JPH0677190A - ウェーハの製造方法 - Google Patents
ウェーハの製造方法Info
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- JPH0677190A JPH0677190A JP23202491A JP23202491A JPH0677190A JP H0677190 A JPH0677190 A JP H0677190A JP 23202491 A JP23202491 A JP 23202491A JP 23202491 A JP23202491 A JP 23202491A JP H0677190 A JPH0677190 A JP H0677190A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 湾曲をともなう基板上に、単結晶、多結晶又
は非晶質のシリコンからなる層を、所望の厚さで且つ無
歪鏡面状態で形成することのできるウェーハの製造方法
を提供する。 【構成】 シリコン基板３２の表面に、ＳｉＯ2、Ｓｉ
Ｃ、Ｓｉ3Ｎ4等からなるストッパー３４…を形成し（ス
トッパー形成工程）、次いで、ストッパー３４…によっ
て形成された凹凸を埋める厚さのシリコン層３８を積層
する（積層工程）。しかる後、平坦に形成された定盤の
表面に、剛体からなる多数のセルを、弾性部材を介して
取着してなる研磨板を用い、この研磨板の前記多数のセ
ルの表面と、前記積層工程で積層されたシリコン層３８
との間に、高純度シリカの微粒子からなる研磨剤が分散
されたアルカリ溶液を供給しつつ、前記研磨板と前記シ
リコン層３８の相対的加圧移動により、該シリコン層３
８を鏡面研磨する。
は非晶質のシリコンからなる層を、所望の厚さで且つ無
歪鏡面状態で形成することのできるウェーハの製造方法
を提供する。 【構成】 シリコン基板３２の表面に、ＳｉＯ2、Ｓｉ
Ｃ、Ｓｉ3Ｎ4等からなるストッパー３４…を形成し（ス
トッパー形成工程）、次いで、ストッパー３４…によっ
て形成された凹凸を埋める厚さのシリコン層３８を積層
する（積層工程）。しかる後、平坦に形成された定盤の
表面に、剛体からなる多数のセルを、弾性部材を介して
取着してなる研磨板を用い、この研磨板の前記多数のセ
ルの表面と、前記積層工程で積層されたシリコン層３８
との間に、高純度シリカの微粒子からなる研磨剤が分散
されたアルカリ溶液を供給しつつ、前記研磨板と前記シ
リコン層３８の相対的加圧移動により、該シリコン層３
８を鏡面研磨する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、基板上に、単結晶、
多結晶又は非晶質のシリコンからなる層を、所望の厚さ
で且つ無歪鏡面な状態で形成するためのウェーハの製造
方法に関する。
多結晶又は非晶質のシリコンからなる層を、所望の厚さ
で且つ無歪鏡面な状態で形成するためのウェーハの製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】従来、基板上に、単結晶、
多結晶又は非晶質のシリコンからなる層を、所望の厚さ
で且つ無歪鏡面状態で形成することは極めて難しかっ
た。この方法として、本出願人は、特開平２−２８９２
５号公報において、基板の表面にメカノケミカル研磨さ
れにくい材料からなるストッパーを形成した後、このス
トッパーの表面にシリコン層を形成し、このシリコン層
を、表面が平坦かつ平滑な定盤を用い、高純度シリカの
微粒子が分散されたアルカリ溶液を供給しつつ、該定盤
の表面で無歪鏡面研磨するウェーハの製造方法を提供し
ている。
多結晶又は非晶質のシリコンからなる層を、所望の厚さ
で且つ無歪鏡面状態で形成することは極めて難しかっ
た。この方法として、本出願人は、特開平２−２８９２
５号公報において、基板の表面にメカノケミカル研磨さ
れにくい材料からなるストッパーを形成した後、このス
トッパーの表面にシリコン層を形成し、このシリコン層
を、表面が平坦かつ平滑な定盤を用い、高純度シリカの
微粒子が分散されたアルカリ溶液を供給しつつ、該定盤
の表面で無歪鏡面研磨するウェーハの製造方法を提供し
ている。
【０００３】図１０におけるウェーハ２は、シリコン基
板４上に、多数のストッパー６を一直線方向及びこれに
直交する方向に互いに一定間隔ずつ離間するように形成
し、このストッパー６…を覆うようにシリコン層８を化
学的気層成長法により形成したものである。また、同図
において、符号１０は表面が平坦かつ平滑な定盤であ
る。
板４上に、多数のストッパー６を一直線方向及びこれに
直交する方向に互いに一定間隔ずつ離間するように形成
し、このストッパー６…を覆うようにシリコン層８を化
学的気層成長法により形成したものである。また、同図
において、符号１０は表面が平坦かつ平滑な定盤であ
る。
【０００４】この定盤１０の表面１０ａとシリコン層８
との間に、高純度シリカの微粒子が分散されたアルカリ
溶液を滴下しつつ、定盤１０とウェーハ２との間に相対
運動を行わせて、定盤１０の表面１０ａがストッパー６
に当接するまでシリコン層８を研磨してゆくと（図１１
参照）、ストッパー６とストッパー６の間に、均一な厚
さのシリコン層８ａが形成される。
との間に、高純度シリカの微粒子が分散されたアルカリ
溶液を滴下しつつ、定盤１０とウェーハ２との間に相対
運動を行わせて、定盤１０の表面１０ａがストッパー６
に当接するまでシリコン層８を研磨してゆくと（図１１
参照）、ストッパー６とストッパー６の間に、均一な厚
さのシリコン層８ａが形成される。
【０００５】ところが、上記のようにしてシリコン層８
ａを形成する場合、ウェーハ２（シリコン基板４の表
面）は、図１０に示すように、多少なりとも湾曲してい
るものがあり（図１０は湾曲を強調してある。）、この
ようなものにおいては、図１２に示すように、形成され
たシリコン層１０ａの厚さが一定にならないという課題
があった。本発明は上記の如き課題を解決することので
きるウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
ａを形成する場合、ウェーハ２（シリコン基板４の表
面）は、図１０に示すように、多少なりとも湾曲してい
るものがあり（図１０は湾曲を強調してある。）、この
ようなものにおいては、図１２に示すように、形成され
たシリコン層１０ａの厚さが一定にならないという課題
があった。本発明は上記の如き課題を解決することので
きるウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、（Ａ）平坦
な表面を有するシリコン基板の少なくとも一方の面に、
シリコンに比べてメカノケミカル研磨され難い材料から
なるストッパーを形成する、ストッパー形成工程と、
（Ｂ）前記シリコン基板に、少なくとも前記ストッパー
によって形成された凹凸を埋める厚さのシリコン層を積
層する、積層工程と、（Ｃ）平坦に形成された定盤の表
面に、剛体からなる多数のセルを、弾性部材を介して取
着してなる研磨板を用い、この研磨板の前記多数のセル
の表面と、前記積層工程で積層されたシリコン層との間
に、高純度シリカの微粒子からなる研磨剤が分散された
アルカリ溶液を供給しつつ、前記研磨板と前記シリコン
層の相対的加圧移動により、該シリコン層を鏡面研磨す
る研磨工程とからなることを特徴とする。
な表面を有するシリコン基板の少なくとも一方の面に、
シリコンに比べてメカノケミカル研磨され難い材料から
なるストッパーを形成する、ストッパー形成工程と、
（Ｂ）前記シリコン基板に、少なくとも前記ストッパー
によって形成された凹凸を埋める厚さのシリコン層を積
層する、積層工程と、（Ｃ）平坦に形成された定盤の表
面に、剛体からなる多数のセルを、弾性部材を介して取
着してなる研磨板を用い、この研磨板の前記多数のセル
の表面と、前記積層工程で積層されたシリコン層との間
に、高純度シリカの微粒子からなる研磨剤が分散された
アルカリ溶液を供給しつつ、前記研磨板と前記シリコン
層の相対的加圧移動により、該シリコン層を鏡面研磨す
る研磨工程とからなることを特徴とする。
【０００７】なお、本明細書において、剛体とは、研磨
対象となるウェーハの被研磨面よりも硬度の高い材質か
らなる部材をいうものとする。
対象となるウェーハの被研磨面よりも硬度の高い材質か
らなる部材をいうものとする。
【０００８】
【作用】本発明に係るウェーハの製造方法によれば、剛
体からなる多数のセルは弾性部材を介して定盤に取着さ
れているため、研磨工程において、積層工程において積
層されたシリコン層を研磨する際、該セルが被研磨面の
形状に沿って微小に上下動を行いながら、ストッパーに
当接するまで研磨を行う。従って、シリコン基板の形状
に沿って、積層されたシリコン層の研磨が行われ、シリ
コン基板が湾曲をともなう場合においても、シリコン基
板の表面から一定の厚さのシリコン層が形成される。
体からなる多数のセルは弾性部材を介して定盤に取着さ
れているため、研磨工程において、積層工程において積
層されたシリコン層を研磨する際、該セルが被研磨面の
形状に沿って微小に上下動を行いながら、ストッパーに
当接するまで研磨を行う。従って、シリコン基板の形状
に沿って、積層されたシリコン層の研磨が行われ、シリ
コン基板が湾曲をともなう場合においても、シリコン基
板の表面から一定の厚さのシリコン層が形成される。
【０００９】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例を
説明する。まず、研磨工程において用いられる研磨装置
について、図１及び図２を参照して説明する。
説明する。まず、研磨工程において用いられる研磨装置
について、図１及び図２を参照して説明する。
【００１０】図１は研磨装置を示す側面図であり、同図
において、１２は上定盤、１４は下定盤であり、ともに
円板形を呈し、互いに対向する各表面は平坦に形成され
ている。これら各定盤１２、１４に連結された支持軸１
６、１８は、図示されない駆動手段に連結されて軸線回
りに回転可能とされており、さらに支持軸１６は上下方
向に昇降可能とされている。上定盤１２と支持軸１６の
間にはボールベアリング１５が配設されている。
において、１２は上定盤、１４は下定盤であり、ともに
円板形を呈し、互いに対向する各表面は平坦に形成され
ている。これら各定盤１２、１４に連結された支持軸１
６、１８は、図示されない駆動手段に連結されて軸線回
りに回転可能とされており、さらに支持軸１６は上下方
向に昇降可能とされている。上定盤１２と支持軸１６の
間にはボールベアリング１５が配設されている。
【００１１】上定盤１２の下面外周部には、キャリア樹
脂（テンプレート）２０が固着されており、このキャリ
ア樹脂２０の内径部に、後述する図６に示すウェーハ２
２が、その上面を上定盤１２の下面と水接着されて配置
されている。
脂（テンプレート）２０が固着されており、このキャリ
ア樹脂２０の内径部に、後述する図６に示すウェーハ２
２が、その上面を上定盤１２の下面と水接着されて配置
されている。
【００１２】下定盤１４の上面には、円板状のスポンジ
ゴム（弾性部材に相当）２４が接着固定されている。こ
のスポンジゴム２４は、ゴム、エラストマ系樹脂発泡体
等からなるものである。
ゴム（弾性部材に相当）２４が接着固定されている。こ
のスポンジゴム２４は、ゴム、エラストマ系樹脂発泡体
等からなるものである。
【００１３】スポンジゴム２４の上面には、正方形板状
の多数のセラミックセル２６…が、図２に示すように、
平面視において円板の中心から放射線状に固定配置され
ている。このセラミックセル２６は、Ａｌ2Ｏ3等からな
るものである。また、このセラミックセル２６の一辺の
長さＬ１は、ウェーハ２２に形成されたストッパーとス
トッパーの間隔Ｌ２（図５、図６参照）よりも大きく、
且つ、Ｌ２の１０００倍より小さく形成される。
の多数のセラミックセル２６…が、図２に示すように、
平面視において円板の中心から放射線状に固定配置され
ている。このセラミックセル２６は、Ａｌ2Ｏ3等からな
るものである。また、このセラミックセル２６の一辺の
長さＬ１は、ウェーハ２２に形成されたストッパーとス
トッパーの間隔Ｌ２（図５、図６参照）よりも大きく、
且つ、Ｌ２の１０００倍より小さく形成される。
【００１４】セラミックセル２６…の上面には、ウレタ
ンパッド２８が被着されている。このウレタンパッド２
８は、セラミックセル２６による研磨量を調整するため
のものであり、必ずしも設けなくてもよい。
ンパッド２８が被着されている。このウレタンパッド２
８は、セラミックセル２６による研磨量を調整するため
のものであり、必ずしも設けなくてもよい。
【００１５】なお、前述の、下定盤１４、スポンジゴム
２４及びセラミックセル２６…は、研磨板を構成する。
２４及びセラミックセル２６…は、研磨板を構成する。
【００１６】次に、ストッパー形成工程について説明す
る。図４及び図５に示すように、シリコン基板３２の表
面に、形成すべきシリコン層の厚さと同一の厚さを有す
るストッパー３４…及び必要によって絶縁部分３６…を
形成する。本実施例では、ストッパー３４…を、図５に
示すように、平面視において一直線方向及びこれに直交
する方向に、互いに一定間隔ずつ離間するように配列し
ており、これにより、これらストッパー３４…の内側
に、平面視において正方形状の凹空間３４ｃ（図４、図
５参照）が多数形成される。
る。図４及び図５に示すように、シリコン基板３２の表
面に、形成すべきシリコン層の厚さと同一の厚さを有す
るストッパー３４…及び必要によって絶縁部分３６…を
形成する。本実施例では、ストッパー３４…を、図５に
示すように、平面視において一直線方向及びこれに直交
する方向に、互いに一定間隔ずつ離間するように配列し
ており、これにより、これらストッパー３４…の内側
に、平面視において正方形状の凹空間３４ｃ（図４、図
５参照）が多数形成される。
【００１７】シリコン基板３２としては、少なくとも表
面部分が単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは高純度
石英からなるものが使用される。
面部分が単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは高純度
石英からなるものが使用される。
【００１８】また、上記ストッパー３４…の材料として
は、ＳｉＯ2などの酸化物、ＳｉＣなどの炭化物、Ｓｉ3
Ｎ4などの窒化物などのシリコンよりもメカノケミカル
研磨され難い材料が使用される。
は、ＳｉＯ2などの酸化物、ＳｉＣなどの炭化物、Ｓｉ3
Ｎ4などの窒化物などのシリコンよりもメカノケミカル
研磨され難い材料が使用される。
【００１９】次いで、積層工程について説明する。スト
ッパー３４…（及び絶縁部分３６…）の形成された基板
３２に、ＣＶＤ装置を用い、図６に示すように、単結
晶、多結晶あるいは非晶質のシリコン層３８を積層す
る。積層するシリコン層３８の厚さは、少なくとも、基
板３２の表面から突出するストッパー３４…によって形
成された凹凸が埋まる厚さとする。
ッパー３４…（及び絶縁部分３６…）の形成された基板
３２に、ＣＶＤ装置を用い、図６に示すように、単結
晶、多結晶あるいは非晶質のシリコン層３８を積層す
る。積層するシリコン層３８の厚さは、少なくとも、基
板３２の表面から突出するストッパー３４…によって形
成された凹凸が埋まる厚さとする。
【００２０】次に、研磨工程について説明する。まず、
上記図６に示したウェーハ２２を、図１に示すように、
基板３２のシリコン層３８が形成されていない側の表面
を上定盤１２の下面に水接着して固定する。
上記図６に示したウェーハ２２を、図１に示すように、
基板３２のシリコン層３８が形成されていない側の表面
を上定盤１２の下面に水接着して固定する。
【００２１】そして、下定盤１４を軸線回りに回転させ
る一方で、上定盤１２を軸線回りに下定盤１４と逆方向
に回転させつつ、下方に加圧移動せしめ、ウレタンパッ
ド２８を介してセラミックセル２６…の上面で、ウェー
ハ２２のシリコン層３８を摩擦研磨してゆく。このと
き、ウレタンパッド２８とシリコン層３８の間に、粒度
０．０２μｍ程度の高純度シリカの微粒子からなる研磨
剤が分散されたアルカリ溶液（ＰＨ１０〜１１）を滴下
しつつ研磨を行う。
る一方で、上定盤１２を軸線回りに下定盤１４と逆方向
に回転させつつ、下方に加圧移動せしめ、ウレタンパッ
ド２８を介してセラミックセル２６…の上面で、ウェー
ハ２２のシリコン層３８を摩擦研磨してゆく。このと
き、ウレタンパッド２８とシリコン層３８の間に、粒度
０．０２μｍ程度の高純度シリカの微粒子からなる研磨
剤が分散されたアルカリ溶液（ＰＨ１０〜１１）を滴下
しつつ研磨を行う。
【００２２】この研磨工程により、ウェーハ２２のシリ
コン層３８のうち、ストッパー３４の高さを越える部分
３８ａ（図６参照）が全て除去されて、図７に示すよう
にストッパー３４、３４間に一定の厚さを有するシリコ
ン層３８ｂが形成されたウェーハが製造される。
コン層３８のうち、ストッパー３４の高さを越える部分
３８ａ（図６参照）が全て除去されて、図７に示すよう
にストッパー３４、３４間に一定の厚さを有するシリコ
ン層３８ｂが形成されたウェーハが製造される。
【００２３】ウェーハ２２の研磨時において、セラミッ
クセル２６…は、スポンジゴム２４を介して下定盤１４
に固定されているため、ウェーハ２２の被研磨面が図３
のように湾曲を伴う場合においても、被研磨面の湾曲に
沿ってセラミックセル２６…が微小に上下動を行い、被
研磨面全体が均一に無歪状態で鏡面研磨される。
クセル２６…は、スポンジゴム２４を介して下定盤１４
に固定されているため、ウェーハ２２の被研磨面が図３
のように湾曲を伴う場合においても、被研磨面の湾曲に
沿ってセラミックセル２６…が微小に上下動を行い、被
研磨面全体が均一に無歪状態で鏡面研磨される。
【００２４】従って、上述のウェーハの製造方法によれ
ば、シリコン基板３２が湾曲をともなう場合でも、研磨
工程において、積層工程で積層されたシリコン層３８
を、ストッパー３４の高さに正確に研磨することがで
き、ストッパー形成工程において形成するストッパーの
厚さ（高さ）を調整することにより、シリコン基板３２
上に所望の厚さの無歪のシリコン層を形成することがで
きる。このため、製造するウェーハの歩留まりを飛躍的
に向上することができる。
ば、シリコン基板３２が湾曲をともなう場合でも、研磨
工程において、積層工程で積層されたシリコン層３８
を、ストッパー３４の高さに正確に研磨することがで
き、ストッパー形成工程において形成するストッパーの
厚さ（高さ）を調整することにより、シリコン基板３２
上に所望の厚さの無歪のシリコン層を形成することがで
きる。このため、製造するウェーハの歩留まりを飛躍的
に向上することができる。
【００２５】上述のように、セラミックセル２６…の一
辺の長さＬ１は、ウェーハ２２に形成されたストッパー
３４と３４の間隔Ｌ２（図５参照）よりも大きく形成さ
れているため、研磨中においてセラミックセル２６…
が、ストッパー３４と３４との間に入り込むことはな
く、ストッパー３４と３４の間のシリコン層３８ｂがえ
ぐれることはない。
辺の長さＬ１は、ウェーハ２２に形成されたストッパー
３４と３４の間隔Ｌ２（図５参照）よりも大きく形成さ
れているため、研磨中においてセラミックセル２６…
が、ストッパー３４と３４との間に入り込むことはな
く、ストッパー３４と３４の間のシリコン層３８ｂがえ
ぐれることはない。
【００２６】なお、シリコン基板に形成するストッパー
の形状は上述のものには限られず、例えば図８に示すよ
うな形状でもよい。同図に示すストッパー４０は、シリ
コン単結晶基板３２の表面を熱酸化してＳｉＯ2層を形
成し、このＳｉＯ2層をエッチングすることにより、基
板３２の一部３２ａが露出するようにストッパー４０を
形成したものである。このストッパー４０は、段付とな
っており、下段部４０ａと上段部４０ｂとから構成され
ている。シリコン層３８は、基板３２の露出部３２ａか
ら選択エピタキシャル法により結晶成長させたものであ
る。ストッパー形状をこのようにした場合には、研磨後
のシリコン層３８ａは、図９のような形状となる。
の形状は上述のものには限られず、例えば図８に示すよ
うな形状でもよい。同図に示すストッパー４０は、シリ
コン単結晶基板３２の表面を熱酸化してＳｉＯ2層を形
成し、このＳｉＯ2層をエッチングすることにより、基
板３２の一部３２ａが露出するようにストッパー４０を
形成したものである。このストッパー４０は、段付とな
っており、下段部４０ａと上段部４０ｂとから構成され
ている。シリコン層３８は、基板３２の露出部３２ａか
ら選択エピタキシャル法により結晶成長させたものであ
る。ストッパー形状をこのようにした場合には、研磨後
のシリコン層３８ａは、図９のような形状となる。
【００２７】また、上記の研磨装置においては、下定盤
１４を研磨板とする構成としたが、上定盤１２を研磨板
とする構成としてもよく、また、双方を研磨板として両
面研磨する構成としてもよい。
１４を研磨板とする構成としたが、上定盤１２を研磨板
とする構成としてもよく、また、双方を研磨板として両
面研磨する構成としてもよい。
【００２８】また、弾性部材は上記の如きスポンジゴム
には限られず、研磨時、ウェーハの表面形状に応じてセ
ルを追従して上下動できる弾性を有するものであればよ
い。
には限られず、研磨時、ウェーハの表面形状に応じてセ
ルを追従して上下動できる弾性を有するものであればよ
い。
【００２９】さらに、セルの配列形状は図２に示したも
のには限られるものではなく、例えば格子状に配列する
等、各種の変形が可能であり、また、セル自身の形状
も、丸型、三角形等、各種の形状が可能である。
のには限られるものではなく、例えば格子状に配列する
等、各種の変形が可能であり、また、セル自身の形状
も、丸型、三角形等、各種の形状が可能である。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、平坦な表面を有するシリコン基板の少なくとも一方
の面に、シリコンに比べてメカノケミカル研磨され難い
材料からなるストッパーを形成する、ストッパー形成工
程と、前記シリコン基板に、少なくとも前記ストッパー
によって形成された凹凸を埋める厚さのシリコン層を積
層する、積層工程と、平坦に形成された定盤の表面に、
剛体からなる多数のセルを、弾性部材を介して取着して
なる研磨板を用い、この研磨板の前記多数のセルの表面
と、前記積層工程で積層されたシリコン層との間に、高
純度シリカの微粒子からなる研磨剤が分散されたアルカ
リ溶液を供給しつつ、前記研磨板と前記シリコン層の相
対的加圧移動により、該シリコン層を鏡面研磨する研磨
工程とからウェーハを製造するので、シリコン基板が湾
曲をともなう場合でも、研磨工程において、積層工程で
積層されたシリコン層を、ストッパーの高さに正確に研
磨することができ、ストッパー形成工程において形成す
るストッパーの厚さ（高さ）を調整することにより、シ
リコン基板上に所望の厚さの無歪のシリコン層を形成す
ることができる。
ば、平坦な表面を有するシリコン基板の少なくとも一方
の面に、シリコンに比べてメカノケミカル研磨され難い
材料からなるストッパーを形成する、ストッパー形成工
程と、前記シリコン基板に、少なくとも前記ストッパー
によって形成された凹凸を埋める厚さのシリコン層を積
層する、積層工程と、平坦に形成された定盤の表面に、
剛体からなる多数のセルを、弾性部材を介して取着して
なる研磨板を用い、この研磨板の前記多数のセルの表面
と、前記積層工程で積層されたシリコン層との間に、高
純度シリカの微粒子からなる研磨剤が分散されたアルカ
リ溶液を供給しつつ、前記研磨板と前記シリコン層の相
対的加圧移動により、該シリコン層を鏡面研磨する研磨
工程とからウェーハを製造するので、シリコン基板が湾
曲をともなう場合でも、研磨工程において、積層工程で
積層されたシリコン層を、ストッパーの高さに正確に研
磨することができ、ストッパー形成工程において形成す
るストッパーの厚さ（高さ）を調整することにより、シ
リコン基板上に所望の厚さの無歪のシリコン層を形成す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】研磨工程にかかる研磨装置を示す側面図であ
る。
る。
【図２】剛体からなるセルの一配列例を示す平面図であ
る。
る。
【図３】研磨板によるウェーハの研磨中の状態を示す側
面図である。
面図である。
【図４】ストッパーの形成されたウェーハを示す側面図
である。
である。
【図５】図４のウェーハの平面図である。
【図６】ストッパーが形成され、シリコン層が積層され
たウェーハ（研磨前）を示す側面図である。
たウェーハ（研磨前）を示す側面図である。
【図７】図６のウェーハの研磨後の状態を示す側面図で
ある。
ある。
【図８】ストッパーが形成され、シリコン層が積層され
たウェーハ（研磨前）を示す側面図である。
たウェーハ（研磨前）を示す側面図である。
【図９】図８のウェーハの研磨後の状態を示す側面図で
ある。
ある。
【図１０】研磨前のウェーハ及び定盤を示す側面図であ
る。
る。
【図１１】研磨中のウェーハ及び定盤を示す側面図であ
る。
る。
【図１２】研磨後のウェーハを示す側面図である。
１４ 定盤 ２４ 弾性部材 ２６ セル ３２ シリコン基板 ３４ ストッパー ３８ シリコン層 ４０ ストッパー
Claims (1)
- 【請求項１】（Ａ）平坦な表面を有するシリコン基板の
少なくとも一方の面に、シリコンに比べてメカノケミカ
ル研磨され難い材料からなるストッパーを形成する、ス
トッパー形成工程と、 （Ｂ）前記シリコン基板に、少なくとも前記ストッパー
によって形成された凹凸を埋める厚さのシリコン層を積
層する、積層工程と、 （Ｃ）平坦に形成された定盤の表面に、剛体からなる多
数のセルを、弾性部材を介して取着してなる研磨板を用
い、 この研磨板の前記多数のセルの表面と、前記積層工程で
積層されたシリコン層との間に、高純度シリカの微粒子
からなる研磨剤が分散されたアルカリ溶液を供給しつ
つ、前記研磨板と前記シリコン層の相対的加圧移動によ
り、該シリコン層を鏡面研磨する研磨工程とからなるこ
とを特徴とするウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23202491A JP2892190B2 (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | ウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23202491A JP2892190B2 (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | ウェーハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677190A true JPH0677190A (ja) | 1994-03-18 |
| JP2892190B2 JP2892190B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=16932772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23202491A Expired - Lifetime JP2892190B2 (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | ウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2892190B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007043028A (ja) * | 2004-09-02 | 2007-02-15 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| WO2009146583A1 (en) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Co. Ltd | Semiconductor wafer, semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor wafer and device |
-
1991
- 1991-09-11 JP JP23202491A patent/JP2892190B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007043028A (ja) * | 2004-09-02 | 2007-02-15 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| WO2009146583A1 (en) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Co. Ltd | Semiconductor wafer, semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor wafer and device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2892190B2 (ja) | 1999-05-17 |
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