JP3565506B2 - アクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出方法及び欠陥検出装置 - Google Patents
アクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出方法及び欠陥検出装置 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶等の表示媒体と組み合わせて表示装置を構成するアクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出方法及び欠陥検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
絶縁基板上に絵素電極をマトリクス状態に配置し、該絵素電極を能動素子により独立して駆動するアクティブマトリクス液晶パネルは、液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、コンピュータ等の表示素子としてブラウン管に代わり実用されている。上記の絵素電極を選択駆動するスイッチング素子としては、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、ＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）、ＭＯＳトランジスタ、ダイオード、バリスタ等が知られている。
【０００３】
図１は、スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス表示装置の概略回路図を示し、図２は図１の一部拡大図を示す。この表示装置は、液晶層を挟んで対向配置されたアクティブマトリクス基板と対向基板とからなる。アクティブマトリクス基板は、走査線として機能するゲートバスライン１が複数平行に配線され、該ゲートバスライン１に直交させて信号線として機能するソースバスライン２が複数平行に配線されている。両バスライン１，２の交差する位置近傍には、ＴＦＴ３が配置され、このＴＦＴ３には両バスライン１，２で囲まれた領域に配設されている絵素電極４が接続されている。ソースバスライン２の冗長配線として機能する予備配線１３がソースバスライン２と直交して配線されている。この予備配線１３は数個、又は数１０個に複数分割して形成してもよい。（以下の実施例も同様）
一方、このアクティブマトリクス基板に対向する対向基板には、液晶層側に対向電極５が形成されており、絵素電極４と対向電極５との間で絵素容量（Ｃｌｃ）６が形成される。この絵素容量（Ｃｌｃ）６とは並列に補助容量（Ｃｓ）７が形成され、補助容量（Ｃｓ）７の一方は絵素電極４に、他方は該絵素電極を挟んで近接する別のゲートバスライン１に接続されている。即ち、上述したアクティブマトリクス基板は所謂Ｃｓ−ｏｎ−Ｇａｔｅ構造となっている。
【０００４】
このように構成されたＣｓ−ｏｎ−Ｇａｔｅ構造の基板を有するアクティブマトリクス液晶表示装置においては、欠陥検査のために図２１に示す信号Ａ１が、図１に示すフレキシブル配線基板、又はＴＡＢ（Ｔａｐｅ ＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ、以下タブと言う。）８を介して奇数番目のゲートバスライン１に与えられ、信号Ａ２がタブ８を介して偶数番目のゲートバスラインに与えられる。更に、信号Ｂがタブ９ａを介してソースバスライン２に与えられ、信号Ｃが対向電極５に与えられる。上記信号Ａ１とＡ２はＴＦＴ３のゲート電極を順次走査してオン・オフ制御する信号であり、信号ＢはＴＦＴ３で各絵素に画像に応じた信号電圧を書き込み、その後次のフレームの書き込みまで変わらない信号であり、信号Ｃはゲートバスライン１に印加されるＴＦＴ３のオン電圧とオフ電圧の間で可変させる信号である。両側の予備配線１３、１３には信号Ｄがタブ９ａ、９ｂを介して与えられる。
【０００５】
図１０は、スイッチング素子としてＴＦＴを用いた別構造のアクティブマトリクス表示装置の概略回路図を示し、図１１は図１０の一部拡大図を示す。この表示装置は、液晶層を挟んで対向配置されたアクティブマトリクス基板と対向基板とからなる。アクティブマトリクス基板は、走査線として機能するゲートバスライン１が複数平行に配線され、該ゲートバスライン１に直交させて信号線として機能するソースバスライン２が複数平行に配線されている。両バスライン１，２の交差する位置近傍には、ＴＦＴ３が配置され、このＴＦＴ３には両バスライン１，２で囲まれた領域に配設されている絵素電極４が接続されている。ソースバスライン２の冗長配線として機能する予備配線１３がソースバスライン２と直交して配線されている。
【０００６】
一方、このアクティブマトリクス基板に対向する対向基板には、液晶層側に対向電極５が形成されており、絵素電極４と対向電極５との間で絵素容量（Ｃｌｃ）６が形成される。この絵素容量（Ｃｌｃ）６とは並列に補助容量（Ｃｓ）７が形成され、補助容量（Ｃｓ）７の一方は絵素電極４に、他方はゲートバスラインと平行に設けた補助容量用共通配線１０に接続されている。即ち、この構造のアクティブマトリクス基板は所謂Ｃｓ−ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ構造となっている。
【０００７】
このように構成されたＣｓ−ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ構造の基板を有するアクティブマトリクス液晶表示装置においては、欠陥検査のために図２２に示す信号Ａ３が、図１０に示すタブ１１を介してゲートバスライン１に与えられ、同時に信号Ｅが共通線１０に与えられる。更に、信号Ｂがタブ１２ａを介してソースバスライン２に与えられ、信号Ｆが予備配線１３に与えられる。また、信号Ｃが対向電極５に与えられる。上記信号Ａ３はＴＦＴ３のゲート電極を順次走査してオン・オフ制御する信号であり、信号ＢはＴＦＴ３で各絵素に画像に応じた信号電圧を書き込み、その後次のフレームの書き込みまで変わらない信号であり、信号Ｃはゲートバスライン１に印加されるＴＦＴ３のオン電圧とオフ電圧の間で可変させる信号である。予備配線１３には信号Ｇがタブ１２ｂを介して与えられる。
【０００８】
アクティブマトリクス基板には多数の絵素電極やＴＦＴとともに、例えばゲートバスライン１とソースバスライン２、予備配線１３とソースバスライン２、補助容量用共通配線１０とソースバスライン２など異なるバスラインが絶縁され、立体的に配線されており、バスラインの交差部が多数形成される。アクティブマトリクス基板は半導体素子と同様にフォトリソ工程などにより微細なパターンにより形成されるため、ダストなどが原因でパターン異常等の欠陥を生じやすく、バスラインの交差部でピンホールなどによりリークが生じると、表示不良となる。表示装置では小さな欠陥でも目立ちやすく、不良品とされるので、生産の歩留まりを向上させるためには、欠陥の有無を検出し、欠陥を修正し、不良品は排除することが重要となる。そして、欠陥を修正するためには、欠陥の位置を特定し、欠陥の発生部位に応じた修正を行わなければならない。
【０００９】
特開昭６３−１２３０９３は、アクティブマトリクス液晶パネルの点灯検査によるＴＦＴのゲート−ドレインおよびソース−ドレインの電極間のショートによる点欠陥の検査方法を開示しているが、更にゲートバスラインと絵素電極、又はソースバスラインと絵素電極が直接短絡状態にある場合も同様に検査可能であることが記述されている。また、ゲート電極とソース電極が短絡した場合は短絡部分を含むゲート線とソース線に接続されている全絵素が点灯しなくなる線欠陥となることも記載されている。
【００１０】
ゲートバスライン１とソースバスライン２との間に短絡等の原因によりリークが生じた場合、上記と同様にリークが生じているゲートバスライン１に接続されている横一列に並ぶ絵素電極と、リークが生じているソースバスライン２に接続されている縦一列に並ぶ絵素電極とに表示不良が発生し、十字状の線欠陥として表示される。十字の中心の絵素電極の接続されているゲートバスライン１とソースバスライン２の交差部にリークが発生していることが判る。
【００１１】
特開平２−６４６１５は、補助容量がＭＯＳ型容量である補助容量用共通配線とソースバスライン、又はゲートバスラインとの間の短絡に関するアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥修正方法が開示されている。例えばＭＯＳ容量がＮ型の場合、液晶パネルを点灯すると、短絡が生じているソースバスラインと正常なソースバスラインとの間に表示状態の差異が認められるので、短絡が生じているソースバスラインを接地すると短絡箇所のある共通線のみが接地レベルに引かれ、反転閾値電圧以下になるため、その共通線でつくるＭＯＳ容量が本来の容量より小さくなり、短絡箇所のある共通線を含む横ラインがネガ型（２枚の偏光板が平行状態にある）の中間調表示状態で他の横ラインよりもやや黒くなって表れ、縦ラインとの交点に短絡箇所があることが分かる。欠陥修正方法としてソースバスラインまたは補助容量用共通配線の短絡部の両端をレーザにより切断し、切断により浮いた信号線は外部端子により周辺を回して配線接続することが記述されている。
【００１２】
予備配線１３とソースバスライン２との間のリークは従来は基板に駆動回路が実装されるまで確認することができなかった。ソースバスライン２が切断した場合、ソースバスライン２の断線により浮いた部分は線欠陥となる。予備配線１３はソースバスライン２が切断した場合、該ソースバスライン２と予備配線１３との交差部をレーザにより接続し、該ソースバスライン２へ両側から信号を与えることにより、線欠陥を修正するために使用される。上記の修正ができたかどうかを確認するため、予備配線１３にはソースバスライン２と同じ信号が与えられ、他の正常なソースバスラインと同様に点灯するかどうか検査される。このため予備配線を使用した修正箇所以外で予備配線１３とソースバスライン２にリークが生じていてもリークが生じているソースバスライン２の信号に変化が生じないので、表示に差異がなく、リークの有無の判別ができない。そのため予備配線１３とソースバスライン２との間のリーク不良は基板に駆動回路を実装するまで確認することができず、モジュールを作る実装工程で検出し、選別していた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
バスラインの交差部など絶縁された電極間の絶縁部にピンホールや膜残りなどにより絶縁性の劣化しているところがあると、長期間使用しているうちにそのストレスにより絶縁性の劣化が進行し、欠陥となる場合があるが、従来の検査では表示装置として通常使用される電圧が使用され、検査時にすでに不良となっている欠陥は検出できるが、将来長期間使用した時、そのストレスにより欠陥となる恐れのある絶縁性の劣化した箇所の検出はできず、信頼性に欠けるという問題がある。
【００１４】
また、予備配線１３は、ソースバスライン２の断線の修正に用いられるが、従来の検査では修正ができたかどうか確認するため、ソースバスライン２と同じ信号Ｂを与えて他の正常なソースバスライン２と同様に正常に点灯するかどうか検査していたので、予備配線を使用した修正箇所以外で予備配線１３とソースバスライン２との間リークが生じていても信号に変化が生じないため識別できず、基板に駆動回路が実装されるまで、確認できなかった。そのためモジュールをつくる実装工程の歩留まりが低下するという問題点があった。
【００１５】
本発明は、このような従来技術の問題点を解決するものであり、今まで検出できなかった欠陥（将来欠陥となる恐れのあるモード）、或いは次の実装工程（モジュール状態）で確認される欠陥モードを検出するものである。Ｃｓ−ｏｎ−Ｇａｔｅ構造、Ｃｓ−ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ構造、または冗長構造を備えたアクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出方法及び欠陥検出装置の提供を目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、絶縁性基板上に相互に交差して形成され、かつ互いに絶縁されている電極を備えた基板の欠陥検出方法において、該電極間に通常使用電圧より大きい、例えば数倍の電圧を印加することで、上記目的が達成される。
【００１７】
また、本発明は、絶縁性基板上に相互に交差して形成され、かつ互いに絶縁されている電極を備えた基板の欠陥の検出装置において、該電極間に通常使用電圧より大きい、例えば数倍の電圧を印加する手段を備えた構成となっているので、そのことにより上記目的が達成される。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明のアクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出方法は、絶縁性基板上に複数の絵素電極と、各絵素電極を駆動するためのスイッチング素子とがマトリクス状に配置され、該スイッチング素子と各々接続し、かつ相互に交差して形成された走査線及び信号線が形成されたアクティブマトリクス基板、又は該アクティブマトリクス基板と該アクティブマトリクス基板に対向配設させる対向電極を有する対向基板との間に液晶層を配置してなるアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出方法において、上記走査線及び信号線又は対向電極にそれぞれ接続するための接続端子及び駆動信号を印加するための駆動信号印加手段を備える検査装置を使用し、上記アクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルに対して上記検査装置を対向配設するとともに、該接続端子を走査線及び信号線又は対向電極のそれぞれに接続する工程と、アクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルの走査線と信号線との間に、通常使用される電圧より大きい駆動電圧信号を、ある一定の期間に自動または手動で与え、該走査線と信号線との交差部の絶縁性が劣化している箇所での劣化を進行させてリークさせることで欠陥を検出する工程とを行うので、そのことにより上記目的が達成される。
【００１９】
また、本発明の欠陥検出装置は、絶縁性基板上に複数の絵素電極と、各絵素電極を駆動するためのスイッチング素子とがマトリクス状に配置され、該スイッチング素子と各々接続し、かつ相互に交差して形成された走査線及び信号線が形成されたアクティブマトリクス基板、又は該アクティブマトリクス基板と該アクティブマトリクス基板に対向配設させる対向電極を有する対向基板との間に液晶層を配置してなるアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出装置において、上記走査線及び信号線又は対向電極にそれぞれ接続するための接続端子と、駆動信号を印加するための駆動信号印加手段とを備え、上記駆動信号印加手段によって、アクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶表示装置の走査線と信号線との間に、該走査線と信号線との交差部の絶縁性が劣化している箇所での劣化を進行させてリークさせるように、通常使用される電圧より大きい駆動電圧信号が、ある一定の期間に自動または手動で与えられて欠陥が検出されるので、そのことにより上記目的が達成される。
【００２１】
本発明の上記欠陥検出方法、欠陥検出装置は、絵素電極に関連して形成された補助容量が、該絵素電極が接続されている走査線とは絵素電極を挟んで近接する別の走査線に接続されているアクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルにも適用可能であり、また、上記絵素電極に関連して形成された補助容量が、共通配線に接続されているアクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルにも適用可能であり、更に、上記信号線に絶縁され交差して形成された予備配線を備えているアクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルに適用可能である。そして、上記信号線に絶縁され交差して形成された予備配線を備えているアクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルの検査を行う場合、走査線に与えたのと同様の検査用走査信号を予備配線に与えて欠陥を検出し、その後、予備配線に対向電極信号を与えて欠陥を検査する。
【００２２】
本発明は、例えば絶縁性基板上に複数の絵素電極と各絵素電極を駆動するためのＴＦＴとがマトリクス状に配置され、該ＴＦＴと各々接続し、かつ相互に交差して形成された走査線及び信号線に、該ＴＦＴを介して各絵素電極が接続され、該絵素電極に関連して形成された補助容量が、該絵素電極が接続されている走査線とは絵素電極を挟んで近接する別の走査線に接続されているアクティブマトリクス基板に対して以下のように検出が行われる。まず、検査装置とアクティブマトリクス基板を対向配設するとともに、検査装置の接続端子を走査線、信号線のそれぞれに接続した状態となし、その状態で該アクティブマトリクス基板の走査線と信号線間に、例えば１フレームの期間を定めるオン信号と該オン信号に後続するオフ信号とを交互に与えている通常使用の駆動電圧より大きい電圧、例えば数倍の信号に変換し、ある一定の期間に自動または手動で与える。これにより、バスラインの交差部の絶縁性が劣化している箇所で劣化が進行しリークが生じるため、将来ストレスによるリーク不良が発生する恐れのある箇所が予め欠陥として検出される。ここで検査のために印加される電圧は、通常使用される電圧の１．５倍〜３倍程度が適当であり、印加時間は１秒程度である。一般的には、印加電圧と印加時間は、正常なＴＦＴの接続不良が発生しない値の電圧、時間が設定される。
【００２３】
更に、検出しようとする欠陥モードの対象を広げる場合は次のようにする。即ち、アクティブマトリクス基板と対向基板を対向させ、その間に液晶を充填したアクティブマトリクス液晶パネルを検査する場合、検査装置の接続端子を走査線、信号線、予備配線及び該対向電極のそれぞれに接続した状態となし、その状態で該アクティブマトリクス液晶パネルの走査線と信号線間に液晶表示装置の１フレームの期間を定めるオン信号と該オン信号に後続するオフ信号とを交互に与えている該信号の電圧を数倍の信号に変換し、走査線と信号線の間に通常使用される電圧より大きな電圧をある一定の期間に自動または手動で与え、かつ予備配線に該走査線と同様の該走査信号を与え、次に予備配線に対向電極信号を与える。これにより次の実装工程で発生する予備配線の欠陥モードが予め検出される。また、検出された欠陥箇所を修正することにより欠陥修正がなされる。
【００２４】
本発明は、絶縁性基板上に複数の絵素電極と各絵素電極を駆動するためのＴＦＴとがマトリクス状に配置され、該ＴＦＴと各々接続し、かつ相互に交差して形成された走査線及び信号線に、該ＴＦＴを介して各絵素電極が接続され、該絵素電極に関連して形成された補助容量が、共通配線に接続されているアクティブマトリクス基板、あるいは該信号線と絶縁され交差して形成された予備配線を備えているアクティブマトリクス基板に対しては以下のように検出が行われる。まず、検査装置をアクティブマトリクス基板に対向配設するとともに、検査装置の接続端子を走査線、信号線及び共通電極のそれぞれに接続した状態となし、その状態で該アクティブマトリクス基板の走査線に１フレームの期間を定めるオン信号と該オン信号に後続するオフ信号とを交互に与えている該信号として、通常使用される電圧より大きい電圧、例えば数倍の信号に変換し、ある一定の期間に自動または手動で与える。これにより、バスラインの交差部の絶縁性が劣化している箇所で劣化が進行しリークが生じるため、将来ストレスによるリーク不良が発生する恐れがある箇所が予め欠陥として検出される。ここで検査のために印加される電圧は、通常使用される電圧の１．５倍〜３倍程度が適当であり、印加時間は１秒程度である。印加電圧と印加時間は、正常なＴＦＴの特性不良が発生しないような値の電圧、時間が設定される。
【００２５】
更に、検出しようとする欠陥モードの対象を広げる場合は次のようにする。即ち、アクティブマトリクス基板と対向基板を対向させ、その間に液晶を充填したアクティブマトリクス液晶パネルを検査する場合、検査装置の接続端子を走査線、信号線、予備配線及び該対向電極のそれぞれに接続した状態となし、その状態で該アクティブマトリクス液晶パネルの走査線と信号線間に液晶表示装置の１フレームの期間を定めるオン信号と該オン信号に後続するオフ信号とを交互に与えている該信号の電圧を数倍の信号に変換し、ある一定の期間に自動または手動で与え、かつ予備配線に該走査線と同様の該走査信号を与え、また次に該アクティブマトリクス液晶パネルの走査線と信号線間に１フレームの期間を定めるオン信号と該オン信号に後続するオフ信号とを交互に与えている該信号の電圧を与え、かつ予備配線に対向電極信号を与える。これにより次の実装工程で発生する予備配線の欠陥モードが予め検出される。
【００２６】
また、該アクティブマトリクス液晶パネルの走査線と信号線間に１フレームの期間を定めるオン信号と該オン信号に後続するオフ信号とを交互に与えている該信号の電圧を数倍の信号に変換し、ある一定の期間に自動または手動で与え、かつ共通配線に該走査線と同様の該走査信号を与える。これにより将来ストレスによるリーク不良が発生する恐れのある箇所を予め欠陥として検出される。
【００２７】
また、検出された欠陥箇所を修正することにより欠陥修正がなされる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００２９】
（実施例１）
図１は、スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス基板の全体構成を示し、図２はその一部拡大図を示す。この基板は走査線として機能するゲートバスライン１が複数平行に配線され、該ゲートバスライン１に直交させて信号線として機能するソースバスライン２が多数平行に互いに絶縁して配線されている。両バスライン１，２の交差する位置の近傍にはＴＦＴ３が配設され、このＴＦＴ３には絵素電極４が接続されている。上記ゲートバスライン１及びソースバスライン２は絵素電極４の周縁に沿って設けられている。上記ＴＦＴ３のドレイン電極と、このＴＦＴが接続されたゲートバスライン１とは１つ位置がずれて近接するゲートバスライン１との間に、補助容量（Ｃｓ）７が設けられている。つまりこのアクティブマトリクス基板は、所謂Ｃｓ−ｏｎ−Ｇａｔｅ構造となっている。ソースバスライン２の冗長配線として機能する予備配線１３がソースバスライン２と直交して互いに絶縁して配線されている。
【００３０】
かかる構成のアクティブマトリクス基板に、対向電極が予め形成された対向基板を、液晶層をアクティブマトリクス基板側にして対向配設してアクティブマトリクス液晶パネルを構成すると、対向基板の液晶層側に予め形成してある対向電極５と絵素電極４との間において絵素容量（Ｃｌｃ）６が形成される。
【００３１】
次に、このようなアクテイブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルを検査対象とする本発明の検査装置について説明する。本発明の検査装置は、図１に示すように、上記ゲートバスライン１の奇数番目のもの同士を端子Ａ１に接続し、また、偶数番目のもの同士を端子Ａ２に接続するタブ８を備えている。また、ソースバスライン２を共通配線を介して端子Ｂに接続するとともに、一方の予備配線１３を端子Ｄに接続するタブ９を備える。更に、他方の予備配線１３を端子Ｄに接続するタブ９を備える。
【００３２】
上記端子Ａ１，Ａ２，Ｂ，Ｃ，Ｄにそれぞれ検査用信号を供給する回路図を図３に示す。図３は基準信号発生回路１４と、この基準信号発生回路１４からの出力信号を分周する分周回路１５と、この分周回路１５からの出力信号を入力する９つの信号発生回路１６〜２４と、５つのスイッチ２５〜２９と、５つの検査用端子３０〜３４とを備える。
【００３３】
上記Ｂ１信号発生回路１６は図４（ａ）に示す信号Ｂ１を発生し、Ｂ２信号発生回路１７は図４（ｂ）の信号Ｂ２を発生し、Ｂ３信号発生回路１８は図４（ｃ）の信号Ｂ３を発生して、スイッチ２５の切替えにより選択的にソースバスライン２に与える。また、スイッチ２６の選択により上記信号Ｂ１〜Ｂ３が検査用端子３１を介して予備配線１３に与えられる。上記信号Ｂ１は、ＴＦＴ３で各絵素に書き込んだ後も次のフレームの書き込みまで一定レベルのまま変わらない信号である。信号Ｂ２は各絵素に書き込み信号を印加した後、次のフレームの書き込み信号を印加するまでの間で、信号の電圧を書き込んだ時の信号電圧とは異なる電圧に変化する信号である。信号Ｂ３は各絵素に書き込み信号を印加した後、次のフレームの書き込み信号を印加するまでの間で、信号の電圧を書き込んだ時の信号電圧とは異なる電圧に変化する信号である。
【００３４】
奇数ゲートライン信号発生回路２０は、図４（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すゲートバスラインのオン・オフ制御用信号Ａ１を発生し、検査用端子３２を介して奇数番目のゲートバスライン１に与える。偶数ゲートライン信号発生回路２１は図４（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すゲートバスラインのオン・オフ制御用信号Ａ２を発生し、検査用端子３３を介して偶数番目のゲートバスライン１に与える。奇数検出信号発生回路１９は、図５（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すゲートバスラインのオン・オフ制御用信号Ａ１’を発生し、検査用端子３２を介して奇数番目のゲートバスライン１に与える。偶数検出信号発生回路２２は、図５（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すゲートバスラインのオン・オフ制御用信号Ａ２’を発生し、検査用端子３３を介して偶数番目のゲートバスライン１に与える。また、スイッチ２６の選択により上記信号Ａ１’は検査用端子３１を介して予備配線１３に与える。なお、上述した奇数番目のゲートバスライン１に与えられるオン・オフ制御用信号Ａ１及びＡ１′と、偶数番目のゲートバスライン１に与えられるオン・オフ制御用信号Ａ２及びＡ２′とは、波形は同一としてあるが、タイミング的には少しずれて該ゲートバスライン１に与えられる。このことは後述する図５、図７、及び図９の実施例においても同様である。
【００３５】
アクテイブマトリクス液晶パネルを検査する場合、対向電極用信号発生回路２３は、図４（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、フリッカーのないように最適に合わせた対向電圧値に固定した信号Ｃ１を発生し、スイッチ２９の切替え選択により検査用端子３４を介して対向電極５に与える。対向電極用信号発生回路２４はＴＦＴをオンさせる電圧からオフさせる電圧までの間で変化する図示しない信号（以下この信号をＣ２とする）を発生し、スイッチ２９の切替え選択により検査用端子３４を介して対向電極５に与える。
【００３６】
上記Ｂ１信号発生回路１６からの信号Ｂ１と、Ｂ２信号発生回路１７からの信号Ｂ２と、Ｂ３信号発生回路１８からの信号Ｂ３とは、スイッチ２５の３つの端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃに出力される。スイッチ２５は３つの端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃの端子の１つを選択して検査用端子３０に与える。検査用端子３０はタブ９を介してソースバスライン２に接続される。
【００３７】
奇数ゲートライン信号発生回路２０からのオン・オフ制御用信号Ａ１または奇数検出信号発生回路１９からのオン・オフ制御用信号Ａ１’は、スイッチ２７の３つの端子２７ａ，２７ｂ，２７ｃの２端子２７ａ，２７ｂに出力され、残り１つの端子２７ｃには対向電極用信号発生回路２４からの信号Ｃ２が出力される。スイッチ２７は３つの端子２７ａ，２７ｂ，２７ｃの１つを選択して検査用端子３２に与える。この検査用端子３２はタブ８を介して奇数番目のゲートバスライン１に接続される。偶数ゲートライン信号発生回路２１からのオン・オフ制御用信号Ａ２または偶数検出信号発生回路２２からのオン・オフ制御用信号Ａ２’はスイッチ２８の３つの端子２８ａ，２８ｂ，２８ｃの２端子２８ａ，２８ｃに出力され、残りの１つの端子２８ｂには対向電極用信号発生回路２４からの信号Ｃ２が出力される。スイッチ２８は３つの端子２８ａ，２８ｂ，２８ｃの１つを選択して検査用端子３３に与える。この検査用端子３３はタブ８を介して偶数番目のゲートバスライン１に接続される。
【００３８】
対向電極用信号発生回路２３からの信号Ｃ１と、対向電極用信号発生回路２４からの信号Ｃ２とは、スイッチ２９の２つの端子２９ａ、２９ｂに出力され、スイッチ２９は、２つの端子２９ａ、２９ｂの１つを選択して検査用端子３４に与える。この検査用端子３４は、タブ９ａ，９ｂを介して対向電極５の端子（図示せず）に接続される。
【００３９】
スイッチ２６からの出力信号Ｂ１〜Ｂ３と、奇数ゲートライン信号発生回路２０からのオン・オフ制御用信号Ａ１または、奇数検出信号発生回路１９からのオン・オフ制御用信号Ａ１′は、スイッチ２６の３つの端子２６ａ、２６ｂ、２６ｃの２端子の２６ａ、２６ｂに出力され、残りの１つの端子２６ｃにはスイッチ２９からの出力信号Ｃ１または、Ｃ２が出力される。スイッチ２６は、３つの端子２６ａ、２６ｂ、２６ｃの１つを選択して検査用端子３１に与える。この検査用端子３１は、タブ９ａ及び９ｂを介して両側の予備配線１３に接続される。なお、スイッチ２５〜２９の制御は、図示しない制御回路にて行われ、その内、スイッチ２７と２８とは連動して作動する。
【００４０】
次に、上記検査装置による前述のアクテイブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出方法及び検査方法について説明する。先ず、欠陥検出のため、被検査対象であるアクテイブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルを検査装置の検査位置に正確に載置するとともに、アクテイブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルの端子位置に合わせてパネルの外周にタブ８，９が配置され、アクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルの端子とタブ８，９の端子の位置合わせをして接触させる。この接触状態を安定に保つため、バネ、クリップ等により圧力を加えてもよい。上記検査タブ８をゲートバスライン１に、検査タブ９をソースバスライン２、予備配線１３及び液晶パネルを検査する場合は対向電極の端子（図示せず）にそれぞれ接続させる。そして、スイッチ２６は、端子２６ｂを選択し、奇数検出信号発生回路１９からの信号Ａ１′を予備配線１３に供給し、スイッチ２７は、端子２７ａを選択して、奇数検出信号発生回路１９からの信号Ａ１′を奇数ゲートバスライン１に供給し、スイッチ２８は、端子２８ａを選択して偶数検出信号発生回路２２からの信号Ａ２′を偶数ゲートバスライン１に供給する。スイッチ２５とスイッチ２９は、どの端子に接続してもよい。この状態で、ある一定の時間それぞれの信号を与える。検査信号としてはこの実施例ではアクティブマトリクス液晶表示装置の通常の使用電圧の１．５〜３倍、印加時間１秒である。この印加電圧と時間は良品のＴＦＴが特性不良を発生しないで、不良ＴＦＴが欠陥となる値に定めればよい。これにより、バスラインの交差部の絶縁性が劣化している箇所で劣化が進行し、リークが発生するため、アクテイブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルのゲートバスライン１とソースバスライン２との交差部の絶縁性に対する検出と、ソースバスライン２と予備配線１３との交差部の絶縁性に対する検出が実施される。
【００４１】
次に、欠陥検査のため、スイッチ２６は、端子２６ｃを選択し、対向電極用信号発生回路２３または、２４からの信号Ｃ１、またはＣ２を予備配線１３に供給し、スイッチ２７は、端子２７ａを選択して、奇数ゲートライン信号発生回路２０からの信号Ａ１を奇数ゲートバスライン１に供給し、スイッチ２８は、端子２８ａを選択して偶数ゲートライン信号発生回路２１からの信号Ａ２を偶数ゲートバスライン１に供給し、スイッチ２５とスイッチ２９は、どの端子に接続してもよい。この状態で、ソースバスライン２と予備配線１３との交差部の絶縁不良部を検査する。その後、スイッチ２６は、端子２６ａを選択し、Ｂ１〜Ｂ３信号発生回路１６〜１８からの信号Ｂ１〜Ｂ３を予備配線１３に供給し、スイッチ２７〜２９とスイッチ２５を切り換えて、ゲートバスラインとソースバスラインとの間のリーク検査、及びその他のそれぞれの点欠陥や線欠陥の検査を行う。
【００４２】
以上の検査が終了すると、各部の信号の供給は停止され、タブ８，９の接続が解除され、アクテイブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルが検査装置から取り出される。アクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルは欠陥の有無により選別され、修正不能のものは排除され、修正可能のものは修正される。
【００４３】
（１）ゲートバスラインとソースバスラインとの間のリークによる線欠陥の検出、検査は次の手順により実施される。
【００４４】
この欠陥は、図６（ａ）に示すように、ゲートバスライン１に信号Ａ１′またはＡ２′を印加することにより、絶縁性の劣化している部分のゲートバスライン１とソースバスライン２との間でのリークにより生じ、このリークが生じているゲートバスライン１に接続された横一列に並ぶ絵素電極と、リークが生じているソースバスライン２に接続された縦一列に並ぶ絵素電極とに表示不良が発生し、つまり十字状の線欠陥として表示される。上記欠陥が生じている場合は、ソースバスライン２の信号の影響で正常時に比べてＴＦＴ３をオフさせるゲート電圧からオンさせるゲート電圧の振幅が小さくなってしまうため、ＴＦＴ３のオン抵抗もオフ抵抗も十分に維持できなくなる。従って、ソースバスライン２とリークしているゲートバスライン１とに接続されているＴＦＴ３は、見掛け上、オフ特性不良のＴＦＴ３と同じような挙動を示す。よって、この欠陥の検出は、図７（ｂ）、（ｃ）の信号を印加して行う。この時、図７（ｂ）の場合より、図７（ｃ）の場合の方が、線欠陥として表示されている横方向の線が明瞭に目視観察されることとなる。このとき、ソースバスライン２に接続された絵素電極に基づく縦方向の線も明瞭に見えている。よって、明瞭に現れた十字状のクロス部分に基づいて欠陥箇所が判別される。
【００４５】
この場合の修正は、図６（ｂ）に示すように、ソースバスライン２におけるリーク発生箇所の両側をレーザー等により切断すると共に、該ソースバスライン２と予備配線１３との交差部をレーザー等により接続し、該ソースバスライン２へ両側から信号を与えるようにする。なお、ゲートバスライン１とソースバスライン２との間のリーク時のゲート信号波形Ｅでの電位が、図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように異なっているため、その電位を電気的に測定することにより、目視検査に代えて検査することができる。
【００４６】
（２）予備配線とソースバスラインとの間のリークによる線欠陥の検出、検査は次の手順により実施される。
【００４７】
この欠陥は、図８（ａ）に示すように、予備配線１３に信号Ａ１′またはＡ２′を印加することにより、絶縁性の劣化している部分の予備配線１３とソースバスライン２との間でのリークにより生じる。この欠陥が生じている場合は、予備配線１３に信号Ｂ１〜Ｂ３を与えることによっては、該欠陥を検出できず、予備配線１３に信号Ｃ１を与えることにより、リークが生じているソースバスライン２に接続された縦一列に並ぶ絵素電極に表示不良が発生する。上記欠陥が生じている場合は、予備配線１３に対向電極信号Ｃ１を与えると、その影響で正常部に比べてソース電圧の振幅が小さくなってしまうため、絵素電極４に与える電圧が小さくなる。従って、該欠陥部に接続された縦一列に並ぶ絵素電極には、電圧がかからない状態となり、輝線となる（ノーマリィーホワイトモードの場合）。よって、この欠陥の検出は、図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の信号を印加して行う。この場合の修正は、図８（ｂ）に示すように、予備配線１３におけるリーク発生箇所の両側をレーザー等により、切断する。なお、予備配線１３に信号Ｃ１を与えることにより、予備配線１３とソースバスライン２との間のリーク時のソース信号波形Ｆでの電位が、図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように異なっているため、その電位を電気的に測定することにより、目視検査に代えて検査することができる。
【００４８】
（実施例２）
図１０は、スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス基板の全体構成を示し、図１１は、その一部を示す。この基板は、走査線として機能するゲートバスライン１が複数平行に配線され、該ゲートバスライン１に直交させて信号線として機能するソースバスライン２が多数平行に互いに絶縁して配線されている。両バスライン１、２の交差する位置の近傍にはＴＦＴ３が配設され、このＴＦＴ３には、絵素電極４が接続されている。上記ゲートバスライン１及びソースバスライン２は絵素電極４の周縁に沿って設けられている。上記ＴＦＴ３のドレイン電極と、このＴＦＴ３が接続されたゲートバスライン１と平行に設けた補助容量用共通配線１０との間に補助容量（Ｃｓ）６が設けられている。つまり、このアクティブマトリクス基板は、所謂Ｃｓ−Ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ構造となっている。ソースバスライン２の冗長配線として機能する予備配線１３がソースバスライン２と直交して互いに絶縁して配線されている。
【００４９】
かかる構成のアクティブマトリクス基板に、液晶層と対向電極が予め形成された対向基板を、液晶層をアクティブマトリクス基板側にして対向配設してアクティブマトリクス液晶パネルを構成すると、対向基板の液晶層側に予め形成してある対向電極５と絵素電極４との間において絵素容量（Ｃｌｃ）４が形成される。
【００５０】
次に、このようなアクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルを検査対象とする本発明の検査装置について説明する。この検査装置は、図１０に示すように、上記ゲートバスライン１の一端側を共通配線を介して端子Ａ３に接続するとともに、補助容量用共通配線１０を端子Ｅに接続するタブ１１を備えている。また、ソースバスライン２の一端側を共通配線を介して端子Ｂに接続するとともに、一方の予備配線１３を端子Ｆに接続するタブ１２ａを備えている。更に、他方の予備配線１３を端子Ｇに接続するタブ１２ｂを備える。上記端子Ａ３，Ｅ，Ｆ，Ｇにそれぞれ検査用信号を供給する信号回路図を図１２に示す。図１２に示すように信号回路図は、基準信号発生回路３５と、この基準信号発生回路３５からの出力信号を分周する分周回路３６と、この分周回路３６からの出力信号を入力する８つの信号発生回路３７〜４４と、５つのスイッチ４５〜４９と、５つの検査用端子５０〜５４とを備える。
【００５１】
上記Ｂ１信号発生回路３７は図１３に示す信号Ｂ１を発生し、Ｂ２信号発生回路３８は信号Ｂ２を発生し、Ｂ３信号発生回路３９は信号Ｂ３を発生して、スイッチ４５の切替えにより選択的にソースバスライン２に与える。また、スイッチ４６の選択より、上記信号Ｂ１〜Ｂ３を検査用端子５１を介して予備配線１３に与える。上記信号Ｂ１は、ＴＦＴ３で各絵素に書き込んだ後も次のフレームの書き込みまで一定レベルのまま変わらない信号であり、信号Ｂ２は、各絵素に書き込み信号を印加した後、次のフレームの書き込み信号を印加するまでの間で、信号の電圧を書き込んだ時の信号電圧とは異なる電圧に変化する信号であり、信号Ｂ３は、各絵素に書き込み信号を印加した後、次のフレームの書き込み信号を印加するまでの間で、信号の電圧を書き込んだ時の信号電圧とは異なる電圧に変化する信号である。
【００５２】
ゲートライン信号発生回路４１は、ゲートバスラインのオン・オフ制御用信号Ａ３を発生し、検査用端子５２を介してゲートバスライン１に与える。検出信号発生回路４０は、図１４に示す検出信号Ａ３′を発生し、検査用端子５２を介してゲートバスライン１に与える。ゲートオフ電圧信号発生回路４２は、ゲートバスラインのオフ制御用信号Ａ４（図示せず）を発生し、スイッチ４８を切り換えた時に検査用端子５３を介して補助容量用共通配線１０に与える。また、スイッチ４６の選択より、上記信号Ａ３′は、検査用端子５１を介して予備配線１３に与える。対向電極用信号発生回路４３は、フリッカーの無いように最適に合わせた対向電圧値に固定した信号Ｃ１を発生し、検査用端子５４を介して対向電極５に与える。対向電極用信号発生回路４４は、ＴＦＴ３をオンさせる電圧からオフさせる電圧までの間で変化する図示しない信号（以下この信号をＣ２とする）を発生し、対向電極５に与える。
【００５３】
上記Ｂ１信号発生回路３７からの信号Ｂ１と、Ｂ２信号発生回路３８からの信号Ｂ２と、Ｂ３信号発生回路３９からの信号Ｂ３とは、スイッチ４５の３つの端子４５ａ、４５ｂ、４５ｃに出力される。スイッチ４５は、３つの端子４５ａ、４５ｂ、４５ｃの端子の１つを選択して検査用端子５０に与えられる。検査端子５０は、タブ１２ａを介してソースバスライン２に接続される。
【００５４】
ゲートライン信号発生回路４１からのオン・オフ制御用信号Ａ３または、検出信号発生回路４０からの検出信号Ａ３′は、検査用端子５２に与えられる。この検査用端子５２は、タブ１１を介してゲートバスライン１に接続される。ゲートオフ電圧信号発生回路４２からのオフ制御用信号Ａ４は、スイッチ４８の３つの端子４８ａ、４８ｂ、４８ｃの１端子の４８ｂに出力される。残りの２つの端子４８ａ、４８ｃとには、対向電極用信号発生回路４３からの信号Ｃ１と、対向電極用信号発生回路４４からの信号Ｃ２とが与えられる。スイッチ４８は、３つの端子４８ａ、４８ｂ、４８ｃの１つを選択して検査用端子５３に与える。この検査用端子５３は、タブ１１を介して共通補助容量用の端子１０に接続される。
【００５５】
また、上述した信号Ｃ１と信号Ｃ２とは、スイッチ４９の３つの端子４９ａ、４９ｂ、４９ｃに出力される。スイッチ４９は、３つの端子４９ａ、４９ｂ、４９ｃの１つを選択して該当する信号を検査用端子５４に与える。この検査検査用端子５４は、対向電極に設けた端子（図示せず）に接続されている。なお、スイッチ４５〜４９の制御は、図示しない制御回路にて行われ、その内、スイッチ４８と４９とは連動して作動する。
【００５６】
次に、上記検査装置による前述のアクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出方法及び欠陥検査方法について説明する。先ず、欠陥検出は、被検査対象であるアクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルを検査装置の検査位置に正確に載置するとともに、アクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルの端子位置に合わせてパネルの外周にタブ１１，１２ａ，１２ｂが配置され、アクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルの端子とタブ１１，１２ａ，１２ｂの端子の位置合わせをして接触させる。この接触状態を安定に保つため、バネ、クリップ等により圧力を加えてもよい。上記検査タブ１１をゲートバスライン１に、検査タブ１２ａ，１２ｂをソースバスライン２、予備配線１３及びアクティブマトリクス液晶パネルを検査する場合は対向電極の端子（図示せず）にそれぞれ接続させる。そして、スイッチ４６は、端子４６ｂを選択し、検出信号発生回路４０からの検出信号Ａ３′を予備配線１３に供給し、スイッチ４７は、端子４７ａを選択して検出信号発生回路４０からの検出信号Ａ３′を補助容量用共通配線１０に供給し、スイッチ４８と４９は、それぞれ端子４８ａと端子４９ａを選択して、対向電極用信号発生回路４３からの信号Ｃ１を補助容量用共通配線１０に供給する。スイッチ４５は、どの端子に接続してもよい。この状態で、ある一定の時間それぞれの信号を与える。検査信号としてはこの実施例ではアクティブマトリクス液晶パネルの通常の使用電圧の１．５〜３倍、印加時間１秒である。この印加電圧と時間は良品のＴＦＴが特性不良を発生しない値に定めればよい。これにより、バスラインの交差部の絶縁性が劣化している箇所で劣化が進行し、リークが発生するため、アクティブマトリクス液晶パネルのゲートバスライン１とソースバスライン２との交差部の絶縁性に対する検査と、ソースバスライン２と予備配線１３との交差部の絶縁性に対する検出及び、補助容量用共通配線１０とソースバスライン２との交差部の絶縁性に対する検出が実施される。
【００５７】
次に、欠陥検査のため、スイッチ４６は端子４６ｃを選択し、対向電極用信号発生回路４３からの信号Ｃ１を予備配線１３に供給し、スイッチ４７は、端子４７ｂを選択して、検出信号発生回路４０からの信号Ａ３′を補助容量用共通配線１０から切断し、スイッチ４５は、どの端子に接続してもよい。この状態で、ソースバスライン２と予備配線１３との交差部の絶縁不良箇所を検出する。その後、スイッチ４６は、端子４６ａを選択し、Ｂ１〜Ｂ３信号発生回路３７〜３９からの信号Ｂ１〜Ｂ３を予備配線１３に供給し、スイッチ４８とスイッチ４９を切り換えて、ゲートバスライン１とソースバスライン２との交差部の絶縁不良箇所や、補助容量用共通配線１０とソースバスライン２との交差部の絶縁不良箇所など、それぞれの点欠陥や線欠陥の検査を行う。
【００５８】
以上の検査が終了すると、各部の信号の供給は停止され、タブ８，９の接続がが解除され、アクティブマトリクス液晶パネルが検査装置から取り出される。アクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルは欠陥の有無により選別され修正不能のものは排除され、修正可能のものは修正される。
【００５９】
（１）ゲートバスラインとソースバスラインとの間のリークによる線欠陥検出及び検査は次の手順により実施される。
【００６０】
この欠陥は、図１５（ａ）に示すように、ゲートバスライン１に信号Ａ３′を印加することにより、絶縁性の劣化している部分のゲートバスライン１とソースバスライン２との間でのリークにより生じ、このリークが生じているゲートバスライン１に接続された横一列に並ぶ絵素電極と、リークが生じているソースバスライン２に接続された縦一列に並ぶ絵素電極とに表示不良が発生し、つまり十字状の線欠陥として表示される。
【００６１】
上記欠陥が生じている場合は、ソースバスライン２の信号の影響で正常時に比べてＴＦＴ３をオフさせるゲート電圧からオンさせるゲート電圧の振幅が小さくなってしまうため、ＴＦＴ３のオン抵抗もオフ抵抗も十分に維持できなくなる。従って、ソースバスライン２とリークしているゲートバスライン１とに接続されているＴＦＴ３は、見掛け上、オフ特性不良のＴＦＴ３と同じような挙動を示す。よって、この欠陥の検出は、図１６（ｂ）、（ｃ）により行う。この時、（ｂ）の場合より、（ｃ）の場合の方が、線欠陥として表示されている横方向の線が明瞭に目視観察されることとなる。このとき、ソースバスライン２に接続された絵素電極に基づく縦方向の線も明瞭に見えている。よって、明瞭に現れた十字状のクロス部分に基づいて欠陥箇所が判別される。
【００６２】
この場合の修正は、図１５（ｂ）に示すように、ソースバスライン２におけるリーク発生箇所の両側をレーザー等により切断すると共に、該ソースバスライン２と予備配線１３との交差部をレーザー等により接続し、該ソースバスライン２へ両側から信号を与えるようにする。
【００６３】
なお、ゲートバスライン１とソースバスライン２との間のリーク時のゲート信号波形Ｅでの電位が、図１６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように異なっているため、その電位を電気的に測定することにより、目視検査に代えて検査することができる。
【００６４】
（２）予備配線とソースバスラインとの間のリークによる線欠陥検出及び検査は次の手順により実施される。
【００６５】
この欠陥は、図１７（ａ）に示すように、予備配線１３に信号Ａ３′を印加することにより、絶縁性の劣化している部分の予備配線１３とソースバスライン２との間でのリークにより生じる。この欠陥が生じている場合は、予備配線１３に信号Ｂ１〜Ｂ３を印加しても該欠陥を検出できず、予備配線１３に信号Ｃ１を与えることにより、リークが生じているソースバスライン２に接続された縦一列に並ぶ絵素電極に表示不良が発生する。
【００６６】
上記欠陥が生じている場合は、予備配線１３に対向電極信号Ｃ１を与えると、その影響で正常部に比べてソース電圧の振幅が小さくなってしまうため、絵素電極４に与える電圧が小さくなる。従って、該欠陥部に接続された縦一列に並ぶ絵素電極には、電圧がかからない状態となり、輝線となる（ノーマリーホワイトモードの場合）。よって、この欠陥の検出は、図１８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）により行う。
【００６７】
この場合の修正は、図１７（ｂ）に示すように、予備配線１３におけるリーク発生箇所の両側をレーザー等により切断する。
【００６８】
なお、予備配線１３に信号Ｃ１を与えることにより、予備配線１３とソースバスライン２との間のリーク時のソース信号波形Ｆでの電位が、図１８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように異なっているため、その電位を電気的に測定することにより、目視検査に代えて検査することができる。
【００６９】
補助容量用共通配線とソースバスラインとの間のリークによる線欠陥検出及び検査は次の手順により実施される。
【００７０】
この欠陥は、図１９（ａ）に示すように、補助容量用共通配線１０に信号Ａ３′を印加することにより、絶縁性の劣化している部分の補助容量用共通配線１０とソースバスライン２との間でのリークにより生じ、このリークが生じているソースバスライン２に接続された縦一列に並ぶ絵素電極に表示不良が発生し、線欠陥として表示される。リークを生じている補助容量用共通配線１０に接続されている横一列に並んだ絵素電極に表示不良が発生し、十字状の表示不良となる。また線状の表示不良がソースバスライン２の途中から発生する場合もある。この場合は表示不良が消える位置の近傍をソースバスライン２に沿って調べるとよい。
【００７１】
上記欠陥が生じている場合は、補助容量用共通配線１０の信号Ｃ１の影響で正常部に比べてソース電圧の振幅が小さくなってしまうため、絵素電極４に与える電圧が小さくなる。従って、該欠陥部に接続された縦一列に並ぶ絵素電極には、電圧がかからない状態となり、輝線となる（ノーマリーホワイトモードの場合）。よって、この欠陥の検出は、図２０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）により行う。
【００７２】
この場合の修正は、図１９（ｂ）に示すように、補助容量用共通配線１０とソースバスライン２とにおけるリーク発生箇所のソースバスライン２側の両側をレーザー等により切断するとともに、該ソースバスライン２と予備配線１３との交差部をレーザー等により接続し、該ソースバスライン２へ両側から信号を与えるようにする。
【００７３】
なお、補助容量用共通配線１０に信号Ｃ１を与えることにより、補助容量用共通配線１０とソースバスライン２との間のリーク時のソース信号波形Ｇでの電位が、図２０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように異なっているため、その電位を電気的に測定することにより、目視検査に代えて検査することができる。
【００７４】
【発明の効果】
アクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルにおいて、互いに交差する電極間の絶縁部でピンホールや膜残りなどにより絶縁性の劣化をした箇所があると、表示装置として長期間使用しているうちに、そのストレスにより欠陥となることがあるが、従来の検査方法ではこのような将来欠陥となる恐れのある絶縁性の劣化箇所を検出することはできなかったが、本発明による欠陥検出方法及び装置ではでは、例えばゲートバスラインとソースバスライン間、予備配線とソースバスライン間、補助容量用共通線とソースバスライン間など互いに交差するバスライン間に、表示装置として通常使用される電圧より大きい電圧を印加することにより、絶縁性の劣化している箇所でリークが生じ、欠陥として予め検出することができる。上記の欠陥は目視、光学的方法またはその他の方法で検査することができる。
【００７５】
本発明の修正方法によれば、将来欠陥が発生する恐れのある箇所を予め修正することができ、歩留まりの向上を図ることができ、また将来欠陥となる恐れのある不良品を排除することができるので、信頼性が向上する。
【００７６】
従来アクティブマトリクス基板の予備配線とソースバスラインとの間のリークは基板に駆動回路を実装するまで確認できなかったが、本発明の検査方法によれば、点灯検査において予備配線に対向電極と同じ信号を与えることにより、予備配線にリークしているソースバスラインが線欠陥として識別できるという効果が得られる。駆動回路を実装する前に本発明の修正方法により欠陥の修正ができ、実装工程における歩留まりの向上を図ることができる。また不良品を後工程で加工する無駄が省けコストダウンと生産性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１にかかるアクティブマトリクス基板の検査方法を適用するアクティブマトリクス基板の全体を示す平面図である。
【図２】図１のアクティブマトリクス基板の一部を示す平面図である。
【図３】実施例１のアクティブマトリクス基板の検査装置を示すブロック図である。
【図４】実施例１のアクティブマトリクス基板の検査方法において使用する信号波形図である。
【図５】実施例１のアクティブマトリクス基板の検査方法において使用する検出信号波形図である。
【図６】（ａ）は実施例１により検出するゲートバスラインとソースバスラインとの間のリークによる線欠陥の場合の欠陥状態を示す模式図、（ｂ）は修正箇所を示す模式図である。
【図７】ゲートバスラインとソースバスラインとの間のリークによる線欠陥を検出する際の電圧を示しており、（ａ）は検査信号Ｂ１による場合のゲートバスラインとソースバスラインとの間のリーク時のゲート信号波形Ｅを示す図、（ｂ）は検査信号Ｂ２による場合のゲートバスラインとソースバスラインとの間のリーク時のゲート信号波形Ｅを示す図、（ｃ）は検査信号Ｂ３による場合のゲートバスラインとソースバスラインとの間のリーク時のゲート信号波形Ｅを示す図である。
【図８】（ａ）は実施例１により検出する予備配線とソースバスラインとの間のリークによる線欠陥の場合の欠陥状態を示す模式図、（ｂ）は修正箇所を示す模式図である。
【図９】予備配線とソースバスラインとの間のリークによる線欠陥を検出する際の電圧を示しており、（ａ）は検査信号Ｂ１による場合の予備配線とソースバスラインとの間のリーク時の予備配線に対向電極用信号Ｃ１を与えた時のソース信号波形Ｆを示す図、（ｂ）は検査信号Ｂ２による場合の予備配線とソースバスラインとの間のリーク時の予備配線に対向電極用信号Ｃ１を与えた時のソース信号波形Ｆを示す図、（ｃ）は検査信号Ｂ３による場合の予備配線とソースバスラインとの間のリーク時の予備配線に対向電極用信号Ｃ１を与えた時のソース信号波形Ｆを示す図である。
【図１０】実施例２にかかるアクティブマトリクス基板の検査方法を適用するアクティブマトリクス基板の全体を示す平面図である。
【図１１】図１０のアクティブマトリクス基板の一部を示す平面図である。
【図１２】実施例２のアクティブマトリクス基板の検査装置を示すブロック図である。
【図１３】実施例２のアクティブマトリクス基板の検査方法において使用する信号波形図である。
【図１４】実施例２のアクティブマトリクス基板の検査方法において使用する検出信号波形図である。
【図１５】（ａ）は実施例２により検出するゲートバスラインとソースバスラインとの間のリークによる線欠陥の場合の欠陥状態を示す模式図、（ｂ）は修正箇所を示す模式図である。
【図１６】ゲートバスラインとソースバスラインとの間のリークによる線欠陥を検出する際の電圧を示しており、（ａ）は検査信号Ｂ１による場合のゲートバスラインとソースバスラインとの間のリーク時のゲート信号波形Ｅを示す図、（ｂ）は検査信号Ｂ２による場合のゲートバスラインとソースバスラインとの間のリーク時のゲート信号波形Ｅを示す図、（ｃ）は検査信号Ｂ３による場合のゲートバスラインとソースバスラインとの間のリーク時のゲート信号波形Ｅを示す図である。
【図１７】（ａ）は実施例２により検出する予備配線とソースバスラインとの間のリークによる線欠陥の場合の欠陥状態を示す模式図、（ｂ）は修正箇所を示す模式図である。
【図１８】予備配線とソースバスラインとの間のリークによる線欠陥を検出する際の電圧を示しており、（ａ）は検査信号Ｂ１による場合の予備配線とソースバスラインとの間のリーク時の予備配線に対向電極用信号Ｃ１を与えた時のソース信号波形Ｆを示す図、（ｂ）は検査信号Ｂ２による場合の予備配線とソースバスラインとの間のリーク時の予備配線に対向電極用信号Ｃ１を与えた時のソース信号波形Ｆを示す図、（ｃ）は検査信号Ｂ３による場合の予備配線とソースバスラインとの間のリーク時の予備配線に対向電極用信号Ｃ１を与えた時のソース信号波形Ｆを示す図である。
【図１９】（ａ）は実施例２により検出する補助容量用共通配線とソースバスラインとの間のリークによる線欠陥の場合の欠陥状態を示す模式図、（ｂ）は修正箇所を示す模式図である。
【図２０】補助容量用共通配線とソースバスラインとの間のリークによる線欠陥を検出する際の電圧を示しており、（ａ）は検査信号Ｂ１による場合の補助容量用共通配線とソースバスラインとの間のリーク時の補助容量用共通配線に対向電極用信号Ｃ１を与えた時のソース信号波形Ｇを示す図、（ｂ）は検査信号Ｂ２による場合の補助容量用共通配線とソースバスラインとの間のリーク時の補助容量用共通配線に対向電極用信号Ｃ１を与えた時のソース信号波形Ｇを示す図、（ｃ）は検査信号Ｂ３による場合の補助容量用共通配線とソースバスラインとの間のリーク時の補助容量用共通配線に対向電極用信号Ｃ１を与えた時のソース信号波形Ｇを示す図である。
【図２１】Ｃｓ−Ｏｎ−Ｇａｔｅ構造のアクティブマトリクス基板に対して行う、従来の検査方法で用いた信号波形図である。
【図２２】Ｃｓ−Ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ構造のアクティブマトリクス基板に対して行う、従来の検査方法で用いた信号波形図である。
【符号の説明】
１ ゲートバスライン
２ ソースバスライン
３ ＴＦＴ
４ 絵素電極
５ 対向電極
６ 絵素容量
７ 補助容量
８ ゲートタブ
９ ソースタブ
１０ 補助容量用共通配線
１１ ゲートタブ
１２ ソースタブ
１３ 予備配線
１４ 基準信号発生回路
１５ 分周回路
１６ Ｂ１信号発生回路
１７ Ｂ２信号発生回路
１８ Ｂ３信号発生回路
１９ 奇数検出信号発生回路
２０ 奇数ゲートライン信号発生回路
２１ 偶数ゲートライン信号発生回路
２２ 偶数検出信号発生回路
２３ 対向電極用信号発生回路
２４ 対向電極用信号発生回路
２５ スイッチ
２６ スイッチ
２７ スイッチ
２８ スイッチ
２９ スイッチ
３０ 検査用端子
３１ 検査用端子
３２ 検査用端子
３３ 検査用端子
３４ 検査用端子
３５ 基準信号発生回路
３６ 分周回路
３７ Ｂ１信号発生回路
３８ Ｂ２信号発生回路
３９ Ｂ３信号発生回路
４０ 検出信号発生回路
４１ ゲートライン信号発生回路
４２ ゲートオフ電圧信号発生回路
４３ 対向電極用信号発生回路
４４ 対向電極用信号発生回路
４５ スイッチ
４６ スイッチ
４７ スイッチ
４８ スイッチ
４９ スイッチ
５０ 検査用端子
５１ 検査用端子
５２ 検査用端子
５３ 検査用端子
５４ 検査用端子
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶等の表示媒体と組み合わせて表示装置を構成するアクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出方法及び欠陥検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
絶縁基板上に絵素電極をマトリクス状態に配置し、該絵素電極を能動素子により独立して駆動するアクティブマトリクス液晶パネルは、液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、コンピュータ等の表示素子としてブラウン管に代わり実用されている。上記の絵素電極を選択駆動するスイッチング素子としては、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、ＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）、ＭＯＳトランジスタ、ダイオード、バリスタ等が知られている。
【０００３】
図１は、スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス表示装置の概略回路図を示し、図２は図１の一部拡大図を示す。この表示装置は、液晶層を挟んで対向配置されたアクティブマトリクス基板と対向基板とからなる。アクティブマトリクス基板は、走査線として機能するゲートバスライン１が複数平行に配線され、該ゲートバスライン１に直交させて信号線として機能するソースバスライン２が複数平行に配線されている。両バスライン１，２の交差する位置近傍には、ＴＦＴ３が配置され、このＴＦＴ３には両バスライン１，２で囲まれた領域に配設されている絵素電極４が接続されている。ソースバスライン２の冗長配線として機能する予備配線１３がソースバスライン２と直交して配線されている。この予備配線１３は数個、又は数１０個に複数分割して形成してもよい。（以下の実施例も同様）
一方、このアクティブマトリクス基板に対向する対向基板には、液晶層側に対向電極５が形成されており、絵素電極４と対向電極５との間で絵素容量（Ｃｌｃ）６が形成される。この絵素容量（Ｃｌｃ）６とは並列に補助容量（Ｃｓ）７が形成され、補助容量（Ｃｓ）７の一方は絵素電極４に、他方は該絵素電極を挟んで近接する別のゲートバスライン１に接続されている。即ち、上述したアクティブマトリクス基板は所謂Ｃｓ−ｏｎ−Ｇａｔｅ構造となっている。
【０００４】
このように構成されたＣｓ−ｏｎ−Ｇａｔｅ構造の基板を有するアクティブマトリクス液晶表示装置においては、欠陥検査のために図２１に示す信号Ａ１が、図１に示すフレキシブル配線基板、又はＴＡＢ（Ｔａｐｅ ＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ、以下タブと言う。）８を介して奇数番目のゲートバスライン１に与えられ、信号Ａ２がタブ８を介して偶数番目のゲートバスラインに与えられる。更に、信号Ｂがタブ９ａを介してソースバスライン２に与えられ、信号Ｃが対向電極５に与えられる。上記信号Ａ１とＡ２はＴＦＴ３のゲート電極を順次走査してオン・オフ制御する信号であり、信号ＢはＴＦＴ３で各絵素に画像に応じた信号電圧を書き込み、その後次のフレームの書き込みまで変わらない信号であり、信号Ｃはゲートバスライン１に印加されるＴＦＴ３のオン電圧とオフ電圧の間で可変させる信号である。両側の予備配線１３、１３には信号Ｄがタブ９ａ、９ｂを介して与えられる。
【０００５】
図１０は、スイッチング素子としてＴＦＴを用いた別構造のアクティブマトリクス表示装置の概略回路図を示し、図１１は図１０の一部拡大図を示す。この表示装置は、液晶層を挟んで対向配置されたアクティブマトリクス基板と対向基板とからなる。アクティブマトリクス基板は、走査線として機能するゲートバスライン１が複数平行に配線され、該ゲートバスライン１に直交させて信号線として機能するソースバスライン２が複数平行に配線されている。両バスライン１，２の交差する位置近傍には、ＴＦＴ３が配置され、このＴＦＴ３には両バスライン１，２で囲まれた領域に配設されている絵素電極４が接続されている。ソースバスライン２の冗長配線として機能する予備配線１３がソースバスライン２と直交して配線されている。
【０００６】
一方、このアクティブマトリクス基板に対向する対向基板には、液晶層側に対向電極５が形成されており、絵素電極４と対向電極５との間で絵素容量（Ｃｌｃ）６が形成される。この絵素容量（Ｃｌｃ）６とは並列に補助容量（Ｃｓ）７が形成され、補助容量（Ｃｓ）７の一方は絵素電極４に、他方はゲートバスラインと平行に設けた補助容量用共通配線１０に接続されている。即ち、この構造のアクティブマトリクス基板は所謂Ｃｓ−ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ構造となっている。
【０００７】
このように構成されたＣｓ−ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ構造の基板を有するアクティブマトリクス液晶表示装置においては、欠陥検査のために図２２に示す信号Ａ３が、図１０に示すタブ１１を介してゲートバスライン１に与えられ、同時に信号Ｅが共通線１０に与えられる。更に、信号Ｂがタブ１２ａを介してソースバスライン２に与えられ、信号Ｆが予備配線１３に与えられる。また、信号Ｃが対向電極５に与えられる。上記信号Ａ３はＴＦＴ３のゲート電極を順次走査してオン・オフ制御する信号であり、信号ＢはＴＦＴ３で各絵素に画像に応じた信号電圧を書き込み、その後次のフレームの書き込みまで変わらない信号であり、信号Ｃはゲートバスライン１に印加されるＴＦＴ３のオン電圧とオフ電圧の間で可変させる信号である。予備配線１３には信号Ｇがタブ１２ｂを介して与えられる。
【０００８】
アクティブマトリクス基板には多数の絵素電極やＴＦＴとともに、例えばゲートバスライン１とソースバスライン２、予備配線１３とソースバスライン２、補助容量用共通配線１０とソースバスライン２など異なるバスラインが絶縁され、立体的に配線されており、バスラインの交差部が多数形成される。アクティブマトリクス基板は半導体素子と同様にフォトリソ工程などにより微細なパターンにより形成されるため、ダストなどが原因でパターン異常等の欠陥を生じやすく、バスラインの交差部でピンホールなどによりリークが生じると、表示不良となる。表示装置では小さな欠陥でも目立ちやすく、不良品とされるので、生産の歩留まりを向上させるためには、欠陥の有無を検出し、欠陥を修正し、不良品は排除することが重要となる。そして、欠陥を修正するためには、欠陥の位置を特定し、欠陥の発生部位に応じた修正を行わなければならない。
【０００９】
特開昭６３−１２３０９３は、アクティブマトリクス液晶パネルの点灯検査によるＴＦＴのゲート−ドレインおよびソース−ドレインの電極間のショートによる点欠陥の検査方法を開示しているが、更にゲートバスラインと絵素電極、又はソースバスラインと絵素電極が直接短絡状態にある場合も同様に検査可能であることが記述されている。また、ゲート電極とソース電極が短絡した場合は短絡部分を含むゲート線とソース線に接続されている全絵素が点灯しなくなる線欠陥となることも記載されている。
【００１０】
ゲートバスライン１とソースバスライン２との間に短絡等の原因によりリークが生じた場合、上記と同様にリークが生じているゲートバスライン１に接続されている横一列に並ぶ絵素電極と、リークが生じているソースバスライン２に接続されている縦一列に並ぶ絵素電極とに表示不良が発生し、十字状の線欠陥として表示される。十字の中心の絵素電極の接続されているゲートバスライン１とソースバスライン２の交差部にリークが発生していることが判る。
【００１１】
特開平２−６４６１５は、補助容量がＭＯＳ型容量である補助容量用共通配線とソースバスライン、又はゲートバスラインとの間の短絡に関するアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥修正方法が開示されている。例えばＭＯＳ容量がＮ型の場合、液晶パネルを点灯すると、短絡が生じているソースバスラインと正常なソースバスラインとの間に表示状態の差異が認められるので、短絡が生じているソースバスラインを接地すると短絡箇所のある共通線のみが接地レベルに引かれ、反転閾値電圧以下になるため、その共通線でつくるＭＯＳ容量が本来の容量より小さくなり、短絡箇所のある共通線を含む横ラインがネガ型（２枚の偏光板が平行状態にある）の中間調表示状態で他の横ラインよりもやや黒くなって表れ、縦ラインとの交点に短絡箇所があることが分かる。欠陥修正方法としてソースバスラインまたは補助容量用共通配線の短絡部の両端をレーザにより切断し、切断により浮いた信号線は外部端子により周辺を回して配線接続することが記述されている。
【００１２】
予備配線１３とソースバスライン２との間のリークは従来は基板に駆動回路が実装されるまで確認することができなかった。ソースバスライン２が切断した場合、ソースバスライン２の断線により浮いた部分は線欠陥となる。予備配線１３はソースバスライン２が切断した場合、該ソースバスライン２と予備配線１３との交差部をレーザにより接続し、該ソースバスライン２へ両側から信号を与えることにより、線欠陥を修正するために使用される。上記の修正ができたかどうかを確認するため、予備配線１３にはソースバスライン２と同じ信号が与えられ、他の正常なソースバスラインと同様に点灯するかどうか検査される。このため予備配線を使用した修正箇所以外で予備配線１３とソースバスライン２にリークが生じていてもリークが生じているソースバスライン２の信号に変化が生じないので、表示に差異がなく、リークの有無の判別ができない。そのため予備配線１３とソースバスライン２との間のリーク不良は基板に駆動回路を実装するまで確認することができず、モジュールを作る実装工程で検出し、選別していた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
バスラインの交差部など絶縁された電極間の絶縁部にピンホールや膜残りなどにより絶縁性の劣化しているところがあると、長期間使用しているうちにそのストレスにより絶縁性の劣化が進行し、欠陥となる場合があるが、従来の検査では表示装置として通常使用される電圧が使用され、検査時にすでに不良となっている欠陥は検出できるが、将来長期間使用した時、そのストレスにより欠陥となる恐れのある絶縁性の劣化した箇所の検出はできず、信頼性に欠けるという問題がある。
【００１４】
また、予備配線１３は、ソースバスライン２の断線の修正に用いられるが、従来の検査では修正ができたかどうか確認するため、ソースバスライン２と同じ信号Ｂを与えて他の正常なソースバスライン２と同様に正常に点灯するかどうか検査していたので、予備配線を使用した修正箇所以外で予備配線１３とソースバスライン２との間リークが生じていても信号に変化が生じないため識別できず、基板に駆動回路が実装されるまで、確認できなかった。そのためモジュールをつくる実装工程の歩留まりが低下するという問題点があった。
【００１５】
本発明は、このような従来技術の問題点を解決するものであり、今まで検出できなかった欠陥（将来欠陥となる恐れのあるモード）、或いは次の実装工程（モジュール状態）で確認される欠陥モードを検出するものである。Ｃｓ−ｏｎ−Ｇａｔｅ構造、Ｃｓ−ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ構造、または冗長構造を備えたアクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出方法及び欠陥検出装置の提供を目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、絶縁性基板上に相互に交差して形成され、かつ互いに絶縁されている電極を備えた基板の欠陥検出方法において、該電極間に通常使用電圧より大きい、例えば数倍の電圧を印加することで、上記目的が達成される。
【００１７】
また、本発明は、絶縁性基板上に相互に交差して形成され、かつ互いに絶縁されている電極を備えた基板の欠陥の検出装置において、該電極間に通常使用電圧より大きい、例えば数倍の電圧を印加する手段を備えた構成となっているので、そのことにより上記目的が達成される。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明のアクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出方法は、絶縁性基板上に複数の絵素電極と、各絵素電極を駆動するためのスイッチング素子とがマトリクス状に配置され、該スイッチング素子と各々接続し、かつ相互に交差して形成された走査線及び信号線が形成されたアクティブマトリクス基板、又は該アクティブマトリクス基板と該アクティブマトリクス基板に対向配設させる対向電極を有する対向基板との間に液晶層を配置してなるアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出方法において、上記走査線及び信号線又は対向電極にそれぞれ接続するための接続端子及び駆動信号を印加するための駆動信号印加手段を備える検査装置を使用し、上記アクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルに対して上記検査装置を対向配設するとともに、該接続端子を走査線及び信号線又は対向電極のそれぞれに接続する工程と、アクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルの走査線と信号線との間に、通常使用される電圧より大きい駆動電圧信号を、ある一定の期間に自動または手動で与え、該走査線と信号線との交差部の絶縁性が劣化している箇所での劣化を進行させてリークさせることで欠陥を検出する工程とを行うので、そのことにより上記目的が達成される。
【００１９】
また、本発明の欠陥検出装置は、絶縁性基板上に複数の絵素電極と、各絵素電極を駆動するためのスイッチング素子とがマトリクス状に配置され、該スイッチング素子と各々接続し、かつ相互に交差して形成された走査線及び信号線が形成されたアクティブマトリクス基板、又は該アクティブマトリクス基板と該アクティブマトリクス基板に対向配設させる対向電極を有する対向基板との間に液晶層を配置してなるアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出装置において、上記走査線及び信号線又は対向電極にそれぞれ接続するための接続端子と、駆動信号を印加するための駆動信号印加手段とを備え、上記駆動信号印加手段によって、アクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶表示装置の走査線と信号線との間に、該走査線と信号線との交差部の絶縁性が劣化している箇所での劣化を進行させてリークさせるように、通常使用される電圧より大きい駆動電圧信号が、ある一定の期間に自動または手動で与えられて欠陥が検出されるので、そのことにより上記目的が達成される。
【００２１】
本発明の上記欠陥検出方法、欠陥検出装置は、絵素電極に関連して形成された補助容量が、該絵素電極が接続されている走査線とは絵素電極を挟んで近接する別の走査線に接続されているアクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルにも適用可能であり、また、上記絵素電極に関連して形成された補助容量が、共通配線に接続されているアクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルにも適用可能であり、更に、上記信号線に絶縁され交差して形成された予備配線を備えているアクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルに適用可能である。そして、上記信号線に絶縁され交差して形成された予備配線を備えているアクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルの検査を行う場合、走査線に与えたのと同様の検査用走査信号を予備配線に与えて欠陥を検出し、その後、予備配線に対向電極信号を与えて欠陥を検査する。
【００２２】
本発明は、例えば絶縁性基板上に複数の絵素電極と各絵素電極を駆動するためのＴＦＴとがマトリクス状に配置され、該ＴＦＴと各々接続し、かつ相互に交差して形成された走査線及び信号線に、該ＴＦＴを介して各絵素電極が接続され、該絵素電極に関連して形成された補助容量が、該絵素電極が接続されている走査線とは絵素電極を挟んで近接する別の走査線に接続されているアクティブマトリクス基板に対して以下のように検出が行われる。まず、検査装置とアクティブマトリクス基板を対向配設するとともに、検査装置の接続端子を走査線、信号線のそれぞれに接続した状態となし、その状態で該アクティブマトリクス基板の走査線と信号線間に、例えば１フレームの期間を定めるオン信号と該オン信号に後続するオフ信号とを交互に与えている通常使用の駆動電圧より大きい電圧、例えば数倍の信号に変換し、ある一定の期間に自動または手動で与える。これにより、バスラインの交差部の絶縁性が劣化している箇所で劣化が進行しリークが生じるため、将来ストレスによるリーク不良が発生する恐れのある箇所が予め欠陥として検出される。ここで検査のために印加される電圧は、通常使用される電圧の１．５倍〜３倍程度が適当であり、印加時間は１秒程度である。一般的には、印加電圧と印加時間は、正常なＴＦＴの接続不良が発生しない値の電圧、時間が設定される。
【００２３】
更に、検出しようとする欠陥モードの対象を広げる場合は次のようにする。即ち、アクティブマトリクス基板と対向基板を対向させ、その間に液晶を充填したアクティブマトリクス液晶パネルを検査する場合、検査装置の接続端子を走査線、信号線、予備配線及び該対向電極のそれぞれに接続した状態となし、その状態で該アクティブマトリクス液晶パネルの走査線と信号線間に液晶表示装置の１フレームの期間を定めるオン信号と該オン信号に後続するオフ信号とを交互に与えている該信号の電圧を数倍の信号に変換し、走査線と信号線の間に通常使用される電圧より大きな電圧をある一定の期間に自動または手動で与え、かつ予備配線に該走査線と同様の該走査信号を与え、次に予備配線に対向電極信号を与える。これにより次の実装工程で発生する予備配線の欠陥モードが予め検出される。また、検出された欠陥箇所を修正することにより欠陥修正がなされる。
【００２４】
本発明は、絶縁性基板上に複数の絵素電極と各絵素電極を駆動するためのＴＦＴとがマトリクス状に配置され、該ＴＦＴと各々接続し、かつ相互に交差して形成された走査線及び信号線に、該ＴＦＴを介して各絵素電極が接続され、該絵素電極に関連して形成された補助容量が、共通配線に接続されているアクティブマトリクス基板、あるいは該信号線と絶縁され交差して形成された予備配線を備えているアクティブマトリクス基板に対しては以下のように検出が行われる。まず、検査装置をアクティブマトリクス基板に対向配設するとともに、検査装置の接続端子を走査線、信号線及び共通電極のそれぞれに接続した状態となし、その状態で該アクティブマトリクス基板の走査線に１フレームの期間を定めるオン信号と該オン信号に後続するオフ信号とを交互に与えている該信号として、通常使用される電圧より大きい電圧、例えば数倍の信号に変換し、ある一定の期間に自動または手動で与える。これにより、バスラインの交差部の絶縁性が劣化している箇所で劣化が進行しリークが生じるため、将来ストレスによるリーク不良が発生する恐れがある箇所が予め欠陥として検出される。ここで検査のために印加される電圧は、通常使用される電圧の１．５倍〜３倍程度が適当であり、印加時間は１秒程度である。印加電圧と印加時間は、正常なＴＦＴの特性不良が発生しないような値の電圧、時間が設定される。
【００２５】
更に、検出しようとする欠陥モードの対象を広げる場合は次のようにする。即ち、アクティブマトリクス基板と対向基板を対向させ、その間に液晶を充填したアクティブマトリクス液晶パネルを検査する場合、検査装置の接続端子を走査線、信号線、予備配線及び該対向電極のそれぞれに接続した状態となし、その状態で該アクティブマトリクス液晶パネルの走査線と信号線間に液晶表示装置の１フレームの期間を定めるオン信号と該オン信号に後続するオフ信号とを交互に与えている該信号の電圧を数倍の信号に変換し、ある一定の期間に自動または手動で与え、かつ予備配線に該走査線と同様の該走査信号を与え、また次に該アクティブマトリクス液晶パネルの走査線と信号線間に１フレームの期間を定めるオン信号と該オン信号に後続するオフ信号とを交互に与えている該信号の電圧を与え、かつ予備配線に対向電極信号を与える。これにより次の実装工程で発生する予備配線の欠陥モードが予め検出される。
【００２６】
また、該アクティブマトリクス液晶パネルの走査線と信号線間に１フレームの期間を定めるオン信号と該オン信号に後続するオフ信号とを交互に与えている該信号の電圧を数倍の信号に変換し、ある一定の期間に自動または手動で与え、かつ共通配線に該走査線と同様の該走査信号を与える。これにより将来ストレスによるリーク不良が発生する恐れのある箇所を予め欠陥として検出される。
【００２７】
また、検出された欠陥箇所を修正することにより欠陥修正がなされる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００２９】
（実施例１）
図１は、スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス基板の全体構成を示し、図２はその一部拡大図を示す。この基板は走査線として機能するゲートバスライン１が複数平行に配線され、該ゲートバスライン１に直交させて信号線として機能するソースバスライン２が多数平行に互いに絶縁して配線されている。両バスライン１，２の交差する位置の近傍にはＴＦＴ３が配設され、このＴＦＴ３には絵素電極４が接続されている。上記ゲートバスライン１及びソースバスライン２は絵素電極４の周縁に沿って設けられている。上記ＴＦＴ３のドレイン電極と、このＴＦＴが接続されたゲートバスライン１とは１つ位置がずれて近接するゲートバスライン１との間に、補助容量（Ｃｓ）７が設けられている。つまりこのアクティブマトリクス基板は、所謂Ｃｓ−ｏｎ−Ｇａｔｅ構造となっている。ソースバスライン２の冗長配線として機能する予備配線１３がソースバスライン２と直交して互いに絶縁して配線されている。
【００３０】
かかる構成のアクティブマトリクス基板に、対向電極が予め形成された対向基板を、液晶層をアクティブマトリクス基板側にして対向配設してアクティブマトリクス液晶パネルを構成すると、対向基板の液晶層側に予め形成してある対向電極５と絵素電極４との間において絵素容量（Ｃｌｃ）６が形成される。
【００３１】
次に、このようなアクテイブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルを検査対象とする本発明の検査装置について説明する。本発明の検査装置は、図１に示すように、上記ゲートバスライン１の奇数番目のもの同士を端子Ａ１に接続し、また、偶数番目のもの同士を端子Ａ２に接続するタブ８を備えている。また、ソースバスライン２を共通配線を介して端子Ｂに接続するとともに、一方の予備配線１３を端子Ｄに接続するタブ９を備える。更に、他方の予備配線１３を端子Ｄに接続するタブ９を備える。
【００３２】
上記端子Ａ１，Ａ２，Ｂ，Ｃ，Ｄにそれぞれ検査用信号を供給する回路図を図３に示す。図３は基準信号発生回路１４と、この基準信号発生回路１４からの出力信号を分周する分周回路１５と、この分周回路１５からの出力信号を入力する９つの信号発生回路１６〜２４と、５つのスイッチ２５〜２９と、５つの検査用端子３０〜３４とを備える。
【００３３】
上記Ｂ１信号発生回路１６は図４（ａ）に示す信号Ｂ１を発生し、Ｂ２信号発生回路１７は図４（ｂ）の信号Ｂ２を発生し、Ｂ３信号発生回路１８は図４（ｃ）の信号Ｂ３を発生して、スイッチ２５の切替えにより選択的にソースバスライン２に与える。また、スイッチ２６の選択により上記信号Ｂ１〜Ｂ３が検査用端子３１を介して予備配線１３に与えられる。上記信号Ｂ１は、ＴＦＴ３で各絵素に書き込んだ後も次のフレームの書き込みまで一定レベルのまま変わらない信号である。信号Ｂ２は各絵素に書き込み信号を印加した後、次のフレームの書き込み信号を印加するまでの間で、信号の電圧を書き込んだ時の信号電圧とは異なる電圧に変化する信号である。信号Ｂ３は各絵素に書き込み信号を印加した後、次のフレームの書き込み信号を印加するまでの間で、信号の電圧を書き込んだ時の信号電圧とは異なる電圧に変化する信号である。
【００３４】
奇数ゲートライン信号発生回路２０は、図４（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すゲートバスラインのオン・オフ制御用信号Ａ１を発生し、検査用端子３２を介して奇数番目のゲートバスライン１に与える。偶数ゲートライン信号発生回路２１は図４（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すゲートバスラインのオン・オフ制御用信号Ａ２を発生し、検査用端子３３を介して偶数番目のゲートバスライン１に与える。奇数検出信号発生回路１９は、図５（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すゲートバスラインのオン・オフ制御用信号Ａ１’を発生し、検査用端子３２を介して奇数番目のゲートバスライン１に与える。偶数検出信号発生回路２２は、図５（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すゲートバスラインのオン・オフ制御用信号Ａ２’を発生し、検査用端子３３を介して偶数番目のゲートバスライン１に与える。また、スイッチ２６の選択により上記信号Ａ１’は検査用端子３１を介して予備配線１３に与える。なお、上述した奇数番目のゲートバスライン１に与えられるオン・オフ制御用信号Ａ１及びＡ１′と、偶数番目のゲートバスライン１に与えられるオン・オフ制御用信号Ａ２及びＡ２′とは、波形は同一としてあるが、タイミング的には少しずれて該ゲートバスライン１に与えられる。このことは後述する図５、図７、及び図９の実施例においても同様である。
【００３５】
アクテイブマトリクス液晶パネルを検査する場合、対向電極用信号発生回路２３は、図４（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、フリッカーのないように最適に合わせた対向電圧値に固定した信号Ｃ１を発生し、スイッチ２９の切替え選択により検査用端子３４を介して対向電極５に与える。対向電極用信号発生回路２４はＴＦＴをオンさせる電圧からオフさせる電圧までの間で変化する図示しない信号（以下この信号をＣ２とする）を発生し、スイッチ２９の切替え選択により検査用端子３４を介して対向電極５に与える。
【００３６】
上記Ｂ１信号発生回路１６からの信号Ｂ１と、Ｂ２信号発生回路１７からの信号Ｂ２と、Ｂ３信号発生回路１８からの信号Ｂ３とは、スイッチ２５の３つの端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃに出力される。スイッチ２５は３つの端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃの端子の１つを選択して検査用端子３０に与える。検査用端子３０はタブ９を介してソースバスライン２に接続される。
【００３７】
奇数ゲートライン信号発生回路２０からのオン・オフ制御用信号Ａ１または奇数検出信号発生回路１９からのオン・オフ制御用信号Ａ１’は、スイッチ２７の３つの端子２７ａ，２７ｂ，２７ｃの２端子２７ａ，２７ｂに出力され、残り１つの端子２７ｃには対向電極用信号発生回路２４からの信号Ｃ２が出力される。スイッチ２７は３つの端子２７ａ，２７ｂ，２７ｃの１つを選択して検査用端子３２に与える。この検査用端子３２はタブ８を介して奇数番目のゲートバスライン１に接続される。偶数ゲートライン信号発生回路２１からのオン・オフ制御用信号Ａ２または偶数検出信号発生回路２２からのオン・オフ制御用信号Ａ２’はスイッチ２８の３つの端子２８ａ，２８ｂ，２８ｃの２端子２８ａ，２８ｃに出力され、残りの１つの端子２８ｂには対向電極用信号発生回路２４からの信号Ｃ２が出力される。スイッチ２８は３つの端子２８ａ，２８ｂ，２８ｃの１つを選択して検査用端子３３に与える。この検査用端子３３はタブ８を介して偶数番目のゲートバスライン１に接続される。
【００３８】
対向電極用信号発生回路２３からの信号Ｃ１と、対向電極用信号発生回路２４からの信号Ｃ２とは、スイッチ２９の２つの端子２９ａ、２９ｂに出力され、スイッチ２９は、２つの端子２９ａ、２９ｂの１つを選択して検査用端子３４に与える。この検査用端子３４は、タブ９ａ，９ｂを介して対向電極５の端子（図示せず）に接続される。
【００３９】
スイッチ２６からの出力信号Ｂ１〜Ｂ３と、奇数ゲートライン信号発生回路２０からのオン・オフ制御用信号Ａ１または、奇数検出信号発生回路１９からのオン・オフ制御用信号Ａ１′は、スイッチ２６の３つの端子２６ａ、２６ｂ、２６ｃの２端子の２６ａ、２６ｂに出力され、残りの１つの端子２６ｃにはスイッチ２９からの出力信号Ｃ１または、Ｃ２が出力される。スイッチ２６は、３つの端子２６ａ、２６ｂ、２６ｃの１つを選択して検査用端子３１に与える。この検査用端子３１は、タブ９ａ及び９ｂを介して両側の予備配線１３に接続される。なお、スイッチ２５〜２９の制御は、図示しない制御回路にて行われ、その内、スイッチ２７と２８とは連動して作動する。
【００４０】
次に、上記検査装置による前述のアクテイブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出方法及び検査方法について説明する。先ず、欠陥検出のため、被検査対象であるアクテイブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルを検査装置の検査位置に正確に載置するとともに、アクテイブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルの端子位置に合わせてパネルの外周にタブ８，９が配置され、アクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルの端子とタブ８，９の端子の位置合わせをして接触させる。この接触状態を安定に保つため、バネ、クリップ等により圧力を加えてもよい。上記検査タブ８をゲートバスライン１に、検査タブ９をソースバスライン２、予備配線１３及び液晶パネルを検査する場合は対向電極の端子（図示せず）にそれぞれ接続させる。そして、スイッチ２６は、端子２６ｂを選択し、奇数検出信号発生回路１９からの信号Ａ１′を予備配線１３に供給し、スイッチ２７は、端子２７ａを選択して、奇数検出信号発生回路１９からの信号Ａ１′を奇数ゲートバスライン１に供給し、スイッチ２８は、端子２８ａを選択して偶数検出信号発生回路２２からの信号Ａ２′を偶数ゲートバスライン１に供給する。スイッチ２５とスイッチ２９は、どの端子に接続してもよい。この状態で、ある一定の時間それぞれの信号を与える。検査信号としてはこの実施例ではアクティブマトリクス液晶表示装置の通常の使用電圧の１．５〜３倍、印加時間１秒である。この印加電圧と時間は良品のＴＦＴが特性不良を発生しないで、不良ＴＦＴが欠陥となる値に定めればよい。これにより、バスラインの交差部の絶縁性が劣化している箇所で劣化が進行し、リークが発生するため、アクテイブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルのゲートバスライン１とソースバスライン２との交差部の絶縁性に対する検出と、ソースバスライン２と予備配線１３との交差部の絶縁性に対する検出が実施される。
【００４１】
次に、欠陥検査のため、スイッチ２６は、端子２６ｃを選択し、対向電極用信号発生回路２３または、２４からの信号Ｃ１、またはＣ２を予備配線１３に供給し、スイッチ２７は、端子２７ａを選択して、奇数ゲートライン信号発生回路２０からの信号Ａ１を奇数ゲートバスライン１に供給し、スイッチ２８は、端子２８ａを選択して偶数ゲートライン信号発生回路２１からの信号Ａ２を偶数ゲートバスライン１に供給し、スイッチ２５とスイッチ２９は、どの端子に接続してもよい。この状態で、ソースバスライン２と予備配線１３との交差部の絶縁不良部を検査する。その後、スイッチ２６は、端子２６ａを選択し、Ｂ１〜Ｂ３信号発生回路１６〜１８からの信号Ｂ１〜Ｂ３を予備配線１３に供給し、スイッチ２７〜２９とスイッチ２５を切り換えて、ゲートバスラインとソースバスラインとの間のリーク検査、及びその他のそれぞれの点欠陥や線欠陥の検査を行う。
【００４２】
以上の検査が終了すると、各部の信号の供給は停止され、タブ８，９の接続が解除され、アクテイブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルが検査装置から取り出される。アクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルは欠陥の有無により選別され、修正不能のものは排除され、修正可能のものは修正される。
【００４３】
（１）ゲートバスラインとソースバスラインとの間のリークによる線欠陥の検出、検査は次の手順により実施される。
【００４４】
この欠陥は、図６（ａ）に示すように、ゲートバスライン１に信号Ａ１′またはＡ２′を印加することにより、絶縁性の劣化している部分のゲートバスライン１とソースバスライン２との間でのリークにより生じ、このリークが生じているゲートバスライン１に接続された横一列に並ぶ絵素電極と、リークが生じているソースバスライン２に接続された縦一列に並ぶ絵素電極とに表示不良が発生し、つまり十字状の線欠陥として表示される。上記欠陥が生じている場合は、ソースバスライン２の信号の影響で正常時に比べてＴＦＴ３をオフさせるゲート電圧からオンさせるゲート電圧の振幅が小さくなってしまうため、ＴＦＴ３のオン抵抗もオフ抵抗も十分に維持できなくなる。従って、ソースバスライン２とリークしているゲートバスライン１とに接続されているＴＦＴ３は、見掛け上、オフ特性不良のＴＦＴ３と同じような挙動を示す。よって、この欠陥の検出は、図７（ｂ）、（ｃ）の信号を印加して行う。この時、図７（ｂ）の場合より、図７（ｃ）の場合の方が、線欠陥として表示されている横方向の線が明瞭に目視観察されることとなる。このとき、ソースバスライン２に接続された絵素電極に基づく縦方向の線も明瞭に見えている。よって、明瞭に現れた十字状のクロス部分に基づいて欠陥箇所が判別される。
【００４５】
この場合の修正は、図６（ｂ）に示すように、ソースバスライン２におけるリーク発生箇所の両側をレーザー等により切断すると共に、該ソースバスライン２と予備配線１３との交差部をレーザー等により接続し、該ソースバスライン２へ両側から信号を与えるようにする。なお、ゲートバスライン１とソースバスライン２との間のリーク時のゲート信号波形Ｅでの電位が、図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように異なっているため、その電位を電気的に測定することにより、目視検査に代えて検査することができる。
【００４６】
（２）予備配線とソースバスラインとの間のリークによる線欠陥の検出、検査は次の手順により実施される。
【００４７】
この欠陥は、図８（ａ）に示すように、予備配線１３に信号Ａ１′またはＡ２′を印加することにより、絶縁性の劣化している部分の予備配線１３とソースバスライン２との間でのリークにより生じる。この欠陥が生じている場合は、予備配線１３に信号Ｂ１〜Ｂ３を与えることによっては、該欠陥を検出できず、予備配線１３に信号Ｃ１を与えることにより、リークが生じているソースバスライン２に接続された縦一列に並ぶ絵素電極に表示不良が発生する。上記欠陥が生じている場合は、予備配線１３に対向電極信号Ｃ１を与えると、その影響で正常部に比べてソース電圧の振幅が小さくなってしまうため、絵素電極４に与える電圧が小さくなる。従って、該欠陥部に接続された縦一列に並ぶ絵素電極には、電圧がかからない状態となり、輝線となる（ノーマリィーホワイトモードの場合）。よって、この欠陥の検出は、図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の信号を印加して行う。この場合の修正は、図８（ｂ）に示すように、予備配線１３におけるリーク発生箇所の両側をレーザー等により、切断する。なお、予備配線１３に信号Ｃ１を与えることにより、予備配線１３とソースバスライン２との間のリーク時のソース信号波形Ｆでの電位が、図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように異なっているため、その電位を電気的に測定することにより、目視検査に代えて検査することができる。
【００４８】
（実施例２）
図１０は、スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス基板の全体構成を示し、図１１は、その一部を示す。この基板は、走査線として機能するゲートバスライン１が複数平行に配線され、該ゲートバスライン１に直交させて信号線として機能するソースバスライン２が多数平行に互いに絶縁して配線されている。両バスライン１、２の交差する位置の近傍にはＴＦＴ３が配設され、このＴＦＴ３には、絵素電極４が接続されている。上記ゲートバスライン１及びソースバスライン２は絵素電極４の周縁に沿って設けられている。上記ＴＦＴ３のドレイン電極と、このＴＦＴ３が接続されたゲートバスライン１と平行に設けた補助容量用共通配線１０との間に補助容量（Ｃｓ）６が設けられている。つまり、このアクティブマトリクス基板は、所謂Ｃｓ−Ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ構造となっている。ソースバスライン２の冗長配線として機能する予備配線１３がソースバスライン２と直交して互いに絶縁して配線されている。
【００４９】
かかる構成のアクティブマトリクス基板に、液晶層と対向電極が予め形成された対向基板を、液晶層をアクティブマトリクス基板側にして対向配設してアクティブマトリクス液晶パネルを構成すると、対向基板の液晶層側に予め形成してある対向電極５と絵素電極４との間において絵素容量（Ｃｌｃ）４が形成される。
【００５０】
次に、このようなアクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルを検査対象とする本発明の検査装置について説明する。この検査装置は、図１０に示すように、上記ゲートバスライン１の一端側を共通配線を介して端子Ａ３に接続するとともに、補助容量用共通配線１０を端子Ｅに接続するタブ１１を備えている。また、ソースバスライン２の一端側を共通配線を介して端子Ｂに接続するとともに、一方の予備配線１３を端子Ｆに接続するタブ１２ａを備えている。更に、他方の予備配線１３を端子Ｇに接続するタブ１２ｂを備える。上記端子Ａ３，Ｅ，Ｆ，Ｇにそれぞれ検査用信号を供給する信号回路図を図１２に示す。図１２に示すように信号回路図は、基準信号発生回路３５と、この基準信号発生回路３５からの出力信号を分周する分周回路３６と、この分周回路３６からの出力信号を入力する８つの信号発生回路３７〜４４と、５つのスイッチ４５〜４９と、５つの検査用端子５０〜５４とを備える。
【００５１】
上記Ｂ１信号発生回路３７は図１３に示す信号Ｂ１を発生し、Ｂ２信号発生回路３８は信号Ｂ２を発生し、Ｂ３信号発生回路３９は信号Ｂ３を発生して、スイッチ４５の切替えにより選択的にソースバスライン２に与える。また、スイッチ４６の選択より、上記信号Ｂ１〜Ｂ３を検査用端子５１を介して予備配線１３に与える。上記信号Ｂ１は、ＴＦＴ３で各絵素に書き込んだ後も次のフレームの書き込みまで一定レベルのまま変わらない信号であり、信号Ｂ２は、各絵素に書き込み信号を印加した後、次のフレームの書き込み信号を印加するまでの間で、信号の電圧を書き込んだ時の信号電圧とは異なる電圧に変化する信号であり、信号Ｂ３は、各絵素に書き込み信号を印加した後、次のフレームの書き込み信号を印加するまでの間で、信号の電圧を書き込んだ時の信号電圧とは異なる電圧に変化する信号である。
【００５２】
ゲートライン信号発生回路４１は、ゲートバスラインのオン・オフ制御用信号Ａ３を発生し、検査用端子５２を介してゲートバスライン１に与える。検出信号発生回路４０は、図１４に示す検出信号Ａ３′を発生し、検査用端子５２を介してゲートバスライン１に与える。ゲートオフ電圧信号発生回路４２は、ゲートバスラインのオフ制御用信号Ａ４（図示せず）を発生し、スイッチ４８を切り換えた時に検査用端子５３を介して補助容量用共通配線１０に与える。また、スイッチ４６の選択より、上記信号Ａ３′は、検査用端子５１を介して予備配線１３に与える。対向電極用信号発生回路４３は、フリッカーの無いように最適に合わせた対向電圧値に固定した信号Ｃ１を発生し、検査用端子５４を介して対向電極５に与える。対向電極用信号発生回路４４は、ＴＦＴ３をオンさせる電圧からオフさせる電圧までの間で変化する図示しない信号（以下この信号をＣ２とする）を発生し、対向電極５に与える。
【００５３】
上記Ｂ１信号発生回路３７からの信号Ｂ１と、Ｂ２信号発生回路３８からの信号Ｂ２と、Ｂ３信号発生回路３９からの信号Ｂ３とは、スイッチ４５の３つの端子４５ａ、４５ｂ、４５ｃに出力される。スイッチ４５は、３つの端子４５ａ、４５ｂ、４５ｃの端子の１つを選択して検査用端子５０に与えられる。検査端子５０は、タブ１２ａを介してソースバスライン２に接続される。
【００５４】
ゲートライン信号発生回路４１からのオン・オフ制御用信号Ａ３または、検出信号発生回路４０からの検出信号Ａ３′は、検査用端子５２に与えられる。この検査用端子５２は、タブ１１を介してゲートバスライン１に接続される。ゲートオフ電圧信号発生回路４２からのオフ制御用信号Ａ４は、スイッチ４８の３つの端子４８ａ、４８ｂ、４８ｃの１端子の４８ｂに出力される。残りの２つの端子４８ａ、４８ｃとには、対向電極用信号発生回路４３からの信号Ｃ１と、対向電極用信号発生回路４４からの信号Ｃ２とが与えられる。スイッチ４８は、３つの端子４８ａ、４８ｂ、４８ｃの１つを選択して検査用端子５３に与える。この検査用端子５３は、タブ１１を介して共通補助容量用の端子１０に接続される。
【００５５】
また、上述した信号Ｃ１と信号Ｃ２とは、スイッチ４９の３つの端子４９ａ、４９ｂ、４９ｃに出力される。スイッチ４９は、３つの端子４９ａ、４９ｂ、４９ｃの１つを選択して該当する信号を検査用端子５４に与える。この検査検査用端子５４は、対向電極に設けた端子（図示せず）に接続されている。なお、スイッチ４５〜４９の制御は、図示しない制御回路にて行われ、その内、スイッチ４８と４９とは連動して作動する。
【００５６】
次に、上記検査装置による前述のアクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出方法及び欠陥検査方法について説明する。先ず、欠陥検出は、被検査対象であるアクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルを検査装置の検査位置に正確に載置するとともに、アクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルの端子位置に合わせてパネルの外周にタブ１１，１２ａ，１２ｂが配置され、アクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルの端子とタブ１１，１２ａ，１２ｂの端子の位置合わせをして接触させる。この接触状態を安定に保つため、バネ、クリップ等により圧力を加えてもよい。上記検査タブ１１をゲートバスライン１に、検査タブ１２ａ，１２ｂをソースバスライン２、予備配線１３及びアクティブマトリクス液晶パネルを検査する場合は対向電極の端子（図示せず）にそれぞれ接続させる。そして、スイッチ４６は、端子４６ｂを選択し、検出信号発生回路４０からの検出信号Ａ３′を予備配線１３に供給し、スイッチ４７は、端子４７ａを選択して検出信号発生回路４０からの検出信号Ａ３′を補助容量用共通配線１０に供給し、スイッチ４８と４９は、それぞれ端子４８ａと端子４９ａを選択して、対向電極用信号発生回路４３からの信号Ｃ１を補助容量用共通配線１０に供給する。スイッチ４５は、どの端子に接続してもよい。この状態で、ある一定の時間それぞれの信号を与える。検査信号としてはこの実施例ではアクティブマトリクス液晶パネルの通常の使用電圧の１．５〜３倍、印加時間１秒である。この印加電圧と時間は良品のＴＦＴが特性不良を発生しない値に定めればよい。これにより、バスラインの交差部の絶縁性が劣化している箇所で劣化が進行し、リークが発生するため、アクティブマトリクス液晶パネルのゲートバスライン１とソースバスライン２との交差部の絶縁性に対する検査と、ソースバスライン２と予備配線１３との交差部の絶縁性に対する検出及び、補助容量用共通配線１０とソースバスライン２との交差部の絶縁性に対する検出が実施される。
【００５７】
次に、欠陥検査のため、スイッチ４６は端子４６ｃを選択し、対向電極用信号発生回路４３からの信号Ｃ１を予備配線１３に供給し、スイッチ４７は、端子４７ｂを選択して、検出信号発生回路４０からの信号Ａ３′を補助容量用共通配線１０から切断し、スイッチ４５は、どの端子に接続してもよい。この状態で、ソースバスライン２と予備配線１３との交差部の絶縁不良箇所を検出する。その後、スイッチ４６は、端子４６ａを選択し、Ｂ１〜Ｂ３信号発生回路３７〜３９からの信号Ｂ１〜Ｂ３を予備配線１３に供給し、スイッチ４８とスイッチ４９を切り換えて、ゲートバスライン１とソースバスライン２との交差部の絶縁不良箇所や、補助容量用共通配線１０とソースバスライン２との交差部の絶縁不良箇所など、それぞれの点欠陥や線欠陥の検査を行う。
【００５８】
以上の検査が終了すると、各部の信号の供給は停止され、タブ８，９の接続がが解除され、アクティブマトリクス液晶パネルが検査装置から取り出される。アクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルは欠陥の有無により選別され修正不能のものは排除され、修正可能のものは修正される。
【００５９】
（１）ゲートバスラインとソースバスラインとの間のリークによる線欠陥検出及び検査は次の手順により実施される。
【００６０】
この欠陥は、図１５（ａ）に示すように、ゲートバスライン１に信号Ａ３′を印加することにより、絶縁性の劣化している部分のゲートバスライン１とソースバスライン２との間でのリークにより生じ、このリークが生じているゲートバスライン１に接続された横一列に並ぶ絵素電極と、リークが生じているソースバスライン２に接続された縦一列に並ぶ絵素電極とに表示不良が発生し、つまり十字状の線欠陥として表示される。
【００６１】
上記欠陥が生じている場合は、ソースバスライン２の信号の影響で正常時に比べてＴＦＴ３をオフさせるゲート電圧からオンさせるゲート電圧の振幅が小さくなってしまうため、ＴＦＴ３のオン抵抗もオフ抵抗も十分に維持できなくなる。従って、ソースバスライン２とリークしているゲートバスライン１とに接続されているＴＦＴ３は、見掛け上、オフ特性不良のＴＦＴ３と同じような挙動を示す。よって、この欠陥の検出は、図１６（ｂ）、（ｃ）により行う。この時、（ｂ）の場合より、（ｃ）の場合の方が、線欠陥として表示されている横方向の線が明瞭に目視観察されることとなる。このとき、ソースバスライン２に接続された絵素電極に基づく縦方向の線も明瞭に見えている。よって、明瞭に現れた十字状のクロス部分に基づいて欠陥箇所が判別される。
【００６２】
この場合の修正は、図１５（ｂ）に示すように、ソースバスライン２におけるリーク発生箇所の両側をレーザー等により切断すると共に、該ソースバスライン２と予備配線１３との交差部をレーザー等により接続し、該ソースバスライン２へ両側から信号を与えるようにする。
【００６３】
なお、ゲートバスライン１とソースバスライン２との間のリーク時のゲート信号波形Ｅでの電位が、図１６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように異なっているため、その電位を電気的に測定することにより、目視検査に代えて検査することができる。
【００６４】
（２）予備配線とソースバスラインとの間のリークによる線欠陥検出及び検査は次の手順により実施される。
【００６５】
この欠陥は、図１７（ａ）に示すように、予備配線１３に信号Ａ３′を印加することにより、絶縁性の劣化している部分の予備配線１３とソースバスライン２との間でのリークにより生じる。この欠陥が生じている場合は、予備配線１３に信号Ｂ１〜Ｂ３を印加しても該欠陥を検出できず、予備配線１３に信号Ｃ１を与えることにより、リークが生じているソースバスライン２に接続された縦一列に並ぶ絵素電極に表示不良が発生する。
【００６６】
上記欠陥が生じている場合は、予備配線１３に対向電極信号Ｃ１を与えると、その影響で正常部に比べてソース電圧の振幅が小さくなってしまうため、絵素電極４に与える電圧が小さくなる。従って、該欠陥部に接続された縦一列に並ぶ絵素電極には、電圧がかからない状態となり、輝線となる（ノーマリーホワイトモードの場合）。よって、この欠陥の検出は、図１８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）により行う。
【００６７】
この場合の修正は、図１７（ｂ）に示すように、予備配線１３におけるリーク発生箇所の両側をレーザー等により切断する。
【００６８】
なお、予備配線１３に信号Ｃ１を与えることにより、予備配線１３とソースバスライン２との間のリーク時のソース信号波形Ｆでの電位が、図１８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように異なっているため、その電位を電気的に測定することにより、目視検査に代えて検査することができる。
【００６９】
補助容量用共通配線とソースバスラインとの間のリークによる線欠陥検出及び検査は次の手順により実施される。
【００７０】
この欠陥は、図１９（ａ）に示すように、補助容量用共通配線１０に信号Ａ３′を印加することにより、絶縁性の劣化している部分の補助容量用共通配線１０とソースバスライン２との間でのリークにより生じ、このリークが生じているソースバスライン２に接続された縦一列に並ぶ絵素電極に表示不良が発生し、線欠陥として表示される。リークを生じている補助容量用共通配線１０に接続されている横一列に並んだ絵素電極に表示不良が発生し、十字状の表示不良となる。また線状の表示不良がソースバスライン２の途中から発生する場合もある。この場合は表示不良が消える位置の近傍をソースバスライン２に沿って調べるとよい。
【００７１】
上記欠陥が生じている場合は、補助容量用共通配線１０の信号Ｃ１の影響で正常部に比べてソース電圧の振幅が小さくなってしまうため、絵素電極４に与える電圧が小さくなる。従って、該欠陥部に接続された縦一列に並ぶ絵素電極には、電圧がかからない状態となり、輝線となる（ノーマリーホワイトモードの場合）。よって、この欠陥の検出は、図２０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）により行う。
【００７２】
この場合の修正は、図１９（ｂ）に示すように、補助容量用共通配線１０とソースバスライン２とにおけるリーク発生箇所のソースバスライン２側の両側をレーザー等により切断するとともに、該ソースバスライン２と予備配線１３との交差部をレーザー等により接続し、該ソースバスライン２へ両側から信号を与えるようにする。
【００７３】
なお、補助容量用共通配線１０に信号Ｃ１を与えることにより、補助容量用共通配線１０とソースバスライン２との間のリーク時のソース信号波形Ｇでの電位が、図２０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように異なっているため、その電位を電気的に測定することにより、目視検査に代えて検査することができる。
【００７４】
【発明の効果】
アクティブマトリクス基板、又はアクティブマトリクス液晶パネルにおいて、互いに交差する電極間の絶縁部でピンホールや膜残りなどにより絶縁性の劣化をした箇所があると、表示装置として長期間使用しているうちに、そのストレスにより欠陥となることがあるが、従来の検査方法ではこのような将来欠陥となる恐れのある絶縁性の劣化箇所を検出することはできなかったが、本発明による欠陥検出方法及び装置ではでは、例えばゲートバスラインとソースバスライン間、予備配線とソースバスライン間、補助容量用共通線とソースバスライン間など互いに交差するバスライン間に、表示装置として通常使用される電圧より大きい電圧を印加することにより、絶縁性の劣化している箇所でリークが生じ、欠陥として予め検出することができる。上記の欠陥は目視、光学的方法またはその他の方法で検査することができる。
【００７５】
本発明の修正方法によれば、将来欠陥が発生する恐れのある箇所を予め修正することができ、歩留まりの向上を図ることができ、また将来欠陥となる恐れのある不良品を排除することができるので、信頼性が向上する。
【００７６】
従来アクティブマトリクス基板の予備配線とソースバスラインとの間のリークは基板に駆動回路を実装するまで確認できなかったが、本発明の検査方法によれば、点灯検査において予備配線に対向電極と同じ信号を与えることにより、予備配線にリークしているソースバスラインが線欠陥として識別できるという効果が得られる。駆動回路を実装する前に本発明の修正方法により欠陥の修正ができ、実装工程における歩留まりの向上を図ることができる。また不良品を後工程で加工する無駄が省けコストダウンと生産性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１にかかるアクティブマトリクス基板の検査方法を適用するアクティブマトリクス基板の全体を示す平面図である。
【図２】図１のアクティブマトリクス基板の一部を示す平面図である。
【図３】実施例１のアクティブマトリクス基板の検査装置を示すブロック図である。
【図４】実施例１のアクティブマトリクス基板の検査方法において使用する信号波形図である。
【図５】実施例１のアクティブマトリクス基板の検査方法において使用する検出信号波形図である。
【図６】（ａ）は実施例１により検出するゲートバスラインとソースバスラインとの間のリークによる線欠陥の場合の欠陥状態を示す模式図、（ｂ）は修正箇所を示す模式図である。
【図７】ゲートバスラインとソースバスラインとの間のリークによる線欠陥を検出する際の電圧を示しており、（ａ）は検査信号Ｂ１による場合のゲートバスラインとソースバスラインとの間のリーク時のゲート信号波形Ｅを示す図、（ｂ）は検査信号Ｂ２による場合のゲートバスラインとソースバスラインとの間のリーク時のゲート信号波形Ｅを示す図、（ｃ）は検査信号Ｂ３による場合のゲートバスラインとソースバスラインとの間のリーク時のゲート信号波形Ｅを示す図である。
【図８】（ａ）は実施例１により検出する予備配線とソースバスラインとの間のリークによる線欠陥の場合の欠陥状態を示す模式図、（ｂ）は修正箇所を示す模式図である。
【図９】予備配線とソースバスラインとの間のリークによる線欠陥を検出する際の電圧を示しており、（ａ）は検査信号Ｂ１による場合の予備配線とソースバスラインとの間のリーク時の予備配線に対向電極用信号Ｃ１を与えた時のソース信号波形Ｆを示す図、（ｂ）は検査信号Ｂ２による場合の予備配線とソースバスラインとの間のリーク時の予備配線に対向電極用信号Ｃ１を与えた時のソース信号波形Ｆを示す図、（ｃ）は検査信号Ｂ３による場合の予備配線とソースバスラインとの間のリーク時の予備配線に対向電極用信号Ｃ１を与えた時のソース信号波形Ｆを示す図である。
【図１０】実施例２にかかるアクティブマトリクス基板の検査方法を適用するアクティブマトリクス基板の全体を示す平面図である。
【図１１】図１０のアクティブマトリクス基板の一部を示す平面図である。
【図１２】実施例２のアクティブマトリクス基板の検査装置を示すブロック図である。
【図１３】実施例２のアクティブマトリクス基板の検査方法において使用する信号波形図である。
【図１４】実施例２のアクティブマトリクス基板の検査方法において使用する検出信号波形図である。
【図１５】（ａ）は実施例２により検出するゲートバスラインとソースバスラインとの間のリークによる線欠陥の場合の欠陥状態を示す模式図、（ｂ）は修正箇所を示す模式図である。
【図１６】ゲートバスラインとソースバスラインとの間のリークによる線欠陥を検出する際の電圧を示しており、（ａ）は検査信号Ｂ１による場合のゲートバスラインとソースバスラインとの間のリーク時のゲート信号波形Ｅを示す図、（ｂ）は検査信号Ｂ２による場合のゲートバスラインとソースバスラインとの間のリーク時のゲート信号波形Ｅを示す図、（ｃ）は検査信号Ｂ３による場合のゲートバスラインとソースバスラインとの間のリーク時のゲート信号波形Ｅを示す図である。
【図１７】（ａ）は実施例２により検出する予備配線とソースバスラインとの間のリークによる線欠陥の場合の欠陥状態を示す模式図、（ｂ）は修正箇所を示す模式図である。
【図１８】予備配線とソースバスラインとの間のリークによる線欠陥を検出する際の電圧を示しており、（ａ）は検査信号Ｂ１による場合の予備配線とソースバスラインとの間のリーク時の予備配線に対向電極用信号Ｃ１を与えた時のソース信号波形Ｆを示す図、（ｂ）は検査信号Ｂ２による場合の予備配線とソースバスラインとの間のリーク時の予備配線に対向電極用信号Ｃ１を与えた時のソース信号波形Ｆを示す図、（ｃ）は検査信号Ｂ３による場合の予備配線とソースバスラインとの間のリーク時の予備配線に対向電極用信号Ｃ１を与えた時のソース信号波形Ｆを示す図である。
【図１９】（ａ）は実施例２により検出する補助容量用共通配線とソースバスラインとの間のリークによる線欠陥の場合の欠陥状態を示す模式図、（ｂ）は修正箇所を示す模式図である。
【図２０】補助容量用共通配線とソースバスラインとの間のリークによる線欠陥を検出する際の電圧を示しており、（ａ）は検査信号Ｂ１による場合の補助容量用共通配線とソースバスラインとの間のリーク時の補助容量用共通配線に対向電極用信号Ｃ１を与えた時のソース信号波形Ｇを示す図、（ｂ）は検査信号Ｂ２による場合の補助容量用共通配線とソースバスラインとの間のリーク時の補助容量用共通配線に対向電極用信号Ｃ１を与えた時のソース信号波形Ｇを示す図、（ｃ）は検査信号Ｂ３による場合の補助容量用共通配線とソースバスラインとの間のリーク時の補助容量用共通配線に対向電極用信号Ｃ１を与えた時のソース信号波形Ｇを示す図である。
【図２１】Ｃｓ−Ｏｎ−Ｇａｔｅ構造のアクティブマトリクス基板に対して行う、従来の検査方法で用いた信号波形図である。
【図２２】Ｃｓ−Ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ構造のアクティブマトリクス基板に対して行う、従来の検査方法で用いた信号波形図である。
【符号の説明】
１ ゲートバスライン
２ ソースバスライン
３ ＴＦＴ
４ 絵素電極
５ 対向電極
６ 絵素容量
７ 補助容量
８ ゲートタブ
９ ソースタブ
１０ 補助容量用共通配線
１１ ゲートタブ
１２ ソースタブ
１３ 予備配線
１４ 基準信号発生回路
１５ 分周回路
１６ Ｂ１信号発生回路
１７ Ｂ２信号発生回路
１８ Ｂ３信号発生回路
１９ 奇数検出信号発生回路
２０ 奇数ゲートライン信号発生回路
２１ 偶数ゲートライン信号発生回路
２２ 偶数検出信号発生回路
２３ 対向電極用信号発生回路
２４ 対向電極用信号発生回路
２５ スイッチ
２６ スイッチ
２７ スイッチ
２８ スイッチ
２９ スイッチ
３０ 検査用端子
３１ 検査用端子
３２ 検査用端子
３３ 検査用端子
３４ 検査用端子
３５ 基準信号発生回路
３６ 分周回路
３７ Ｂ１信号発生回路
３８ Ｂ２信号発生回路
３９ Ｂ３信号発生回路
４０ 検出信号発生回路
４１ ゲートライン信号発生回路
４２ ゲートオフ電圧信号発生回路
４３ 対向電極用信号発生回路
４４ 対向電極用信号発生回路
４５ スイッチ
４６ スイッチ
４７ スイッチ
４８ スイッチ
４９ スイッチ
５０ 検査用端子
５１ 検査用端子
５２ 検査用端子
５３ 検査用端子
５４ 検査用端子
Claims (6)
- 絶縁性基板上に複数の絵素電極と、各絵素電極を駆動するためのスイッチング素子とがマトリクス状に配置され、該スイッチング素子と各々接続し、かつ相互に交差して形成された走査線及び信号線が形成されたアクティブマトリクス基板、又は該アクティブマトリクス基板と該アクティブマトリクス基板に対向配設させる対向電極を有する対向基板との間に液晶層を配置してなるアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出方法において、
上記走査線及び信号線又は対向電極にそれぞれ接続するための接続端子及び駆動信号を印加するための駆動信号印加手段を備える検査装置を使用し、上記アクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルに対して上記検査装置を対向配設するとともに、該接続端子を走査線及び信号線又は対向電極のそれぞれに接続する工程と、
アクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルの走査線と信号線との間に、通常使用される電圧より大きい駆動電圧信号を、ある一定の期間に自動または手動で与え、該走査線と信号線との交差部の絶縁性が劣化している箇所での劣化を進行させてリークさせることで欠陥を検出する工程と
を行うアクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出方法。 - 請求項１の方法に加えて、
上記絵素電極に関連して形成された補助容量が、共通配線に接続されており、
上記検査装置が、該共通配線と接続される接続端子をさらに備え、
該共通配線と上記信号線との間に、上記駆動電圧信号を与えて、該共通配線と信号線との交差部の絶縁性が劣化している箇所での劣化を進行させてリークさせることにより欠陥を検出する工程をさらに含む、アクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出方法。 - 請求項１の方法に加えて、
上記信号線に絶縁され交差して形成された予備配線を備え、
上記検査装置が、該予備配線と接続される接続端子をさらに備え、
該予備配線と上記信号線との間に、上記駆動電圧信号を与え、該予備配線と信号線との交差部の絶縁性が劣化している箇所での劣化を進行させてリークさせることにより欠陥を検出する工程をさらに含む、アクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出方法。 - 絶縁性基板上に複数の絵素電極と、各絵素電極を駆動するためのスイッチング素子とがマトリクス状に配置され、該スイッチング素子と各々接続し、かつ相互に交差して形成された走査線及び信号線が形成されたアクティブマトリクス基板、又は該アクティブマトリクス基板と該アクティブマトリクス基板に対向配設させる対向電極を有する対向基板との間に液晶層を配置してなるアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出装置において、
上記走査線及び信号線又は対向電極にそれぞれ接続するための接続端子と、駆動信号を印加するための駆動信号印加手段とを備え、
上記駆動信号印加手段が、アクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶表示装置の走査線と信号線との間に、該走査線と信号線との交差部の絶縁性が劣化している箇所での劣化を進行させてリークさせるように、通常使用される電圧より大きい駆動電圧信号を、ある一定の期間に自動または手動で与える構成であるアクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出装置。 - 請求項４の構成に加えて、
上記絵素電極に関連して形成された補助容量が、共通配線に接続されており、
該共通配線と接続される接続端子をさらに備え、
上記駆動信号印加手段が、該共通配線と信号線との間に、該共通配線と信号線との交差部の絶縁性が劣化している箇所での劣化を進行させてリークさせるように、上記駆動電圧信号を与える、アクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出装置。 - 請求項４の構成に加えて、
上記信号線に絶縁され交差して形成された予備配線を備え、
該予備配線と接続される接続端子をさらに備え、
上記駆動信号印加手段が、該予備配線と信号線との間に、該予備配線と信号線との交差部の絶縁性が劣化している箇所での劣化を進行させてリークさせるように、上記駆動電圧信号を与える、アクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出装置。
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