JPH06249924A - 回路基板検査用アダプター装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 回路基板の被検査電極が、電極ピッチが微小
で、かつ微細で高密度の複雑なパターンのものである場
合にも、所要の電気的接続を確実に達成することがで
き、製造が容易な回路基板検査用アダプター装置を提供
すること。 【構成】 アダプター装置は、下面に格子状端子電極を
有し、表面に被検査電極に対応する接続用電極を有す
る、圧着積層型基板上に接続配線層を設けてなるアダプ
ター本体と、これに一体の異方導電性コネクター層とよ
りなる。接続配線層には、接続用電極と接続された層内
配線部が形成され、圧着積層型基板は、基板本体と、こ
れに加熱圧着により一体的に積層された絶縁材層とより
なり、上面に接続配線層の接続用電極に接続される上部
配線部が形成され、下面の端子電極の少なくとも１つ
は、基板本体の配線部を介して上部配線部と電気的に接
続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、異方導電性コネクター
層を有する回路基板検査用アダプター装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、プリント回路基板などの回路基
板においては、図２２に示すように、回路基板９０の中
央部に機能素子が高度の集積度で形成された機能素子領
域９１が設けられると共に、その周縁部に機能素子領域
９１のための多数のリード電極９２が配列されてなるリ
ード電極領域９３が形成される。そして、現在において
は、機能素子領域９１の集積度の増大に伴ってリード電
極領域９３のリード電極数が一層増加し高密度化する傾
向にある。

【０００３】このような回路基板のリード電極と、これ
に接続すべき他の回路端子などとの電気的な接続を達成
するために、従来、各リード電極領域上に、異方導電性
シートを介在させることが行われている。この異方導電
性シートは、厚さ方向にのみ導電性を示すもの、または
加圧されたときに厚さ方向にのみ導電性を示す多数の加
圧導電性導電部を有するものであり、種々の構造のもの
が例えば特公昭５６−４８９５１号公報、特開昭５１−
９３３９３号公報、特開昭５３−１４７７７２号公報、
特開昭５４−１４６８７３号公報などにより、知られて
いる。

【０００４】然るに、上記の異方導電性シートは、それ
自体が単独の製品として製造され、また単独で取り扱わ
れるものであって、電気的接続作業においては回路基板
に対して特定の位置関係をもって保持固定することが必
要である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、独立し
た異方導電性シートを利用して回路基板の電気的接続を
達成する手段においては、検査対象である回路基板にお
けるリード電極の配列ピッチ（以下「電極ピッチ」とい
う。) 、すなわち互いに隣接するリード電極の中心間距
離が小さくなるに従って異方導電性シートの位置合わせ
および保持固定が困難となる、という問題点がある。

【０００６】また、一旦は所望の位置合わせおよび保持
固定が実現された場合においても、温度変化による熱履
歴の影響、すなわち熱膨張および熱収縮などの影響を受
けた場合には、検査対象である回路基板を構成する材料
と異方導電性シートを構成する材料との間で生ずる応力
の程度が異なるため、電気的接続状態が変化して安定な
接続状態が維持されない、という問題点がある。

【０００７】更に、検査対象である回路基板に対して安
定な接続状態が維持され得るとしても、例えば実装密度
の高いプリント回路基板のように、複雑で微細なパター
ンの被検査電極群を有する回路基板に対しては、当該被
検査電極の各々との電気的な接続を確実に達成すること
が困難であるため、所要の検査を十分に行うことができ
ない、という問題点がある。

【０００８】本発明は、以上のような問題点を解決する
ものであって、その目的は、検査対象である回路基板に
おけるリード電極などの被検査電極が、電極ピッチが微
小であり、かつ微細で高密度の複雑なパターンのもので
ある場合にも、当該回路基板について所要の電気的接続
を確実に達成することができ、また温度変化による熱履
歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が
安定に維持され、従って接続信頼性が高く、しかも所要
の高い位置精度を確保しながら容易に製造することので
きる回路基板検査用アダプター装置を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の回路基板検査用
アダプター装置は、検査対象回路基板と電気的検査装置
との間に介在されて当該回路基板の電極の電気的接続を
行う回路基板検査用アダプター装置であって、圧着積層
型基板およびこの圧着積層型基板の上面に設けられた接
続配線層を有するアダプター本体と、このアダプター本
体の接続配線層の表面上に一体的に設けられた異方導電
性コネクター層とよりなり、前記アダプター本体の接続
配線層の表面には、検査対象回路基板の被検査電極に対
応して配置された接続用電極が形成されると共に、当該
接続配線層には、接続用電極と電気的に接続された１層
以上の層内配線部が形成され、前記圧着積層型基板は、
少なくともその一面に配線部を有する絶縁性の基板本体
と、この基板本体の当該一面上に加熱圧着により一体的
に積層された熱硬化性の接着性樹脂よりなる絶縁材層と
よりなり、当該圧着積層型基板の上面には前記接続配線
層の接続用電極に電気的に接続される上部配線部が形成
されると共に、下面には格子点上に配置された端子電極
が形成されており、前記端子電極の少なくとも１つは、
前記基板本体の配線部を介して、前記上部配線部と電気
的に接続されていることを特徴とする。

【００１０】

【作用】本発明の回路基板検査用アダプター装置によれ
ば、アダプター本体の接続配線層の表面には、検査対象
回路基板の被検査電極に対応して配置された接続用電極
が形成されると共に、アダプター本体の圧着積層型基板
の下面側には格子点に配置された端子電極が形成されて
おり、接続配線層には接続用電極と電気的に接続された
１層以上の層内配線部が形成されると共に圧着積層型基
板においても層内配線部が形成されており、更に接続配
線層の表面上には異方導電性コネクター層が一体的に設
けられているため、検査対象である回路基板の被検査電
極が、電極ピッチが微小でありかつ微細で高密度の複雑
なパターンのものである場合にも、当該回路基板につい
て所要の電気的接続を確実に達成することができ、また
温度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても良好
な電気的接続状態が安定に維持され、従って高い接続信
頼性を得ることができる。

【００１１】また、本発明の回路基板検査用アダプター
装置におけるアダプター本体の圧着積層型基板は、表面
に配線部を有する絶縁性の基板本体と、この基板本体の
当該表面上に加熱圧着により一体的に積層された熱硬化
性の接着性樹脂よりなる絶縁材層とよりなるものである
ため、当該圧着積層型基板における層内配線部の形成が
容易である上、製作工程において反りなどの変形が生ず
ることがなく、従ってその下面の格子点上に配置された
端子電極と表面の上部配線部との間を電気的に接続する
短絡部を含む当該積層型基板を容易にかつ高い精度で作
製することができる。

【００１２】

【実施例】以下、図面によって本発明を具体的に説明す
る。図１および図２は、それぞれ、本発明の一実施例に
係る回路基板検査用アダプター装置１０の構成を示す説
明用断面図およびそのアダプター本体１２の説明用断面
図であり、図３はアダプター装置１０の各部の配置の状
態を示す説明用平面図、図４はコネクター層１５の部分
の説明用拡大断面図である。このアダプター装置１０
は、図１に示すように、全体が板状のアダプター本体１
２と、その上面に設けられた異方導電性コネクター層
（以下単に「コネクター層」という）１５とにより構成
されている。

【００１３】アダプター本体１２は、図１に示すよう
に、圧着積層型基板６５と、この圧着積層型基板６５上
に設けられた接続配線層６６とにより構成されている。
圧着積層型基板６５は、図２にも示すように、両面にそ
れぞれ上面配線部３５および下面配線部３３が形成され
た絶縁性の基板本体２３と、この基板本体２３の上面に
積層して設けられた上部絶縁材層２５と、基板本体２３
の下面に積層して設けられた下部絶縁材層２０と、上部
絶縁材層２５の上面に適宜のパターンで形成された上部
配線部６２および下部絶縁材層２０の下面に形成された
端子電極３０によって構成されている。基板本体２３の
材質は寸法安定性の高い耐熱性材料であることが好まし
く、各種の樹脂を使用することができるが、特にガラス
繊維補強型エポキシ樹脂が最適である。また、下部絶縁
材層２０および上部絶縁材層２５は熱硬化性の接着性樹
脂よりなるものとされている。

【００１４】圧着積層型基板６５の下面に形成された端
子電極３０は、検査用テスターに適宜の手段によって電
気的に接続されるよう、格子点上に配置されて設けられ
ており、この端子電極３０と、圧着積層型基板６５の上
面に形成された上部配線部６２とは、基板本体２３の両
面における上面配線部３５および下面配線部３３並びに
当該圧着積層型基板６５をその厚み方向に貫通して伸び
るよう形成された短絡部３２を介して、電気的に接続さ
れている。

【００１５】接続配線層６６は、圧着積層型基板６５の
上面上に形成された第１絶縁層６０と、この第１絶縁層
６０上に設けられた第２絶縁層６１との積層体によって
構成されており、第１絶縁層６０および第２絶縁層６１
は、いずれも、放射線硬化性樹脂により形成されてい
る。

【００１６】上記第１絶縁層６０の上面には、適宜のパ
ターンの中間配線部６３が形成されており、この中間配
線部６３は、当該第１絶縁層６０をその厚み方向に貫通
して伸びる短絡部３４により、圧着積層型基板６５の上
面の上部配線部６２に電気的に接続されている。

【００１７】また、第２絶縁層６１の上面には、検査対
象である回路基板の被検査電極（図示せず）のパターン
に対応した位置に接続用電極４０が、当該上面から突出
する状態に形成されている。そして、当該第２絶縁層６
１をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部３６により、
接続用電極４０と中間配線部６３とが電気的に接続され
ている。なお、下面配線部３３、上面配線部３５、上部
配線部６２および中間配線部６３は、図１または図２に
おいて、いずれも紙面と交わる方向に伸びる状態に形成
され得ることは勿論であって、図３にはそのような状態
が示されている。

【００１８】このように、アダプター本体１２において
は、接続用電極４０の各々が、短絡部３６、中間配線部
６３、短絡部３４、上部配線部６２、上面配線部３５、
下面配線部３３および短絡部３２を介して、端子電極３
０と電気的に接続された状態とされている。

【００１９】実際の構成において、接続用電極４０と端
子電極３０との電気的な接続は回路基板の検査目的に応
じた態様で達成されればよい。従って、すべての接続用
電極４０と端子電極３０とが必ず１対１の対応関係で接
続される必要はなく、端子電極３０、下面配線部３３、
上面配線部３５、上部配線部６２、中間配線部６３およ
び接続用電極４０のすべてについて種々の要請される接
続状態を実現することができる。例えば、下面配線部３
３、上面配線部３５、上部配線部６２および中間配線部
６３のいずれか、あるいは複数のものを利用して接続用
電極４０同士を接続すること、複数の接続用電極４０を
１つの下面配線部３３、上面配線部３５、上部配線部６
２または中間配線部６３に共通に接続すること、１つの
接続用電極４０を複数の下面配線部３３、上面配線部３
５、上部配線部６２または中間配線部６３に同時に接続
すること、その他種々の態様で電気的な接続を達成する
ことが可能である。

【００２０】また、面方向に伸びる上面配線部３５、下
面配線部３３、上部配線部６２または中間配線部６３を
介することなしに直接に連続する短絡部を介して、接続
用電極４０と上部配線部６２間、上部配線部６２と下面
配線部３３もしくは端子電極３０間、上面配線部３５と
端子電極３０間、または接続用電極４０もしくは中間配
線部６３と上面配線部３５、下面配線部３３もしくは端
子電極３０間を電気的に接続することも可能である。

【００２１】以上のようなアダプター本体１２の表面に
は、コネクター層１５が一体的に接着乃至密着した状態
で形成されている。このコネクター層１５は、図４に示
すように、絶縁性の弾性高分子物質Ｅ中に導電性粒子Ｐ
が密に充填されてなる多数の導電部１７が接続用電極４
０上に位置された状態で、かつ、隣接する導電部１７が
相互に絶縁部１８によって絶縁された状態とされてい
る。各導電部１７においては、導電性粒子Ｐが厚さ方向
に並ぶよう配向されており、厚さ方向に伸びる導電路が
形成されている。この導電部１７は、厚さ方向に加圧さ
れて圧縮されたときに抵抗値が減少して導電路が形成さ
れる、加圧導電部であってもよい。これに対して、絶縁
部１８は、加圧されたときにも厚さ方向に導電路が形成
されないものである。

【００２２】上記コネクター層１５の導電部１７におけ
る導電性粒子Ｐの充填率は１０体積％以上、好ましくは
１５体積％以上である。導電部を加圧導電部とする場合
において、導電性粒子の充填率が高いときには、加圧力
が小さいときにも確実に所期の電気的接続を達成するこ
とができる点では好ましい。しかし、接続用電極４０の
電極ピッチが小さくなると、隣接する導電部間に十分な
絶縁性が確保されなくなるおそれがあり、このため、導
電部１７における導電性粒子Ｐの充填率は４０体積％以
下であることが好ましい。

【００２３】このような構成の回路基板検査用アダプタ
ー装置においては、接続配線層６６の上面にコネクター
層１５が一体的に形成されており、しかも接続配線層６
６の接続用電極４０上にコネクター層１５の導電部１７
が配置されているため、電気的接続作業時にコネクター
層１５の位置合わせおよび保持固定を行うことが全く不
要であり、従ってリード電極領域の電極ピッチが微小で
ある場合にも、所要の電気的接続を確実に達成すること
ができる。

【００２４】また、コネクター層１５はアダプター本体
１２と一体であるため、温度変化による熱履歴などの環
境の変化に対しても、良好な電気的接続状態が安定に維
持され、従って常に高い接続信頼性を得ることができ
る。

【００２５】図示の例においては、コネクター層１５の
外面において、導電部１７が絶縁部１８の表面から突出
する突出部を形成している。このような例によれば、加
圧による圧縮の程度が絶縁部１８より導電部１７におい
て大きいために十分に抵抗値の低い導電路が確実に導電
部１７に形成され、これにより、加圧力の変化乃至変動
に対して抵抗値の変化を小さくすることができ、その結
果、コネクター層１５に作用される加圧力が不均一であ
っても、各導電部１７間における導電性のバラツキの発
生を防止することができる。

【００２６】このように導電部１７が突出部を形成する
場合には、当該突出部の突出高さｈは、コネクター層１
５の全厚ｔ（ｔ＝ｈ＋ｄ、ｄは絶縁部１８の厚さであ
る。）の８％以上であることが好ましい。また、コネク
ター層１５の全厚ｔは、接続用電極４０の中心間距離と
して定義される電極ピッチｐの３００％以下、すなわち
ｔ≦３ｐであることが好ましい。このような条件が充足
されることにより、コネクター層１５に作用される加圧
力が変化した場合にも、それによる導電部１７の導電性
の変化が十分に小さく抑制されるからである。

【００２７】導電部１７が突出部を形成する場合におい
ては、突出部の平面における全体が導電性を有すること
は必ずしも必要ではなく、例えば突出部の周縁には、電
極ピッチの２０％以下の導電路非形成部分が存在してい
てもよい。また、隣接する導電部１７間の離間距離ｒの
最小値は、当該導電部１７の幅Ｒの１０％以上であるこ
とが好ましい。このような条件が満足されることによ
り、加圧されて突出部が変形したときの横方向の変位が
原因となって隣接する導電部１７同士が電気的に接触す
るおそれを十分に回避することができる。以上の例にお
いて、導電部１７の平面形状は接続用電極４０と等しい
幅の矩形状とすることができるが、必要な面積を有する
円形、その他の適宜の形状とすることができる。

【００２８】導電部１７の導電性粒子としては、例えば
ニッケル、鉄、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子も
しくはこれらの合金の粒子、またはこれらの粒子に金、
銀、パラジウム、ロジウムなどのメッキを施したもの、
非磁性金属粒子もしくはガラスビーズなどの無機質粒子
またはポリマー粒子にニッケル、コバルトなどの導電性
磁性体のメッキを施したものなどを挙げることができ
る。

【００２９】後述する方法においては、ニッケル、鉄、
またはこれらの合金などよりなる導電性磁性体粒子が用
いられ、また接触抵抗が小さいなどの電気的特性の点で
金メッキされた粒子を好ましく用いることができる。ま
た、磁気ヒステリシスを示さない点から、導電性超常磁
性体よりなる粒子も好ましく用いることができる。

【００３０】導電性粒子の粒径は、導電部１７の加圧変
形を容易にし、かつ導電部１７において導電性粒子間に
十分な電気的な接触が得られるよう、３〜２００μｍで
あることが好ましく、特に１０〜１００μｍであること
が好ましい。

【００３１】導電部１７を構成する絶縁性で弾性を有す
る高分子物質としては、架橋構造を有する高分子物質が
好ましい。架橋高分子物質を得るために用いることがで
きる硬化性の高分子物質用材料としては、例えばシリコ
ーンゴム、ポリブタジエン、天然ゴム、ポリイソプレ
ン、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニト
リル−ブタジエン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン
共重合体ゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、ク
ロロプレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、軟質液状エ
ポキシ樹脂などを挙げることができる。

【００３２】具体的には、硬化処理前には液状であっ
て、硬化処理後にアダプター本体１２の接続配線層６６
と密着状態または接着状態を保持して一体となる高分子
物質用材料が好ましい。このような観点から、本発明に
好適な高分子物質用材料としては、液状シリコーンゴ
ム、液状ウレタンゴム、軟質液状エポキシ樹脂などを挙
げることができる。高分子物質用材料には、アダプター
本体１２の接続配線層６６に対する接着性を向上させる
ために、シランカップリング剤、チタンカップリング剤
などの添加剤を添加することができる。

【００３３】絶縁部１８を構成する材料としては、導電
部１７を構成する高分子物質と同一のものまたは異なる
ものを用いることができるが、同様に硬化処理後にアダ
プター本体１２の接続配線層６６と密着状態または接着
状態を保持してアダプター本体１２と一体となるものが
用いられる。

【００３４】このような絶縁部を形成することにより、
コネクター層それ自体の一体性並びにそのアダプター本
体に対する一体性が確実に高くなるため、アダプター装
置全体としての強度が大きくなり、従って繰り返し圧縮
に対して優れた耐久性を得ることができる。

【００３５】以上のような構成のアダプター装置は、そ
の上面に検査対象である回路基板が配置されて接続用電
極４０に回路基板の被検査電極が対接されると共に、下
面の端子電極３０が適宜の接続手段を介してテスターに
接続され、更に全体が厚み方向に圧縮するよう加圧され
た状態とされる。この状態においては、アダプター装置
のコネクター層１５の導電部１７が導電状態となり、こ
れにより、被検査電極とテスターとの所要の電気的な接
続が達成される。

【００３６】而して、圧着積層型基板６５および接続配
線層６６は共に層内配線部を有するものであるため、こ
れら両者による二重の層内配線構造と、両者間における
層間配線構造とにより、端子電極３０と接続用電極４０
との必要な電気的な接続を達成するための配線構造に非
常に大きな自由度が得られ、信頼性の高い所期の電気的
な接続を容易にかつ確実に実現することができる。更
に、後述するように、このアダプター装置は、その基礎
部分が圧着積層型基板６５によって構成されることによ
り、反りなどの変形を生ずることがなくて十分に高い平
板性を有するものとすることができ、従って各部の導電
部の形成位置精度を高いものとすることができるのみで
なく、検査対象である回路基板に対して良好な押圧状態
を達成することができ、このことからも、高い信頼性を
もって所期の検査を行うことができる。

【００３７】本発明の回路基板検査用アダプター装置
は、圧着積層型基板とその上の接続配線層よりなるアダ
プター本体を形成するプロセスと、このアダプター本体
の接続配線層の表面上に異方導電性コネクター層を一体
的に設けるプロセスとにより、作製することができる。
そして、アダプター本体を形成するプロセスは、（１）
その表面に配線部を有する絶縁性の基板本体の当該表面
上に熱硬化性の接着性樹脂よりなる絶縁材層を加熱圧着
により一体的に積層し、その上面には前記接続配線層の
配線部に電気的に接続される上部配線部を形成し、その
下面には格子点上に配置された、上部配線部に電気的に
接続された端子電極を形成して圧着積層型基板を作製す
る第１工程と、（２）前記圧着積層型基板の上部配線部
を含む上面上に、放射線硬化樹脂よりなる絶縁層を形成
し、この絶縁層には層内配線部を設けると共に、この絶
縁層の上面に、前記圧着積層型基板の上面の上部配線部
に電気的に接続された接続用電極を形成して接続配線層
を作製する第２工程とを有することを特徴とする。

【００３８】このような方法によれば、第１工程による
圧着積層型基板の作製において、絶縁性層を液状組成物
の塗布などによって形成する通常の方法では生じ易い基
板全体の反りの発生を十分に防止することができるた
め、十分に平板性の高い形状のものが得られ、結局、各
部の導電部の形成位置精度が高く、しかも検査を好適に
実施することのできる回路基板検査用アダプター装置を
容易に作製することができる。

【００３９】また、接続配線層の形成においては、圧着
積層型基板の上面に放射線硬化樹脂よりなる絶縁層を形
成してこれをパターンニングすること、並びにその表面
に金属薄層を形成してこれを例えばフォトエッチング処
理することにより配線部を形成する方法を利用すること
ができる。この方法によれば、放射線硬化樹脂の表面に
形成された配線層と圧着積層型基板との電気的な接続
を、放射線硬化樹脂の厚さ方向にフォトメッキ法により
形成されたバイアホールを経由して行うことができるた
め、被検査電極が微細で高密度の複雑なパターンのもの
である場合にも、これに対応して微細なパターンを有す
る配線部を容易にかつ確実に形成することができる。

【００４０】次に、本発明に係る回路基板検査用アダプ
ター装置の具体的な製造方法について説明する。この方
法は、基本的に、アダプター本体を形成する第１プロセ
スとこのアダプター本体の表面上に異方導電性コネクタ
ー層を一体的に設ける第２プロセスとよりなる。

【００４１】第１プロセスは、以下の第１工程および第
２工程よりなる。ここに、第１工程は、圧着積層型基板
を作製する工程、第２工程は接続配線層を作製する工程
である。

【００４２】第１工程 具体的には、図５に示すように、下面に例えば銅などよ
りなる金属薄層３３Ａが形成され、上面に同様の金属薄
層３５Ａが積層して設けられた硬質樹脂よりなる平板状
の基板本体２３が用意される。そして、基板本体２３の
金属薄層３３Ａおよび３５Ａが例えばフォトエッチング
法によってパターニングされることにより、図６に示す
ように、基板本体２３の下面および上面に下面配線部３
３および上面配線部３５がそれぞれ形成される。

【００４３】次に図７に示すように、この基板本体２３
の上側には熱硬化性の接着性樹脂膜２５Ａおよび銅箔６
２Ａをこの順に重ねて配置すると共に、基板本体２３の
下側にも熱硬化性の接着性樹脂膜２０Ａおよび銅箔３０
Ａをこの順に重ねて配置し、これらの全体を加圧下で加
熱して圧着させ、これにより、図８に示すように、基板
本体２３の上面に上部絶縁材層２５を介して銅箔６２Ａ
による金属薄層が形成され、かつ下面に下部絶縁材層２
０を介して銅箔３０Ａによる金属薄層が形成されてなる
圧着積層型基板６５を形成する。

【００４４】この圧着積層型基板６５に対し、図９に示
すように、例えば数値制御型ドリリング装置により、下
面配線部３３および上面配線部３５の形成位置に関連し
た位置において、当該圧着積層型基板６５の厚さ方向に
貫通して伸びるスルーホール３２Ｈが形成される。この
スルーホール３２Ｈの孔径は、例えば０．１５ｍｍであ
る。そして図１０に示すように、無電解銅メッキ法、電
解銅メッキ法などによりスルーホール３２Ｈ内に銅メッ
キ層が形成されて、銅箔６２Ａによる金属薄層および銅
箔３０Ａによる金属薄層、下面配線部３３および上面配
線部３５に接続された状態で伸びる短絡部３２が形成さ
れる。

【００４５】次に図１１に示すように、当該圧着積層型
基板６５の上面の銅箔６２Ａおよび下面の３０Ａによる
金属薄層を、例えばフォトエッチング法によってパター
ニングすることにより、それぞれ上部配線部６２および
端子電極３０が形成される。この端子電極３０の電極ピ
ッチは、例えば１．８ｍｍである。

【００４６】第２工程 図１２に示すように、上記の圧着積層型基板６５の上面
上に、放射線の照射によって硬化する硬化性樹脂よりな
る第１絶縁層６０が、例えばそのような樹脂シートを真
空ラミネート法によって一体的に被覆させることによっ
て形成される。その後、第１絶縁層６０に対し、当該第
１絶縁層６０が感応する放射線の照射を含むフォトリソ
グラフィ法を行うことにより、当該第１絶縁層６０を貫
通するバイアホール３４Ｈが形成される。

【００４７】次に、図１３に示すように、無電解銅メッ
キ法、電解銅メッキ法などによりバイアホール３４Ｈ内
が銅メッキされることにより、第１絶縁層６０を貫通し
て伸びる短絡部３４が形成される。そして、更に第１絶
縁層６０の上面に銅メッキによる金属薄層６３Ａが形成
され、その後、図１４に示すように、フォトエッチング
処理により、当該金属薄層６３Ａの一部が除去されて所
要のパターンの中間配線部６３が形成される。

【００４８】次に、図１５に示すように、中間配線部６
３を含む第１絶縁層６０の上面に、放射線の照射によっ
て硬化する硬化性樹脂液が塗布されることによって硬化
性樹脂よりなる第２絶縁層６１が形成され、この第２絶
縁層６１に対し、当該硬化性樹脂が感応する放射線の照
射によるフォトリソグラフィ法を行うことにより、図１
６に示すように、当該第２絶縁層６１を貫通するバイア
ホール３６Ｈが形成される。

【００４９】次いで、図１７に示すように、無電解銅メ
ッキ法、電解銅メッキ法によりバイアホール３６Ｈ内が
銅メッキされて第２絶縁層６１を貫通して伸びる短絡部
３６が形成される。バイアホール３６Ｈがバイアホール
３４Ｈの直上に位置されている場合には、短絡部３４上
に短絡部３６が連続して伸びる状態となる。そして、更
に第２絶縁層６１の上面に銅メッキによる金属薄層４０
Ａが形成され、その後、フォトエッチング処理により、
当該金属薄層の一部が除去されて、図１８に示すよう
に、検査対象である回路基板の被検査電極に対応したパ
ターンの接続用電極４０が形成され、斯くしてアダプタ
ー本体１２が製造される。

【００５０】以上の第２工程において、第１絶縁層６０
または第２絶縁層６１を形成するための硬化性樹脂層を
形成する具体的な手段は特に限定されるものではなく、
硬化性樹脂シートを真空ラミネート法によって形成する
手段、硬化性樹脂液をスクリーン印刷技術などの塗布法
を利用して塗布する手段、その他を利用することができ
る。

【００５１】しかし、実際には、第２絶縁層６１の厚み
は、下面側の第１絶縁層６０の厚みより小さいことが好
ましい。この場合においては、上面側の第２絶縁層６１
の厚みが比較的小さいことにより、当該第２絶縁層６１
を形成するためのパターニングをフォトリソグラフィー
によって行う場合におけるいわゆる解像性が高く、この
ため、高密度の接続用電極４０のパターンに十分に対応
する高密度の導電路を、その各々が確実に絶縁された状
態で形成することが可能となる。また、下面側の第１絶
縁層６０の厚みが比較的大きいことにより、中間配線部
６３と上部配線部６２との間の絶縁性を容易に確保する
ことができる。なお、当該第１絶縁層６０を形成するた
めのパターニングをフォトリソグラフィーによって行う
場合における解像性は比較的低いものとなるが、圧着積
層型基板６５の下面側に形成される端子電極３０の電極
ピッチはそれほど高密度ではないため、実際上、解像不
良が問題となることがない。

【００５２】以上のような観点から、第１絶縁層６０の
厚みは例えば５０〜１００μｍとされ、第２絶縁層６１
の厚みは例えば２０〜５０μｍとされるのが好ましい。
そして、第１絶縁層６０の形成のように、厚みが５０μ
ｍ以上の硬化性樹脂層を設ける場合には、そのような硬
化性樹脂のシートを真空ラミネート法によって設けるこ
とは高い製造効率が得られる点で有利である。そのよう
な厚みの層を塗布法によって形成する場合には、多数回
にわたって重ね塗りを行うことが必要となり、均一な層
の形成が容易ではないからである。一方、第２絶縁層６
１の形成のように、５０μｍ以下の硬化性樹脂層を設け
る場合には、そのような硬化性樹脂の液体を塗布法によ
って有利に設けることができる。

【００５３】第２絶縁層６１または接続用電極４０を形
成する金属薄層の厚みを大きくする場合には、必要な厚
みに対応する膜厚のフォトレジスト膜を形成してパター
ニングを行うことにより、当該金属薄層を形成する部分
に孔を形成し、この孔内に金属をメッキ法などによって
充填し、その後フォトレジスト膜を除去すればよい。こ
のような方法により、表面から突出した状態の接続用電
極４０を容易に形成することができる。

【００５４】絶縁層に形成されたバイアホール３４Ｈま
たは３６Ｈを利用して短絡部を形成する際には、メッキ
に先行してサンドブラスト処理または液体ホーニング処
理を行うことが好ましく、これによってバイアホールの
底面を確実に露出させることができ、短絡部による電気
的な接続を確実に達成することができる。また、絶縁層
の上面に金属薄層を形成する場合にも、当該絶縁層の表
面をサンドブラスト処理または液体ホーニング処理する
ことにより、当該金属薄層の付着性を向上させることが
できる。

【００５５】以上のようにして得られるアダプター本体
１２に対して、第２プロセスによってコネクター層１５
が設けられる。この第２プロセスにおいては、硬化処理
によって絶縁性の弾性高分子物質となる高分子物質用材
料中に導電性磁性体粒子を分散させて流動性の混合物よ
りなるコネクター用材料が調製され、図１９に示すよう
に、このコネクター用材料がアダプター本体１２の上面
に塗布されることによりコネクター用材料層５０が形成
され、これが金型のキャビティ内に配置される。

【００５６】この金型は、各々電磁石を構成する上型５
１と下型５２とよりなり、上型５１には、接続用電極４
０に対応するパターンの強磁性体部分（斜線を付して示
す）Ｍと、それ以外の非磁性体部分Ｎとよりなる、下面
が平坦面である磁極板５３が設けられており、当該磁極
板５３の平坦な下面がコネクター用材料層５０の表面か
ら離間されて間隙Ｇが形成された状態とされる。なお、
図１９および図２０においては、接続用電極４０を除
き、アダプター本体１２の詳細は省略されている。

【００５７】この状態で上型５１と下型５２の電磁石を
動作させ、これによりアダプター本体１２の厚さ方向の
平行磁場を作用させる。その結果、コネクター用材料層
５０においては、接続用電極４０上に位置する部分にお
いて、それ以外の部分より強い平行磁場が厚さ方向に作
用されることとなり、この分布を有する平行磁場によ
り、図２０に示すように、コネクター用材料層５０内の
導電性磁性体粒子が、強磁性体部分Ｍによる磁力により
接続用電極４０上に位置する部分に集合して更に厚さ方
向に配向する。

【００５８】然るに、このとき、コネクター用材料層５
０の表面側には間隙Ｇが存在するため、導電性磁性体粒
子の移動集合によって高分子物質用材料も同様に移動す
る結果、接続用電極４０上に位置する部分の高分子物質
用材料表面が隆起し、突出した導電部１７が形成され
る。従って、形成される絶縁部１８の厚さｔ₁ は、初期
のコネクター用材料層５０の厚さｔ₀ より小さいものと
なる。そして、平行磁場を作用させたまま、あるいは平
行磁場を除いた後、硬化処理を行うことにより、突出部
を形成する導電部１７と絶縁部１８とよりなるコネクタ
ー層１５をアダプター本体１２上に一体的に設けること
ができ、以てアダプター装置が製造される。

【００５９】磁極板５３の代わりに、図２１に示すよう
に、上型５１が接続用電極４０に対応するパターンの強
磁性体部分Ｍとそれ以外の非磁性体部分Ｎよりなり、当
該上型５１の下面において強磁性体部分Ｍが非磁性体部
分Ｎより下方に突出した状態の磁極板５５を使用するこ
ともできる。更に、全体が強磁性体よりなる磁極板であ
って、接続用電極４０に対応するパターンの部分が、そ
れ以外の部分より下方に突出した状態の磁極板を用いる
こともできる。これらの場合にも、コネクター用材料層
５０に対しては接続用電極４０の領域において、より強
い平行磁場が作用されることとなる。

【００６０】また、平行磁場を作用させたままで上型５
１と下型５２の間隔が可変の金型を用い、最初は上型５
１をコネクター用材料層５０の上面と同一のレベルに配
置しておき、平行磁場を作用させながら上型５１と下型
５２の間隔を徐々に広げて行く操作によってコネクター
用材料層５０の隆起を生じさせ、その後に硬化処理を行
うこともできる。

【００６１】本発明において、コネクター層１５は、そ
の導電部１７が絶縁部１８より突出していることは必須
のことではなく、平坦な表面を有するものであってもよ
い。このような場合には、例えば図１９に示した構成の
金型を用い、間隙Ｇを形成せずに処理すればよい。

【００６２】コネクター用材料層５０の厚さは例えば
０．１〜３ｍｍとされる。このコネクター用材料層５０
のための高分子物質用材料は、導電性磁性体粒子の移動
が容易に行われるよう、その温度２５℃における粘度が
１０¹ ｓｅｃ^-1の歪速度の条件下において１０⁴ 〜１０
⁷ センチポアズ程度であることが好ましい。コネクター
用材料層５０の硬化処理は、平行磁場を作用させたまま
の状態で行うことが好ましいが、平行磁場の作用を停止
させた後に行うこともできる。

【００６３】また、磁極板５３の強磁性体部分Ｍは鉄、
ニッケルなどの強磁性体により、また非磁性体部分Ｎ
は、銅などの非磁性金属、ポリイミドなどの耐熱性樹脂
または空気層などにより形成することができる。コネク
ター用材料層５０に作用される平行磁場の強度は、金型
のキャビティの平均で２００〜２０，０００ガウスとな
る大きさが好ましい。

【００６４】硬化処理は、使用される材料によって適宜
選定されるが、通常、熱処理によって行われる。具体的
な加熱温度および加熱時間は、コネクター用材料層５０
の高分子物質用材料の種類、導電性磁性体粒子の移動に
要する時間などを考慮して適宜選定される。例えば、高
分子物質用材料が室温硬化型シリコーンゴムである場合
に、硬化処理は、室温で２４時間程度、４０℃で２時間
程度、８０℃で３０分間程度で行われる。

【００６５】〔実施例〕以下、本発明の実施例を説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。

【００６６】実施例１ （イ）第１プロセス 第１工程 各々の厚みが１８μｍの銅よりなる金属薄層（３５Ａ，
３３Ａ）を厚さ０．２ｍｍのガラス繊維補強型エポキシ
樹脂よりなる基板本体（２３）の両面に積層してなる材
料を用意し、これを縦３３０ｍｍ、横６１０ｍｍの矩形
状に裁断し、その後基板本体（２３）の両面の金属薄層
に対してフォトエッチング処理することにより、上面お
よび下面にライン幅２００μｍ、ランド径７０μｍの上
面配線部（３５）および下面配線部（３３）を形成した
（図６参照）。

【００６７】一方、各々厚みが１８μｍの２枚の銅箔
（３０Ａ、６２Ａ）と、厚みが１００μｍの２枚のガラ
ス繊維補強型エポキシ樹脂プリプレグ（２０Ａ、２５
Ａ）を用意し、これを縦３３０ｍｍ、横６１０ｍｍの矩
形状に裁断した。これら２枚の銅箔（３０Ａ、６２Ａ）
と２枚のプリプレグ（２０Ａ、２５Ａ）を前記基板本体
（２３）の両面側に図７のように配置し、高温真空プレ
ス機ＭＨＰＣ−ＶＨ（名機製作所製）により、プレス圧
３５ｋｇ／ｃｍ² 、温度１７０℃で１時間加圧すること
により、圧着されて一体となった圧着積層型基板（６
５）を作製した（図８参照）。

【００６８】この圧着積層型基板に、２軸ドリリング装
置「ＮＤ−２Ｊ−１８」（日立精工社製）を用いて、ピ
ッチが１．８ｍｍの格子点上に配置されるかまたは格子
点間に配置された状態となるよう、各々の内径が０．１
５ｍｍのスルーホール（３２Ｈ）を必要個所に形成した
（図９参照）。その後、銅メッキによってスルーホール
（３２Ｈ）内に短絡部（３２）を形成し、この短絡部
（３２）を介して基板本体（２３）の銅箔（６２Ａ）、
上面配線部（３５）および下面配線部（３３）と、銅箔
（３０Ａ）とが電気的に接続された状態を得た（図１０
参照）。次に、当該圧着積層型基板の両面の金属箔（３
０Ａ，６２Ａ）に対して、フォトエッチング処理するこ
とにより、下面には直径０．９ｍｍの端子電極（３０）
群を１．８ｍｍピッチでグリッド状に形成し、上面には
ライン幅１００μｍ、ランド径３００μｍの上部配線部
（６２）を形成した（図１１参照）。

【００６９】第２工程 上部配線部（６２）を含む圧着積層型基板（６５）の表
面に、厚さ７５μｍの紫外線硬化性樹脂シートを真空ラ
ミネート法によって積層させて硬化性樹脂層を形成し、
この硬化性樹脂層に対し、プリント基板用露光装置（ハ
イテックコーポレーション社製）を用い、パターンフィ
ルムマスクを介して２４５ｍＪ／ｃｍ²のエネルギーで
露光処理し、温度３０℃、濃度１％の炭酸水素ナトリウ
ム水溶液によりスプレー現像してバイアホール（３４
Ｈ）を形成した後、コンベア式紫外線露光装置（オーク
製作所製）を用いて１５００ｍＪ／ｃｍ² のエネルギー
で露光処理すると共に熱風乾燥機を用いて１５０℃で３
０分間の熱処理を行い、硬化した樹脂層による第１絶縁
層（６０）を形成した（図１２参照）。

【００７０】その後、サンドブラスト装置（不二製作所
製）を用い、アルミナの微粉を吹きつけて第１絶縁層
（６０）の表面を処理した上、電解銅メッキ法により、
第１絶縁層（６０）に形成されたバイアホール（３４
Ｈ）内に金属銅を充填して短絡部（３４）を形成すると
共に、第１絶縁層（６０）の上面の全面に無電解銅メッ
キ法により金属薄層（６３Ａ）を形成し（図１３参
照）、当該金属薄層（６３Ａ）に対してフォトメッキ法
によりエッチング処理することにより、短絡部を（３
４）介して上部配線部（６２）に電気的に接続された中
間配線部（６３）を形成した（図１４参照）。その後、
この第１絶縁層（６０）に対して、コンベア式紫外線露
光装置（オーク製作所製）を用い、１５００ｍＪ／ｃｍ
² のエネルギーで露光処理及び熱風乾燥器を用いた１５
０℃、３０分間の熱処理を行った。

【００７１】次に、中間配線部（６３）を含む第１絶縁
層（６０）の上面に、二液型紫外線硬化性樹脂「ＮＰＲ
−６０−５Ｐ」（日本ポリテック社製）を、スクリーン
印刷機「ＭＥＬＯＤＹ−ＭＡＲＫII ＭＲ−６０」によ
り、ポリエステルクリーンメッシュを張ったスクリーン
印刷用版を介して、スキージー速度１０ｍｍ／ｓｅｃの
条件で３回塗布し、温度８０℃の熱風乾燥機炉で１５分
間乾燥させる操作を２回繰り返し、これにより厚みが４
０μｍの硬化性樹脂層を形成した。そして、この硬化性
樹脂層に対し、第１絶縁層（６０）についてと同様の処
理を行うことにより、バイアホール（３６Ｈ）が形成さ
れた、硬化した樹脂層による第２絶縁層（６１）を形成
した（図１５および図１６参照）。

【００７２】更に、第２絶縁層（６１）の上面から銅メ
ッキすることにより、バイアホール（３６Ｈ）内に短絡
部（３６）を形成する（図１７参照）と共に、当該第２
絶縁層（６１）の上面にパターン状の銅メッキ層を形成
した上、厚みが４０μｍのフォトレジスト膜を設け、こ
れをフォトリソグラフィ法により処理して検査対象回路
基板の被検査電極に対応するパターンに従って除去し、
斯くして形成された穴部に銅メッキ法により金属銅を充
填し、その後フォトレジスト膜を剥離することにより、
突出高さが４０μｍの接続用電極（４０）を形成し、更
に各接続用電極の被検査電極には厚み２μｍの金メッキ
を施し、図１８に示される構成のアダプター本体（１
２）を製造した。

【００７３】このアダプター本体（１２）の接続用電極
は、各電極の寸法が０．１５ｍｍ平方で電極ピッチが
０．２５ｍｍの電極群と、各電極の寸法が０．２ｍｍ平
方で電極ピッチが０．６ｍｍの電極群と、各電極の寸法
が１ｍｍ平方で電極ピッチが２ｍｍの電極群とを有する
ものであった。

【００７４】第２プロセス 室温硬化型ウレタンゴムに平均粒径２６μｍのニッケル
よりなる導電性磁性体粒子を１５体積％となる割合で混
合してなるコネクター用材料を調製し、これを上記のア
ダプター本体の表面に塗布したものを、基本的に図２０
に示す構成の金型を用いる方法に従って処理した。すな
わち、下面において強磁性体部分Ｍが非磁性体部分Ｎよ
り０．１ｍｍ突出する磁極板（５５）を用い、強磁性体
部分Ｍの下面とコネクター用材料層との間に０．０３ｍ
ｍの間隙を形成して平行磁場を作用させてコネクター用
材料層を隆起させ、この状態で室温で２４時間放置して
硬化させ、これにより、導電部の厚さｔが０．３ｍｍ、
絶縁部の厚さｄが０．２７ｍｍ、導電部の突出割合（ｔ
−ｄ）／ｔが１０％のコネクター層を形成し、もって回
路基板検査用アダプター装置を製造した。

【００７５】実験例１ 以上のアダプター装置について、抵抗測定器「ミリオー
ムハイテスター」（日置電機社製）を用い、基板の下面
側に共通の導電板を配置してすべての端子電極を短絡状
態とし、この導電板と各接続用電極との間の電気抵抗値
をプローブピンを利用して測定した。その結果、すべて
の接続用電極について、電気抵抗値は５００ｍΩ以下と
小さく、接続されるべき端子電極と接続用電極との間の
電気的な接続が十分に達成されていることが確認され
た。

【００７６】実験例２ 更に当該アダプター装置について、上記と同様の抵抗測
定器を用い、互いに絶縁状態とされるべき隣接する接続
用電極の間の電気抵抗値をプローブピンを利用して測定
したところ、電気抵抗値はいずれも１０ＭΩ以上と非常
に大きく、十分な絶縁状態が達成されていることが確認
された。

【００７７】

【発明の効果】本発明の回路基板検査用アダプター装置
によれば、圧着積層型基板および接続配線層の両者が共
に層内配線部を有する上、コネクター層が一体に設けら
れているため、検査対象である回路基板の被検査電極
が、電極ピッチが微小でありかつ微細で高密度の複雑な
パターンのものである場合にも、当該回路基板について
所要の電気的接続を確実に達成することができ、また温
度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても良好な
電気的接続状態が安定に維持され、従って高い接続信頼
性を得ることができる。また、本発明のアダプター装置
は、圧着積層型基板を用いていることにより、十分に高
い平板性を有するものとすることができ、その結果、各
部の導電部の形成位置精度が高く、しかも検査対象であ
る回路基板に対して良好な押圧状態を達成することがで
きて好適に所期の検査を実施することができる。

【００７８】また、本発明の回路基板検査用アダプター
装置におけるアダプター本体の圧着積層型基板は、表面
に配線部を有する絶縁性の基板本体と、この基板本体の
当該表面上に加熱圧着により一体的に積層された熱硬化
性の接着性樹脂よりなる絶縁材層とよりなるものである
ため、当該圧着積層型基板における層内配線部の形成が
容易である上、製作工程において反りなどの変形が生ず
ることがなく、従ってその下面の格子点上に配置された
端子電極と表面の上部配線部との間を電気的に接続する
短絡部を含む当該積層型基板を容易にかつ高い精度で作
製することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る回路基板検査用アダプ
ター装置の構成を示す説明用断面図である。

【図２】図１におけるアダプター装置のアダプター本体
の説明用断面図である。

【図３】図１におけるアダプター装置における各部の配
置の状態を示す説明用平面図である。

【図４】図１におけるアダプター装置におけるコネクタ
ー層部分の説明用拡大断面図である。

【図５】図１におけるアダプター装置の製造方法に用い
られる基板本体の説明用断面図である。

【図６】基板本体に表面配線部が形成された状態の説明
用断面図である。

【図７】圧着積層型基板を形成する部材の配置状態を示
す説明用断面図である。

【図８】圧着積層型基板が形成された状態の説明用断面
図である。

【図９】圧着積層型基板にスルーホールが形成された状
態の説明用断面図である。

【図１０】圧着積層型基板のスルーホールに短絡部が形
成された状態の説明用断面図である。

【図１１】圧着積層型基板に端子電極と上部配線部が形
成された状態の説明用断面図である。

【図１２】圧着積層型基板に第１絶縁層のための硬化性
樹脂層が形成された状態の説明用断面図である。

【図１３】第１絶縁層に係る短絡部と中間配線部のため
の金属薄層が形成された状態の説明用断面図である。

【図１４】第１絶縁層上に中間配線部が形成された状態
の説明用断面図である。

【図１５】第２絶縁層のための硬化性樹脂層が形成され
た状態の説明用断面図である。

【図１６】バイアホールが形成された第２絶縁層が設け
られた状態の説明用断面図である。

【図１７】第２絶縁層に係る短絡部が形成され、接続用
電極のための金属薄層が設けられた状態の説明用断面図
である。

【図１８】接続用電極が形成されて完成したアダプター
本体の説明用断面図である。

【図１９】コネクター用材料層が形成されたアダプター
本体が金型にセットされた状態を示す説明用断面図であ
る。

【図２０】図１９において、平行磁場が作用された状態
を示す説明用断面図である。

【図２１】コネクター層を形成するために用いられる金
型の他の例を示す説明用断面図である。

【図２２】プリント回路基板の一例の配置を示す説明図
である。

【符号の説明】

１０ アダプター装置 １２ アダプタ
ー本体 １５ 異方導電性コネクター層 １７ 導電部 １８ 絶縁部 ２０ 下部絶縁
材層 ２０Ａ 接着性樹脂膜 ２３ 基板本体 ２５ 上部絶縁材層 ２５Ａ 接着性
樹脂膜 ３０ 端子電極 ３０Ａ 銅箔 ３２ 短絡部 ３２Ｈ スルー
ホール ３３ 下面配線部 ３３Ａ 金属薄
層 ３４ 短絡部 ３４Ｈ バイア
ーホール ３５ 上面配線部 ３５Ａ 金属薄
層 ３６ 短絡部 ３６Ｈ バイア
ーホール ４０ 接続用電極 ４０Ａ 金属薄
層 Ｅ 弾性高分子物質 Ｐ 導電性粒子 ５０ コネクター用材料層 ５１ 上型 ５２ 下型 Ｍ 強磁性体部
分 Ｎ 非磁性体部分 ５３ 磁極板 Ｇ 間隙 ５５ 磁極板 ６０ 第１絶縁層 ６１ 第２絶縁
層 ６２ 上部配線部 ６２Ａ 銅箔 ６３ 中間配線部 ６３Ａ 金属薄
層 ６５ 圧着積層型基板 ６６ 接続配線
層 ９０ 回路基板 ９１ 機能素子
領域 ９２ リード電極 ９３ リード電
極領域

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 検査対象回路基板と電気的検査装置との
   間に介在されて当該回路基板の電極の電気的接続を行う
   回路基板検査用アダプター装置であって、 圧着積層型基板およびこの圧着積層型基板の上面に設け
   られた接続配線層を有するアダプター本体と、このアダ
   プター本体の接続配線層の表面上に一体的に設けられた
   異方導電性コネクター層とよりなり、 前記アダプター本体の接続配線層の表面には、検査対象
   回路基板の被検査電極に対応して配置された接続用電極
   が形成されると共に、当該接続配線層には、接続用電極
   と電気的に接続された１層以上の層内配線部が形成さ
   れ、 前記圧着積層型基板は、少なくともその一面に配線部を
   有する絶縁性の基板本体と、この基板本体の当該一面上
   に加熱圧着により一体的に積層された熱硬化性の接着性
   樹脂よりなる絶縁材層とよりなり、当該圧着積層型基板
   の上面には前記接続配線層の接続用電極に電気的に接続
   される上部配線部が形成されると共に、下面には格子点
   上に配置された端子電極が形成されており、前記端子電
   極の少なくとも１つは、前記基板本体の配線部を介し
   て、前記上部配線部と電気的に接続されていることを特
   徴とする回路基板検査用アダプター装置。