JPH04151889A - 回路基板装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、回路基板装置およびその製造方法に関する。

〔従来の技術〕

一般に、プリント回路基板などの回路基板においては、
第１６図に示すように、回路基板１００の中央部に機能
素子か高度の集積度で形成された機能素子領域１０１が
設けられると共に、周縁部に機能素子領域１０１のため
の多数のリード電極１０２が配列されたリード電極領域
１０３が形成される。そして、現在においては、機能素
子領域１０１の集積度の増大に伴ってリード電極数が増
加する傾向にあこのような回路基板のリード電極と、こ
れに接続すべき他の回路端子なととの電気的な接続を達
成するために、従来、各リード電極領域」二に異方導電
性シートを介在させることか行われている。

この異方導電性シートは、加圧されたときに厚さ方向に
のみ導電性を示す多数の加圧導電性導電部を有するもの
であり、種々の構造のものか例えば特公昭５６−４８９
５１号公１［ｉ、特開昭５１−９３３９３号公報、特開
昭５３−１４７７７２号公報、特開昭５４−１４６８７
３号公報などにより、知られている。

そして、以上のような異方導電性シートは、それ自体か
単独の製品として製造され、また単独で取り扱われるも
のであって、電気的接続作業においては回路基板に対し
て特定の位置関係をもって保持固定することか必要であ
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしなから、異方導電性シートを利用して回路基板の
電気的接続を達成する手段においては、回路基板におけ
るリード電極の配列ピッチ（以下「電極ピッチ」という
。）、すなわち隣接するリード電極の中心間距離が小さ
くなるに従って異方導電性シートの位置合わせおよび保
持固定か困難となる、という問題点かある。

また、−旦は所望の位置合わせおよび保持固定が実現さ
れた場合においても、温度変化による熱履歴を受けた場
合などには、熱膨張および熱収縮による応力の程度が回
路基板を構成する材料と異方導電性シートを構成する材
料との間で異なるため、電気的接続状態が変化して安定
な接続状態か維持されない、という問題点がある。

本発明は、以上のような問題点を解決するものであって
、その第１の目的は、回路基板のリード電極領域の電極
ピッチが微小であっても所要の電気的接続を確実に達成
することかでき、また温度変化による熱履歴などの環境
の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持さ
れ、従って接続信頼性の高い回路基板装置を提供するこ
とにある。

また本発明の第２の目的は、上記のような回路基板装置
を容易に製造するための方法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の回路基板装置は、回路基板と、この回路基板の
リード電極領域の表面上に一体的に形成された異方導電
性コネクター層とよりなり、前記異方導電性コネクター
層は、絶縁性の弾性高分子物質中に導電性粒子が密に充
填されてなる複数の導電部が相互に絶縁部によって絶縁
された状態で配置されてなり、前記導電部は、回路基板
のリード電極領域の表面におけるリード電極上に配置さ
れていることを特徴とする。

また、本発明の回路基板装置の製造方法は、硬化されて
絶縁性の弾性高分子物質となる高分子物質用材料中に導
電性磁性体粒子を分散してなる流動性混合物よりなるコ
ネクター用材料層を回路基板のリード電極領域の表面上
に形成し、このコネクター用材料層における、前記回路
基板のリード電極上に位置する部分においてそれ以外の
部分より大きい磁場を厚さ方向に作用させることにより
、コネクター用材料層においてリード電極上に位置する
部分に導電性磁性体粒子を集合させて厚さ方向に配向さ
せ、この状態で前記コネクター用材料層を硬化処理する
ことにより導電部を形成する工程を含むことを特徴とす
る。

更に本発明の他の製造方法は、硬化されて絶縁性の弾性
高分子物質となる高分子物質用材料中に導電性磁性体粒
子を分散してなる流動性混合物よりなる導電部用材料層
を、回路基板のリード電極領域におけるリード電極の表
面上に形成すると共に、硬化されて絶縁性の弾性高分子
物質となる材料よりなる絶縁部用材料層を、回路基板の
リード電極領域におけるリード電極以外の表面上に形成
し、前記導電部用材料層に磁場を厚さ方向に作用させる
ことにより導電性磁性体粒子を厚さ方向に配向させ、こ
の状態で少なくとも前記導電部用材料層を硬化処理する
ことにより導電部を形成する工程を含むことを特徴とす
る。

以下、本発明を具体的に説明する。

第１図および第２図は、本発明の一実施例に係る回路基
板装置におけるリード電極領域の構成を示す説明用平面
図および説明用断面図であって、ｌＯは回路基板、１１
はリード電極領域、１２は外部端子（図示せず）に伸び
るリード、１３はリード電極領域１１におけるリード電
極層を示し、この例におけるリード電極層１３は回路基
板１０の表面から僅かに突出した状態に形成されている
。

このような回路基板のリード電極領域１１の表面には、
異方導電性コネクター層（以下単に「コネクター層Ｊと
いう）２０か一体に接着乃至密着した状態で形成されて
いる。このコネクター層２０は、絶縁性の弾性高分子物
質Ｅ中に導電性粒子Ｐが密に充填されてなる多数の導電
部（第１図では斜線を付して示す。）２１かリード電極
層１３上に位置された状態で、かつ、各導電部２１か相
互に絶縁部２２によって絶縁された状態とされている。

各導電部２１においては、導電性粒子Ｐが厚さ方向に配
向されており、厚さ方向に導電路か形成される。ここで
、導電部は、厚さ方向に加圧されることにより抵抗値が
減少して導電路か形成される、加圧導電部であってもよ
い。これに対して、絶縁部２２は、加圧されたときにも
厚さ方向に導電路か形成されないものである。

このような構成の回路基板装置においては、リード電極
領域１１にコネクター層２０か一体に形成されており、
しかもリード電極層１３上にコネクター層２０の導電部
２１が配置されているため、電気的接続作業時にコネク
ター層２０の位置合わせおよび保持固定を行うことか全
く不要であり、従ってリード電極領域の電極ピッチが微
小である場合にも、所要の電気的接続を確実に達成する
ことができる。

また、コネクター層２０は回路基板ＩＯと一体であるた
め、温度変化による熱履歴なとの環境の変化に対しても
、良好な電気的接続状態が安定に維持され、従って常に
高い接続信頼性を得ることかできる。

導電部２１においては、導電性粒子Ｐの充填率が１０体
積％以上、特に２５体積％以上であることが好ましい。

導電部を加圧導電部とする場合において、導電性粒子の
充填率が高いときには、加圧力が小さいときにも確実に
所期の電気的接続を達成することができる。

本発明の第２の例を第３図に示す。この例においては、
コネクター層２０の外面において、導電部２１が絶縁部
２２の表面から突出する突出部を形成している。

このような例によれば、加圧による圧縮程度が絶縁部２
２より導電部２１において大きいために十分に抵抗値の
低い導電路か確実に導電部２１に形成され、これにより
、加圧力の変化乃至変動に対して抵抗値の変化を小さく
することがてき、その結果、コネクター層２０に作用さ
れる加圧力か不均一であっても、各導電部２１間におけ
る導電性のバラツキの発生を防止することができる。

このように導電部２１か突出部を形成する例においては
、当該突出部の突出高さｈは、コネクタ層２０の全厚ｔ
　（ｔ＝ｈ＋ｄＳｄは絶縁部２２の厚さである。）の８
％以上であることが好ましく、またコネクター層２０の
全厚ｔは、リード電極層１３の中心間距離として定義さ
れる電極ピッチｐの３００％以下、すなわち　ｔ≦３ｐ
であることか好ましい。このような条件が充足されるこ
とにより、当該コネクター層２０に作用される加圧力が
変化した場合にも、それによる導電部２１の導電性の変
化か十分に小さく抑制されるからである。

導電部２１が突出部を形成する場合においては、突出部
の平面における全体が導電性を有することは必ずしも必
要ではなく、例えば突出部の周縁には、電極ピッチの２
０％以下の導電路非形成部分か存在していてもよい。

また、隣接する導電部２１間の離間距離ｒの最小値は、
当該導電部２１の幅Ｒの１０％以上であることが好まし
い。このような条件が満足されることにより、加圧され
て突出部が変形したときの横方向の変位が原因となって
隣接する導電部２１同士か電気的に接触するおそれを十
分に回避することかできる。

以上の例において、導電部２１の平面形状はリード電極
層１３と等しい幅の短冊状であるか、必要な面積を有す
る円形、その他の形状とすることがてきる。

導電部２１の導電性粒子Ｐとしては、例えばニッケル、
鉄、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子もしくはこれ
らの合金の粒子、またはこれらの粒子に金、銀、パラジ
ウム、ロジウムなとのメツキを施したもの、非磁性金属
粒子もしくはガラスピーズなどの無機質粒子またはポリ
マー粒子にニッケル、コバルトなどの導電性磁性体のメ
ツキを施したものなどを挙げることかできる。

後述する本発明の方法においては、ニッケル、鉄、また
はこれらの合金なとよりなる導電性磁性体粒子か用いら
れ、また接触抵抗が小さいなとの電気的特性の点て金メ
ツキされた粒子を好ましく用いることかできる。また、
磁気ヒステリシスを示さない点から、導電性超常磁性体
よりなる粒子も好ましく用いることができる。

導電性粒子の粒径は、導電部２１の加圧変形を容易にし
、かつ導電部２１において導電性粒子間に十分な電気的
な接触か得られるよう、３〜２００μｍであることか好
ましく、特に１０〜１００μｍであることが好ましい。

導電部２１を構成する絶縁性で弾性を存する高分子物質
としては、架橋構造を有する高分子物質か好ましい。斯
かる架橋高分子物質を得るために用いることができる硬
化性の高分子物質用材料としては、例えばシリコーンゴ
ム、ポリブタジェン、天然ゴム、ポリイソプレン、スチ
レン−ブタジェン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブ
タジェン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン共重合体
ゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、クロロプレ
ンゴム、エピクロルヒドリンゴム、軟質液状エポキシ樹
脂なとを挙げることができる。

具体的には、硬化処理前には液状であって、硬化処理後
には回路基板と密着状態または接着状態を保持して回路
基板と一体となる高分子物質用材料か好ましい。このよ
うな観点から、本発明に好適な高分子物質用材料として
は、液状シリコーンゴム、液状ウレタンゴム、軟質液状
エポキシ樹脂などを挙げることかできる。

以上の高分子物質用材料には、回路基板に対する接着性
を向上させるために、シランカップリング剤、チタンカ
ップリング剤なとの添加剤を添加することができる。

絶縁部２２を構成する材料としては、導電部２１を構成
する高分子物質と同一のものまたは異なるものを用いる
ことかできるか、同様に硬化処理後に回路基板と密着状
態または接着状態を保持して回路基板と一体となるもの
が好ましい。

このような絶縁部を形成することにより、コネクター層
それ自体の一体性並びにその回路基板に対する一体性か
確実に高くなるため、全体の強度が大きくなり、従って
繰り返し圧縮に対して優れた耐久性を得ることかできる
。

以下、本発明に係る回路基板装置の製造方法について説
明する。

第１の方法 この方法は、第２図に示したように、導電部２１か突出
部を形成せず、導電部と絶縁部との外面か全体に平坦面
のコネクター層を有する回路基板装置を製造する方法で
ある。

この方法においては、硬化処理によって絶縁性の弾性高
分子物質となる高分子物質用材料中に導電性磁性体粒子
を分散させて流動性の混合物よりなるコネクター用材料
を調製し、第４図に示すように、このコネクター用材料
を回路基板１０のリード電極領域に塗布することにより
コネクター用ＩＭ料層３０を形成し、これを金型のキャ
ビティ内に配置する。この金型は、各々電磁石を構成す
る上型３１と下型３２とよりなり、上型３１には、リー
ド電極層１３に対応するパターンの強磁性体部分（斜線
をイ」シて示す）Ｍと、それ以外の非磁性体部分Ｎとよ
りなる、下面か平坦部である磁極板３３が設けられてい
る。

この磁極板３３の下面をコネクター用材料層３０の表面
に対接させた状態で上型３１と下型３２の電磁石を動作
させ、これにより、回路基板１０の厚さ方向の平行磁場
を作用させる。その結果、コネクター用材料層３０にお
いてはリード電極層１３上に位置する部分において、そ
れ以外の部分より大きい平行磁場か厚さ方向に作用され
ることとなり、この分布を有する平行磁場により、第５
図に示すように、コネクター用材料層３０の全体に分散
されていた導電性磁性体粒子が、強磁性体部分Ｍによる
磁力によりリード電極層１３上に位置する部分に集合し
、更に厚さ方向に並ぶように配向する。

そして、この状態において、例えば加熱してコネクター
用材料層３０を硬化処理することにより、導電性磁性体
粒子か集合したリード電極層１３に対応したパターンの
導電部２１と、導電性磁性体粒子か全く、あるいは殆と
存在しない絶縁部２２とか形成され、外面か平坦なコネ
クター層２０が形成された回路基板装置か得られる。

コネクター用材料層３０の硬化処理は、平行磁場を作用
させたままの状態で行うことか好ましいか、平行磁場の
作用を停止させた後に行うこともてき、これは以下の方
法においても同様である。

コネクター用材料層３０の厚さは例えば０．１〜３ｍｍ
とされる。このコネクター用材料層３０のための高分子
物質用材料は、導電性磁性体粒子の移動か容易に行われ
るよう、その温度２５°Ｃにおける粘度かｌＯ’５ｅｃ
−’の歪速度の条件下において１０’〜１０７センチポ
アズ程度であることが好ましい。

また、磁極板３３の強磁性体部分Ｍは鉄、ニッケルなど
の強磁性体により、また非磁性体部分Ｎは、銅などの非
磁性金属、ポリイミドなとの耐熱性樹脂または空気層な
どにより形成することができる。

コネクター用材料層３０に作用される平行磁場の強度は
、金型のキャピテイの平均で２００〜２０．０００ガウ
スとなる大きさが好ましい。

硬化処理は、使用される材料によって適宜選定されるか
、通常、熱処理によって行われる。具体的な加熱温度お
よび加熱時間は、コネクター用材料層３０の高分子物質
用材料の種類、導電性磁性体粒子の移動に要する時間な
とを考慮して適宜選定される。例えば、高分子物質用材
料が室温硬化型シリコーンゴムである場合に、硬化処理
は、室温で２４時間程度、４０℃で２時間程度、８０°
Ｃで３０分間程度で行われる。

この第１の方法においては、第６図に示すように、上記
磁極板３３の代わりに、全体が強磁性体よりなり、リー
ド電極層１３に対応するパターンの部分のみか下方に突
出した磁極板３４を用い、この突出した部分の下面をコ
ネクター用材料層３０の表面に対接させた状態で平行磁
場を作用させる手段によっても、上記と同様の作用効果
を得ることかできる。

また、第７図に示すように、リード電極層１３に対応す
るパターンの強磁性体部分Ｍと非磁性体部分Ｎとよりな
り、強磁性体部分Ｍか非磁性体部分Ｎより下方に突出し
た磁極板３５を用い、その強磁性体部分Ｍをコネクター
用ＩＪ料層３０の表面に対接させた状態で平行磁場を作
用させる手段によっても、同様である。

また、第６図または第７図に示した例においては、磁極
板３４または磁極板３５の突出部に沿って延びるよう、
ポリエステルなとよりなる離型性フィルムを設け、この
離型性フィルムをコネクター用材料層３０の表面に対接
させることにより、形成されるコネクター層２０の表面
に高い平溺性を得ることかてきる。

この第１の方法によれば、導電部と絶縁部との外面が全
体に平坦面のコネクター層を有する回路基板装置を存利
にまた確実に製造することができる。

第２の方法 この方法は、第３図に示したように、導電部２１か突出
部を形成するコネクター層を有する回路基板装置を製造
する方法である。

この方法においては、第１の方法と同様のコネクター用
材料を用い、第８図に示すように、このコネクター用材
料を回路基板１０のリード電極領域に塗布することによ
りコネクター用材料層３０を形成し、これを金型のキャ
ビティ内に配置する。この金型は、第１の方法における
金型と同様の構成を有し、その上型３１には同様の磁極
板３３が設けられているものであるが、磁極板３３の平
坦な下面をコネクター用材料層３０の表面から離間させ
て間隙Ｇを形成させた状態とする。

そして、他の条件は第１の方法と同様にして上型３１と
下型３２の電磁石を動作させて平行磁場を作用させると
、分布を有する平行磁場により、第９図に示すように、
コネクター用材料層３０内の導電性磁性体粒子が、強磁
性体部分Ｍによる磁力によりリード電極層１３上に位置
する部分に集合して更に厚さ方向に配向する。然るに、
このとき、コネクター用材料層３０の表面側には間隙Ｇ
か存在するため、導電性磁性体粒子の移動集合によって
高分子物質用材料も同様に移動する結果、リード電極層
１３１に位置する部分の高分子物質用材料表面か隆起し
、突出した導電部２１か形成される。従って、形成され
る絶縁部２２の厚さｔｌは、初期のコネクター用材料層
３０の厚さｔ。より小さいものとなる。

このように平行磁場を作用させたまま、あるいは平行磁
場を除いた後、硬化処理を行うことにより、突出部を形
成する導電部２１と絶縁部２２とよりなるコネクター層
を有する回路基板装置か得られる。

この第２の方法においては、第１Ｏ図に示すように、リ
ード電極層１３に対応するパターンの強磁性体部分Ｍと
、それ以外の非磁性体部分Ｎとよりなり、強磁性体部分
Ｍが非磁性体部分Ｎより下方に突出した状態の磁極板３
５を好適に使用することかてきる。

具体的には、磁極板３５を用い、その強磁性体部分Ｍと
コネクター用材料層３０との間に間隙Ｇを形成した状態
で平行磁場を作用させたまま、あるいは平行磁場を除い
た後、硬化処理を行うことにより、第１１図に示すよう
に、突出部を形成する導電部２１と絶縁部２２とよりな
るコネクター層を有する回路基板装置が得られる。

更に、図示しないが、全体が強磁性体よりなる磁極板で
あって、リード電極層１３に対応するパターンの部分か
、それ以外の部分より下方に突出した状態の磁極板を用
いることができる。この場合にも、コネクター用材料層
３０に対してはリード電極層１３の領域において、より
大きい平行磁場が作用されることとなる。

また、平行磁場を作用させたままで上型３１と下型３２
の間隔か可変の金型を用い、始めは上型３１をコネクタ
ー用材料層３０のすぐ上に配置し、平行磁場を作用させ
ながら上型３１と下型３２の間隔を徐々に広げ、これに
よってコネクター用材料層３０の隆起を生じさせ、その
後に硬化処理を行うこともてきる。

この第２の方法によれば、導電部が突出部を形成するコ
ネクター層を有する回路基板装置を容易にまた確実に製
造することがてきる。

第３の方法 この方法は、第２の方法と同様に、導電部か突出部を形
成するコネクター層を有する回路基板装置を製造する方
法である。

この方法においては、第１の方法と同様に、回路基板ｌ
Ｏのリード電極領域にコネクター用材料層３０を形成し
たものを金型のキャピテイ内に配置するが、この金型の
上型の磁極板３６は、第１２図に示すように、リード電
極層１３に対応するパターンの強磁性体部分Ｍと、それ
以外の非磁性体部分Ｎとよりなり、しかも強磁性体部分
Ｍの下面か非磁性体部分Ｎより上方に陥没した凹所が形
成されたものである。

このような磁極板３６を用い、上型と下型とにより回路
基板１０と磁極板３６との間でコネクター用材料層３０
に若干の圧力を作用させると、コネクター用材料層３０
は、その流動性により、磁極板３６の下面の形状に従っ
て強磁性体部分Ｍの領域においては凹所に対応して上方
に突出した状態となる。従って、この状態において平行
磁場を作用させると、分布を有する平行磁場により、第
１３図に示すように、コネクター用材料層３０内の導電
性磁性体粒子かリード電極層１３上に位置する部分に集
合して配向する。そして、この状態において硬化処理す
ることにより、突出部を形成する導電部２１と絶縁部２
２とよりなるコネクター層を有する回路基板装置か得ら
れる。

この方法によれば、導電部か突出部を形成するコネクタ
ー層を有する回路基板装置を容易にまた確実に製造する
ことができる。

第４の方法 この方法においては、回路基板１０として、そのリード
電極層１３が、例えば厚さ５０μｍ以上の強磁性体より
なるものを用い、第１の方法におけると同様にしてコネ
クター用材料層３０を形成した後、当該コネクター用材
料層３０の全体に均一な強度の平行磁場を作用させるこ
とにより、またはり−１・電極層１３のパターンに従っ
た強度分布を有する平行磁場を作用させることにより、
導電性磁性体粒子をコネクター用材料層３０のり−１・
゛電極層１３上に位置する部分に集合させて配向させ、
この状態で硬化処理することにより、導電部２１と絶縁
部２２とか形成されたコネクター層を有する回路基板装
置を製造する。

ここで、リード電極層の材質としては、強磁性体の他に
、磁気ヒステリシスを示さないことから、超常磁性体も
好ましく使用することかできる。

以上において、強度分布を有する平行磁場を作用させる
場合には、既述の手段を適宜利用することかでき、また
導電部２１か突出部を形成するものとすることも可能で
ある。

この第４の方法によれば、リード電極層１３の磁性によ
り、コネクター用材料層３０における導電性磁性体粒子
がリード電極層Ｉ３上に位置する部分に移動集中するこ
とが円滑にまた確実になされる利点かあり、この点て目
的とする回路基板装置を容易にまた確実に製造すること
ができる。

この第４の方法においては、コネクター用材料層３０の
厚さｔはリード電極層１３の厚さの２倍以」二であるこ
とが好ましく、そうでない場合には、安定した電気的接
続状態を達成することができないおそれがある。

第５の方法 この方法においては、硬化処理によって絶縁性の弾性高
分子物質となる高分子物質用材料中に導電性磁性体粒子
を高濃度に分散させて流動性の混合物よりなる導電部用
材料を調製し、第１４図に示すように、この導電部用材
料を回路基板１０のリード電極領域におけるリード電極
層１３の表面上のみに塗布することにより導電部用材料
層４０を形成する。具体的には、リード電極層１３と同
一のパターンの開口部を有するスクリーン印刷用マスク
を作製し、このマスクを用いて導電部用材料をスクリー
ン印刷すればよい。

次いで、第１５図に示すように、導電性磁性体粒子を含
有しない高分子物質用材料を、回路基板ｌＯにおけるリ
ード電極層Ｉ３と導電部用材料層４０の堆積体板外の領
域に流し込んで絶縁部用材料層４Ｉを形成し、前記導電
部用材料層４０と絶縁部用材料層旧と上りなる複合コネ
クター用材料層４２を形成する。

そして、複合コネクター用材料層４２における少なくと
も導電部用材料層４０を含む部分に厚さ方向に平行磁場
を作用させることにより、導電部用材料層４０における
導電性磁性体粒子を厚さ方向に配向させ、この状態で硬
化処理することにより、リード電極層１３上に位置する
部分に導電部２１が形成され、それ以外の領域に絶縁部
２２か形成されたコネクター層を有する回路基板装置を
製造する。

この第５の方法においては、絶縁部２２を形成すべき部
分から導電部２１へ導電性磁性体粒子を移動させる必要
はなく、導電性磁性体粒子は当初から導電部２１となる
へき導電部用材料層４０のみに含有されている。従って
、作用させるへき平行磁場は、全体に均一な強度のもの
であってもよい。しかし、既述のように強度分布を有す
る磁極板を使用してもよいことは勿論である。

以上において、絶縁部用材料層４１および導電部用材料
層４０に係る高分子物質用材料が、同一あるいは互いに
高い混和性を有する場合には、複合コネクター用材料層
４２は、導電部用材料層４０の表面か絶縁部用材料層４
１によって被覆された状態に形成されてもよい。この場
合にも、複合コネクター用材料層４２のリード電極層１
３上の部分に、所期の導電部を形成することができる。

この第５の方法によれば、コネクター層の導電部か確実
にリード電極層上に位置する状態の回路基板装置を容易
に製造することかできる。しかも、導電性磁性体粒子の
大きな移動を伴わないことから、導電部における導電性
磁性体粒子の含有割合を大きくすることか容易であり、
併せて、絶縁部における導電性磁性体粒子の存在を確実
に回避することができる点て好適である。

またこの第５の方法においては、絶縁部用材料層４１の
厚さを制御することによって、容易に導電部２１か突出
したコネクター層を有する回路基板装置を製造すること
かできる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を比較例と共に説明するか、本発
明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例１ 各々の幅かＯ，１５ｍｍ、電極ピッチか０．２５ｍｍの
銅に金メツキを施してなるリード電極を合計２７１Ｏ本
有する回路基板のリード電極領域に、下記の条件に従う
方法により、外面か全体に平坦なコネクタ層を形成して
回路基板装置を製造した。

コネクター用材料 室温硬化型ウレタンゴムに平均粒径４０μｍのニッケル
よりなる導電性磁性体粒子を１５体積％となる割合で混
合してなるコネクター用利料Ａコネクター層の形成方法 第４図および第５図に示したように、強磁性体部分Ｍと
非磁性体部分Ｎとよりなり、下面か平坦である磁極板３
３を用い、その下面をコネクター用材料層の表面に対接
させた状態で平行磁場を作用させたままの状態で室温で
２４時間放置して硬化させる第１の方法。

（なお、使用した磁極板における強磁性体部分Ｍの幅お
よび隣接するものとの中心間距離（ピッチ）は、上記回
路基板のリード電極層の幅および電極ピッチと一致した
ものであり、この条件は以下の実施例においても同様で
ある。）回路基板装置のコネクター層： 導電部の厚さｔ　　　　　　　　　　・・・０．３ｍｍ
絶縁部の厚さｄ　　　　　　　　　　・・・０．３ｍｍ
導電部の突出割合（ｔ−ｄ）／ｌ　　　　・・・　０％
実施例２ 下記の点以外は実施例１と同様に・してコネクター層を
形成して回路基板装置を製造した。

コネクター層の形成方法 第７図に示したように、強磁性体部分Ｍと非磁性体部分
Ｎとよりなり、強磁性体部分Ｍが非磁性体部分Ｎより突
出する高さか０．２ｍｍである磁極板３５を用い、強磁
性体部分Ｍの下面をコネクター用材料層の表面に対接さ
せた状態で平行磁場を作用させ、そのままの状態て室温
で２４時間放置して硬化させる第１の方法。

回路基板装置のコネクター層・ 導電部の厚さｔ　　　　　　　　　　・・・０．３ｍｍ
絶縁部の厚さｄ　　　　　　　　　　・・・０．３ｍｍ
導電部の突出割合（ｔ−ｃｌ）／ｌ　　　　・・・　０
％実施例３ 下記の点以外は実施例１と同様にして、突出部を形成す
る導電部と絶縁部とよりなるコネクター層を形成して回
路基板装置を製造した。

コネクター層の形成方法 第１０図および第１１図に示したように、強磁性体部分
Ｍが非磁性体部分Ｎより０．２ｍｍ突出する磁極板３５
を用い、強磁性体部分Ｍとコネクター用材料層との間に
０．　ｏａｍｍの間隙Ｇを形成して平行磁場を作用させ
て隆起させ、この状態で室温で２４時間放置して硬化さ
せる第２の方法。

回路基板装置のコネクター層・ 導電部の厚さｔ　　　　　　　　　　・・・０．３ｍｍ
絶縁部の厚さｄ　　　　　　　　　　・・・０．２７ｍ
ｍ導電部の突出割合（ｔ−ｄ）／ｌ　　　　・・・ｌ０
９６比較例１ 実施例３において、室温硬化型シリコーンゴムに平均粒
径４０μｍのニッケルよりなる導電性磁性体粒子を１５
体積％となる割合で混合してなる異方導電性シート用材
料Ｂを用い、回路基板の代わりに単なる支持体を用いて
これにシート用材料Ｂを塗布し、これを実施例３におけ
るコネクター層の形成と同様に処理し、支持体から分離
して、下記の導電部か突出部を形成する異方導電性シー
トを製造した。

異方導電性シート。

導電部の厚さｔ　　　　　　　　　　・・・０．３ｍｍ
絶縁部の厚さｄ　　　　　　　　　　・・・０．２７ｍ
ｍ導電部の突出割合　　　　　　　　　・・・１０％実
施例４ 下記の点板外は実施例１と同様にしてコネクター層を形
成して回路基板装置を製造した。

コネクター層の形成方法 第１２図および第１３図に示したように、強磁性体部分
Ｍか非磁性体部分Ｎより０．２ｍｍ突出する磁極板３５
を用い、強磁性体部分Ｍとコネクター用Ｈ料層との間に
０．０３ｍｍの間隙Ｇを形成して平行磁場を作用させて
隆起させ、この状態で室温で２４時間放置して硬化させ
る第３の方法。

回路基板装置のコネクター層・ 導電部の厚さｔ　　　　　　　　　　・・・０．３ｍｍ
絶縁部の厚さｄ　　　　　　　　　　・０．２７ｍｍ導
電部の突出割合（ｔ−ｄ）／ｌ　　　　・・１０％比較
例２ 実施例４におけると同様の異方導電性シート用材料Ｂを
用い、回路基板の代わりに単なる支持体を用いてこれに
シート用材料Ｂを塗布し、これを実施例４におけるコネ
クター層の形成と同様に処理し、支持体から分離して、
下記の導電部か突出部を形成する異方導電性シートを製
造した。

異方導電性シート 導電部の厚さｔ　　　　　　　　　　・・・０．３ｍｍ
絶縁部の厚さｄ　　　　　　　　　　・・・０．２７ｍ
ｍ導電部の突出割合　　　　　　　　　・・・ｌＯ％実
施例５ リード電極か厚さ０．１ｍｍの鉄よりなること以外は実
施例１におけると同様の回路基板を用い、そのリード電
極領域に、下記の条件に従う方法により、コネクター層
を形成して回路基板装置を製造した。

コネクター用利料： 室温硬化型ウレタンゴムに平均粒径４０μｍのニッケル
よりなる導電性磁性体粒子を２０体積％となる割合で混
合してなるコネクター用材料Ｃコネクター層の形成方法 磁極板を使用せずに、全体に均一な平行磁場を作用させ
、そのままの状態で室温で２４時間放置して硬化させる
第４の方法。

回路基板装置のコネクター層： 導電部の厚さｔ　　　　　　　　　　・・・０．３５ｍ
ｍ絶縁部の厚さｄ　　　　　　　　　　・・・０．３５
ｍｍ導電部の突出割合（ｔ−ｄ）／ｌ　　　　・　　０
％実施例６ 実施例５におけるコネクター層の形成において、磁極板
３５を使用し、間隙Ｇの大きさを０．０３ｍｍとして平
行磁場を作用させたこと以外は実施例５と同様にして下
記のコネクター層を形成して回路基板装置を製造した。

回路基板装置のコネクター層： 導電部の厚さｔ　　　　　　　　　　　・・０．２５ｍ
ｍ絶縁部の厚さｄ　　　　　　　　　　・・０．２２ｍ
ｍ導電部の突出割合（ｔ−ｄ）／ｌ　　　　　・１２９
６実施例７ 実施例５におけるコネクター層の形成において、磁極板
３６を使用して実施例４と同様にして平行磁場を作用さ
せたこと以外は実施例５と同様にして下記のコネクター
層を形成して回路基板装置を製造した。

回路基板装置のコネクター層 導電部の厚さｔ、　　　　　　　　　　　−０，２７ｍ
ｍ絶縁部の厚さｄ−０，２４ｎｕｎ 導電部の突出割合（ｔ−ｃ＋）／ｌ　　　　・・１１％
実施例８ 実施例１と同様の回路基板に、下記のようにしてコネク
ター層を形成して下記の回路基板装置を製造した。

第１４図および第１５図に示したように、回路基板のリ
ード電極層上に、室温硬化型ウレタンゴムに平均粒径４
０μｍのニッケルよりなる導電性磁性体粒子を４０体積
％となる割合で混合してなる導電部用材料Ｃをスクリー
ン印刷法で塗布し、その後、導電部用材料Ｃと同様の室
温硬化型ウレタンゴムよりなる絶縁部用材料りをリード
電極層以外の領域に流し込んで複合コネクター用材料層
を形成し、これを実施例１と同様に磁極板３３を用いて
平行磁場を作用させ、硬化させた。

回路基板装置のコネクター層： 導電部の厚さｔ　　　　　　　　　　・・・０．３ｍｍ
絶縁部の厚さｄ　　　　　　　　　　・・・０．３ｍｍ
導電部の突出割合（ｔ−ｄ）／ｌ　　　　・・・　０％
実施例９ 実施例８と同様にして複合コネクター用利料層を形成し
、これを磁極板３５を用いて実施例２と同様にして平行
磁場を作用させ、硬化させて下記の回路基板装置を製造
した。

回路基板装置のコネクター層 導電部の厚さｔ　　　　　　　　　　・・・０．３ｍｍ
絶縁部の厚さｄ　　　　　　　　　　・０．３ｍｍ導電
部の突出割合（ｔ−ｄ）／ｌ　　　　・・　０％実施例
１０ 実施例８と同様にして複合コネクター用材料層を形成し
、これを磁極板３５を用いて実施例３と同様に０．０３
ｍｍの間隙Ｇを形成して平行磁場を作用させ、硬化させ
て下記の回路基板装置を製造した。

回路基板装置のコネクター層 導電部の厚さｔ　　　　　　　　　　　・・０．３ｍｍ
絶縁部の厚さｄ　　　　　　　　　　・・・０．２７ｍ
ｍ導電部の突出割合（ｔ−ｄ）／ｌ　　　　・・・１０
％実施例１１ 実施例８と同様にして複合コネクター用材料層を形成し
、これを磁極板３６を用いて実施例４と同様にして平行
磁場を作用させ、硬化させて下記の回路基板装置を製造
した。

回路基板装置のコネクター層： 導電部の厚さｔ　　　　　　　　　　・・・０．３ｍｍ
絶縁部の厚さｄ　　　　　　　　　　・・・０．２７ｍ
ｍ導電部の突出割合（ｔ−ｄ）／ｌ　　　　・・・１０
％〔試験例〕 以上のようにして製造した各回路基板装置について、そ
のリード電極の電気的接続における抵抗値を測定した。

また、−２０°Ｃで１時間保持した後８０°Ｃて１時間
保持する熱サイクルを２０回行った後、並びに同様の熱
サイクルを１００回行った後の抵抗値を測定した。

一方、比較例１および比較例２て製造した異方導電性シ
ートを、実施例１て用いたものと同様の回路基板のリー
ド電極領域に配置してその電気的接続における抵抗値を
測定し、同様の熱サイクルを行った後の抵抗値を測定し
た。

以上の結果を第１表に示す。

以上の実施例および比較例の結果から明らかなように、
本発明に係る回路基板装置は、回路基板に一体的にコネ
クター層が形成されており、当該コネクター層の回路基
板に対する位置の変位が殆と生じないため、例えば０．
２５ｍｍ以下のような微小な電極ピッチのリード電極に
対しても、平均抵抗値か十分に小さい状態で確実な電気
的接続を達成することかできると共に、温度変化による
熱履歴に対しても抵抗値の変化が殆どない安定した電気
的接続状態が保持される。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明によれば、異方導電性を有するコ
ネクター層が回路基板のリード電極領域に一体的に形成
されているため、リード電極との電気的接続を達成する
ために位置合わせや保持固定する作業が不要となるのみ
でなく、リード電極領域の電極ピッチが微小であっても
所要の電気的接続を確実に達成することができ、また温
度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても良好な
電気的接続状態が安定に維持され、接続信頼性の高い回
路基板装置を提供することができる。

また、本発明の方法によれば、上記のような回路基板装
置を容易にかつ確実に製造することかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の一実施例に係る回路基板
装置におけるリード電極領域の構成を示す説明用平面図
および説明用断面図、第３図は本発明の他の実施例に係
る回路基板装置の説明用断面図、第４図および第５図は
本発明の第１の方法を説明するための説明用断面図、第
６図および第７図は各々第１の方法における他の例を示
す説明用断面図、第８図および第９図は本発明の第２の
方法を説明するための説明用断面図、第１０図および第
１１図は本発明の第２の方法の他の例を説明するための
説明用断面図、第１２図および第１３図は本発明の第３
の方法を説明するための説明用断面図、第１４図および
第１５図は本発明の第５の方法を説明するための説明用
断面図、第１６図は回路基板の説明用平面図である。 １０・・・回路基板　　　　　１１・・・ＩＪ　−Ｆ電
極領域１２・・リード　　　　　　１３・・リード電極
層２０・・・異方導電性コネクター層 Ｅ・・・弾性高分子物質　　Ｐ・・・導電性粒子２１・
・導電部　　　　　　２２・・・絶縁部３０・・・コネ
クター用材料層 ３１・・・上型　　　　　　　３２・・・下型Ｍ・・強
磁性体部分　　　Ｎ・・・非磁性体部分３３、３４．３
５．３６・・・磁極板　Ｇ・・・間隙４０・・・導電部
用材料層　　旧・・・絶縁部用材料層４２・・・複合コ
ネクター用材料層 １００・・・回路基板　　　　１０１・・・機能素子領
域１０２・・・リード電極　　　１０３・・・リード電
極領域寸　　。 ｒ６Ｎ′） Ω　　　○ ｌｌ− 十− ｏ　。 十１０図 ＋１２図 ＋１４図 矛１１図 十１５図 手続補正書（自発） 平成２年１１月１６日

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）回路基板と、この回路基板のリード電極領域の表
   面上に一体的に形成された異方導電性コネクター層とよ
   りなり、 前記異方導電性コネクター層は、絶縁性の弾性高分子物
   質中に導電性粒子が密に充填されてなる複数の導電部が
   相互に絶縁部によって絶縁された状態で配置されてなり
   、前記導電部は、回路基板のリード電極領域の表面にお
   けるリード電極上に配置されていることを特徴とする回
   路基板装置。
2. （２）異方導電性コネクター層の外面において、導電部
   が絶縁部の表面から突出する突出部を形成することを特
   徴とする請求項１に記載の回路基板装置。
3. （３）硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる高分子
   物質用材料中に導電性磁性体粒子を分散してなる流動性
   混合物よりなるコネクター用材料層を回路基板のリード
   電極領域の表面上に形成し、このコネクター用材料層に
   おける、前記回路基板のリード電極上に位置する部分に
   おいてそれ以外の部分より大きい磁場を厚さ方向に作用
   させることにより、コネクター用材料層においてリード
   電極上に位置する部分に導電性磁性体粒子を集合させて
   厚さ方向に配向させ、この状態で前記コネクター用材料
   層を硬化処理することにより導電部を形成する工程を含
   むことを特徴とする回路基板装置の製造方法。
4. （４）回路基板のリード電極が強磁性体よりなり、しか
   も回路基板の表面から突出した状態で形成されているこ
   とを特徴とする請求項３に記載の回路基板装置の製造方
   法。
5. （５）硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる高分子
   物質用材料中に導電性磁性体粒子を分散してなる流動性
   混合物よりなる導電部用材料層を、回路基板のリード電
   極領域におけるリード電極の表面上に形成すると共に、
   硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる材料よりなる
   絶縁部用材料層を、回路基板のリード電極領域における
   リード電極以外の表面上に形成し、前記導電部用材料層
   に磁場を厚さ方向に作用させることにより導電性磁性体
   粒子を厚さ方向に配向させ、この状態で少なくとも前記
   導電部用材料層を硬化処理することにより導電部を形成
   する工程を含むことを特徴とする回路基板装置の製造方
   法。