CN104517821B - 薄场铝栅的铝刻蚀工艺及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及刻蚀工艺，公开了一种薄场铝栅的铝刻蚀工艺及其应用，所述薄场铝栅的铝刻蚀工艺包括主刻蚀步骤和过刻蚀步骤，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：在主刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为‑220～‑180伏，自动捕捉终点；在过刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为‑220～‑180伏，过刻蚀时长为1分钟。采用本发明的技术方案，可大大提高铝比氧化层的选择比，减少栅氧损失，进而提高产品良率。
Description
技术领域
本发明涉及刻蚀工艺，特别是涉及一种薄场铝栅的铝刻蚀工艺及其应用。
背景技术
铝刻蚀是半导体制造领域主要的刻蚀工艺之一，主要作用是将设计的金属栅及连线图形转移到产品上，从而实现栅极或者连线的作用。6寸半导体制造工厂的铝刻蚀机一般为应用材料8330铝刻蚀机和LAM9600铝刻蚀机。
在半导体制造领域，应用材料8330铝刻蚀机用常规的方法能做的最大选择比Al/OX（铝比氧化层）为3/1，因为应用材料8330铝刻蚀机设备本身硬件构造的特性导致其各向异性能力很弱，在铝刻蚀过程中必须增加偏压，加强各向异性的刻蚀，才能保证铝形貌符合产品规范要求，这样则必然会导致较低的铝对氧化层的选择比。应用材料8330铝刻蚀机作业模式为炉式（单腔多片，一次最多可同时放18片），存在一定的片间差异。
薄场铝栅的铝刻蚀工艺，因为其衬底氧化层非常的薄，要求刻蚀对衬底损伤越小越好，对铝刻蚀机台工艺的铝对氧化层的选择比要求非常高。薄场铝栅产品的栅氧非常的薄，只有520埃左右，过低的选择比使得应用材料8330铝刻蚀机极难实现薄场铝栅的铝刻蚀。
2.5微米薄场铝栅工艺，铝下的栅氧仅且在干法刻蚀之后要保留以上的栅氧，即栅氧损失最大点只能为而现有技术中应用材料8330铝刻蚀机采用标准CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）工艺进行铝刻蚀时，采用氯气、三氯化硼和三氟甲烷的混合气体来刻蚀金属铝，当刻蚀薄场铝栅的铝层时，存在铝对氧化层的选择比过低的技术问题，一般刻蚀的铝，栅氧损失一般在远大于栅氧允许的最大损失
现有技术的缺陷在于，薄场铝栅在应用材料8330铝刻蚀机上采用标准CMOS工艺作业时，铝对氧化层的选择比较低，导致栅氧易被刻穿，并损伤衬底，造成产品报废。
发明内容
本发明的目的是提供一种薄场铝栅的铝刻蚀工艺及其应用，用以提高铝对氧化层的选择比，减少栅氧损失，提高产品良率。
本发明涉及一种薄场铝栅的铝刻蚀工艺，包括主刻蚀步骤和过刻蚀步骤，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
在主刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为-220～-180伏，自动捕捉终点；
在过刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为-220～-180伏，过刻蚀时长为1分钟。
在本发明技术方案中，相对于标准CMOS工艺，降低负偏压，增加了氯气流量并增大了压力，大大提高了铝比氧化层的选择比，进而减少栅氧损失，避免损伤衬底，提高产品的良率。
作为优选，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
在主刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，自动捕捉终点；
在过刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，过刻蚀时长为1分钟。
作为优选，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
在主刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，氮气的流量为60～80标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为-220～-180伏，自动捕捉终点；
在过刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，氮气的流量为60～80标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为-220～-180伏，过刻蚀时长为1分钟。
在本发明优选的技术方案中，引入氮气，由于氮气可与铝条侧壁生成氮化铝，因此很好地保护了铝条侧壁，并获得了很好的均匀性。
作为进一步优选，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
在主刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，氮气的流量为60～80标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，自动捕捉终点；
在过刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，氮气的流量为60～80标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，过刻蚀时长为1分钟。
作为更进一步优选，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
在主刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，氮气的流量为75标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，自动捕捉终点；
在过刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，氮气的流量为75标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，过刻蚀时长为1分钟。
对上述任一项所述工艺，在所述过刻蚀步骤之后还包括对所述薄场铝栅进行湿法刻蚀。
为了保证无硅渣，还需要对过刻蚀步骤之后的薄场铝栅进行湿法刻蚀，用于去除硅渣，例如，采用Freckle药液进行湿法扫硅渣。
本发明还涉及上述工艺在使用应用材料8330铝刻蚀机进行薄场铝栅的铝刻蚀中的应用。
本发明提供的薄场铝栅的铝刻蚀工艺，降低负偏压、增加氯气的流量，并且增大压力，大大提高了Al/OX的选择比；引入氮气，很好地保护了铝条侧壁，并获得了很好的均匀性；衬底无损伤，栅氧仅刻蚀左右。与应用材料8330标准CMOS工艺相比，本发明所提供的应用材料8330铝刻蚀机优化后薄场铝栅的铝刻蚀工艺的均匀性和选择比均有很大的改善，因为应用材料8330铝刻蚀机本身各向异性能力较弱及湿法刻蚀去除硅渣的引入，本发明所提供的应用材料8330铝刻蚀机优化后薄场铝栅的铝刻蚀工艺刻蚀后检验关键尺寸（After Etching Inspection Critical Dimension，简称AEI CD），即最小铝条宽度，比LAM9600铝刻蚀机小0.3um，更接近规范的中心值，能包住前层的孔，且轮廓角度大于85度，符合产品要求。在线的外观检验、关键尺寸及残氧的测量均符合产品的要求，圆片测试（Wafer Acceptance Test，简称WAT）及封装前对晶圆进行测试（Chip Prober，简称CP）的良率也正常，并可与LAM9600匹配。
具体实施方式
为了提高对薄场铝栅进行铝刻蚀时铝比氧化层的选择比，本发明实施例提供一种场铝栅的铝刻蚀工艺及其应用。在该技术方案中，相对于标准CMOS工艺，降低负偏压，增加了氯气流量并增大了压力，大大提高了铝比氧化层的选择比，进而减少栅氧损失，避免损伤衬底，提高了产品的良率。为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下举具体实施例对本发明作进一步详细的说明。
本发明实施例提供一种薄场铝栅的铝刻蚀工艺，包括主刻蚀步骤和过刻蚀步骤，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
在主刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为-220～-180伏，自动捕捉终点；
在过刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为-220～-180伏，过刻蚀时长为1分钟。
上述主刻蚀步骤和过刻蚀步骤的铝刻蚀条件可用以下方式表示：
主刻蚀：
30～40sccm Cl2/125～150sccm BCl3/35～45mTorr/-220～-180V/EPD；
过刻蚀：
30～40sccm Cl2/125～150sccm BCl3/35～45mTorr/-220～-180V/01:00。
其中，sccm即标况毫升每分，全称为Standard-state Cubic Centimeter perMinute，其为体积流量单位；Cl2为氯气；BCl3为三氯化硼；mTorr即毫托，压力单位；V即伏特，简称伏，偏压单位；EPD即自动捕捉终点，全称为End PointDetector；01:00表示一分钟。后续列举的具体实施例采用该方式表示主刻蚀步骤和过刻蚀步骤的铝刻蚀条件。
在本发明实施例中，相对于标准CMOS工艺，降低负偏压，增加了氯气流量并增大了压力，大大提高了铝比氧化层的选择比，进而减少栅氧损失，避免损伤衬底，提高产品的良率。更优选的，在主刻蚀和过刻蚀中，氯气的流量为32～38sccm，三氯化硼的流量为128～135sccm，压力为38～42mTorr，负偏压为-195～-205V，主刻蚀自动捕捉终点，过刻蚀时长为一分钟。
作为优选，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
在主刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，自动捕捉终点；
在过刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，过刻蚀时长为1分钟。
本发明优选的实施例，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
在主刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，氮气的流量为60～80标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为-220～-180伏，自动捕捉终点；
在过刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，氮气的流量为60～80标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为-220～-180伏，过刻蚀时长为1分钟。
在本发明优选的实施例中，引入氮气，由于氮气可与铝条侧壁生成氮化铝，因此很好地保护了铝条侧壁，并获得了很好的均匀性。
作为进一步优选，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
在主刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，氮气的流量为60～80标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，自动捕捉终点；
在过刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，氮气的流量为60～80标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，过刻蚀时长为1分钟。
作为更进一步优选，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
在主刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，氮气的流量为75标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，自动捕捉终点；
在过刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，氮气的流量为75标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，过刻蚀时长为1分钟。
对上述任一实施例所述工艺，在所述过刻蚀步骤之后还包括对所述薄场铝栅进行湿法刻蚀。为了保证无硅渣，还需要对过刻蚀步骤之后的薄场铝栅进行湿法刻蚀，用于去除硅渣，例如，采用Freckle药液进行湿法扫硅渣。
在上述实施例中，若工艺要求栅氧层比较薄，且要求刻蚀后还有一定厚度的栅氧残留，则可增加氯气的流量，同时增加氮气的流量，来达到铝条侧壁形貌能满足要求的前提下，残留的氧化层厚度达到要求。
本发明实施例还涉及上述工艺在使用应用材料8330铝刻蚀机进行薄场铝栅的铝刻蚀中的应用。
在对薄场铝栅进行铝刻蚀之前包括：在衬底上形成栅氧层及覆盖栅氧层的铝金属层；在铝金属层表面上形成光刻胶层，覆盖所述铝金属层；对所述光刻胶层进行光刻，在所述光刻胶层上形成所需要的刻蚀的区域。本发明实施例提供的是利用应用材料8330铝刻蚀机对所述区域进行薄场铝栅的刻蚀，形成所需要的图形。在刻蚀之后还要去除所述光刻胶层。
以下列举具体实施例来说明所提供的薄场铝栅的铝刻蚀工艺。但本发明并不限于下述实施例。
应用材料8330标准CMOS工艺：
主刻蚀：21sccm Cl2/145sccm BCl3/14sccm CHF3/25mTorr/-250V/EPD（自动捕捉终点）；
过刻蚀：21sccm Cl2/145sccm BCl3/14sccm CHF3/25mTorr/-250V/8:30。
标准CMOS工艺的主刻蚀（过刻蚀与主刻蚀一致）Al/OX选择比为2.5：1，而应用材料8330作业薄场铝栅至少需要提升Al/OX选择比至8/1，同时保证Unif（均匀性）<10%，否则无法保证Rox（剩余氧化层）>
为了满足应用材料8330作业薄场铝栅的这些条件，发明人引进N2，并对压力、负偏压、Cl2、N2和BCl3五个参数进行了优化。
优化结果见表1。
表1：应用材料8330作业薄场铝栅工艺的参数优化结果
将负偏压降低，并将压力及Cl2增加，可以提升Al/OX的选择比，同时，导入N2可以保护铝条侧壁不被侵蚀并可以改善均匀性。根据铝刻蚀完后栅氧剩余厚度及铝条形貌的要求，本领域技术人员可对上述参数在给定的最小值和最大值之间进行调整，可实现提高铝比氧化层选择比，并保护产品衬底的目的。
以下实施例使用应用材料8330铝刻蚀机进行薄场铝栅的铝刻蚀工艺流程为：
将待刻蚀的器件传入刻蚀腔，按照设定的流量通入所需的混合气体，通过抽真空系统使压力稳定在预先设定的压力值35～45mTorr；压力稳定后，开启射频功率，电离混合气体，形成含氯的等离子体，等离子体与铝发生反应；铝被刻蚀完后，关闭射频功率，刻蚀停止。在刻蚀的过程中，真空泵一直工作，抽去器件表面的气体，包括反应生成的三氯化铝气体、脱离器件的含碳、氮的聚合物、未被电离的反应气体及未完全反应的含氯等离子体，最终得出所需要的无过刻的图形。其中，根据铝条形貌的要求，设定好刻蚀腔的压力、混合气体中各气体的流量、负偏压及最大作业时间。压力通过压力计（Manometer）来控制，气体流量通过质量流量计（Mass Flow Control，简称MFC）来控制，负偏压通过射频功率发生器来设定。负偏压可根据铝条形貌的需要，在-180伏到-220伏内选定，作业时间则根据实际的刻蚀速率以及铝金属层厚度共同决定来设定，氯气则根据刻蚀速率及铝条形貌的要求来设定，一般在30sccm～40sccm之间，三氯化硼则根据铝条侧壁的形貌来设定，一般在125sccm～150sccm之间，氮气也是根据铝条侧壁的形貌来设定，一般在60sccm～80sccm之间。
实施例1
本实施例的薄场铝栅铝刻蚀工艺，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
主刻蚀：
30sccm Cl2/150sccm BCl3/35mTorr/-180V/EPD；
过刻蚀：
30sccm Cl2/150sccm BCl3/35mTorr/-180V/01:00。
经试验发现，本实施例的刻蚀工艺，与标准CMOS工艺相比，有着更好的均匀性及更高的选择比。具体结果见表2，其中，选择比（Al/PR）表示铝比光刻胶的选择比。
表2：实施例1刻蚀工艺与标准CMOS工艺的效果对比表
| 工艺 | 片内均匀性 | 片间均匀性 | 选择比(Al/OX) | 选择比(Al/PR) |
| 标准CMOS工艺 | 10% | 10% | 2.5:1 | 1.4:1 |
| 实施例1刻蚀工艺 | 8% | 9% | 7:1 | 1.5:1 |
本实施例的应用材料8330刻蚀工艺，为保证无硅渣，需加Freckle药液湿法扫硅渣100秒，最终得出来的结果符合产品要求，与目前正常作业薄场铝栅的LAM9600比较，结果见表3。
表3：实施例1刻蚀工艺与LAM9600刻蚀工艺结果比较表
实施例2
本实施例的薄场铝栅铝刻蚀工艺，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
主刻蚀：
40sccm Cl2/130sccm BCl3/45mTorr/-220V/EPD；
过刻蚀：
40sccm Cl2/130sccm BCl3/45mTorr/-220V/01:00。
经试验发现，本实施例的刻蚀工艺，与标准CMOS工艺相比，有着更好的均匀性及更高的选择比。具体结果见表4。
表4：实施例2刻蚀工艺与标准CMOS工艺的效果对比表
| 工艺 | 片内均匀性 | 片间均匀性 | 选择比(Al/OX) | 选择比(Al/PR) |
| 标准CMOS工艺 | 10% | 10% | 2.5:1 | 1.4:1 |
| 实施例2刻蚀工艺 | 8% | 8% | 9:1 | 1.6:1 |
本实施例的应用材料8330刻蚀工艺，为保证无硅渣，需加Freckle药液湿法扫硅渣100秒，最终得出来的结果符合产品要求，与目前正常作业薄场铝栅的LAM9600比较，结果见表5。
表5：实施例2刻蚀工艺与LAM9600刻蚀工艺结果比较表
实施例3
本实施例的工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
主刻蚀：35sccm Cl2/130sccm BCl3/40mTorr/-200V/EPD；
过刻蚀：35sccm Cl2/130sccm BCl3/40mTorr/-200V/01:00。
经试验发现，本实施例的刻蚀工艺，与标准CMOS工艺相比，有着更好的均匀性及更高的选择比。具体结果见表6。
表6：实施例3刻蚀工艺与标准CMOS工艺的效果对比表
| 工艺 | 片内均匀性 | 片间均匀性 | 选择比(Al/OX) | 选择比(Al/PR) |
| 标准CMOS工艺 | 10% | 10% | 2.5:1 | 1.4:1 |
| 实施例3刻蚀工艺 | 7% | 8% | 8:1 | 1.5:1 |
本实施例的应用材料8330刻蚀工艺，为保证无硅渣，需加Freckle药液湿法扫硅渣100秒，最终得出来的结果符合产品要求，与目前正常作业薄场铝栅的LAM9600比较，结果见表7。
表7：实施例3刻蚀工艺与LAM9600刻蚀工艺结果比较
实施例4
本实施例的工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
主刻蚀：
30sccm Cl2/150sccm BCl3/60sccm N2/45mTorr/-220V/EPD；
过刻蚀：
30sccm Cl2/150sccm BCl3/60sccm N2/45mTorr/-220V/01:00。
经试验发现，本实施例的刻蚀工艺，与标准CMOS工艺相比，有着更好的均匀性及更高的选择比。具体结果见表8。
表8：实施例4刻蚀工艺与标准CMOS工艺的效果对比表
| 工艺 | 片内均匀性 | 片间均匀性 | 选择比(Al/OX) | 选择比(Al/PR) |
| 标准CMOS工艺 | 10% | 10% | 2.5:1 | 1.4:1 |
| 实施例4刻蚀工艺 | 7% | 8% | 9:1 | 1.8:1 |
本实施例的应用材料8330刻蚀工艺，为保证无硅渣，需加Freckle药液湿法扫硅渣100秒，最终得出来的结果符合产品要求，与目前正常作业薄场铝栅的LAM9600比较，结果见表9。
表9：实施例4刻蚀工艺与LAM9600刻蚀工艺结果比较表
实施例5
本实施例的工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
主刻蚀：
40sccm Cl2/130sccm BCl3/80sccm N2/35mTorr/-180V/EPD；
过刻蚀：
40sccm Cl2/130sccm BCl3/80sccm N2/35mTorr/-180V/01:00。
经试验发现，本实施例的刻蚀工艺，与标准CMOS工艺相比，有着更好的均匀性及更高的选择比。具体结果见表10。
表10：实施例5刻蚀工艺与标准CMOS工艺的效果对比表
| 工艺 | 片内均匀性 | 片间均匀性 | 选择比(Al/OX) | 选择比(Al/PR) |
| 标准CMOS工艺 | 10% | 10% | 2.5:1 | 1.4:1 |
| 实施例5刻蚀工艺 | 7% | 8% | 10:1 | 2:1 |
本实施例的应用材料8330刻蚀工艺，为保证无硅渣，需加Freckle药液湿法扫硅渣100秒，最终得出来的结果符合产品要求，与目前正常作业薄场铝栅的LAM9600比较，结果见表11。
表11：实施例5刻蚀工艺与LAM9600刻蚀工艺结果比较表
实施例6
本实施例的工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
主刻蚀：35sccm Cl2/130sccm BCl3/75sccm N2/40mTorr/－200V/EPD；
过刻蚀：35sccm Cl2/130sccm BCl3/75sccm N2/40mTorr/－200V/01:00。
经试验发现，本实施例的刻蚀工艺，与标准CMOS工艺相比，有着更好的均匀性及更高的选择比。具体结果见表12。
表12：实施例6刻蚀工艺与标准CMOS工艺的效果对比表
| 工艺 | 片内均匀性 | 片间均匀性 | 选择比(Al/OX) | 选择比(Al/PR) |
| 标准CMOS工艺 | 10% | 10% | 2.5:1 | 1.4：1 |
| 实施例6刻蚀工艺 | 6% | 8% | 10:1 | 2：1 |
本实施例的应用材料8330刻蚀工艺，为保证无硅渣，需加Freckle药液湿法扫硅渣100秒，最终得出来的结果符合产品要求，与目前正常作业薄场铝栅的LAM9600比较，结果见表13。
表13：实施例6刻蚀工艺与LAM9600刻蚀工艺结果比较表
本发明上述实施例所提供的应用材料8330优化后刻蚀工艺的有益效果至少有：
降低负偏压、增加Cl2及压力，大大提高了Al/OX的选择比；引入N2，很好的保护了铝条侧壁，并获得了很好的均匀性；衬底无损伤，栅氧仅刻蚀左右。与应用材料8330标准工艺CMOS相比，本发明所提供的应用材料8330优化后薄场铝栅铝刻蚀工艺的均匀性和选择比均有很大的改善，因为应用材料8330本身各向异性能力较弱及采用Freckle药液湿法扫硅渣的引入，本发明所提供的应用材料8330优化后薄场铝栅铝刻蚀工艺刻蚀后检验关键尺寸比LAM9600铝刻蚀机小0.3um，更接近规范的中心值，能包住前层的孔，且轮廓角度大于85度，符合产品要求。在线的外观检验、关键尺寸及残氧的测量均符合产品的要求，圆片测试以及封装前对晶圆进行测试的良率）也正常，并可与LAM9600匹配。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的构思和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (7)
1.一种薄场铝栅的铝刻蚀工艺，其特征在于，包括主刻蚀步骤和过刻蚀步骤，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
在主刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为-220～-180伏，自动捕捉终点；
在过刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为-220～-180伏，过刻蚀时长为1分钟。
2.如权利要求1所述工艺，其特征在于，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
在主刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，自动捕捉终点；
在过刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，过刻蚀时长为1分钟。
3.如权利要求1所述工艺，其特征在于，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
在主刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，氮气的流量为60～80标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为-220～-180伏，自动捕捉终点；
在过刻蚀步骤中，氯气的流量为30～40标况毫升每分，三氯化硼的流量为125～150标况毫升每分，氮气的流量为60～80标况毫升每分，压力为35～45毫托，负偏压为-220～-180伏，过刻蚀时长为1分钟。
4.如权利要求3所述工艺，其特征在于，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
在主刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，氮气的流量为60～80标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，自动捕捉终点；
在过刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，氮气的流量为60～80标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，过刻蚀时长为1分钟。
5.如权利要求4所述工艺，其特征在于，所述工艺使用应用材料8330铝刻蚀机进行，薄场铝栅的铝刻蚀条件如下：
在主刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，氮气的流量为75标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，自动捕捉终点；
在过刻蚀步骤中，氯气的流量为35标况毫升每分，三氯化硼的流量为130标况毫升每分，氮气的流量为75标况毫升每分，压力为40毫托，负偏压为-200伏，过刻蚀时长为1分钟。
6.如权利要求1～5任一项所述工艺，其特征在于，在所述过刻蚀步骤之后还包括对所述薄场铝栅进行湿法刻蚀。
7.权利要求1～6任一项所述工艺在使用应用材料8330铝刻蚀机进行薄场铝栅的铝刻蚀中的应用。
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