JPH11354178A - 異方導電性シートおよびその製造方法並びに回路装置の検査装置および検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電極の配置ピッチが極めて小さい被接続体に
対しても、所要の電気的接続を確実にかつ容易に達成さ
れる異方導電性シートおよびその製造方法並びにこの異
方導電性シートを用いた回路装置の検査装置および検査
方法の提供。 【解決手段】 本発明の異方導電性シートは、高分子物
質よりなる絶縁性シート体と、格子点位置に配置され、
絶縁性シート体にその厚み方向に貫通して伸びるよう一
体的に設けられた、弾性高分子物質中に導電性粒子が含
有されてなる多数の導電路素子とを有し、下記（１）お
よび（２）の条件を満足する。（１）接続すべき電極群
を有する被接続体に重ね合わせたときに、当該被接続体
における個々の電極に接続された導電路素子が少なくと
も１個存在すること。（２）接続すべき電極群を有する
被接続体に重ね合わせたときに、当該被接続体における
２個以上の電極に接続された導電路素子が存在しないこ
と。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば電子部品な
どの回路素子相互間の電気的接続やプリント回路基板な
どの回路装置の検査装置におけるコネクターとして好ま
しく用いられる異方導電性シートおよびその製造方法並
びにこの異方導電性シートを用いた回路装置の検査装置
および検査方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】異方導電性エラストマーシートは、厚み
方向にのみ導電性を示すもの、または厚み方向に加圧さ
れたときに厚み方向にのみ導電性を示す加圧導電性導電
部を有するものであり、ハンダ付けあるいは機械的嵌合
などの手段を用いずにコンパクトな電気的接続を達成す
ることが可能であること、機械的な衝撃やひずみを吸収
してソフトな接続が可能であることなどの特長を有する
ため、このような特長を利用して、例えば電子計算機、
電子式デシタル時計、電子カメラ、コンピューターキー
ボードなどの分野において、回路装置、例えばプリント
回路基板とリードレスチップキャリアー、液晶パネルな
どとの相互間の電気的な接続を達成するためのコネクタ
ーとして広く用いられている。

【０００３】また、半導体集積回路やプリント回路基板
などの回路装置の電気的検査においては、検査対象であ
る回路装置の一面に形成された被検査電極と、検査用回
路基板の表面に形成された接続用電極との電気的な接続
を達成するために、被検査回路装置の被検査電極領域と
検査用回路基板の接続用電極領域との間に異方導電性エ
ラストマーシートを介在させることが行われている。

【０００４】従来、このような異方導電性エラストマー
シートとしては、種々の構造のものが知られており、例
えば特開昭５１−９３３９３号公報等には、金属粒子を
エラストマー中に均一に分散して得られる異方導電性エ
ラストマーシート（以下、これを「分散型異方導電性エ
ラストマーシート」という。）が開示され、また、特開
昭５３−１４７７７２号公報等には、導電性磁性体粒子
をエラストマー中に不均一に分布させることにより、厚
み方向に伸びる多数の導電路形成部と、これらを相互に
絶縁する絶縁部とが形成されてなる異方導電性エラスト
マーシート（以下、これを「偏在型異方導電性エラスト
マーシート」という。）が開示され、更に、特開昭６１
−２５０９０６号公報には、導電路形成部の表面と絶縁
部との間に段差が形成された偏在型異方導電性エラスト
マーシートが開示されている。

【０００５】しかしながら、従来の異方導電性エラスト
マーシートにおいては、以下のような問題がある。 （１）分散型異方導電性エラストマーシートにおいて
は、例えば回路基板などの被接続体の電極によって適宜
の個所が厚み方向に加圧されたときに、分散された導電
性粒子によって当該加圧された個所において厚み方向に
伸びる導電路が形成される。然るに、隣接する電極の中
心間距離すなわち電極の配置ピッチが極めて小さい例え
ば３００μｍ以下である被接続体に対しては、形成され
た導電路間の絶縁性が十分に確保されず、その結果、所
要の電気的接続を確実に達成することができない、とい
う問題がある。 （２）偏在型異方導電性エラストマーシートにおいて
は、被接続体の電極に対応するパターンに従って導電路
形成部が形成されているため、電気的接続作業において
は被接続体に対して特定の位置関係をもって保持固定す
ることが必要である。然るに、被接続体の電極の配置ピ
ッチが小さくなるに従って異方導電性エラストマーシー
トの位置合わせおよび保持固定が困難となるため、電極
の配置ピッチが極めて小さい被接続体に対しては、所要
の電気的接続を確実に達成することができない、という
問題がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な事情に基づいてなされたものである。本発明の第１の
目的は、接続すべき電極の配置ピッチが極めて小さい被
接続体に対しても、所要の電気的接続を確実にかつ容易
に達成することのできる異方導電性シートを提供するこ
とにある。本発明の第２の目的は、上記の異方導電性シ
ートを確実にかつ有利に製造することができる方法を提
供することにある。本発明の第３の目的は、検査すべき
回路装置の被検査電極が、配置ピッチが極めて小さく、
かつ微細で高密度の複雑なパターンのものである場合に
も、当該回路装置について所要の電気的接続を達成する
ことのできる回路装置の検査装置を提供することにあ
る。本発明の第４の目的は、検査すべき回路装置の被検
査電極が、配置ピッチが極めて小さく、かつ微細で高密
度の複雑なパターンのものである場合にも、当該回路装
置について所要の電気的接続を達成することのできる回
路装置の検査方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の異方導電性シー
トは、高分子物質よりなる絶縁性シート体と、この絶縁
性シート体の面方向に沿って格子点位置に配置され、そ
れぞれ当該絶縁性シート体にその厚み方向に貫通して伸
びるよう一体的に設けられた、弾性高分子物質中に導電
性粒子が含有されてなる多数の導電路素子とを有してな
り、下記の条件（１）および条件（２）を満足すること
を特徴とする。 条件（１）：接続すべき電極群を有する被接続体に重ね
合わせたときに、当該被接続体における個々の電極に接
続された導電路素子が少なくとも１個存在すること。 条件（２）：接続すべき電極群を有する被接続体に重ね
合わせたときに、当該被接続体における２個以上の電極
に接続された導電路素子が存在しないこと。

【０００８】また、本発明の異方導電性シートは、高分
子物質よりなる絶縁性シート体と、この絶縁性シート体
の面方向に沿って格子点位置に配置され、それぞれ当該
絶縁性シート体にその厚み方向に貫通して伸びるよう一
体的に設けられた、弾性高分子物質中に導電性粒子が含
有されてなる多数の導電路素子とを有してなり、前記導
電路素子の配置ピッチが１０〜１５０μｍであることを
特徴とする。

【０００９】本発明の異方導電性シートの製造方法は、
上記の異方導電性シートを製造する方法であって、高分
子物質よりなる絶縁性シート体の少なくとも一面に金属
薄層を積層し、その後、この金属薄層における導電路素
子が配置される個所に開口を形成する第１工程と、前記
絶縁性シート体に対して前記金属薄層の開口を介してレ
ーザーを照射することにより、当該絶縁性シート体に貫
通孔を形成する第２工程と、前記絶縁性シート体の貫通
孔内に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形
成材料中に導電性粒子が分散されてなる導電路素子用材
料層を形成し、当該導電路素子用材料層の硬化処理を行
うことにより、当該絶縁性シート体に一体的に設けられ
た導電路素子を形成する第３工程とを有することを特徴
とする。

【００１０】本発明の回路装置の検査装置は、一面に検
査すべき回路装置の被検査電極に対応するパターンに従
って配置された接続用電極を有する検査用回路基板と、
この検査用回路基板の一面上に配置された上記の異方導
電性シートとを具えてなることを特徴とする。本発明の
回路装置の検査方法は、一面に被検査回路装置の被検査
電極に対応するパターンに従って配置された接続用電極
を有する検査用回路基板を用い、検査すべき回路装置の
被検査電極を、上記の異方導電性シートを介して前記検
査用回路基板の接続用電極に電気的に接続させ、この状
態で前記被検査回路装置の電気的検査を行うことを特徴
とする。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図１は、本発明の異方導電性シート
の一例における要部の構成を示す説明用断面図であり、
図２は、異方導電性シートの説明用平面図であり、図３
は、異方導電性シートの一部を拡大して示す説明用断面
図である。この異方導電性シート１０においては、図１
に示すように、高分子物質よりなる絶縁性シート体２０
に、弾性高分子物質中に導電性粒子が含有されてなる例
えば円柱状の多数の導電路素子３０が当該絶縁性シート
体２０にその厚み方向に貫通して伸びるよう一体的に設
けられている。これらの導電路素子３０の各々は、図２
に示すように、絶縁性シート体２０の面方向に沿って格
子点位置に配置されており、互いに実質的に独立した状
態とされている。図示の例における導電路素子３０は、
その上面および下面が絶縁性シート体２０の上面および
下面から僅かに突出した状態に形成されている。

【００１２】上記の異方導電性シート１０は、下記の条
件（１）および条件（２）を満足するものである。 条件（１）：接続すべき電極群を有する被接続体に重ね
合わせたときに、当該被接続体における個々の電極に接
続された導電路素子３０が少なくとも１個存在するこ
と。 条件（２）：接続すべき電極群を有する被接続体に重ね
合わせたときに、当該被接続体における２個以上の電極
に接続された導電路素子３０が存在しないこと。

【００１３】上記の条件（１）および条件（２）を満足
するためには、被接続体における電極の最小配置ピッ
チ、最小離間距離および最小電極サイズによって定まる
が、具体的には、下記の条件（イ）〜条件（ハ）により
導電路素子３０が形成されていることが好ましい。

【００１４】条件（イ）：導電路素子３０の配置ピッチ
ｐが１０〜１５０μｍ、特に好ましくは２０〜８０μｍ
であること。導電路素子３０の配置ピッチｐが１０μｍ
未満である場合には、隣接する導電路素子３０間におけ
る必要な絶縁性が得られないことがある。一方、導電路
素子３０の配置ピッチｐが１５０μｍを超える場合に
は、被接続体に重ね合わせたときに、当該被接続体にお
ける隣接する電極間に導電路素子３０が位置され、その
結果、被接続体における一部の電極に対して所要の電気
的接続が達成されないことがある。

【００１５】条件（ロ）：導電路素子３０の直径ｄが１
〜１００μｍ、特に好ましくは５〜５０μｍであるこ
と。導電路素子３０の直径ｄが１μｍ未満である場合に
は、被接続体に重ね合わせたときに、当該被接続体にお
ける隣接する電極間に導電路素子３０が位置され、その
結果、被接続体における一部の電極に対して所要の電気
的接続が達成されないことがある。また、直径ｄが１μ
ｍ未満の導電路素子３０を形成すること自体が困難であ
る。一方、導電路素子３０の直径ｄが１００μｍを超え
る場合には、被接続体に重ね合わせたときに、当該被接
続体における２個以上の電極が同一の導電路素子３０に
接続され、その結果、所要の絶縁性が得られないことが
ある。

【００１６】条件（ハ）：隣接する導電路素子３０間の
最大離間距離ｇが５〜３００μｍ、特に好ましくは１０
〜１００μｍであること。隣接する導電路素子３０間の
最大離間距離ｇが５μｍ未満である場合には、被接続体
に重ね合わせたときに、当該被接続体における２個以上
の電極が同一の導電路素子３０に接続され、その結果、
所要の絶縁性が得られないことがある。一方、隣接する
導電路素子３０間の最大離間距離ｇが３００μｍを超え
る場合には、被接続体に重ね合わせたときに、当該被接
続体における隣接する電極間に導電路素子３０が位置さ
れ、その結果、被接続体における一部の電極に対して所
要の電気的接続が達成されないことがある。

【００１７】また、所要の電気的接続を更に確実に達成
するためには、下記の条件により導電路素子３０が形成
されていることが好ましい。 条件（ニ）：接続すべき電極群を有する被接続体に重ね
合わせたときに、当該被接続体において、２個以上の導
電路素子３０に接続された電極が、全電極の１〜１００
％、より好ましくは１０〜１００％、更に好ましくは３
０〜１００％、特に好ましくは５０〜１００％となる割
合で存在すること。 条件（ホ）：絶縁性シート体２０の厚みに対する導電路
素子３０の配置ピッチｐの比率が０．１〜２、より好ま
しくは０．２〜１．５、特に好ましくは０．３〜１であ
ること。 条件（ヘ）：図示の例のように、導電路素子３０の上面
および下面が絶縁性シート体２０の上面および下面から
突出した状態に設けられている場合には、当該導電路素
子３０における絶縁性シート体２０からの突出高さが２
〜２００μｍ、特に好ましくは５〜５０μｍであるこ
と。 条件（ト）：導電路素子３０における絶縁性シート体２
０からの突出高さと、被接続体における電極の突出高さ
との比が、１：０．５〜１：１０、特に好ましくは１：
０．８〜１：５であること。 条件（チ）：接続すべき電極１個に対し、接続された導
電路素子３０の平均個数が、好ましくは１．１個以上、
より好ましくは１．２〜１００個、さらに好ましくは
１．３〜５０個、特に好ましくは１．５〜２０個であ
る。なお、電極サイズによって導電路素子３０の好まし
い接続個数が異なり、例えば小サイズの電極の場合に
は、好ましくは１〜５個、さらに好ましくは１〜３個、
中サイズの電極の場合には、好ましくは２〜１０個、さ
らに好ましくは３〜８個、大サイズの電極の場合には、
好ましくは３〜３０個、さらに好ましくは５〜２０個で
ある。

【００１８】絶縁性シート体２０は、絶縁性を有する高
分子物質、好ましくは弾性高分子物質により構成されて
いる。かかる弾性高分子物質を得るために用いることの
できる硬化性の高分子物質形成材料としては、ポリブタ
ジエンゴム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン
−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジ
エン共重合体ゴムなどの共役ジエン系ゴムおよびこれら
の水素添加物、スチレン−ブタジエン−ジエンブロック
共重合体ゴム、スチレン−イソプレンブロック共重合体
などのブロック共重合体ゴムおよびこれらの水素添加
物、クロロプレン、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴ
ム、エピクロルヒドリンゴム、シリコーンゴム、エチレ
ン−プロピレン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン−
ジエン共重合体ゴムなどが挙げられ、得られる異方導電
性シートに耐候性が要求される場合には、共役ジエン系
ゴム以外のものを用いることが好ましい。絶縁異性シー
ト体２０の厚みは、特に限定されるものではないが、好
ましくは５０〜５００μｍ、特に好ましくは１５０〜３
００μｍである。

【００１９】図３に示すように、導電路素子３０は、弾
性高分子物質Ｅ中に導電性粒子Ｐが含有されて構成さ
れ、好ましくは弾性高分子物質Ｅ中に導電性粒子Ｐが厚
み方向に並んだ状態に配向されており、この導電性粒子
Ｐにより、当該導電路素子３０の厚み方向に導電路が形
成される。この導電路素子３０は、厚み方向に加圧され
て圧縮されたときに抵抗値が減少して導電路が形成され
る、加圧導電路素子とすることもできる。また、導電路
素子３０の導電路は、導電路素子３０の厚み方向と垂直
な断面において、その全領域にわたって形成されてもよ
く、その一部の領域例えば中央領域のみに形成されても
よい。

【００２０】導電路素子３０は、硬化されて弾性高分子
物質となる高分子物質形成材料中に導電性粒子が分散さ
れてなる流動性の導電路素子用材料が硬化処理されるこ
とにより形成される。導電路素子用材料に用いられる高
分子物質形成材料としては、種々のものを用いることが
でき、その具体例としては、ポリブタジエンゴム、天然
ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン−ブタジエン共重
合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴム
などの共役ジエン系ゴムおよびこれらの水素添加物、ス
チレン−ブタジエン−ジエンブロック共重合体ゴム、ス
チレン−イソプレンブロック共重合体などのブロック共
重合体ゴムおよびこれらの水素添加物、クロロプレン、
ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、エピクロルヒドリ
ンゴム、シリコーンゴム、エチレン−プロピレン共重合
体ゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体ゴムな
どが挙げられる。以上において、得られる異方導電性シ
ートに耐候性が要求される場合には、共役ジエン系ゴム
以外のものを用いることが好ましく、特に、成形加工性
および電気特性の観点から、シリコーンゴムを用いるこ
とが好ましい。

【００２１】シリコーンゴムとしては、液状シリコーン
ゴムを架橋または縮合したものが好ましい。液状シリコ
ーンゴムは、その粘度が歪速度１０^-1ｓｅｃで１０⁵ ポ
アズ以下のものが好ましく、縮合型のもの、付加型のも
の、ビニル基やヒドロキシル基を含有するものなどのい
ずれであってもよい。具体的には、ジメチルシリコーン
生ゴム、メチルビニルシリコーン生ゴム、メチルフェニ
ルビニルシリコーン生ゴムなどを挙げることができる。

【００２２】これらの中で、ビニル基を含有する液状シ
リコーンゴム（ビニル基含有ポリジメチルシロキサン）
は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチルジア
ルコキシシランを、ジメチルビニルクロロシランまたは
ジメチルビニルアルコキシシランの存在下において、加
水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解−沈殿の
繰り返しによる分別を行うことにより得られる。また、
ビニル基を両末端に含有する液状シリコーンゴムは、オ
クタメチルシクロテトラシロキサンのような環状シロキ
サンを触媒の存在下においてアニオン重合し、重合停止
剤として例えばジメチルジビニルシロキサンを用い、そ
の他の反応条件（例えば、環状シロキサンの量および重
合停止剤の量）を適宜選択することにより得られる。こ
こで、アニオン重合の触媒としては、水酸化テトラメチ
ルアンモニウムおよび水酸化ｎ−ブチルホスホニウムな
どのアルカリまたはこれらのシラノレート溶液などを用
いることができ、反応温度は、例えば８０〜１３０℃で
ある。このようなビニル基含有ポリジメチルシロキサン
は、その分子量Ｍｗ（標準ポリスチレン換算重量平均分
子量をいう。以下同じ。）が１００００〜４００００の
ものであることが好ましい。また、得られる導電路素子
の耐熱性の観点から、分子量分布指数（標準ポリスチレ
ン換算重量平均分子量Ｍｗと標準ポリスチレン換算数平
均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ／Ｍｎの値をいう。以下同
じ。）が２．０以下のものが好ましい。

【００２３】一方、ヒドロキシル基を含有する液状シリ
コーンゴム（ヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサ
ン）は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチル
ジアルコキシシランを、ジメチルヒドロクロロシランま
たはジメチルヒドロアルコキシシランの存在下におい
て、加水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解−
沈殿の繰り返しによる分別を行うことにより得られる。
また、環状シロキサンを触媒の存在下においてアニオン
重合し、重合停止剤として、例えばジメチルヒドロクロ
ロシラン、メチルジヒドロクロロシランまたはジメチル
ヒドロアルコキシシランなどを用い、その他の反応条件
（例えば、環状シロキサンの量および重合停止剤の量）
を適宜選択することによっても得られる。ここで、アニ
オン重合の触媒としては、水酸化テトラメチルアンモニ
ウムおよび水酸化ｎ−ブチルホスホニウムなどのアルカ
リまたはこれらのシラノレート溶液などを用いることが
でき、反応温度は、例えば８０〜１３０℃である。この
ようなヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサンは、
その分子量Ｍｗが１００００〜４００００のものである
ことが好ましい。また、得られる導電路素子の耐熱性の
観点から、分子量分布指数が２．０以下のものが好まし
い。本発明においては、上記のビニル基含有ポリジメチ
ルシロキサンおよびヒドロキシル基含有ポリジメチルシ
ロキサンのいずれか一方を用いることもでき、両者を併
用することもできる。

【００２４】導電路素子用材料中には、上記のような高
分子物質形成材料を硬化させるための硬化触媒を含有さ
せることができる。このような硬化触媒としては、有機
過酸化物、脂肪酸アゾ化合物、ヒドロシリル化触媒など
を用いることができる。 硬化触媒として用いられる有
機過酸化物の具体例としては、過酸化ベンゾイル、過酸
化ビスジシクロベンゾイル、過酸化ジクミル、過酸化ジ
ターシャリーブチルなどが挙げられる。硬化触媒として
用いられる脂肪酸アゾ化合物の具体例としては、アゾビ
スイソブチロニトリルなどが挙げられる。ヒドロシリル
化反応の触媒として使用し得るものの具体例としては、
塩化白金酸およびその塩、白金−不飽和基含有シロキサ
ンコンプレックス、ビニルシロキサンと白金とのコンプ
レックス、白金と１，３−ジビニルテトラメチルジシロ
キサンとのコンプレックス、トリオルガノホスフィンあ
るいはホスファイトと白金とのコンプレックス、アセチ
ルアセテート白金キレート、環状ジエンと白金とのコン
プレックスなどの公知のものが挙げられる。硬化触媒の
使用量は、高分子物質形成材料の種類、硬化触媒の種
類、その他の硬化処理条件を考慮して適宜選択される
が、通常、高分子物質形成材料１００重量部に対して３
〜１５重量部である。

【００２５】導電路素子用材料に用いられる導電性粒子
としては、後述する方法により当該粒子を容易に配向さ
せることができる観点から、導電性磁性体粒子を用いる
ことが好ましい。この導電性磁性体粒子の具体例として
は、鉄、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子若しくは
これらの合金の粒子またはこれらの金属を含有する粒
子、またはこれらの粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表
面に金、銀、パラジウム、ロジウムなどの導電性の良好
な金属のメッキを施したもの、あるいは非磁性金属粒子
若しくはガラスビーズなどの無機物質粒子またはポリマ
ー粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に、ニッケル、
コバルトなどの導電性磁性体のメッキを施したもの、あ
るいは芯粒子に、導電性磁性体および導電性の良好な金
属の両方を被覆したものなどが挙げられる。これらの中
では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に金や銀な
どの導電性の良好な金属のメッキを施したものを用いる
ことが好ましく、特に、金および銀の両方が被覆されて
いるものが好ましい。芯粒子の表面に導電性金属を被覆
する手段としては、特に限定されるものではないが、例
えば化学メッキまたは無電解メッキにより行うことがで
きる。

【００２６】導電性粒子として、芯粒子の表面に導電性
金属が被覆されてなるものを用いる場合には、良好な導
電性が得られる観点から、粒子表面における導電性金属
の被覆率（芯粒子の表面積に対する導電性金属の被覆面
積の割合）が４０％以上であることが好ましく、さらに
好ましくは４５％以上、特に好ましくは４７〜９５％で
ある。また、導電性金属の被覆量は、芯粒子の２．５〜
５０重量％であることが好ましく、より好ましくは３〜
３０重量％、さらに好ましくは３．５〜２５重量％、特
に好ましくは４〜２０重量％である。被覆される導電性
金属が金である場合には、その被覆量は、芯粒子の３〜
３０重量％であることが好ましく、より好ましくは３〜
２０重量％、さらに好ましくは３．５〜１５重量％、特
に好ましくは４．５〜１０重量％である。また、被覆さ
れる導電性金属が銀である場合には、その被覆量は、芯
粒子の３〜３０重量％であることが好ましく、より好ま
しくは４〜２５重量％、さらに好ましくは５〜２３重量
％、特に好ましくは６〜２０重量％である。更に、被覆
される導電性金属として金と銀の両方を用いる場合に
は、金の被覆量は、芯粒子の０．１〜５重量％であるこ
とが好ましく、より好ましくは０．２〜４重量％、さら
に好ましくは０．５〜３重量％であり、銀の被覆量は、
芯粒子の３〜３０重量％であることが好ましく、より好
ましくは４〜２５重量％、さらに好ましくは５〜２０重
量％である。

【００２７】また、導電性粒子の粒子径は、１〜１００
０μｍであることが好ましく、より好ましくは１〜５０
０μｍ、さらに好ましくは１〜３００μｍ、特に好まし
くは１〜１００μｍである。また、導電性粒子の粒子径
分布（Ｄｗ／Ｄｎ）は、１〜１０であることが好まし
く、より好ましくは１．０１〜７、さらに好ましくは
１．０５〜５、特に好ましくは１．１〜４である。この
ような条件を満足する導電性粒子を用いることにより、
得られる導電路素子３０は、加圧変形が容易なものとな
り、また、当該導電路素子３０において導電性粒子間に
十分な電気的接触が得られる。また、導電性粒子の形状
は、特に限定されるものではないが、高分子物質用材料
中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、
星形状のものあるいはこれらが凝集した２次粒子による
塊状のものであることが好ましい。

【００２８】また、導電性粒子の含水率は、５％以下で
あることが好ましく、より好ましくは３％以下、さらに
好ましくは２％以下、とくに好ましくは１％以下であ
る。このような条件を満足する導電性粒子を用いること
により、後述する製造方法において、導電路素子用材料
層を硬化処理する際に、当該導電路素子用材料層内に気
泡が生ずることが防止または抑制される。

【００２９】また、導電性粒子の表面がシランカップリ
ング剤などのカップリング剤で処理されたものを適宜用
いることができる。導電性粒子の表面がカップリング剤
で処理されることにより、当該導電性粒子と弾性高分子
物質との接着性が高くなり、その結果、得られる導電路
素子３０は、繰り返しの使用における耐久性が高いもの
となる。カップリング剤の使用量は、導電性粒子の導電
性に影響を与えない範囲で適宜選択されるが、導電性粒
子表面におけるカップリング剤の被覆率（導電性芯粒子
の表面積に対するカップリング剤の被覆面積の割合）が
５％以上となる量であることが好ましく、より好ましく
は上記被覆率が７〜１００％、さらに好ましくは１０〜
１００％、特に好ましくは２０〜１００％となる量であ
る。

【００３０】このような導電性粒子は、高分子物質用材
料に対して体積分率で１０〜６０％、好ましくは１５〜
５０％となる割合で用いられることが好ましい。この割
合が１０％未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい
導電路素子が得られないことがある。一方、この割合が
６０％を超える場合には、得られる導電路素子は脆弱な
ものとなりやすく、導電路素子として必要な弾性が得ら
れないことがある。

【００３１】導電路素子用材料中には、必要に応じて、
通常のシリカ粉、コロイダルシリカ、エアロゲルシリ
カ、ナルミナなどの無機充填材を含有させることができ
る。このような無機充填材を含有させることにより、当
該導電路素子用材料のチクソトロピー性が確保され、そ
の粘度が高くなり、しかも、導電性粒子の分散安定性が
向上すると共に、硬化処理されて得られる導電路素子の
強度が高くなる。このような無機充填材の使用量は、特
に限定されるものではないが、あまり多量に使用する
と、後述する製造方法において、磁場による導電性粒子
の配向を十分に達成することができなくなるため、好ま
しくない。また、導電路素子用材料の粘度は、温度２５
℃において１０００００〜１００００００ｃｐの範囲内
であることが好ましい。そして、以上のような導電路素
子用材料が硬化処理されることにより、導電路素子３０
が形成される。

【００３２】上記の構成の異方導電性シート１０によれ
ば、導電路素子３０が絶縁性シート体２０によって相互
に絶縁されており、しかも、被接続体における個々の電
極に対して少なくとも１個の導電路素子３０が接続され
ると共に、当該被接続体における２個以上の電極に対し
て同一の導電路素子３０が接続されることがないので、
電極の配置ピッチが極めて小さい被接続体に対しても、
所要の電気的接続を確実に達成することができる。ま
た、導電路素子３０が規則的な格子点位置に配置されて
いるため、偏在型の異方導電性シートでありながら、被
接続体に対して位置合わせを行うことが不要であり、そ
の結果、所要の電気的接続を容易に達成することができ
る。

【００３３】また、導電路素子３０が絶縁性シート体１
０の両面から突出した状態で設けられているので、被接
続体の電極と導電路素子３０との電気的接続を更に確実
に達成することができる。特に電極の周辺がレジスト硬
化物よりなる絶縁層に囲まれて当該絶縁層の表面が電極
の表面よりも突出した状態にある被接続体に対しても、
安定した電気的接続状態を達成することができる。

【００３４】次に、本発明の異方導電性シートの製造方
法について説明する。本発明の製造方法においては、
（１）高分子物質よりなる絶縁性シート体の少なくとも
一面に金属薄層を積層し、その後、この金属薄層におけ
る導電路素子が配置される個所に開口を形成する第１工
程と、（２）前記絶縁性シート体に前記金属薄層の開口
を介してレーザーを照射することにより、当該絶縁性シ
ート体に貫通孔を形成する第２工程と、（３）前記絶縁
性シート体の貫通孔に、硬化されて弾性高分子物質とな
る高分子物質形成材料中に導電性粒子が分散されてなる
導電路素子用材料を充填し、当該導電路素子用材料の硬
化処理を行うことにより、導電路素子を形成する第３工
程とを経由することにより、上記のような異方導電性シ
ートを製造することができる。以下、図１に示す構成の
異方導電性シート１０を製造する場合について説明す
る。

【００３５】〔第１工程〕この第１工程においては、先
ず、図４に示すように、弾性高分子物質よりなる絶縁性
シート体２０の両面に第１の金属薄層２５および第２の
金属薄層２６が一体的に設けられた複合体４０を作製す
る。次いで、図５に示すように、複合体４０の第１の金
属薄層２５および第２の金属薄層２６の各々における導
電路素子が配置される個所に、開口２７，２８を形成す
る。そして、複合体４０の絶縁性シート体２０に対し、
第１の金属薄層２５の開口２７または第２の金属薄層２
６の開口２８を介してレーザー光を照射することによ
り、図６に示すように、絶縁性シート体２０にその厚み
方向に伸びる貫通孔２１を形成し、以て複合体４０全体
を厚み方向に貫通する穴部４１が形成される。

【００３６】以上の第１工程において、絶縁性シート体
２０の両面に第１の金属薄層２５および第２の金属薄層
２６を一体的に設ける手段としては、第２の金属薄層２
６を構成する金属箔上に、硬化されて弾性高分子物質と
なる高分子物質形成材料を塗布した後、この塗布層上に
第１の金属薄層２５を構成する金属箔を重ねて高分子物
質形成材料を硬化させる手段、絶縁性シート体２０の両
面に第１の金属薄層２５および第２の金属薄層３５を構
成する金属箔を重ねて加熱圧着させる手段などを利用す
ることができる。このような手段においては、第１の金
属薄層２５および第２の金属薄層２６を構成する金属箔
の表面にプライマー処理を施すことにより、絶縁性シー
ト体２０に対する第１の金属薄層２５および第２の金属
薄層２６の密着性を高めることもできる。第１の金属薄
層２５および第２の金属薄層２６の厚みは、形成すべき
導電路素子３０における絶縁性シート体２０からの突出
高さに相当する大きさである。第１の金属薄層２５およ
び第２の金属薄層２６を構成する材料としては、銅、燐
青銅、真鍮、アルミニウム、鉄、鉄とニッケルとの合
金、ステンレスなどを用いることができる。第１の金属
薄層２５および第２の金属薄層２６に開口２７，２８を
形成する手段としては、フォトエッチングによる手段が
挙げられる。絶縁性シート体２０に貫通孔２１を形成す
るためのレーザー光としては、炭酸ガスパルスレーザー
によるもの、エキシマレーザーによるものなどを利用す
ることができる。

【００３７】〔第２工程〕この第２工程においては、図
７に示すように、複合体４０の上面に、前述の導電路素
子用材料を塗布することにより、複合体４０の穴部４１
の各々の内部に導電路素子用材料を充填し、これによ
り、図８に示すように、絶縁性シート体２０の貫通孔２
１を含む穴部４１の各々に導電路素子用材料層３０Ａを
形成する。その後、必要に応じて、絶縁性シート体２０
の他面に付着した導電路素子用材料をスキージなどによ
り除去する。以上において、導電路素子用材料を塗布す
る手段としては、スクリーン印刷などの印刷による手段
を用いることができる。

【００３８】また、この第２工程においては、例えば１
×１０^-3ａｔｍ以下、好ましくは１×１０^-4〜１×１０
^-5ａｔｍに減圧された雰囲気下において、複合体４０の
穴部の下端側を塞いだ状態で、当該複合体４０上面に導
電路素子用材料を塗布した後、雰囲気圧を上昇させて例
えば常圧にすることにより、導電路素子用材料層３０Ａ
を形成することが好ましい。このような方法によれば、
雰囲気圧を上昇させることにより、複合体４０における
穴部４１内の圧力との差により、当該穴部４１内に導電
路素子用材料を高密度に充填されるので、導電路素子用
材料層３０Ａ中に気泡が生ずることを防止することがで
きる。

【００３９】また、絶縁性シート体２０の貫通孔２１内
に導電路素子用材料層３０Ａを形成する方法としては、
絶縁性シート体２０に導電路素子用材料を塗布する方法
の代わりに、先ず、導電性粒子を絶縁性シート体２０の
貫通孔２１を含む複合体４０の穴部４１に充填し、その
後、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材
料を複合体４０の穴部４１に充填する方法を利用するこ
とも可能である。

【００４０】〔第３工程〕この第３工程においては、図
９に示すように、穴部４１内に導電路素子用材料層３０
Ａが形成された複合体４０を、一対の電磁石４５，４６
の間に配置し、この電磁石４５，４６を作動させること
により、導電路素子用材料層３０Ａの厚み方向に平行磁
場が作用し、その結果、導電路素子用材料層３０Ａ中に
分散されていた導電性粒子が当該導電路素子用材料層３
０Ａの厚み方向に配向する。そして、この状態におい
て、導電路素子用材料層３０Ａを硬化処理することによ
り、図１０に示すように、絶縁性シート体２０の貫通孔
２１を含む複合体４０の穴部４１内に導電路素子３０が
形成される。

【００４１】以上において、導電路素子用材料層３０Ａ
の硬化処理は、平行磁場を作用させたままの状態で行う
こともできるが、平行磁場の作用を停止させた後に行う
こともできる。導電路素子用材料層３０Ａに作用される
平行磁場の強度は、平均で２００〜１００００ガウスと
なる大きさが好ましい。

【００４２】導電路素子用材料層３０Ａの硬化処理は、
使用される材料によって適宜選定されるが、通常、加熱
処理によって行われる。加熱により導電路素子用材料層
３０Ａの硬化処理を行う場合には、電磁石４５，４６に
ヒーターを設ければよい。具体的な加熱温度および加熱
時間は、導電路素子用材料層３０Ａを構成する高分子物
質形成材料などの種類、導電性粒子の移動に要する時間
などを考慮して適宜選定される。

【００４３】そして、以上の第３工程が終了した後、複
合体４０における第１の金属薄層２５および第２の金属
薄層２６に対してエッチング処理を施して当該第１の金
属薄層２５および第２の金属薄層２６を除去することに
より、絶縁性シート体２０にその厚み方向に貫通して伸
び、絶縁性シート体２０の両面から突出した状態で設け
られた多数の導電路素子３０を有する、図１に示す構成
の異方導電性シート１０が得られる。

【００４４】以上の製造方法によれば、絶縁性シート体
２０に、その表面に形成された第１の金属薄層２５の開
口２７または第２の金属薄層２６の開口２８を介してレ
ーザー光を照射するため、当該絶縁性シート体２０に
は、開口２７，２８に応じた形状およびピッチの貫通孔
２１が形成される。しかも、第１の金属薄層２５および
第２の金属薄層２６には、フォトリソグラフィーの手法
により、ピッチが極めて小さく、かつ、小さい直径の開
口２７，２８を形成することが可能である。従って、絶
縁性シート体２０に、所望のピッチで所望の直径を有す
る貫通孔２１を容易に形成することかできる。そして、
このようにして形成された絶縁性シート体２０の貫通孔
２１内に導電路素子用材料層３０Ａを形成し、当該導電
路素子用材料層３０Ａの硬化処理を行うことにより、絶
縁性シート体２０に一体的に設けられた導電路素子３０
が形成されるので、所要の異方導電性シート１０を確実
にかつ有利に製造することができる。

【００４５】図１１は、本発明の回路装置の検査装置の
一例における要部の構成を示す説明図である。この回路
装置の検査装置においては、被検査回路装置１における
例えば円形の被検査電極２と対掌なパターンに従って配
置された多数の接続用電極５１を表面を有する検査用回
路基板５０が設けられている。この検査用回路基板５０
の裏面には、内部配線５３を介して接続用電極５１に電
気的に接続された、例えばピッチが２．５４ｍｍ、１．
８０ｍｍ若しくは１．２７ｍｍの格子点配列に従って配
置された多数の端子電極５２が形成されており、この端
子電極５２は、適宜の手段によってテスター（図示省
略）に電気的に接続されている。そして、この検査用回
路基板５０の表面上には、図１に示す構成の異方導電性
シート１０が配置されている。

【００４６】上記の回路装置の検査装置においては、異
方導電性シート１０上に、被検査回路装置１が、その被
検査電極２が検査用回路基板５０の接続用電極５１の上
方に位置されるよう配置され、その後、例えば検査用回
路基板５０を被検査回路装置１に接近する方向に移動さ
せることにより、異方導電性シート１０が被検査回路装
置１と検査用回路基板５０とにより加圧された状態とな
り、この加圧力により、異方導電性シート１０の導電路
素子３０にその厚み方向に伸びる導電路が形成される。
このとき、図１２に示すように、被検査回路装置の被検
査電極２には、異方導電性シート１０における少なくと
も１個の導電路素子３０が接続されると共に、２個以上
の被検査電極２が同一の導電路素子３０に接続されてい
ない状態である。このようにして、被検査回路装置１の
被検査電極２と検査用回路基板５０の接続用電極５１と
の間の電気的接続が達成され、この状態で所要の検査が
行われる。

【００４７】このような回路装置の検査装置によれば、
前述の異方導電性シート１０を使用しているため、被検
査回路装置１の被検査電極２が、配置ピッチが極めて小
さく、かつ微細で高密度の複雑なパターンのものである
場合にも、当該被検査回路装置１について所要の電気的
接続を確実に達成することができる。また、上記の回路
装置の検査装置においては、円形の被検査電極２に限ら
れず、矩形の被検査電極２に対しても、図１３に示すよ
うに、個々の被検査電極２に接続された導電路素子３０
が少なくとも１個存在し、かつ、２個以上の被検査電極
２に接続された導電路素子３０が存在しないため、所要
の電気的接続を確実に達成することができる。

【００４８】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００４９】〈実施例１〉図１に示す構成に従い、配置
ピッチｐが８０μｍ、最大離間距離ｇが７３μｍで、直
径が４０μｍの多数の導電路素子（３０）を有する異方
導電性シート（１０）を下記のようにして製造した。

【００５０】〔導電路素子用材料の調製〕高分子物質用
材料として付加型シリコーンゴム「１２０６ＲＴＶ（信
越化学（株）製）」を用い、下記の導電性粒子を体積分
率で３０％となる割合で添加して混合することにより、
導電路素子用材料を調製した。 導電性粒子：平均粒子径１０μｍのニッケル粒子を芯粒
子として用い、この芯粒子に、その重量の４重量％の金
を化学メッキにより被覆したもの。また、上記の導電路
素子用材料の調製においては、硬化触媒として「Ｃａｔ
−ＲＱ（信越化学（株）製」を、付加型シリコーンゴム
の４重量％となる割合で使用した。

【００５１】〔第１工程〕厚みが１８μｍの銅箔を用意
し、この銅箔に、上記の高分子物質用材料を塗布するこ
とにより、厚みが０．１５ｍｍの絶縁性シート体形成層
を形成し、さらに、この絶縁性シート体形成層上に、厚
みが１８μｍの銅箔を配置し、その後、絶縁性シート体
形成層に対して１００℃で１時間の硬化処理を行うこと
により、絶縁性シート体（２０）の両面に第１の金属薄
層（２５）および第２の金属薄層（２６）が積層されて
なる複合体（４０）を得た（図４参照）。

【００５２】この複合体（４０）の両面に対し、感光性
の液状レジスト（日本ポリテック（株）製「ＮＰＲー６
０Ｐ」）を、スクリーン印刷機により厚みが約１３μｍ
となるように塗布して乾燥することにより、レジスト膜
を形成した。次いで、ピッチが８０μｍの格子点位置
に、直径が４０μｍの円形の透光部を有するポジフィル
ムマスクを２枚用意し、２枚のポジフィルムマスクを、
それぞれの透光部が互いに対向するよう位置合わせした
状態で配置し、ポジフィルムマスクの各々の両端部同士
を粘着テープにより固定した。そして、この２枚のポジ
フィルムマスクの間に、両面にレジスト膜が形成された
複合体（４０）を配置し、プリント基板用露光装置を用
いて、それぞれのレジスト膜に、４５０ｍＪ／ｃｍ² の
光量で露光処理を行った。その後、レジスト膜の各々
に、炭酸ナトリウムを主成分とする現像液により、３０
℃で２分間のスプレー現像処理を行ってシャワー水洗す
ることにより、レジスト膜にパターン孔を形成した。そ
して、複合体（４０）の第１の金属薄層（２５）および
第２の金属薄層（２６）に対して、塩化第二鉄を主成分
とする４５℃のエッチング液でスプレーエッチング処理
を施すことにより、第１の金属薄層（２５）および第２
の金属薄層（２６）に、ピッチが８０μｍで直径が４０
μｍの円形の多数の開口（２７，２８）を形成した。そ
の後、この複合体（４０）の両面に形成されたレジスト
膜を剥離した（図５参照）。

【００５３】次いで、ＣＯ₂ パルスレーザー装置によっ
て、複合体（４０）における絶縁性シート体（２０）
に、第１の金属薄層（２５）の開口（２７）を介してレ
ーザー光を照射することにより、直径約４０μの断面円
形の貫通孔（２１）を形成し、以て複合体（４０）全体
を厚み方向に貫通する穴部（４１）を形成した（図６参
照）。

【００５４】〔第２工程〕１×１０-4ａｔｍに減圧され
雰囲気下において、上記の複合体（４０）における第１
の金属薄層（２５）の表面に、調製した導電路素子用材
料をスクリーン印刷により塗布した後、雰囲気圧を上昇
させて常圧にすることにより、複合体（４０）の穴部
（４１）の各々の内部に導電路素子用材料を充填し、こ
れにより、穴部（４１）の各々に導電路素子用材料層
（３０Ａ）を形成した（図７および図８参照）。その
後、絶縁性シート体（２０）の他面に付着した導電路素
子用材料をスキージにより除去した。

【００５５】〔第３工程〕穴部（４１）内に導電路素子
用材料層（３０Ａ）が形成された複合体４０を、ヒータ
ーを具えた一対の電磁石（４５，４６）の間に配置し、
この電磁石（４５，４６）を作動させることにより、導
電路素子用材料層（３０Ａ）の厚み方向に平均で５００
０ガウスの平行磁場が作用ながら、１００℃で１時間の
加熱処理を行うことにより、複合体（４０）の穴部（４
１）内に導電路素子（３０）を形成した。

【００５６】上記の第３工程が終了した後、導電路素子
（３０）が形成された複合体（４０）における第１の金
属薄層（２５）および第２の金属薄層（２６）に対し
て、塩化第二鉄を主成分とする４５℃のエッチング液で
スプレーエッチング処理することにより、第１の金属薄
層（２５）および第２の金属薄層（２６）を除去し、以
て、図１に示す構成の異方導電性シート（１０）を製造
した。

【００５７】以上の異方導電性シート（１０）を、直径
が最小で１２０μｍ、配置ピッチが最小で２００μｍの
多数の被検査電極（２）が形成された被検査回路装置
（１）と検査用回路基板（５０）との間に介在させ（図
１１参照）、被検査回路装置（１）の被検査電極（２）
と検査用回路基板（５０）の接続用電極（５１）との間
の電気的接続状態を調べたところ、すべての被検査電極
（２）および接続用電極（５１）の間の電気的な接続が
十分に達成されていることが確認された。

【００５８】〈比較例１〉以下のようにして分散型異方
導電性エラストマーシートを製造した。図１４（ａ）に
示すように、それぞれ強磁性体よりなる上型８０および
下型８５を用意し、この上型８０および下型８５の間
に、高分子物質形成材料中に導電性粒子が分散されてな
る異方導電性エラストマー形成材料層９０Ａを形成し
た。次いで、図１４（ｂ）に示すように、上型８０の上
面および下型８５の下面に一対の電磁石８１，８６を配
置して当該電磁石８１，８６を作動させることにより、
異方導電性エラストマー形成材料層９０Ａの厚み方向
に、平均で５０００ガウスとなる条件で平行磁場を作用
させると共に、加熱温度が１００℃、加熱時間が１時間
の条件で異方導電性エラストマー形成材料層９０Ａの硬
化処理を行うことにより、図１４（ｃ）に示すように、
弾性高分子物質中に導電性粒子が厚み方向に配向した状
態で分散された分散型異方導電性エラストマーシートを
製造した。なお、異方導電性エラストマー材料として
は、付加 型シリコーンゴム「１２０６ＲＴＶ（信越化
学（株）製）」に、実施例１で使用したものと同様の導
電性粒子を体積分率で１５％となる割合で添加し、硬化
触媒として「Ｃａｔ−ＲＱ（信越化学（株）製」を、付
加型シリコーンゴムの４重量％となる割合で加えたもの
を使用した。

【００５９】以上の分散型異方導電性エラストマーシー
トを、直径が最小で１２０μｍ、配置ピッチが最小で２
００μｍの多数の被検査電極が形成された被検査回路装
置と検査用回路基板との間に介在させ、被検査回路装置
の被検査電極と検査用回路基板の接続用電極との間の電
気的接続状態を調べたところ、被検査電極と接続用電極
と間の電気的な接続は達成されていたが、隣接するピッ
チが３００μｍ以下で配置された被検査電極に対して
は、接続用電極の間の絶縁性が確保されていない個所が
あった。

【００６０】

【発明の効果】本発明の異方導電性シートによれば、導
電路素子が絶縁性シート体によって相互に絶縁されてお
り、しかも、被接続体における個々の電極に対して少な
くとも１個の導電路素子が接続されると共に、当該被接
続体における２個以上の電極に対して同一の導電路素子
が接続されることがないので、電極の配置ピッチが極め
て小さい被接続体に対しても、所要の電気的接続を確実
に達成することができる。また、導電路素子が規則的な
格子点位置に配置されているため、偏在型の異方導電性
シートでありながら、被接続体に対して位置合わせを行
うことが不要であり、その結果、所要の電気的接続を容
易に達成することができる。

【００６１】本発明の製造方法によれば、絶縁性シート
体に、その表面に形成された金属薄層の開口を介してレ
ーザー光を照射するため、当該絶縁性シート体には、開
口に応じた形状およびピッチの貫通孔が形成される。し
かも、金属薄層には、フォトリソグラフィーの手法によ
り、ピッチが極めて小さく、かつ、小さい直径の開口を
形成することが可能である。従って、絶縁性シート体
に、所望のピッチで所望の直径を有する貫通孔を容易に
形成することかできる。そして、このようにして形成さ
れた絶縁性シート体の貫通孔内に導電路素子用材料層を
形成し、当該導電路素子用材料層の硬化処理を行うこと
により、絶縁性シート体に一体的に設けられた導電路素
子が形成されるので、上記の異方導電性シートを確実に
かつ有利に製造することができる。

【００６２】本発明の回路装置の検査装置によれば、上
記の異方導電性シートを有するため、検査すべき回路装
置の被検査電極が、配置ピッチが極めて小さく、かつ微
細で高密度の複雑なパターンのものである場合にも、当
該回路装置について所要の電気的接続を達成することが
できる。本発明の回路装置の検査方法によれば、上記の
異方導電性シートを用いるため、検査すべき回路装置の
被検査電極が、配置ピッチが極めて小さく、かつ微細で
高密度の複雑なパターンのものである場合にも、当該回
路装置について所要の電気的接続を達成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の異方導電性シートの一例における構成
を示す説明用断面図である。

【図２】本発明の異方導電性シートの一例における説明
用平面図である。

【図３】図１の異方導電性シートの一部を拡大して示す
説明用断面図である。

【図４】絶縁性シート体の両面に第１の金属薄層および
第２の金属薄層が形成されてなる複合体を示す説明用断
面図である。

【図５】複合体における第１の金属薄層および第２の金
属薄層に開口が形成された状態を示す説明用断面図であ
る。

【図６】複合体における絶縁性シート体に貫通孔が形成
されて当該複合体に穴部が形成された状態を示す説明用
断面図である。

【図７】複合体の表面に導電路素子用材料を塗布する状
態を示す説明用断面図である。

【図８】複合体の穴部に導電路素子用材料層が形成され
た状態を示す説明用断面図である。

【図９】複合体の穴部に形成された導電路素子用材料層
に平行磁場を作用させた状態を示す説明用断面図であ
る。

【図１０】複合体の穴部に導電路素子が一体的に設けら
れた状態を示す説明用断面図である。

【図１１】本発明に係る回路装置の検査装置の一例にお
ける要部の構成を示す説明図である。

【図１２】図１１に示す回路装置の検査装置において、
異方導電性シートの導電路素子と被検査回路装置の円形
の被検査電極との位置関係を示す説明図である。

【図１３】図１１に示す回路装置の検査装置において、
異方導電性シートの導電路素子と被検査回路装置の矩形
の被検査電極との位置関係を示す説明図である。

【図１４】比較例で使用した従来の異方導電性エラスト
マーシートの製造工程を示す説明用断面図である。

【符号の説明】

１ 被検査回路基板 ２ 被検査電極 １０ 異方導電性シート ２０ 絶縁性シ
ート体 ２１ 貫通孔 ２５ 第１の金
属薄層 ２６ 第２の金属薄層 ２７，２８ 開
口 ３０ 導電路素子 ３０Ａ 導電路
素子用材料層 ４０ 複合体 ４１ 穴部 ４５，４６ 電磁石 ５０ 検査用回
路基板 ５１ 接続用電極 ５２ 端子電極 ５３ 配線部 ８０ 上型 ８１，８６ 電磁石 ８５ 下型 ９０ 異方導電性エラストマーシート ９０Ａ 異方導電性エラストマー形成材料 Ｅ 弾性高分子物質 Ｐ 導電性粒子

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高分子物質よりなる絶縁性シート体と、 この絶縁性シート体の面方向に沿って格子点位置に配置
   され、それぞれ当該絶縁性シート体にその厚み方向に貫
   通して伸びるよう一体的に設けられた、弾性高分子物質
   中に導電性粒子が含有されてなる多数の導電路素子とを
   有してなり、 下記の条件（１）および条件（２）を満足することを特
   徴とする異方導電性シート。 条件（１）：接続すべき電極群を有する被接続体に重ね
   合わせたときに、当該被接続体における個々の電極に接
   続された導電路素子が少なくとも１個存在すること。 条件（２）：接続すべき電極群を有する被接続体に重ね
   合わせたときに、当該被接続体における２個以上の電極
   に接続された導電路素子が存在しないこと。
2. 【請求項２】 高分子物質よりなる絶縁性シート体と、 この絶縁性シート体の面方向に沿って格子点位置に配置
   され、それぞれ当該絶縁性シート体にその厚み方向に貫
   通して伸びるよう一体的に設けられた、弾性高分子物質
   中に導電性粒子が含有されてなる多数の導電路素子とを
   有してなり、 前記導電路素子の配置ピッチが１０〜１５０μｍである
   ことを特徴とする異方導電性シート。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の異方導
   電性シートを製造する方法であって、 高分子物質よりなる絶縁性シート体の少なくとも一面に
   金属薄層を積層し、その後、この金属薄層における導電
   路素子が配置される個所に開口を形成する第１工程と、 前記絶縁性シート体に対して前記金属薄層の開口を介し
   てレーザーを照射することにより、当該絶縁性シート体
   に貫通孔を形成する第２工程と、 前記絶縁性シート体の貫通孔内に、硬化されて弾性高分
   子物質となる高分子物質形成材料中に導電性粒子が分散
   されてなる導電路素子用材料層を形成し、当該導電路素
   子用材料層の硬化処理を行うことにより、当該絶縁性シ
   ート体に一体的に設けられた導電路素子を形成する第３
   工程とを有することを特徴とする異方導電性シートの製
   造方法。
4. 【請求項４】 一面に検査すべき回路装置の被検査電極
   に対応するパターンに従って配置された接続用電極を有
   する検査用回路基板と、 この検査用回路基板の一面上に配置された請求項１また
   は請求項２に記載の異方導電性シートとを具えてなるこ
   とを特徴とする回路装置の検査装置。
5. 【請求項５】 一面に被検査回路装置の被検査電極に対
   応するパターンに従って配置された接続用電極を有する
   検査用回路基板を用い、検査すべき回路装置の被検査電
   極を、請求項１または請求項２に記載の異方導電性シー
   トを介して前記検査用回路基板の接続用電極に電気的に
   接続させ、この状態で前記被検査回路装置の電気的検査
   を行うことを特徴とする回路装置の検査方法。