JPH09260817A

JPH09260817A - 検査用回路基板装置

Info

Publication number: JPH09260817A
Application number: JP8064155A
Authority: JP
Inventors: Hisao Igarashi; 久夫五十嵐; Mutsuhiko Yoshioka; 睦彦吉岡; Yasuhiro Mori; 康博森
Original assignee: Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 1996-03-21
Filing date: 1996-03-21
Publication date: 1997-10-03

Abstract

(57)【要約】【課題】繰り返して使用するときにも、当該導電路形
成部に早期に故障が生じることがなくて耐久性に優れた
検査用回路基板装置を提供すること。【解決手段】回路基板と、この回路基板の接続電極領
域の表面上に一体的に設けられた異方導電性コネクター
層とよりなり、異方導電性コネクター層は、弾性高分子
物質中に導電性粒子が充填されてなる複数の導電路形成
部が、相互に絶縁部によって絶縁された状態で、かつ当
該絶縁部の表面より突出した状態で、特定のパターンに
従って配置されてなり、導電路形成部の各々は、導電性
粒子の充填割合が５体積％以上である高密度部分と、こ
の高密度部分に隣接して形成された導電性粒子の充填割
合が１体積％以下である低密度部分とを有してなり、導
電路形成部の厚み方向と垂直な断面において、導電路形
成部全体の面積に占める低密度部分の面積の割合が２０
〜８０％である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回路装置を検査す
るために使用される検査用回路基板装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】一般に、プリント回路基板などの実用に
供される回路装置においては、図１２に示すように、回
路装置９０の中央部に機能素子が高度の集積度で形成さ
れた機能素子領域９１が設けられると共に、その周縁部
に機能素子領域９１のための多数の端子電極９２が配列
されてなる端子電極領域９３が形成される。そして、現
在においては、機能素子領域９１の集積度の増大に伴っ
て端子電極領域９３の端子電極数が一層増加し高密度化
する傾向にある。

【０００３】このような実用に供される回路装置の電気
的検査においては、検査対象である回路装置の端子電極
と、検査用回路基板の接続電極との電気的な接続を達成
するために、従来、回路装置の端子電極領域と、検査用
回路基板の接続電極領域との間に、異方導電性シートを
介在させることが行われている。

【０００４】この異方導電性シートは、厚み方向にのみ
導電性を示すもの、または加圧されたときに厚み方向に
のみ導電性を示す多数の加圧導電性導電部を有するもの
であり、種々の構造のもの、例えば金属粒子をエラスト
マー中に均一に分散して得られるもの（特開昭５１−９
３３９３号公報参照）、導電性磁性体粒子をエラストマ
ー中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸び
る多数の導電路形成部と、これらを相互に絶縁する絶縁
部が形成されてなるもの（特開昭５３−１４７７７２号
公報、特開昭５４−１４６８７３号公報参照）、厚み方
向に伸びる導電路形成部と絶縁部とよりなり、導電路形
成部の表面と絶縁部の表面との間に段差が形成されたも
の（特開昭６１−２５０９０６号公報参照）が知られて
いる。これらの中でも、導電路形成部が絶縁部より突出
した状態で形成されてなる異方導電性シートは、小さい
ピッチで端子電極が配置されてなる回路装置に対して、
高い信頼性で検査用回路基板の接続電極との電気的な接
続を達成することができるため、好適である。

【０００５】而して、このような異方導電性シートは、
それ自体が単独の製品として製造され、また単独で取り
扱われるものであって、電気的接続作業においては検査
用回路基板に対して特定の位置関係をもって保持固定す
ることが必要である。

【０００６】然るに、独立した異方導電性シートを利用
して回路装置と検査用回路基板との電気的接続を達成す
る手段においては、接続されるべき電極の配列ピッチ、
すなわち互いに隣接する端子電極の中心間距離が小さく
なるに従って異方導電性シートの位置合わせおよび保持
固定が困難となる、という問題点がある。

【０００７】また、一旦は所望の位置合わせおよび保持
固定が実現された場合においても、温度変化による熱履
歴の影響、すなわち熱膨張および熱収縮などの影響を受
けた場合には、検査用回路基板を構成する材料と異方導
電性シートを構成する材料との間で生ずる応力の程度が
異なるため、電気的接続状態が変化して安定な接続状態
が維持されない、という問題点がある。

【０００８】以上の問題点を解決するために、絶縁性の
弾性高分子物質中に導電性粒子が密に充填されてなる複
数の導電部が配置された異方導電性を有するコネクター
層が、検査用回路基板の接続電極領域に一体的に形成さ
れてなる検査用回路基板装置が提案されている（特開平
４−１５１８８９号公報参照）。

【０００９】図１３は、従来の検査用回路基板装置の一
例における接続電極領域の構成を示す説明用断面図であ
る。この図において、８０は検査用の回路基板であり、
この回路基板８０の接続電極領域の表面上には、複数の
接続電極８１が、検査すべき回路装置の端子電極のパタ
ーンと対掌のパターンに従って、回路基板８０の表面か
ら僅かに突出した状態で形成されている。回路基板８０
の裏面には、配線路８２により接続電極８１とそれぞれ
対応する関係で電気的に接続された複数のグリッド電極
８３が形成されている。この回路基板８０の接続電極領
域の表面には、異方導電性コネクター層８４が一体的に
形成されている。この異方導電性コネクター層８４にお
いては、その厚み方向に伸びる、弾性高分子物質中に導
電性粒子が密に充填されてなる多数の導電路形成部８５
が、接続電極８１上に位置された状態で、かつ、隣接す
る導電路形成部８５が相互に絶縁部８６によって絶縁さ
れた状態で形成されており、この導電路形成部８５の各
々は、絶縁部８６の表面から突出した状態とされてい
る。

【００１０】このような検査用回路基板装置によれば、
回路基板８０の接続電極領域の表面に異方導電性コネク
ター層８２が一体的に形成されており、しかも接続電極
８１に導電路形成部８３が配置されているため、電気的
接続作業時に異方導電性コネクター層８２の位置合わせ
および保持固定を行うことが不要で、所要の電気的接続
を確実に達成することができると共に、温度変化による
熱履歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状
態が安定に維持され、従って、高い接続信頼性が得られ
る。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
検査用回路基板装置においては、これを繰り返して使用
すると、異方導電性コネクター層８２の導電路形成部８
３に早期に故障が生じて長い使用寿命が得られない、と
いう問題がある。

【００１２】本発明は、以上のような事情に基づいてな
されたものであって、その目的は、回路基板の接続電極
領域の表面上に導電路形成部を有する異方導電性コネク
ター層が一体的に形成されてなる検査用回路基板装置で
あって、繰り返して使用するときにも、当該導電路形成
部に早期に故障が生じることがなくて耐久性に優れた検
査用回路基板装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の検査用回路基板
装置は、検査すべき回路装置における端子電極領域の端
子電極に対応する特定のパターンに従って接続電極が配
置された接続電極領域を有する回路基板と、この回路基
板の接続電極領域の表面上に一体的に設けられた異方導
電性コネクター層とよりなり、前記異方導電性コネクタ
ー層は、その厚み方向に伸びる、絶縁性の弾性高分子物
質中に導電性粒子が充填されてなる複数の導電路形成部
が、相互に絶縁部によって絶縁された状態で、かつ当該
絶縁部の表面より突出した状態で、前記特定のパターン
に従って配置されてなり、導電路形成部の各々は、前記
導電性粒子の充填割合が５体積％以上である厚み方向に
伸びる高密度部分と、この高密度部分に隣接して形成さ
れた、前記導電性粒子の充填割合が１体積％以下である
厚み方向に伸びる低密度部分とを有してなり、導電路形
成部の厚み方向と垂直な断面において、導電路形成部全
体の面積に占める低密度部分の面積の割合が２０〜８０
％であることを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の検査用回路基板装
置について詳細に説明する。図１は、本発明の検査用回
路基板装置の一例における接続電極領域の構成を示す説
明用断面図である。この図において、１０は検査用の回
路基板であり、この回路基板１０の接続電極領域の表面
上に、複数の接続電極１１が、特定のパターンに従っ
て、回路基板１０の表面から僅かに突出した状態で形成
されている。この特定のパターンは、検査対象である回
路装置の端子電極パターンと対掌のパターンである。回
路基板１０の裏面には、例えばピッチ間隔が２．５４ｍ
ｍ、１．８０ｍｍ若しくは１．２７ｍｍの規格化された
標準格子点配列に従った配列で、グリッド電極１３が形
成されており、接続電極１１は、配線路１２によりそれ
ぞれグリッド電極１３の適宜のものに接続されている。

【００１５】このような回路基板１０の接続電極領域の
表面には、異方導電性コネクター層（以下、単に「コネ
クター層」という。）２０が一体的に接着乃至密着した
状態で設けられている。このコネクター層２０において
は、その厚み方向に伸びる、絶縁性の弾性高分子物質中
に導電性磁性体粒子が充填された多数の導電路形成部２
１が、回路基板１０の接続電極１１に対応するパターン
に従って形成されると共に、隣接する導電路形成部２１
の各々は、弾性高分子物質よりなる絶縁部２５によって
相互に絶縁されており、しかも、導電路形成部２１の各
々は絶縁部２５の表面から高さｈだけ突出した状態とさ
れている。そして、このコネクター層２０は、導電路形
成部２１の各々が対応する接続電極１１上に位置された
状態で、回路基板１０の表面上に配置されている。

【００１６】コネクター層２０の個々の導電路形成部２
１は、図２にも示すように、導電性磁性体粒子の充填密
度が高い厚み方向に伸びる高密度部分２２，２３と、こ
の高密度部分２２，２３よりも導電性磁性体粒子の充填
密度が低い厚み方向に伸びる低密度部分２４とにより構
成されている。図示の例では、導電路形成部２１は、縦
幅がＬで横幅がＷの矩形の柱状の形態を有しており、導
電路形成部２１における両側部分にそれぞれ高密度部分
２２，２３が形成され、これらの高密度部分２２，２３
の間の中央部分に低密度部分２４がいわばサンドイッチ
状に挟まれた状態で形成されている。

【００１７】このような各導電路形成部２１の高密度部
分２２，２３においては、好ましくは導電性磁性体粒子
が厚み方向に並んだ状態に配向されており、厚み方向に
導電路が形成される。この導電路形成部２１は、厚み方
向に加圧されて圧縮されたときに抵抗値が減少して導電
路が形成される、加圧導電路形成部とすることもでき
る。これに対して、絶縁部２５は、加圧されたときにも
厚み方向に導電路が形成されないものである。

【００１８】導電路形成部２１の高密度部分２２，２３
における導電性磁性体粒子の充填割合は、５体積％以上
とされ、好ましくは２５〜５０体積％とされる。特に、
形成すべき導電路形成部２１を加圧導電路形成部とする
場合においては、導電性粒子の割合が大きいことが好ま
しく、これにより、加圧が小さいときにも確実に所期の
電気的接続を達成することができる。この割合が５体積
％未満の場合には、形成される導電路の抵抗値が高いも
のとなって、必要な導電性が得られない。

【００１９】導電路形成部２１の低密度部分２４におけ
る導電性磁性体粒子の充填割合は、１体積％以下、好ま
しくは０．５体積％以下とされる。この割合が１体積％
を超える場合には、当該部分の柔軟性が小さいものとな
るため、導電路形成部２１全体の加圧変形性が小さくな
り、高い繰り返し耐久性が得られない。

【００２０】導電路形成部２１は、その厚み方向と垂直
な断面において、当該導電路形成部２１全体の面積Ｓ
（Ｓ＝Ｌ×Ｗ）に占める低密度部分の面積Ｓ１（Ｓ１＝
Ｌ×Ｗ１）の割合〔（Ｓ１／Ｓ）×１００〕が２０〜８
０％とされ、好ましくは４０〜６０％とされる。この割
合が２０％未満の場合には、導電路形成部２１全体の加
圧変形性が小さくなり、高い繰り返し耐久性が得られな
い。一方、この割合が８０％を超える場合には、高密度
部分の断面積が小さいものとなるため、形成される導電
路の抵抗値が高いものとなって、必要な導電性が得られ
ない。

【００２１】また、図示のように、複数の高密度部分２
２，２３を低密度部分２４を介して並ぶよう配置する場
合には、高密度部分２２，２３における当該高密度部分
２２，２３が並ぶ方向（図において横方向）の幅Ｗ２と
導電路形成部２１全体の幅Ｗとの比（Ｗ１／Ｗ）が０．
２〜０．５であることが好ましい。

【００２２】導電路形成部２１の各々の表面の面積は、
検査すべき回路装置における対応する端子電極の表面の
面積によって定められるが、具体的には、対応する端子
電極の表面の面積の４０〜８０％であることが好まし
い。

【００２３】導電路形成部２１の突出高さｈは、コネク
ター層２０の全厚ｔ（ｔ＝ｈ＋ｔ１、ｔ１は絶縁部２５
の厚みである。）の８％以上であることが好ましく、ま
た、コネクター層２０における導電路形成部２１の配置
ピッチｐの３００％以下であることが好ましい。このよ
うな条件が充足されることにより、当該コネクター層２
０に作用される加圧力が変化した場合にも、それによる
導電路形成部２１の導電性の変化が十分に小さく制御さ
れる。

【００２４】導電路形成部２１を構成する絶縁性の弾性
高分子物質としては、架橋構造を有する高分子物質が好
ましい。かかる架橋高分子物質を得るために用いること
ができる硬化性の高分子物質用材料としては、例えばシ
リコーンゴム、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイ
ソプレン、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリ
ロニトリル−ブタジエン共重合体ゴム、エチレン−プロ
ピレン共重合体ゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴ
ム、クロロプレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、軟質
液状エポキシゴムなどが挙げられる。

【００２５】具体的には、硬化処理前には液状であっ
て、硬化処理後には回路基板１０と密着状態または接着
状態を保持して回路基板１０と一体となる高分子物質材
料が好ましい。このような観点から、液状シリコーンゴ
ム、液状ウレタンゴム、軟質液状エポキシゴムなどが好
適に用いられる。以上の高分子物質用材料には、回路基
板１０に対する接着性を向上させるために、シランカッ
プリング剤、チタンカップリング剤などの添加剤を添加
することができる。

【００２６】導電路形成部２１の導電性磁性体粒子とし
ては、例えばニッケル、鉄、コバルトなどの磁性を示す
金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子、またはこれら
の粒子に金、銀、パラジウム、ロジウムなどのメッキを
施したもの、非磁性金属粒子若しくはガラスビーズなど
の無機質粒子またはポリマー粒子にニッケル、コバルト
などの導電性磁性体のメッキを施したものなどが挙げら
れ、特に、接触抵抗が小さいなどの電気的特性の点で金
メッキが施された金属粒子を用いることが好ましい。ま
た、磁気ヒステリシスを示さない点から、導電性超常磁
性体よりなる粒子も好ましく用いることができる。

【００２７】また、導電性に支障を与えない範囲で、導
電性磁性体粒子の表面がシランカップリング剤、チタン
カップリング剤などのカップリング剤で処理されたもの
を適宜用いることができる。導電性磁性体粒子の表面が
カップリング剤で処理されることにより、当該導電性磁
性体粒子と導電路形成部用材料に用いられる硬化性の高
分子物質用材料との接着力が大きくなり、その結果、得
られる検査用回路基板装置は、繰り返しの使用における
耐久性が更に高いものとなる。

【００２８】また、導電性磁性体粒子の粒径は、３〜２
００μｍであることが好ましく、特に、１０〜１００μ
ｍであることが好ましい。これにより、形成される導電
路形成部２１は加圧変形が容易なものとなり、当該導電
路形成部２１において導電性磁性体粒子間に十分な電気
的な接触が得られる。

【００２９】絶縁部２５を構成する高分子物質として
は、導電路形成部２１を構成する高分子物質として例示
したものと同様のものが挙げられ、導電路形成部２１に
用いられる高分子物質と同一のものまたは異なるものを
用いることができる。

【００３０】上記の検査用回路基板装置によれば、コネ
クター層２０の導電路形成部２１には、導電路が形成さ
れる高密度部分２２，２３に隣接して導電性磁性体粒子
の充填密度の低い低密度部分２４が形成されており、こ
の低密度部分２４は十分に柔軟で高い可変形性を有する
ため、導電路形成部２１全体の加圧変形性が大きくな
り、その結果、繰り返して使用したときにも、導電路形
成部２１に早期に故障が生じることがなくて優れた耐久
性が得られる。

【００３１】上記の検査用回路基板装置は、導電路形成
部成形用部材および非磁性体部材を有する特定のコネク
ター層形成用金型によって回路基板１０上にコネクター
層２０を形成することにより、製造することができる。
図３は、コネクター層２０を形成するために用いられる
コネクター層形成用金型の一例における要部の構成を示
す説明用断面図である。このコネクター層形成用金型
は、一方の型（以下、「上型」という。）４０と、これ
と対となる他方の型（以下、「下型」という。）５０
と、これらの間にキャビティＣを形成するためのスペー
サー５７とにより構成されている。

【００３２】上型４０においては、磁性金属基板４１の
下面に、回路基板１０の接続電極１１における特定のパ
ターンと対掌のパターンに従って導電路形成部成形用部
材４２が配置され、この導電路形成部成形用部材４２以
外の領域には非磁性体部材４６が配置されており、非磁
性体部材４６の下面が、導電路形成部成形用部材４２の
下面より高さｈだけ下方に突出した状態とされている。
導電路形成部成形用部材４２は、形成すべき導電路形成
部２１の高密度部分２２，２３の断面形状と同等の断面
形状を有する強磁性体部分４３，４４と、低密度部分２
４の断面形状と同等の断面形状を有する非磁性体部分４
５とにより構成されている。

【００３３】一方、下型５０においては、磁性金属基板
５１上に、回路基板１０の接続電極１１における特定の
パターンと同一のパターンに従って導電路形成部成形用
部材５２が配置され、この導電路形成部成形用部材５２
以外の領域には非磁性体部材５６が配置されており、こ
の例においては、非磁性体部材５６の上面が、導電路形
成部成形用部材５２の上面より上方に突出した状態とさ
れている。導電路形成部成形用部材５２は、形成すべき
導電路形成部２１の高密度部分２２，２３の断面形状と
同等の断面形状を有する強磁性体部分５３，５４と、低
密度部分２４の断面形状と同等の断面形状を有する非磁
性体部分５５とにより構成されている。

【００３４】以上において、磁性金属基板４１および磁
性金属基板５１は、例えば、鉄、鉄−ニッケル合金、鉄
−コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属
により構成されている。

【００３５】導電路形成部成形用部材４２の強磁性体部
分４３，４４および導電路形成部成形用部材５２の強磁
性体部分５３，５４を形成するための強磁性体材料とし
ては、鉄、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト合金、ニッ
ケル、コバルトなどを用いることができる。

【００３６】導電路形成部成形用部材４２の非磁性体部
分４５、導電路形成部成形用部材５５の非磁性体部分５
５、非磁性体部材４６および非磁性体部材５６を形成す
るための非磁性体材料としては、銅などの非磁性金属、
ポリイミドなどの耐熱性樹脂などを用いることができる
が、放射線によって硬化されて高分子物質となる材料、
例えばアクリル系のドライフィルムレジスト、エポキシ
系の液状レジスト、ポリイミド系の液状レジストなどの
フォトレジストなどは、フォトリソグラフィーの手法を
利用して容易に非磁性体部分を形成することができるの
で、これらを好適に用いることができる。

【００３７】そして、上記の金型を用いて次のようにし
てコネクター層２０が形成される。先ず、硬化処理によ
って絶縁性の弾性高分子物質となる高分子物質用材料中
に導電性磁性体粒子を分散させて、流動性の混合物より
なる導電路形成部用材料を調製し、これを用いて、金型
のキャビティＣにおける上型４０の導電路形成部成形用
部材４２と下型５０の導電路形成部成形用部材５２との
間の導電路形成部用キャビティ部分Ｄに、導電路形成部
用材料層を形成する。

【００３８】具体的には、図４に示すように、上型４０
の導電路形成部成形用部材４２の下面および下型５０の
導電路形成部成形用部材５２の上面の各々に、導電路形
成部用材料を塗布することにより、盛り上げられた状態
の塗布層６１，６２を形成した後、図５に示すように、
塗布層６１と塗布層６２とを対接させた状態で、上型４
０をスペーサー５７を介して下型５０に配置することに
より、導電路形成部用材料層６０を形成する。

【００３９】導電路形成部用材料の塗布層６１，６２を
形成する方法としては、特定のパターンの開口部を有す
るスクリーン印刷用マスクを作製し、このマスクを用い
て導電路形成部用材料をスクリーン印刷することにより
形成する方法を好適に用いることができる。

【００４０】このようにして金型のキャビティＣにおけ
る導電路形成部用キャビティ部分Ｄ（図３参照）に形成
された導電路形成部用材料層６０に、磁場を上下方向に
作用させることにより、導電性磁性体粒子を導電路形成
部用材料層６０の厚み方向に配向させる。

【００４１】具体的には、図６に示すように、上型４０
の上面および下型５０の下面に電磁石６３，６４を配置
してこの電磁石６３，６４を動作させることにより、上
型４０の導電路形成部成形用部材４２の強磁性体部分４
３，４４からこれに対応する下型５０の導電路形成部成
形用部材５２の強磁性体部分５３，５４に向かう方向に
平行磁場が作用し、その結果、導電路形成部用材料層６
０中に分散されていた導電性磁性体粒子が、強磁性体部
分４３，４４とこれに対応する強磁性体部分５３，５４
との間の位置に集合し、更に厚み方向に並ぶように配向
する。これにより、導電路形成部用材料層６０には、高
密度部分２２，２３となる部分とその中間の低密度部分
２４となる部分が形成される。

【００４２】そして、この状態において、図７に示すよ
うに、例えば加熱して導電路形成部用材料層を硬化処理
することにより、高密度部分２２，２３と低密度部分２
４とよりなる導電路形成部２１を形成し、その後、この
導電路形成部２１を上型４０の導電路形成部成形用部材
４２に保持させた状態で下型５０から離型させて下面側
を露出させることにより、上型４０の導電路形成部成形
用部材４２上に導電路形成部２１が配置されてなるコネ
クター層形成用中間体４７が形成される。

【００４３】導電路形成部用材料層６０の硬化処理は、
平行磁場を作用させたままの状態で行うことが好ましい
が、平行磁場の作用を停止させた後に行うこともでき
る。導電路形成部用材料層６０に作用される平行磁場の
強度は、金型の各導電路形成部用キャビティ部分の平均
で２００〜１００００ガウスとなる大きさが好ましい。
硬化処理は、使用される材料によって適宜選定される
が、通常、熱処理によって行われる。具体的な加熱温度
および加熱時間は、導電路形成部用材料層６０の高分子
物質材料の種類、導電性磁性体粒子の移動に要する時間
などを考慮して適宜選定される。例えば、高分子物質材
料が室温硬化型シリコーンゴムである場合に、硬化処理
は、室温で２４時間程度、４０℃で２時間程度、８０℃
で３０分間程度で行われる。

【００４４】導電路形成部２１を上型４０の導電路形成
部成形用部材４２に保持させた状態で下型５０から離型
させるためには、下型５０の離型性を上型４０より大き
くしておけばよく、例えば、上型４０の下面に塗布する
離型剤よりも離型効果の高い離型剤を下型５０の上面に
塗布すればよい。

【００４５】一方、図８に示すように、検査用の回路基
板１０の接続電極領域上に、硬化処理によって絶縁性の
弾性高分子物質となる高分子物質材料よりなる絶縁部用
材料層６５を形成し、図９に示すように、この絶縁部用
材料層６５が形成された回路基板１０の接続電極領域上
に、コネクター層形成用中間体４７を重ね合わせること
により、回路基板１０の接続電極領域における接続電極
１１に、コネクター層形成用中間体４７の導電路形成部
２１が対接した状態とする。このとき、接続電極１１上
の絶縁部用材料層は、導電路形成部２１によって当該領
域から排除される。

【００４６】そして、この状態で絶縁部用材料層６５を
硬化処理することにより絶縁部２５を形成し、その後、
上型４０を離型させることにより、導電路形成部２１の
各々が対応する接続電極１１上に位置された状態で、か
つ回路基板１０の高密度接続電極１２に一体的に接着乃
至密着した状態でコネクター層２０が形成される。絶縁
部用材料層６５の硬化処理は、導電路形成部用材料層６
０の硬化処理において示した条件と同様の条件で行うこ
とができる。

【００４７】以上の方法においては、上型４０の導電路
形成部成形用部材４２と下型５０の導電路形成部成形用
部材５２との間の導電路形成部用キャビティ部分Ｄに導
電路形成部用材料層６０を形成し、上下方向に磁場を作
用させることにより、導電路形成部用キャビティ部分Ｄ
においては、磁力線の方向が互いに対向する導電路形成
部成形用部材４２および導電路形成部成形用部材５２に
よって拘束されるので、厳密に導電路形成部用材料層６
０の厚み方向にのみ磁場が作用されることとなり、その
結果、導電性磁性体粒子を導電路形成部用材料層６０の
厚み方向に確実に配向させることができる。

【００４８】また、上型４０の導電路形成部成形用部材
４２上に導電路形成部２１が形成されてなるコネクター
層形成用中間体４７を、絶縁部用材料層６５が形成され
た回路基板１０の接続電極領域上に、接続電極１１と導
電路形成部２１とが対接するよう配置した状態で、絶縁
部用材料層６５を硬化処理することにより絶縁部２５を
形成するので、接続電極１１上に導電路形成部２１が確
実に接触した状態で、コネクター層２０を回路基板１０
の接続電極領域上に一体的に形成することができる。

【００４９】以上において、例えば下型５０が強磁性体
のみからなるものである場合には、磁力線の方向が上型
４０から下型５０に向かって拡開する方向となるため、
導電路形成部２１の形成領域を厳密に制御することが困
難となる。

【００５０】図１０は、本発明の検査用回路基板装置の
他の例における接続電極領域の構成を示す説明用断面図
である。この検査用回路基板装置においては、コネクタ
ー層２０の絶縁部２５に、その表面から高さＨだけ突出
する複数の柱状突出部分２６が形成されている。その他
は、図１に示す検査用回路基板装置と同様の構成であ
る。絶縁部２５の柱状突出部分２６の突出高さＨは、導
電路形成部２１の突出高さｈの７０〜１００％であるこ
とが好ましい。

【００５１】このような柱状突出部分２６を絶縁部２５
に形成する場合には、形成される柱状突出部分２６の表
面面積の合計が、導電路形成部２１の表面面積の合計の
１００〜２００％であることが好ましい。

【００５２】このような柱状突出部分２６を有する絶縁
部２５を形成することにより、コネクター層２０に作用
される圧力は、柱状突出部分２６に分散されて導電路形
成部２１のみに集中することが防止され、これにより、
繰り返しの使用における耐久性が更に高いものとなる。

【００５３】図１１は、本発明の検査用回路基板装置の
他の例における接続電極領域の構成を示す説明用断面図
である。この検査用回路基板装置においては、コネクタ
ー層２０の絶縁部２５における各導電路形成部２１の周
辺部分に、他の部分の表面から高さｈ１だけ突出し、導
電路形成部２１よりは高さｈ２だけ低い筒状突出部分２
７が形成されている。

【００５４】このような筒状突出部分２７を絶縁部２５
に形成する場合には、筒状突出部分２７の幅ｄ１が導電
路形成部２１の幅ｄの１２０％以上であることが好まし
い。また、導電路形成部２１の筒状突出部分２７の表面
からの突出高さｈ２は、検査すべき回路装置における絶
縁層と端子電極との高さの差に相当する高さで設定さ
れ、筒状突出部分２７の突出高さｈ１は、通常、導電路
形成部２１の筒状突出部分２７の表面からの突出高さｈ
２の１００％以上であることが好ましい。

【００５５】このような筒状突出部分２７を有する絶縁
部２５を形成することにより、導電路形成部２１を加圧
したときには、当該導電路形成部２１が変形すると共に
筒状突出部分２７も変形するので、導電路形成部２１に
かかる力が緩和され、これにより、導電路形成部２１の
耐久性を向上させることができる。また、このような筒
状突出部分２７が形成されたコネクター層２０を具えた
検査用回路基板装置においては、端子電極の表面の面積
が極めて小さい回路装置や、あるいは、端子電極の表面
の面積が小さく、しかも端子電極の周囲に当該端子電極
よりも高く突出した例えばレジスト硬化物よりなる絶縁
層を有する回路装置に対しても、安定した電気的接続を
達成することができる。

【００５６】以上、本発明の検査用回路基板装置の実施
の形態について説明したが、本発明はこれらに限定され
るものではなく、種々の変更が可能である。例えば、導
電路形成部における高密度部分および低密度部分の数、
高密度部分および低密度部分の形状、高密度部分と低密
度部分との配置は、導電路形成部の形状、寸法に応じて
適宜選択することができる。

【００５７】

【実施例】以下、本発明の検査用回路基板装置の具体的
な実施例について説明するが、本発明はこれに限定され
るものではない。

【００５８】〈実施例〉各々の幅が０．３ｍｍ、電極ピ
ッチが０．５ｍｍの接続電極（１１）を２００本有する
回路基板（１０）の接続電極領域に、下記のようにして
コネクター層（２０）を形成することにより、図１に示
す構成の検査用回路基板装置Ａを製造した。

【００５９】〔導電部用材料の調製〕室温硬化型シリコ
ーンゴム１００部に平均粒径３０μｍのニッケル粒子よ
りなる導電性磁性体粒子１００部を混合することにより
導電路形成部用材料を調製した。

【００６０】〔金型の作製〕下記の条件に従って、図３
に示す構成のコネクター層形成用金型を作製した。基板（４１，５１）：材質；鉄製，厚み５ｍｍ，導電路形成部成形用部材（４２，５２）の磁性体部分
（４３，４４，５３，５４）：材質；ニッケル，寸法；
縦幅０．５ｍｍ，横幅０．１ｍｍ，厚み０．２ｍｍ，導電路形成部成形用部材（４２，５２）の非性体部分
（４５，５５）：材質；アクリル系ドライフィルムレジ
スト硬化物，寸法；縦幅０．５ｍｍ，横幅０．１ｍｍ，
厚み０．２ｍｍ，非磁性体部材（４６，５６）の材質：アクリル系ドライ
フィルムレジスト硬化物，非磁性体部材（４６）の突出高さｈ：０．０５ｍｍ，スペーサー（５７）の厚み：０．３ｍｍ

【００６１】〔導電部用材料層の形成〕上記の金型の上
型（４０）の下面に導電路形成部用材料を用いてスクリ
ーン印刷することにより、導電路形成部成形用部材（４
２）の下面に導電部用材料の塗布層（６１）を形成する
と共に、下型（５０）の上面に導電路形成部用材料を用
いてスクリーン印刷することにより、導電路形成部成形
用部材（５２）の上面に導電部用材料の塗布層（６２）
を形成し、その後、この上型（４０）を、その塗布層
（６１）が下型（５０）の塗布層（６２）に対接するよ
うスペーサー（５７）を介して下型（５０）に配置する
ことにより、上型（４０）の導電路形成部成形用部材
（４２）とこれに対応する下型（５０）の導電路形成部
成形用部材（５２）との間に導電部用材料層（６０）を
形成した（図４，図５参照）。

【００６２】〔導電部およびコネクター層形成用中間体
の形成〕導電部材料層（６０）が形成された金型の上型
（４０）の上面および下型（５０）の下面に、電磁石
（６３，６４）を配置して動作させることにより、上下
方向に平行磁場を作用させ、そのまま状態で４０℃にて
３時間放置して導電部材料層（６０）を硬化させること
により導電路形成部（２１）を形成し、その後、この導
電路形成部（２１）を上型（４０）の導電路形成部成形
用部材（４２）に保持ささせた状態で下型（５０）から
離型させて露出させることにより、コネクター層形成用
中間体（４７）を形成した（図６，図７参照）。

【００６３】〔絶縁部の形成〕回路基板（１０）の接続
電極領域に、室温硬化型シリコーンゴムよりなる絶縁部
用材料層（６５）を形成し、更に、コネクター層形成用
中間体（４７）を、回路基板（１０）の接続電極（１
１）と導電路形成部（２１）とが対接するよう配置した
後、この状態で８０℃にて１時間放置して絶縁部用材料
層（６５）を硬化させることにより絶縁部（２５）を形
成した（図８，図９参照）。

【００６４】以上により得られた検査用回路基板装置Ａ
は、コネクター層（２０）の導電路形成部（２１）の縦
幅Ｌが０．５ｍｍ、横幅Ｗが０．１ｍｍ（断面積Ｓ＝
０．５ｍｍ²）、突出高さｈが５０μｍ、低密度部分の
横幅Ｗ１が０．１ｍｍ（断面積Ｓ１＝０．５ｍｍ²）、
絶縁部（２５）の厚みｔが０．３ｍｍのものである。

【００６５】＜比較例＞上型および下型の導電路形成部
成形用部材全体がニッケルにより構成されたコネクター
層形成用金型を作製し、このコネクター層形成用金型を
用いたこと以外は実施例と同様にして、図１３に示す構
成の比較用の検査用回路基板装置Ｂを製造した。

【００６６】〔実験例〕検査用回路基板装置Ａおよび検
査用回路基板装置Ｂについて、各々の幅が０．３ｍｍ、
電極ピッチが０．５ｍｍの端子電極を２００本有する被
検査回路装置Ｘに接続し、接続電極の電気的接続におけ
る抵抗値を測定したところ、検査用回路基板装置Ａは
０．４Ω、検査用回路基板装置Ｂは０．３Ωであった。
検査用回路基板装置Ａおよび検査用回路基板装置Ｂを、
それぞれ５００００回繰り返して使用した後に、それぞ
れのコネクター層の導電路形成部を顕微鏡により観察し
たところ、検査用回路基板装置Ａにおいては異常は認め
られなかったが、検査用回路基板装置Ｂにおいては導電
路形成部の破損が認められた。また、接続電極の電気的
接続における抵抗値を測定したところ、検査用回路基板
装置Ａは１Ω、検査用回路基板装置Ｂは１ｋΩであっ
た。以上の結果から、本発明の検査用回路基板装置Ａ
は、接続信頼性が高く、しかも、繰り返し耐久性に優れ
たものであることが確認された。

【００６７】

【発明の効果】本発明の検査用回路基板装置によれば、
異方導電性コネクター層の導電路形成部には、導電性磁
性体粒子の充填密度の高い高密度部分に隣接して導電性
磁性体粒子の充填密度の低い低密度部分が形成されてお
り、この低密度部分は十分に柔軟で高い可変形性を有す
るため、導電路形成部全体の加圧変形性が大きくなり、
その結果、繰り返して使用したときにも、導電路形成部
に早期に故障が生じることがなくて優れた耐久性が得ら
れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の検査用回路基板装置の一例における接
続電極領域の構成を示す説明用断面図である。

【図２】図１の検査用回路基板装置の一部を拡大して示
す説明用断面図である。

【図３】本発明の検査用回路基板装置を製造するために
用いられるコネクター層形成用金型の一例における要部
の構成を示す説明用断面図である。

【図４】金型の上型および下型の導電路形成部成形用部
材に塗布層を形成した状態を示す説明図である。

【図５】金型の導電部用キャビティ部分に導電路形成部
用材料層を形成した状態を示す説明図である。

【図６】導電路形成部用材料層に平行磁場を作用させた
状態を示す説明図である。

【図７】導電路形成部を形成して、コネクター層形成用
中間体を形成する工程を示す説明図である。

【図８】回路基板の接続電極領域上に絶縁部用材料層が
形成された状態を示す説明図である。

【図９】回路基板の接続電極領域上にコネクター層形成
用中間体が配置された状態を示す説明図である。

【図１０】本発明の検査用回路基板装置の他の例におけ
る接続電極領域の構成を示す説明用断面図である。

【図１１】本発明の検査用回路基板装置の更に他の例に
おける接続電極領域の構成を示す説明用断面図である。

【図１２】プリント回路基板よりなる回路装置の一例の
配置を示す説明図である。

【図１３】従来の検査用回路基板装置の一例における構
成を示す説明用断面図である。

【符号の説明】

１０回路基板１１接続電極１２配線路１３グリッド
電極２０異方導電性コネクター層２１導電路形
成部２２，２３高密度部分２４低密度部
分２５絶縁部２６柱状突出
部分２７筒状突出部分４０一方の型（上型）４１磁性金属
基板４２導電路形成部成形用部材４３，４４強
磁性体部分４５非磁性体部分４６非磁性体
部材４７コネクター層形成用中間体５０他方の型
（下型）５１磁性金属基板５２導電路形
成部成形用部材５３，５４強磁性体部分５５非磁性体
部分５６非磁性体部材５７スペーサ
ー６０導電部用材料層６１，６２塗
布層６３，３４電磁石６５絶縁部用
材料層８０回路基板８１接続電極８２配線路８３グリッド
電極８４異方導電性コネクター層８５導電路形
成部８６絶縁部９０回路装置９１機能素子領域９２端子電極９３端子電極領域Ｃキャビテ
ィＤ導電路形成部用キャビティ部分

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｔ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】検査すべき回路装置における端子電極領
域の端子電極に対応する特定のパターンに従って接続電
極が配置された接続電極領域を有する回路基板と、この
回路基板の接続電極領域の表面上に一体的に設けられた
異方導電性コネクター層とよりなり、前記異方導電性コネクター層は、その厚み方向に伸び
る、絶縁性の弾性高分子物質中に導電性粒子が充填され
てなる複数の導電路形成部が、相互に絶縁部によって絶
縁された状態で、かつ当該絶縁部の表面より突出した状
態で、前記特定のパターンに従って配置されてなり、導電路形成部の各々は、前記導電性粒子の充填割合が５
体積％以上である厚み方向に伸びる高密度部分と、この
高密度部分に隣接して形成された、前記導電性粒子の充
填割合が１体積％以下である厚み方向に伸びる低密度部
分とを有してなり、導電路形成部の厚み方向と垂直な断
面において、導電路形成部全体の面積に占める低密度部
分の面積の割合が２０〜８０％であることを特徴とする
検査用回路基板装置。