JPH0682531A - 回路基板検査用アダプター装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 回路基板の被検査電極が、電極ピッチが微小
で、かつ微細で高密度の複雑なパターンのものである場
合にも、所要の電気的接続を確実に達成することができ
る回路基板検査用アダプター装置を提供すること。 【構成】 アダプター装置は、下面に格子状端子電極を
有し、表面に被検査電極に対応する接続用電極を有す
る、２層以上の層内配線部が形成された配線層部分を有
するアダプター本体と、これに一体の異方導電性コネク
ター層とよりなる。製造方法は、基板に端子電極と第１
配線部を形成する工程、基板上に放射線硬化樹脂による
第１絶縁層、その上面に第１配線部に接続された第２配
線部を形成する工程、第１絶縁層上に放射線硬化樹脂に
よる第２絶縁層、その上面に第２配線部に接続された接
続用電極を形成する工程よりなるアダプター本体形成プ
ロセスと、異方導電性コネクター層を一体的に設けるプ
ロセスとを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、異方導電性コネクター
層を有する回路基板検査用アダプター装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般にプリント回路基板などの回路基板
においては、第１９図に示すように、回路基板９０の中
央部に機能素子が高度の集積度で形成された機能素子領
域９１が設けられると共に、その周縁部に機能素子領域
９１のための多数のリード電極９２が配列されてなるリ
ード電極領域９３が形成される。そして、現在において
は、機能素子領域９１の集積度の増大に伴ってリード電
極領域９３のリード電極数が増加し高密度化する傾向に
ある。

【０００３】このような回路基板のリード電極と、これ
に接続すべき他の回路端子などとの電気的な接続を達成
するために、従来、各リード電極領域上に異方導電性シ
ートを介在させることが行われている。この異方導電性
シートは、厚さ方向にのみ導電性を示すもの、あるいは
加圧されたときに厚さ方向にのみ導電性を示す多数の加
圧導電性導電部を有するものであり、種々の構造のもの
が例えば特公昭５６−４８９５１号公報、特開昭５１−
９３３９３号公報、特開昭５３−１４７７７２号公報、
特開昭５４−１４６８７３号公報などにより、知られて
いる。

【０００４】然るに、上記の異方導電性シートは、それ
自体が単独の製品として製造され、また単独で取り扱わ
れるものであって、電気的接続作業においては回路基板
に対して特定の位置関係をもって保持固定することが必
要である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、独立し
た異方導電性シートを利用して回路基板の電気的接続を
達成する手段においては、検査対象である回路基板にお
けるリード電極の配列ピッチ（以下「電極ピッチ」とい
う。) 、すなわち互いに隣接するリード電極の中心間距
離が小さくなるに従って異方導電性シートの位置合わせ
および保持固定が困難となる、という問題点がある。

【０００６】また、一旦は所望の位置合わせおよび保持
固定が実現された場合においても、温度変化による熱履
歴を受けた場合などには、熱膨張および熱収縮による応
力の程度が検査対象である回路基板を構成する材料と異
方導電性シートを構成する材料との間で異なるため、電
気的接続状態が変化して安定な接続状態が維持されな
い、という問題点がある。

【０００７】更に、検査対象である回路基板に対して安
定な接続状態が維持され得るとしても、例えば実装密度
の高いプリント回路基板のように、複雑で微細なパター
ンの被検査電極群を有する回路基板に対しては、当該被
検査電極の各々との電気的な接続を確実に達成すること
が困難であるため、所要の検査を十分に行うことができ
ない、という問題点がある。

【０００８】本発明は、以上のような問題点を解決する
ものであって、その目的は、検査対象である回路基板に
おけるリード電極などの被検査電極が、電極ピッチが微
小であり、かつ微細で高密度の複雑なパターンのもので
ある場合にも、当該回路基板について所要の電気的接続
を確実に達成することができ、また温度変化による熱履
歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が
安定に維持され、従って接続信頼性の高い回路基板検査
用アダプター装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の回路基板検査用
アダプター装置は、検査対象回路基板と電気的検査装置
との間に介在されて当該回路基板の電極の電気的接続を
行う回路基板検査用アダプター装置であって、基板およ
び基板の上面に設けられた配線層部分を有するアダプタ
ー本体と、このアダプター本体の配線層部分の表面上に
一体的に設けられた異方導電性コネクター層とよりな
り、前記アダプター本体の配線層部分の表面には、検査
対象回路基板の被検査電極に対応して配置された接続用
電極が形成されると共に、基板の下面に格子点上に配置
された端子電極が形成され、前記配線層部分には、接続
用電極と端子電極とを電気的に接続するための２層以上
の層内配線部が形成されていることを特徴とする。

【００１０】

【作用】本発明の回路基板検査用アダプター装置によれ
ば、アダプター本体の配線層部分の表面には、検査対象
回路基板の被検査電極に対応して配置された接続用電極
が形成されると共に基板の下面には格子点に配置された
端子電極が形成されており、配線層部分には接続用電極
と端子電極とを電気的に接続するための１層以上の層内
配線部が形成されており、しかもアダプター本体の配線
層部分の表面上には異方導電性コネクター層が一体的に
設けられているため、検査対象である回路基板の被検査
電極が、電極ピッチが微小であり、かつ微細で高密度の
複雑なパターンのパターンのものである場合にも、当該
回路基板について所要の電気的接続を確実に達成するこ
とができ、また温度変化による熱履歴などの環境の変化
に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持され、従
って高い接続信頼性を得ることができる。

【００１１】また、本発明の回路基板検査用アダプター
装置は、基板およびこの基板の上面に設けられた配線層
部分を有するアダプター本体を形成するプロセスと、こ
のアダプター本体の配線層部分の表面上に異方導電性コ
ネクター層を一体的に設けるプロセスとを有し、前記ア
ダプター本体は、（１）基板の下面に端子電極を形成す
ると共に、基板の上面に当該端子電極と電気的に接続さ
れた第１配線部を形成する第１工程と、（２）この基板
の上面に放射線硬化樹脂による第１絶縁層を形成すると
共に、この第１絶縁層の上面に当該第１絶縁層を貫通し
て前記第１配線部に電気的に接続された第２配線部を形
成し、必要により第２配線部上に同様の手法で絶縁層お
よび配線部を形成することをくり返す第２工程と、
（３）前記第１絶縁層の上面に放射線硬化樹脂による第
２絶縁層を形成すると共に、この第２絶縁層の上面に当
該第２絶縁層を貫通して前記第２配線部に電気的に接続
された回路基板接続用電極を形成する第３工程と、から
なるプロセスより製造することができる。

【００１２】上述のような製造方法によれば、配線層部
分を構成する絶縁層を放射線硬化樹脂により形成するの
で微細なパターンの配線部を形成することができ、従っ
て上記のような構成の回路基板検査用アダプター装置を
容易に、かつ有利に製造することができる。

【００１３】

【実施例】以下、本発明を具体的に説明する。図１およ
び図２は、それぞれ、本発明の一実施例に係る回路基板
検査用アダプター装置１０の構成を示す説明用断面図お
よびそのアダプター本体１２の説明用断面図であり、図
３はアダプター装置１０の各部の配置の状態を示す説明
用平面図、図４はコネクター層１５部分の説明用拡大断
面図である。このアダプター装置１０は、図１に示すよ
うに、全体が板状のアダプター本体１２と、その上面に
設けられた異方導電性コネクター層（以下単に「コネク
ター層」という）１５とにより構成されている。

【００１４】アダプター本体１２は、絶縁性基板２０
と、この基板２０上に設けられた配線層部分２１とより
なり、配線層部分２１は、基板２０の上面に形成された
第１絶縁層２３とこの第１絶縁層２３上に設けられた第
２絶縁層２５との積層体によって構成されている。基板
２０の材質は寸法安定性の高い耐熱性材料であることが
好ましく、各種の樹脂を使用することができるが、特に
ガラス繊維補強型エポキシ樹脂が最適である。また、第
１絶縁層２３および第２絶縁層２５は、いずれも、放射
線硬化樹脂により形成されている。

【００１５】基板２０の下面には、検査用テスターに適
宜の手段によって電気的に接続される端子電極３０が格
子点上に配置されて設けられると共に、基板２０の上面
には適宜のパターンの第１配線部３３が形成され、端子
電極３０と第１配線部３３とは、基板２０をその厚み方
向に貫通して伸びる短絡部３２により電気的に接続され
ている。端子電極３０に係る格子点間の距離、すなわち
端子電極３０の電極ピッチは、特に限定されるものでは
なく、検査の条件に応じて適宜の大きさとすることがで
きるが、例えば２．５４ｍｍまたは１．８ｍｍである。

【００１６】第１配線部３３を含む基板２０の上面には
第１絶縁層２３が形成されている。この第１絶縁層２３
の上面には適宜のパターンの第２配線部３５が形成され
ており、当該第１絶縁層２３をその厚み方向に貫通して
伸びる短絡部３４により、第２配線部３５と第１配線部
３３とが電気的に接続されている。

【００１７】更に、第２配線部３５を含む第１絶縁層２
３の上面には第２絶縁層２５が形成されている。この第
２絶縁層２５の上面には、検査対象である回路基板の被
検査電極（図示せず）のパターンに対応した位置に接続
用電極４０が、当該上面から突出する状態に形成されて
いる。そして、当該第２絶縁層２５をその厚み方向に貫
通して伸びる短絡部３６により、接続用電極４０と第２
配線部３５とが電気的に接続されている。なお、第１配
線部３３および第２配線部３５は、図１または図２にお
いて、いずれも紙面と交わる方向に伸びる状態に形成さ
れ得ることは勿論であって、図３にはそのような状態が
示されている。

【００１８】このように、アダプター本体１２において
は、接続用電極４０の各々が、短絡部３６、第２配線部
３５、短絡部３４、第１配線部３３および短絡部３２を
介して端子電極３０と電気的に接続されている。

【００１９】実際の構成において、接続用電極４０と端
子電極３０との電気的な接続は回路基板の検査目的に応
じた態様で達成されればよい。従って、すべての接続用
電極４０と端子電極３０とが必ず１対１の対応関係で接
続される必要はなく、端子電極３０、第１配線部３３、
第２配線部３５および接続用電極４０について種々の要
請される接続状態を実現することができる。例えば、第
１配線部３３または第２配線部３５を利用して接続用電
極４０同士を接続すること、複数の接続用電極４０を１
つの第１配線部３３または第２配線部３５に共通に接続
すること、１つの接続用電極４０を複数の第１配線部３
３または第２配線部３５に同時に接続すること、その他
が可能である。

【００２０】また、面方向に伸びる第２配線部３５また
は第１配線部３３を介することなしに、直接に連続する
短絡部を介して、接続用電極４０と第１配線部３３、第
２配線部３５と端子電極３０または接続用電極４０と端
子電極３０を電気的に接続することも可能である。

【００２１】以上のようなアダプター本体１２の表面に
は、コネクター層１５が一体的に接着乃至密着した状態
で形成されている。このコネクター層１５は、図４に示
すように、絶縁性の弾性高分子物質Ｅ中に導電性粒子Ｐ
が密に充填されてなる多数の導電部１７が接続用電極４
０上に位置された状態で、かつ、隣接する導電部１７が
相互に絶縁部１８によって絶縁された状態とされてい
る。各導電部１７においては、導電性粒子Ｐが厚さ方向
に並ぶよう配向されており、厚さ方向に伸びる導電路が
形成されている。この導電部１７は、厚さ方向に加圧さ
れて圧縮されたときに抵抗値が減少して導電路が形成さ
れる、加圧導電部であってもよい。これに対して、絶縁
部１８は、加圧されたときにも厚さ方向に導電路が形成
されないものである。

【００２２】上記コネクター層１５の導電部１７におい
ては、導電性粒子Ｐの充填率が１０体積％以上、特に１
５体積％以上であることが好ましい。導電部を加圧導電
部とする場合において、導電性粒子の充填率が高いとき
には、加圧力が小さいときにも確実に所期の電気的接続
を達成することができる点では好ましい。しかし、接続
用電極４０の電極ピッチが小さくなると、隣接する導電
部間に十分な絶縁性が確保されなくなるおそれがあり、
このため、導電部１７における導電性粒子Ｐの充填率は
４０体積％以下であることが好ましい。

【００２３】このような構成の回路基板検査用アダプタ
ー装置においては、配線層部分２１の上面にコネクター
層１５が一体的に形成されており、しかも配線層部分２
１の接続用電極４０上にコネクター層１５の導電部１７
が配置されているため、電気的接続作業時にコネクター
層１５の位置合わせおよび保持固定を行うことが全く不
要であり、従ってリード電極領域の電極ピッチが微小で
ある場合にも、所要の電気的接続を確実に達成すること
ができる。

【００２４】また、コネクター層１５はアダプター本体
１２と一体であるため、温度変化による熱履歴などの環
境の変化に対しても、良好な電気的接続状態が安定に維
持され、従って常に高い接続信頼性を得ることができ
る。

【００２５】図示の例においては、コネクター層１５の
外面において、導電部１７が絶縁部１８の表面から突出
する突出部を形成している。このような例によれば、加
圧による圧縮の程度が絶縁部１８より導電部１７におい
て大きいために十分に抵抗値の低い導電路が確実に導電
部１７に形成され、これにより、加圧力の変化乃至変動
に対して抵抗値の変化を小さくすることができ、その結
果、コネクター層１５に作用される加圧力が不均一であ
っても、各導電部１７間における導電性のバラツキの発
生を防止することができる。

【００２６】このように導電部１７が突出部を形成する
場合には、当該突出部の突出高さｈは、コネクター層１
５の全厚ｔ（ｔ＝ｈ＋ｄ、ｄは絶縁部１８の厚さであ
る。）の８％以上であることが好ましい。また、コネク
ター層１５の全厚ｔは、接続用電極４０の中心間距離と
して定義される電極ピッチｐの３００％以下、すなわち
ｔ≦３ｐであることが好ましい。このような条件が充足
されることにより、コネクター層１５に作用される加圧
力が変化した場合にも、それによる導電部１７の導電性
の変化が十分に小さく抑制されるからである。

【００２７】導電部１７が突出部を形成する場合におい
ては、突出部の平面における全体が導電性を有すること
は必ずしも必要ではなく、例えば突出部の周縁には、電
極ピッチの２０％以下の導電路非形成部分が存在してい
てもよい。また、隣接する導電部１７間の離間距離ｒの
最小値は、当該導電部１７の幅Ｒの１０％以上であるこ
とが好ましい。このような条件が満足されることによ
り、加圧されて突出部が変形したときの横方向の変位が
原因となって隣接する導電部１７同士が電気的に接触す
るおそれを十分に回避することができる。以上の例にお
いて、導電部１７の平面形状は接続用電極４０と等しい
幅の矩形状とすることができるが、必要な面積を有する
円形、その他の適宜の形状とすることができる。

【００２８】導電部１７の導電性粒子としては、例えば
ニッケル、鉄、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子も
しくはこれらの合金の粒子、またはこれらの粒子に金、
銀、パラジウム、ロジウムなどのメッキを施したもの、
非磁性金属粒子もしくはガラスビーズなどの無機質粒子
またはポリマー粒子にニッケル、コバルトなどの導電性
磁性体のメッキを施したものなどを挙げることができ
る。

【００２９】後述する方法においては、ニッケル、鉄、
またはこれらの合金などよりなる導電性磁性体粒子が用
いられ、また接触抵抗が小さいなどの電気的特性の点で
金メッキされた粒子を好ましく用いることができる。ま
た、磁気ヒステリシスを示さない点から、導電性超常磁
性体よりなる粒子も好ましく用いることができる。

【００３０】導電性粒子の粒径は、導電部１７の加圧変
形を容易にし、かつ導電部１７において導電性粒子間に
十分な電気的な接触が得られるよう、３〜２００μｍで
あることが好ましく、特に１０〜１００μｍであること
が好ましい。

【００３１】導電部１７を構成する絶縁性で弾性を有す
る高分子物質としては、架橋構造を有する高分子物質が
好ましい。架橋高分子物質を得るために用いることがで
きる硬化性の高分子物質用材料としては、例えばシリコ
ーンゴム、ポリブタジエン、天然ゴム、ポリイソプレ
ン、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニト
リル−ブタジエン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン
共重合体ゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、ク
ロロプレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、軟質液状エ
ポキシ樹脂などを挙げることができる。

【００３２】具体的には、硬化処理前には液状であっ
て、硬化処理後にアダプター本体１２の配線層部分２１
と密着状態または接着状態を保持して一体となる高分子
物質用材料が好ましい。このような観点から、本発明に
好適な高分子物質用材料としては、液状シリコーンゴ
ム、液状ウレタンゴム、軟質液状エポキシ樹脂などを挙
げることができる。高分子物質用材料には、アダプター
本体１２の配線層部分２１に対する接着性を向上させる
ために、シランカップリング剤、チタンカップリング剤
などの添加剤を添加することができる。

【００３３】絶縁部１８を構成する材料としては、導電
部１７を構成する高分子物質と同一のものまたは異なる
ものを用いることができるが、同様に硬化処理後にアダ
プター本体１２の配線層部分２１と密着状態または接着
状態を保持してアダプター本体１２と一体となるものが
用いられる。

【００３４】このような絶縁部を形成することにより、
コネクター層それ自体の一体性並びにそのアダプター本
体に対する一体性が確実に高くなるため、アダプター装
置全体としての強度が大きくなり、従って繰り返し圧縮
に対して優れた耐久性を得ることができる。

【００３５】以上のような構成のアダプター装置は、そ
の上面に検査対象である回路基板が配置されて接続用電
極４０に回路基板の被検査電極が対接されると共に、下
面の端子電極３０が適宜の接続手段を介してテスターに
接続され、更に全体が厚み方向に圧縮するよう加圧され
た状態とされる。この状態においては、アダプター装置
のコネクター層１５の導電部１７が導電状態となり、こ
れにより、被検査電極とテスターとの所要の電気的な接
続が達成される。

【００３６】次に、本発明に係る回路基板検査用アダプ
ター装置の製造方法について説明する。この方法は、基
本的に、アダプター本体を形成する第１プロセスとこの
アダプター本体の表面上に異方導電性コネクター層を一
体的に設ける第２プロセスとよりなる。

【００３７】第１プロセスは、以下の第１工程〜第３工
程を含む。 第１工程 この第１工程は、基板の下面に端子電極を形成すると共
に、上面に当該端子電極と電気的に接続された第１配線
部を形成する工程である。具体的には、図５に示すよう
に、例えば銅などよりなる金属薄層３０Ａおよび３３Ａ
が両面に積層して設けられた硬質樹脂よりなる平板状の
基板２０が用意され、この基板２０に対し、例えば数値
制御型ドリリング装置により、図６に示すようにスルー
ホール２０Ｈが形成される。このスルーホール２０Ｈの
ピッチは例えば２．５４ｍｍ、孔径は例えば０．５ｍｍ
である。

【００３８】次に、上記基板２０に対し、図７に示すよ
うに、無電解銅メッキ法、電解銅メッキ法によりスルー
ホール２０Ｈ内が銅メッキされて基板２０を貫通して伸
びる短絡部３２が形成される。また、基板２０の下面の
金属薄層３０Ａがフォトエッチング処理されて、格子点
上に配置された端子電極３０が形成される。この端子電
極３０の電極ピッチはスルーホール２０Ｈと同様であ
り、例えば２．５４ｍｍである。更に、基板２０の上面
の金属薄層３３Ａがフォトエッチング処理されて、最終
的に得るべき態様に応じたパターンの第１配線部３３が
形成される。

【００３９】第２工程 この第２工程は、上記の基板２０の上面に、放射線硬化
樹脂による第１絶縁層と、この第１絶縁層の上面に位置
された、当該第１絶縁層を貫通して第１配線部に電気的
に接続された第２配線部とを形成する工程である。具体
的には、図８に示すように、上記の基板２０の上面上
に、放射線の照射によって硬化する硬化性樹脂層２３Ａ
が、例えばそのような樹脂シートを真空ラミネート法に
よって一体的に被覆させることによって形成される。そ
の後、硬化性樹脂層２３Ａに対し、当該硬化性樹脂層２
３Ａが感応する放射線の照射を含むフォトリソグラフィ
法を行うことにより、図９に示すように、バイアホール
２３Ｈが形成された硬化樹脂よりなる第１絶縁層２３が
形成される。

【００４０】次に、図１０に示すように、無電解銅メッ
キ法、電解銅メッキ法によりバイアホール２３Ｈ内が銅
メッキされて第１絶縁層２３を貫通して伸びる短絡部３
４が形成される。バイアホール２３Ｈがバイアホール２
０Ｈの直上に位置されている場合には、短絡部３２上に
短絡部３４が連続して伸びる状態となる。そして、更に
第１絶縁層２３の上面に銅メッキによる金属薄層３５Ａ
が形成され、フォトメッキ処理後、図１１に示すよう
に、エッチング処理により、金属薄層３５Ａの一部が除
去されて所要のパターンの第２配線部３５が形成され
る。

【００４１】第３工程 この第３工程は、上記の第１絶縁層２３の上面に、放射
線硬化樹脂による第２絶縁層と、この第２絶縁層の上面
に位置された、当該第２絶縁層を貫通して第２配線部に
電気的に接続された接続用電極とを形成する工程であ
る。具体的には、図１２に示すように、第２配線部３５
を含む第１絶縁層２３の上面に、放射線の照射によって
硬化する硬化性樹脂液が塗布されることによって硬化性
樹脂層２５Ａが形成される。その後、硬化性樹脂層２５
Ａに対し、当該硬化性樹脂層２５Ａが感応する放射線の
照射を含むフォトリソグラフィ法を行うことにより、図
１３に示すように、バイアホール２５Ｈが形成された硬
化樹脂よりなる第２絶縁層２５が形成される。

【００４２】次いで、図１４に示すように、フォトメッ
キ法、無電解メッキ法によりバイアホール２５Ｈ内が銅
メッキされて第２絶縁層２５を貫通して伸びる短絡部３
６が形成される。バイアホール２５Ｈがバイアホール２
３Ｈの直上に位置されている場合には、短絡部３４上に
短絡部３６が連続して伸びる状態となる。そして、更に
第２絶縁層２５の上面に銅メッキによる金属薄層が形成
され、フォトメッキ処理後、エッチング処理により、当
該金属薄層の一部が除去されて、図１５に示すように、
検査対象である回路基板の被検査電極に対応したパター
ンの接続用電極４０が形成され、斯くしてアダプター本
体１２が製造される。

【００４３】以上の第１プロセスにおいて、第１絶縁層
２３または第２絶縁層２５を形成するための硬化性樹脂
層を設ける手段は特に限定されるものではなく、硬化性
樹脂シートを真空ラミネート法によって形成する手段、
硬化性樹脂液をスクリーン印刷技術などの塗布法を利用
して塗布する手段、その他の手段を利用することができ
る。

【００４４】しかし、実際には、基板２０に接する下面
側の第１絶縁層２３の厚みは、上面側の第２絶縁層２５
の厚みより大きいことが好ましい。この場合において
は、上面側の第２絶縁層２５の厚みが比較的小さいの
で、当該第２絶縁層２５を形成するためのパターニング
をフォトリソグラフィーによって行う場合におけるいわ
ゆる解像性がよく、このため、高密度の接続用電極４０
のパターンに十分に対応する高密度の導電路を、その各
々が確実に絶縁された状態で形成することが可能とな
る。また、下面側の第１絶縁層２３の厚みが比較的大き
いことにより、第１配線部３３と第２配線部３５との間
の絶縁性を容易に確保することができる。当該第２絶縁
層２５を形成するためのパターニングをフォトリソグラ
フィーによって行う場合における解像性は比較的悪い
が、基板２０に形成される端子電極３０の電極ピッチは
それほど高密度ではないため、実際上、解像性が問題と
なることがない。

【００４５】以上のような観点から、第１絶縁層２３の
厚みは例えば５０〜１００μｍとされ、第２絶縁層２５
の厚みは例えば４０〜６０μｍとされるのが好ましい。
そして、第１絶縁層２３の形成のように、厚みが５０μ
ｍ以上の硬化性樹脂層を設ける場合には、そのような硬
化性樹脂のシートを真空ラミネート法によって設けるこ
とは高い製造効率が得られる点で有利である。そのよう
な厚みの層を塗布法によって形成する場合には、多数回
にわたって重ね塗りを行うことが必要となり、均一な層
の形成が容易ではないからである。一方、第２絶縁層２
５の形成のように、５０μｍ以下の硬化性樹脂層をを設
ける場合には、そのような硬化性樹脂の液体を塗布法に
よって有利に設けることができる。

【００４６】第１配線部３３、第２絶縁層２５または接
続用電極４０を形成する金属層の厚みを大きくする場合
には、必要な厚みに対応する膜厚のフォトレジスト膜を
形成してパターニングを行うことにより、当該金属層を
形成する部分に孔を形成し、この孔内に金属をメッキ法
などによって充填し、然る後にフォトレジスト膜を除去
すればよい。このような方法により、表面から突出した
状態の接続用電極４０を容易に形成することができる。

【００４７】絶縁層に形成されたバイアホール２３Ｈま
たは２５Ｈ内に短絡部を形成する際には、メッキに先行
してサンドブラスト処理を行うことが好ましく、これに
よってバイアホールの底面を確実に露出させることがで
き、短絡部による電気的な接続を確実に達成することが
できる。また、絶縁層の上面に金属層を形成する際に
も、当該絶縁層の表面をサンドブラスト処理することに
より、当該金属層の付着性を向上させることができる。

【００４８】以上のようにして得られるアダプター本体
１２に対して、第２プロセスによってコネクター層１５
が設けられる。この第２プロセスにおいては、硬化処理
によって絶縁性の弾性高分子物質となる高分子物質用材
料中に導電性磁性体粒子を分散させて流動性の混合物よ
りなるコネクター用材料が調製され、図１６に示すよう
に、このコネクター用材料がアダプター本体１２の上面
に塗布されることによりコネクター用材料層５０が形成
され、これが金型のキャビティ内に配置される。

【００４９】この金型は、各々電磁石を構成する上型５
１と下型５２とよりなり、上型５１には、接続用電極４
０に対応するパターンの強磁性体部分（斜線を付して示
す）Ｍと、それ以外の非磁性体部分Ｎとよりなる、下面
が平坦面である磁極板５３が設けられており、当該磁極
板５３の平坦な下面がコネクター用材料層５０の表面か
ら離間されて間隙Ｇが形成された状態とされる。なお、
図１６および図１７においては、接続用電極４０を除
き、アダプター本体１２の詳細は省略されている。

【００５０】この状態で上型５１と下型５２の電磁石を
動作させ、これにより、アダプター本体１２の厚さ方向
の平行磁場を作用させる。その結果、コネクター用材料
層５０においては接続用電極４０上に位置する部分にお
いて、それ以外の部分より強い平行磁場が厚さ方向に作
用されることとなり、この分布を有する平行磁場によ
り、図１７に示すように、コネクター用材料層５０内の
導電性磁性体粒子が、強磁性体部分Ｍによる磁力により
接続用電極４０上に位置する部分に集合して更に厚さ方
向に配向する。

【００５１】然るに、このとき、コネクター用材料層５
０の表面側には間隙Ｇが存在するため、導電性磁性体粒
子の移動集合によって高分子物質用材料も同様に移動す
る結果、接続用電極４０上に位置する部分の高分子物質
用材料表面が隆起し、突出した導電部１７が形成され
る。従って、形成される絶縁部１８の厚さｔ₁ は、初期
のコネクター用材料層５０の厚さｔ₀ より小さいものと
なる。そして、平行磁場を作用させたまま、あるいは平
行磁場を除いた後、硬化処理を行うことにより、突出部
を形成する導電部１７と絶縁部１８とよりなるコネクタ
ー層１５をアダプター本体１２上に一体的に設けること
ができ、以てアダプター装置が製造される。

【００５２】磁極板５３としては、図１８に示すよう
に、上型５１が接続用電極４０に対応するパターンの強
磁性体部分Ｍとそれ以外の非磁性体部分Ｎよりなり、当
該上型５１の下面において強磁性体部分Ｍが非磁性体部
分Ｎより下方に突出した状態の磁極板５５を使用するこ
ともできる。更に、全体が強磁性体よりなる磁極板であ
って、接続用電極４０に対応するパターンの部分が、そ
れ以外の部分より下方に突出した状態の磁極板を用いる
こともできる。これらの場合にも、コネクター用材料層
５０に対しては接続用電極４０の領域において、より強
い平行磁場が作用されることとなる。

【００５３】また、平行磁場を作用させたままで上型５
１と下型５２の間隔が可変の金型を用い、始めは上型５
１をコネクター用材料層５０のすぐ上に配置し、平行磁
場を作用させながら上型５１と下型５２の間隔を徐々に
広げ、これによってコネクター用材料層５０の隆起を生
じさせ、その後に硬化処理を行うこともできる。

【００５４】本発明においては、コネクター層１５の導
電部１７が絶縁部１８より突出していることは必須のこ
とではなく、平坦な表面を有するものとすることもでき
る。このような場合には、例えば図１６に示した構成の
金型を用い、間隙Ｇを形成せずに処理すればよい。

【００５５】コネクター用材料層５０の厚さは例えば
０．１〜３ｍｍとされる。このコネクター用材料層５０
のための高分子物質用材料は、導電性磁性体粒子の移動
が容易に行われるよう、その温度２５℃における粘度が
１０¹ ｓｅｃ^-1の歪速度の条件下において１０⁴ 〜１０
⁷ センチポアズ程度であることが好ましい。コネクター
用材料層５０の硬化処理は、平行磁場を作用させたまま
の状態で行うことが好ましいが、平行磁場の作用を停止
させた後に行うこともできる。

【００５６】また、磁極板５３の強磁性体部分Ｍは鉄、
ニッケルなどの強磁性体により、また非磁性体部分Ｎ
は、銅などの非磁性金属、ポリイミドなどの耐熱性樹脂
または空気層などにより形成することができる。コネク
ター用材料層５０に作用される平行磁場の強度は、金型
のキャビティの平均で２００〜２０，０００ガウスとな
る大きさが好ましい。

【００５７】硬化処理は、使用される材料によって適宜
選定されるが、通常、熱処理によって行われる。具体的
な加熱温度および加熱時間は、コネクター用材料層５０
の高分子物質用材料の種類、導電性磁性体粒子の移動に
要する時間などを考慮して適宜選定される。例えば、高
分子物質用材料が室温硬化型シリコーンゴムである場合
に、硬化処理は、室温で２４時間程度、４０℃で２時間
程度、８０℃で３０分間程度で行われる。

【００５８】〔実施例〕以下、本発明の実施例を説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。

【００５９】実施例１ （イ）第１プロセス 第１工程 各々の厚みが３５μｍの銅金属薄層（３０Ａ，３３Ａ）
を厚さ０．５ｍｍのガラス繊維補強型エポキシ樹脂より
なる基板（２０）の両面に積層してなる材料を用意し、
これを縦３３０ｍｍ、横６１０ｍｍの矩形状に裁断し、
これに、２軸ドリリング装置「ＮＤ−２Ｊ−１８」（日
立精工社製）を用いてピッチが２．４５ｍｍの格子点上
に配置された状態となるよう、各々の内径が０．５ｍｍ
のスルーホール（２０Ｈ）を形成した（図５および図６
参照）。

【００６０】その後、銅メッキにより、スルーホール内
に短絡部を形成すると共に、基板の両面の金属薄層に対
してフォトエッチング処理することにより、下面には端
子電極（３０）を形成し、上面には、短絡部（３２）を
介して電気的に接続された第１配線部（３３）を形成し
た（図７参照）。

【００６１】第２工程 第１配線部を含む基板の表面に、厚さ７５μｍの紫外線
硬化性樹脂シートを真空ラミネート法によって積層させ
て硬化性樹脂層（２３Ａ）を形成し、この硬化性樹脂層
に対し、プリント基板用露光装置（ハイテックコーポレ
ーション社製）を用い、パターンフィルムマスクを介し
て２４５ｍＪ／ｃｍ² のエネルギーで露光処理し、温度
３０℃、濃度１％の炭酸水素ナトリウム水溶液によりス
プレー現像して、硬化した樹脂層により第１絶縁層（２
３）を形成した。

【００６２】その後、電解銅メッキ法により、第１絶縁
層に形成されたバイアホール（２３Ｈ）内に金属銅を充
填して短絡部（３４）を形成すると共に、第１絶縁層の
上面の全面に無電解銅メッキ法により金属薄層（３５
Ａ）を形成し、フォトメッキ法により配線部を形成した
後、当該金属薄層に対してエッチング処理することによ
り、短絡部を介して第１配線部と電気的に接続された第
２配線部（３５）を形成した（図８〜図１１参照）。そ
の後、硬化樹脂層に対してコンベアー式紫外線露光装置
（オーク製作所製）を用い、２０００ｍＪ／ｃｍ² のエ
ネルギーで露光処理し、熱風乾燥機を用いて１５０℃、
３０分間の熱処理を行った。

【００６３】第３工程 第２工程によって得られたアダプター本体材料に対し、
第２配線部を含む第１絶縁層の上面に、二液型紫外線硬
化性樹脂「ＮＰＲ−６０−５Ｐ」（日本ポリテック社
製）を、スクリーン印刷機「ＭＥＬＯＤＹ−ＭＡＲＫII
ＭＲ−６０」により、ポリエステルクリーンメッシュ
を張ったスクリーン印刷用版を介して、スキージー速度
１０ｍｍ／ｓｅｃの条件で３回塗布し、温度８０℃の熱
風乾燥機炉で１５分間乾燥させる工程を２回繰り返し、
これにより厚みが４０μｍの硬化性樹脂層（２５Ａ）を
形成した。そして、他は第２工程と同様の処理を行っ
て、硬化した樹脂層による第２絶縁層（２５）を形成す
ると共に、第２配線部に電気的に接続された短絡部（３
６）を形成した（図１２〜図１４参照）。

【００６４】更に、第２絶縁層の上面にパターン状の銅
メッキ層を形成した上、厚みが５０μｍのフォトレジス
ト膜を設け、これをフォトリソグラフィ法により処理し
て検査対象回路基板の被検査電極に対応するパターンに
従って除去し、斯くして形成された穴部に銅メッキ法に
より金属銅を充填し、その後フォトレジスト膜を剥離す
ることにより、突出高さが５０μｍの接続用電極（４
０）を形成し、更に各接続用電極の被検査電極には厚み
２μｍの金メッキを施し、アダプター本体を製造した。

【００６５】ここに得られたアダプター本体の接続用電
極は、各電極の寸法が０．１５ｍｍ平方で電極ピッチが
０．２５ｍｍの電極群と、各電極の寸法が幅０．２ｍｍ
長さ０．５ｍｍの矩形で電極ピッチが０．６ｍｍの電極
群と、各電極の寸法が１ｍｍ平方で電極ピッチが２ｍｍ
の電極群とを有するものであった。

【００６６】第２プロセス 室温硬化型ウレタンゴムに平均粒径２６μｍのニッケル
よりなる導電性磁性体粒子を１５体積％となる割合で混
合してなるコネクター用材料を調製し、これを上記のア
ダプター本体の表面に塗布したものを、基本的に図１８
に示した金型を用いる方法に従って処理した。すなわ
ち、下面において強磁性体部分Ｍが非磁性体部分Ｎより
０．１ｍｍ突出する磁極板５５を用い、強磁性体部分Ｍ
の下面とコネクター用材料層との間に０．０３ｍｍの間
隙を形成して平行磁場を作用させてコネクター用材料層
を隆起させ、この状態で室温で２４時間放置して硬化さ
せ、これにより、導電部の厚さｔが０．３ｍｍ、絶縁部
の厚さｄが０．２７ｍｍ、導電部の突出割合（ｔ−ｄ）
／ｔが１０％のコネクター層を形成し、もって回路基板
検査用アダプター装置を製造した。

【００６７】実験例１ 以上のアダプター装置について、抵抗測定器「ミリオー
ムハイテスター」（日置電機社製）を用い、基板の下面
側に共通の導電板を配置してすべての端子電極を短絡状
態とし、この導電板と各接続用電極との間の電気抵抗値
をプローブピンを利用して測定した。その結果、すべて
の接続用電極について、電気抵抗値は３３ｍΩ以下と非
常に小さく、接続されるべき端子電極と接続用電極との
間の電気的な接続が十分に達成されていることが確認さ
れた。

【００６８】実験例２ 更に当該アダプター装置について、上記と同様の抵抗測
定器を用い、互いに絶縁状態とされるべき隣接する接続
用電極の間の電気抵抗値をプローブピンを利用して測定
したところ、電気抵抗値はいずれも２ＭΩ以上と非常に
大きく、十分な絶縁状態が達成されていることが確認さ
れた。

【００６９】

【発明の効果】本発明の回路基板検査用アダプター装置
によれば、アダプター本体の配線層部分の表面には、検
査対象回路基板の被検査電極に対応して配置された接続
用電極が形成されると共に基板の下面には格子点に配置
された端子電極が形成されており、配線層部分には接続
用電極と端子電極とを電気的に接続するための１層以上
の層内配線部が形成されており、しかもアダプター本体
の配線層部分の表面上には異方導電性コネクター層が一
体的に設けられているため、回路基板の被検査電極が、
電極ピッチが微小であり、かつ微細で高密度の複雑なパ
ターンのものである場合にも、当該回路基板について所
要の電気的接続を確実に達成することができ、また温度
変化による熱履歴などの環境の変化に対しても良好な電
気的接続状態が安定に維持され、従って高い接続信頼性
を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る回路基板検査用アダプ
ター装置の構成を示す説明用断面図である。

【図２】図１におけるアダプター装置のアダプター本体
の説明用断面図である。

【図３】本発明の一実施例に係るアダプター装置におけ
る各部の配置の状態を示す説明用平面図である。

【図４】本発明の一実施例に係るアダプター装置におけ
るコネクター層部分の説明用拡大断面図である。

【図５】本発明の一実施例に係る回路基板検査用アダプ
ター装置の製造方法に用いられる基板材料の説明用断面
図である。

【図６】基板材料にスルーホールが形成された状態の説
明用断面図である。

【図７】基板材料に係る短絡部と第１配線部が形成され
た状態の説明用断面図である。

【図８】第１絶縁層のための硬化性樹脂層が形成された
状態の説明用断面図である。

【図９】第１絶縁層にバイアホールが形成された状態の
説明用断面図である。

【図１０】第１絶縁層に係る短絡部と第２配線部のため
の金属薄層が形成された状態の説明用断面図である。

【図１１】第２配線部が形成された状態の説明用断面図
である。

【図１２】第２絶縁層のための硬化性樹脂層が形成され
た状態の説明用断面図である。

【図１３】第２絶縁層にバイアホールが形成された状態
の説明用断面図である。

【図１４】第２絶縁層に係る短絡部が形成された状態の
説明用断面図である。

【図１５】接続用電極が形成されて完成したアダプター
本体の説明用断面図である。

【図１６】コネクター用材料層が形成されたアダプター
本体が金型にセットされた状態を示す説明用断面図であ
る。

【図１７】図１６において、平行磁場が作用された状態
を示す説明用断面図である。

【図１８】コネクター層を形成するために用いられる金
型の他の例を示す説明用断面図である。

【図１９】プリント回路基板の一例の配置を示す説明図
である。

【符号の説明】

１０ アダプター装置 １２ アダプタ
ー本体 １５ 異方導電性コネクター層 １７ 導電部 １８ 絶縁部 ２０ 絶縁性基
板 ２１ 配線層部分 ２３ 第１絶縁
層 ２５ 第２絶縁層 ３０ 端子電極 ３２ 短絡部 ３３ 第１配線
部 ３４ 短絡部 ３５ 第２配線
部 ３６ 短絡部 ４０ 接続用電
極 Ｅ 弾性高分子物質 Ｐ 導電性粒子 ３０Ａ 金属薄層 ３３Ａ 金属薄
層 ２０Ｈ スルーホール ２３Ａ 硬化性
樹脂層 ２３Ｈ バイアホール ３５Ａ 金属薄
層 ２５Ａ 硬化性樹脂層 ２５Ｈ バイア
ホール ５０ コネクター用材料層 ５１ 上型 ５２ 下型 Ｍ 強磁性体部
分 Ｎ 非磁性体部分 ５３ 磁極板 Ｇ 間隙 ５５ 磁極板 ９０ 回路基板 ９１ 機能素子
領域 ９２ リード電極 ９３ リード電
極領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 和夫 東京都中央区築地２丁目11番24号 日本合 成ゴム株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 検査対象回路基板と電気的検査装置との
   間に介在されて当該回路基板の電極の電気的接続を行う
   回路基板検査用アダプター装置であって、 基板および基板の上面に設けられた配線層部分を有する
   アダプター本体と、このアダプター本体の配線層部分の
   表面上に一体的に設けられた異方導電性コネクター層と
   よりなり、 前記アダプター本体の配線層部分の表面には、検査対象
   回路基板の被検査電極に対応して配置された接続用電極
   が形成されると共に、基板の下面に格子点上に配置され
   た端子電極が形成され、前記配線層部分には、接続用電
   極と端子電極とを電気的に接続するための２層以上の層
   内配線部が形成されていることを特徴とする回路基板検
   査用アダプター装置。