JPH0677583A - 半導体レーザ／光変調器集積化光源 - Google Patents
半導体レーザ／光変調器集積化光源Info
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- JPH0677583A JPH0677583A JP22407692A JP22407692A JPH0677583A JP H0677583 A JPH0677583 A JP H0677583A JP 22407692 A JP22407692 A JP 22407692A JP 22407692 A JP22407692 A JP 22407692A JP H0677583 A JPH0677583 A JP H0677583A
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- Japan
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- layer
- optical modulator
- light source
- light
- ingaasp
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザと光変調器を集積した集積化光
源の出射端面において、消光比劣化の原因であった放射
光を吸収し、出射端面において観測されないようにし、
消光比を改善する。 【構成】 ＤＦＢレーザ１００と光変調器２００を集積
した集積化光源において、光変調器２００の変調吸収層
１０の上部に、光源波長において無吸収特性を示すバッ
ファ層１１を介して、光源波長において吸収特性を示す
放射光吸収層１８を成長し、ＤＦＢレーザ１００の活性
層４と光変調器２００の変調吸収層１０との接続部で、
各層の膜厚の違いから生じる変調吸収層１０に結合され
なかった放射光を、放射光吸収層１８で吸収することを
特徴としている。
源の出射端面において、消光比劣化の原因であった放射
光を吸収し、出射端面において観測されないようにし、
消光比を改善する。 【構成】 ＤＦＢレーザ１００と光変調器２００を集積
した集積化光源において、光変調器２００の変調吸収層
１０の上部に、光源波長において無吸収特性を示すバッ
ファ層１１を介して、光源波長において吸収特性を示す
放射光吸収層１８を成長し、ＤＦＢレーザ１００の活性
層４と光変調器２００の変調吸収層１０との接続部で、
各層の膜厚の違いから生じる変調吸収層１０に結合され
なかった放射光を、放射光吸収層１８で吸収することを
特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信に適用する半導
体レーザ／光変調器集積化光源に関するものである。
体レーザ／光変調器集積化光源に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は、例えば電子情報通信学会技術研
究報告ＯＱＥ９０−４６に示された従来の光変調器／Ｄ
ＦＢレーザ集積化光源の斜視図であり、この図におい
て、１００はＤＦＢレーザ、２００は光変調器を示す。
ＤＦＢレーザ１００は、ｎ−ＩｎＰ基板１，回折格子
２，ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ導波路層３，ＩｎＧａＡｓＰ活
性層４，ｐ−ＩｎＧａＡｓＰクラッド層５，ｐ−ＩｎＰ
層６，ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層７，ｐ側電極８，
半絶縁性のＳＩ−ＩｎＰ埋め込み層９等からなる。ま
た、光変調器２００は、基板１上のＩｎＧａＡｓＰ変調
吸収層１０，ＩｎＧａＡｓＰバッファ層１１，ｐ−Ｉｎ
Ｐ層１２，ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１３，ｐ側電
極１４等からなる。また、ＤＦＢレーザ１００と光変調
器２００の間はＳＩ−ＩｎＰ埋め込み層で仕切られてい
る。
究報告ＯＱＥ９０−４６に示された従来の光変調器／Ｄ
ＦＢレーザ集積化光源の斜視図であり、この図におい
て、１００はＤＦＢレーザ、２００は光変調器を示す。
ＤＦＢレーザ１００は、ｎ−ＩｎＰ基板１，回折格子
２，ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ導波路層３，ＩｎＧａＡｓＰ活
性層４，ｐ−ＩｎＧａＡｓＰクラッド層５，ｐ−ＩｎＰ
層６，ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層７，ｐ側電極８，
半絶縁性のＳＩ−ＩｎＰ埋め込み層９等からなる。ま
た、光変調器２００は、基板１上のＩｎＧａＡｓＰ変調
吸収層１０，ＩｎＧａＡｓＰバッファ層１１，ｐ−Ｉｎ
Ｐ層１２，ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１３，ｐ側電
極１４等からなる。また、ＤＦＢレーザ１００と光変調
器２００の間はＳＩ−ＩｎＰ埋め込み層で仕切られてい
る。
【０００３】図６は光変調器／ＤＦＢレーザ集積化光源
のＤＦＢレーザ１００と光変調器２００のジョイント部
のＳＥＭ写真の一例を線図化したものであり、活性層４
と変調吸収層１０がジョイント部での厚みが異なってい
るところを示したものである。
のＤＦＢレーザ１００と光変調器２００のジョイント部
のＳＥＭ写真の一例を線図化したものであり、活性層４
と変調吸収層１０がジョイント部での厚みが異なってい
るところを示したものである。
【０００４】次に、動作について説明する。光変調器／
ＤＦＢレーザ集積化光源は、光変調器２００とＤＦＢレ
ーザ１００から構成されており、光変調器２００の変調
吸収層１０とＤＦＢレーザ１００の活性層４はバットジ
ョイントで接続されている。ＤＦＢレーザ１００で生じ
るレーザ光は活性層４を伝搬後、変調吸収層１０に結合
し、光変調を受けた後、素子より出射される。光変調に
用いる効果としては、電界吸収効果やキャリア注入効果
等が挙げられる。
ＤＦＢレーザ集積化光源は、光変調器２００とＤＦＢレ
ーザ１００から構成されており、光変調器２００の変調
吸収層１０とＤＦＢレーザ１００の活性層４はバットジ
ョイントで接続されている。ＤＦＢレーザ１００で生じ
るレーザ光は活性層４を伝搬後、変調吸収層１０に結合
し、光変調を受けた後、素子より出射される。光変調に
用いる効果としては、電界吸収効果やキャリア注入効果
等が挙げられる。
【０００５】次に、図７（ａ）〜（ｃ）および図８
（ａ），（ｂ）に従い、デバイス作製プロセスの概要に
ついて説明する。まず、ｎ−ＩｎＰ基板１上に回折格子
２を形成する（図７（ａ））。次に、ＤＦＢレーザ１０
０となる部分のｎ−ＩｎＧａＡｓＰ導波路層３（吸収波
長：λｇ＝１．３μｍ），ＩｎＧａＡｓＰ活性層４（λ
ｇ＝１．５７μｍ），ｐ−ＩｎＧａＡｓＰクラッド層５
およびｐ−ＩｎＰ層６をＬＰＥにより成長する（図７
（ｂ））。その後、光変調器２００となる部分の上記各
層を除去する（図７（ｃ））。次に、ＩｎＧａＡｓＰ変
調吸収層１０（λｇ＝１．４４μｍ），ＩｎＧａＡｓＰ
バッファ層１１（λｇ＝１．５７μｍ），ＩｎＰ層１２
を成長する（図８（ａ））。その後、不要となる層を除
去した後、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層７，１３等を
成長させ、さらに、ＤＦＢレーザ１００と光変調器２０
０とのＳＩ−ＩｎＰ層１６を形成して電気分離を行い、
ｐ側電極８，１４、ｎ側電極１５の形成、コーティング
１７等を行い、光変調器／ＤＦＢレーザ集積化光源を得
る（図８（ｂ））。
（ａ），（ｂ）に従い、デバイス作製プロセスの概要に
ついて説明する。まず、ｎ−ＩｎＰ基板１上に回折格子
２を形成する（図７（ａ））。次に、ＤＦＢレーザ１０
０となる部分のｎ−ＩｎＧａＡｓＰ導波路層３（吸収波
長：λｇ＝１．３μｍ），ＩｎＧａＡｓＰ活性層４（λ
ｇ＝１．５７μｍ），ｐ−ＩｎＧａＡｓＰクラッド層５
およびｐ−ＩｎＰ層６をＬＰＥにより成長する（図７
（ｂ））。その後、光変調器２００となる部分の上記各
層を除去する（図７（ｃ））。次に、ＩｎＧａＡｓＰ変
調吸収層１０（λｇ＝１．４４μｍ），ＩｎＧａＡｓＰ
バッファ層１１（λｇ＝１．５７μｍ），ＩｎＰ層１２
を成長する（図８（ａ））。その後、不要となる層を除
去した後、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層７，１３等を
成長させ、さらに、ＤＦＢレーザ１００と光変調器２０
０とのＳＩ−ＩｎＰ層１６を形成して電気分離を行い、
ｐ側電極８，１４、ｎ側電極１５の形成、コーティング
１７等を行い、光変調器／ＤＦＢレーザ集積化光源を得
る（図８（ｂ））。
【０００６】以上のように、ｎ−ＩｎＰ基板１上に１回
目の成長でＤＦＢレーザ１００のＩｎＧａＡｓＰ活性層
４まで成長させ、次に、光変調器２００の前記ＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層４をエッチングした後、選択的に光変調器
２００のＩｎＧａＡｓＰ変調吸収層１０を成長する方法
では、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４とＩｎＧａＡｓＰ変調吸
収層１０とのジョイント部では、図６に示すように、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層４とＩｎＧａＡｓＰ変調吸収層１０
との膜厚には差が生じる。
目の成長でＤＦＢレーザ１００のＩｎＧａＡｓＰ活性層
４まで成長させ、次に、光変調器２００の前記ＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層４をエッチングした後、選択的に光変調器
２００のＩｎＧａＡｓＰ変調吸収層１０を成長する方法
では、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４とＩｎＧａＡｓＰ変調吸
収層１０とのジョイント部では、図６に示すように、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層４とＩｎＧａＡｓＰ変調吸収層１０
との膜厚には差が生じる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の光変調器／ＤＦ
Ｂレーザ集積化光源では、ＤＦＢレーザ１００と光変調
器２００のジョイント部において、製造上、ＤＦＢレー
ザ１００のＩｎＧａＡｓＰ活性層４の厚さと光変調器２
００のＩｎＧａＡｓＰ変調吸収層１０の厚さが異なって
いる。この厚さの異なりにより、ジョイント部で放射光
が生じている。この放射光は、光変調器／ＤＦＢレーザ
集積化光源の出射面において、残留光として観測される
ことになり、これにより集積化光源の消光比の劣化が生
じるという問題点があった。
Ｂレーザ集積化光源では、ＤＦＢレーザ１００と光変調
器２００のジョイント部において、製造上、ＤＦＢレー
ザ１００のＩｎＧａＡｓＰ活性層４の厚さと光変調器２
００のＩｎＧａＡｓＰ変調吸収層１０の厚さが異なって
いる。この厚さの異なりにより、ジョイント部で放射光
が生じている。この放射光は、光変調器／ＤＦＢレーザ
集積化光源の出射面において、残留光として観測される
ことになり、これにより集積化光源の消光比の劣化が生
じるという問題点があった。
【０００８】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、残留光による消光比の劣化が生
じない半導体レーザ／光変調器集積化光源を得ることを
目的としている。
ためになされたもので、残留光による消光比の劣化が生
じない半導体レーザ／光変調器集積化光源を得ることを
目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項１に
記載の半導体レーザ／光変調器集積化光源は、光変調器
の変調吸収層の上部に、光源波長において無損失である
バッファ層を介して光源波長において吸収特性を持つ放
射光吸収層を形成したものである。
記載の半導体レーザ／光変調器集積化光源は、光変調器
の変調吸収層の上部に、光源波長において無損失である
バッファ層を介して光源波長において吸収特性を持つ放
射光吸収層を形成したものである。
【００１０】また、請求項２に係る半導体レーザ／光変
調器集積化光源は、光変調器の変調吸収層の上部に、光
源波長において無損失であるバッファ層を介して形成さ
れた半導体層の一部に縦溝を形成したものである。
調器集積化光源は、光変調器の変調吸収層の上部に、光
源波長において無損失であるバッファ層を介して形成さ
れた半導体層の一部に縦溝を形成したものである。
【００１１】
【作用】本発明の請求項１に記載の発明においては、光
変調器の変調吸収層上部に光源波長において吸収特性を
持つ放射光吸収層を形成したことから、この放射光吸収
層は、レーザの活性層と光変調器の変調吸収層とのジョ
イント部で生じる放射光を吸収する。
変調器の変調吸収層上部に光源波長において吸収特性を
持つ放射光吸収層を形成したことから、この放射光吸収
層は、レーザの活性層と光変調器の変調吸収層とのジョ
イント部で生じる放射光を吸収する。
【００１２】また、請求項２に記載の発明においては、
光変調器の変調吸収層上部に、一部に縦溝による不連続
部分を形成した半導体層を形成したことから、この縦溝
による不連続部分でレーザの活性層と光変調器の変調吸
収層とのジョイント部で生じる放射光を吸収する。
光変調器の変調吸収層上部に、一部に縦溝による不連続
部分を形成した半導体層を形成したことから、この縦溝
による不連続部分でレーザの活性層と光変調器の変調吸
収層とのジョイント部で生じる放射光を吸収する。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図１は本発明の第１の実施例を示す図である。図１
において、１００および２００は本発明の半導体レーザ
／光変調器集積化光源のＤＦＢレーザおよび光変調器を
示す。図８（ｂ）に示す従来例と相違するところは、光
変調器２００の構成にある。すなわち、光源波長におい
て、無吸収性を示すＩｎＧａＡｓＰバッファ層１１の上
にＩｎＧａＡｓＰ放射光吸収層（λｇ＝１．５７μｍ）
１８を設けた点である。
る。図１は本発明の第１の実施例を示す図である。図１
において、１００および２００は本発明の半導体レーザ
／光変調器集積化光源のＤＦＢレーザおよび光変調器を
示す。図８（ｂ）に示す従来例と相違するところは、光
変調器２００の構成にある。すなわち、光源波長におい
て、無吸収性を示すＩｎＧａＡｓＰバッファ層１１の上
にＩｎＧａＡｓＰ放射光吸収層（λｇ＝１．５７μｍ）
１８を設けた点である。
【００１４】次に、図２（ａ）〜（ｄ）および図３
（ａ）〜（ｃ）に従い、デバイス作製プロセスの概要を
説明する。まず、ｎ−ＩｎＰ基板１上に回折格子２を形
成する（図２（ａ））。次に、ＤＦＢレーザ１００のｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ導波路層３（λｇ＝１．３μｍ），Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層４（λｇ＝１．５７μｍ），ｐ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰクラッド層５およびｐ−ＩｎＰ層６を成長
する（図２（ｂ））。その後、光変調器２００となる領
域上の各層を除去する（図２（ｃ））。次に、ＩｎＧａ
ＡｓＰ変調吸収層１０（λｇ＝１．４４μｍ）を全面に
成長する（図２（ｄ））。次に、ＩｎＧａＡｓＰ変調吸
収層１０上にＩｎＧａＡｓＰバッファ層１１（λｇ＝
１．２μｍ）を全面に成長する（図３（ａ））。次に、
このＩｎＧａＡｓＰバッファ層１１上にＩｎＧａＡｓＰ
放射光吸収層１８（λｇ＝１．５７μｍ）を全面に成長
する（図３（ｂ））。さらに、ＤＦＢレーザ１００のＩ
ｎＧａＡｓＰ変調吸収層１０，ＩｎＧａＡｓＰバッファ
層１１およびＩｎＧａＡｓＰ放射吸収層１８を除去した
後、光変調器２００にｐ−ＩｎＰ層１２を形成し、その
後、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層７および１３を成長
した後、ＤＦＢレーザ１００と光変調器２００との電気
分離を行うためのＳＩ−ＩｎＰ層１６を形成し、ｐ側電
極８および１４，ｎ側電極１５を形成し、コーディング
１７を行い、図１のＤＦＢレーザ１００と光変調器２０
０を備えた集積化光源が形成される（図３（ｃ））。
（ａ）〜（ｃ）に従い、デバイス作製プロセスの概要を
説明する。まず、ｎ−ＩｎＰ基板１上に回折格子２を形
成する（図２（ａ））。次に、ＤＦＢレーザ１００のｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ導波路層３（λｇ＝１．３μｍ），Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層４（λｇ＝１．５７μｍ），ｐ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰクラッド層５およびｐ−ＩｎＰ層６を成長
する（図２（ｂ））。その後、光変調器２００となる領
域上の各層を除去する（図２（ｃ））。次に、ＩｎＧａ
ＡｓＰ変調吸収層１０（λｇ＝１．４４μｍ）を全面に
成長する（図２（ｄ））。次に、ＩｎＧａＡｓＰ変調吸
収層１０上にＩｎＧａＡｓＰバッファ層１１（λｇ＝
１．２μｍ）を全面に成長する（図３（ａ））。次に、
このＩｎＧａＡｓＰバッファ層１１上にＩｎＧａＡｓＰ
放射光吸収層１８（λｇ＝１．５７μｍ）を全面に成長
する（図３（ｂ））。さらに、ＤＦＢレーザ１００のＩ
ｎＧａＡｓＰ変調吸収層１０，ＩｎＧａＡｓＰバッファ
層１１およびＩｎＧａＡｓＰ放射吸収層１８を除去した
後、光変調器２００にｐ−ＩｎＰ層１２を形成し、その
後、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層７および１３を成長
した後、ＤＦＢレーザ１００と光変調器２００との電気
分離を行うためのＳＩ−ＩｎＰ層１６を形成し、ｐ側電
極８および１４，ｎ側電極１５を形成し、コーディング
１７を行い、図１のＤＦＢレーザ１００と光変調器２０
０を備えた集積化光源が形成される（図３（ｃ））。
【００１５】次に、動作について説明する。集積化光源
のＤＦＢレーザ１００で発生したレーザ光はＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層４を伝搬し、バットジョイント接続されてい
る光変調器２００のＩｎＧａＡｓＰ変調吸収層１０に結
合する。結合した光は、光変調器２００で変調を受け、
信号変調光として素子より出射される。一方、バットジ
ョイント接続部でＩｎＧａＡｓ変調吸収層１０に結合さ
れなかった放射光は、ＩｎＧａＡｓ変調吸収層１０上に
ＩｎＧａＡｓバッファ層１１を介して成長されたＩｎＧ
ａＡｓＰ放射光吸収層１８において吸収されるため、素
子の出射端面においては放射光は観測されない。よっ
て、素子の出射端面においては、変調光のみが観測され
ることになり、従来、変調光に加え、放射光も観測され
ていたため、劣化を生じていた消光比が改善される。
のＤＦＢレーザ１００で発生したレーザ光はＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層４を伝搬し、バットジョイント接続されてい
る光変調器２００のＩｎＧａＡｓＰ変調吸収層１０に結
合する。結合した光は、光変調器２００で変調を受け、
信号変調光として素子より出射される。一方、バットジ
ョイント接続部でＩｎＧａＡｓ変調吸収層１０に結合さ
れなかった放射光は、ＩｎＧａＡｓ変調吸収層１０上に
ＩｎＧａＡｓバッファ層１１を介して成長されたＩｎＧ
ａＡｓＰ放射光吸収層１８において吸収されるため、素
子の出射端面においては放射光は観測されない。よっ
て、素子の出射端面においては、変調光のみが観測され
ることになり、従来、変調光に加え、放射光も観測され
ていたため、劣化を生じていた消光比が改善される。
【００１６】上記実施例では、バットジョイント接続部
での放射光を出射端面において遮断するため、ＩｎＧａ
ＡｓＰ放射光吸収層１８を成長したが、図４に示すよう
に、ｐ−ＩｎＰ層６と同じに成長させたバンドギャップ
がＩｎＧａＡｓＰ活性層４のバンドギャップ以下のｐ−
ＩｎＰ層１９に縦溝２０を形成し、不連続部分を形成し
た構造であってもよく、この場合には、不連続部で放射
光が散乱され、出射端面で測定される放射光量が減少す
る効果がある。
での放射光を出射端面において遮断するため、ＩｎＧａ
ＡｓＰ放射光吸収層１８を成長したが、図４に示すよう
に、ｐ−ＩｎＰ層６と同じに成長させたバンドギャップ
がＩｎＧａＡｓＰ活性層４のバンドギャップ以下のｐ−
ＩｎＰ層１９に縦溝２０を形成し、不連続部分を形成し
た構造であってもよく、この場合には、不連続部で放射
光が散乱され、出射端面で測定される放射光量が減少す
る効果がある。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に記載の
発明によれば、光変調器の変調吸収層上部に光源波長に
おいて無吸収特性を示すバッファ層を介して、光源波長
において吸収特性を示す放射光吸収層を形成したので、
放射光は放射光吸収層で吸収され、出射面においては観
測されず、集積化光源の消光比の劣化が生じない効果が
ある。
発明によれば、光変調器の変調吸収層上部に光源波長に
おいて無吸収特性を示すバッファ層を介して、光源波長
において吸収特性を示す放射光吸収層を形成したので、
放射光は放射光吸収層で吸収され、出射面においては観
測されず、集積化光源の消光比の劣化が生じない効果が
ある。
【００１８】また、請求項２に記載の発明によれば、光
変調器の変調吸収層上の半導体層の所定位置に縦溝を形
成したので、不連続部分が形成され、放射光は出射面に
おいて観測されず、集積化光源の消光比の劣化が生じな
い効果がある。
変調器の変調吸収層上の半導体層の所定位置に縦溝を形
成したので、不連続部分が形成され、放射光は出射面に
おいて観測されず、集積化光源の消光比の劣化が生じな
い効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を示す集積化光源の側断
面図である。
面図である。
【図２】図１の集積化光源のプロセスの概要を説明する
断面図である。
断面図である。
【図３】図２に引き続くプロセスを示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施例を示す集積化光源の側断
面図である。
面図である。
【図５】従来の光変調器／ＤＦＢレーザ集積化光源の部
分断面斜視図である。
分断面斜視図である。
【図６】レーザと光変調器のジョイント部のＳＥＭ写真
を線図化した図である。
を線図化した図である。
【図７】従来のデバイス作製プロセスを示す断面図であ
る。
る。
【図８】図７に引き続くデバイス作製プロセスを示す断
面図である。
面図である。
１００ ＤＦＢレーザ ２００ 光変調器 １ ｎ−ＩｎＰ基板 ２ 回折格子 ３ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ導波路層 ４ ＩｎＧａＡｓＰ活性層 ５ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰクラッド層 ６ ｐ−ＩｎＰ層 ７ ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層 ８ ｐ側電極 １０ ＩｎＧａＡｓＰ変調吸収層 １１ ＩｎＧａＡｓＰバッファ層 １２ ｐ−ＩｎＰ層 １３ ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層 １４ ｐ側電極 １５ ｎ側電極 １６ ＳＩ−ＩｎＰ層 １７ コーディング １８ ＩｎＧａＡｓＰ放射光吸収層 １９ ｐ−ＩｎＰ層 ２０ 縦溝
Claims (2)
- 【請求項１】 ＤＦＢ半導体レーザと光変調器を集積し
た集積化光源において、前記光変調器の変調吸収層上部
に光源波長において無吸収特性を示すバッファ層を介し
て、前記光源波長において吸収特性を示す放射光吸収層
を備えたことを特徴とする半導体レーザ／光変調器集積
化光源。 - 【請求項２】 ＤＦＢ半導体レーザと光変調器を集積し
た集積化光源において、前記光変調器の変調吸収層上部
に光源波長において無吸収特性を示すバッファ層を介し
て形成された半導体層の一部に、不連続部分を形成する
ための縦溝を形成したことを特徴とする半導体レーザ／
光変調器集積化光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22407692A JPH0677583A (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | 半導体レーザ／光変調器集積化光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22407692A JPH0677583A (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | 半導体レーザ／光変調器集積化光源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677583A true JPH0677583A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16808184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22407692A Pending JPH0677583A (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | 半導体レーザ／光変調器集積化光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677583A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008071906A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Fujitsu Ltd | 光半導体集積装置およびその製造方法 |
| JP2008085180A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子を作製する方法 |
| JP2016134522A (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-25 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置 |
| CN111064076A (zh) * | 2018-10-17 | 2020-04-24 | 住友电工光电子器件创新株式会社 | 光学半导体器件及其制造方法 |
-
1992
- 1992-08-24 JP JP22407692A patent/JPH0677583A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008071906A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Fujitsu Ltd | 光半導体集積装置およびその製造方法 |
| JP2008085180A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子を作製する方法 |
| JP2016134522A (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-25 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置 |
| CN111064076A (zh) * | 2018-10-17 | 2020-04-24 | 住友电工光电子器件创新株式会社 | 光学半导体器件及其制造方法 |
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