JPH0682638B2 - プラズマ・エツチング方法 - Google Patents
プラズマ・エツチング方法Info
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- JPH0682638B2 JPH0682638B2 JP63220603A JP22060388A JPH0682638B2 JP H0682638 B2 JPH0682638 B2 JP H0682638B2 JP 63220603 A JP63220603 A JP 63220603A JP 22060388 A JP22060388 A JP 22060388A JP H0682638 B2 JPH0682638 B2 JP H0682638B2
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Description
【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 この発明は、各種の材料のエッチングに有用なプラズマ
化学に関するものである。
化学に関するものである。
B.従来技術 プラズマ・エッチングは、集積回路を形成する各種の層
内にパターンを描くためのすぐれた方法として、湿式エ
ッチングに代わって用いられている。一般に、湿式エッ
チ液に比較して、プラズマ・エッチングはエッチ速度が
高く、異方性が大きく（すなわち輪郭の垂直度が高
く）、異物による汚染が低い。プラズマ・エッチングで
は、気体（または複数の気体の混合物）をイオン化し
て、プラズマを生成させる。装置の条件（たとえば圧
力、電力、電極に欠けるバイアス等）及びイオンの性質
により、露出した材料は“物理的”“化学的”、または
物理化学的にエッチングされる。物理的エッチ・モード
では、イオンは露出する材料に対して不活性であるが、
露出表面から原子を物理的に放出させるのに十分なエネ
ルギーを有している。化学的モードでは、イオンは露出
表面と化学的に反応して、気体の反応生成物を生成す
る。この反応生成物は、ポンプで除去される。反応性イ
オン・エッチング（RIE）では、物理的、化学的エッチ
ングの両方が行われる。すなわち、イオンは表面と化学
的に反応するが、これらのイオンは、露出表面と、イオ
ンの衝突の方向との角度の関数として、反応速度を高め
るのに十分なエネルギーを有する。
内にパターンを描くためのすぐれた方法として、湿式エ
ッチングに代わって用いられている。一般に、湿式エッ
チ液に比較して、プラズマ・エッチングはエッチ速度が
高く、異方性が大きく（すなわち輪郭の垂直度が高
く）、異物による汚染が低い。プラズマ・エッチングで
は、気体（または複数の気体の混合物）をイオン化し
て、プラズマを生成させる。装置の条件（たとえば圧
力、電力、電極に欠けるバイアス等）及びイオンの性質
により、露出した材料は“物理的”“化学的”、または
物理化学的にエッチングされる。物理的エッチ・モード
では、イオンは露出する材料に対して不活性であるが、
露出表面から原子を物理的に放出させるのに十分なエネ
ルギーを有している。化学的モードでは、イオンは露出
表面と化学的に反応して、気体の反応生成物を生成す
る。この反応生成物は、ポンプで除去される。反応性イ
オン・エッチング（RIE）では、物理的、化学的エッチ
ングの両方が行われる。すなわち、イオンは表面と化学
的に反応するが、これらのイオンは、露出表面と、イオ
ンの衝突の方向との角度の関数として、反応速度を高め
るのに十分なエネルギーを有する。
これまで、これらのプラズマを生成させるための各種の
混合気体が発表されている。これらの混合気体中、重要
なものに、ハロゲン・ガス、特に塩素及びフッ素を含有
するものがある。これらの気体は、露出表面と容易に反
応して、揮発性反応生成物の生成速度を高める。
混合気体が発表されている。これらの混合気体中、重要
なものに、ハロゲン・ガス、特に塩素及びフッ素を含有
するものがある。これらの気体は、露出表面と容易に反
応して、揮発性反応生成物の生成速度を高める。
米国再発行特許第RE30505号明細書は、酸化シリコン、
窒化シリコン、タングステン及びモリブデンをエッチン
グするための二元混合物CF4／O2に関するものである。
この特許では、酸化シリコンのエッチングのために、CH
F3／O2及びC2F3Cl3／O2（O2は混合気体全体の75％）を
使用する方法も開示している。この特許では、O2濃度は
25％までが好ましく、O2濃度が高くなると、上のフォト
レジストのマスキング層がかなりエッチングされるとし
ている。
窒化シリコン、タングステン及びモリブデンをエッチン
グするための二元混合物CF4／O2に関するものである。
この特許では、酸化シリコンのエッチングのために、CH
F3／O2及びC2F3Cl3／O2（O2は混合気体全体の75％）を
使用する方法も開示している。この特許では、O2濃度は
25％までが好ましく、O2濃度が高くなると、上のフォト
レジストのマスキング層がかなりエッチングされるとし
ている。
米国特許第3951709号明細書には、クロムまたは金のメ
タラジのエッチングに有用ないくつかの二元プラズマ化
学（すなわち有機塩素化合物と酸素の混合物、無機塩素
化合物と酸素の混合物）について開示している。これら
のエッチ組成物中には、塩素ガスと酸素の二元混合物
（酸素は混合物の40ないし80％）がある。CFCl3は使用
可能な有機化合物の１つであることが述べられている。
タラジのエッチングに有用ないくつかの二元プラズマ化
学（すなわち有機塩素化合物と酸素の混合物、無機塩素
化合物と酸素の混合物）について開示している。これら
のエッチ組成物中には、塩素ガスと酸素の二元混合物
（酸素は混合物の40ないし80％）がある。CFCl3は使用
可能な有機化合物の１つであることが述べられている。
上記の特許で示されるように、クロロフルオロカーボン
分子（すなわち炭素原子がフッ素原子と塩素原子の両方
に結合した分子）がプラズマ成分として用いられてい
る。特に、単独で作用するクロロフルオロカーボンが、
各種の材料をエッチングするプラズマの生成に使用され
ている。米国特許第4026742号明細書（不活性キャリア
・ガス中のCCl2F2がタングステン、モリブデン等の金属
をフッ化金属に変換し、次にこれを湿式エッチングで除
去することにより金属のエッチングに用いられる）、米
国特許第4353777号明細書（CF3Cl、CF2Cl2及びCFCl3を
用いて多結晶シリコンをエッチングする実験で、CFCl3
がチェンバ圧力50ないし150mTorr、電力密度0.24ないし
1.96W/cm2の条件で下のガラス層まで、最高の平均エッ
チ速度比を有することが認められた）、米国特許第4473
436号明細書（CCl2F2またはCFCl3が不活性キャリア・ガ
スとともに、多結晶シリコンと金属ケイ化物との複合材
料をエッチングするのに使用され、SF6／Cl2の組合せが
好ましい）、米国特許第4405406号明細書（CHCl2Fが、
チェンバ圧力150ないし400mTorr、電力密度0.1ないし0.
4W/cm2の条件で、フォトレジストに対して高いエッチ速
度比で多結晶シリコンをエッチングするのに用いられ
る）、細川等（Hosokawa et al.）、「フルオロ−クロ
ロ−ハイドロカーボン・ガスによる高周波スパッタ・エ
ッチング（RF Sputter-Etching by Fluoro-Chloro-Hydr
ocarbon Gases）」、日本応用物理学会誌（Japan J. Ap
pl.Phys.）、補遺２、pt.1、1974年、p.435（CFCl3、CC
l2F2等のクロロフルオロカーボンを、20mTorr、1.3W/cm
2の条件で使用し、それぞれ1670Å／分及び220Å／分の
エッチ速度を得る。CCl2F2中におけるモリブデンのエッ
チ速度は836Å／分である）を参照されたい。
分子（すなわち炭素原子がフッ素原子と塩素原子の両方
に結合した分子）がプラズマ成分として用いられてい
る。特に、単独で作用するクロロフルオロカーボンが、
各種の材料をエッチングするプラズマの生成に使用され
ている。米国特許第4026742号明細書（不活性キャリア
・ガス中のCCl2F2がタングステン、モリブデン等の金属
をフッ化金属に変換し、次にこれを湿式エッチングで除
去することにより金属のエッチングに用いられる）、米
国特許第4353777号明細書（CF3Cl、CF2Cl2及びCFCl3を
用いて多結晶シリコンをエッチングする実験で、CFCl3
がチェンバ圧力50ないし150mTorr、電力密度0.24ないし
1.96W/cm2の条件で下のガラス層まで、最高の平均エッ
チ速度比を有することが認められた）、米国特許第4473
436号明細書（CCl2F2またはCFCl3が不活性キャリア・ガ
スとともに、多結晶シリコンと金属ケイ化物との複合材
料をエッチングするのに使用され、SF6／Cl2の組合せが
好ましい）、米国特許第4405406号明細書（CHCl2Fが、
チェンバ圧力150ないし400mTorr、電力密度0.1ないし0.
4W/cm2の条件で、フォトレジストに対して高いエッチ速
度比で多結晶シリコンをエッチングするのに用いられ
る）、細川等（Hosokawa et al.）、「フルオロ−クロ
ロ−ハイドロカーボン・ガスによる高周波スパッタ・エ
ッチング（RF Sputter-Etching by Fluoro-Chloro-Hydr
ocarbon Gases）」、日本応用物理学会誌（Japan J. Ap
pl.Phys.）、補遺２、pt.1、1974年、p.435（CFCl3、CC
l2F2等のクロロフルオロカーボンを、20mTorr、1.3W/cm
2の条件で使用し、それぞれ1670Å／分及び220Å／分の
エッチ速度を得る。CCl2F2中におけるモリブデンのエッ
チ速度は836Å／分である）を参照されたい。
さらに、上記の米国特許第RE30505号及び第3951709号明
細書に示すように、クロロフルオロカーボンは酸素また
は他の活性添加剤との各種の二元混合物の形でも使用さ
れる。バーバ等（Burba et al.）、「VLSIメタライゼー
ションのためのタングステンの選択性乾式エッチング
（Selective Dry Etching of Tungsten for VLSI Metal
lization）」、ジャーナル・オブ・エレクトロケミカル
・ソサイエティ（Journal of the Electrochemical Soc
iety）：ソリッド・ステート・サイエンス・アンド・テ
クノロジー（Solid State Science and Technology）、
1986年10月、p.2113〜2118（タングステンをCF4／O2/H
e、CClF3／O2/He及びCBrF3／O2/Heプラズマ中でエッチ
ングする。CClF3／O2/Heプラズマ中では、電力密度が0.
22W/cm2、圧力が160mTorrの条件で高周波（RF）励起さ
れたプラズマを有する単一ウェハ用装置では、酸素濃度
が０から15％まで上昇するにつれてエッチ速度が増大す
るが、その後は約275Å／分で一定する。SiO2のエッチ
速度は比較的一定である）を参照されたい。また、米国
特許第4314875号明細書（通常は不飽和副産物を生成す
るCF2Cl、CF3Cl等のハロカーボン・プラズマ中で、フォ
トレジスト等の材料のエッチ速度は、不飽和副産物と結
合してこれらを反応系から除去するO2、NF3等の酸化剤
を20％添加することにより増大する）、米国特許第4374
699号明細書（少なくとも25％のCO2またはNOをCF3Clプ
ラズマに添加すると、多結晶シリコンに対してフォトレ
ジストの除去が増大する）、及び米国特許第3923568号
明細書（25％以下の酸素を含有するCCl2F2中で金、白
金、パラジウムまたは銀をエッチングすると、フォトレ
ジストの除去は阻止されるが、エッチ速度は増大する）
も参照されたい。
細書に示すように、クロロフルオロカーボンは酸素また
は他の活性添加剤との各種の二元混合物の形でも使用さ
れる。バーバ等（Burba et al.）、「VLSIメタライゼー
ションのためのタングステンの選択性乾式エッチング
（Selective Dry Etching of Tungsten for VLSI Metal
lization）」、ジャーナル・オブ・エレクトロケミカル
・ソサイエティ（Journal of the Electrochemical Soc
iety）：ソリッド・ステート・サイエンス・アンド・テ
クノロジー（Solid State Science and Technology）、
1986年10月、p.2113〜2118（タングステンをCF4／O2/H
e、CClF3／O2/He及びCBrF3／O2/Heプラズマ中でエッチ
ングする。CClF3／O2/Heプラズマ中では、電力密度が0.
22W/cm2、圧力が160mTorrの条件で高周波（RF）励起さ
れたプラズマを有する単一ウェハ用装置では、酸素濃度
が０から15％まで上昇するにつれてエッチ速度が増大す
るが、その後は約275Å／分で一定する。SiO2のエッチ
速度は比較的一定である）を参照されたい。また、米国
特許第4314875号明細書（通常は不飽和副産物を生成す
るCF2Cl、CF3Cl等のハロカーボン・プラズマ中で、フォ
トレジスト等の材料のエッチ速度は、不飽和副産物と結
合してこれらを反応系から除去するO2、NF3等の酸化剤
を20％添加することにより増大する）、米国特許第4374
699号明細書（少なくとも25％のCO2またはNOをCF3Clプ
ラズマに添加すると、多結晶シリコンに対してフォトレ
ジストの除去が増大する）、及び米国特許第3923568号
明細書（25％以下の酸素を含有するCCl2F2中で金、白
金、パラジウムまたは銀をエッチングすると、フォトレ
ジストの除去は阻止されるが、エッチ速度は増大する）
も参照されたい。
最後に、各種の三元組成物（クロロフルオロカーボン、
ハロゲン及び酸化剤）が、各種の材料のエッチング用と
して提案されている。米国特許第4267013号明細書で
は、三塩化ホウ素、酸素及びCCl2F2等のハロカーボンか
らなるプラズマ中で、アルミニウムをパターン付けして
いる。ハロカーボンは混合物全体の10ないし32％を占め
る。ハロカーボンはBCl3中でのアルミニウムのエッチ速
度を増大する。米国特許第4547261号明細書では、三塩
化ホウ素、窒素及びクロロフルオロカーボンからなるプ
ラズマ中でアルミニウムのパターン付けを行なう。クロ
ロフルオロカーボンは混合物の８ないし50％、好ましく
は12ないし40％を占める。クロロフルオロカーボンは、
エッチング中の反応チェンバの側壁を不活性化するのに
使用され、これにより汚染物質を減少させる。米国特許
第4374698号明細書では、１ないし15％のCF3BrまたはCC
l2F2を含有するCF4＋O2のプラズマ中で、酸化シリコン
及び窒化シリコンの層のエッチングを行なう。CF3Brま
たはCCl2F2は、窒化シリコンのエッチ速度を遅らせるよ
りはるかに酸化シリコンのエッチ速度を遅らせ、この２
層のエッチングの選択性を高める。最後に、メサ等（Me
tha et al）、「VLSIデバイスのためのブランケットCVD
タングステンの相互接続（Blanket CVD TungstenInterc
onnect for VLSI Devices）」、1986年第３回国際IEEE
VLSI多層相互接続会議議事録（1986 Proceedings 3rd
International IEEE VLSI Multilevel Interconnectio
n Conference）、カリフォルニア州サンタクララ（Sant
a Clara、California）、1986年、pp.418〜435は、CVD
タングステンの異方性エッチングのため、SF6／CCl4／O
2からなる三元プラズマ・ガスの使用について開示して
いる。この記事の筆者は、SF6のみでは異方性エッチン
グは不良となるが、これはCCl4の添加により改善される
としている。酸素は、下のＰ型にドーピングしたガラス
に対してのエッチングの選択性を増大させるために添加
される。
ハロゲン及び酸化剤）が、各種の材料のエッチング用と
して提案されている。米国特許第4267013号明細書で
は、三塩化ホウ素、酸素及びCCl2F2等のハロカーボンか
らなるプラズマ中で、アルミニウムをパターン付けして
いる。ハロカーボンは混合物全体の10ないし32％を占め
る。ハロカーボンはBCl3中でのアルミニウムのエッチ速
度を増大する。米国特許第4547261号明細書では、三塩
化ホウ素、窒素及びクロロフルオロカーボンからなるプ
ラズマ中でアルミニウムのパターン付けを行なう。クロ
ロフルオロカーボンは混合物の８ないし50％、好ましく
は12ないし40％を占める。クロロフルオロカーボンは、
エッチング中の反応チェンバの側壁を不活性化するのに
使用され、これにより汚染物質を減少させる。米国特許
第4374698号明細書では、１ないし15％のCF3BrまたはCC
l2F2を含有するCF4＋O2のプラズマ中で、酸化シリコン
及び窒化シリコンの層のエッチングを行なう。CF3Brま
たはCCl2F2は、窒化シリコンのエッチ速度を遅らせるよ
りはるかに酸化シリコンのエッチ速度を遅らせ、この２
層のエッチングの選択性を高める。最後に、メサ等（Me
tha et al）、「VLSIデバイスのためのブランケットCVD
タングステンの相互接続（Blanket CVD TungstenInterc
onnect for VLSI Devices）」、1986年第３回国際IEEE
VLSI多層相互接続会議議事録（1986 Proceedings 3rd
International IEEE VLSI Multilevel Interconnectio
n Conference）、カリフォルニア州サンタクララ（Sant
a Clara、California）、1986年、pp.418〜435は、CVD
タングステンの異方性エッチングのため、SF6／CCl4／O
2からなる三元プラズマ・ガスの使用について開示して
いる。この記事の筆者は、SF6のみでは異方性エッチン
グは不良となるが、これはCCl4の添加により改善される
としている。酸素は、下のＰ型にドーピングしたガラス
に対してのエッチングの選択性を増大させるために添加
される。
現在、フッ素を主成分とするプラズマが、半導体及びタ
ングステン等の導体のエッチングに使用されている。こ
れらのプラズマは、フォトレジストに対して高いエッチ
ング選択性を与える。しかし、これらのフッ素を主成分
とするプラズマは、プラズマのエネルギーをかなり増大
させないと、エッチ速度を高くすることができない。プ
ラズマのエネルギーを高めることは、工程の実施が高価
になり、フォトレジストに対する選択性が減少する。塩
素を主成分とするプラズマは、従来の電力密度でのエッ
チ速度を高くするが、フォトレジストに対するエッチン
グの選択性を減少させる。
ングステン等の導体のエッチングに使用されている。こ
れらのプラズマは、フォトレジストに対して高いエッチ
ング選択性を与える。しかし、これらのフッ素を主成分
とするプラズマは、プラズマのエネルギーをかなり増大
させないと、エッチ速度を高くすることができない。プ
ラズマのエネルギーを高めることは、工程の実施が高価
になり、フォトレジストに対する選択性が減少する。塩
素を主成分とするプラズマは、従来の電力密度でのエッ
チ速度を高くするが、フォトレジストに対するエッチン
グの選択性を減少させる。
C.発明が解決しようとする問題点 この発明の目的は、エッチ速度が高く、しかもフォトレ
ジストに対するエッチ速度の比が高い気体プラズマを提
供することにある。
ジストに対するエッチ速度の比が高い気体プラズマを提
供することにある。
D.問題点を解決するための手段 この発明は、タングステン等の非絶縁材料を高いエッチ
速度で除去するとともに、フォトレジストに対するエッ
チ速度の比を１より大きくすることのできる気体プラズ
マを提供する。プラズマはフッ素含有ガス（好ましく
は、フッ素含有ハロカーボン）、酸化性ガス及び５％な
いし20％（好ましくは、５％ないし15％）のクロロフル
オロカーボン・ガスよりなり、クロロフルオロカーボン
・ガスを含ませると、広範囲のフッ素含有ガス／酸素百
分率において非絶縁材料のエッチ速度が高められること
が判明した。
速度で除去するとともに、フォトレジストに対するエッ
チ速度の比を１より大きくすることのできる気体プラズ
マを提供する。プラズマはフッ素含有ガス（好ましく
は、フッ素含有ハロカーボン）、酸化性ガス及び５％な
いし20％（好ましくは、５％ないし15％）のクロロフル
オロカーボン・ガスよりなり、クロロフルオロカーボン
・ガスを含ませると、広範囲のフッ素含有ガス／酸素百
分率において非絶縁材料のエッチ速度が高められること
が判明した。
E.実施例 この発明の発明者らは、CF4／O2またはCHF3／O2のよう
なガス・プラズマにクロロフルオロカーボンを添加する
と、タングステン等の皮膜のエッチ速度（ER）をかなり
高めるとともに、フォトレジストに対するエッチ速度の
比（ERR−Ｐ）及びドーピングした酸化シリコン等の絶
縁材料に対するエッチ速度の比を高めることを見出し
た。クロロフルオロカーボンの添加により、重合性反応
種の生成または利用速度に比べて、タングステンのハロ
ゲンをベースとする反応性化学種の生成または利用速度
を高めるような塩素、フッ素及び酸化剤の比率が得られ
る。
なガス・プラズマにクロロフルオロカーボンを添加する
と、タングステン等の皮膜のエッチ速度（ER）をかなり
高めるとともに、フォトレジストに対するエッチ速度の
比（ERR−Ｐ）及びドーピングした酸化シリコン等の絶
縁材料に対するエッチ速度の比を高めることを見出し
た。クロロフルオロカーボンの添加により、重合性反応
種の生成または利用速度に比べて、タングステンのハロ
ゲンをベースとする反応性化学種の生成または利用速度
を高めるような塩素、フッ素及び酸化剤の比率が得られ
る。
実験はすべて、市販の複数ウェハ・エッチング装置（す
なわち、7cmの間隔で設けた２枚の直径52cmのアルミニ
ウム平行板を有するプラズマサーム社（Plasmatherm）
製PK24型バッチ・リアクタ）を使用して行なった。上部
電極はアルミニウムのスパッタリングを最少にするた
め、フォトレジスト層でコーティングした。このフォト
レジストは、米国特許第3201239号明細書に開示された
ようなジアゾナフトキノン感光剤を含有するフェノール
・ホルムアルデヒド樹脂を使用した。チェンバは、反応
性イオン・エッチング（RIE）モードでエッチングが行
なわれるように、基板電極に電力を供給し、チェンバの
圧力を55mTorrに維持してコンディショニングを行なっ
た。装置電力は300Wに設定した。全ガス流入量は、120S
CCMに保持した。実験はすべて、リアクタの11のウェハ
位置の１つを用い、覗き窓の隣の位置に１枚のブランク
の10cmウェハをエッチングして行なった。すべての実験
で、試験ウェハに隣接する覗き窓から、発光スペクトル
を観察した。タングステンのブランクは、市販の化学蒸
着（CVD）リアクタを用いて、シリコン上に２μｍの皮
膜を堆積させて作製した。厚みが２μｍのフォトレジス
ト層を作製し、エッチングを行なって速度の測定と選択
性の計算を行なった。基板温度はすべて20ないし25℃に
保持し、エッチング中のウェハの下側に接触させた蛍光
プローブを用いて直接監視した。タングステンのエッチ
測定は重量分析により行ない、CVDタングステン皮膜密
度（25g/cm3）及びウェハの面積を用いて、長さ／時間
の単位に変換した。フォトレジストのエッチ速度は、直
接光学測定により求めた。
なわち、7cmの間隔で設けた２枚の直径52cmのアルミニ
ウム平行板を有するプラズマサーム社（Plasmatherm）
製PK24型バッチ・リアクタ）を使用して行なった。上部
電極はアルミニウムのスパッタリングを最少にするた
め、フォトレジスト層でコーティングした。このフォト
レジストは、米国特許第3201239号明細書に開示された
ようなジアゾナフトキノン感光剤を含有するフェノール
・ホルムアルデヒド樹脂を使用した。チェンバは、反応
性イオン・エッチング（RIE）モードでエッチングが行
なわれるように、基板電極に電力を供給し、チェンバの
圧力を55mTorrに維持してコンディショニングを行なっ
た。装置電力は300Wに設定した。全ガス流入量は、120S
CCMに保持した。実験はすべて、リアクタの11のウェハ
位置の１つを用い、覗き窓の隣の位置に１枚のブランク
の10cmウェハをエッチングして行なった。すべての実験
で、試験ウェハに隣接する覗き窓から、発光スペクトル
を観察した。タングステンのブランクは、市販の化学蒸
着（CVD）リアクタを用いて、シリコン上に２μｍの皮
膜を堆積させて作製した。厚みが２μｍのフォトレジス
ト層を作製し、エッチングを行なって速度の測定と選択
性の計算を行なった。基板温度はすべて20ないし25℃に
保持し、エッチング中のウェハの下側に接触させた蛍光
プローブを用いて直接監視した。タングステンのエッチ
測定は重量分析により行ない、CVDタングステン皮膜密
度（25g/cm3）及びウェハの面積を用いて、長さ／時間
の単位に変換した。フォトレジストのエッチ速度は、直
接光学測定により求めた。
実験結果は下記の第１表ないし第４表に示すとおりであ
る。クロロフルオロカーボン・ガス、フッ素化ハロカー
ボン、及び酸素の相対量は、ガス全体の流量に対するパ
ーセントで表わしてある。たとえば、64％のCF4、31％
のO2、５％のCCl2F2からなるプラズマでは、CCl2F2の流
量は0.05×120＝6SCCM、CF4の流量は0.64×120＝77SCC
M、O2の流量は0.31×120＝37SCCMである。下記の第１表
〜第４表からわかるように、クロロフルオロカーボン・
ガスを５〜20％の割合で含ませるのが好ましく、特に５
〜15％が望ましい。
る。クロロフルオロカーボン・ガス、フッ素化ハロカー
ボン、及び酸素の相対量は、ガス全体の流量に対するパ
ーセントで表わしてある。たとえば、64％のCF4、31％
のO2、５％のCCl2F2からなるプラズマでは、CCl2F2の流
量は0.05×120＝6SCCM、CF4の流量は0.64×120＝77SCC
M、O2の流量は0.31×120＝37SCCMである。下記の第１表
〜第４表からわかるように、クロロフルオロカーボン・
ガスを５〜20％の割合で含ませるのが好ましく、特に５
〜15％が望ましい。
第１表は、各種の比率のCF4／O2にCCl2F2の添加量を変
化させてタングステンをエッチングした結果を示す。
化させてタングステンをエッチングした結果を示す。
一般に、これらの実験から、CCl2F2の百分率が０から５
ないし15％に増加するにつれて、タングステンのエッチ
速度もタングステン／フォトレジスト・エッチ速度比
も、CF4／O2のみの場合と比較して、大幅に増大するこ
とがわかる。CCl2F2の百分率が15ないし20％以上に増加
すると、エッチ速度もエッチ速度比も減少する。実験Ａ
及びＢのエッチ速度及びエッチ速度比を実験Ｅの結果と
比較されたい。酸素の百分率が増大すると、ピークのエ
ッチ速度が得られるクロロフルオロカーボンの百分率が
高くなる（O2＝33％でのピーク・エッチ速度はCCl2F2５
％のとき、またO2＝66％でのピーク・エッチ速度はCCl2
F210％ないし15％のときに達成された）。しかし、酸素
の百分率が増大すると、フォトレジストに対するエッチ
速度比が減少する（実験A2〜A3と実験B2〜B3のエッチ速
度比の変化を比較されたい）。これは酸素が増加すると
フォトレジストのエッチ速度が増大するためである。一
般に、CCl2F2を添加すると、エッチ速度がCF4／O2混合
物の有用な範囲（CF4＝20％〜80％）にわたり、２倍以
上大幅に増大した。実験Ｃ（５％CCl2F2）及びＤ（10％
CCl2F2）のエッチ速度を実験Ｅのエッチ速度と比較され
たい。さらに、タングステン：レジストの選択性の比が
1:1のものを受け入れられる限界値と考えると、５％及
び10％のCCl2F2を添加することにより、CF4／O2の有用
な範囲が、O2が０の範囲から５％ないし85％の範囲に拡
大する。最後に、CCl2F2の二元混合物について実験した
ところ（実験Ｆ）、単に塩素、フッ素及び酸素が存在す
るだけではこの発明の結果は得られないことが判明し
た。これらの結果は、メサ等（Metha et al）及びバー
バ等（Burba et al）の論文で報告されている結果（す
なわち、SF6／CCl4／O2プラズマでは大幅に増大したタ
ングステンのエッチ速度は得られない）と一致する。さ
らに、発明者らは、CF4／O2混合物にCl2を添加して得ら
れる結果を一貫して再現することはできなかった。すな
わち、同じ流量比の条件で実験を行なっても、エッチ速
度は大幅に変化した。タングステンのエッチングにフレ
オンを使用すると、塩素を使用する方法と比較して、毒
性のない方法が提供される。
ないし15％に増加するにつれて、タングステンのエッチ
速度もタングステン／フォトレジスト・エッチ速度比
も、CF4／O2のみの場合と比較して、大幅に増大するこ
とがわかる。CCl2F2の百分率が15ないし20％以上に増加
すると、エッチ速度もエッチ速度比も減少する。実験Ａ
及びＢのエッチ速度及びエッチ速度比を実験Ｅの結果と
比較されたい。酸素の百分率が増大すると、ピークのエ
ッチ速度が得られるクロロフルオロカーボンの百分率が
高くなる（O2＝33％でのピーク・エッチ速度はCCl2F2５
％のとき、またO2＝66％でのピーク・エッチ速度はCCl2
F210％ないし15％のときに達成された）。しかし、酸素
の百分率が増大すると、フォトレジストに対するエッチ
速度比が減少する（実験A2〜A3と実験B2〜B3のエッチ速
度比の変化を比較されたい）。これは酸素が増加すると
フォトレジストのエッチ速度が増大するためである。一
般に、CCl2F2を添加すると、エッチ速度がCF4／O2混合
物の有用な範囲（CF4＝20％〜80％）にわたり、２倍以
上大幅に増大した。実験Ｃ（５％CCl2F2）及びＤ（10％
CCl2F2）のエッチ速度を実験Ｅのエッチ速度と比較され
たい。さらに、タングステン：レジストの選択性の比が
1:1のものを受け入れられる限界値と考えると、５％及
び10％のCCl2F2を添加することにより、CF4／O2の有用
な範囲が、O2が０の範囲から５％ないし85％の範囲に拡
大する。最後に、CCl2F2の二元混合物について実験した
ところ（実験Ｆ）、単に塩素、フッ素及び酸素が存在す
るだけではこの発明の結果は得られないことが判明し
た。これらの結果は、メサ等（Metha et al）及びバー
バ等（Burba et al）の論文で報告されている結果（す
なわち、SF6／CCl4／O2プラズマでは大幅に増大したタ
ングステンのエッチ速度は得られない）と一致する。さ
らに、発明者らは、CF4／O2混合物にCl2を添加して得ら
れる結果を一貫して再現することはできなかった。すな
わち、同じ流量比の条件で実験を行なっても、エッチ速
度は大幅に変化した。タングステンのエッチングにフレ
オンを使用すると、塩素を使用する方法と比較して、毒
性のない方法が提供される。
第２表は、CF4／O2のタングステン・エッチングの添加
物として、CCl2F2の代わりにCF3Clを使用して得られた
結果を示す。
物として、CCl2F2の代わりにCF3Clを使用して得られた
結果を示す。
第２表は、CF3Clの添加により、CCl2F2の添加と同様な
一般特性が得られることを示す。すなわち、少量のクロ
ロフルオロカーボンの添加により、タングステンのエッ
チ速度がかなり増大する。CCl2F2の添加と同様に、混合
物全量に対してCF4＝66％のときのピークのエッチ速度
は、CF4＝33％のときよりも高かった（実験G3〜G4のエ
ッチ速度と、実験H2〜H4のエッチ速度とを比較された
い）。しかし、酸素の百分率が高いほど、CF3Clによっ
て得られるピークのエッチ速度は、CCl2F2の場合のクロ
ロフルオロカーボンの添加量（５％〜10％）よりも、は
るかに広い範囲（５％〜20％）で、比較的一定に保た
れ、CF3Clの場合、30％の添加でもエッチ速度の増大が
見られる。CF3Clによって得られるエッチ速度は、特にC
F3Clの百分率が高い場合、CCl2F2によって得られるエッ
チ速度よりも高い。エッチ速度比については、CF3Clの
場合のデータは記録されていないが、タングステンのエ
ッチ速度の増大は、フォトレジストに拡大されず、した
がってそのエッチ速度比は、特にCF3Clの百分率が低い
場合、CCl2F2で見られるエッチ速度比に比べて増大する
ことが考えられる。CF3Clの添加が低い場合のエッチ速
度の増大は、CCl2F2によって得られる増大と著しく類似
している。上記の結果を、Cl2／CF4／O2プラズマ及びCC
l2F2／O2に関する以前の観察と併せ見ると、この発明の
三元プラズマにおける塩素源としてクロロフルオロカー
ボンの使用の重要性が確認される。
一般特性が得られることを示す。すなわち、少量のクロ
ロフルオロカーボンの添加により、タングステンのエッ
チ速度がかなり増大する。CCl2F2の添加と同様に、混合
物全量に対してCF4＝66％のときのピークのエッチ速度
は、CF4＝33％のときよりも高かった（実験G3〜G4のエ
ッチ速度と、実験H2〜H4のエッチ速度とを比較された
い）。しかし、酸素の百分率が高いほど、CF3Clによっ
て得られるピークのエッチ速度は、CCl2F2の場合のクロ
ロフルオロカーボンの添加量（５％〜10％）よりも、は
るかに広い範囲（５％〜20％）で、比較的一定に保た
れ、CF3Clの場合、30％の添加でもエッチ速度の増大が
見られる。CF3Clによって得られるエッチ速度は、特にC
F3Clの百分率が高い場合、CCl2F2によって得られるエッ
チ速度よりも高い。エッチ速度比については、CF3Clの
場合のデータは記録されていないが、タングステンのエ
ッチ速度の増大は、フォトレジストに拡大されず、した
がってそのエッチ速度比は、特にCF3Clの百分率が低い
場合、CCl2F2で見られるエッチ速度比に比べて増大する
ことが考えられる。CF3Clの添加が低い場合のエッチ速
度の増大は、CCl2F2によって得られる増大と著しく類似
している。上記の結果を、Cl2／CF4／O2プラズマ及びCC
l2F2／O2に関する以前の観察と併せ見ると、この発明の
三元プラズマにおける塩素源としてクロロフルオロカー
ボンの使用の重要性が確認される。
第３表は、CCl2F2を添加したCHF3／O2プラズマ中でのエ
ッチングの結果を示す。
ッチングの結果を示す。
上記の結果は、CF4の代わりにCHF3を使用すると、エッ
チ速度の増大がはるかに小さいことを示す。これはいく
つかの要因によるものであろう。CHF3ガスはCF4ガスよ
りフッ素が少ない。このことは、複合混合物を、エッチ
速度を増大するＣ−Cl−Ｆ範囲の一端に押し上げる可能
性がある。さらに、CH基が存在すると、重合体の生成に
より、タングステンのエッチ速度が遅くなる。しかし、
エッチ速度の増大は、それほど顕著でないにしても、な
おかなり見られる。CHF3／O2の百分率の全範囲で、５％
のCCl2F2を添加すると、CCl2F2を添加しない場合と比較
して、エッチ速度は少なくとも２倍（エッチ速度の比は
２倍ないし３倍）になる（実験ＬとＭのエッチ速度の結
果を比較されたい）。しかし、CHF3／O2にCCl2F2を添加
した場合は、CF4／O2に比べてエッチ速度が低かったの
で、フォトレジストに対するエッチ速度比は、狭い範囲
のCCl2F2の添加量でしか満足な値が得られなかった。特
に、１より大きいエッチ速度比が得られたのは、CHF3の
百分率が約20％ないし50％であり、CCl2F2の百分率が約
５％（またはCHF3の百分率が範囲の下限の場合は５％な
いし10％）の場合だけであった。これを、広い範囲で１
より大きいエッチ速度比が得られる、第１表のパラメー
タと比較されたい。
チ速度の増大がはるかに小さいことを示す。これはいく
つかの要因によるものであろう。CHF3ガスはCF4ガスよ
りフッ素が少ない。このことは、複合混合物を、エッチ
速度を増大するＣ−Cl−Ｆ範囲の一端に押し上げる可能
性がある。さらに、CH基が存在すると、重合体の生成に
より、タングステンのエッチ速度が遅くなる。しかし、
エッチ速度の増大は、それほど顕著でないにしても、な
おかなり見られる。CHF3／O2の百分率の全範囲で、５％
のCCl2F2を添加すると、CCl2F2を添加しない場合と比較
して、エッチ速度は少なくとも２倍（エッチ速度の比は
２倍ないし３倍）になる（実験ＬとＭのエッチ速度の結
果を比較されたい）。しかし、CHF3／O2にCCl2F2を添加
した場合は、CF4／O2に比べてエッチ速度が低かったの
で、フォトレジストに対するエッチ速度比は、狭い範囲
のCCl2F2の添加量でしか満足な値が得られなかった。特
に、１より大きいエッチ速度比が得られたのは、CHF3の
百分率が約20％ないし50％であり、CCl2F2の百分率が約
５％（またはCHF3の百分率が範囲の下限の場合は５％な
いし10％）の場合だけであった。これを、広い範囲で１
より大きいエッチ速度比が得られる、第１表のパラメー
タと比較されたい。
CHF3ガスは、エッチング時に側壁を重合させ、異方性プ
ロファイルを生じることが知られている。発明者らは、
この発明によって増大したエッチ速度が、エッチングさ
れたプロファイルにどのような影響を与えるかについて
確信がなかったので、厚み0.7μｍのタングステン層を
有するいくつかの試験用ウェハをエッチングして、走査
型電子顕微鏡で調べた。その結果、CF4／O2／CCl2F2で
エッチングされたタングステンは、等方性プロファイル
を示したのに対して、CHF3／O2／CCl2F2でエッチングさ
れたタングステンは、異方性プロファイルを示した。プ
ロファイルの異方性は、電力を300Wから500Wに増大し、
圧力を55mTorrから30mTorrに低下させ、全ガス流量を12
0SCCMから30SCCMに減少させることにより最大になっ
た。一般に、エッチング・パラメータをこのように変え
ると、エッチングの物理的成分が最大になると考えられ
るので、エッチ速度とエッチングによる異方性の両方が
増大することも予想される。CHF3／O2の場合と、CHF3／
O2／CCl2F2の場合で、エッチ速度の増大は等しく、した
がって、この２つの場合にエッチ速度比は比較的一定に
保たれる。しかし、厚み0.7μｍのタングステン層は、4
0％CHF3/53％O2/7％CCl2F2プラズマでは、９分で完全に
エッチングされるのに対して、40％CHF3/60％O2プラズ
マでは、18分でもタングステンは約0.2μｍしかエッチ
ングされなかった。この6:1のエッチ速度比は、従来の
条件で見られる比のほぼ２倍である（実験L4とM4のタン
グステンのエッチ速度を比較されたい）。さらに、フォ
トレジスト：タングステンのエッチ速度比は１程度に保
たれた。一般に、これらの結果からは、第１表ないし第
３表に示すように、プラズマの物理的エッチング成分を
増大するにつれて、この発明によるエッチ速度の増大が
さらに増大されることがわかる。さらに、これらの結果
から、この発明の方法は、CF4／O2及びCHF3／O2のエッ
チングで通常予想されるプロファイルへの影響はほとん
どないことが確認された。
ロファイルを生じることが知られている。発明者らは、
この発明によって増大したエッチ速度が、エッチングさ
れたプロファイルにどのような影響を与えるかについて
確信がなかったので、厚み0.7μｍのタングステン層を
有するいくつかの試験用ウェハをエッチングして、走査
型電子顕微鏡で調べた。その結果、CF4／O2／CCl2F2で
エッチングされたタングステンは、等方性プロファイル
を示したのに対して、CHF3／O2／CCl2F2でエッチングさ
れたタングステンは、異方性プロファイルを示した。プ
ロファイルの異方性は、電力を300Wから500Wに増大し、
圧力を55mTorrから30mTorrに低下させ、全ガス流量を12
0SCCMから30SCCMに減少させることにより最大になっ
た。一般に、エッチング・パラメータをこのように変え
ると、エッチングの物理的成分が最大になると考えられ
るので、エッチ速度とエッチングによる異方性の両方が
増大することも予想される。CHF3／O2の場合と、CHF3／
O2／CCl2F2の場合で、エッチ速度の増大は等しく、した
がって、この２つの場合にエッチ速度比は比較的一定に
保たれる。しかし、厚み0.7μｍのタングステン層は、4
0％CHF3/53％O2/7％CCl2F2プラズマでは、９分で完全に
エッチングされるのに対して、40％CHF3/60％O2プラズ
マでは、18分でもタングステンは約0.2μｍしかエッチ
ングされなかった。この6:1のエッチ速度比は、従来の
条件で見られる比のほぼ２倍である（実験L4とM4のタン
グステンのエッチ速度を比較されたい）。さらに、フォ
トレジスト：タングステンのエッチ速度比は１程度に保
たれた。一般に、これらの結果からは、第１表ないし第
３表に示すように、プラズマの物理的エッチング成分を
増大するにつれて、この発明によるエッチ速度の増大が
さらに増大されることがわかる。さらに、これらの結果
から、この発明の方法は、CF4／O2及びCHF3／O2のエッ
チングで通常予想されるプロファイルへの影響はほとん
どないことが確認された。
第４表に、CF4／O2／CCl2F2の比率を変えてシリコンを
エッチングした実験の結果を示す。
エッチングした実験の結果を示す。
第４表に示した実験結果からは、一般にCF4／O2またはC
HF3／O2のタングステン・エッチング用混合気体にクロ
ロフルオロカーボンを添加して得られるエッチ速度の増
大が、シリコンをエッチングする場合にも生じることが
わかる。上記の結果は、タングステンのエッチングに使
用するのと同一条件で単結晶シリコンをエッチングして
得られたものである。CF2Cl2を添加せずにシリコンをエ
ッチングした場合と比較して、５％のCCl2F2を添加する
と、ピークのエッチ速度は３倍、フォトレジストに対す
る選択性は２倍改善されることに留意されたい。さら
に、追加実験の結果、実験N1、N2及びN3の条件下でシリ
コン：酸化シリコンのエッチ速度比はそれぞれ、9.5:
1、12:1、9.0:1であることがわかった。この結果を、実
験O3及びO5の条件下におけるシリコン：SiO2のエッチ速
度比（それぞれ2.1:1、1.1:1）と比較されたい。換言す
れば、エッチ速度が３倍改善されるとともに、シリコ
ン：SiO2のエッチ速度比は５ないし６倍改善される。実
験Ｎのすべては、５％のCCl2F2を添加して行なったもの
であるが、タングステンのエッチングで５％のCCl2F2を
添加した場合に見られるエッチ速度の増大と類似してい
ることは、CCl2F2の添加量を増加すると、タングステン
をエッチングする場合に見られる結果と類似した結果が
得られることを示唆する。
HF3／O2のタングステン・エッチング用混合気体にクロ
ロフルオロカーボンを添加して得られるエッチ速度の増
大が、シリコンをエッチングする場合にも生じることが
わかる。上記の結果は、タングステンのエッチングに使
用するのと同一条件で単結晶シリコンをエッチングして
得られたものである。CF2Cl2を添加せずにシリコンをエ
ッチングした場合と比較して、５％のCCl2F2を添加する
と、ピークのエッチ速度は３倍、フォトレジストに対す
る選択性は２倍改善されることに留意されたい。さら
に、追加実験の結果、実験N1、N2及びN3の条件下でシリ
コン：酸化シリコンのエッチ速度比はそれぞれ、9.5:
1、12:1、9.0:1であることがわかった。この結果を、実
験O3及びO5の条件下におけるシリコン：SiO2のエッチ速
度比（それぞれ2.1:1、1.1:1）と比較されたい。換言す
れば、エッチ速度が３倍改善されるとともに、シリコ
ン：SiO2のエッチ速度比は５ないし６倍改善される。実
験Ｎのすべては、５％のCCl2F2を添加して行なったもの
であるが、タングステンのエッチングで５％のCCl2F2を
添加した場合に見られるエッチ速度の増大と類似してい
ることは、CCl2F2の添加量を増加すると、タングステン
をエッチングする場合に見られる結果と類似した結果が
得られることを示唆する。
CF4／O2/5％CCl2F2の酸素を60％にすると、異方性プロ
ファイルが形成されることは予想されなかったが、実際
には、1.5分で300Åのシリコン皮膜中に、すなわち2000
Å／分のエッチ速度で、完全に異方性のプロファイルが
形成されることが判明した。これらの結果は、負荷を固
定したアプライド・マテリアルズ（Applied Material
s）のAME8330型ラッチ・リアクタ中で、400W、20mTor
r、総流量45SCCM、直流バイアス150Vの条件下で得られ
たものである。さらに、このエッチングは、下のゲート
酸化物に対して著しい選択性を示し、完全に100％オー
バエッチする間に、ゲート酸化物はわずか25Åしか除去
されなかった。
ファイルが形成されることは予想されなかったが、実際
には、1.5分で300Åのシリコン皮膜中に、すなわち2000
Å／分のエッチ速度で、完全に異方性のプロファイルが
形成されることが判明した。これらの結果は、負荷を固
定したアプライド・マテリアルズ（Applied Material
s）のAME8330型ラッチ・リアクタ中で、400W、20mTor
r、総流量45SCCM、直流バイアス150Vの条件下で得られ
たものである。さらに、このエッチングは、下のゲート
酸化物に対して著しい選択性を示し、完全に100％オー
バエッチする間に、ゲート酸化物はわずか25Åしか除去
されなかった。
上記の実験結果から、種々のフッ素化ハロカーボン（CF
4、CHF3）及び種々のクロロフルオロカーボン（CCl
2F2、CF3Cl）において、通常このようなフッ素化ハロカ
ーボンでエッチングを行なうタングステン等の導電材料
のエッチ速度を共に著しく増大させることができること
がわかる。このエッチ速度の増大は、一般にクロロフル
オロカーボンの添加量が低いほど（すなわち１％ないし
10％）著しい。この発明を、CCl2F2及びCF3Clの添加に
ついて例示したが、解離したハロゲン及びほぼ飽和した
ハロカーボン種を生成する他のクロロフルオロカーボン
も使用することができる。エッチング反応に関与する活
性ハロゲンの相対的レベルが重要なことに加えて、CFX
遊離基が、表面での不揮発性の酸化タングステンの存在
量を減少させるのに関与している可能性があることを示
す証拠がある。本明細書で開示した化学組成がすべての
老化度の表面について一貫した性能を示すのに比べて、
老化したタングステン・ウェハでCF4／O2及びO2によっ
て得られる結果にばらつきがあることは、この説を支持
するものである。さらに、この発明を、CF4及びCHF3に
ついて説明してきたが、他のフッ素を含有するハロカー
ボン（たとえばC2F6、C3F6）についても、また他のフッ
素を含有する気体（たとえばSF6）についても本発明を
使用することができる。酸素のほかに、反応系に原子状
の酸素を供給する他の酸化性気体（たとえばCO2、NO
等）も使用することができる。この発明のプラズマは、
タングステンを主成分とする他の材料（たとえばケイ化
タングステン）や、塩素をベースとするプラズマ及びフ
ッ素をベースとするプラズマ中で、高揮発性の反応生成
物を生成する他の耐熱性金属（たとえばチタン）のエッ
チングに使用することもできる。
4、CHF3）及び種々のクロロフルオロカーボン（CCl
2F2、CF3Cl）において、通常このようなフッ素化ハロカ
ーボンでエッチングを行なうタングステン等の導電材料
のエッチ速度を共に著しく増大させることができること
がわかる。このエッチ速度の増大は、一般にクロロフル
オロカーボンの添加量が低いほど（すなわち１％ないし
10％）著しい。この発明を、CCl2F2及びCF3Clの添加に
ついて例示したが、解離したハロゲン及びほぼ飽和した
ハロカーボン種を生成する他のクロロフルオロカーボン
も使用することができる。エッチング反応に関与する活
性ハロゲンの相対的レベルが重要なことに加えて、CFX
遊離基が、表面での不揮発性の酸化タングステンの存在
量を減少させるのに関与している可能性があることを示
す証拠がある。本明細書で開示した化学組成がすべての
老化度の表面について一貫した性能を示すのに比べて、
老化したタングステン・ウェハでCF4／O2及びO2によっ
て得られる結果にばらつきがあることは、この説を支持
するものである。さらに、この発明を、CF4及びCHF3に
ついて説明してきたが、他のフッ素を含有するハロカー
ボン（たとえばC2F6、C3F6）についても、また他のフッ
素を含有する気体（たとえばSF6）についても本発明を
使用することができる。酸素のほかに、反応系に原子状
の酸素を供給する他の酸化性気体（たとえばCO2、NO
等）も使用することができる。この発明のプラズマは、
タングステンを主成分とする他の材料（たとえばケイ化
タングステン）や、塩素をベースとするプラズマ及びフ
ッ素をベースとするプラズマ中で、高揮発性の反応生成
物を生成する他の耐熱性金属（たとえばチタン）のエッ
チングに使用することもできる。
Claims (2)
- 【請求項１】塩素をベースとするプラズマおよびフッ素
をベースとするプラズマ中で高揮発性の反応生成物を生
成する耐熱金属層をポリマ層および絶縁層よりも高いエ
ッチ速度でエッチングする方法であって、CF4およびCHF
3からなる群から選択されたフッ素ベースのハロカーボ
ンガスおよび酸化性ガスを含むプラズマガスに約５−20
％のクロロフルオロカーボンガスを、上記フッ素ハロカ
ーボンガスが上記クロロフルオロカーボンガスより多い
量からなるプラズマガスとなるように添加し、上記耐熱
金属層をエッチングするプラズマ・エッチング方法。 - 【請求項２】上記クロフルオロカーボンガスがCCl2F2お
よびCF3Clからなる群から選択される請求項１に記載の
プラズマ・エッチング方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/123,640 US4836887A (en) | 1987-11-23 | 1987-11-23 | Chlorofluorocarbon additives for enhancing etch rates in fluorinated halocarbon/oxidant plasmas |
| US123640 | 1987-11-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01161838A JPH01161838A (ja) | 1989-06-26 |
| JPH0682638B2 true JPH0682638B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=22409920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63220603A Expired - Lifetime JPH0682638B2 (ja) | 1987-11-23 | 1988-09-05 | プラズマ・エツチング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4836887A (ja) |
| EP (1) | EP0317794B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0682638B2 (ja) |
| DE (1) | DE3852619T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4997520A (en) * | 1988-06-10 | 1991-03-05 | Texas Instruments Incorporated | Method for etching tungsten |
| US5385633A (en) * | 1990-03-29 | 1995-01-31 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for laser-assisted silicon etching using halocarbon ambients |
| US5493445A (en) * | 1990-03-29 | 1996-02-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Laser textured surface absorber and emitter |
| US5160408A (en) * | 1990-04-27 | 1992-11-03 | Micron Technology, Inc. | Method of isotropically dry etching a polysilicon containing runner with pulsed power |
| US5110411A (en) * | 1990-04-27 | 1992-05-05 | Micron Technology, Inc. | Method of isotropically dry etching a poly/WSix sandwich structure |
| US5108542A (en) * | 1990-08-23 | 1992-04-28 | Hewlett Packard Company | Selective etching method for tungsten and tungsten alloys |
| US5358601A (en) * | 1991-09-24 | 1994-10-25 | Micron Technology, Inc. | Process for isotropically etching semiconductor devices |
| US5356692A (en) * | 1992-07-27 | 1994-10-18 | Lockheed Missiles & Space Company, Inc. | Grid structure with sinuous interstices |
| US5983828A (en) * | 1995-10-13 | 1999-11-16 | Mattson Technology, Inc. | Apparatus and method for pulsed plasma processing of a semiconductor substrate |
| US6253704B1 (en) | 1995-10-13 | 2001-07-03 | Mattson Technology, Inc. | Apparatus and method for pulsed plasma processing of a semiconductor substrate |
| US6794301B2 (en) | 1995-10-13 | 2004-09-21 | Mattson Technology, Inc. | Pulsed plasma processing of semiconductor substrates |
| US5672242A (en) * | 1996-01-31 | 1997-09-30 | Integrated Device Technology, Inc. | High selectivity nitride to oxide etch process |
| US5793913A (en) * | 1996-07-10 | 1998-08-11 | Northern Telecom Limited | Method for the hybrid integration of discrete elements on a semiconductor substrate |
| US6120697A (en) * | 1997-12-31 | 2000-09-19 | Alliedsignal Inc | Method of etching using hydrofluorocarbon compounds |
| KR100292616B1 (ko) * | 1998-10-09 | 2001-07-12 | 윤종용 | 트렌치격리의제조방법 |
| US6515328B1 (en) | 1999-02-04 | 2003-02-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor devices with reduced control gate dimensions |
| JP4551991B2 (ja) * | 2000-06-27 | 2010-09-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | プラズマエッチング方法およびこれを用いて製造された半導体装置 |
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| US6518164B1 (en) * | 2001-11-30 | 2003-02-11 | United Microelectronics Corp. | Etching process for forming the trench with high aspect ratio |
| TWI319204B (en) * | 2004-10-12 | 2010-01-01 | Hynix Semiconductor Inc | Method for fabricating semiconductor device using tungsten as sacrificial hard mask |
| JP4744261B2 (ja) * | 2005-10-18 | 2011-08-10 | トヨタ自動車株式会社 | 救急車両 |
| CN104517821B (zh) * | 2013-09-26 | 2017-11-21 | 北大方正集团有限公司 | 薄场铝栅的铝刻蚀工艺及其应用 |
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| US123639A (en) * | 1872-02-13 | Improvement in beer-forcing apparatus | ||
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| US4447290A (en) * | 1982-06-10 | 1984-05-08 | Intel Corporation | CMOS Process with unique plasma etching step |
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| US4726879A (en) * | 1986-09-08 | 1988-02-23 | International Business Machines Corporation | RIE process for etching silicon isolation trenches and polycides with vertical surfaces |
| US4713141A (en) * | 1986-09-22 | 1987-12-15 | Intel Corporation | Anisotropic plasma etching of tungsten |
-
1987
- 1987-11-23 US US07/123,640 patent/US4836887A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-09-05 JP JP63220603A patent/JPH0682638B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-10-31 DE DE3852619T patent/DE3852619T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-10-31 EP EP88118087A patent/EP0317794B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0317794A2 (en) | 1989-05-31 |
| US4836887A (en) | 1989-06-06 |
| EP0317794B1 (en) | 1994-12-28 |
| DE3852619D1 (de) | 1995-02-09 |
| DE3852619T2 (de) | 1995-07-06 |
| JPH01161838A (ja) | 1989-06-26 |
| EP0317794A3 (en) | 1989-07-05 |
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