JPH0677329A - 半導体集積回路のマスクパターン検証方法 - Google Patents

半導体集積回路のマスクパターン検証方法

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Publication number
JPH0677329A
JPH0677329A JP4136431A JP13643192A JPH0677329A JP H0677329 A JPH0677329 A JP H0677329A JP 4136431 A JP4136431 A JP 4136431A JP 13643192 A JP13643192 A JP 13643192A JP H0677329 A JPH0677329 A JP H0677329A
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JP
Japan
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pattern
block
wiring
error
mask pattern
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4136431A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisamitsu Aizawa
久光 相澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH0677329A publication Critical patent/JPH0677329A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体集積回路のマスクパターン検集処理にお
いて、ブロック内とブロック間の配線の短絡を検証する
場合、ブロック端子からの引出し配線を識別し、疑似エ
ラーを回避するマスクパターン検証方法を提供する。 【構成】ブロック内配線11、12とブロック間配線3
1、32との図形演算処理を施し、配線の重なり部分4
1、42、43を抽出し、ブロック内端子テキスト2
1、22を同データに統合し、端子テキストの配置され
ているエラーパターン41、42を排除することによ
り、真のエラーパターン43を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路のマスク
パターン検証方法に係わり、特に自動検証を行う場合の
疑似エラー部分を排除することが可能な半導体集積回路
のマスクパターン検証方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体集積回路のマスクパターン
検証方法では、図形演算を施することにより行ってい
た。たとえば、設計されたいくつかのブロック同士を配
線してレイアウトを行う場合を考えてみると、ブロック
内のレイアウトパターンに使用されているマスクパター
ン層の上に、同層のブロック間の配線パターンを配置す
れば、そのブロック内の配線とブロック間の配線とは接
続されていることになり、もしその配線同士が異なる信
号の配線であったとすると誤った接続となるためエラー
となる。したがって、このようなブロック内のレイアウ
トパターン上を同層のブロック間の配線パターンが通過
しているかを調べるためには、ブロック内とブロック間
の同層のパターン同士をAND図形演算を行うことによ
り検出することができる。
【0003】しかしながら、このブロック内とブロック
間との図形演算によって検出できる部分は、同じ層同士
の重なり部分すべてであるため、ブロック間の接続を行
うためブロックの端子部分から引き出された配線とブロ
ック内の端子部分の配線との重なり部分も検出されてし
まうことになる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の半導
体集積回路のマスクパターン検証方法では、ブロック内
のレイアウトパターンとブロック間のレイアウトパター
ンとの不所望な短絡エラーを検証する場合、実際のレイ
アウトパターンの短絡部分とともに、ブロック端子部分
から引き出された配線部分での所定の重なりが同様に検
出されてしまい、その両者を区別することは自動化が困
難であった。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
のマスクパターン検証方法では、図形演算によりエラー
部分の図形を抽出する処理手段と、疑似エラー部分を示
すテキストデータを抽出する処理手段と、前記エラー部
分図形と疑似エラーテキストデータとを照合して疑似エ
ラー図形を排除する処理手段とを備えている。
【0006】すなわち前述した従来の半導体集積回路の
マスクパターン検証方法に対して、本発明では疑似エラ
ー部分を表すテキストデータを設けておき、図形演算に
より抽出された図形から、真のエラー部分と疑似エラー
部分とを判別する処理を有するという相違点を有する。
【0007】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0008】図1は本発明の第1の実施例の半導体集積
回路のマスクパターン検証方法の処理フロー図であり、
図2は第1の実施例の処理を説明するためのレイアウト
パターン例の平面図である。
【0009】まず、図1の処理手段1の図形演算処理に
より、入力されたマスクパターンに図形演算を施し、エ
ラー部分の図形を抽出する。入力するパターンの例とし
て、図2(a)で示されるレイアウトパターンをもつブ
ロックの間を、図2(b)のように配線した場合を考え
てみる。
【0010】ここで、ブロック内では配線パターン11
を介してブロック端子21に接続し、配線パターン12
を介してブロック端子22に接続している(図2
(a))。一方、ブロック間のレイアウトでは、このブ
ロックのブロック端子21からブロック間配線31が配
線され、ブロック端子22からブロック間配線32が配
線されている(図2(b))。
【0011】このブロック内の配線パターン11、12
と、ブロック間の配線パターン31、32のAND図形
演算を施すと、図2(c)のようなパターンが得られ
る。すなわち、これはブロック内の配線パターンとブロ
ック間の配線パターンとが重なっている部分を表してい
る。
【0012】次に、図1の処理手段2のテキストデータ
抽出処理により、図2(a)のブロック内レイアウトパ
ターン中のブロック端子位置に付加されたテキストデー
タ21、22を抽出し、図形演算により得られた図2
(c)のパターンに統合すると、図2(d)のようなエ
ラーパターン41、42、43が得られる。最後に、図
1の処理手段3の疑似エラー部排除処理を施すことによ
り、疑似エラー部分を取り除き、真のエラー部分だけを
抽出する。
【0013】すなわち、ブロック間の配線パターン3
1、32はブロックの端子部分から配線が引き出されて
いるため、図2(d)において、エラーパターンの辺上
にテキストデータが配置されているものは、端子部分か
らの引出し配線と判断できる。そこで、図2(d)内の
エラーパターン41、42、43のうち、配置されてい
るテキストデータ21が辺上に配置されているエラーパ
ターン41、およびテキストデータ22が辺上に配置さ
れているエラーパターン42は端子部分からの引出し配
線として識別でき、このエラーパターン41、42を排
除すると、図2(e)のように配線パターン11と配線
パターン32とが重なった部分のエラーパターン43の
みが残ることになる。
【0014】すなわち、このエラーパターン43はブロ
ック内の配線パターンとブロック間の配線パターンとが
不所望に短絡しているエラー部分を表すものとなる。
【0015】図3は本発明の第2の実施例の半導体集積
回路のマスクパターン検証方法の処理フロー図であり、
図4は、第2の実施例の処理を説明するためのレイアウ
トパターン例の平面図である。
【0016】この第2の実施例では、処理手段2のテキ
ストデータ抽出処理の後に処理手段4の等電位追跡処理
を行っている。
【0017】すなわち、図4(a)で示されるレイアウ
トパターンをもつブロックの間を、図4(b)のように
配線した場合を考えてみる。ここで、ブロック内ではブ
ロック端子23までの配線が第1の配線層の配線パター
ン13からスルーホール14および第2の配線層の配線
パターン15を介して接続されている。また、第1の配
線層の配線パターン16からスルーホール17を通して
第2の配線層の配線パターン18が接続されている(図
4(a))。一方、ブロック間のレイアウトでは、この
ブロックのブロック端子23から第2の配線層の配線パ
ターン33からスルーホール34を介して第1の配線層
の配線パターン35に接続されている。
【0018】このブロック内の配線パターン13、15
およびスルーホール14ならびに配線パターン16、1
8およびスルーホール17と、ブロック間の配線パター
ン33、35およびスルーホール34の同層同士のAN
D図形演算(図3の処理手段1)を施すと、図4(c)
のようなパターンが得られる。すなわち、これはブロッ
ク内の配線パターンとブロック間の配線パターンとが重
なっている部分を表している。
【0019】次に、図3の処理手段2のテキストデータ
抽出処理により、図4(a)のブロック内レイアウトパ
ターン中のブロック端子位置に付加されたテキストデー
タ23を抽出し、図形演算により得られた図3(c)の
パターンに統合すると、図4(d)のようなエラーパタ
ーン44、45、46、47が得られる。ここで、図3
の処理手段4の等電位追跡処理を端子テキストデータの
部分から行うと44のパターン、45のパターン、46
のパターンが等電位として抽出できる。最後に、図3の
処理手段3の疑似エラー部排除処理により、処理手段4
で抽出されたパターン44、45、46を取り除くこと
により、真のエラー部分だけを抽出して、図4(d)の
ような配線パターン16と配線パターン35とが重なっ
た部分のエラーパターン47のみが検出できる。したが
って、本実施例においては等電位追跡を加えることによ
り、複数層にまたがる疑似エラーを排除できるという利
点がある。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、レイアウ
トパターン中からマスクパターン検証で疑似エラーを識
別するためのテキストデータを抽出する処理を行い、疑
似エラーとなるパターンを排除する処理を行うことによ
り、従来、不可能であった疑似エラーと真のエラーとの
判別を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の処理フロー図。
【図2】本発明の第1の実施例の処理を説明するための
レイアウトパターン図であり、(a)はブロック内のレ
イアウトパターン図、(b)はブロック間を配線するレ
イアウトパターン図、(c)は図形演算処理によって得
られたレイアウトエラーパターン図、(d)はテキスト
データ抽出後のレイアウトエラーパターン図、(e)は
疑似エラー排除処理後のレイアウトエラーパターン図。
【図3】本発明の第2の実施例の処理フロー図。
【図4】図4は本発明の第2の実施例の処理を説明する
ためのパターン図であり、(a)はブロック内のレイア
ウトパターン図、(b)はブロック間を配線するレイア
ウトパターン図、(c)は図形演算処理によって得られ
たレイアウトエラーパターン図、(d)はテキストデー
タ抽出後のレイアウトエラーパターン図、(e)は疑似
エラー排除処理後のレイアウトエラーパターン図であ
る。
【符号の説明】
11、12 ブロック内配線 13、16 ブロック内第1層配線 15、18 ブロック内第2層配線 14、17 ブロック内スルーホール 21、22、23 ブロック端子テキスト 31、32 ブロック間配線 33 ブロック間第2層配線 35 ブロック間第1層配線 34 ブロック間スルーホール 41〜47 図形演算エラーパターン

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体集積回路のマスクパターンから図
    形演算によりエラー部分の図形を抽出する処理手段と、
    疑似エラー部分を示すテキストデータを抽出する処理手
    段と、前記エラー部分図形と疑似エラーテキストデータ
    とを照合して疑似エラー図形を排除する処理手段とを有
    する半導体集積回路のマスクパターン検証方法。
JP4136431A 1992-05-28 1992-05-28 半導体集積回路のマスクパターン検証方法 Withdrawn JPH0677329A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4136431A JPH0677329A (ja) 1992-05-28 1992-05-28 半導体集積回路のマスクパターン検証方法

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4136431A JPH0677329A (ja) 1992-05-28 1992-05-28 半導体集積回路のマスクパターン検証方法

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JPH0677329A true JPH0677329A (ja) 1994-03-18

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ID=15174986

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JP4136431A Withdrawn JPH0677329A (ja) 1992-05-28 1992-05-28 半導体集積回路のマスクパターン検証方法

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Effective date: 19990803