JP2973268B2 - 検査用回路基板装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、回路装置を検査するた
めの異方導電性コネクター層を有する検査用回路基板装
置の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、プリント回路基板などの実用に
供される回路装置においては、図１２に示すように、回
路装置９０の中央部に機能素子が高度の集積度で形成さ
れた機能素子領域９１が設けられると共に、その周縁部
に機能素子領域９１のための多数の端子電極９２が配列
されてなる端子電極領域９３が形成される。そして、現
在においては、機能素子領域９１の集積度の増大に伴っ
て端子電極領域９３の端子電極数が一層増加し高密度化
する傾向にある。

【０００３】このような実用に供される回路装置の電気
的検査においては、検査対象である回路装置の端子電極
と、検査用回路基板のリード電極との電気的な接続を達
成するために、従来、回路装置の端子電極領域と、検査
用回路基板のリード電極領域との間に、異方導電性シー
トを介在させることが行われている。

【０００４】この異方導電性シートは、厚さ方向にのみ
導電性を示すもの、または加圧されたときに厚さ方向に
のみ導電性を示す多数の加圧導電性導電部を有するもの
であり、種々の構造のものが例えば特公昭５６−４８９
５１号公報、特開昭５１−９３３９３号公報、特開昭５
３−１４７７７２号公報、特開昭５４−１４６８７３号
公報などにより、知られている。

【０００５】このような異方導電性シートは、それ自体
が単独の製品として製造され、また単独で取り扱われる
ものであって、電気的接続作業においては検査用回路基
板に対して特定の位置関係をもって保持固定することが
必要である。

【０００６】然るに、独立した異方導電性シートを利用
して回路装置と検査用回路基板との電気的接続を達成す
る手段においては、接続されるべき電極の配列ピッチ
（以下「電極ピッチ」という。) 、すなわち互いに隣接
する端子電極の中心間距離が小さくなるに従って異方導
電性シートの位置合わせおよび保持固定が困難となる、
という問題点がある。

【０００７】また、一旦は所望の位置合わせおよび保持
固定が実現された場合においても、温度変化による熱履
歴の影響、すなわち熱膨張および熱収縮などの影響を受
けた場合には、検査用回路基板を構成する材料と異方導
電性シートを構成する材料との間で生ずる応力の程度が
異なるため、電気的接続状態が変化して安定な接続状態
が維持されない、という問題点がある。

【０００８】以上の問題点を解決するために、絶縁性の
弾性高分子物質中に導電性粒子が密に充填されてなる複
数の導電部が配置された異方導電性を有するコネクター
層が、検査用回路基板のリード電極領域に一体的に形成
されてなる検査用回路基板装置が提案されている（特開
平４−１５１８８９号公報参照）。

【０００９】そして、このような検査用回路基板装置
は、例えば下記の工程および工程を経由して製造さ
れる。 工程 硬化処理によって絶縁性の弾性高分子物質となる高分子
物質材料中に導電性磁性体粒子を分散させた流動性混合
物よりなる導電部用材料層を、回路基板のリード電極領
域におけるリード電極の表面上に形成すると共に、硬化
処理によって絶縁性の弾性高分子物質となる材料よりな
る絶縁部用材料層を、回路基板のリード電極領域におけ
るリード電極以外の表面上に形成する。 工程 工程により形成された導電部用材料層に磁場を厚さ方
向に作用させることにより、導電性磁性体粒子を厚さ方
向に配向させると共に、導電部用材料層および絶縁部用
材料層を硬化処理することにより、リード電極上に位置
する部分に導電部を形成し、それ以外の領域に絶縁部を
形成する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
工程においては、導電性磁性体粒子が導電部用材料層
の厚さ方向に十分に配向されず、その結果、得られる検
査用回路基板装置は、その抵抗値が繰り返しの使用によ
り増大して耐久性の低いものとなる、という問題があ
る。

【００１１】本発明の目的は、回路基板のリード電極領
域の表面上に一体に形成された異方導電性コネクター層
を有してなる検査用回路基板装置であって、繰り返して
使用するときでも、抵抗値が増大することがなくて耐久
性に優れた検査用回路基板装置を製造することができる
方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の検査用回路基板
装置の製造方法は、検査すべき回路装置に係る端子電極
に対応するパターンに従ってリード電極が形成された回
路基板のリード電極領域の表面上に異方導電性コネクタ
ー層が一体に形成されてなる検査用回路基板装置の製造
方法において、磁性金属基板上に、前記パターンと対掌
のパターンの強磁性体部分およびこの強磁性体部分より
も突出するよう非磁性体部分が形成されてなる一方の型
と、前記パターンと同一のパターンによる強磁性体部分
およびそれ以外の領域に非磁性体部分が形成されてなる
他方の型とが、キャビティを介して互いに対向するよう
配置されてなる金型を用い、前記金型のキャビティにお
ける一方の型の強磁性体部分とこれに対応する他方の型
の強磁性体部分との間の導電部用キャビティ部分に、硬
化されて絶縁性の弾性高分子物質となる高分子物質用材
料中に導電性磁性体粒子を分散してなる流動性混合物よ
りなる導電部用材料層を形成し、前記導電部用材料層に
対して、前記一方の型の強磁性体部分からこれに対応す
る他方の型の強磁性体部分に向かう方向に磁場を作用さ
せることにより、導電性磁性体粒子を導電部用材料層の
厚さ方向に配向させると共に、当該導電部材料層を硬化
処理することにより導電部を形成し、その後、この導電
部を前記一方の型の強磁性体部分に保持させた状態で前
記他方の型から離型させることにより、前記導電部が露
出したコネクター層用中間体を形成し、硬化されて絶縁
性の弾性高分子物質となる材料よりなる絶縁部用材料層
がリード電極領域上に形成された回路基板上に前記コネ
クター層用中間体を重ね合わせることにより、当該回路
基板のリード電極領域におけるリード電極と当該コネク
ター層用中間体の導電部とを対接させ、この状態で絶縁
部用材料層を硬化処理することにより絶縁部を形成し、
以って回路基板のリード電極上に、絶縁部より突出した
導電部を有する検査用回路基板装置を得ることを特徴と
する。

【００１３】

【作用】本発明の製造方法においては、一方の型の強磁
性体部分と他方の型の強磁性体部分との間の導電部用キ
ャビティ部分に形成された導電部用材料層に、磁場を一
方の型の強磁性体部分からこれに対応する他方の型の強
磁性体部分に向かう方向に作用させるので、導電部用キ
ャビティ部分においては、磁力線の方向が互いに対向す
る強磁性体部分によって拘束されるために厳密に当該強
磁性体部分の表面に対して直角な方向となり、その結
果、導電部用材料層には、そのすべての領域において厳
密に厚さ方向の磁場を作用させることができるので、導
電性磁性体粒子は導電部用材料層の厚さ方向に確実に配
向するようになる。

【００１４】また、一方の型の強磁性体部分上に導電部
が形成されてなるコネクター層用中間体を、絶縁部用材
料層が形成された回路基板のリード電極領域に、リード
電極と導電部とが直接に対接するよう重ね合わせて配置
し、この状態で絶縁部用材料層を硬化処理することによ
り絶縁部を形成するので、リード電極上に導電部が確実
に接触した状態で、異方導電性コネクター層を回路基板
のリード電極領域に一体に形成することができる。

【００１５】

【実施例】図１は本発明の製造方法によって得られる検
査用回路基板装置の一例におけるリード電極領域の構成
を示す説明用断面図である。この図において、５０は検
査用の回路基板であり、この回路基板５０のリード電極
領域の表面上に、複数のリード電極５１が、特定のパタ
ーンに従って、回路基板５０の表面から僅かに突出した
状態で形成されている。この特定のパターンは、検査対
象である回路装置の端子電極のパターンと対掌のパター
ンである。

【００１６】このような回路基板５０のリード電極領域
の表面には、異方導電性コネクター層（以下単に「コネ
クター層」という。）６０が一体的に接着乃至密着した
状態で形成されている。このコネクター層６０において
は、絶縁性の弾性高分子物質Ｅ中に導電性磁性体粒子Ｇ
が密に充填されてなる多数の導電部６１が、リード電極
５１上に位置された状態で、かつ、隣接する導電部６１
が相互に絶縁部６２によって絶縁された状態とされ、更
に、導電部６１が絶縁部６２の表面から高さｈだけ突出
した状態とされている。

【００１７】各導電部６１においては、導電性磁性体粒
子Ｇが厚さ方向に並んだ状態に配向されており、厚さ方
向に導電路が形成される。この導電部６１は、厚さ方向
に加圧されて圧縮されたときに抵抗値が減少して導電路
が形成される、加圧導電部とすることもできる。これに
対して、絶縁部６２は、加圧されたときにも厚さ方向に
導電路が形成されないものである。

【００１８】導電部６１の突出高さｈは、コネクター層
６０の全厚ｔ（ｔ＝ｈ＋ｔ１、ｔ１は絶縁部６２の厚さ
である。）の８％以上であることが好ましく、また、コ
ネクター層６０の電極ピッチｐの３００％以下であるこ
とが好ましい。

【００１９】このような条件が充足されることにより、
当該コネクター層６０に作用される加圧力が変化した場
合にも、それによる導電部６１の導電性の変化が十分に
小さく制御される。

【００２０】本発明においては、以上のような構成の検
査用回路基板装置が下記の金型を用いて製造される。

【００２１】図２は、本発明に用いられる金型の一例に
おける要部の構成を示す説明用断面図であり、この金型
は、一方の型（以下、「上型」という。）１１と、これ
と対となる他方の型（以下、「下型」という。）１６
と、これらの間にキャビティＣを形成するためのスペー
サー１５とにより構成されている。

【００２２】上型１１においては、磁性金属基板１２の
下面に、回路基板５０のリード電極５１における特定の
パターンと対掌のパターンに従って強磁性体部分１３が
形成され、この強磁性体部分１３以外の部分には非磁性
体部分１４が形成されており、非磁性体部分１４の下面
が、磁性体部分１３の下面より高さｈだけ下方に突出し
た状態とされている。

【００２３】一方、下型１６においては、磁性金属基板
１７上に、回路基板５０のリード電極５１における特定
のパターンと同一のパターンの強磁性体部分１８が形成
され、この強磁性体部分１８以外の部分には、非磁性体
部分１９が形成されており、この例においては、強磁性
体部分１８の上面と非磁性体部分１９の上面とが同一平
面上にある状態とされている。

【００２４】以上において、磁性金属基板１２および磁
性金属基板１７は、例えば、鉄、鉄−ニッケル合金、鉄
−コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属
により構成されている。

【００２５】強磁性体部分１３および強磁性体部分１８
を形成するための強磁性体材料としては、鉄、鉄−ニッ
ケル合金、鉄−コバルト合金、ニッケル、コバルトなど
を用いることができる。

【００２６】非磁性体部分１４および非磁性体部分１９
を形成するための非磁性体材料としては、銅などの非磁
性金属、ポリイミドなどの耐熱性樹脂などを用いること
ができるが、放射線によって硬化されて高分子物質とな
る材料、例えばアクリル系のドライフィルムレジスト、
エポキシ系の液状レジスト、ポリイミド系の液状レジス
トなどのフォトレジストなどは、フォトリソグラフィー
の手法を利用して容易に非磁性体部分を形成することが
できるので、これらを好適に用いることができる。

【００２７】本発明においては、硬化処理によって絶縁
性の弾性高分子物質となる高分子物質用材料中に導電性
磁性体粒子を分散させて、流動性の混合物よりなる導電
部用材料を調製し、これを用いて、金型のキャビティＣ
における上型１１の強磁性体部分１３と下型１６の強磁
性体部分１８との間の導電部用キャビティ部分Ｄに、導
電部用材料層を形成する。

【００２８】具体的には、図３に示すように、導電部用
材料を上型１１の強磁性体部分１３の下面に塗布するこ
とにより下面側に盛り上げられた状態の塗布層２１を形
成した後、図４に示すように、この上型１１を、下型１
６の下面にスペーサー１５を介して配置することによ
り、塗布層２１が下型１６の強磁性体部分１８に対接し
た状態の導電部用材料層２０を形成する。

【００２９】導電部用材料に用いられる硬化性の高分子
物質用材料としては、例えばシリコーンゴム、ポリブタ
ジエンゴム、天然ゴム、ポリイソプレン、スチレン−ブ
タジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン
共重合体ゴム、エチレン−プロピレン共重合体ゴム、ウ
レタンゴム、ポリエステル系ゴム、クロロプレンゴム、
エピクロルヒドリンゴム、軟質液状エポキシゴムなどが
挙げられる。

【００３０】具体的には、硬化処理前には液状であっ
て、硬化処理後には回路基板５０と密着状態または接着
状態を保持して回路基板５０と一体となる高分子物質材
料が好ましい。このような観点から、液状シリコーンゴ
ム、液状ウレタンゴム、軟質液状エポキシゴムなどが好
適に用いられる。

【００３１】以上の高分子物質用材料には、回路基板５
０に対する接着性を向上させるために、シランカップリ
ング剤、チタンカップリング剤などの添加剤を添加する
ことができる。

【００３２】導電部用材料に用いられる導電性磁性体粒
子としては、例えばニッケル、鉄、コバルトなどの磁性
を示す金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子、または
これらの粒子に金、銀、パラジウム、ロジウムなどのメ
ッキを施したもの、非磁性金属粒子若しくはガラスビー
ズなどの無機質粒子またはポリマー粒子にニッケル、コ
バルトなどの導電性磁性体のメッキを施したものなどが
挙げられ、特に、接触抵抗が小さいなどの電気的特性の
点で金メッキが施された金属粒子を用いることが好まし
い。また、磁気ヒステリシスを示さない点から、導電性
超常磁性体よりなる粒子も好ましく用いることができ
る。また、導電性に支障を与えない範囲で、導電性磁性
体粒子の表面がシランカップリング剤、チタンカップリ
ング剤などのカップリング剤で処理されたものを適宜用
いることができる。導電性磁性体粒子の表面がカップリ
ング剤で処理されることにより、当該導電性磁性体粒子
と導電部用材料に用いられる硬化性の高分子物質用材料
との接着力が大きくなり、その結果、得られる検査用回
路基板装置は、繰り返しの使用における耐久性が高いも
のとなる。

【００３３】また、導電性磁性体粒子の粒径は、３〜２
００μｍであることが好ましく、特に、１０〜１００μ
ｍであることが好ましい。これにより、形成される導電
部６１は加圧変形が容易なものとなり、当該導電部６１
において導電性磁性体粒子間に十分な電気的な接触が得
られる。

【００３４】導電部用材料中における導電性磁性体粒子
の割合は、体積分率で５％以上であることが好ましい。
形成すべき導電部６１を加圧導電部とする場合におい
て、導電性粒子の割合が大きいときには、加圧が小さい
ときにも確実に所期の電気的接続を達成することができ
る。

【００３５】導電部用材料の塗布層２１を形成する方法
としては、回路基板５０のリード電極５１における特定
のパターンと同一のパターンの開口部を有するスクリー
ン印刷用マスクを作製し、このマスクを用いて導電部用
材料をスクリーン印刷することにより形成する方法を好
適に用いることができる。

【００３６】このようにして金型のキャビティＣにおけ
る導電部用キャビティ部分Ｄ（図２参照）に形成された
導電部用材料層２０に、磁場を上下方向に作用させるこ
とにより、導電性磁性体粒子を導電部用材料層２０の厚
さ方向に配向させる。

【００３７】具体的には、図５に示すように、上型１１
の上面および下型１６の下面に電磁石３１，３２を配置
してこの電磁石３１，３２を動作させることにより、上
型１１の強磁性体部分１３からこれに対応する下型１６
の強磁性体部分１８に向かう方向に平行磁場が作用し、
その結果、導電部用材料層２０中に分散されていた導電
性磁性体粒子が厚さ方向に並ぶように配向する。

【００３８】そして、この状態において、図６に示すよ
うに、例えば加熱して導電部用材料層２０を硬化処理す
ることにより導電部６１を形成し、その後、この導電部
６１を上型１１の強磁性体部分１３に保持させた状態で
下型１６から離型させて下面側を露出させることによ
り、上型１１の強磁性体部分１３上に導電部６１が配置
されてなるコネクター層用中間体４０が形成される。

【００３９】導電部用材料層２０の硬化処理は、平行磁
場を作用させたままの状態で行うことが好ましいが、平
行磁場の作用を停止させた後に行うこともできる。

【００４０】導電部用材料層２０に作用される平行磁場
の強度は、金型の各導電部用キャビティ部分の平均で２
００〜１００００ガウスとなる大きさが好ましい。

【００４１】硬化処理は、使用される材料によって適宜
選定されるが、通常、熱処理によって行われる。具体的
な加熱温度および加熱時間は、導電部用材料層２０の高
分子物質材料の種類、導電性磁性体粒子の移動に要する
時間などを考慮して適宜選定される。例えば、高分子物
質材料が室温硬化型シリコーンゴムである場合に、硬化
処理は、室温で２４時間程度、４０℃で２時間程度、８
０℃で３０分間程度で行われる。

【００４２】導電部６１を上型１１の強磁性体部分１３
に保持させた状態で下型１６から離型させるためには、
下型１６の離型性を上型１１より大きくしておけばよ
く、例えば、上型１１の下面に塗布する離型剤よりも離
型効果の高い離型剤を下型１６の上面に塗布すればよ
い。

【００４３】一方、図７に示すように、検査用の回路基
板５０のリード電極領域上に、硬化処理によって絶縁性
の弾性高分子物質となる高分子物質材料よりなる絶縁部
用材料層４１を形成し、図８に示すように、この絶縁部
用材料層４１が形成された回路基板５０のリード電極領
域上に、コネクター層用中間体４０を重ね合わせること
により、回路基板５０のリード電極領域におけるリード
電極５１に、コネクター層用中間体４０の導電部６１が
対接した状態とする。このとき、リード電極５１上の絶
縁部用材料層は、導電部６１によって当該領域から排除
される。

【００４４】そして、この状態で絶縁部用材料層４１を
硬化処理することにより絶縁部６２を形成し、その後、
上型１１を離型させることにより、図１０に示すよう
に、リード電極５１上に位置する部分に導電部６１が形
成され、それ以外の領域に絶縁部６２が形成され、しか
も導電部６１が絶縁部６２より高さｈだけ突出するコネ
クター層６０を有する検査用回路基板装置が製造され
る。

【００４５】絶縁部用材料層４１を構成する高分子物質
材料としては、導電部用材料に用いられる高分子物質材
料として例示したものと同様のものが挙げられ、導電部
用材料に用いる高分子物質材料と同一のものまたは異な
るものを用いることができる。

【００４６】絶縁部用材料層４１の硬化処理は、導電部
用材料層２０の硬化処理において示した条件と同様の条
件で行うことができる。

【００４７】以上の方法においては、上型１１の強磁性
体部分１３と下型１６の強磁性体部分１８との間の導電
部用キャビティ部分Ｄに導電部用材料層２０を形成し、
上下方向に磁場を作用させることにより、導電部用キャ
ビティ部分Ｄにおいては、磁力線の方向が互いに対向す
る強磁性体部分１３および強磁性体部分１８によって拘
束されるので、厳密に導電部用材料層２０の厚さ方向に
のみ磁場が作用されることとなり、その結果、導電性磁
性体粒子を導電部用材料層２０の厚さ方向に確実に配向
させることができる。

【００４８】また、上型１１の強磁性体部分１３上に導
電部６１が形成されてなるコネクター層用中間体４０
を、絶縁部用材料層４１が形成された回路基板５０上
に、リード電極５１と導電部６１とが対接するよう配置
した状態で絶縁部用材料層４１を硬化処理することによ
り絶縁部６２を形成するので、リード電極５１上に導電
部６１が確実に接触した状態で、コネクター層６０を回
路基板５０のリード電極領域に一体に形成することがで
きる。

【００４９】以上において、例えば下型１６が強磁性体
のみからなるものである場合には、磁力線の方向が上型
１１から下型１６に向かって拡開する方向となるため、
導電部６１の形成領域を厳密に制御することが困難とな
る。

【００５０】本発明の製造方法により得られる検査用回
路基板装置においては、検査のための電気的接続作業時
にコネクター層の位置合わせおよび保持固定を行うこと
が全く不要であり、従って検査すべき回路装置の端子電
極領域の電極ピッチが微小である場合にも、所要の電気
的接続を確実に達成することができる。

【００５１】また、コネクター層６０は回路基板５０と
一体であるため、温度変化による熱履歴などの環境の変
化に対しても、良好な電気的接続状態が安定に維持さ
れ、従って、常に高い接続信頼性を得ることができる。

【００５２】本発明の製造方法においては、以上の方法
に限定されず、製造すべき検査用回路基板装置に要求さ
れる性能に応じて、各工程において種々の変更を加える
ことができる。

【００５３】例えば、金型の上型は、その非磁性体部分
の下面の全面が平坦なものである必要はなく、図９に示
すように、強磁性体部分１３の周辺部分の下面が他の部
分の下面よりも上方に陥没した凹所Ｋが形成されてなる
上型１１Ａをも好ましく用いることができる。

【００５４】この上型１１Ａを用いることによって、図
１０に示すように、コネクター層６０Ａの絶縁部６２Ａ
における各導電部６１Ａの周辺部分には、他の部分の表
面から高さｈ１だけ突出し、導電部６１Ａよりは高さｈ
２だけ低い突出絶縁部分６３が形成されてなる検査用回
路基板装置を得ることができる。

【００５５】このような突出絶縁部分６３を有する絶縁
部６２Ａを形成することにより、導電部６１Ａを加圧し
たときには、当該導電部６１Ａが変形すると共に突出絶
縁部分６３も変形するので、導電部６１Ａにかかる力が
緩和され、これにより、導電部６１Ａの耐久性を向上さ
せることができる。また、このような突出絶縁部分６３
が形成された検査用回路基板装置においては、端子電極
の表面の面積が小さい回路装置や、あるいは、端子電極
の表面の面積が小さく、しかも端子電極の周囲に当該端
子電極よりも高く突出した例えばレジスト硬化物よりな
る絶縁層を有する回路装置に対しても、安定した電気的
接続を達成することができるので、好適に用いることが
できる。

【００５６】このような突出絶縁部分６３を絶縁部６２
Ａに形成する場合には、突出絶縁部分６３の幅ｄ１が導
電部６１Ａの幅ｄの１２０％以上であることが好まし
い。また、導電部６１Ａの突出絶縁部分６３の表面から
の突出高さｈ２は、検査すべき回路装置における絶縁層
と端子電極との高さの差に相当する高さで設定され、突
出絶縁部分６３の突出高さｈ１は、通常、導電部６１Ａ
の突出絶縁部分６３の表面からの突出高さｈ２の１００
％以上であることが好ましい。

【００５７】また、下型１６においては、上型１１と同
様に、非磁性体部分１９の上面が、磁性体部分１８の上
面より上方に突出した状態とされていてもよい。

【００５８】更に、図１１に示すように、上型１１の強
磁性体部分１３の下面に導電部用材料の塗布層２１を形
成すると共に、下型１６の強磁性体部分１８の上面にも
導電部用材料の塗布層２２を形成し、塗布層２１を塗布
層２２に対接させた状態で、上型１１をスペーサー１５
を介して下型１６に配置することにより、導電部用材料
層２０を形成することもできる。

【００５９】このような場合には、塗布層２１に用いる
導電部用材料としては、塗布層２２に用いる導電部用材
料と異なるものを用いることができ、これにより、検査
用回路基板装置の特性を向上させることができる。

【００６０】例えば、塗布層２１としては、硬化された
状態で柔軟性の高い高分子物質となる高分子物質材料が
含有された導電部用材料を用い、塗布層２２としては、
硬化された状態で前記高分子物質よりも柔軟性の低い高
分子物質となる高分子物質材料が含有された導電部用材
料を用いることによって、得られる検査用回路基板装置
の導電部は耐久性に優れたものとなる。

【００６１】また、塗布層２１に、塗布層２２に用いる
導電部用材料中の導電性磁性体粒子よりも粒径の小さい
導電性磁性体粒子が含有された導電部用材料を用いるこ
とができる。この場合には、導電部６１の先端部に粒径
の小さい導電性磁性体粒子Ｇの列が多数形成され、これ
により、安定した電気的接続を達成することができる。
従って、検査されるべき回路装置の端子電極面積が小さ
くて、これに対応する検査用回路基板装置の導電部の面
積が小さい場合に好適である。

【００６２】更に、塗布層２１に、塗布層２２に用いる
導電部用材料中の導電性磁性体粒子の含有割合よりも大
きい割合で導電性磁性体粒子が含有された導電部用材料
を用いることができる。この場合には、導電部６１の先
端部に導電性磁性体粒子Ｇが高い密度で配列され、これ
により、安定した電気的接続を達成することができる。
また、導電部６１の先端部は、導電性磁性体粒子Ｇが高
い密度で存在しているので、硬度の大きいものとなり、
その結果、検査されるべき回路装置の端子電極の表面に
薄い酸化被膜形成されているときには、当該酸化被膜を
加圧時に破ることができ、これにより、安定した電気的
接続を達成することができる。従って、検査されるべき
回路装置の端子電極が小さい場合、あるいは検査される
べき回路装置の端子電極に薄い絶縁性の酸化被膜によっ
て被覆されている場合に好適である。

【００６３】以下、さらに本発明の具体的な実施例につ
いて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。

【００６４】＜実施例１＞各々の幅が０．１２５ｍｍ、
電極ピッチが０．２５ｍｍのリード電極を２００本有す
る回路基板のリード電極領域に、下記のようにしてコネ
クター層を形成することにより、検査用回路基板装置を
製造した。

【００６５】〔導電部用材料の調製〕室温硬化型シリコ
ーンゴム１０ｇに平均粒径５０μｍのニッケル粒子より
なる導電性磁性体粒子１０ｇを混合することにより導電
部用材料を調製した。

【００６６】〔金型の作製〕鉄製の基板（１２）の下面
に、回路基板のリード電極のパターンと対掌のパターン
のニッケルよりなる強磁性体部分（１３）と、この強磁
性体部分（１３）より突出したアクリル系ドライフィル
ムレジスト硬化物よりなる非磁性体部分（１４）とを形
成して上型（１１）を作製すると共に、鉄製の基板（１
７）の上面に、回路基板のリード電極のパターンと同一
のパターンのニッケルよりなる強磁性体部分（１８）
と、アクリル系ドライフィルムレジスト硬化物よりなる
非磁性体部分（１９）とを形成して下型（１６）を作製
した（図２参照）。

【００６７】〔導電部用材料層の形成〕上記の金型の上
型（１１）の下面に導電部用材料を用いてスクリーン印
刷することにより、強磁性体部分（１３）の下面に導電
部用材料の塗布層（２１）を形成した後、この上型（１
１）を、塗布層（２１）が下型（１６）の強磁性体部分
（１８）に対接するようスペーサー（１５）を介して下
型（１６）に配置することにより、上型（１１）の強磁
性体部分（１３）とこれに対応する下型（１６）の強磁
性体部分（１８）との間に導電部用材料層（２０）を形
成した（図３，図４参照）。

【００６８】〔導電部およびコネクター層用中間体の形
成〕導電部材料層（２０）が形成された金型の上型（１
１）の上面および下型（１６）の下面に、電磁石（３
１，３２）を配置して動作させることにより、上下方向
に平行磁場を作用させ、そのまま状態で４０℃にて３時
間放置して導電部材料層（２０）を硬化させることによ
り導電部（６１）を形成し、その後、この導電部（６
１）を上型（１１）の強磁性体部分（１３）に保持ささ
せた状態で下型（１６）から離型させて露出させること
により、コネクター層用中間体（４０）を形成した（図
５，図６参照）。

【００６９】〔絶縁部の形成〕回路基板（５０）のリー
ド電極領域に、室温硬化型シリコーンゴムよりなる絶縁
部用材料層（４１）を形成し、更に、コネクター層用中
間体（４０）を、回路基板（５０）のリード電極（５
１）と導電部（６１）とが対接するよう配置した後、こ
の状態で８０℃にて１時間放置して絶縁部用材料層（４
１）を硬化させることにより絶縁部（６２）を形成した
（図７，図８参照）。

【００７０】以上により得られた検査用回路基板装置
は、コネクター層（６０）の導電部（６１）の横幅が
０．１２５ｍｍ、縦幅が１．０ｍｍ、突出高さｈが５０
μｍ、絶縁部（６２）の厚みｔが０．３ｍｍのものであ
る。

【００７１】＜実施例２＞実施例１の導電部用材料の調
製において、室温硬化型ウレタンゴム１０ｇと平均粒径
２５μｍのニッケル粒子よりなる導電性磁性体粒子１０
ｇとを用い、絶縁部の形成において、絶縁部用材料とし
て室温硬化型ウレタンゴムを形成したこと以外は実施例
１と同様にして検査用回路基板装置を製造した。

【００７２】得られた検査用回路基板装置は、コネクタ
ー層（６０）の導電部（６１）の横幅が０．１２５ｍ
ｍ、縦幅が１．０ｍｍ、突出高さｈが５０μｍ、絶縁部
（６２）の厚みｔが０．３ｍｍのものである。

【００７３】＜実施例３＞下記の点以外は実施例１と同
様にして検査用回路基板装置を製造した。 〔導電部用材料の調製〕硬化された状態で軟質の室温硬
化型シリコーンゴム１０ｇに平均粒径２５μｍのニッケ
ル粒子よりなる導電性磁性体粒子１０ｇを混合すること
により導電部用材料ａを調製し、硬化された状態で硬質
の室温硬化型シリコーンゴム１０ｇに平均粒径５０μｍ
のニッケル粒子よりなる導電性磁性体粒子１０ｇを混合
することにより導電部用材料ｂを調製した。

【００７４】〔導電部用材料層の形成〕上記の金型の上
型（１１）上に導電部用材料ａを用いてスクリーン印刷
することにより、強磁性体部分（１３）上に導電部用材
料の塗布層（２１）を形成すると共に、上記の金型の下
型（１６）上に導電部用材料ｂを用いてスクリーン印刷
することにより、強磁性体部分（１８）上に導電部用材
料の塗布層（２２）を形成した後、この上型（１１）
を、下型（１６）に塗布層（２１）が塗布層（２２）に
対接するようスペーサー（１５）を介して配置すること
により、上型（１１）の強磁性体部分（１３）とこれに
対応する下型（１６）の強磁性体部分（１８）との間に
導電部用材料層（２０）を形成した（図１１参照）。

【００７５】得られた検査用回路基板装置は、コネクタ
ー層（６０）の導電部（６１）の横幅が０．１６ｍｍ、
縦幅が０．１６ｍｍ、突出高さｈが５０μｍ、絶縁部
（６２）の厚みｔが０．３ｍｍのものである。

【００７６】＜実施例４＞下記の点以外は実施例１と同
様にして検査用回路基板装置を製造した。 〔導電部用材料の調製〕室温硬化型ウレタンゴム１０ｇ
に平均粒径２５μｍのニッケル粒子よりなる導電性磁性
体粒子１０ｇを混合することにより導電部用材料を調製
した。

【００７７】〔金型の作製〕鉄製の基板（１２）の下面
に、回路基板のリード電極のパターンと対掌のパターン
の鉄−ニッケル合金よりなる強磁性体部分（１３）と、
この強磁性体部分（１３）よりも突出し、強磁性体部分
（１３）の周辺部分の下面が他の部分の下面よりも上方
に陥没した凹所（Ｋ）が形成されたエポキシ系液状レジ
スト硬化物よりなる非磁性体部分（１４Ａ）とを形成し
て上型（１１Ａ）を作製すると共に、鉄製の基板（１
７）の上面に、回路基板のリード電極のパターンと同一
のパターンの鉄−ニッケル合金よりなる強磁性体部分
（１８）と、エポキシ系液状レジスト硬化物よりなる非
磁性体部分（１９）とを形成して下型（１６）を作製し
た（図１０参照）。

【００７８】〔絶縁部の形成〕絶縁部用材料として、室
温硬化型ウレタンゴムを用いたこと以外は同様にして絶
縁部を形成した。

【００７９】得られた検査用回路基板装置は、コネクタ
ー層（６０）の導電部（６１）の横幅ｄが０．１６ｍ
ｍ、縦幅が０．１６ｍｍ、突出高さｈ２が２０μｍ、絶
縁部（６２）の厚みｔが０．３ｍｍ、突出絶縁部分（６
３）の横幅ｄ１が０．２２ｍｍ、縦幅が０．２２ｍｍ、
突出高さｈ１が３０μｍのものである。

【００８０】＜実施例５＞実施例１の導電部用材料の調
製において、表面がシランカップリング剤により処理さ
れた、平均粒径が２５μｍのニッケル粒子よりなる導電
性磁性体粒子１０ｇを用いたこと以外は実施例１と同様
にして検査用回路基板装置を製造した。

【００８１】得られた検査用回路基板装置は、コネクタ
ー層（６０）の導電部（６１）の横幅が０．１６ｍｍ、
縦幅が０．１６ｍｍ、突出高さｈが５０μｍ、絶縁部
（６２）の厚みｔが０．３ｍｍのものである。

【００８２】＜比較例１＞実施例１と同様の回路基板
に、下記のようにしてコネクター層を形成して検査用回
路基板装置を製造した。

【００８３】回路基板のリード電極上に、室温硬化型ウ
レタンゴムに平均粒径４０μｍのニッケルよりなる導電
性磁性体粒子を４０体積％となる割合で混合してなる導
電部用材料をスクリーン印刷法で塗布し、その後、導電
部用材料と同様の室温硬化型ウレタンゴムよりなる絶縁
部材料をリード電極以外の領域に流し込んで複合コネク
ター用材料層を形成した。

【００８４】回路基板のリード電極のパターンと対掌の
強磁性体部分と、この強磁性体部分よりも下面が下方に
突出した非磁性体部分とよりなる磁極板を用い、その下
面を複合コネクター用材料層の表面に対接させた状態で
平行磁場を作用させ、そのままの状態で室温で２４時間
放置して硬化させることによりコネクター層を形成して
検査用回路基板装置を製造した。

【００８５】得られた検査用回路基板装置は、コネクタ
ー層（６０）の導電部（６１）の横幅が０．１２５ｍ
ｍ、縦幅が１．０ｍｍ、突出高さｈが５０μｍ、絶縁部
（６２）の厚みｔが０．３ｍｍのものである。

【００８６】〔実験例〕実施例１〜２および比較例１で
得られた検査用回路基板装置について、各々の幅が０．
１２５ｍｍ、電極ピッチが０．２５ｍｍの端子電極を２
００本有する被検査回路装置Ｘに接続し、リード電極の
電気的接続における抵抗値を測定した。また、３万回の
繰り返し使用後におけるリード電極の電気的接続におけ
る抵抗値を測定した。また、実施例３〜５で得られた検
査用回路基板装置について、各々の幅が０．０８０ｍ
ｍ、電極ピッチが０．２５ｍｍの端子電極を２００本
と、縦０．１２５ｍｍ、横０．１２５ｍｍの開口部が各
端子電極の位置に配置されるよう設けられたレジスト硬
化物よりなる絶縁層とを有し、端子電極の上面が絶縁層
の上面よりも２０μｍ低く位置される被検査回路装置Ｙ
に接続し、リード電極の電気的接続における抵抗値を測
定した。また、３万回の繰り返し使用後におけるリード
電極の電気的接続における抵抗値を測定した。以上の結
果を表１に示す。

【００８７】

【表１】

【００８８】表１から明らかなように、本発明の製造方
法により得られる検査用回路基板装置は、繰り返して使
用するときでも、抵抗値が増大することがなくて耐久性
に優れたものである。

【００８９】

【発明の効果】本発明の製造方法によれば、特定の構成
の金型を用いて導電部用材料層の厚さ方向に対して磁場
を作用させるため、導電性磁性体粒子を導電部用材料層
の厚さ方向に確実に配向させることができるので、繰り
返して使用するときでも、抵抗値が増大することがなく
て耐久性に優れた検査用回路基板装置を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によって得られる回路基板装置の一例に
おけるリード電極領域の構成を示す説明用断面図であ
る。

【図２】本発明に用いられる金型の一例における要部の
構成を示す説明用断面図である。

【図３】金型の上型の強磁性体部分に塗布層を形成した
状態を示す説明図である。

【図４】金型の導電部用キャビティ部分に導電部用材料
層を形成した状態を示す説明図である。

【図５】導電部用材料層に平行磁場を作用させた状態を
示す説明図である。

【図６】導電部を形成して、コネクター層用中間体を形
成する工程を示す説明図である。

【図７】回路基板のリード電極領域に絶縁部用材料層が
形成された状態を示す説明図である。

【図８】回路基板のリード電極領域にコネクター層用中
間体が配置された状態を示す説明図である。

【図９】本発明に用いられる金型の他の例における要部
の構成を示す説明用断面図である。

【図１０】本発明によって得られる回路基板装置の他の
例におけるリード電極領域の構成を示す説明用断面図で
ある。

【図１１】金型の上型の強磁性体部分および下型の強磁
性体部分にそれぞれ塗布層を形成した状態を示す説明図
である。

【図１２】プリント回路基板よりなる回路装置の一例の
配置を示す説明図である。

【符号の説明】

１１ 一方の型（上型） １２ 磁性金属
基板 １３ 強磁性体部分 １４ 非磁性体
部分 １５ スペーサー １６ 他方の型
（下型） １７ 磁性金属基板 １８ 強磁性体
部分 １９ 非磁性体部分 ２０ 導電部用
材料層 ２１ 塗布層 ２２ 塗布層 ３１，３２ 電磁石 ４０ コネクター層用中間体 ４１ 絶縁部用
材料層 ５０ 回路基板 ５１ リード電
極 ６０ 異方導電性コネクター層 ６１ 導電部 ６２ 絶縁部 ６３ 突出絶縁
部分 Ｄ 導電部用キャビティ部分 Ｅ 弾性高分子
物質 Ｇ 導電性磁性体粒子

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 検査すべき回路装置に係る端子電極に対
   応するパターンに従ってリード電極が形成された回路基
   板のリード電極領域の表面上に異方導電性コネクター層
   が一体に形成されてなる検査用回路基板装置の製造方法
   において、 磁性金属基板上に、前記パターンと対掌のパターンの強
   磁性体部分およびこの強磁性体部分よりも突出するよう
   非磁性体部分が形成されてなる一方の型と、前記パター
   ンと同一のパターンによる強磁性体部分およびそれ以外
   の領域に非磁性体部分が形成されてなる他方の型とが、
   キャビティを介して互いに対向するよう配置されてなる
   金型を用い、 前記金型のキャビティにおける一方の型の強磁性体部分
   とこれに対応する他方の型の強磁性体部分との間の導電
   部用キャビティ部分に、硬化されて絶縁性の弾性高分子
   物質となる高分子物質用材料中に導電性磁性体粒子を分
   散してなる流動性混合物よりなる導電部用材料層を形成
   し、 前記導電部用材料層に対して、前記一方の型の強磁性体
   部分からこれに対応する他方の型の強磁性体部分に向か
   う方向に磁場を作用させることにより、導電性磁性体粒
   子を導電部用材料層の厚さ方向に配向させると共に、当
   該導電部材料層を硬化処理することにより導電部を形成
   し、その後、この導電部を前記一方の型の強磁性体部分
   に保持させた状態で前記他方の型から離型させることに
   より、前記導電部が露出したコネクター層用中間体を形
   成し、 硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる材料よりなる
   絶縁部用材料層がリード電極領域上に形成された回路基
   板上に前記コネクター層用中間体を重ね合わせることに
   より、当該回路基板のリード電極領域におけるリード電
   極と当該コネクター層用中間体の導電部とを対接させ、
   この状態で絶縁部用材料層を硬化処理することにより絶
   縁部を形成し、以って回路基板のリード電極上に、絶縁
   部より突出した導電部を有する検査用回路基板装置を得
   ることを特徴とする検査用回路基板装置の製造方法。