は検査信号Ｎｏ１の場合におけるドレ
イン電極での電位を示す図、（ｂ）は検査信号Ｎｏ２に
よる場合のドレイン電極での電位を示す図、（ｃ）は検
査信号Ｎｏ３による場合のドレイン電極での電位を示す
図である。

【図２３】実施例２により検出する絵素電極とソースバ
スラインとの間のリークの場合の欠陥状態を示す模式図
である。

【図２４】絵素電極とソースバスラインとの間のリーク
を検出する際の電圧を示しており、（ａ）は検査信号Ｎ
ｏ１による場合のドレイン電極での電位を示す図、
（ｂ）は検査信号Ｎｏ２による場合のドレイン電極での
電位を示す図、（ｃ）は検査信号Ｎｏ３による場合のド
レイン電極での電位を示す図である。

【図２５】（ａ）は実施例２により検出する補助容量電
極間のリークによる絵素欠陥の場合の欠陥状態を示す模
式図、（ｂ）は修正箇所を示す模式図である。

【図２６】補助容量電極間のリークによる絵素欠陥を検
出する際の電圧を示しており、（ａ）は検査信号Ｎｏ１
による場合のドレイン電極での電位を示す図、（ｂ）は
検査信号Ｎｏ２による場合のドレイン電極での電位を示
す図、（ｃ）は検査信号Ｎｏ３による場合のドレイン電
極での電位を示す図である。

【図２７】（ａ）は実施例２により検出するＴＦＴのゲ
ートとソースとの間のリークによる絵素欠陥の場合の欠
陥状態を示す模式図、（ｂ）は修正箇所を示す模式図で
ある。

【図２８】ＴＦＴのゲートとソースとの間のリークによ
る絵素欠陥を検出する際の電圧を示しており、（ａ）は
検査信号Ｎｏ１による場合のドレイン電極での電位を示
す図、（ｂ）は検査信号Ｎｏ２による場合のドレイン電
極での電位を示す図、（ｃ）は検査信号Ｎｏ３による場
合のドレイン電極での電位を示す図である。

【図２９】（ａ）は実施例２により検出するゲートバス
ラインとソースバスラインとの間のリークによる線欠陥
の場合の欠陥状態を示す模式図、（ｂ）は修正箇所を示
す模式図である。

【図３０】ゲートバスラインとソースバスラインとの間
のリークによる線欠陥を検出する際の電圧を示してお
り、（ａ）は検査信号Ｎｏ１による場合のゲートバスラ
インとソースバスラインとの間のリーク時のゲート信号
波形Ｅを示す図、（ｂ）は検査信号Ｎｏ２による場合の
正常時のゲート信号波形Ｅを示す図、（ｃ）は検査信号
Ｎｏ３による場合のゲートバスラインとソースバスライ
ンとの間のリーク時のゲート信号波形Ｅを示す図であ
る。

【図３１】従来の検査方法による信号印加状態を、Ｃｓ
−Ｏｎ−Ｇａｔｅ構造のアクティブマトリクス基板と共
に示す模式図である。

【図３２】図３１のＣｓ−Ｏｎ−Ｇａｔｅ構造のアクテ
ィブマトリクス基板を部分的に拡大して示す平面図であ
る。

【図３３】Ｃｓ−Ｏｎ−Ｇａｔｅ構造のアクティブマト
リクス基板に対して行う、従来の検査方法で用いた信号
の波形図である。

【図３４】従来の検査方法による信号印加状態を、Ｃｓ
−Ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ構造のアクティブマトリクス基板
と共に示す模式図である。

【図３５】図３４のＣｓ−Ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ構造のア
クティブマトリクス基板を部分的に拡大して示す平面図
である。

【図３６】Ｃｓ−Ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ構造のアクティブ
マトリクス基板に対して行う、従来の検査方法で用いた
信号の波形図である。

【符号の説明】

１ ゲートバスライン ２ ソースバスライン ３ ＴＦＴ ４ 絵素電極 ５ 対向電極 ６ 補助容量 ７ 配線 ７ａ 端子 ８ 配線 ８ａ 端子 ９ 配線 ９ａ 端子 １１ 基準信号発生回路 １２ 分周回路 １３ Ｂ１信号発生回路 １４ Ｂ２信号発生回路 １５ Ｂ３信号発生回路 １６ 奇数ゲートライン信号発生回路 １７ 偶数ゲートライン信号発生回路 １８ 対向電極用信号発生回路 １９ 対向電極用信号発生回路 ２０ スイッチ ２１ スイッチ ２２ スイッチ ２３ スイッチ ２４ 検査用端子 ２５ 検査用端子 ２６ 検査用端子 ２７ 検査用端子 ２８ 共通の配線 ２８ａ 端子 ２９ 補助容量用共通配線 ３１ 基準信号発生回路 ３２ 分周回路 ３３ Ｂ１信号発生回路 ３４ Ｂ２信号発生回路 ３５ Ｂ３信号発生回路 ３６ ゲートライン信号発生回路 ３７ ゲートオフ電圧信号発生回路 ３８ 対向電極用信号発生回路 ３９ 対向電極用信号発生回路 ４０ スイッチ ４１ スイッチ ４２ スイッチ ４３ 検査用端子 ４４ 検査用端子 ４５ 検査用端子 ４６ 検査用端子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中沢 清 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 宮後 誠 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 橘 誠 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 金森 謙 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性基板上に複数の絵素電極と各絵素
   電極を駆動するための薄膜トランジスタとがマトリクス
   状に配置され、該薄膜トランジスタと各々接続し、かつ
   相互に交差して形成された走査線及び信号線に、該薄膜
   トランジスタを介して各絵素電極が接続されていると共
   に、該絵素電極に関連して形成された補助容量が、該絵
   素電極が接続されている走査線とは絵素電極を挟んで近
   接する別の走査線に接続されたアクティブマトリクス基
   板の検査方法において、 該アクティブマトリクス基板に対向配設させる対向電極
   を有する対向基板と、該対向基板の対向電極側に形成さ
   れ、アクティブマトリクス基板側に配される液晶層と、
   走査線、信号線及び該対向電極にそれぞれ接続するため
   の接続用端子とを備える検査装置を使用し、該アクティ
   ブマトリクス基板に対して該検査装置を対向配設すると
   共に、該接続用端子を走査線、信号線及び該対向電極の
   それぞれに接続する工程と、 該アクティブマトリクス基板の走査線に１フレームの期
   間を定めるオン信号と該オン信号に後続するオフ信号と
   を交互に与えると共に、相前後する２つのフレームそれ
   ぞれのオン信号付与の前に信号線に与える電圧のレベル
   を変更する第１のパターンと、相前後する２つのフレー
   ムそれぞれのオン信号付与の前後に信号線に与える電圧
   のレベルを変更する第２のパターンと、相前後する２つ
   のフレームそれぞれのオン信号付与の後に信号線に与え
   る電圧のレベルを変更する第３のパターンとを全て行
   い、又は選択的に行って欠陥モードを検出する工程と、 を行うアクティブマトリクス基板の検査方法。
2. 【請求項２】 絶縁性基板上に複数の絵素電極と各絵素
   電極を駆動するための薄膜トランジスタとがマトリクス
   状に配置され、該薄膜トランジスタと各々接続し、かつ
   相互に交差して形成された走査線及び信号線に、該薄膜
   トランジスタを介して各絵素電極が接続されていると共
   に、該絵素電極に関連して形成された補助容量が、該絵
   素電極が接続されている走査線とは絵素電極を挟んで近
   接する別の走査線に接続されたアクティブマトリクス基
   板の検査方法において、 該アクティブマトリクス基板に対向配設させる対向電極
   を有する対向基板と、該対向基板の対向電極側に形成さ
   れ、アクティブマトリクス基板側に配される液晶層と、
   走査線、信号線及び該対向電極にそれぞれ接続するため
   の接続用端子とを備える検査装置を使用し、該アクティ
   ブマトリクス基板に対して該検査装置を対向配設すると
   共に、該接続用端子を走査線、信号線及び該対向電極の
   それぞれに接続する工程と、 該アクティブマトリクス基板の走査線に１フレームの期
   間を定めるオン信号と該オン信号に後続するオフ信号と
   を交互に与えると共に、相前後する２つのフレームそれ
   ぞれのオン信号付与の前に信号線に与える電圧のレベル
   を変更する第１のパターンと、相前後する２つのフレー
   ムそれぞれのオン信号付与の前後に信号線に与える電圧
   のレベルを変更する第２のパターンと、相前後する２つ
   のフレームそれぞれのオン信号付与の後に信号線に与え
   る電圧のレベルを変更する第３のパターンとを全て行
   い、又は選択的に行い、更に、該対向電極に与える電圧
   を、走査線に印加される該薄膜トランジスタのオン電圧
   にすることと、該対向電極に与える電圧を、走査線に印
   加される該薄膜トランジスタのオフ電圧にすることと、
   該補助容量を該対向電極に接続した状態で該オン電圧と
   オフ電圧との間で変化させることとを選択的に行って欠
   陥モードを検出する工程と、 を行うアクティブマトリクス基板の検査方法。
3. 【請求項３】 絶縁性基板上に複数の絵素電極と各絵素
   電極を駆動するための薄膜トランジスタとがマトリクス
   状に配置され、該薄膜トランジスタと各々接続し、かつ
   相互に交差して形成された走査線及び信号線に、該薄膜
   トランジスタを介して各絵素電極が接続されていると共
   に、該絵素電極に関連して形成された補助容量が、該絵
   素電極が接続されている走査線とは絵素電極を挟んで近
   接する別の走査線に接続されたアクティブマトリクス基
   板の検査装置であって、 該アクティブマトリクス基板に対向状態に配設される対
   向電極を有する対向基板と、 該対向基板の対向電極側に形成され、アクティブマトリ
   クス基板側に配される液晶層と、 該走査線、信号線及び対向電極にそれぞれ接続するため
   の接続用端子と、 該接続用端子を介してアクティブマトリクス基板の欠陥
   モードを検出する検出手段とを備え、 該検出手段が、アクティブマトリクス基板の走査線に１
   フレームの期間を定めるオン信号と該オン信号に後続す
   るオフ信号とを交互に与えると共に、相前後する２つの
   フレームそれぞれのオン信号付与の前に信号線に与える
   電圧のレベルを変更する第１のパターンと、相前後する
   ２つのフレームそれぞれのオン信号付与の前後に信号線
   に与える電圧のレベルを変更する第２のパターンと、相
   前後する２つのフレームそれぞれのオン信号付与の後に
   信号線に与える電圧のレベルを変更する第３のパターン
   とを全て行い、又は選択的に行って欠陥モードを検出す
   る構成となっているアクティブマトリクス基板の検査装
   置。
4. 【請求項４】 絶縁性基板上に複数の絵素電極と各絵素
   電極を駆動するための薄膜トランジスタとがマトリクス
   状に配置され、該薄膜トランジスタと各々接続し、かつ
   相互に交差して形成された走査線及び信号線に、該薄膜
   トランジスタを介して各絵素電極が接続されていると共
   に、該絵素電極に関連して形成された補助容量が、該絵
   素電極が接続されている走査線とは絵素電極を挟んで近
   接する別の走査線に接続されたアクティブマトリクス基
   板の検査装置であって、 該アクティブマトリクス基板に対向状態に配設される対
   向電極を有する対向基板と、 該対向基板の対向電極側に形成され、アクティブマトリ
   クス基板側に配される液晶層と、 走査線、信号線及び該対向電極にそれぞれ接続するため
   の接続用端子と、 該接続用端子を介してアクティブマトリクス基板の欠陥
   モードを検出する検出手段とを備え、 該検出手段が、アクティブマトリクス基板の走査線に１
   フレームの期間を定めるオン信号と該オン信号に後続す
   るオフ信号とを交互に与えると共に、相前後する２つの
   フレームそれぞれのオン信号付与の前に信号線に与える
   電圧のレベルを変更する第１のパターンと、相前後する
   ２つのフレームそれぞれのオン信号付与の前後に信号線
   に与える電圧のレベルを変更する第２のパターンと、相
   前後する２つのフレームそれぞれのオン信号付与の後に
   信号線に与える電圧のレベルを変更する第３のパターン
   とを全て行い、又は選択的に行い、更に、該対向電極に
   与える電圧を、走査線に印加される該薄膜トランジスタ
   のオン電圧にすることと、該対向電極に与える電圧を、
   走査線に印加される該薄膜トランジスタのオフ電圧にす
   ることと、該補助容量を該対向電極に接続した状態で該
   オン電圧と該オフ電圧との間で変化させることとを選択
   的に行って欠陥モードを検出する構成となっているアク
   ティブマトリクス基板の検査装置。
5. 【請求項５】 絶縁性基板上に複数の絵素電極と各絵素
   電極を駆動するための薄膜トランジスタとがマトリクス
   状に配置され、該薄膜トランジスタと各々接続し、かつ
   相互に交差して形成された走査線及び信号線に、該薄膜
   トランジスタを介して各絵素電極が接続されていると共
   に、該絵素電極に関連して形成された補助容量が、該絵
   素電極が接続されている走査線とは絵素電極を挟んで近
   接する別の走査線に接続されたアクティブマトリクス基
   板の欠陥修正方法において、 該アクティブマトリクス基板に対向配設させる対向電極
   を有する対向基板と、該対向基板の対向電極側に形成さ
   れ、アクティブマトリクス基板側に配される液晶層と、
   走査線、信号線及び該対向電極にそれぞれ接続するため
   の接続用端子とを備える検査装置を使用し、該アクティ
   ブマトリクス基板に対して該検査装置を対向配設すると
   共に、該接続用端子を走査線、信号線及び該対向電極の
   それぞれに接続する工程と、 該アクティブマトリクス基板の走査線に１フレームの期
   間を定めるオン信号と、該オン信号に後続するオフ信号
   とを交互に与えると共に、相前後する２つのフレームそ
   れぞれのオン信号付与の前に信号線に与える電圧のレベ
   ルを変更する第１のパターンと、相前後する２つのフレ
   ームそれぞれのオン信号付与の前後に信号線に与える電
   圧のレベルを変更する第２のパターンと、相前後する２
   つのフレームそれぞれのオン信号付与の後に信号線に与
   える電圧のレベルを変更する第３のパターンとを全て行
   い、又は選択的に行って欠陥モードを検出する工程と、 検出された欠陥モードに応じて欠陥を修正する工程とを
   行うアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法。
6. 【請求項６】 絶縁性基板上に複数の絵素電極と各絵素
   電極を駆動するための薄膜トランジスタとがマトリクス
   状に配置され、該薄膜トランジスタと各々接続し、かつ
   相互に交差して形成された走査線及び信号線に、該薄膜
   トランジスタを介して各絵素電極が接続されていると共
   に、該絵素電極に関連して形成された補助容量が該絵素
   電極が接続されている走査線とは絵素電極を挟んで近接
   する別の走査線に接続されているアクティブマトリクス
   基板の欠陥修正方法において、 該アクティブマトリクス基板に対向配設させる対向電極
   を有する対向基板と、該対向基板の対向電極側に形成さ
   れ、アクティブマトリクス基板側に配される液晶層と、
   走査線、信号線及び該対向電極にそれぞれ接続するため
   の接続用端子とを備える検査装置を使用し、該アクティ
   ブマトリクス基板に対して該検査装置を対向配設すると
   共に、該接続用端子を走査線、信号線及び該対向電極の
   それぞれに接続する工程と、 該アクティブマトリクス基板の走査線に１フレームの期
   間を定めるオン信号と、該オン信号に後続するオフ信号
   とを交互に与えると共に、相前後する２つのフレームそ
   れぞれのオン信号付与の前に信号線に与える電圧のレベ
   ルを変更する第１のパターンと、相前後する２つのフレ
   ームそれぞれのオン信号付与の前後に信号線に与える電
   圧のレベルを変更する第２のパターンと、相前後する２
   つのフレームそれぞれのオン信号付与の後に信号線に与
   える電圧のレベルを変更する第３のパターンとを全て行
   い、又は選択的に行い、更に、該対向電極に与える電圧
   を、走査線に印加される該薄膜トランジスタのオン電圧
   にすることと、該対向電極に与える電圧を、走査線に印
   加される該薄膜トランジスタのオフ電圧にすることと、
   該補助容量を該対向電極に接続した状態で該オン電圧と
   オフ電圧との間で変化させることとを選択的に行って欠
   陥モードを検出する工程と、 検出された欠陥モードに応じて欠陥を修正する工程とを
   行うアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法。
7. 【請求項７】 絶縁性基板上に複数の絵素電極と各絵素
   電極を駆動するための薄膜トランジスタとがマトリクス
   状に配置され、該薄膜トランジスタと各々接続し、かつ
   相互に交差して形成された走査線及び信号線に、該薄膜
   トランジスタを介して各絵素電極が接続されていると共
   に、該絵素電極に関連して形成された補助容量が共通配
   線に接続されているアクティブマトリクス基板の検査方
   法において、 該アクティブマトリクス基板に対向配設させる対向電極
   を有する対向基板と、該対向基板の対向電極側に形成さ
   れ、アクティブマトリクス基板側に配される液晶層と、
   走査線、信号線及び該対向電極にそれぞれ接続するため
   の接続用端子とを備える検査装置を使用し、該アクティ
   ブマトリクス基板に対して該検査装置を対向配設すると
   共に、該接続用端子を走査線、信号線及び該対向電極の
   それぞれに接続する工程と、 該アクティブマトリクス基板の走査線に１フレームの期
   間を定めるオン信号と該オン信号に後続するオフ信号と
   を交互に与えると共に、相前後する２つのフレームそれ
   ぞれのオン信号付与の前に信号線に与える電圧のレベル
   を変更する第１のパターンと、相前後する２つのフレー
   ムそれぞれのオン信号付与の前後に信号線に与える電圧
   のレベルを変更する第２のパターンと、相前後する２つ
   のフレームそれぞれのオン信号付与の後に信号線に与え
   る電圧のレベルを変更する第３のパターンとを全て行
   い、又は選択的に行って欠陥モードを検出する工程と、 を行うアクティブマトリクス基板の検査方法。
8. 【請求項８】 絶縁性基板上に複数の絵素電極と各絵素
   電極を駆動するための薄膜トランジスタとがマトリクス
   状に配置され、該薄膜トランジスタと各々接続し、かつ
   相互に交差して形成された走査線及び信号線に、該薄膜
   トランジスタを介して各絵素電極が接続されていると共
   に、該絵素電極に関連して形成された補助容量が共通配
   線に接続されているアクティブマトリクス基板の検査方
   法において、 該アクティブマトリクス基板に対向配設させる対向電極
   を有する対向基板と、該対向基板の対向電極側に形成さ
   れ、アクティブマトリクス基板側に配される液晶層と、
   走査線、信号線及び該対向電極にそれぞれ接続するため
   の接続用端子とを備える検査装置を使用し、該アクティ
   ブマトリクス基板に対して該検査装置を対向配設すると
   共に、該接続用端子を走査線、信号線及び該対向電極の
   それぞれに接続する工程と、 該アクティブマトリクス基板の走査線に１フレームの期
   間を定めるオン信号と該オン信号に後続するオフ信号と
   を交互に与えると共に、相前後する２つのフレームそれ
   ぞれのオン信号付与の前に信号線に与える電圧のレベル
   を変更する第１のパターンと、相前後する２つのフレー
   ムそれぞれのオン信号付与の前後に信号線に与える電圧
   のレベルを変更する第２のパターンと、相前後する２つ
   のフレームそれぞれのオン信号付与の後に信号線に与え
   る電圧のレベルを変更する第３のパターンとを全て行
   い、又は選択的に行い、更に、該対向電極に与える電圧
   を、走査線に印加される該薄膜トランジスタのオン電圧
   にすることと、該対向電極に与える電圧を、走査線に印
   加される該薄膜トランジスタのオフ電圧にすることと、
   該補助容量を該対向電極に接続した状態で該オン電圧と
   オフ電圧との間で変化させることとを選択的に行って欠
   陥モードを検出する工程と、 を行うアクティブマトリクス基板の検査方法。
9. 【請求項９】 絶縁性基板上に複数の絵素電極と各絵素
   電極を駆動するための薄膜トランジスタとがマトリクス
   状に配置され、該薄膜トランジスタと各々接続し、かつ
   相互に交差して形成された走査線及び信号線に、該薄膜
   トランジスタを介して各絵素電極が接続されていると共
   に、該絵素電極に関連して形成された補助容量が共通配
   線に接続されているアクティブマトリクス基板の検査装
   置であって、 該アクティブマトリクス基板に対向状態に配設される対
   向電極を有する対向基板と、 該対向基板の対向電極側に形成され、アクティブマトリ
   クス基板側に配される液晶層と、 該走査線、信号線及び対向電極にそれぞれ接続するため
   の接続用端子と、 該接続用端子を介してアクティブマトリクス基板の欠陥
   モードを検出する検出手段とを備え、 該検出手段が、アクティブマトリクス基板の走査線に１
   フレームの期間を定めるオン信号と該オン信号に後続す
   るオフ信号とを交互に与えると共に、相前後する２つの
   フレームそれぞれのオン信号付与の前に信号線に与える
   電圧のレベルを変更する第１のパターンと、相前後する
   ２つのフレームそれぞれのオン信号付与の前後に信号線
   に与える電圧のレベルを変更する第２のパターンと、相
   前後する２つのフレームそれぞれのオン信号付与の後に
   信号線に与える電圧のレベルを変更する第３のパターン
   とを全て行い、又は選択的に行って欠陥モードを検出す
   る構成となっているアクティブマトリクス基板の検査装
   置。
10. 【請求項１０】 絶縁性基板上に複数の絵素電極と各絵
    素電極を駆動するための薄膜トランジスタとがマトリク
    ス状に配置され、該薄膜トランジスタと各々接続し、か
    つ相互に交差して形成された走査線及び信号線に、該薄
    膜トランジスタを介して各絵素電極が接続されていると
    共に、該絵素電極に関連して形成された補助容量が共通
    配線に接続されているアクティブマトリクス基板の検査
    装置であって、 該アクティブマトリクス基板に対向状態に配設される対
    向電極を有する対向基板と、 該対向基板の対向電極側に形成され、アクティブマトリ
    クス基板側に配される液晶層と、 走査線、信号線及び該対向電極にそれぞれ接続するため
    の接続用端子と、 該接続用端子を介してアクティブマトリクス基板の欠陥
    モードを検出する検出手段とを備え、 該検出手段が、アクティブマトリクス基板の走査線に１
    フレームの期間を定めるオン信号と該オン信号に後続す
    るオフ信号とを交互に与えると共に、相前後する２つの
    フレームそれぞれのオン信号付与の前に信号線に与える
    電圧のレベルを変更する第１のパターンと、相前後する
    ２つのフレームそれぞれのオン信号付与の前後に信号線
    に与える電圧のレベルを変更する第２のパターンと、相
    前後する２つのフレームそれぞれのオン信号付与の後に
    信号線に与える電圧のレベルを変更する第３のパターン
    とを全て行い、又は選択的に行い、更に、該対向電極に
    与える電圧を、走査線に印加される該薄膜トランジスタ
    のオン電圧にすることと、該対向電極に与える電圧を、
    走査線に印加される該薄膜トランジスタのオフ電圧にす
    ることと、該補助容量を該対向電極に接続した状態で該
    オン電圧と該オフ電圧との間で変化させることとを選択
    的に行って欠陥モードを検出する構成となっているアク
    ティブマトリクス基板の検査装置。
11. 【請求項１１】 絶縁性基板上に複数の絵素電極と各絵
    素電極を駆動するための薄膜トランジスタとがマトリク
    ス状に配置され、該薄膜トランジスタと各々接続し、か
    つ相互に交差して形成された走査線及び信号線に、該薄
    膜トランジスタを介して各絵素電極が接続されていると
    共に、該絵素電極に関連して形成された補助容量が共通
    配線に接続されているアクティブマトリクス基板の欠陥
    修正方法において、 該アクティブマトリクス基板に対向配設させる対向電極
    を有する対向基板と、該対向基板の対向電極側に形成さ
    れ、アクティブマトリクス基板側に配される液晶層と、
    走査線、信号線及び該対向電極にそれぞれ接続するため
    の接続用端子とを備える検査装置を使用し、該アクティ
    ブマトリクス基板に対して該検査装置を対向配設すると
    共に、該接続用端子を走査線、信号線及び該対向電極の
    それぞれに接続する工程と、 該アクティブマトリクス基板の走査線に１フレームの期
    間を定めるオン信号と、該オン信号に後続するオフ信号
    とを交互に与えると共に、相前後する２つのフレームそ
    れぞれのオン信号付与の前に信号線に与える電圧のレベ
    ルを変更する第１のパターンと、相前後する２つのフレ
    ームそれぞれのオン信号付与の前後に信号線に与える電
    圧のレベルを変更する第２のパターンと、相前後する２
    つのフレームそれぞれのオン信号付与の後に信号線に与
    える電圧のレベルを変更する第３のパターンとを全て行
    い、又は選択的に行って欠陥モードを検出する工程と、 検出された欠陥モードに応じて欠陥を修正する工程とを
    行うアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法。
12. 【請求項１２】 絶縁性基板上に複数の絵素電極と各絵
    素電極を駆動するための薄膜トランジスタとがマトリク
    ス状に配置され、該薄膜トランジスタと各々接続し、か
    つ相互に交差して形成された走査線及び信号線に、該薄
    膜トランジスタを介して各絵素電極が接続されていると
    共に、該絵素電極に関連して形成された補助容量が共通
    配線に接続されているアクティブマトリクス基板の欠陥
    修正方法において、 該アクティブマトリクス基板に対向配設させる対向電極
    を有する対向基板と、該対向基板の対向電極側に形成さ
    れ、アクティブマトリクス基板側に配される液晶層と、
    走査線、信号線及び該対向電極にそれぞれ接続するため
    の接続用端子とを備える検査装置を使用し、該アクティ
    ブマトリクス基板に対して該検査装置を対向配設すると
    共に、該接続用端子を走査線、信号線及び該対向電極の
    それぞれに接続する工程と、 該アクティブマトリクス基板の走査線に１フレームの期
    間を定めるオン信号と、該オン信号に後続するオフ信号
    とを交互に与えると共に、相前後する２つのフレームそ
    れぞれのオン信号付与の前に信号線に与える電圧のレベ
    ルを変更する第１のパターンと、相前後する２つのフレ
    ームそれぞれのオン信号付与の前後に信号線に与える電
    圧のレベルを変更する第２のパターンと、相前後する２
    つのフレームそれぞれのオン信号付与の後に信号線に与
    える電圧のレベルを変更する第３のパターンとを全て行
    い、又は選択的に行い、更に、該対向電極に与える電圧
    を、走査線に印加される該薄膜トランジスタのオン電圧
    にすることと、該対向電極に与える電圧を、走査線に印
    加される該薄膜トランジスタのオフ電圧にすることと、
    該補助容量を該対向電極に接続した状態で該オン電圧と
    オフ電圧との間で変化させることとを選択的に行って欠
    陥モードを検出する工程と、 検出された欠陥モードに応じて欠陥を修正する工程とを
    行うアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法。