JPS63289589A - アクティブマトリクスパネルの検査方法 - Google Patents
アクティブマトリクスパネルの検査方法Info
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- JPS63289589A JPS63289589A JP62125416A JP12541687A JPS63289589A JP S63289589 A JPS63289589 A JP S63289589A JP 62125416 A JP62125416 A JP 62125416A JP 12541687 A JP12541687 A JP 12541687A JP S63289589 A JPS63289589 A JP S63289589A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアクティブマトリクスパネルの検査方法に関す
る。特に冗長性を持たせたアクティブマトリクスパネル
の検査方法に関する。
る。特に冗長性を持たせたアクティブマトリクスパネル
の検査方法に関する。
従来の冗長方式を採用したアクティブマトリクスパネル
の例としては、 「日経エレクトロニクス １９８６
年１２月１５日号、ｎｏ、４１０ｐ、’１９３−２０９
Ｊに示されるようなものがあった。 第２０（ａ）及び
（ｂ）はその回路図の例である。 Ｘ、 、Ｘ、 、Ｘ
、は信号線、Ｙｌ、Ｙ、 、Ｙ、は走査線であり、その
交点にＴＦＴ １、１２．１３及び絵素１７がある。
絵素１７は、絵素電極１４と共通電極１６、及びその間
に封入された液晶１５とから成る。
の例としては、 「日経エレクトロニクス １９８６
年１２月１５日号、ｎｏ、４１０ｐ、’１９３−２０９
Ｊに示されるようなものがあった。 第２０（ａ）及び
（ｂ）はその回路図の例である。 Ｘ、 、Ｘ、 、Ｘ
、は信号線、Ｙｌ、Ｙ、 、Ｙ、は走査線であり、その
交点にＴＦＴ １、１２．１３及び絵素１７がある。
絵素１７は、絵素電極１４と共通電極１６、及びその間
に封入された液晶１５とから成る。
これらのアクティブマトリクスパネルは、１つの絵素に
複数のＴＦＴの備えており、不良ＴＦＴのアドレスを検
出し、レーザトリミングで切断することにより、点欠陥
のない画像を得ることができる。
複数のＴＦＴの備えており、不良ＴＦＴのアドレスを検
出し、レーザトリミングで切断することにより、点欠陥
のない画像を得ることができる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、前述の従来技術では以下に述べるような問題点
がある。第２図（ａ）の例では、下側のＴＦＴ １２が
不良になると本来の絵素の左上の信号を与えることにな
り、キャラクタなどのデータ表示には使えない。第２図
（ｂ）の例では、個々のＴＦＴを検査するためには直接
絵素電極１４にプロービングする必要があり、検査工程
に非常に長い時間を要する。
がある。第２図（ａ）の例では、下側のＴＦＴ １２が
不良になると本来の絵素の左上の信号を与えることにな
り、キャラクタなどのデータ表示には使えない。第２図
（ｂ）の例では、個々のＴＦＴを検査するためには直接
絵素電極１４にプロービングする必要があり、検査工程
に非常に長い時間を要する。
本発明はこのような問題点を解決するものであり、その
目的とするところは、キャラクタなどのデータ表示が可
能な冗長性を持ったアクティブマトリクスパネルの検査
方法において、絵素電極に直接プロービングすることな
く足時間で正確に不良部分のアドレスを検出できるよう
にするところにある。
目的とするところは、キャラクタなどのデータ表示が可
能な冗長性を持ったアクティブマトリクスパネルの検査
方法において、絵素電極に直接プロービングすることな
く足時間で正確に不良部分のアドレスを検出できるよう
にするところにある。
本発明のアクティブマトリクスパネルの検査方法は、
同一絵素１！極に信号を送る２本を１組とし、画像を表
示する場合には前記１組の信号線には同一の信号を与え
、検査をする場合には独立した信号を与えて電気的ある
いは光学的に不良部分を検とすることを特徴とする。
同一絵素１！極に信号を送る２本を１組とし、画像を表
示する場合には前記１組の信号線には同一の信号を与え
、検査をする場合には独立した信号を与えて電気的ある
いは光学的に不良部分を検とすることを特徴とする。
本発明の上記の方法によれば、 絵素電極にプロービン
グすることな（不良部分のアドレスを一意的に求めるこ
とができる。したがって早くて正確な検査が可能となる
。
グすることな（不良部分のアドレスを一意的に求めるこ
とができる。したがって早くて正確な検査が可能となる
。
〔実施例１〕
一般にアクティブマトリクスパネルの不良モードは、大
別すると断線と短絡に分けることができる。前者につい
ては、ＴＦＴの断線があっても冗長性を備えたアクティ
ブマトリクスパネルでは同一絵素に接続された他のＴＦ
Ｔが正常であれば何ら問題を生じない。また、配線の断
線についても両端から信号を与えることによって救うこ
とができる。一方、後者については不良部分を検出して
切断しなければならない。具体的には次のような項目に
分けることができる。
別すると断線と短絡に分けることができる。前者につい
ては、ＴＦＴの断線があっても冗長性を備えたアクティ
ブマトリクスパネルでは同一絵素に接続された他のＴＦ
Ｔが正常であれば何ら問題を生じない。また、配線の断
線についても両端から信号を与えることによって救うこ
とができる。一方、後者については不良部分を検出して
切断しなければならない。具体的には次のような項目に
分けることができる。
■走査線と信号線のクロスポイント部の短絡。
■ＴＦＴのゲート′Ｆ！１極しソース電極間、またはゲ
ート電極とドレイン電極間の短絡。
ート電極とドレイン電極間の短絡。
■ＴＦＴのソース・ドレイン間の短絡。
■絵素電極と走査線間の短絡。
■絵素電極と信号線間の短絡。
このうち■、■、■は水平方向の短絡で、 パターン不
良やゴミ等によるものである。これらの不良はプロセス
技術の確立によりある程度減らすことができる。これに
対して■、■は垂直方向の短絡で、絶縁膜中のピンホー
ルや静電破壊によるものである。これらの不良は、アク
ティブマトリクスパネルの構造を変えない限り減少させ
るのは難しい。そこで本実施例では、おもにこれらの不
良の検出方法について述べる。
良やゴミ等によるものである。これらの不良はプロセス
技術の確立によりある程度減らすことができる。これに
対して■、■は垂直方向の短絡で、絶縁膜中のピンホー
ルや静電破壊によるものである。これらの不良は、アク
ティブマトリクスパネルの構造を変えない限り減少させ
るのは難しい。そこで本実施例では、おもにこれらの不
良の検出方法について述べる。
第１図（ａ）及び（ｂ）は、本発明のアクティブマトリ
クスパネルの検査方法のｔｉｌの実施例を説明するため
の図である。アクティブマトリクスパネル１０は、信号
線Ｘ１、Ｘｌ、Ｘ３、Ｘ４、走査＄ａＹ、 、Ｙ、 、
Ｙ、、及びそれらの交点に配置されたＴＦＴＩ、２と絵
素７とから成る。絵素７は、絵素電極４と共通電極６、
及びその間に封入された液晶５とから成る。この構成の
アクティブマトリクスパネルは１つの絵素に２つのＴＦ
Ｔを備えているため、一方のＴＦＴが不良になっても他
のＴＦＴが正常であれば不良ＴＦＴを切断して救済する
ことができる。しかも、信号線に冗長性があり、通常は
Ｘ、とＸ、 、Ｘ、とＸ４の様に隣接する２本の信号線
に同じ信号を与えるため、不良ＴＦＴを切断しても正規
の信号を絵素に与えることができる。
クスパネルの検査方法のｔｉｌの実施例を説明するため
の図である。アクティブマトリクスパネル１０は、信号
線Ｘ１、Ｘｌ、Ｘ３、Ｘ４、走査＄ａＹ、 、Ｙ、 、
Ｙ、、及びそれらの交点に配置されたＴＦＴＩ、２と絵
素７とから成る。絵素７は、絵素電極４と共通電極６、
及びその間に封入された液晶５とから成る。この構成の
アクティブマトリクスパネルは１つの絵素に２つのＴＦ
Ｔを備えているため、一方のＴＦＴが不良になっても他
のＴＦＴが正常であれば不良ＴＦＴを切断して救済する
ことができる。しかも、信号線に冗長性があり、通常は
Ｘ、とＸ、 、Ｘ、とＸ４の様に隣接する２本の信号線
に同じ信号を与えるため、不良ＴＦＴを切断しても正規
の信号を絵素に与えることができる。
本実施例では、このアクティブマトリクスパネルの信号
線及び走査線にスイッチ８．９を介して信号発生器と検
出器を接続し、３良部分のアドレスを検とする。まず、
ｔＪ１図（ａ）において、スイッチ８と９を全て閉じ、
走査ＭＹ、 １Ｙ、 、Ｙ、・・・に第３図に示すよう
なパルス波形を送る。この時信号線の全出力父に第３図
に示すような波形が検出されれば、走査！！ｉｉＹ、及
びＹｎ上に短絡部があることがわかる。次に、第１図（
ｂ）において、スイッチ８をすべて奇数番目の信号線に
接続し、第４図（ａ） に示すようなパルス波形を送
る。この時スイッチ９については１回目はＹ、のみを閉
じ、２回目はＹｎのみを閉じる。このときの波形が同図
（ａ）のようであったとする。同様に、第１図（ｂ）に
おいて、スイッチ８をすべて偶数番目の信号線に接続し
、第４図（ｂ）に示すようなパルス波形を送り、Ｙ／
、Ｙｎの波形を得たとする。これらの結果から、短絡部
分はρ段目の走査線Ｙ、とに列目の右側の信号ｔａ Ｘ
−＊のクロスポイントと、ｎ段目の走査ｔｉｌ Ｙ
ｎとｍ列目の左側の信号線Ｘ−ｍ−１のクロスポイント
であることがわかる。ただし、この短絡が、■走査線と
信号線のクロスポイント部で直接生じたものか、■同じ
アドレスに配置されたＴＦＴのゲート電極とソース電極
間またはゲート電極とドレイン電極間で生じたものかを
電気的に識別するのは困難である。実際には■のＴＦＴ
部における短絡の方が多いため、まずＴＦＴを切断し、
それでもまだ短絡している場合には、ドライバーと反対
側の端子部で、 同じ信号を与える信号線と短絡させて
おく。
線及び走査線にスイッチ８．９を介して信号発生器と検
出器を接続し、３良部分のアドレスを検とする。まず、
ｔＪ１図（ａ）において、スイッチ８と９を全て閉じ、
走査ＭＹ、 １Ｙ、 、Ｙ、・・・に第３図に示すよう
なパルス波形を送る。この時信号線の全出力父に第３図
に示すような波形が検出されれば、走査！！ｉｉＹ、及
びＹｎ上に短絡部があることがわかる。次に、第１図（
ｂ）において、スイッチ８をすべて奇数番目の信号線に
接続し、第４図（ａ） に示すようなパルス波形を送
る。この時スイッチ９については１回目はＹ、のみを閉
じ、２回目はＹｎのみを閉じる。このときの波形が同図
（ａ）のようであったとする。同様に、第１図（ｂ）に
おいて、スイッチ８をすべて偶数番目の信号線に接続し
、第４図（ｂ）に示すようなパルス波形を送り、Ｙ／
、Ｙｎの波形を得たとする。これらの結果から、短絡部
分はρ段目の走査線Ｙ、とに列目の右側の信号ｔａ Ｘ
−＊のクロスポイントと、ｎ段目の走査ｔｉｌ Ｙ
ｎとｍ列目の左側の信号線Ｘ−ｍ−１のクロスポイント
であることがわかる。ただし、この短絡が、■走査線と
信号線のクロスポイント部で直接生じたものか、■同じ
アドレスに配置されたＴＦＴのゲート電極とソース電極
間またはゲート電極とドレイン電極間で生じたものかを
電気的に識別するのは困難である。実際には■のＴＦＴ
部における短絡の方が多いため、まずＴＦＴを切断し、
それでもまだ短絡している場合には、ドライバーと反対
側の端子部で、 同じ信号を与える信号線と短絡させて
おく。
本実施例の検査は、アクティブマトリクス基板伏態でも
行うことができ、修正後にパネル組み立てができるため
、修正部分の液晶の配向が乱される心配もない。
行うことができ、修正後にパネル組み立てができるため
、修正部分の液晶の配向が乱される心配もない。
第５図は、アクティブマトリクスパネルの平面図の例で
ある。４０は透明導電膜から成る絵素電極。４、５）は
ゲート電極で走査１ｉ１ Ｙ ｎに接続されている。ソ
ース電極４２．５２はフンタクトホール４４、Ｓ４を介
して信号線Ｘ−ｍ−，、Ｘ２ｍに接続され、ドレイ／電
極４３．５３はコンタクトホール４４．５４を介して共
通の絵素電極４０に接続されている。４５〜４８及び５
５〜５８に示す部分はレーザトリミングによる切断部で
ある。たとえばＴＦＴＩを分離する場合には４５及び４
６に示す部分を切断し、信号１１Ｘ−ｒｎ−。
ある。４０は透明導電膜から成る絵素電極。４、５）は
ゲート電極で走査１ｉ１ Ｙ ｎに接続されている。ソ
ース電極４２．５２はフンタクトホール４４、Ｓ４を介
して信号線Ｘ−ｍ−，、Ｘ２ｍに接続され、ドレイ／電
極４３．５３はコンタクトホール４４．５４を介して共
通の絵素電極４０に接続されている。４５〜４８及び５
５〜５８に示す部分はレーザトリミングによる切断部で
ある。たとえばＴＦＴＩを分離する場合には４５及び４
６に示す部分を切断し、信号１１Ｘ−ｒｎ−。
と走査線Ｙｎとのクロスポイント部分を分離する場合に
は４７及び４８に示す部分を切断する。同様に、ＴＦＴ
２を分離する場合には５５及び５６に示す部分を、信号
Ｘ！Ｘ Ｘ −ｍと走査線Ｙｎとのクロスポイント部分
を分離する場合には５７及び５８に示す部分をそれぞれ
切断する。
は４７及び４８に示す部分を切断する。同様に、ＴＦＴ
２を分離する場合には５５及び５６に示す部分を、信号
Ｘ！Ｘ Ｘ −ｍと走査線Ｙｎとのクロスポイント部分
を分離する場合には５７及び５８に示す部分をそれぞれ
切断する。
第６図は、アクティブマトリクスパネルの断面図の例で
ある。６０は絶縁基板、６１はゲート電極、６２はゲー
ト絶縁膜である。 チャネル部６３、ソース部６４、ド
レイン部６５は、ゲート電極６１をマスクにして半導体
薄膜中にイオン注入を行ない形成する場合と、チャネル
部だけ別の膜で形成する場合がある。６６は居間絶Ｒ膜
、６７は信号線、６８は絵素電極、６９は液晶、７０は
共通電極である。
ある。６０は絶縁基板、６１はゲート電極、６２はゲー
ト絶縁膜である。 チャネル部６３、ソース部６４、ド
レイン部６５は、ゲート電極６１をマスクにして半導体
薄膜中にイオン注入を行ない形成する場合と、チャネル
部だけ別の膜で形成する場合がある。６６は居間絶Ｒ膜
、６７は信号線、６８は絵素電極、６９は液晶、７０は
共通電極である。
〔実施例２〕
第７図は、本発明のアクティブマトリクスパネルの検査
方法の？ｉ２の実施例を説明するための図である。本実
施例においでは、ドライバーを実装した後、必要に応じ
て検査できるため、検査をするためのｖ４ｍは必要ない
、以下その方法を説明する。
方法の？ｉ２の実施例を説明するための図である。本実
施例においでは、ドライバーを実装した後、必要に応じ
て検査できるため、検査をするためのｖ４ｍは必要ない
、以下その方法を説明する。
アクティブマトリクスパネル１０の構成は第１の実施例
と同じである。Ｙドライバー ２５は走査線駆動用ドラ
イバーで、走査１ａＹ１、Ｙ、 、Ｙ。
と同じである。Ｙドライバー ２５は走査線駆動用ドラ
イバーで、走査１ａＹ１、Ｙ、 、Ｙ。
を順次選択する。 Ｘドライバー２０は、信号線ｘ、
、ｘ、 、ｘ、 、ｘ、にデータを送る信号線駆動用ド
ライバーとスイッチ２１及び２２とから成る。通常はこ
れらのスイッチを全て閉じ、ＸＩとＸ、 、Ｘ、とＸ４
の様に隣接する信号線には同じ信号を与えて駆動する。
、ｘ、 、ｘ、 、ｘ、にデータを送る信号線駆動用ド
ライバーとスイッチ２１及び２２とから成る。通常はこ
れらのスイッチを全て閉じ、ＸＩとＸ、 、Ｘ、とＸ４
の様に隣接する信号線には同じ信号を与えて駆動する。
不良部分を検とする場合には、まずスイッチ２１を閉じ
２２は開いて奇数番目の信号線のみを使って表示させ、
次にスイッチ２１を開き２２を閉じて偶数番目の走査線
のみを使って表示させ、不良部分のアドレスを検とする
。以下、この方法で表示させた場合の具体的な不良の例
と、それに対応する表示例を説明する。
２２は開いて奇数番目の信号線のみを使って表示させ、
次にスイッチ２１を開き２２を閉じて偶数番目の走査線
のみを使って表示させ、不良部分のアドレスを検とする
。以下、この方法で表示させた場合の具体的な不良の例
と、それに対応する表示例を説明する。
まず、■走査線と信号線のクロスポイント部の短絡及び
■ＴＦＴのゲート電極とソース電極の短絡がある場合に
は縦ライン欠陥を生じる。走査線も信号線の電位に引っ
ばられるため、横ライン欠陥も薄く確認でき、アドレス
が求まる。■ＴＦＴのソース・ドレイン間の短絡や■絵
素電極と走査線間の短絡がある場合には、 絵素には短
絡した信号線のデータを積分したデータが与えられるた
め、上下にコントラストの異なるパターンを表示させれ
ばわかる。■ａ素電極と信号線間の短絡やＴＦＴのゲー
ト電極とドレイン電極の短絡がある場合には点欠陥とな
る。
■ＴＦＴのゲート電極とソース電極の短絡がある場合に
は縦ライン欠陥を生じる。走査線も信号線の電位に引っ
ばられるため、横ライン欠陥も薄く確認でき、アドレス
が求まる。■ＴＦＴのソース・ドレイン間の短絡や■絵
素電極と走査線間の短絡がある場合には、 絵素には短
絡した信号線のデータを積分したデータが与えられるた
め、上下にコントラストの異なるパターンを表示させれ
ばわかる。■ａ素電極と信号線間の短絡やＴＦＴのゲー
ト電極とドレイン電極の短絡がある場合には点欠陥とな
る。
〔実施例３〕
第８図は、本発明のアクティブマトリクスパネルの検査
方法の第８の実施例を説明するための図である。本実施
例は、第１とｍ２の実施例の検査機能を共に備えている
。
方法の第８の実施例を説明するための図である。本実施
例は、第１とｍ２の実施例の検査機能を共に備えている
。
アクティブマトリクスパネル１ｏの構成は第１の実施例
と同じである。Ｙドライバー３５には走査線駆動用ドラ
イバーと、 スイッチ３３とがあり、スイッチ３３を切
り換えると走査線を不良アドレス検出器に接続すること
ができる。Ｘドライバー３０には信号線駆動用ドライバ
ーと、スイッチ３１及び３２とがあり、信号線を不良ア
ドレス検出器に接続することができる。 検出器はＸド
ライバー又はＹドライバーに内蔵することもできる。
と同じである。Ｙドライバー３５には走査線駆動用ドラ
イバーと、 スイッチ３３とがあり、スイッチ３３を切
り換えると走査線を不良アドレス検出器に接続すること
ができる。Ｘドライバー３０には信号線駆動用ドライバ
ーと、スイッチ３１及び３２とがあり、信号線を不良ア
ドレス検出器に接続することができる。 検出器はＸド
ライバー又はＹドライバーに内蔵することもできる。
以上述べたように本発明のアクティブマトリクスパネル
の検査方法は、絵素電極に直接プロービングせずに不良
部分のアドレスを正確に求めることができるため、短い
時間で正確に検査及び修正をすることができる。 した
がって、無欠陥のアクティブマトリクスパネルを低コス
トで作製できる。
の検査方法は、絵素電極に直接プロービングせずに不良
部分のアドレスを正確に求めることができるため、短い
時間で正確に検査及び修正をすることができる。 した
がって、無欠陥のアクティブマトリクスパネルを低コス
トで作製できる。
また、第１の実施例に示す検査はアクティブマトリクス
パネル基板上で行なえるため、不良部分を切断後にパネ
ルを組み立てることになり、修正部分の液晶の配向が乱
されることもない。つまり修正によって画質は劣化せず
、修正部分の信頼性も高い。しかも、検査方法は全て電
気的に行うため、自動化が簡単で量産に適している。
パネル基板上で行なえるため、不良部分を切断後にパネ
ルを組み立てることになり、修正部分の液晶の配向が乱
されることもない。つまり修正によって画質は劣化せず
、修正部分の信頼性も高い。しかも、検査方法は全て電
気的に行うため、自動化が簡単で量産に適している。
一方、第２、第３の実施例の様に検査機能を備えたドラ
イバーを実装すれば、検査のためのＭＷが不要となり、
さらにコストを削減できる。
イバーを実装すれば、検査のためのＭＷが不要となり、
さらにコストを削減できる。
本発明のアクティブマトリクスパネルの検査方法は、絵
素欠陥だけでなく絵素ムラ、すなわち動作は正常だが素
子のバラツキにより透過率が周囲の絵素と多少異なるも
のに対しても応用できる。
素欠陥だけでなく絵素ムラ、すなわち動作は正常だが素
子のバラツキにより透過率が周囲の絵素と多少異なるも
のに対しても応用できる。
したがって階調表示を含むデータ表示などの高品質の画
像を再現性よく提供できるアクティブマトリクスを低コ
ストで作製できる。
像を再現性よく提供できるアクティブマトリクスを低コ
ストで作製できる。
第１図（ａ）及び（ｂ）はアクティブマトリクスパネル
の検査方法を説明するための回路図。 第２図（ａ）及び（ｂ）は従来のアクティブマトリクス
パネルの回路図。 第３図、第４図（ａ）及び（ｂ）は、アクティブマトリ
クスパネルの検査方法を示すタイミング図。 第５図は、アクティブマトリクスパネルの平面図。 第６図は、アクティブマトリクスパネルの断面図。 第７図及び第８図はアクティブマトリクスパネルの検査
方法を説明するための回路図。 １，２，１１，１２．１３・・・・・・ＴＦＴｘ、、ｘ
、 、ｘ、 、ｘ、・・・・・・信号線Ｙ、、Ｙ、 、
Ｙ、・・・・・・走査線以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名第１ 面 （す ／、２ ７ＦＴ ？、タ ヌイツナ ／Ｄ アクナイフ゛Ｚ卜り７ズ２やタリレ
×Ｉ、Ｘ）、Ｘ３．Ｘ＋ オニ号ルＹ＋ ｒ Ｙｘ
＋イ、 まン【、煉メＩ 図 （り 笛２圓（ａ） 、ｖ；ｒ ２ 順ト２ 葛３）図 名＋徊（α） 笛４−爵ｅ） ×２Ｐ−＋
）／ＣＭ ＸｘＯｎｔ＋）−１４０−・琺手電腸 ４／丈！−一一一むト ４ｚ／７・・−・ ソース φ３．ｆ３−・−ドレイン イＦ；１ メρ−−−−ル４黍床 ／、３ −−−− ヂ１セン、りｒルｔｆ −−
−−ソース 絹Ｚ１１ Ｌ−、−−−Ｊ 片７１ｆｌ
の検査方法を説明するための回路図。 第２図（ａ）及び（ｂ）は従来のアクティブマトリクス
パネルの回路図。 第３図、第４図（ａ）及び（ｂ）は、アクティブマトリ
クスパネルの検査方法を示すタイミング図。 第５図は、アクティブマトリクスパネルの平面図。 第６図は、アクティブマトリクスパネルの断面図。 第７図及び第８図はアクティブマトリクスパネルの検査
方法を説明するための回路図。 １，２，１１，１２．１３・・・・・・ＴＦＴｘ、、ｘ
、 、ｘ、 、ｘ、・・・・・・信号線Ｙ、、Ｙ、 、
Ｙ、・・・・・・走査線以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名第１ 面 （す ／、２ ７ＦＴ ？、タ ヌイツナ ／Ｄ アクナイフ゛Ｚ卜り７ズ２やタリレ
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−−ソース 絹Ｚ１１ Ｌ−、−−−Ｊ 片７１ｆｌ
Claims (5)
- （１）絶縁基板上に、Ｎ本の走査線、２Ｍ本の信号線、
及びそれらの交点に配置された２Ｍ×Ｎ個の薄膜トラン
ジスタ（以下ＴＦＴと略記）と、隣接する２つのＴＦＴ
のドレイン電極に接続されたＭ×Ｎ個の絵素電極を有し
、前記２Ｍ本の信号線は、同一絵素電極に信号を送る２
本を１組とし、画像を表示する場合には前記１組の信号
線には同一の信号を与え、検査をする場合には独立した
信号を与えて電気的あるいは光学的に不良部分を検出す
ることを特徴とするアクティブマトリクスパネルの検査
方法。 - （２）前記走査線に順次信号を送り、前記信号線の少な
くとも１本に検出器を接続して短絡部の行アドレスを求
め、前記信号線に順次信号を送り、前記走査線の少なく
とも１本に検出器を接続して短絡部の列アドレスを求め
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアクテ
ィブマトリクスパネルの検査方法。 - （３）前記走査線と前記信号線間の抵抗を測定し、短絡
部のアドレスを求めることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のアクティブマトリクスパネルの検査方法。 - （４）前記信号線に、奇数番目の信号線と偶数番目の信
号線とを独立に駆動できるドライバーを実装し、奇数番
目の信号線のみを駆動して表示させた場合と、偶数番目
の信号線のみを駆動して表示させた場合とを比較し、不
良部を検出することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のアクティブマトリクスパネルの検査方法。 - （５）前記走査線及び信号線に不良部アドレス検知回路
付きドライバーを実装し、前記ドライバーを用いて不良
部を検出することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のアクティブマトリクスパネルの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62125416A JPS63289589A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | アクティブマトリクスパネルの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62125416A JPS63289589A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | アクティブマトリクスパネルの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63289589A true JPS63289589A (ja) | 1988-11-28 |
Family
ID=14909562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62125416A Pending JPS63289589A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | アクティブマトリクスパネルの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63289589A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06230418A (ja) * | 1992-12-17 | 1994-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マトリクス表示装置の製造方法 |
| JP2004191603A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置およびその検査方法 |
-
1987
- 1987-05-22 JP JP62125416A patent/JPS63289589A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06230418A (ja) * | 1992-12-17 | 1994-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マトリクス表示装置の製造方法 |
| JP2004191603A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置およびその検査方法 |
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