JPH0677582A - Ｓｉ基板上面発光レーザ - Google Patents
Ｓｉ基板上面発光レーザInfo
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- JPH0677582A JPH0677582A JP22383392A JP22383392A JPH0677582A JP H0677582 A JPH0677582 A JP H0677582A JP 22383392 A JP22383392 A JP 22383392A JP 22383392 A JP22383392 A JP 22383392A JP H0677582 A JPH0677582 A JP H0677582A
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- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
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- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
- H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｓｉ基板上にクラックを発生することが無い
高品質なＳｉ基板上面発光レーザの製造法を提供する。 【構成】 Ｓｉ基板１主面上に半導体からなるバッファ
層、半導体からなる第一の光反射層、活性層を含むキャ
ビティー層、半導体もしくは誘電体からなる第二の光反
射層の順で積層することによって上記第一と第二の光反
射層で光共振器を構成してレーザ発振させる面発光レー
ザにおいて、前記バッファ層２中にＧａＡｓ／ＡｌＡｓ
からなる交互層４を含む。
高品質なＳｉ基板上面発光レーザの製造法を提供する。 【構成】 Ｓｉ基板１主面上に半導体からなるバッファ
層、半導体からなる第一の光反射層、活性層を含むキャ
ビティー層、半導体もしくは誘電体からなる第二の光反
射層の順で積層することによって上記第一と第二の光反
射層で光共振器を構成してレーザ発振させる面発光レー
ザにおいて、前記バッファ層２中にＧａＡｓ／ＡｌＡｓ
からなる交互層４を含む。
Description
【０００１】本発明は、Ｓｉ基板主面上に半導体からな
るバッファ層、半導体からなる第一の光反射層、活性層
を含むキャビティー層、半導体もしくは誘電体からなる
第二の光反射層の順で積層することによって構成される
Ｓｉ基板上面発光レーザに関するものである。
るバッファ層、半導体からなる第一の光反射層、活性層
を含むキャビティー層、半導体もしくは誘電体からなる
第二の光反射層の順で積層することによって構成される
Ｓｉ基板上面発光レーザに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】結晶成長その他の技術により光共振器を
基板主面に対して垂直に形成し、レーザ光を前記基板主
面に対して垂直に取り出す、いわゆる面発光レーザはそ
の構造から容易に基板上に高密度二次元集積することが
可能である。最近ではその発振波長が０．８５μｍ、
０．９８μｍ、１．５５μｍ等様々な材料系で試みられ
ており、しかも上記面発光レーザは通常のレーザと比較
して、その体積が小さいためしきい値電流が１ｍＡを下
まわる極めて低しきい値を有するレーザが実現可能とな
っている。
基板主面に対して垂直に形成し、レーザ光を前記基板主
面に対して垂直に取り出す、いわゆる面発光レーザはそ
の構造から容易に基板上に高密度二次元集積することが
可能である。最近ではその発振波長が０．８５μｍ、
０．９８μｍ、１．５５μｍ等様々な材料系で試みられ
ており、しかも上記面発光レーザは通常のレーザと比較
して、その体積が小さいためしきい値電流が１ｍＡを下
まわる極めて低しきい値を有するレーザが実現可能とな
っている。
【０００３】近年、伝送の大容量化に伴い、デバイスの
高集積化が要求されているが、既存のＳｉデバイスの配
線限界に伴う集積限界を打破する可能性を有する光イン
ターコネクションを考えると、Ｓｉ基板上に上記面発光
レーザを形成することは非常に有望である。
高集積化が要求されているが、既存のＳｉデバイスの配
線限界に伴う集積限界を打破する可能性を有する光イン
ターコネクションを考えると、Ｓｉ基板上に上記面発光
レーザを形成することは非常に有望である。
【０００４】しかしながら、一般的にＳｉ基板上にIII-
V 族化合物半導体を成長する場合、大きな問題点が２つ
存在する。すなわち、結晶自体の転位密度が非常に大き
いことと、基板と結晶との熱膨張係数差による反りある
いはある膜厚を超えたところで発生するクラックの問題
である。前者の問題に対して、ＧａＡｓあるいはＩｎＰ
からなるのバッファ層の導入、あるいは歪超格子、熱サ
イクルを導入することにより、ある程度解決されてい
る。
V 族化合物半導体を成長する場合、大きな問題点が２つ
存在する。すなわち、結晶自体の転位密度が非常に大き
いことと、基板と結晶との熱膨張係数差による反りある
いはある膜厚を超えたところで発生するクラックの問題
である。前者の問題に対して、ＧａＡｓあるいはＩｎＰ
からなるのバッファ層の導入、あるいは歪超格子、熱サ
イクルを導入することにより、ある程度解決されてい
る。
【０００５】一方、後者の問題に対しては経験的にＧａ
Ａｓの場合３μｍ、ＩｎＰの場合約１３μｍ程度Ｓｉ基
板上に積層するとクラックが発生することが知られてお
り、膜厚が厚くなればなるほど結晶性が改善されるにも
かかわらず、この膜厚以下に素子膜厚を制限しているの
が現状である。このような結果、Ｓｉ基板上に形成した
ＩｎＧａＡｓＰを活性層に有する長波長導波路型レーザ
は、室温、ＣＷで発振し、８０００時間以上の寿命を有
している。
Ａｓの場合３μｍ、ＩｎＰの場合約１３μｍ程度Ｓｉ基
板上に積層するとクラックが発生することが知られてお
り、膜厚が厚くなればなるほど結晶性が改善されるにも
かかわらず、この膜厚以下に素子膜厚を制限しているの
が現状である。このような結果、Ｓｉ基板上に形成した
ＩｎＧａＡｓＰを活性層に有する長波長導波路型レーザ
は、室温、ＣＷで発振し、８０００時間以上の寿命を有
している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｓｉ基
板上に長波長面発光レーザを形成する場合、前記基板と
結晶との熱膨張係数差による反り、あるいはある膜厚を
越えたところで発生するクラックの問題が非常に重大に
なる。
板上に長波長面発光レーザを形成する場合、前記基板と
結晶との熱膨張係数差による反り、あるいはある膜厚を
越えたところで発生するクラックの問題が非常に重大に
なる。
【０００７】すなわち、Ｓｉ基板上に上記面発光レーザ
を形成する場合、上記面発光レーザにおける半導体から
なる光反射層の反射率は、レーザ発振させるため極めて
高い反射率を有しなければならない。このため、通常数
十対の半導体からなるＤＢＲ（distributed Bragg refl
ector)を構成するが、この膜厚が第一の光反射層だけで
５〜１０μｍと極めて厚くなる。
を形成する場合、上記面発光レーザにおける半導体から
なる光反射層の反射率は、レーザ発振させるため極めて
高い反射率を有しなければならない。このため、通常数
十対の半導体からなるＤＢＲ（distributed Bragg refl
ector)を構成するが、この膜厚が第一の光反射層だけで
５〜１０μｍと極めて厚くなる。
【０００８】特にＧａＡｓ系の場合（通常ＡｌＧａＡｓ
系で構成され、屈折率差は約0.６５）と比較して、ＤＢ
Ｒを構成する半導体同士の屈折率差が0.４とあまり大き
く取れない長波長系に関してはこの問題は深刻である。
系で構成され、屈折率差は約0.６５）と比較して、ＤＢ
Ｒを構成する半導体同士の屈折率差が0.４とあまり大き
く取れない長波長系に関してはこの問題は深刻である。
【０００９】例えばＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰからなる長
波長系ＤＢＲにおいて、ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ系面
発光レーザで達成されている９９.9％という高反射率を
達成するためには、第一の光反射層だけで最低３９対、
９.1μｍと極めて厚い膜厚が必要になる。
波長系ＤＢＲにおいて、ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ系面
発光レーザで達成されている９９.9％という高反射率を
達成するためには、第一の光反射層だけで最低３９対、
９.1μｍと極めて厚い膜厚が必要になる。
【００１０】一方、前述したようにＳｉ基板上にＩｎＰ
を成長する場合、結晶の膜厚が厚ければ厚いほど結晶性
が良くなるが、１３μｍ程度になるとクラックが発生す
ることが知られている。以上の理由により、Ｓｉ基板上
にクラック発生無しに高品質な面発光レーザを作製する
ことは不可能であった。
を成長する場合、結晶の膜厚が厚ければ厚いほど結晶性
が良くなるが、１３μｍ程度になるとクラックが発生す
ることが知られている。以上の理由により、Ｓｉ基板上
にクラック発生無しに高品質な面発光レーザを作製する
ことは不可能であった。
【００１１】従って、本発明は従来の課題を解決するた
めになされたものであり、その目的は、従来法と比較し
て全体の膜厚を薄くし、Ｓｉ基板上にクラック発生無し
に高品質な長波長面発光レーザを提供することにある。
めになされたものであり、その目的は、従来法と比較し
て全体の膜厚を薄くし、Ｓｉ基板上にクラック発生無し
に高品質な長波長面発光レーザを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明に係るＳｉ基板上面発光レーザの構成は、Ｓｉ基板主
面上に半導体からなるバッファ層、半導体からなる第一
の光反射層、活性層を含むキャビティー層、半導体もし
くは誘電体からなる第二の光反射層の順で積層すること
によって上記第一と第二の光反射層で光共振器を構成し
てレーザ発振させる面発光レーザにおいて、前記バッフ
ァ層中にＧａＡｓ／ＡｌＡｓからなる交互層を含むこと
を特徴とする。
明に係るＳｉ基板上面発光レーザの構成は、Ｓｉ基板主
面上に半導体からなるバッファ層、半導体からなる第一
の光反射層、活性層を含むキャビティー層、半導体もし
くは誘電体からなる第二の光反射層の順で積層すること
によって上記第一と第二の光反射層で光共振器を構成し
てレーザ発振させる面発光レーザにおいて、前記バッフ
ァ層中にＧａＡｓ／ＡｌＡｓからなる交互層を含むこと
を特徴とする。
【００１３】
【作用】本発明によれば、Ｓｉ基板上に形成されるバッ
ファ層を有する長波長面発光レーザにおいて、上記バッ
ファ層中に光反射層として作用しかつ低転位化に有効で
あるＧａＡｓ／ＡｌＡｓからなる交互層を含むようにし
たので、従来技術のものと比較して、Ｓｉ基板上にクラ
ック発生無しに高品質な面発光レーザの集積が可能とな
る。
ファ層を有する長波長面発光レーザにおいて、上記バッ
ファ層中に光反射層として作用しかつ低転位化に有効で
あるＧａＡｓ／ＡｌＡｓからなる交互層を含むようにし
たので、従来技術のものと比較して、Ｓｉ基板上にクラ
ック発生無しに高品質な面発光レーザの集積が可能とな
る。
【００１４】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。
説明する。
【００１５】本発明によるＳｉ基板上面発光レーザを用
いた実施例として、活性層としてＩｎＧａＡｓＰを用い
た発振波長１．５５μｍ面発光レーザをＳｉ基板上に形
成する場合について説明する。なお、実施例は一つの例
示であって、本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の
変更あるいは改良を行い得ることは言うまでもない。
いた実施例として、活性層としてＩｎＧａＡｓＰを用い
た発振波長１．５５μｍ面発光レーザをＳｉ基板上に形
成する場合について説明する。なお、実施例は一つの例
示であって、本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の
変更あるいは改良を行い得ることは言うまでもない。
【００１６】まず図１に計算上９９.9％を達成するため
に必要な本発明法及び従来法によるバッファ層及び第一
の光反射層の構造を示す。
に必要な本発明法及び従来法によるバッファ層及び第一
の光反射層の構造を示す。
【００１７】本発明法においては図１（Ａ）に示すよう
に、Ｓｉ基板１上にバッファ層２と第１の半導体光反射
層３とを形成するに際し、Ｓｉ基板１にＡｌＡｓ／Ｇａ
Ａｓ交互層４を形成した後ＩｎＰ層５を形成して上記バ
ッファ層２を構成し、次いでＡｌＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤ
ＢＲ１４対からなる第１の半導体光反射層３を形成して
いる。
に、Ｓｉ基板１上にバッファ層２と第１の半導体光反射
層３とを形成するに際し、Ｓｉ基板１にＡｌＡｓ／Ｇａ
Ａｓ交互層４を形成した後ＩｎＰ層５を形成して上記バ
ッファ層２を構成し、次いでＡｌＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤ
ＢＲ１４対からなる第１の半導体光反射層３を形成して
いる。
【００１８】これに対し、従来法によれば図１（Ｂ）に
示すように、Ｓｉ基板１上にＧａＡｓ層６，ＩｎＧａＡ
ｓ／ＩｎＰ歪層７及びＩｎＰ層８からなるバッファ層９
を形成した後、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ−ＤＢＲ３９対
からなる第１の半導体反射層１０を形成している。
示すように、Ｓｉ基板１上にＧａＡｓ層６，ＩｎＧａＡ
ｓ／ＩｎＰ歪層７及びＩｎＰ層８からなるバッファ層９
を形成した後、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ−ＤＢＲ３９対
からなる第１の半導体反射層１０を形成している。
【００１９】これからも明らかなように、９９.9％とい
う高反射率を達成するためには、従来法（図１（Ｂ））
では３９対、第一の光反射層１０までの膜厚で１５μｍ
が必要であるのに対して、本発明（図１（Ａ））では１
４対、第一の光反射層３までの膜厚で９μｍと大幅に膜
厚が削減できた。また、ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ交互層の低
転位化の効果により、従来法と比較して本発明によるサ
ンプルの結晶性、モフォロジー共に遜色は見られなかっ
た。
う高反射率を達成するためには、従来法（図１（Ｂ））
では３９対、第一の光反射層１０までの膜厚で１５μｍ
が必要であるのに対して、本発明（図１（Ａ））では１
４対、第一の光反射層３までの膜厚で９μｍと大幅に膜
厚が削減できた。また、ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ交互層の低
転位化の効果により、従来法と比較して本発明によるサ
ンプルの結晶性、モフォロジー共に遜色は見られなかっ
た。
【００２０】図２は本実施例の簡単なレーザ構造図を示
す。
す。
【００２１】まず、最初にＳｉ（１００）just基板１上
に有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）を用いてＨ2 雰
囲気中で１０００℃に加熱しクリーニングした。
に有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）を用いてＨ2 雰
囲気中で１０００℃に加熱しクリーニングした。
【００２２】次に、ＧａＡｓを４００℃で２００ｎｍ形
成後、７５０℃に基板温度を昇温させ各層の膜厚が発振
波長（λ＝1.５５μｍ）としたとき、λ／４ｎ（ｎは屈
折率）となるような１２対のｎ型ＡｌＡｓ／ＧａＡｓか
らなるｎ−ＡｌＡｓ／ＧａＡｓＤＢＲ交互層４を形成す
る。この時の前記交互層１４の膜厚は2.８μｍであり、
ＧａＡｓ／Ｓｉにおいて言われているクラック発生膜厚
である３μｍに至らないことは言うまでもない。この
後、その上にｎ−ＩｎＰ層５を同じくＭＯＣＶＤ法によ
り光学膜厚で6.２５λ（2.９８μｍ）形成する。
成後、７５０℃に基板温度を昇温させ各層の膜厚が発振
波長（λ＝1.５５μｍ）としたとき、λ／４ｎ（ｎは屈
折率）となるような１２対のｎ型ＡｌＡｓ／ＧａＡｓか
らなるｎ−ＡｌＡｓ／ＧａＡｓＤＢＲ交互層４を形成す
る。この時の前記交互層１４の膜厚は2.８μｍであり、
ＧａＡｓ／Ｓｉにおいて言われているクラック発生膜厚
である３μｍに至らないことは言うまでもない。この
後、その上にｎ−ＩｎＰ層５を同じくＭＯＣＶＤ法によ
り光学膜厚で6.２５λ（2.９８μｍ）形成する。
【００２３】その後、サンプルをＰＨ3 雰囲気中で４０
０℃から７５０℃に至る４回の熱サイクルを行い、サン
プルをＭＯＣＶＤ成長炉から取り出す。この際に、熱サ
イクルでは反射率が低下しないことはすでに確認してい
る。この後、サンプルを再び成長炉に導入し、通常の面
発光レーザの成長を行う。
０℃から７５０℃に至る４回の熱サイクルを行い、サン
プルをＭＯＣＶＤ成長炉から取り出す。この際に、熱サ
イクルでは反射率が低下しないことはすでに確認してい
る。この後、サンプルを再び成長炉に導入し、通常の面
発光レーザの成長を行う。
【００２４】具体的には、各層の膜厚が発振波長（λ＝
１．５５μｍ）としたとき、λ／４ｎ（ｎは屈折率）と
なるような１４対のｎ型ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ（１．
４μｍ組成）からなる第一の半導体光反射層としてのｎ
−ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ−ＤＢＲ層３を形成する。
１．５５μｍ）としたとき、λ／４ｎ（ｎは屈折率）と
なるような１４対のｎ型ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ（１．
４μｍ組成）からなる第一の半導体光反射層としてのｎ
−ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ−ＤＢＲ層３を形成する。
【００２５】引き続きｎ型ＩｎＰ層１１、活性層として
ｐ型ＩｎＧａＡｓ層１２（１．５μｍ組成）、ｐ型Ｉｎ
Ｐ層１３からなる全体が発振波長の光学膜厚の１０倍で
あるキャビティー層を形成後、最後にｐ型ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層１４を形成する。この後、プロセスにより
２０μｍ角の素子径にして半導体からなる第一の光反射
層（ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ層）３までエッチング
する。
ｐ型ＩｎＧａＡｓ層１２（１．５μｍ組成）、ｐ型Ｉｎ
Ｐ層１３からなる全体が発振波長の光学膜厚の１０倍で
あるキャビティー層を形成後、最後にｐ型ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層１４を形成する。この後、プロセスにより
２０μｍ角の素子径にして半導体からなる第一の光反射
層（ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ層）３までエッチング
する。
【００２６】続いてポリイミド１５を用いて前記サンプ
ルの平坦化を行い、上記サンプル上にｐ電極１６として
リング形状のＡｕＺｎＮｉ／Ａｕ電極を形成する。その
後７対のＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 からなる第二の光反射層１
７を形成する。続いて、上記Ｓｉ結晶基板裏面の光出射
部分に反射防止膜としてＳｉＯ2 層１８をスパッタした
後、下部にｎ電極１９としてＡｕＧｅＮｉ／Ａｕを蒸着
シンターし工程を完了する。
ルの平坦化を行い、上記サンプル上にｐ電極１６として
リング形状のＡｕＺｎＮｉ／Ａｕ電極を形成する。その
後７対のＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 からなる第二の光反射層１
７を形成する。続いて、上記Ｓｉ結晶基板裏面の光出射
部分に反射防止膜としてＳｉＯ2 層１８をスパッタした
後、下部にｎ電極１９としてＡｕＧｅＮｉ／Ａｕを蒸着
シンターし工程を完了する。
【００２７】上記のように構成した面発光レーザに対し
て、電流を注入しＩ−Ｌ特性を調べたところ、従来の面
発光レーザにおいて報告されている値と同様、低いしき
い値である２００ｍＡにおいてＩ−Ｌ曲線が立ち上が
り、レーザ発振に至ることが確認された。また、素子単
体の膜厚としては９μｍ以上としたため、クラックの発
生は見られなかった。
て、電流を注入しＩ−Ｌ特性を調べたところ、従来の面
発光レーザにおいて報告されている値と同様、低いしき
い値である２００ｍＡにおいてＩ−Ｌ曲線が立ち上が
り、レーザ発振に至ることが確認された。また、素子単
体の膜厚としては９μｍ以上としたため、クラックの発
生は見られなかった。
【００２８】以上の実施例では、Ｓｉ基板上に形成した
活性層にＩｎＧａＡｓＰを用いた発振波長１．５５μｍ
面発光レーザの場合を例に取り説明したが、他の発振波
長を有する面発光レーザの場合でも同様の効果が得られ
るのは言うまでもない。
活性層にＩｎＧａＡｓＰを用いた発振波長１．５５μｍ
面発光レーザの場合を例に取り説明したが、他の発振波
長を有する面発光レーザの場合でも同様の効果が得られ
るのは言うまでもない。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるＳｉ
基板上面発光レーザによれば、前記Ｓｉ基板主面上に上
記半導体からなるバッファ層もしくは半導体からなる第
一の光反射層を形成後、その一部を除去しその後積層工
程を行うか、もしくは上記Ｓｉ基板主面上に絶縁膜を形
成、前記絶縁膜の一部を除去した後、前記除去した部分
に半導体からなる第一の光反射層、活性層を含むキャビ
ティー層、半導体もしくは誘電体からなる第二の光反射
層の順で積層することにより、Ｓｉ基板上にクラック発
生無しに高品質な面発光レーザを作製することが可能と
なるため、光交換、光インターコネクション、光情報処
理用の光源としての利用が可能になる等、経済効果は大
である。
基板上面発光レーザによれば、前記Ｓｉ基板主面上に上
記半導体からなるバッファ層もしくは半導体からなる第
一の光反射層を形成後、その一部を除去しその後積層工
程を行うか、もしくは上記Ｓｉ基板主面上に絶縁膜を形
成、前記絶縁膜の一部を除去した後、前記除去した部分
に半導体からなる第一の光反射層、活性層を含むキャビ
ティー層、半導体もしくは誘電体からなる第二の光反射
層の順で積層することにより、Ｓｉ基板上にクラック発
生無しに高品質な面発光レーザを作製することが可能と
なるため、光交換、光インターコネクション、光情報処
理用の光源としての利用が可能になる等、経済効果は大
である。
【図１】本発明法と従来例とのバッファ層及び第１の反
射層の構造図である。
射層の構造図である。
【図２】本実施例に係るレーザ構造図である。
１ Ｓｉ基板 ２ バッファ層 ３ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ−ＤＢＲ層 ４ ＡｌＡｓ／ＧａＡｓＤＢＲ交互層 ５ ｎ−ＩｎＰ層 １１ ｎ−ＩｎＰ層 １２ ｐ−ＩｎＧａＡｓ層 １３ ｐ−ＩｎＰ層 １４ ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層 １５ ポリイミド １６ ｐ電極 １７ ＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 層 １８ ＳｉＯ2 膜 １９ ｎ電極
フロントページの続き (72)発明者 岡本 稔 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｓｉ基板主面上に半導体からなるバッフ
ァ層、半導体からなる第一の光反射層、活性層を含むキ
ャビティー層、半導体もしくは誘電体からなる第二の光
反射層の順で積層することによって上記第一と第二の光
反射層で光共振器を構成してレーザ発振させる面発光レ
ーザにおいて、前記バッファ層中にＧａＡｓ／ＡｌＡｓ
からなる交互層を含むことを特徴とするＳｉ基板上面発
光レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04223833A JP3123026B2 (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | Ｓｉ基板上面発光レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04223833A JP3123026B2 (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | Ｓｉ基板上面発光レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677582A true JPH0677582A (ja) | 1994-03-18 |
| JP3123026B2 JP3123026B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=16804436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04223833A Expired - Lifetime JP3123026B2 (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | Ｓｉ基板上面発光レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3123026B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7312508B2 (en) | 2004-01-08 | 2007-12-25 | Seiko Epson Corporation | Optical element, and its manufacturing method |
| US9343874B2 (en) | 2012-08-01 | 2016-05-17 | Ucl Business Plc | Semiconductor device and fabrication method |
| EP3859796A1 (en) * | 2020-02-03 | 2021-08-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Infrared detecting device and infrared detecting system including the same |
| US11424595B2 (en) * | 2018-01-09 | 2022-08-23 | Oepic Semiconductors, Inc. | Pillar confined backside emitting VCSEL |
| US11757255B2 (en) * | 2018-01-26 | 2023-09-12 | Oepic Semiconductors, Inc. | Planarization of backside emitting VCSEL and method of manufacturing the same for array application |
-
1992
- 1992-08-24 JP JP04223833A patent/JP3123026B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7312508B2 (en) | 2004-01-08 | 2007-12-25 | Seiko Epson Corporation | Optical element, and its manufacturing method |
| US9343874B2 (en) | 2012-08-01 | 2016-05-17 | Ucl Business Plc | Semiconductor device and fabrication method |
| US9793686B2 (en) | 2012-08-01 | 2017-10-17 | Ucl Business Plc | Semiconductor device and fabrication method |
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| US11757255B2 (en) * | 2018-01-26 | 2023-09-12 | Oepic Semiconductors, Inc. | Planarization of backside emitting VCSEL and method of manufacturing the same for array application |
| EP3859796A1 (en) * | 2020-02-03 | 2021-08-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Infrared detecting device and infrared detecting system including the same |
| US11201256B2 (en) | 2020-02-03 | 2021-12-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Infrared detecting device and infrared detecting system including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3123026B2 (ja) | 2001-01-09 |
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