JPH0677337A - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
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- JPH0677337A JPH0677337A JP4308599A JP30859992A JPH0677337A JP H0677337 A JPH0677337 A JP H0677337A JP 4308599 A JP4308599 A JP 4308599A JP 30859992 A JP30859992 A JP 30859992A JP H0677337 A JPH0677337 A JP H0677337A
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- wiring layer
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- integrated circuit
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 配線層と基板間の相互作用や拡散作用を防止
するバリア層を有する集積回路を提供する。 【構成】 シリコン基板２１上に第１、第２バリア層１
９、１４を介して第１、第２メタル配線層１６、１１を
形成した集積回路において、上記各バリア層１９、１４
を酸素及び炭素を含有する窒化チタンによって形成し
た。
するバリア層を有する集積回路を提供する。 【構成】 シリコン基板２１上に第１、第２バリア層１
９、１４を介して第１、第２メタル配線層１６、１１を
形成した集積回路において、上記各バリア層１９、１４
を酸素及び炭素を含有する窒化チタンによって形成し
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、配線層の下地となるバ
リア層あるいはコンタクトホール、ビアホール等の密着
層を窒化チタンによって形成した集積回路、及びコンタ
クトホール、スルーホールに配線層とバリア層を形成し
た集積回路に関する。
リア層あるいはコンタクトホール、ビアホール等の密着
層を窒化チタンによって形成した集積回路、及びコンタ
クトホール、スルーホールに配線層とバリア層を形成し
た集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から大規模集積回路（ＬＳＩ）の配
線層とシリコン基板との境界には、配線層の配線材料が
シリコン基板中に拡散することを防止するバリア層、配
線層間あるいは配線層と基板間の付着力を増大させたり
する密着層は、窒化チタン等の材料から構成されてい
る。
線層とシリコン基板との境界には、配線層の配線材料が
シリコン基板中に拡散することを防止するバリア層、配
線層間あるいは配線層と基板間の付着力を増大させたり
する密着層は、窒化チタン等の材料から構成されてい
る。
【０００３】そして、ＬＳＩの微細化が進むにつれて、
設計ルールはハーフミクロン、サブミクロンに達し、積
層されるバリア層、配線層等の各層の薄膜化が進行し、
各層の膜質が他の層の影響を受けるようになり、特にバ
リア層、密着層には高いバリア性が要求されている。ま
た、ＬＳＩの微細化につれてコンタクトホールのアスペ
クト比が高くなってコンタクトホールにバリア層を蒸着
形成した後に配線層をコンタクトホールに埋め込むこと
が難しくなってきている。
設計ルールはハーフミクロン、サブミクロンに達し、積
層されるバリア層、配線層等の各層の薄膜化が進行し、
各層の膜質が他の層の影響を受けるようになり、特にバ
リア層、密着層には高いバリア性が要求されている。ま
た、ＬＳＩの微細化につれてコンタクトホールのアスペ
クト比が高くなってコンタクトホールにバリア層を蒸着
形成した後に配線層をコンタクトホールに埋め込むこと
が難しくなってきている。
【０００４】例えば、図５は日経マイクロデバイス、２
月号（１９９１）に掲載された従来の集積回路を拡大し
て示す図である、単純スタック型セル構造の６４ＭＤＲ
ＡＭの多層配線部の断面を拡大して示したものである。
同図において、１はアルミニウム・シリコン・銅合金等の
第２メタル配線層、２は第２層間絶縁層、３は第２層間
接続プラグ、４は第２バリア層、５は第１メタル配線
層、６は第１層間絶縁層、７は第１層間接続プラグ、８
は第１バリア層、９はシリコン基板である。
月号（１９９１）に掲載された従来の集積回路を拡大し
て示す図である、単純スタック型セル構造の６４ＭＤＲ
ＡＭの多層配線部の断面を拡大して示したものである。
同図において、１はアルミニウム・シリコン・銅合金等の
第２メタル配線層、２は第２層間絶縁層、３は第２層間
接続プラグ、４は第２バリア層、５は第１メタル配線
層、６は第１層間絶縁層、７は第１層間接続プラグ、８
は第１バリア層、９はシリコン基板である。
【０００５】また、例えば、図６はセミコンジャパンの
予稿集に掲載された従来の集積回路を拡大して示す図で
ある、単純スタック型セル構造の６４ＭＤＲＡＭの配線
部コンタクトホール及びその層構造を拡大して示したも
のである。同図において、１Ａはアルミニウム・シリコ
ン・銅合金からなるメタル配線層、２Ａは窒化チタンの
バリア層、３Ａはシリコン基板、４Ａはコンタクトホー
ルである。
予稿集に掲載された従来の集積回路を拡大して示す図で
ある、単純スタック型セル構造の６４ＭＤＲＡＭの配線
部コンタクトホール及びその層構造を拡大して示したも
のである。同図において、１Ａはアルミニウム・シリコ
ン・銅合金からなるメタル配線層、２Ａは窒化チタンの
バリア層、３Ａはシリコン基板、４Ａはコンタクトホー
ルである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
集積回路に用いられているバリア層では、各積層膜の薄
膜化が進行すると、メタル配線層とシリコン基板間での
相互作用や拡散作用を抑制することができないという課
題があった。
集積回路に用いられているバリア層では、各積層膜の薄
膜化が進行すると、メタル配線層とシリコン基板間での
相互作用や拡散作用を抑制することができないという課
題があった。
【０００７】また、従来の集積回路では、ＬＳＩのよう
に構造が微細化して来ると、メタル配線層を形成する金
属をコンタクトホール内に埋め込むことが難しく、メタ
ル配線層を円滑に形成することができないという課題が
あった。
に構造が微細化して来ると、メタル配線層を形成する金
属をコンタクトホール内に埋め込むことが難しく、メタ
ル配線層を円滑に形成することができないという課題が
あった。
【０００８】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、配線層と基板間の相互作用や拡散作用を防
止するバリア層、あるいは電気的コンタクト性に優れた
密着層を有する集積回路を提供することを目的としてい
る。
れたもので、配線層と基板間の相互作用や拡散作用を防
止するバリア層、あるいは電気的コンタクト性に優れた
密着層を有する集積回路を提供することを目的としてい
る。
【０００９】また、本発明は、集積回路が微細化しても
コンタクトホール内で配線層の金属を流動化させてその
内部に金属を円滑に埋め込んで配線層を容易に設けるこ
とができる集積回路を併せて提供するものである。
コンタクトホール内で配線層の金属を流動化させてその
内部に金属を円滑に埋め込んで配線層を容易に設けるこ
とができる集積回路を併せて提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の集積回路は、バリア層を酸素及び炭素を含有する窒化
チタンによって形成したものである。
の集積回路は、バリア層を酸素及び炭素を含有する窒化
チタンによって形成したものである。
【００１１】また、本発明の請求項２に記載の集積回路
は、バリア層を炭素を含有する窒化チタンで形成したも
のである。
は、バリア層を炭素を含有する窒化チタンで形成したも
のである。
【００１２】また、本発明の請求項３に記載の集積回路
は、請求項１または請求項２に記載の発明において、上
記バリア層の下地として酸素及び炭素を含有するチタン
からなる密着層を設けたものである。
は、請求項１または請求項２に記載の発明において、上
記バリア層の下地として酸素及び炭素を含有するチタン
からなる密着層を設けたものである。
【００１３】また、本発明の請求項４に記載の集積回路
は、請求項３に記載の発明において、上記密着層が炭素
または酸素を含有するものである。
は、請求項３に記載の発明において、上記密着層が炭素
または酸素を含有するものである。
【００１４】また、本発明の請求項５に記載の集積回路
は、コンタクトホール及び／またはスルーホールに形成
する配線層とこの配線層の下地として形成されるバリア
層との間に、上記配線層と合金を作りやすい金属からな
るバッファ層を設けたものである。
は、コンタクトホール及び／またはスルーホールに形成
する配線層とこの配線層の下地として形成されるバリア
層との間に、上記配線層と合金を作りやすい金属からな
るバッファ層を設けたものである。
【００１５】また、本発明の請求項６に記載の集積回路
は、コンタクトホール及び／またはスルーホールに形成
されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配
線層とこの配線層の下地として形成された窒化チタンか
らなるバリア層との間に、チタン、シリコン、ゲルマニ
ウム等のアルミニウムと合金を作りやすい金属からなる
バッファ層を設けたものである。
は、コンタクトホール及び／またはスルーホールに形成
されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配
線層とこの配線層の下地として形成された窒化チタンか
らなるバリア層との間に、チタン、シリコン、ゲルマニ
ウム等のアルミニウムと合金を作りやすい金属からなる
バッファ層を設けたものである。
【００１６】また、本発明の請求項７に記載の集積回路
は、コンタクトホール及び／またはスルーホールに形成
されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配
線層とこの配線層の下地として形成された窒化チタンか
らなるバリア層との間に、チタン、シリコン、ゲルマニ
ウム等の金属とアルミニウムとの合金からなるバッファ
層を設けたものである。
は、コンタクトホール及び／またはスルーホールに形成
されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配
線層とこの配線層の下地として形成された窒化チタンか
らなるバリア層との間に、チタン、シリコン、ゲルマニ
ウム等の金属とアルミニウムとの合金からなるバッファ
層を設けたものである。
【００１７】また、本発明の請求項８に記載の集積回路
は、コンタクトホール及び／またはスルーホールに形成
されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配
線層とこの配線層の下地として形成された窒化チタンか
らなるバリア層との間に、チタン、シリコン、ゲルマニ
ウム等の金属とアルミニウムとのバッファ層を設けると
共に、このバッファ層は上記配線層に接近するにつれて
チタン、シリコン、ゲルマニウム等の金属の組成がアル
ミニウムの組成に対して逓減するものである。
は、コンタクトホール及び／またはスルーホールに形成
されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配
線層とこの配線層の下地として形成された窒化チタンか
らなるバリア層との間に、チタン、シリコン、ゲルマニ
ウム等の金属とアルミニウムとのバッファ層を設けると
共に、このバッファ層は上記配線層に接近するにつれて
チタン、シリコン、ゲルマニウム等の金属の組成がアル
ミニウムの組成に対して逓減するものである。
【００１８】
【作用】本発明の請求項１に記載の発明によれば、配線
層と基板間、あるいは配線層と基板上の構成層間のバリ
ア性を酸素及び炭素を含有する窒化チタンからなるバリ
ア層によって高めることができる。
層と基板間、あるいは配線層と基板上の構成層間のバリ
ア性を酸素及び炭素を含有する窒化チタンからなるバリ
ア層によって高めることができる。
【００１９】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、配線層と基板間、あるいは配線層と基板上の構成
層間のバリア性を炭素を含有する窒化チタンからなるバ
リア層によって高めることができる。
れば、配線層と基板間、あるいは配線層と基板上の構成
層間のバリア性を炭素を含有する窒化チタンからなるバ
リア層によって高めることができる。
【００２０】また、本発明の請求項３に記載の発明によ
れば、バリア層の下地として、酸素及び炭素を含有する
チタンからなる密着層を形成し、この密着層によって構
成層間の電気的コンタクト性を高めることができる。
れば、バリア層の下地として、酸素及び炭素を含有する
チタンからなる密着層を形成し、この密着層によって構
成層間の電気的コンタクト性を高めることができる。
【００２１】また、本発明の請求項４に記載の発明によ
れば、上記密着層が炭素または酸素を含有するチタンか
ら構成したことによって、バリア層と構成層間の電気的
コンタクト性高めると共に電気的安定性を高めることが
できる。
れば、上記密着層が炭素または酸素を含有するチタンか
ら構成したことによって、バリア層と構成層間の電気的
コンタクト性高めると共に電気的安定性を高めることが
できる。
【００２２】また、本発明の請求項５に記載の発明によ
れば、コンタクトホールに形成されたバリア層の表面
に、配線層と合金を作りやすい金属からなるバッファ層
を設けた後、このコンタクトホール内に配線層を形成す
る金属を埋め込むため、配線層を形成する間にその金属
がバッファ層と合金化して配線層の金属の融点が低下
し、その合金がコンタクトホール内で流動しやすくなっ
て配線層を形成する金属をコンタクトホール内に容易に
埋め込むことができる。
れば、コンタクトホールに形成されたバリア層の表面
に、配線層と合金を作りやすい金属からなるバッファ層
を設けた後、このコンタクトホール内に配線層を形成す
る金属を埋め込むため、配線層を形成する間にその金属
がバッファ層と合金化して配線層の金属の融点が低下
し、その合金がコンタクトホール内で流動しやすくなっ
て配線層を形成する金属をコンタクトホール内に容易に
埋め込むことができる。
【００２３】また、本発明の請求項６に記載の発明によ
れば、コンタクトホールに形成された窒化チタンからな
るバリア層の表面に、チタン、シリコン、ゲルマニウム
等のアルミニウムと合金を作りやすい金属からなるバッ
ファ層を設けた後、このコンタクトホール内にアルミニ
ウムまたはアルミニウム合金からなる配線層を埋め込む
ため、配線層を形成する間にそのアルミニウムまたはア
ルミニウム合金がバッファ層の合金と合金化して配線層
の金属の融点が低下し、その合金がコンタクトホール内
で流動しやすくなって配線層を形成する金属をコンタク
トホール内に容易に埋め込むことができる。
れば、コンタクトホールに形成された窒化チタンからな
るバリア層の表面に、チタン、シリコン、ゲルマニウム
等のアルミニウムと合金を作りやすい金属からなるバッ
ファ層を設けた後、このコンタクトホール内にアルミニ
ウムまたはアルミニウム合金からなる配線層を埋め込む
ため、配線層を形成する間にそのアルミニウムまたはア
ルミニウム合金がバッファ層の合金と合金化して配線層
の金属の融点が低下し、その合金がコンタクトホール内
で流動しやすくなって配線層を形成する金属をコンタク
トホール内に容易に埋め込むことができる。
【００２４】また、本発明の請求項７に記載の発明によ
れば、コンタクトホールに形成された窒化チタンからな
るバリア層の表面に、チタン、シリコン、ゲルマニウム
等の金属とアルミニウムとの合金からなるバッファ層を
設けた後、このコンタクトホール内にアルミニウムまた
はアルミニウム合金からなる配線層を埋め込むため、配
線層を形成する間にそのアルミニウムまたはアルミニウ
ム合金がバッファ層の合金と合金化して配線層の金属の
融点が低下し、その合金がコンタクトホール内で流動し
やすくなって配線層を形成する金属をコンタクトホール
内に容易に埋め込むことができる。
れば、コンタクトホールに形成された窒化チタンからな
るバリア層の表面に、チタン、シリコン、ゲルマニウム
等の金属とアルミニウムとの合金からなるバッファ層を
設けた後、このコンタクトホール内にアルミニウムまた
はアルミニウム合金からなる配線層を埋め込むため、配
線層を形成する間にそのアルミニウムまたはアルミニウ
ム合金がバッファ層の合金と合金化して配線層の金属の
融点が低下し、その合金がコンタクトホール内で流動し
やすくなって配線層を形成する金属をコンタクトホール
内に容易に埋め込むことができる。
【００２５】また、本発明の請求項８に記載の発明によ
れば、コンタクトホールに形成された窒化チタンからな
るバリア層の表面に、チタン、シリコン、ゲルマニウム
等の金属の組成が配線層に接近するにつれてアルミニウ
ムの組成に対して逓減するバッファ層を設けた後、この
コンタクトホール内にアルミニウムまたはアルミニウム
合金からなる配線層を埋め込むため、配線層を形成する
間にそのアルミニウムまたはアルミニウム合金がバッフ
ァ層表面の合金と合金化して配線層の金属の融点が低下
し、その合金がコンタクトホール内で流動化して配線層
を形成する金属をコンタクトホール内に迅速且つ容易に
埋め込むことができる。
れば、コンタクトホールに形成された窒化チタンからな
るバリア層の表面に、チタン、シリコン、ゲルマニウム
等の金属の組成が配線層に接近するにつれてアルミニウ
ムの組成に対して逓減するバッファ層を設けた後、この
コンタクトホール内にアルミニウムまたはアルミニウム
合金からなる配線層を埋め込むため、配線層を形成する
間にそのアルミニウムまたはアルミニウム合金がバッフ
ァ層表面の合金と合金化して配線層の金属の融点が低下
し、その合金がコンタクトホール内で流動化して配線層
を形成する金属をコンタクトホール内に迅速且つ容易に
埋め込むことができる。
【００２６】
【実施例】以下、図１〜図４に示す実施例に基づいて本
発明を説明する。尚、図１は本発明の集積回路の一実施
例の多層配線部を模式的に拡大して示す断面図、図２は
本発明の集積回路の他の実施例の多層配線部を模式的に
拡大して示す断面図、図３は本発明の集積回路の更に他
の実施例の多層配線部を模式的に拡大して示す断面図、
図４は本発明の集積回路を製造する場合に好適に用いら
れる製造装置の一例を示す構成図で、同図（ａ）はその
側面図、同図（ｂ）はその下方からの平面図ある。
発明を説明する。尚、図１は本発明の集積回路の一実施
例の多層配線部を模式的に拡大して示す断面図、図２は
本発明の集積回路の他の実施例の多層配線部を模式的に
拡大して示す断面図、図３は本発明の集積回路の更に他
の実施例の多層配線部を模式的に拡大して示す断面図、
図４は本発明の集積回路を製造する場合に好適に用いら
れる製造装置の一例を示す構成図で、同図（ａ）はその
側面図、同図（ｂ）はその下方からの平面図ある。
【００２７】実施例１．本実施例の集積回路１０は、図
１に示すように、その層構成が図５に示す従来の集積回
路と同様に構成されている。即ち、図１において、１１
はアルミニウム・シリコン・銅合金等の金属からなる第２
メタル配線層、１２は第２層間絶縁層、１３は第２層間
接続プラグ、１４は第２バリア層、１５は第２密着層、
１６はアルミニウム・シリコン・銅合金等の金属からなる
第１メタル配線層、１７は第１層間絶縁層、１８は第１
層間接続プラグ、１９は第１バリア層、２０は第１密着
層、２１はシリコン基板である。
１に示すように、その層構成が図５に示す従来の集積回
路と同様に構成されている。即ち、図１において、１１
はアルミニウム・シリコン・銅合金等の金属からなる第２
メタル配線層、１２は第２層間絶縁層、１３は第２層間
接続プラグ、１４は第２バリア層、１５は第２密着層、
１６はアルミニウム・シリコン・銅合金等の金属からなる
第１メタル配線層、１７は第１層間絶縁層、１８は第１
層間接続プラグ、１９は第１バリア層、２０は第１密着
層、２１はシリコン基板である。
【００２８】而して、本実施例における第１バリア層１
９、第２バリア層１４は、それぞれ酸素及び炭素を含有
する窒化チタンによって形成され、その他の各層は従来
のそれぞれに対応する層に準じた材料によって形成され
ている。このように窒化チタンに酸素及び炭素を含有さ
せることによって、酸化チタン及び炭化チタンの結晶を
窒化チタン層中に作って化学的に安定したバリア性をバ
リア層に付与することができる。従って、第１バリア層
１９によって第１メタル配線層１６とシリコン基板２１
間、及び第１メタル配線層１６と第１層間絶縁層１７間
での合金の拡散を防止することができ、また、第２バリ
ア層１４によって第１メタル配線層１６と第２メタル配
線層１１間、及び第２メタル配線層１１と第２層間絶縁
層１２間での合金の拡散を防止することができる。
９、第２バリア層１４は、それぞれ酸素及び炭素を含有
する窒化チタンによって形成され、その他の各層は従来
のそれぞれに対応する層に準じた材料によって形成され
ている。このように窒化チタンに酸素及び炭素を含有さ
せることによって、酸化チタン及び炭化チタンの結晶を
窒化チタン層中に作って化学的に安定したバリア性をバ
リア層に付与することができる。従って、第１バリア層
１９によって第１メタル配線層１６とシリコン基板２１
間、及び第１メタル配線層１６と第１層間絶縁層１７間
での合金の拡散を防止することができ、また、第２バリ
ア層１４によって第１メタル配線層１６と第２メタル配
線層１１間、及び第２メタル配線層１１と第２層間絶縁
層１２間での合金の拡散を防止することができる。
【００２９】そして、上記第１バリア層１９または第２
バリア層１４での酸素及び上記炭素の含有量は、酸素が
５〜２０原子％が好ましく、炭素が５〜２０原子％が好
ましく、これら両者の合計含有量は５〜２０原子％が好
ましい。なお、酸素及び炭素は元素状としてあるいはチ
タンとの化合物として含有するものである。また、これ
ら両者の合計含有量が５原子％未満では各バリア層１
４、１９のバリア性が十分でなく、また、２０原子％を
超えてもバリア性はそれ程向上しない。
バリア層１４での酸素及び上記炭素の含有量は、酸素が
５〜２０原子％が好ましく、炭素が５〜２０原子％が好
ましく、これら両者の合計含有量は５〜２０原子％が好
ましい。なお、酸素及び炭素は元素状としてあるいはチ
タンとの化合物として含有するものである。また、これ
ら両者の合計含有量が５原子％未満では各バリア層１
４、１９のバリア性が十分でなく、また、２０原子％を
超えてもバリア性はそれ程向上しない。
【００３０】また、上記集積回路１０は、上記各バリア
層１４、１９の下地として５０オングストローム以下の
チタンからなる第２密着層１５、第１密着層２０を設け
られている。この第２密着層１５によって第２バリア層
１４と第１メタル配線層１６及び第２層間絶縁層１２と
の電気的コンタクト性を高めることができ、また、第１
密着層２０によって第１バリア層１９とシリコン基板２
１及び第１層間絶縁層１７との電気的コンタクト性を高
めることができる。更に、上記各密着層１５、２０に炭
素及び／または酸素を含有させることによって各密着層
１５、２０の電気的安定性を高めることができる。そし
て、上記密着層１５、２０での炭素及び／または酸素の
含有量は、酸素が３原子％以下が好ましく、または上記
炭素が３原子％以下が好ましい。また、これら両者が同
時に含有される場合であっても、それぞれの含有量は３
原子％以下が好ましい。それぞれの含有量が３原子％を
超えると第１密着層２０の電気抵抗値が大きくなって好
ましくない。なお、炭素及び／または酸素は元素状とし
てあるいはチタンとの化合物として含有するものであ
る。
層１４、１９の下地として５０オングストローム以下の
チタンからなる第２密着層１５、第１密着層２０を設け
られている。この第２密着層１５によって第２バリア層
１４と第１メタル配線層１６及び第２層間絶縁層１２と
の電気的コンタクト性を高めることができ、また、第１
密着層２０によって第１バリア層１９とシリコン基板２
１及び第１層間絶縁層１７との電気的コンタクト性を高
めることができる。更に、上記各密着層１５、２０に炭
素及び／または酸素を含有させることによって各密着層
１５、２０の電気的安定性を高めることができる。そし
て、上記密着層１５、２０での炭素及び／または酸素の
含有量は、酸素が３原子％以下が好ましく、または上記
炭素が３原子％以下が好ましい。また、これら両者が同
時に含有される場合であっても、それぞれの含有量は３
原子％以下が好ましい。それぞれの含有量が３原子％を
超えると第１密着層２０の電気抵抗値が大きくなって好
ましくない。なお、炭素及び／または酸素は元素状とし
てあるいはチタンとの化合物として含有するものであ
る。
【００３１】実施例２．本実施例の集積回路１０は、実
施例１と同様の層構成を有し、第１バリア層１９及び第
２バリア層１４がそれぞれ炭素を含有する窒化チタンに
よって形成されれている。その他は実施例１と同様に形
成されている。このように窒化チタンに炭素を含有させ
ることによって、炭化チタンの結晶を窒化チタン層中に
作って化学的に安定したバリア性をバリア層に付与する
ことができる。従って、本実施例においても実施例１と
同様の作用効果を期することができる。
施例１と同様の層構成を有し、第１バリア層１９及び第
２バリア層１４がそれぞれ炭素を含有する窒化チタンに
よって形成されれている。その他は実施例１と同様に形
成されている。このように窒化チタンに炭素を含有させ
ることによって、炭化チタンの結晶を窒化チタン層中に
作って化学的に安定したバリア性をバリア層に付与する
ことができる。従って、本実施例においても実施例１と
同様の作用効果を期することができる。
【００３２】そこで、バリア層の酸素及び／または炭素
の含有量を下記表１に示すように変化させた本発明品及
び比較品（酸素、炭素共に含有せず）を作製した。本発
明品及び本比較品共にシリコン基板上に窒化チタンから
なるバリア層及びアルミニウムからなる配線層を順次積
層することによって具体的に作製した。
の含有量を下記表１に示すように変化させた本発明品及
び比較品（酸素、炭素共に含有せず）を作製した。本発
明品及び本比較品共にシリコン基板上に窒化チタンから
なるバリア層及びアルミニウムからなる配線層を順次積
層することによって具体的に作製した。
【００３３】そして、本発明品を５００〜８００℃で１
時間加熱し、シリコンのメタル配線層への熱拡散を促進
した。加熱後、試験用素子を冷却し、冷却後の試験用素
子を裁断した後、その断面を５００００倍に拡大して写
真撮影を行ない、シリコン層、バリア層及びメタル配線
層の状態を拡大写真上で肉眼で観察した。比較品につい
ても同様の試験を行ない、同様の観察を行なった。そし
て、それぞれの結果を下記表１に示した。
時間加熱し、シリコンのメタル配線層への熱拡散を促進
した。加熱後、試験用素子を冷却し、冷却後の試験用素
子を裁断した後、その断面を５００００倍に拡大して写
真撮影を行ない、シリコン層、バリア層及びメタル配線
層の状態を拡大写真上で肉眼で観察した。比較品につい
ても同様の試験を行ない、同様の観察を行なった。そし
て、それぞれの結果を下記表１に示した。
【００３４】下記表１に示す結果によれば、本発明品で
は、アルミニウムからなる配線層が均一な白色であった
のに対して、比較品では、配線層に濁りが生じているこ
とが判った。つまり、配線層の濁りはバリア層を超えて
配線層に拡散したシリコンによる濁りであり、酸素及び
炭素を含有するバリア層では濁りがないことからシリコ
ンの熱拡散がバリア層によって防止されていたことが判
った。
は、アルミニウムからなる配線層が均一な白色であった
のに対して、比較品では、配線層に濁りが生じているこ
とが判った。つまり、配線層の濁りはバリア層を超えて
配線層に拡散したシリコンによる濁りであり、酸素及び
炭素を含有するバリア層では濁りがないことからシリコ
ンの熱拡散がバリア層によって防止されていたことが判
った。
【００３５】
【表１】
【００３６】実施例３．本実施例の集積回路３０は、図
２に示すように、その層構成が図６に示す従来の集積回
路と同様に構成されている。即ち、図２において、３１
はアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線
層、３２は窒化チタンからなるバリア層、３３はシリコ
ン基板、３４はコンタクトホール、３５は上記配線層３
１と上記バリア層３２の間に設けられ且つ上記配線層３
１の金属と合金を作りやすい金属からなるバッファ層で
ある。そして、このバッファ層３５を形成する配線層３
１のアルミニウムまたはアルミニウム合金と合金を作り
やすい金属としては、例えばチタン、シリコン、ゲルマ
ニウム等の金属を挙げることができる。
２に示すように、その層構成が図６に示す従来の集積回
路と同様に構成されている。即ち、図２において、３１
はアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線
層、３２は窒化チタンからなるバリア層、３３はシリコ
ン基板、３４はコンタクトホール、３５は上記配線層３
１と上記バリア層３２の間に設けられ且つ上記配線層３
１の金属と合金を作りやすい金属からなるバッファ層で
ある。そして、このバッファ層３５を形成する配線層３
１のアルミニウムまたはアルミニウム合金と合金を作り
やすい金属としては、例えばチタン、シリコン、ゲルマ
ニウム等の金属を挙げることができる。
【００３７】次に、本実施例の集積回路の配線部を形成
する方法について説明する。それにはまず、コンタクト
ホール３４内に窒化チタン等からなるバリア層３２を形
成した後、チタン、シリコン、ゲルマニウム等の金属か
らなるバッファ層３５を形成する。これらのチタン、シ
リコン、ゲルマニウム等の金属は、アルミニウムと合金
を作りやすいため、この金属に積層する配線層３１のア
ルミニウムまたはアルミニウム合金と合金化して純アル
ミニウムまたはアルミニウムの組成が大きいアルミニウ
ム合金に比べて融点がかなり低くなってシリコン基板３
３を僅かに加熱するだけでバッファ層３５の界面にアル
ミニウム合金を形成して流れやすくなり、配線層３１の
埋め込み性が向上し、コンタクトホール３４内に配線層
３１を容易に埋め込み形成することができる。
する方法について説明する。それにはまず、コンタクト
ホール３４内に窒化チタン等からなるバリア層３２を形
成した後、チタン、シリコン、ゲルマニウム等の金属か
らなるバッファ層３５を形成する。これらのチタン、シ
リコン、ゲルマニウム等の金属は、アルミニウムと合金
を作りやすいため、この金属に積層する配線層３１のア
ルミニウムまたはアルミニウム合金と合金化して純アル
ミニウムまたはアルミニウムの組成が大きいアルミニウ
ム合金に比べて融点がかなり低くなってシリコン基板３
３を僅かに加熱するだけでバッファ層３５の界面にアル
ミニウム合金を形成して流れやすくなり、配線層３１の
埋め込み性が向上し、コンタクトホール３４内に配線層
３１を容易に埋め込み形成することができる。
【００３８】次に、上記コンタクトホール３４に配線部
を形成する製造装置について例えば図４を参照しながら
説明する。この製造装置５０は、同図に示すように、真
空槽（図示せず）内に配設され且つシリコン基板３３を
回転させる回転駆動機構５１と、この回転駆動機構５１
に支持されたシリコン基板３３の背面側に配設され且つ
シリコン基板３３を加熱する加熱手段５２と、この加熱
手段５２によって加熱されたシリコン基板３３にチタ
ン、シリコン、ゲルマニウム等の金属の蒸気またはクラ
スターを蒸着させる点光源からなる蒸気発生源５３、及
びアルミニウムまたはアルミニウム合金の蒸気またはク
ラスターを蒸着させる点光源からなる蒸気発生源５４と
を備え、上記回転駆動機構５１を回転させながら上記各
蒸気発生源５３、５４からそれぞれの蒸気またはクラス
ターを蒸発させて上記シリコン基板３３のコンタクトホ
ール３４（図２照）にバッファ層３５及び配線層３１を
順次設けるように構成されている。また、図示していな
いが、上記製造装置５０は、上記各蒸気発生源５３、５
４から発生した蒸気またはクラスターをイオン化するイ
オン化手段と、このイオン化された蒸気またはクラスタ
ーをシリコン基板３３に向けて加速する加速制御手段と
を備えて構成されている。
を形成する製造装置について例えば図４を参照しながら
説明する。この製造装置５０は、同図に示すように、真
空槽（図示せず）内に配設され且つシリコン基板３３を
回転させる回転駆動機構５１と、この回転駆動機構５１
に支持されたシリコン基板３３の背面側に配設され且つ
シリコン基板３３を加熱する加熱手段５２と、この加熱
手段５２によって加熱されたシリコン基板３３にチタ
ン、シリコン、ゲルマニウム等の金属の蒸気またはクラ
スターを蒸着させる点光源からなる蒸気発生源５３、及
びアルミニウムまたはアルミニウム合金の蒸気またはク
ラスターを蒸着させる点光源からなる蒸気発生源５４と
を備え、上記回転駆動機構５１を回転させながら上記各
蒸気発生源５３、５４からそれぞれの蒸気またはクラス
ターを蒸発させて上記シリコン基板３３のコンタクトホ
ール３４（図２照）にバッファ層３５及び配線層３１を
順次設けるように構成されている。また、図示していな
いが、上記製造装置５０は、上記各蒸気発生源５３、５
４から発生した蒸気またはクラスターをイオン化するイ
オン化手段と、このイオン化された蒸気またはクラスタ
ーをシリコン基板３３に向けて加速する加速制御手段と
を備えて構成されている。
【００３９】そこで、上記製造装置５０を用いた本実施
例の集積回路の製造方法について説明する。まず、真空
排気系（図示せず）によって真空槽内が１０-4Torr以下
の真空度になるまで排気した後、蒸気発生源５３からチ
タン、シリコン、ゲルマニウム等の金属の蒸気を蒸発さ
せ、イオン化手段及び加速制御手段によってこの蒸気を
真空中で加速制御しながらシリコン基板３３へ噴射する
一方、回転駆動機構５１を回転させながらシリコン基板
３３を加熱手段５２で加熱する。これによって、チタ
ン、シリコン、ゲルマニウム等の金属の蒸気またはクラ
スターがシリコン基板３３のコンタクトホール３４内に
蒸着してバッファ層３５を形成する。その後、シリコン
基板３３を加熱手段５２で加熱しながら蒸気発生源５４
からアルミニウムまたはアルミニウム合金を蒸発させて
コンタクトホール３４内に蒸着させて配線層３１を形成
すると、バッファ層３５に蒸着したアルミニウムまたは
アルミニウム合金がチタン、シリコン、ゲルマニウム等
の金属と合金化して流れやすくなってコンタクトホール
３４を埋め込みながら配線層３１を形成する。
例の集積回路の製造方法について説明する。まず、真空
排気系（図示せず）によって真空槽内が１０-4Torr以下
の真空度になるまで排気した後、蒸気発生源５３からチ
タン、シリコン、ゲルマニウム等の金属の蒸気を蒸発さ
せ、イオン化手段及び加速制御手段によってこの蒸気を
真空中で加速制御しながらシリコン基板３３へ噴射する
一方、回転駆動機構５１を回転させながらシリコン基板
３３を加熱手段５２で加熱する。これによって、チタ
ン、シリコン、ゲルマニウム等の金属の蒸気またはクラ
スターがシリコン基板３３のコンタクトホール３４内に
蒸着してバッファ層３５を形成する。その後、シリコン
基板３３を加熱手段５２で加熱しながら蒸気発生源５４
からアルミニウムまたはアルミニウム合金を蒸発させて
コンタクトホール３４内に蒸着させて配線層３１を形成
すると、バッファ層３５に蒸着したアルミニウムまたは
アルミニウム合金がチタン、シリコン、ゲルマニウム等
の金属と合金化して流れやすくなってコンタクトホール
３４を埋め込みながら配線層３１を形成する。
【００４０】以上説明したように本実施例によれば、コ
ンタクトホール内のバリア層３２にバッファ層３５を設
けた後、このバッファ層３５の金属と配線層３１の金属
とを合金化しながら配線層３１をコンタクトホール３４
内に設けるようにしたため、コンタクトホール３４が微
細化してそのアスペクト比が高くなっても、その内部で
配線層３１が流動化しやすくなって配線層３１をコンタ
クトホール３４内に容易に埋め込むことができ、配線層
３１を確実に形成することができる。
ンタクトホール内のバリア層３２にバッファ層３５を設
けた後、このバッファ層３５の金属と配線層３１の金属
とを合金化しながら配線層３１をコンタクトホール３４
内に設けるようにしたため、コンタクトホール３４が微
細化してそのアスペクト比が高くなっても、その内部で
配線層３１が流動化しやすくなって配線層３１をコンタ
クトホール３４内に容易に埋め込むことができ、配線層
３１を確実に形成することができる。
【００４１】実施例４．本実施例の集積回路３０は、図
３に示すように、その層構成が図１に示す集積回路と同
様に構成されている。そして、本実施例では、バッファ
層３５の金属組成を異にする以外は実施例３と同様に構
成されている。本実施例でのバッファ層３５は、例えば
チタン、シリコン、ゲルマニウム等の金属とアルミニウ
ムの合金によって形成されている。
３に示すように、その層構成が図１に示す集積回路と同
様に構成されている。そして、本実施例では、バッファ
層３５の金属組成を異にする以外は実施例３と同様に構
成されている。本実施例でのバッファ層３５は、例えば
チタン、シリコン、ゲルマニウム等の金属とアルミニウ
ムの合金によって形成されている。
【００４２】本実施例の集積回路を上記製造装置５０を
用いて製造する際には、蒸気発生源５３からチタン、シ
リコン、ゲルマニウム等の金属の蒸気を蒸発させると共
に、蒸気発生源５４からアルミニウムまたはアルミニウ
ム合金を蒸発させ、これらの両金属をシリコン基板３３
のコンタクトホール３４内に同時に蒸着させてチタン、
シリコン、ゲルマニウム等の金属とアルミニウムまたは
アルミニウム合金との合金からなるバッファ層３５を形
成する以外は実施例３と同要領で配線層３１を形成する
ことによって配線層３１の金属をコンタクトホール３４
内に容易に埋め込むことができる。
用いて製造する際には、蒸気発生源５３からチタン、シ
リコン、ゲルマニウム等の金属の蒸気を蒸発させると共
に、蒸気発生源５４からアルミニウムまたはアルミニウ
ム合金を蒸発させ、これらの両金属をシリコン基板３３
のコンタクトホール３４内に同時に蒸着させてチタン、
シリコン、ゲルマニウム等の金属とアルミニウムまたは
アルミニウム合金との合金からなるバッファ層３５を形
成する以外は実施例３と同要領で配線層３１を形成する
ことによって配線層３１の金属をコンタクトホール３４
内に容易に埋め込むことができる。
【００４３】実施例５．本実施例の集積回路は、そのバ
ッファ層３５が配線層３１に接近するにつれてチタン、
シリコン、ゲルマニウム等の金属の組成がアルミニウム
の組成に対して逓減するように形成されている以外は実
施例４と同様に構成されている。本実施例の集積回路を
製造する場合には、実施例４の場合とは異なり、バッフ
ァ層３５を設けるに際し、チタン、シリコン、ゲルマニ
ウム等の金属とアルミニウムまたはアルミニウム合金と
を同時に蒸着させると共に、蒸着が進むにつれて前者の
金属の蒸着量を逓減させるか、あるいは後者の金属を逓
増させるようにすればよい。
ッファ層３５が配線層３１に接近するにつれてチタン、
シリコン、ゲルマニウム等の金属の組成がアルミニウム
の組成に対して逓減するように形成されている以外は実
施例４と同様に構成されている。本実施例の集積回路を
製造する場合には、実施例４の場合とは異なり、バッフ
ァ層３５を設けるに際し、チタン、シリコン、ゲルマニ
ウム等の金属とアルミニウムまたはアルミニウム合金と
を同時に蒸着させると共に、蒸着が進むにつれて前者の
金属の蒸着量を逓減させるか、あるいは後者の金属を逓
増させるようにすればよい。
【００４４】本実施例によれば、コンタクトホール３４
に形成されたバリア層３２の表面に、チタン、シリコ
ン、ゲルマニウム等の金属の組成が配線層３１に接近す
るにつれてアルミニウムの組成に対して逓減するバッフ
ァ層３５を設けるため、このコンタクトホール３４内に
アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線層３
１を埋め込む際に、アルミニウムまたはアルミニウム合
金がバッファ層３５表面の合金と合金化して配線層３１
の金属の融点が低下し、その合金がコンタクトホール３
４内で流動化して配線層３１を形成する金属をコンタク
トホール３４内に迅速且つ容易に埋め込むことができ
る。
に形成されたバリア層３２の表面に、チタン、シリコ
ン、ゲルマニウム等の金属の組成が配線層３１に接近す
るにつれてアルミニウムの組成に対して逓減するバッフ
ァ層３５を設けるため、このコンタクトホール３４内に
アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線層３
１を埋め込む際に、アルミニウムまたはアルミニウム合
金がバッファ層３５表面の合金と合金化して配線層３１
の金属の融点が低下し、その合金がコンタクトホール３
４内で流動化して配線層３１を形成する金属をコンタク
トホール３４内に迅速且つ容易に埋め込むことができ
る。
【００４５】なお、、上記実施例３〜５では、バッファ
層を形成する金属としてチタン、シリコン、ゲルマニウ
ムを例に挙げて説明したが、このバッファ層を形成する
金属は、アルミニウムと合金を作りやすい金属であれ
ば、チタン、シリコン、ゲルマニウムに制限されるもの
でないことはいうまでもなく、また、基板がコンタクト
ホール及びスルーホールの双方を有する場合にはこれら
両者にバッファ層を設けることができることはいうまで
もない。
層を形成する金属としてチタン、シリコン、ゲルマニウ
ムを例に挙げて説明したが、このバッファ層を形成する
金属は、アルミニウムと合金を作りやすい金属であれ
ば、チタン、シリコン、ゲルマニウムに制限されるもの
でないことはいうまでもなく、また、基板がコンタクト
ホール及びスルーホールの双方を有する場合にはこれら
両者にバッファ層を設けることができることはいうまで
もない。
【００４６】
【発明の効果】本発明の請求項１によれば、バリア層を
酸素及び炭素を含有する窒化チタンによって形成したこ
とにより、配線層と基板間、配線層と他の構成層間の相
互作用や拡散作用を防止することができるバリア層を有
する集積回路を提供することができる。
酸素及び炭素を含有する窒化チタンによって形成したこ
とにより、配線層と基板間、配線層と他の構成層間の相
互作用や拡散作用を防止することができるバリア層を有
する集積回路を提供することができる。
【００４７】本発明の請求項２によれば、バリア層を炭
素を含有する窒化チタンによって形成したことにより、
配線層と基板間、配線層と他の構成層間の相互作用や拡
散作用を防止することができるバリア層を有する集積回
路を提供することができる。
素を含有する窒化チタンによって形成したことにより、
配線層と基板間、配線層と他の構成層間の相互作用や拡
散作用を防止することができるバリア層を有する集積回
路を提供することができる。
【００４８】本発明の請求項３によれば、密着層を酸素
及び炭素を含有するチタンによって形成したことによ
り、電気的コンタクト性に優れた密着層を有する集積回
路を提供することができる。
及び炭素を含有するチタンによって形成したことによ
り、電気的コンタクト性に優れた密着層を有する集積回
路を提供することができる。
【００４９】本発明の請求項４によれば、密着層を酸素
または炭素を含有するチタンによって形成したことによ
り、電気的コンタクト性に優れた密着層を有する集積回
路を提供することができる。
または炭素を含有するチタンによって形成したことによ
り、電気的コンタクト性に優れた密着層を有する集積回
路を提供することができる。
【００５０】本発明の請求項５に記載の発明によれば、
コンタクトホールに配線層の下地として形成されたバリ
ア層の表面に、配線層と合金を作りやすい金属からなる
バッファ層を設けたため、集積回路が微細化してもコン
タクトホール内で配線層の金属を流動化させてその内部
に金属を円滑に埋め込んで配線層を容易に設けることが
できる集積回路を提供することができる。
コンタクトホールに配線層の下地として形成されたバリ
ア層の表面に、配線層と合金を作りやすい金属からなる
バッファ層を設けたため、集積回路が微細化してもコン
タクトホール内で配線層の金属を流動化させてその内部
に金属を円滑に埋め込んで配線層を容易に設けることが
できる集積回路を提供することができる。
【００５１】また、本発明の請求項６に記載の発明によ
れば、コンタクトホールにアルミニウムまたはアルミニ
ウム合金からなる配線層の下地として形成された窒化チ
タンからなるバリア層の表面に、チタン、シリコン、ゲ
ルマニウム等のアルミニウムと合金を作りやすい金属か
らなるバッファ層を設けたため、集積回路が微細化して
もコンタクトホール内で配線層のアルミニウムまたはア
ルミニウム合金を流動化させてその内部にアルミニウム
またはアルミニウム合金を円滑に埋め込んで配線層を容
易に設けることができる集積回路を提供することができ
る。
れば、コンタクトホールにアルミニウムまたはアルミニ
ウム合金からなる配線層の下地として形成された窒化チ
タンからなるバリア層の表面に、チタン、シリコン、ゲ
ルマニウム等のアルミニウムと合金を作りやすい金属か
らなるバッファ層を設けたため、集積回路が微細化して
もコンタクトホール内で配線層のアルミニウムまたはア
ルミニウム合金を流動化させてその内部にアルミニウム
またはアルミニウム合金を円滑に埋め込んで配線層を容
易に設けることができる集積回路を提供することができ
る。
【００５２】また、本発明の請求項７に記載の発明によ
れば、コンタクトホールにアルミニウムまたはアルミニ
ウム合金からなる配線層の下地として形成された窒化チ
タンからなるバリア層の表面に、チタン、シリコン、ゲ
ルマニウム等の金属とアルミニウムとの合金からなるバ
ッファ層を設けたため、集積回路が微細化してもコンタ
クトホール内で配線層のアルミニウムまたはアルミニウ
ム合金を流動化させてその内部にアルミニウムまたはア
ルミニウム合金を円滑に埋め込んで配線層を容易に設け
ることができる集積回路を提供することができる。
れば、コンタクトホールにアルミニウムまたはアルミニ
ウム合金からなる配線層の下地として形成された窒化チ
タンからなるバリア層の表面に、チタン、シリコン、ゲ
ルマニウム等の金属とアルミニウムとの合金からなるバ
ッファ層を設けたため、集積回路が微細化してもコンタ
クトホール内で配線層のアルミニウムまたはアルミニウ
ム合金を流動化させてその内部にアルミニウムまたはア
ルミニウム合金を円滑に埋め込んで配線層を容易に設け
ることができる集積回路を提供することができる。
【００５３】また、本発明の請求項８に記載の発明によ
れば、コンタクトホールにアルミニウムまたはアルミニ
ウム合金からなる配線層の下地として形成された窒化チ
タンからなるバリア層の表面に、チタン、シリコン、ゲ
ルマニウム等の金属とアルミニウムとのバッファ層を設
けると共に、このバッファ層は上記配線層に接近するに
つれてチタン、シリコン、ゲルマニウム等の金属の組成
がアルミニウムの組成に対して逓減するようにしたた
め、集積回路が微細化してもコンタクトホール内でアル
ミニウムまたはアルミニウム合金を流動化させてその内
部にアルミニウムまたはアルミニウム合金を円滑に埋め
込んで配線層を容易に設けることができる集積回路を提
供することができる。
れば、コンタクトホールにアルミニウムまたはアルミニ
ウム合金からなる配線層の下地として形成された窒化チ
タンからなるバリア層の表面に、チタン、シリコン、ゲ
ルマニウム等の金属とアルミニウムとのバッファ層を設
けると共に、このバッファ層は上記配線層に接近するに
つれてチタン、シリコン、ゲルマニウム等の金属の組成
がアルミニウムの組成に対して逓減するようにしたた
め、集積回路が微細化してもコンタクトホール内でアル
ミニウムまたはアルミニウム合金を流動化させてその内
部にアルミニウムまたはアルミニウム合金を円滑に埋め
込んで配線層を容易に設けることができる集積回路を提
供することができる。
【図１】本発明の集積回路の一実施例の多層配線部を模
式的に拡大して示す断面図である。
式的に拡大して示す断面図である。
【図２】本発明の集積回路の他の実施例の多層配線部を
模式的に拡大して示す断面図である。
模式的に拡大して示す断面図である。
【図３】本発明の集積回路の更に他の実施例の多層配線
部を模式的に拡大して示す断面図である。
部を模式的に拡大して示す断面図である。
【図４】本発明の集積回路を製造する場合に好適に用い
られる製造装置の一例を示す構成図で、同図（ａ）はそ
の側面図、同図（ｂ）はその下方からの平面図ある。
られる製造装置の一例を示す構成図で、同図（ａ）はそ
の側面図、同図（ｂ）はその下方からの平面図ある。
【図５】従来の集積回路の一例の多層配線部を模式的に
拡大して示す断面図である。
拡大して示す断面図である。
【図６】従来の集積回路の他の例の多層配線部を模式的
に拡大して示す断面図である。
に拡大して示す断面図である。
１０ 集積回路 １１、１６ メタル配線層 １４、１９ バリア層 １５、２０ 密着層 ２１ シリコン基板 ３０ 集積回路 ３１ 配線層 ３２ バリア層 ３３ シリコン基板 ３４ コンタクトホール ３５ バッファ層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年９月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/46 Ｒ 9055−4Ｍ
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上にバリア層を介して配線層を形成
した集積回路において、上記バリア層を酸素及び炭素を
含有する窒化チタンによって形成したことを特徴とする
集積回路。 - 【請求項２】 基板上にバリア層を介して配線層を形成
した集積回路において、上記バリア層を炭素を含有する
窒化チタンで形成したことを特徴とする集積回路。 - 【請求項３】 上記バリア層の下地として酸素及び炭素
を含有するチタンからなる密着層を設けたことを特徴と
する請求項１または請求項２に記載の集積回路。 - 【請求項４】 上記密着層が炭素または酸素を含有する
チタンからなることを特徴とする請求項３に記載の集積
回路。 - 【請求項５】 コンタクトホール及び／またはスルーホ
ールに形成された配線層とこの配線層の下地として形成
されたバリア層との間に、上記配線層と合金を作りやす
い金属からなるバッファ層を設けたことを特徴とする集
積回路。 - 【請求項６】 コンタクトホール及び／またはスルーホ
ールに形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金
からなる配線層とこの配線層の下地として形成された窒
化チタンからなるバリア層との間に、チタン、シリコ
ン、ゲルマニウム等のアルミニウムと合金を作りやすい
金属からなるバッファ層を設けたことを特徴とする集積
回路。 - 【請求項７】 コンタクトホール及び／またはスルーホ
ールに形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金
からなる配線層とこの配線層の下地として形成された窒
化チタンからなるバリア層との間に、チタン、シリコ
ン、ゲルマニウム等の金属とアルミニウムとの合金から
なるバッファ層を設けたことを特徴とする集積回路。 - 【請求項８】 コンタクトホール及び／またはスルーホ
ールに形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金
からなる配線層とこの配線層の下地として形成された窒
化チタンからなるバリア層との間に、チタン、シリコ
ン、ゲルマニウム等の金属とアルミニウムとのバッファ
層を設けると共に、このバッファ層は上記配線層に接近
するにつれてチタン、シリコン、ゲルマニウム等の金属
の組成がアルミニウムの組成に対して逓減することを特
徴とする集積回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4308599A JPH0677337A (ja) | 1992-06-24 | 1992-11-18 | 集積回路 |
| KR1019930000136A KR0126457B1 (ko) | 1992-01-08 | 1993-01-07 | 집적회로, 그 제조방법 및 그 박막형성장치 |
| EP93100189A EP0551117A2 (en) | 1992-01-08 | 1993-01-07 | Large scale integrated circuit device and thin film forming method and apparatus for the same |
| US08/414,014 US5561326A (en) | 1992-01-08 | 1995-03-30 | Large scale integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16601092 | 1992-06-24 | ||
| JP4-166010 | 1992-06-24 | ||
| JP4308599A JPH0677337A (ja) | 1992-06-24 | 1992-11-18 | 集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677337A true JPH0677337A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=26490542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4308599A Pending JPH0677337A (ja) | 1992-01-08 | 1992-11-18 | 集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677337A (ja) |
-
1992
- 1992-11-18 JP JP4308599A patent/JPH0677337A/ja active Pending
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