CN108198745A - 源漏极成膜前处理方法 - Google Patents

源漏极成膜前处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108198745A
CN108198745A CN201711465227.3A CN201711465227A CN108198745A CN 108198745 A CN108198745 A CN 108198745A CN 201711465227 A CN201711465227 A CN 201711465227A CN 108198745 A CN108198745 A CN 108198745A
Authority
CN
China
Prior art keywords
drain electrode
source
hydrogen
treating method
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201711465227.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108198745B (zh
Inventor
刘刚
铃木浩司
张毅先
任思雨
苏君海
李建华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Truly Huizhou Smart Display Ltd
Original Assignee
Truly Huizhou Smart Display Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Truly Huizhou Smart Display Ltd filed Critical Truly Huizhou Smart Display Ltd
Priority to CN201711465227.3A priority Critical patent/CN108198745B/zh
Publication of CN108198745A publication Critical patent/CN108198745A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108198745B publication Critical patent/CN108198745B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

一种源漏极成膜前处理方法，包括如下步骤：在预处理腔室内，将碳氟气体、氢气和氩气的混合气体进行电离操作，形成等离子体；在所述预处理腔室内，采用所述等离子体对自然形成的二氧化硅层进行干法刻蚀操作。上述源漏极成膜前处理方法，通过碳氟气体、氢气和氩气的混合气体对自然形成的二氧化硅层进行干法刻蚀操作，能够较好地去除P‑Si或者A‑Si表面自然形成的二氧化硅，由于氩气的存在，能够减少碳氟气体对侧壁中正常的二氧化硅的腐蚀，从而对侧壁中GI和ILD中的二氧化硅影响较小。此外，由于氢气的存在，还能够减少对P‑Si或者A‑Si的刻蚀，提高了刻蚀选择比，能够较好地去除非晶硅或者多晶硅表面自然形成的二氧化硅层。

Description

源漏极成膜前处理方法
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域，特别是涉及一种源漏极成膜前处理方法。
背景技术
随着科学技术的发展，LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅) 薄膜晶体管液晶显示器因其更薄、高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率 等优点而得到较为广泛的应用。
在LTPS薄膜晶体管液晶显示器生产过程中，LTPS的P-Si(polycrystallinesilicon，多晶硅)或者A-Si(Amorphous Silicon，非晶硅)接触到空气中的氧气 时，容易被氧化，从而在LTPS的P-Si或者A-Si表面自然形成一层二氧化硅 (SiO2)，LTPS的P-Si表面的二氧化硅的存在，会严重影响后续S/D(source/drain, 源极/漏极，简称源漏极)与P-Si的搭接，使得S/D与P-Si之间的电阻过大，从 而严重影响薄膜晶体管的性能。
目前行业内为了去除P-Si表面的二氧化硅，通常在S/D成膜前，采用DHF (iluteHydrofluoric Acid，稀氟氢酸)处理，以去除P-Si表面的二氧化硅。虽然 DHF不会刻蚀P-Si，但是采用DHF处理的方式会影响到LTPS的GI(Gate Insulator，栅极绝缘层)和ILD(interlayer dielectric，层间绝缘层)。GI一般采 用SiO2结构，而ILD一般采用SiO2/SiN结构。采用DHF去除P-Si表面的二氧 化硅时，也会对侧壁上的GI和ILD中的二氧化硅产生刻蚀，如此，容易使得侧 壁出现“底切”现象，导致后续的S/D断裂，进而影响薄膜晶体管的性能。
发明内容
基于此，有必要提供一种能够较好地去除P-Si或者A-Si表面自然形成的二 氧化硅以及对GI和ILD中的二氧化硅影响较小的源漏极成膜前处理方法。
一种源漏极成膜前处理方法，包括如下步骤：
在预处理腔室内，将碳氟气体、氢气和氩气的混合气体进行电离操作，形 成等离子体；
在所述预处理腔室内，采用所述等离子体对自然形成的二氧化硅层进行干 法刻蚀操作。
在其中一个实施例中，所述碳氟气体为C2H5、C2HF5、C4F8、C5F8、CHF3和CH2F2中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述碳氟气体、氢气和氩气的流量比为“7.7～8.4”： “4.6～5.3”：“29～31”。
在其中一个实施例中，所述碳氟气体、氢气和氩气的流量比为“7.8～8.1”： “4.9～5.15”：“29.7～30.2”。
在其中一个实施例中，所述碳氟气体、氢气和氩气的流量比为8：5：30。
在其中一个实施例中，所述氩气的流量为290sccm～310sccm。
在其中一个实施例中，所述碳氟气体为C2HF5，所述C2HF5的流量为 75sccm～90sccm。
在其中一个实施例中，所述C2HF5的流量为80sccm。
在其中一个实施例中，所述氢气的流量为45sccm～55sccm。
在其中一个实施例中，所述氢气的流量为50sccm。
上述源漏极成膜前处理方法，通过碳氟气体、氢气和氩气的混合气体对自 然形成的二氧化硅层进行干法刻蚀操作，碳氟气体、氢气和氩气的混合气体经 电离形成CFx +、F+、H+、Ar+等粒子，其会与硅层接触会发生如下反应： CFx ++SiO2→SiF4+CO2+etc，F++Si→SiF4，H++F+→HF，F+的存在会造成Si大量 刻蚀，通过加入氢气，电离后产生的H+与F+结合，大量消耗F+，减少了对P-Si 或者A-Si的刻蚀，提高了刻蚀选择比，从而能够较好地去除非晶硅或者多晶硅 表面自然形成的二氧化硅层。通过加入氩气，氩气经电离后产生的Ar+轰击反应 后的沉积物，使得沉积物附着在侧壁，从而能够较好地保护侧壁，减少侧壁的 二氧化硅被进一步腐蚀。如此，上述源漏极成膜前处理方法，在源漏极成膜前 对自然形成的二氧化硅层进行去除处理，能够较好地去除P-Si或者A-Si表面自 然形成的二氧化硅，同时，由于氩气的存在，能够减少在去除P-Si或者A-Si表 面自然形成的二氧化硅的过程中，碳氟气体对侧壁中正常的二氧化硅的腐蚀， 从而对侧壁中GI和ILD中的二氧化硅影响较小。此外，由于氢气的存在，还能 够减少对P-Si或者A-Si的刻蚀，提高了刻蚀选择比，从而能够较好地去除非晶 硅或者多晶硅表面自然形成的二氧化硅层。
附图说明
图1为本发明一实施方式的源漏极成膜前处理方法的步骤流程图；
图2为本发明的实施例1的刻蚀选择比图；
图3为实施例1处理后的样本在电镜下的SEM形貌的示意图；
图4为对比例1处理后的样本在电镜下的SEM形貌的示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。 附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来 实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是 使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。当然，它们仅仅为示例，并且目 的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。 这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置 之间的关系。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发 明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了 描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
例如，一种源漏极成膜前处理方法，包括如下步骤：在预处理腔室内，将 碳氟气体、氢气和氩气的混合气体进行电离操作，形成等离子体；在所述预处 理腔室内，采用所述等离子体对自然形成的二氧化硅层进行干法刻蚀操作。
为了进一步说明上述源漏极成膜前处理方法，又一个例子是，请参阅图1， 一种源漏极成膜前处理方法包括如下步骤：
S110：在预处理腔室内，将碳氟气体、氢气和氩气的混合气体进行电离操 作，形成等离子体；
需要说明的是，通过将碳氟气体、氢气和氩气的混合气体进行电离操作， 首先，碳氟气体、氢气和氩气的混合气体经电离形成CFx +、F+、H+、Ar+等粒子， 如此，其后续能够较好地作用于P-Si或者A-Si表面自然形成的二氧化硅，能够 较好地去除P-Si或者A-Si表面自然形成的二氧化硅。将其应用于后续干法刻蚀 操作时，其会与硅层接触会发生如下反应：CFx ++SiO2→SiF4+CO2+etc， F++Si→SiF4，H++F+→HF，F+的存在会造成Si大量刻蚀，通过加入氢气，电离 后产生的H+与F+结合，大量消耗F+，减少了对P-Si或者A-Si的刻蚀，提高了 刻蚀选择比，从而能够较好地去除非晶硅或者多晶硅表面自然形成的二氧化硅 层。通过加入氩气，氩气经电离后产生的Ar+轰击反应后的沉积物，使得沉积物 附着在侧壁，从而能够较好地保护侧壁，减少侧壁的二氧化硅被进一步腐蚀， 从而对侧壁中GI和ILD中的二氧化硅影响较小。。
例如，碳氟气体为碳氟类气体和碳氟氢类气体中的至少一种。又如，所述 碳氟气体的通式为CxHyFz。又如，所述碳氟气体为C2H5、C2HF5、C4F8、C5F8、 CHF3和CH2F2中的至少一种。优选的，所述碳氟气体为C2H5或C2HF5。如此， 能够较好地去除非晶硅或者多晶硅表面自然形成的二氧化硅层，还能够较好地 保护侧壁，减少侧壁的二氧化硅被进一步腐蚀。
一实施例中，所述碳氟气体、氢气和氩气的流量比为“7.7～8.4”：“4.6～5.3”：“29～31”。优选的，所述碳氟气体、氢气和氩气的流量比为“7.8～8.1”：“4.9～5.15”：“29.7～30.2”。更优选的，所述碳氟气体、氢气和氩气的流量比为8：5：30。如 此，能够更好地去除非晶硅或者多晶硅表面自然形成的二氧化硅层，还能够更 好地保护侧壁，减少侧壁的二氧化硅被进一步腐蚀。
一实施例中，所述碳氟气体的流量为75sccm～90sccm。又如，所述碳氟气体 的流量为80sccm。优选的，所述碳氟气体为C2HF5，所述C2HF5的流量为 75sccm～90sccm。更优选的，所述C2HF5的流量为80sccm。如此，能够更好地 去除非晶硅或者多晶硅表面自然形成的二氧化硅层，还能够更好地保护侧壁， 减少侧壁的二氧化硅被进一步腐蚀。
一实施例中，所述氢气的流量为45sccm～55sccm。优选的，所述氢气的流 量为50sccm。如此，能够更好地去除非晶硅或者多晶硅表面自然形成的二氧化 硅层，还能够更好地保护侧壁，减少侧壁的二氧化硅被进一步腐蚀。
一实施例中，所述氩气的流量为290sccm～310sccm，优选的，所述氩气的流 量为300sccm。如此，能够更好地去除非晶硅或者多晶硅表面自然形成的二氧化 硅层，还能够更好地保护侧壁，减少侧壁的二氧化硅被进一步腐蚀。
一实施例中，所述预处理腔室内的压力为0.5Pa～3.99Pa，优选的，所述预处 理腔室内的压力为0.9Pa～1.88Pa，更优选的，所述预处理腔室内的压力为1Pa。 如此，能够更好地去除非晶硅或者多晶硅表面自然形成的二氧化硅层，还能够 更好地保护侧壁，减少侧壁的二氧化硅被进一步腐蚀。
尤其需要说明的是，当所述预处理腔室内的压力为1Pa，所述碳氟气体、氢 气和氩气的流量比为8：5：30，所述碳氟气体为C2HF5，所述C2HF5的流量为 80sccm，所述氢气的流量为50sccm，所述氩气的流量为300sccm时，能够更好 地去除非晶硅或者多晶硅表面自然形成的二氧化硅层，还能够更好地保护侧壁， 减少侧壁的二氧化硅被进一步腐蚀。
S120：在所述预处理腔室内，采用所述等离子体对自然形成的二氧化硅层 进行干法刻蚀操作。
例如，所述自然形成的二氧化硅层为非晶硅(A-Si)或者多晶硅(P-Si)表 面自然形成的二氧化硅层。又如，自然形成的二氧化硅层为硅衬底表面自然形 成的二氧化硅层。尤其需要说明的是，非晶硅(A-Si)或者多晶硅(P-Si)表面 自然形成的二氧化硅层对于本领域技术而言是清楚的。
例如，所述干法刻蚀操作为RIE(Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀)或 ICP(inductive coupled plasma，电感耦合式等离子刻蚀)。如此，能够较好地进 行干法刻蚀操作。
需要说明的是，碳氟气体、氢气和氩气的混合气体经电离形成CFx +、F+、 H+、Ar+等粒子，其会与硅层接触会发生如下反应：CFx ++SiO2→SiF4+CO2+etc， F++Si→SiF4，H++F+→HF，F+的存在会造成Si大量刻蚀，通过加入氢气，电离 后产生的H+与F+结合，大量消耗F+，减少了对P-Si或者A-Si的刻蚀，提高了 刻蚀选择比，从而能够较好地去除非晶硅或者多晶硅表面自然形成的二氧化硅 层。通过加入氩气，氩气经电离后产生的Ar+轰击反应后的沉积物，使得沉积物 附着在侧壁，从而能够较好地保护侧壁，减少侧壁的二氧化硅被进一步腐蚀。 如此，上述源漏极成膜前处理方法，在源漏极成膜前对自然形成的二氧化硅层 进行去除处理，能够较好地去除P-Si或者A-Si表面自然形成的二氧化硅，同时， 由于氩气的存在，能够减少在去除P-Si或者A-Si表面自然形成的二氧化硅的过 程中，碳氟气体对侧壁中正常的二氧化硅的腐蚀，从而对侧壁中GI和ILD中的 二氧化硅影响较小。此外，由于氢气的存在，还能够减少对P-Si或者A-Si的刻 蚀，提高了刻蚀选择比，从而能够较好地去除非晶硅或者多晶硅表面自然形成 的二氧化硅层。
一实施例中，所述干法刻蚀操作中，刻蚀选择比为大于或者等于20：1，即 SiO2/P-Si或者SiO2/A-Si的刻蚀选择比大于或者等于20。如此，能够更好地去 除非晶硅或者多晶硅表面自然形成的二氧化硅层，还能够更好地保护侧壁，减 少侧壁的二氧化硅被进一步腐蚀。尤其需要说明的是，所述碳氟气体、氢气和 氩气的流量比为8：5：30，能够使刻蚀选择比为大于或者等于20：1。从而能 够更好地去除非晶硅或者多晶硅表面自然形成的二氧化硅层，还能够更好地保 护侧壁，减少侧壁的二氧化硅被进一步腐蚀。
一实施例中，所述预处理腔室设置于S/D成膜机台上，在S/D成膜机台加 入一个预处理腔，自然SiO2在预处理腔刻蚀完后再进入S/D成膜腔室，能够使 得整体操作较为便捷。
上述源漏极成膜前处理方法，通过碳氟气体、氢气和氩气的混合气体对自 然形成的二氧化硅层进行干法刻蚀操作，碳氟气体、氢气和氩气的混合气体经 电离形成CFx +、F+、H+、Ar+等粒子，其会与硅层接触会发生如下反应： CFx ++SiO2→SiF4+CO2+etc，F++Si→SiF4，H++F+→HF，F+的存在会造成Si大量 刻蚀，通过加入氢气，电离后产生的H+与F+结合，大量消耗F+，减少了对P-Si 或者A-Si的刻蚀，提高了刻蚀选择比，从而能够较好地去除非晶硅或者多晶硅 表面自然形成的二氧化硅层。通过加入氩气，氩气经电离后产生的Ar+轰击反应 后的沉积物，使得沉积物附着在侧壁，从而能够较好地保护侧壁，减少侧壁的 二氧化硅被进一步腐蚀。如此，上述源漏极成膜前处理方法，在源漏极成膜前 对自然形成的二氧化硅层进行去除处理，能够较好地去除P-Si或者A-Si表面自 然形成的二氧化硅，同时，由于氩气的存在，能够减少在去除P-Si或者A-Si表 面自然形成的二氧化硅的过程中，碳氟气体对侧壁中正常的二氧化硅的腐蚀， 从而对侧壁中GI和ILD中的二氧化硅影响较小。此外，由于氢气的存在，还能 够减少对P-Si或者A-Si的刻蚀，提高了刻蚀选择比，从而能够较好地去除非晶 硅或者多晶硅表面自然形成的二氧化硅层。
下面结合具体实施例继续对本发明予以说明。
实施例1
一种源漏极成膜前处理方法，包括如下步骤：
在预处理腔室内，将碳氟气体、氢气和氩气的混合气体进行电离操作，形 成等离子体；其中，预处理腔室内的压力为1Pa，碳氟气体、氢气和氩气的流量 比为8：5：30，碳氟气体为C2HF5，所述C2HF5的流量为80sccm，氢气的流量 为50sccm，氩气的流量为300sccm。
在所述预处理腔室内，采用所述等离子体对A-Si表面自然形成的二氧化硅 层进行干法刻蚀操作。其它实验参数如表1所示：
表1
其实验数据如表2和图2所示：
表2
由上可以看出，上述源漏极成膜前处理方法具有较高的刻蚀选择比，均大 于20以上，能够较好地去除非晶硅或者多晶硅表面自然形成的二氧化硅层。
对比例1
采用DHF去除A-Si表面自然形成的二氧化硅。
图3为实施例1处理后的样本在电镜下的SEM形貌的示意图。图4为对比 例1处理后的样本在电镜下的SEM形貌的示意图。通过对比图3和图4可以看 出，相较于传统的DHF去除A-Si表面自然形成的二氧化硅，实施例1的源漏极 成膜前处理方法对侧壁损伤较小。从而证实本申请的源漏极成膜前处理方法能 够较好地去除P-Si或者A-Si表面自然形成的二氧化硅，同时对GI和ILD中的 二氧化硅影响较小。
上述源漏极成膜前处理方法，通过碳氟气体、氢气和氩气的混合气体对自 然形成的二氧化硅层进行干法刻蚀操作，碳氟气体、氢气和氩气的混合气体经 电离形成CFx +、F+、H+、Ar+等粒子，其会与硅层接触会发生如下反应： CFx ++SiO2→SiF4+CO2+etc，F++Si→SiF4，H++F+→HF，F+的存在会造成Si大量 刻蚀，通过加入氢气，电离后产生的H+与F+结合，大量消耗F+，减少了对P-Si 或者A-Si的刻蚀，提高了刻蚀选择比，从而能够较好地去除非晶硅或者多晶硅 表面自然形成的二氧化硅层。通过加入氩气，氩气经电离后产生的Ar+轰击反应 后的沉积物，使得沉积物附着在侧壁，从而能够较好地保护侧壁，减少侧壁的 二氧化硅被进一步腐蚀。如此，上述源漏极成膜前处理方法，在源漏极成膜前 对自然形成的二氧化硅层进行去除处理，能够较好地去除P-Si或者A-Si表面自 然形成的二氧化硅，同时，由于氩气的存在，能够减少在去除P-Si或者A-Si表 面自然形成的二氧化硅的过程中，碳氟气体对侧壁中正常的二氧化硅的腐蚀， 从而对侧壁中GI和ILD中的二氧化硅影响较小。此外，由于氢气的存在，还能 够减少对P-Si或者A-Si的刻蚀，提高了刻蚀选择比，从而能够较好地去除非晶 硅或者多晶硅表面自然形成的二氧化硅层。
需要说明的是，LTPS中P-Si表面容易形成一层自然SiO2，自然SiO2的存 在会严重影响S/D与P-Si的搭接，造成S/D与P-Si的接触电阻过大，严重影响 薄膜晶体管的性能。一般LTPS的S/D成膜前为了去掉表面的自然SiO2会采用 DHF来处理。DHF不会刻蚀P-Si，但是LTPS的GI层一般采用SiO2，此外ILD 层采用SiO2/SiN结构，所以经DHF处理后的侧壁，尤其是GI的SiO2也会被刻 蚀，使得侧壁出现“底切”现象，导致S/D断裂，进而影响薄膜晶体管的性能。 如果采用Ar预溅射处理刻蚀P-Si表面的自然SiO2，侧壁不会被刻蚀，但是Ar 预溅射处理的选择比很差，刻蚀自然SiO2的同时也会将P-Si大量刻蚀，而LTPS 中P-Si较薄，P-Si大量刻蚀也将影响到薄膜晶体管的性能。
本发明的源漏极成膜前处理方法，采用在S/D成膜机台加入一个预处理腔， 自然形成的SiO2在预处理腔刻蚀完后再进入S/D成膜腔室。预处理腔通入 CxHyFz/H2/Ar混合气体后采用RIE方式或ICP方式刻蚀P-Si或A-Si表面的自然 SiO2。这种源漏极成膜前处理方法的优点就是，侧壁不被刻蚀的同时P-Si或A-Si 的刻蚀量也很少。例如CxHyFz/H2/Ar流量比为8：5：30时SiO2/P-Si(或A-Si)的 选择比＞20。
本发明的源漏极成膜前处理方法，通过向预处理腔通入CxHyFz/H2/Ar混合 气体后，采用RIE方式或ICP方式刻蚀P-Si或A-Si表面的自然SiO2，可以确保 侧壁受损较小的同时，减少对P-Si或A-Si的刻蚀，到达改善产品品质，提升产 品良率的目的。
本发明的源漏极成膜前处理方法，能够在除去P-Si或A-Si表面的自然SiO2的同时，确保侧壁受损较小的同时，减少对P-Si或A-si的刻蚀量，从而能够改 善产品质量。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对 上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技 术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。需要说明的是， 本申请的“一实施例中”、“例如”、“又如”等，旨在对本申请进行举例说明，而不 是用于限制本申请。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细， 但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的 普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改 进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权 利要求为准。

Claims (10)

1.一种源漏极成膜前处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
在预处理腔室内，将碳氟气体、氢气和氩气的混合气体进行电离操作，形成等离子体；
在所述预处理腔室内，采用所述等离子体对自然形成的二氧化硅层进行干法刻蚀操作。
2.根据权利要求1所述的源漏极成膜前处理方法，其特征在于，所述碳氟气体为C2H5、C2HF5、C4F8、C5F8、CHF3和CH2F2中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的源漏极成膜前处理方法，其特征在于，所述碳氟气体、氢气和氩气的流量比为“7.7～8.4”：“4.6～5.3”：“29～31”。
4.根据权利要求3所述的源漏极成膜前处理方法，其特征在于，所述碳氟气体、氢气和氩气的流量比为“7.8～8.1”：“4.9～5.15”：“29.7～30.2”。
5.根据权利要求4所述的源漏极成膜前处理方法，其特征在于，所述碳氟气体、氢气和氩气的流量比为8：5：30。
6.根据权利要求1所述的源漏极成膜前处理方法，其特征在于，所述氩气的流量为290sccm～310sccm。
7.根据权利要求1所述的源漏极成膜前处理方法，其特征在于，所述碳氟气体为C2HF5，所述C2HF5的流量为75sccm～90sccm。
8.根据权利要求7所述的源漏极成膜前处理方法，其特征在于，所述C2HF5的流量为80sccm。
9.根据权利要求1所述的源漏极成膜前处理方法，其特征在于，所述氢气的流量为45sccm～55sccm。
10.根据权利要求9所述的源漏极成膜前处理方法，其特征在于，所述氢气的流量为50sccm。
CN201711465227.3A 2017-12-28 2017-12-28 源漏极成膜前处理方法 Active CN108198745B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711465227.3A CN108198745B (zh) 2017-12-28 2017-12-28 源漏极成膜前处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711465227.3A CN108198745B (zh) 2017-12-28 2017-12-28 源漏极成膜前处理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108198745A true CN108198745A (zh) 2018-06-22
CN108198745B CN108198745B (zh) 2020-12-22

Family

ID=62585880

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711465227.3A Active CN108198745B (zh) 2017-12-28 2017-12-28 源漏极成膜前处理方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108198745B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109192664A (zh) * 2018-09-13 2019-01-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种低温多晶硅薄膜晶体管、制备方法及阵列基板
CN110739204A (zh) * 2018-07-20 2020-01-31 Asm Ip 控股有限公司 用于介电材料的蚀刻的预清洁

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100167474A1 (en) * 2004-06-25 2010-07-01 Lee Sung-Young Methods of Forming Semiconductor-On-Insulating (SOI) Field Effect Transistors with Body Contacts
CN102074502A (zh) * 2009-11-20 2011-05-25 乐金显示有限公司 制造阵列基板的方法
CN103943630A (zh) * 2013-12-24 2014-07-23 厦门天马微电子有限公司 Tft基板及其制作方法、显示面板
CN104925739A (zh) * 2014-03-17 2015-09-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 二氧化硅的刻蚀方法
CN105551967A (zh) * 2016-02-14 2016-05-04 武汉华星光电技术有限公司 N型薄膜晶体管的制作方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100167474A1 (en) * 2004-06-25 2010-07-01 Lee Sung-Young Methods of Forming Semiconductor-On-Insulating (SOI) Field Effect Transistors with Body Contacts
CN102074502A (zh) * 2009-11-20 2011-05-25 乐金显示有限公司 制造阵列基板的方法
CN103943630A (zh) * 2013-12-24 2014-07-23 厦门天马微电子有限公司 Tft基板及其制作方法、显示面板
CN104925739A (zh) * 2014-03-17 2015-09-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 二氧化硅的刻蚀方法
CN105551967A (zh) * 2016-02-14 2016-05-04 武汉华星光电技术有限公司 N型薄膜晶体管的制作方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110739204A (zh) * 2018-07-20 2020-01-31 Asm Ip 控股有限公司 用于介电材料的蚀刻的预清洁
CN110739204B (zh) * 2018-07-20 2023-08-29 Asm Ip 控股有限公司 用于介电材料的蚀刻的预清洁
CN109192664A (zh) * 2018-09-13 2019-01-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种低温多晶硅薄膜晶体管、制备方法及阵列基板

Also Published As

Publication number Publication date
CN108198745B (zh) 2020-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7303999B1 (en) Multi-step method for etching strain gate recesses
JP5328094B2 (ja) 選択的に高ｋ材をエッチングするためのプラズマ組成
JP6360496B2 (ja) 窒化ケイ素誘電体膜をパターニングする方法
TWI431686B (zh) Etching gas
US9129911B2 (en) Boron-doped carbon-based hardmask etch processing
US20080286978A1 (en) Etching and passivating for high aspect ratio features
JP2015533029A5 (zh)
CN108321079A (zh) 半导体结构及其形成方法
JP2008526024A5 (zh)
CN108346561B (zh) 栅极绝缘层成膜前的多晶硅层处理方法及处理系统
CN108198745A (zh) 源漏极成膜前处理方法
CN104701255B (zh) 液晶显示器下基板的制备方法
US20060231522A1 (en) Etch of silicon nitride selective to silicon and silicon dioxide useful during the formation of a semiconductor device
JP2005268292A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2006108268A (ja) 強誘電体キャパシタ構造およびその作製方法
JP2010263132A5 (zh)
US20240112923A1 (en) Etching method with metal hard mask
JP2007036018A (ja) 半導体装置の製造方法
CN105336585B (zh) 刻蚀方法和互连结构的形成方法
TWI784796B (zh) 矽片的蝕刻方法
CN113035699B (zh) 半导体器件的制造方法
CN108364866B (zh) 非晶硅表面处理方法
CN102810513B (zh) 晶体管的形成方法
CN102347206B (zh) 用于制作半导体器件的方法
US10796923B2 (en) Polysilicon etching method

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant