JP2001305500A - 液晶パネルのリペア方法 - Google Patents

液晶パネルのリペア方法

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JP2001305500A
JP2001305500A JP2000117812A JP2000117812A JP2001305500A JP 2001305500 A JP2001305500 A JP 2001305500A JP 2000117812 A JP2000117812 A JP 2000117812A JP 2000117812 A JP2000117812 A JP 2000117812A JP 2001305500 A JP2001305500 A JP 2001305500A
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pixel electrode
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Minoru Ito
稔 伊藤
Sukenori Harada
祐典 原田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ノーマリーホワイト表示の液晶パネルにおい
て、輝点画素へのレーザ光によるリペア不良を軽減し
て、歩留まりを向上させる。 【解決手段】 リペアする輝点画素のTFT13と、こ
のTFT13に接続する画素電極14及び補助容量17
との間を接続する配線21を切断部Aにおいてレーザ光
により切断し、補助容量線18、容量Cs、容量Clc
及び対向電極15間に発生する電位差により、液晶16
には常に直流電圧が掛かるようにして、リペアした輝点
画素を黒色化する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶パネルのリ
ペア方法に関し、詳しくはノーマリーホワイト表示の液
晶パネルに発生した輝点不良のリペア方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶パネルに代表される平面型の
表示パネルは、軽量、薄型、低消費電力などの特性を活
かして各種分野で使用されており、とくに家電製品や情
報端末機器などのディスプレイとして幅広く使用されて
いる。
【0003】図7は、従来の一般的な液晶パネルの構造
を示す概略断面図である。液晶パネル1の構造を簡単に
説明すると、主面上に図示しない電極パターンやPI配
向膜8などを形成したアレイ基板2と対向基板3とを対
向配置して、両基板の周辺部にシール剤4を塗布して貼
り合わせ、その内部に液晶5を封入し、さらに両基板の
外側に偏光板6を接着層7を介して貼り合わせた構造と
なっている。また図示していないが、アレイ基板1の背
面には光源となるバックライトが配置されており、ここ
から照射される光を透過又は遮光することにより表示が
行われる。
【0004】このような液晶パネルについては、完成後
に各種の検査が実施される。例えば、パネルを点灯させ
て行う目視検査では、点欠陥、線欠陥、ムラ不良などの
有無が検査される。ここで発見される欠陥の中に輝点不
良と呼ばれるものがある。これは、ノーマリーホワイト
表示の液晶パネル(電源オフで光透過)において、常時
白表示になる画素をいう。このような輝点不良の画素
(以下、輝点画素)は、とくに黒表示をした場合に白い
点として認識されるため、数によっては不良品となるこ
とがある。通常は、このような輝点不良の画素をリペア
して黒色化することで表示に無関係な画素となるように
している。
【0005】従来、輝点画素を黒色化するリペア方法と
しては、ノーマリーホワイト表示の液晶パネルの場合、
液晶パネルの外側からパネル内部のPI配向膜にレーザ
光を照射してこれを破壊することにより、パネル内部の
液晶分子の配向を乱し、液晶を挟持した電極間に電圧が
掛かっても掛からなくても光を遮光するようにする配向
乱し法がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな輝点画素へのレーザ光によるリペアは、顕微鏡視野
による微細加工となるため、その照射位置がずれると光
漏れを起こし、リペア効果がなくなることもある。また
アレイ基板上にはレーザ光を照射すると回路特性が変化
してしまう部分があるため、レーザ光の照射範囲が制限
されることもある。さらに、レーザパワーの出力変動に
より、ある特定の形成膜(例えばPI配向膜など)の膜
下まで破壊してしまい、その液晶パネルが不良品となっ
てしまうこともあった。このように、従来の配向乱し法
によるリペアでは、こうしたリペア不良が歩留まり低下
を招いていた。
【0007】この発明は、輝点画素へのレーザ光による
リペア不良を軽減して、歩留まりを向上させることがで
きる表示パネルのリペア方法を提供することを目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の発明は、互いに交差する複数の走査線及
び複数の信号線、これら走査線及び信号線の各交差部に
配置されたスイッチ素子、前記スイッチ素子を介して前
記信号線に接続された画素電極、前記画素電極と電気的
に並列に接続された補助容量、前記補助容量に所定の電
位を供給する補助容量線を含む第1の電極基板と、前記
画素電極と相対する対向電極を含む第2の電極基板と、
これら基板間に介在された液晶層とを備え、前記スイッ
チ素子、画素電極、対向電極及び液晶層で構成される画
素が規則的に複数配置された液晶パネルにおいて、特定
画素のスイッチ素子と、このスイッチ素子に接続する画
素電極及び補助容量との間を電気的に遮断することを特
徴とする。
【0009】上記リペア方法によれば、補助容量線、補
助容量、液晶及び対向電極間に電位差(電界)が発生す
ることになるため、この電位差により、液晶には常に直
流電圧が掛かることになり、ノーマリーホワイト表示の
液晶パネルでは、リペアした輝点画素を黒色化させるこ
とができる。
【0010】また、請求項2の発明は、互いに交差する
複数の走査線及び複数の信号線、これら走査線及び信号
線の各交差部に配置されたスイッチ素子、前記スイッチ
素子を介して前記信号線に接続された画素電極、前記画
素電極と電気的に並列に接続された補助容量、前記補助
容量に所定の電位を供給する補助容量線を含む第1の電
極基板と、前記画素電極と相対する対向電極を含む第2
の電極基板と、これら基板間に介在された液晶層とを備
え、前記スイッチ素子、画素電極、対向電極及び液晶層
で構成される画素が規則的に複数配置された液晶パネル
において、特定画素の少なくともスイッチ素子の一部分
の結晶構造を非晶質化させることを特徴とする。
【0011】上記リペア方法によれば、スイッチ素子の
一部であるp−Si配線部にレーザ光を照射すると、そ
の結晶構造がa−Si(非晶質シリコン)へ再結晶化さ
れ、スイッチ素子の信号書き込み特性が改善される。レ
ーザ光の照射により信号書き込み特性の改善されたスイ
ッチ素子では、印加された走査信号の電位に比例した電
位が液晶へ掛かるようになり、このためリペアされた画
素の液晶では、走査線から走査信号が印加される毎に、
常に直流電圧が掛かることになる。この直流電圧は、少
なくとも1フレーム走査期間保持されるため、ノーマリ
ーホワイト表示の液晶パネルでは、リペアした輝点画素
を黒色化させることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係わる液晶パネ
ルのリペア方法の一実施形態を図面を参照しながら説明
する。
【0013】まず、この実施形態でリペア対象とする液
晶パネルの概略構成について簡単に説明する。
【0014】図2は、この実施形態に係わる液晶パネル
の回路構成図である。この液晶パネル100は、複数の
表示画素10が形成された表示画素部110と、走査線
駆動回路120及び信号線駆動回路130とから構成さ
れている。
【0015】この実施形態では、表示画素部110、走
査線駆動回路120及び信号線駆動回路130がアレイ
基板101上に一体に形成された駆動回路一体型の液晶
パネル100を例に挙げて説明するが、走査線駆動回路
120及び信号線駆動回路130は外付け方式であって
もよい。
【0016】表示画素部110には、複数本の信号線1
1及びこれと交差する複数本の走査線12がマトリクス
状に配置されており、両線の交点近傍にはスイッチ素子
としてのTFT13が配設されている。信号線11と走
査線12とは、図示しない絶縁膜により電気的に絶縁さ
れている。
【0017】TFT13のソース電極は信号線11に接
続され、ドレイン電極は画素電極14に接続されてい
る。この画素電極14と平行に配置された対向電極15
は、図示しない対向基板上に形成されている。画素電極
14と対向電極15の間には液晶16が狭持され、容量
Clcを形成している。また、画素電極14には対向電
極15との電位関係を保持するために、並列に補助容量
17が接続されている。この補助容量17は画素電極1
4と補助容量線18との間に容量Csを形成している。
補助容量線18は、すべての表示画素10の補助容量1
7と電気的に接続されており、駆動回路基板140から
一定の電位が与えられている。
【0018】また、対向電極15には、駆動回路基板1
40から一定のコモン電圧(Vcom)が図示しないコ
モン配線を通じて与えられている。信号線11を通じて
書き込まれた映像信号は、容量Clcと容量Csにより
1フレーム走査期間保持される。
【0019】走査線駆動回路120は、図示しないシフ
トレジスタ及びバッファ回路により構成され、駆動回路
基板140から供給される垂直同期信号、垂直クロック
信号に基づいて、各走査線12に順次走査信号を出力す
る。
【0020】信号線駆動回路130は、図示しないシフ
トレジスタ、ビデオバス及びサンプリングスイッチなど
により構成されている。各サンプリングスイッチはそれ
ぞれ信号線11に接続されており、シフトレジスタは、
駆動回路基板140から供給される水平同期信号及び水
平クロック信号に基づいて前記サンプリングスイッチを
制御し、駆動回路基板140から供給される映像信号を
所定のタイミングで信号線11にサンプリングする。
【0021】駆動回路基板140は、図示しないコント
ロールICやD/Aコンバータなどで構成され、外部機
器から供給される基準クロック信号やデジタルの映像信
号などを適宜に変換及び加工して、各駆動回路にアナロ
グの映像信号や水平/垂直のクロック信号、スタート信
号、コモン電圧などを出力する。この駆動回路基板14
0とアレイ基板100との間は、図示しないFPC(フ
レキシブル配線基板)により電気的に接続されている。
【0022】図2において、信号線駆動回路130から
信号線11に順に映像信号が出力され、これと同期して
走査線駆動回路120から走査線12に走査信号が出力
されると、その一水平ライン上に存在するすべてのTF
T13がオンして、前記信号線11に出力された映像信
号は、TFT13を介して所定の表示画素10に書き込
まれる。書き込まれた映像信号は、画素電極14と対向
電極15との間に信号電圧として充電され、これに液晶
16が応答することで、前記信号電圧に応じた階調表示
がなされることになる。なお、この実施形態の液晶パネ
ル100は、ノーマリーホワイト表示の液晶パネルとす
る。
【0023】[実施形態1]図1は、図2に示す液晶パ
ネル100の部分拡大図であり、実施形態1においてリ
ペア対象となる輝点画素の等価回路図である。
【0024】この実施形態1のリペア方法では、リペア
すべき輝点画素に対し、スイッチ素子であるTFT13
と、このTFT13に接続する画素電極14及び補助容
量17との間を接続する配線21を、切断部Aにおいて
レーザ光(例えば、YAG−LASER等)により切断
する。すると、画素電極14及び補助容量17はTFT
13と電気的な接続がなくなり、補助容量線18(通常
は15V)、容量Cs、容量Clc及び対向電極15
(通常は5V)間には電位差(電界)が発生することに
なる。そして、この電位差により、液晶16には常に直
流電圧が掛かることになるため、ノーマリーホワイト表
示の液晶パネル100では、リペアした輝点画素を黒色
化させることができる。
【0025】図3は、実施形態1における液晶パネル1
00のパネル構造を示す概略断面図である。レーザ光の
照射方向から順に、偏光板21、アレイ基板22、アン
ダーコート層23、TFT回路配線部24、絶縁膜25
a、同25b、カラーフィルタ26、ITO膜27、P
I配向膜28、液晶29の順に形成されている。
【0026】このように、液晶29とTFT回路配線部
24との間には絶縁膜を含め多層の保護膜が介在するた
め、TFT回路配線部24をレーザ光の照射により切断
しても、PI配向膜28や液晶29などに悪影響を及ぼ
すことがない。したがって、レーザ光の照射位置がずれ
たり、またレーザパワーの出力変動が生じても、従来の
配向乱し法のようにPI配向膜28やその膜下まで破壊
してしまうおそれがないため、光漏れの発生やリペアに
より液晶パネル100を不良品としてしまう可能は極め
て低くなる。また、リペア対象となるTFT回路配線部
24の近傍にはレーザ光の照射により回路特性が変化す
る部分がないため、レーザ光の照射範囲に制限を受ける
ことはない。
【0027】[実施形態2]図4は、図2に示す液晶パ
ネル100の部分拡大図であり、実施形態2においてリ
ペア対象となる輝点画素の等価回路図である。
【0028】この実施形態2のリペア方法では、リペア
すべき輝点画素のスイッチ素子であるTFT13のレー
ザ照射位置Bにレーザ光(例えば、YAG−LASER
等)を照射する。すると、p−Siを主材料として形成
された結晶構造はa−Siに変化し、TFT13の信号
書き込み特性が改善される。
【0029】図5は、TFT13のリペア部分(レーザ
照射位置Bに相当する部分)を実際の画素レイアウト上
で示した場合の概略平面図である。リペア対象であり、
TFT構造の一部となるp−Si配線部31は、信号線
11と信号線コンタクト部32にて接続されている。走
査線12とp−Si配線部31とが交差する部分(TF
T構造部)の拡大図を図中右側に示す。この図におい
て、走査線12とp−Si配線部31とが交差する部分
がリペア位置、すなわちレーザ照射位置Bであり、この
部分に出力約0.5μJ相当のレーザ光を照射すると、
レーザ光を照射されたp−Si配線部31の結晶構造が
a−Si(非晶質シリコン)へ再結晶化され、TFT1
3の信号書き込み特性が改善される。すなわち、レーザ
光の照射により信号書き込み特性の改善されたTFT1
3では、印加された走査信号の電位に比例した電位が液
晶29へ掛かるようになり、このためリペアされた画素
の液晶16では、走査線12から走査信号が印加される
毎に、常に直流電圧が掛かることになる。この直流電圧
は、少なくとも1フレーム走査期間保持されるため、ノ
ーマリーホワイト表示の液晶パネル100では、リペア
した輝点画素を黒色化させることができる。なお、図5
では、レーザ照射位置Bを2箇所示しているが、レーザ
照射位置Bは、走査線12とp−Si配線部31とが交
差する部分の少なくとも1箇所であればよい。
【0030】実施形態2における液晶パネル100のパ
ネル構造は図3の場合と同様であり、この実施形態にお
いても、実施形態1と同様の効果を有する。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
おいては、スイッチ素子とこれに接続する画素電極及び
補助容量との間を電気的に遮断するようにしたので、補
助容量線、補助容量、液晶及び対向電極間に発生する電
位差により、液晶には常に直流電圧が掛かることにな
り、ノーマリーホワイト表示の液晶パネルでは、リペア
した輝点画素を黒色化させることができる。
【0032】また、請求項2の発明においては、スイッ
チ素子の一部にレーザ光を照射して、その結晶構造を非
晶質化させることにより、スイッチ素子の信号書き込み
特性を改善するようにしたので、このスイッチ素子で
は、印加された走査信号の電位に比例した電位が液晶へ
掛かるようになる。このためリペアされた画素の液晶で
は、走査線から走査信号が印加される毎に、常に直流電
圧が掛かることになり、この直流電圧は、少なくとも1
フレーム走査期間保持されるため、ノーマリーホワイト
表示の液晶パネルでは、リペアした輝点画素を黒色化さ
せることができる。
【0033】さらに、請求項1及び2の発明において
は、ともにレーザ光の照射がPI配向膜や液晶などに悪
影響を及ぼすことがないので、レーザ光の照射位置がず
れたり、またレーザパワーの出力変動が生じても、従来
の配向乱し法のようにPI配向膜やその膜下まで破壊し
てしまうおそれがなく、光漏れの発生やリペアにより液
晶パネルを不良品としてしまう可能は極めて低くなる。
また、リペア対象となるスイッチ素子の近傍にはレーザ
光の照射により回路特性が変化する部分がないため、レ
ーザ光の照射範囲に制限を受けることはない。
【0034】したがって、従来の配向乱し法に比べて、
輝点画素へのレーザ光によるリペア不良を軽減すること
ができるようになり、製品の歩留まりを向上させること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態1においてリペア対象となる輝点画素
の等価回路図。
【図2】実施形態に係わる液晶パネルの回路構成図。
【図3】実施形態1に係わる液晶パネルのパネル構造を
示す概略断面図。
【図4】実施形態2においてリペア対象となる輝点画素
の等価回路図。
【図5】TFTのリペア部分を実際の画素レイアウト上
で示した場合の概略平面図。
【図6】従来の一般的な液晶パネルの構造を示す概略断
面図。
【符号の説明】
10…表示画素、11…信号線、12…走査線、13…
TFT 14…画素電極、15…対向電極、16…液晶、17…
補助容量 18…補助容量線、100…液晶パネル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H088 FA14 HA08 MA20 2H092 JB71 JB72 JB73 NA16 NA29 NA30 5C094 AA02 AA41 AA42 AA43 BA03 BA43 CA19 EA03 EA04 EA07 FB19 GB01 5G435 AA17 AA19 BB12 CC09 DD18 KK10

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 互いに交差する複数の走査線及び複数の
    信号線、これら走査線及び信号線の各交差部に配置され
    たスイッチ素子、前記スイッチ素子を介して前記信号線
    に接続された画素電極、前記画素電極と電気的に並列に
    接続された補助容量、前記補助容量に所定の電位を供給
    する補助容量線を含む第1の電極基板と、前記画素電極
    と相対する対向電極を含む第2の電極基板と、これら基
    板間に介在された液晶層とを備え、前記スイッチ素子、
    画素電極、対向電極及び液晶層で構成される画素が規則
    的に複数配置された液晶パネルにおいて、 特定画素のスイッチ素子と、このスイッチ素子に接続す
    る画素電極及び補助容量との間を電気的に遮断すること
    を特徴とする液晶パネルのリペア方法。
  2. 【請求項2】互いに交差する複数の走査線及び複数の信
    号線、これら走査線及び信号線の各交差部に配置された
    スイッチ素子、前記スイッチ素子を介して前記信号線に
    接続された画素電極、前記画素電極と電気的に並列に接
    続された補助容量、前記補助容量に所定の電位を供給す
    る補助容量線を含む第1の電極基板と、前記画素電極と
    相対する対向電極を含む第2の電極基板と、これら基板
    間に介在された液晶層とを備え、前記スイッチ素子、画
    素電極、対向電極及び液晶層で構成される画素が規則的
    に複数配置された液晶パネルにおいて、 特定画素の少なくともスイッチ素子の一部分の結晶構造
    を非晶質化させることを特徴とする液晶パネルのリペア
    方法。
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