JP2000081458A - 検査用回路基板装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 回路基板の電気的検査に用いる検査用回路基
板装置であり、被検査回路基板とテスターとの間に介在
させて、相互に加圧して電気的導通をとった際、導電路
を初め検査用回路基板装置の全域において一様に加重変
形され、グリッド電極および導電路においては一様で安
定的な電気的接続が得られ、耐久性も優れた検査用回路
基板装置を提供する。 【解決手段】 被検査基板の検査用回路基板装置であっ
て、被検査基板の端子電極に対応するパターンに従って
接続電極が配置された回路基板と、当該回路基板の接続
電極上に形成された導電路形成部と荷重分散部とそれら
を相互に絶縁する絶縁部により形成される異方導電性コ
ネクター層とからなる検査用回路基板装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回路装置を検査す
るために使用される検査用回路基板装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】一般に、プリント回路基板などの実用に
供される回路装置においては、図１２に示すように、回
路装置９０の中央部に機能素子が高度の集積度で形成さ
れた機能素子領域９１が設けられると共に、その周縁部
に機能素子領域９１のための多数の端子電極９２が配列
されてなる端子電極領域９３が形成されるものと、端子
電極領域９２が機能素子領域９１に重なって設けられる
場合が有る。そして、最近においては、機能素子領域９
１の集積度の増大に伴って端子電極領域９３の端子電極
数が一層増加し高密度化する傾向にある。

【０００３】従来、このような実用に供される回路装置
に対する電気的検査においては、検査対象である回路装
置の端子電極と、検査用回路基板の接続電極との電気的
な接続を達成するために、回路装置の端子電極と検査用
回路基板の接続電極との間に、異方導電性シートを介在
させることが行われている。

【０００４】この異方導電性シートは、厚み方向にのみ
導電性を示すもの、または加圧されたときに厚み方向に
のみ導電性を示す多数の加圧導電性導電部を有するもの
であり、種々の構造のものが知られている。例えば金属
粒子をエラストマー中に均一に分散して得られるもの
（特開昭５１−９３３９３号公報参照）、導電性磁性体
粒子をエラストマー中に不均一に分布させることによ
り、厚み方向に伸びる多数の導電路形成部と、これらを
相互に絶縁する絶縁部が形成されてなるもの（特開昭５
３−１４７７７２号公報、特開昭５４−１４６８７３号
公報参照）、厚み方向に伸びる導電路形成部と絶縁部と
よりなり、導電路形成部の表面と絶縁部の表面との間に
段差が形成されたもの（特開昭６１−２５０９０６号公
報参照）などが知られている。これらの中でも、導電路
形成部が絶縁部より突出した状態で形成されてなる異方
導電性シートは、小さいピッチで端子電極が配置されて
なる回路装置に対して、高い信頼性で検査用回路基板の
接続電極との電気的な接続を達成することができるた
め、好適である。

【０００５】而して、このような異方導電性シートは、
それ自体が単独の製品として製造され、また単独で取り
扱われるものであって、電気的接続作業においては検査
用回路基板に対して特定の位置関係をもって保持固定す
ることが必要である。

【０００６】然るに、独立した異方導電性シートを利用
して回路装置と検査用回路基板との電気的接続を達成す
る手段においては、接続されるべき電極の配列ピッチ、
すなわち互いに隣接する端子電極の中心間距離が小さく
なるに従って異方導電性シートの位置合わせおよび保持
固定が困難となる、という問題点がある。

【０００７】また、一旦は所望の位置合わせおよび保持
固定が実現された場合においても、温度変化による熱履
歴の影響、すなわち熱膨張および熱収縮などの影響を受
けた場合には、検査用回路基板を構成する材料と異方導
電性シートを構成する材料との間で生ずる応力の程度が
異なるため、電気的接続状態が変化して安定な接続状態
が維持されない場合がある。

【０００８】以上の問題点を解決するために、絶縁性の
弾性高分子物質中に導電性粒子が密に充填されてなる複
数の導電部が配置された異方導電性を有するコネクター
層が、検査用回路基板上の全ての接続電極を含む領域
（以下接続電極領域という）に一体的に形成されてなる
検査用回路基板装置が提案されている（特開平４−１５
１８８９号公報参照）。

【０００９】図１３は、従来の検査用回路基板装置の一
例における検査時のテスターおよび被検査基板との関係
を示す図である。また図１４，１５はそれぞれ接続電極
領域の構成を示す説明用の断面図および平面図である。
これらの図において、８０は検査用の回路基板であり、
この回路基板８０の接続電極領域８７の表面上には、複
数の接続電極８１が、検査すべき回路装置の端子電極７
１のパターンと対掌のパターンに従って、回路基板８０
の表面から僅かに突出した状態で形成されている。回路
基板８０の裏面には、配線路８２により接続電極８１と
それぞれ対応する関係で電気的に接続された複数のグリ
ッド電極８３が形成され、テスター側端子電極７３と接
続される。この回路基板８０の接続電極領域の表面に
は、異方導電性コネクター層８４が一体的に形成されて
いる。この異方導電性コネクター層８４においては、そ
の厚み方向に伸びる、弾性高分子物質中に導電性粒子が
密に充填されてなる多数の導電路形成部８５が、接続電
極８１上に位置された状態で、かつ、隣接する導電路形
成部８５が相互に絶縁部８６によって絶縁された状態で
形成されており、この導電路形成部８５の各々は、絶縁
部８６の表面から突出した状態とされている。

【００１０】回路基板の検査においては、被検査回路基
板７０とテスターの間に、当該検査用回路基板装置を介
在させ、被検査回路基板の端子電極７１と当該検査用回
路基板装置の導電路形成部８５とを接続し、さらに当該
検査用回路基板装置のグリッド電極８３とテスターの端
子電極７２とを接続し、相互に加圧して電気的接続を行
い、被検査回路基板の電気的検査を行うことができる。

【００１１】このような検査用回路基板装置によれば、
回路基板８０の接続電極領域の表面に異方導電性コネク
ター層８２が一体的に形成されており、しかも接続電極
８１に導電路形成部８５が配置されているため、電気的
接続作業時に異方導電性コネクター層８２の位置合わせ
および保持固定を行うことが不要で、所要の電気的接続
を確実に達成することができると共に、温度変化による
熱履歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状
態が安定に維持され、従って、高い接続信頼性が得られ
る。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
検査用回路基板装置においては、導電路形成部が絶縁部
から突出して配列されているため、回路基板の検査時に
被検査回路基板とテスターの相互の電気的接続を行うた
めに上下から力をかけた場合に、この部分に力が集中
し、逆に異方導電性コネクター層に導電路形成分がない
部分のグリッド電極には力が掛りにくくなり、十分な導
電性が得られないという問題が有った。また被検査回路
基板および検査用回路基板装置が加圧により変形するこ
とがあり、さらに力の不均一は大きくなり、導通性や耐
久性が不十分な電極が発生するという問題が有った。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、以上のような
事情に基づき、従来の問題を解決するためになされたも
のである。すなわち本発明は、被検査基板の検査用回路
基板装置であって、被検査基板の端子電極に対応するパ
ターンに従って接続電極が配置された回路基板と、当該
回路基板の接続電極上に形成された導電路形成部と該接
続電極以外の位置に配置された荷重分散部とそれらを相
互に絶縁する絶縁部により形成される異方導電性コネク
ター層とからなる検査用回路基板装置を提供するもので
ある。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の検査用回路基板装置は、
検査すべき回路基板装置における端子電極に対応するパ
ターンに従って接続電極が配置された回路基板と、導電
路形成部と荷重分散部とそれらを相互に絶縁する絶縁部
により形成される異方導電性コネクター層とからなるも
のである。前記回路基板は一方の面に被検査回路基板の
電極に対応するパターンに従って接続電極が配置された
接続電極領域を有し、他方の面には上記接続電極から配
線によって接続されたグリッド電極を有し、前記異方導
電性コネクター層は、上記回路基板の接続電極領域の表
面上に上記接続電極のパターンに従って配置される導電
路形成部と、該導電路形成部の存在が粗な領域あるいは
存在しない領域に配置される荷重分散部と、それらを相
互に絶縁するための絶縁部によって形成される。

【００１５】以下、本発明の検査用回路基板装置につい
て詳細に説明する。図１は、本発明の検査用回路基板装
置の一例における構成を示す説明用断面図である。この
図において、１０は検査用の回路基板であり、この回路
基板１０の表面上に、複数の接続電極１１が、特定のパ
ターンに従って、回路基板１０の表面から僅かに突出し
た状態で形成されている。この特定のパターンは、通常
検査対象である被検査回路基板の端子電極パターンと対
掌のパターンである。回路基板１０の裏面には、例えば
電極間隔（ピッチ間隔）が２．５４ｍｍ、１．８０ｍ
ｍ、１．５ｍｍ、１．２７ｍｍ，１．０６ｍｍ，１．０
ｍｍ，０．８ｍｍ，０．７５ｍｍ，０．６５ｍｍ，０．
５ｍｍなど規格化された標準格子点配列に従った配列
で、グリッド電極１３が形成されており、接続電極１１
は、配線路１２によりそれぞれグリッド電極１３の適宜
のものに接続されている。

【００１６】このような回路基板１０の表面には、異方
導電性コネクター層（以下、単に「コネクター層」とい
う。）２０が一体的に接着乃至密着した状態で設けられ
ている。このコネクター層２０においては、絶縁性の弾
性高分子物質中に、その厚み方向に伸びる導電性磁性体
粒子が充填された多数の導電路形成部２１が、回路基板
１０の接続電極１１に対応するパターンに従って形成さ
れている。また該導電路形成部の存在が粗な領域あるい
は存在しない領域には、絶縁性の弾性高分子物質からな
る荷重分散部２２が形成されている。隣接する導電路形
成部２１および荷重分散部２２の各々の間は、好ましく
は弾性高分子物質よりなる絶縁部２３によって埋められ
ている。導電路形成部２１および荷重分散部２２の各々
は、好ましくは図２の（ロ）に示すように絶縁部２３の
表面からそれぞれ高さｈ１，ｈ２だけ突出した状態とさ
れている。そして、このコネクター層２０は、導電路形
成部２１の各々が対応する接続電極１１上に位置された
状態で、回路基板１０の表面上に配置されている。

【００１７】このような各導電路形成部２１において
は、好ましくは導電性磁性体粒子が厚み方向に並んだ状
態に配向されており、厚み方向に導電路が形成される。
この導電路形成部２１は、無加圧状態で厚さ方向に電気
的に導通していてもよく、また厚み方向に加圧されて圧
縮されたときに抵抗値が減少して導電路が形成される加
圧導電路形成部とすることもできる。これに対して、絶
縁部２３は、加圧されたときにも厚み方向に導電路が形
成されないものである。

【００１８】導電路形成部２１における導電性磁性体粒
子の充填割合は、通常５体積％以上とされ、好ましくは
２５〜５０体積％とされる。特に、形成すべき導電路形
成部２１を加圧導電路形成部とする場合においては、導
電性粒子の割合が大きいことが好ましく、これにより、
加圧が小さいときにも確実に所期の電気的接続を達成す
ることができる。この割合が５体積％未満の場合には、
形成される導電路の抵抗値が高いものとなって、必要な
導電性が得られ難い。

【００１９】導電路形成部２１の各々の表面の面積は、
検査すべき回路装置（被検査回路基板）における対応す
る端子電極の表面の面積によって定められるが、対応す
る端子電極の表面の面積の１０〜２００％が好ましく、
さらに好ましくは２０〜１５０％、より好ましくは３０
〜１００％、特に好ましくは４０〜８０％である。

【００２０】コネクター層における荷重分散部２２の配
置は、導電路形成部２１が存在しない領域もしくはその
存在が粗な領域に散在していることが好ましい。その配
置としては、回路基板裏面の4つのグリッド電極に囲ま
れた最小の範囲を繰り返しの単位として、導電路形成部
以外の場所に大略規則的に配置されていることが好まし
く、さらに好ましくは裏面のグリッド電極に相当する位
置、および必要に応じてさらにその中間に配置される。
その中間の位置としては、グリッド電極に相当する位置
からの距離がグリッド電極間隔の1/ｎ√２ないし１／ｎ
（ただしｎは１以上の数値）となる位置に等間隔に配置
されるのが好ましい。

【００２１】本発明の検査用回路基板装置において、検
査時に被検査回路基板と重なる部分に存在する荷重分散
部２２の被検査基板と接触する部分の面積の合計面積
は、上記検査時に被検査回路基板外形で囲まれる領域の
面積に対して５〜５０％が好ましく、さらに好ましくは
７〜４０％であり、特に好ましくは１０〜３０％であ
る。５％未満の場合には導電路形成部にかかる荷重が大
きくなり高い繰り返し耐久性が得られ難い。また５０％
を超える場合には導電路形成部にかかる荷重が小さくな
り、必要な導電性が得られ難い。

【００２２】荷重分散部２２の各々の断面形状は特に制
限はないが、好ましくは円または長方形である。荷重分
散部２２の被検査基板と接触する部分の一個あたりの面
積は、４つのグリッド電極の中心によって囲まれる最小
面積に対して１〜５０％が好ましく、さらに好ましくは
２〜４０％、特に好ましくは５〜３０％である。

【００２３】荷重分散部２２の形成材料としては、導電
性を有する弾性高分子でもよいが、絶縁性の高分子であ
ることがより好ましい。絶縁性の高分子としては、絶縁
部と同様のものが使用できる。具体的には絶縁性の弾性
高分子物質が好ましい。かかる絶縁性の弾性高分子物質
としては、硬化性のものが好ましく、架橋構造を有する
高分子物質が好ましい。かかる架橋高分子物質を得るた
めに用いることができる硬化性の高分子物質用材料とし
ては、例えばシリコーンゴム、ポリブタジエンゴム、天
然ゴム、ポリイソプレン、スチレン−ブタジエン共重合
体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴム、
エチレン−プロピレン共重合体ゴム、ウレタンゴム、ポ
リエステル系ゴム、クロロプレンゴム、エピクロルヒド
リンゴム、軟質液状エポキシゴムなどが挙げられる。

【００２４】荷重分散部は、絶縁部と同時に成形しても
よく、またあらかじめ荷重分散部を形成した後絶縁部を
コネクター層と一体化するよう形成してもよい。荷重分
散部２２の弾性率は、導電路形成部と荷重分散部の変形
量の差が小さくなるように選択することが好ましい。荷
重分散部２２の弾性率は、導電路形成部の弾性率の１５
〜２００％が好ましく、さらに好ましくは２５〜１５０
％、特に好ましくは３０〜１００％である。

【００２５】導電路形成部２１は、図２の（ロ）に示す
ように、絶縁部２３より突出していることが好ましい。
この突出高さｈ１は、コネクター層２０の全厚ｔ（ｔ＝
ｈ＋ｔ１、ｔ１は絶縁部２３の厚みである。）の５％以
上であることが好ましく、さらに好ましくは８％以上で
ある。また、コネクター層２０における導電路形成部２
１の配置ピッチｐの３００％以下であることが好まし
く、さらに好ましくは２００％以下である。また荷重分
散部２２は、図２の（ロ）に示すように、絶縁部２３よ
り突出していることが好ましい。この突出高さｈ２は、
導電路形成部２１の突出高さｈ１の５０〜１５０％であ
ることが好ましく、さらに好ましくは６０〜１２０％、
特に好ましくは７０〜１００％である。このような条件
が充足されることにより、当該コネクター層２０に作用
される加圧力が変化した場合にも、それによる導電路形
成部２１の導電性の変化が十分に小さく制御される。

【００２６】導電路形成部２１は、導電性を有する弾性
高分子物質であることが好ましい。具体的には弾性高分
子物質中に導電性物質が配合されたものが好ましい。か
かる弾性高分子物質としては導電性のものでもよいが、
絶縁性のものでもよい。絶縁性の弾性高分子物質として
は、硬化性のものが好ましく、架橋構造を有する高分子
物質が好ましい。かかる架橋高分子物質を得るために用
いることができる硬化性の高分子物質用材料としては、
例えばシリコーンゴム、ポリブタジエンゴム、天然ゴ
ム、ポリイソプレン、スチレン−ブタジエン共重合体ゴ
ム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴム、エチ
レン−プロピレン共重合体ゴム、ウレタンゴム、ポリエ
ステル系ゴム、クロロプレンゴム、エピクロルヒドリン
ゴム、軟質液状エポキシゴムなどが挙げられる。導電路
形成部２１は、荷重分散部２２に用いられる高分子物質
と同一のものを用いてもよく、また異なるものを用いる
こともできる。

【００２７】具体的には、硬化処理前には液状もしくは
流動性であって、硬化処理後には回路基板１０と密着状
態または接着状態を保持して回路基板１０と一体となる
高分子物質材料が好ましい。このような観点から、液状
シリコーンゴム、液状ウレタンゴム、軟質液状エポキシ
ゴムなどが好適に用いられる。硬化処理としては、加熱
や紫外線等の放射線照射などが挙げられる。以上の高分
子物質用材料には、回路基板１０に対する接着性を向上
させるために、シランカップリング剤、チタンカップリ
ング剤などの添加剤を添加することができる。

【００２８】導電路形成部２１を形成するために配合さ
れる導電性物質としては、導電性粒子が好ましい。導電
性粒子としては、その成形加工性の点から導電性磁性体
粒子が好ましい。導電性磁性体粒子としては、例えばニ
ッケル、鉄、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子若し
くはこれらの合金の粒子、またはこれらの粒子に金、
銀、パラジウム、ロジウムなどのメッキを施したもの、
非磁性金属粒子若しくはガラスビーズなどの無機質粒子
またはポリマー粒子にニッケル、コバルトなどの導電性
磁性体のメッキを施したものなどが挙げられ、特に、接
触抵抗が小さいなどの電気的特性の点で金メッキが施さ
れた金属粒子を用いることが好ましい。また、磁気ヒス
テリシスを示さない点から、導電性超常磁性体よりなる
粒子も好ましく用いることができる。

【００２９】また、導電性に支障を与えない範囲で、導
電性磁性体粒子の表面がシランカップリング剤、チタン
カップリング剤などのカップリング剤で処理されたもの
を適宜用いることができる。導電性磁性体粒子の表面が
カップリング剤で処理されることにより、当該導電性磁
性体粒子と導電路形成部用材料に用いられる硬化性の高
分子物質用材料との接着力が大きくなり、その結果、得
られる検査用回路基板装置は、繰り返しの使用における
耐久性が更に高いものとなる。

【００３０】また、導電性磁性体粒子の粒径は、３〜２
００μｍであることが好ましく、特に、１０〜１００μ
ｍであることが好ましい。これにより、形成される導電
路形成部２１は加圧変形が容易なものとなり、当該導電
路形成部２１において導電性磁性体粒子間に十分な電気
的な接触が得られる。

【００３１】絶縁部２３を構成する高分子物質として
は、荷重分散部２２を構成する高分子物質として例示し
たものと同様のものが挙げられ、導電路形成部２１に用
いられる高分子物質と同一のものまたは異なるものを用
いることができる。

【００３２】上記の検査用回路基板装置によれば、コネ
クター層２０の導電路形成部２１には、被検査回路基板
の外形範囲内の導電路形成部が無い部分には一様な密度
で荷重分散部２２が設けられており、この荷重分散部２
２によりグリッド電極にかかる荷重を一様に分散するた
め導電路形成部にかかる荷重は一様になり、その結果す
べての導電路において一様な電気的接続が得られる。ま
たグリッド電極とテスターの端子電極との接続も一様に
なり、全電極で確実な接続ができ、かつ耐久性も得られ
る。

【００３３】上記の検査用回路基板装置の製造方法とし
ては、例えば導電路形成部成形用部材および非磁性体部
材を有する金型を用い、回路基板１０上にコネクター層
２０を形成することにより、製造することができる。図
３は、コネクター層２０を形成するために用いられるコ
ネクター層形成用金型の一例における要部の構成を示す
説明用断面図である。このコネクター層形成用金型は、
一方の型（以下、「上型」という。）４０と、これと対
となる他方の型（以下、「下型」という。）５０と、こ
れらの間にキャビティＣを形成するためのスペーサー５
４とにより構成されている。

【００３４】上型４０においては、磁性金属基板４１の
下面に、回路基板１０の接続電極１１のパターンと対掌
のパターンに従って強磁性体により形成される導電路形
成部成形用部材４２が配置され、この導電路形成部成形
用部材４２以外の領域には非磁性体部材４３が配置され
ており、非磁性体部材４３の下面が、導電路形成部成形
用部材４２の下面より高さｈ１だけ下方に突出した状態
とされている。非磁性体部材４３にはコネクター層にお
ける荷重分散部２２と対掌なパターンにしたがって、荷
重分散部２２と同様な断面形状を有する非磁性体により
形成される荷重分散部形成用部材４４が配置されてお
り、荷重分散部形成用部材４４の下面は非磁性体部材４
３の下面より高さｈ２だけ上方に窪んだ状態とされてい
る。

【００３５】一方、下型５０においては、磁性金属基板
５１上に、回路基板１０の接続電極１１のパターンと同
一のパターンに従って導電路形成部成形用部材５２が配
置され、この導電路形成部成形用部材５２以外の領域に
は非磁性体部材５３が配置されており、この例において
は、非磁性体部材５３の上面が、導電路形成部成形用部
材５２の上面より上方に突出した状態とされている。導
電路形成部成形用部材５２は、形成すべき導電路形成部
２１と同等の断面形状を有する強磁性体により構成され
ている。

【００３６】以上において、磁性金属基板４１および磁
性金属基板５１は、例えば、鉄、鉄−ニッケル合金、鉄
−コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属
により構成されている。

【００３７】導電路形成部成形用部材４２および導電路
形成部成形用部材５２を形成するための強磁性体材料と
しては、鉄、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト合金、ニ
ッケル、コバルトなどを用いることができる。

【００３８】非磁性体部材４３および非磁性体部材５３
を形成するための非磁性体材料としては、銅などの非磁
性金属、ポリイミドなどの耐熱性樹脂などを用いること
ができるが、放射線によって硬化されて高分子物質とな
る材料、例えばアクリル系のドライフィルムレジスト、
エポキシ系の液状レジスト、ポリイミド系の液状レジス
トなどのフォトレジストなどは、フォトリソグラフィー
の手法を利用して容易に非磁性体部分を形成することが
できるので、これらを好適に用いることができる。

【００３９】そして、上記の金型を用いて次のようにし
てコネクター層２０が形成される。先ず、硬化処理前は
液状もしくは流動性で、硬化処理をすると絶縁性の弾性
高分子物質となる高分子物質用材料中に導電性磁性体粒
子を分散させて流動性の導電路形成部用材料を調製し、
これを用いて、金型のキャビティＣにおける上型４０の
導電路形成部成形用部材４２と下型５０の導電路形成部
成形用部材５２との間の導電路形成部用キャビティ部分
Ｄに、導電路形成部用材料層６０を形成する。

【００４０】具体的には、図４に示すように、上型４０
の導電路形成部成形用部材４２の下面および下型５０の
導電路形成部成形用部材５２の上面の各々に、上記導電
路形成部用材料を印刷または塗布することにより、盛り
上げられた状態の塗布層６１，６２を形成した後、図５
に示すように、塗布層６１と塗布層６２とを対接させた
状態で、上型４０をスペーサー５４を介して下型５０に
配置することにより、導電路形成部用材料層６０を形成
する。

【００４１】次に図６に示すように、電磁石６３、６４
を作動させ、金型のキャビティＣにおける導電路形成部
用キャビティ部分Ｄ（図３参照）に形成された導電路形
成部用材料層６０に、磁場を上下方向に作用させること
により、導電性磁性体粒子を導電路形成部用材料層６０
の厚み方向に配向させる。

【００４２】そして、この状態において、図７に示すよ
うに、例えば加熱して導電路形成部用材料層を硬化処理
することにより、導電路形成部２１を形成する。導電路
形成部用材料層６０の硬化処理は、平行磁場を作用させ
たままの状態で行うことが好ましいが、平行磁場の作用
を停止させた後に行うこともできる。導電路形成部用材
料層６０に作用される平行磁場の強度は、金型の各導電
路形成部用キャビティ部分の平均で２００〜１００００
ガウスとなる大きさが好ましい。硬化処理は、使用され
る材料によって適宜選定されるが、通常、熱処理によっ
て行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、導電
路形成部用材料層６０の高分子物質材料の種類、導電性
磁性体粒子の移動に要する時間などを考慮して適宜選定
される。例えば、高分子物質材料が室温硬化型シリコー
ンゴムである場合に、硬化処理は、室温で２４時間程
度、４０℃で２時間程度、８０℃で３０分間程度で行わ
れる。

【００４３】その後、この導電路形成部２１を上型４０
の導電路形成部成形用部材４２に保持させた状態で下型
５０から離型させて下面側を露出させることにより、上
型４０の導電路形成部成形用部材４２上に導電路形成部
２１が配置されてなるコネクター層形成用中間体４５が
形成される。

【００４４】一方、図８に示すように、検査用の回路基
板１０の接続電極領域上に、硬化処理まえは液状もしく
は流動性であるが硬化処理によって絶縁性の弾性高分子
物質となる高分子物質材料よりなる絶縁部用材料層６５
を形成する。図９に示すように、この絶縁部用材料層６
５が形成された回路基板１０の接続電極領域上に、上記
で製造したコネクター層形成用中間体４５を重ね合わ
せ、回路基板１０の接続電極領域における接続電極１１
に、コネクター層形成用中間体４５の導電路形成部２１
が対接した状態とする。このとき、接続電極１１上の絶
縁部用材料層は、導電路形成部２１によって当該領域か
ら排除され、接続電極１１と導電路形成部２１とが確実
に接続できる。また、上型における荷重分散部形成用凹
部４４に絶縁部用材料が充填され、荷重分散部２２が形
成される。

【００４５】そして、この状態で絶縁部用材料層６５を
硬化処理することにより荷重分散部２２および絶縁部２
３を形成し、その後、上型４０を離型させることによ
り、図１０に示すように導電路形成部２１の各々が対応
する接続電極１１上に位置された状態で、かつ回路基板
１０の高密度接続電極１２に一体的に接着乃至密着した
状態でコネクター層２０が形成される。絶縁部用材料層
６５の硬化処理は、導電路形成部用材料層６０の硬化処
理において示した条件と同様の条件で行うことができ
る。

【００４６】図１０は、本発明の検査用回路基板装置の
他の例における接続電極領域の構成を示す説明用断面図
である。この検査用回路基板装置においては、荷重分散
部２２はグリッド電極間隔の半分の間隔を置いて配置さ
れ、荷重分散部２２一個当たりの面積はグリッド電極間
隔と等しい間隔で配置される場合の４分の１とされる。
これにより、導電路形成部２１と荷重分散部２２の変形
量が等しく保たれる。

【００４７】図１１は、本発明の検査用回路基板装置の
他の例における接続電極領域の構成を示す説明用断面図
である。この検査用回路基板装置においては、荷重分散
部２２は、導電路形成部を形成する弾性高分子材料より
高い弾性率を有する弾性高分子材料により形成されたも
ので、荷重分散部２２の一個あたりの面積を小さくし、
加圧されたときの荷重分散部２２と導電路形成部２１の
変形量を等しく保つことができる。

【００４８】以上、本発明の検査用回路基板装置の実施
の形態について説明したが、本発明はこれらに限定され
るものではなく、種々の変更が可能である。例えば、隣
接する４つのグリッド電極に囲まれる最小面積あたりの
荷重分散部突起の個数、荷重分散部突起の形状・断面
積、グリッド電極に対する位置は、グリッド電極の面
積、個数、導電路形成部の面積に応じて適宜選択するこ
とができる。

【００４９】

【実施例】以下、本発明の検査用回路基板装置の具体的
な実施例について説明するが、本発明はこれに限定され
るものではない。

【００５０】〈実施例〉各々の電極幅が０．３ｍｍ、電
極間ピッチが０．５ｍｍの接続電極（１１）を２００本
有する回路基板（１０）の接続電極領域に、下記のよう
にしてコネクター層（２０）を形成することにより、図
１に示す構成の検査用回路基板装置Ａを製造した。

【００５１】〔導電部用材料の調製〕室温硬化型シリコ
ーンゴム１００部に平均粒径３０μｍのニッケル粒子よ
りなる導電性磁性体粒子１００部を混合することにより
導電路形成部用材料を調製した。

【００５２】〔金型の作製〕下記の条件に従って、図３
に示す構成のコネクター層形成用金型を作製した。 基板（４１，５１）：材質；鉄製，厚み５ｍｍ， 導電路形成部成形用部材（４２，５２）：材質；ニッケ
ル，寸法；縦幅０．５ｍｍ，横幅０．１ｍｍ，厚み０．
２ｍｍ， 非磁性体部材（４３，４４，５３）の材質：アクリル系
ドライフィルムレジスト硬化物， 非磁性体部材（４３）の突出高さｈ１、ｈ２：０．０５
ｍｍ， スペーサー（５４）の厚み：０．３ｍｍ

【００５３】〔導電部用材料層の形成〕上記の金型の上
型（４０）の下面に導電路形成部用材料を用いてスクリ
ーン印刷することにより、導電路形成部成形用部材（４
２）の下面に導電部用材料の塗布層（６１）を形成する
と共に、下型（５０）の上面に導電路形成部用材料を用
いてスクリーン印刷することにより、導電路形成部成形
用部材（５２）の上面に導電部用材料の塗布層（６２）
を形成し、その後、この上型（４０）を、その塗布層
（６１）が下型（５０）の塗布層（６２）に対接するよ
うスペーサー（５４）を介して下型（５０）に配置する
ことにより、上型（４０）の導電路形成部成形用部材
（４２）とこれに対応する下型（５０）の導電路形成部
成形用部材（５２）との間に導電部用材料層（６０）を
形成した（図４，図５参照）。

【００５４】〔導電部およびコネクター層形成用中間体
の形成〕導電部材料層（６０）が形成された金型の上型
（４０）の上面および下型（５０）の下面に、電磁石
（６３，６４）を配置して動作させることにより、上下
方向に平行磁場を作用させ、そのまま状態で４０℃にて
３時間放置して導電部材料層（６０）を硬化させること
により導電路形成部（２１）を形成し、その後、この導
電路形成部（２１）を上型（４０）の導電路形成部成形
用部材（４２）に保持ささせた状態で下型（５０）から
離型させて露出させることにより、コネクター層形成用
中間体（４５）を形成した（図６，図７参照）。

【００５５】〔絶縁部の形成〕回路基板（１０）の接続
電極領域に、室温硬化型シリコーンゴムよりなる絶縁部
用材料層（６５）を形成し、更に、コネクター層形成用
中間体（４５）を、回路基板（１０）の接続電極（１
１）と導電路形成部（２１）とが対接するよう配置した
後、この状態で８０℃にて１時間放置して絶縁部用材料
層（６５）を硬化させることにより絶縁部（２３）を形
成した（図８，図９参照）。

【００５６】以上により得られた検査用回路基板装置Ａ
は、コネクター層（２０）の導電路形成部（２１）の縦
幅Ｌが０．５ｍｍ、横幅Ｗが０．１ｍｍ（断面積Ｓ＝
０．５ｍｍ² ）、突出高さｈ１、ｈ２が５０μｍ、絶縁
部（２３）の厚みｔが０．３ｍｍのものであった。

【００５７】＜比較例＞上型において荷重分散部形成用
部材４４を非磁性体部材４３で置き換えた金型を作製
し、このコネクター層形成用金型を用いたこと以外は実
施例と同様にして、図１４、１５に示す構成の荷重分散
部を有しない比較用の検査用回路基板装置Ｂを製造し
た。

【００５８】〔実験例〕検査用回路基板装置Ａおよび検
査用回路基板装置Ｂをそれぞれ、各々の電極幅が０．３
ｍｍ、電極ピッチが０．５ｍｍの端子電極を２００本有
する被検査回路装置Ｘとテスターの間に介在させ、各々
の電極を相互に接続し、接続電極の電気的接続における
抵抗値を測定したところ、検査用回路基板装置Ａは０．
２〜１．０Ω、検査用回路基板装置Ｂは０．１〜５００
Ωであった。検査用回路基板装置Ａおよび検査用回路基
板装置Ｂを、それぞれ５００００回繰り返して使用した
後に、それぞれのコネクター層の導電路形成部を顕微鏡
により観察したところ、検査用回路基板装置Ａにおいて
異常は認められなかったが、検査用回路基板装置Ｂにお
いては導電路形成部の破損が認められた。また、接続電
極の電気的接続における抵抗値を測定したところ、検査
用回路基板装置Ａは１Ωであったが、検査用回路基板装
置Ｂは１ｋΩを超えた。以上の結果から、本発明の検査
用回路基板装置Ａは、接続信頼性が高く、しかも、繰り
返し耐久性に優れたものであることが確認された。

【００５９】

【発明の効果】本発明の検査用回路基板装置によれば、
異方導電性コネクター層の表面の裏面から荷重がかかる
部分には荷重分散部が設定されており、導電路形成部お
よび荷重分散部には均一に荷重がかかるので、導電路形
成部は全域において一様に変形し、その結果、グリッド
電極および導電路においては一様で安定的な電気的接続
が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の検査用回路基板装置の一例における
接続電極領域の構成を示す説明用断面図である。

【図２】 図１の検査用回路基板装置の一部を拡大して
示す説明用断面図である。

【図３】 本発明の検査用回路基板装置を製造するため
に用いられるコネクター層形成用金型の一例における要
部の構成を示す説明用断面図である。

【図４】 金型の上型および下型の導電路形成部成形用
部材に塗布層を形成した状態を示す説明図である。

【図５】 金型の導電部用キャビティ部分に導電路形成
部用材料層を形成した状態を示す説明図である。

【図６】 導電路形成部用材料層に平行磁場を作用させ
た状態を示す説明図である。

【図７】 導電路形成部を形成して、コネクター層形成
用中間体を形成する工程を示す説明図である。

【図８】 回路基板の接続電極領域上に絶縁部用材料層
が形成された状態を示す説明図である。

【図９】 回路基板の接続電極領域上にコネクター層形
成用中間体が配置された状態を示す説明図である。

【図１０】 本発明の検査用回路基板装置の他の例にお
ける接続電極領域の構成を示す説明用断面図である。

【図１１】 本発明の検査用回路基板装置の更に他の例
における接続電極領域の構成を示す説明用断面図であ
る。

【図１２】 プリント回路基板よりなる回路装置の一例
の配置を示す説明図である。

【図１３】 従来の検査用回路基板装置の一例における
被検査基板とテスターとの関係をを示す説明図である。

【図１４】 従来の検査用回路基板装置の一例における
接続電極領域の構成を示す説明用断面図である。

【図１５】 従来の検査用回路基板装置の一例における
接続電極領域の平面図である。

【符号の説明】

１０ 回路基板 １１ 接続電極 １２ 配線路 １３ グリッド
電極 ２０ 異方導電性コネクター層 ２１ 導電路形
成部 ２２ 加重分散部 ２３ 絶縁部 ４０ 一方の型（上型） ４１ 磁性金属
基板 ４２ 導電路形成部成形用部材 ４３ 非磁性体
部材 ４４ 荷重分散部形成用部材 ４５ コネクター層形成用中間体 ５０ 他方の型
（下型） ５１ 磁性金属基板 ５２ 導電路形
成部成形用部材 ５３ 非磁性体部材 ５４ スペーサ
ー ６０ 導電部用材料層 ６１，６２ 塗
布層 ６３，６４ 電磁石 ６５ 絶縁部用
材料層 ７０ 被検査基板 ７１ 端子電極 ７２ テスター側電極領域 ７３ テスター
側接続電極 ８０ 回路基板 ８１ 接続電極 ８２ 配線路 ８３ グリッド
電極 ８４ 異方導電性コネクター層 ８５ 導電路形
成部 ８６ 絶縁部 ８７ 接続電極
領域 ９０ 回路装置 ９１ 機能素子
領域 ９２ 端子電極 ９３ 端子電極領域 Ｃ キャビテ
ィ Ｄ 導電路形成部用キャビティ部分

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被検査基板の検査用回路基板装置であっ
   て、被検査基板の端子電極に対応するパターンに従って
   接続電極が配置された回路基板と、当該回路基板の接続
   電極上に形成された導電路形成部と該接続電極以外の位
   置に配置された荷重分散部とそれらを相互に絶縁する絶
   縁部により形成される異方導電性コネクター層とからな
   る検査用回路基板装置。
2. 【請求項２】 前記回路基板は一方の面に被検査基板の
   電極に対応するパターンに従って配置された接続電極を
   有し、他方の面には上記接続電極から配線によって接続
   されたグリッド電極を有し、前記異方導電性コネクター
   層は、上記回路基板の接続電極のパターンに従って配置
   される導電路形成部と、回路基板上において接続電極が
   存在しない領域もしくはその存在が疎の領域に配置され
   る荷重分散部と、それらを相互に絶縁するための絶縁部
   によって形成されたものである請求項１記載の検査用回
   路基板装置。
3. 【請求項３】 導電路形成部は絶縁性の弾性高分子中に
   導電性粒子が充填されてなり、相互に絶縁部によって絶
   縁された状態で複数配置され、荷重分散部は上記回路基
   板の接続電極が存在しない領域もしくはその存在が粗の
   領域に配置されることを特徴とする請求項１記載の検査
   用回路基板装置。
4. 【請求項４】 導電路形成部は絶縁部の表面より突出し
   た状態で複数配置され、荷重分散部は絶縁部の表面より
   突出した状態で複数配置されることを特徴とする請求項
   １記載の検査用回路基板装置。
5. 【請求項５】 荷重分散部は上記回路基板のグリッド電
   極中心に対応する位置、および必要に応じてそれ以外の
   位置に複数配置されることを特徴とする請求項１記載の
   検査用回路基板装置。
6. 【請求項６】 検査用回路基板装置において、検査時に
   被検査基板と重なる領域における荷重分散部の被検査基
   板と接触する部分の総面積は、被検査基板の外形に囲ま
   れる面積の５〜５０％であることを特徴とする請求項１
   記載の検査用回路基板装置。
7. 【請求項７】 荷重分散部の被検査基板と接触する部分
   の一個当たりの面積は、4個のグリッド電極の中心点に
   よって囲まれる最小の面積の１〜５０％であることを特
   徴とする請求項１記載の検査用回路基板装置。