JPH0673041A - テトラヒドロフラン誘導体 - Google Patents
テトラヒドロフラン誘導体Info
- Publication number
- JPH0673041A JPH0673041A JP22712792A JP22712792A JPH0673041A JP H0673041 A JPH0673041 A JP H0673041A JP 22712792 A JP22712792 A JP 22712792A JP 22712792 A JP22712792 A JP 22712792A JP H0673041 A JPH0673041 A JP H0673041A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- liquid crystal
- general formula
- formula
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【構成】 一般式（Ｉ）
【化１】
（Ｒ1：Ｃ1〜Ｃ12のアルキル基、環Ａ、Ｂ及びＣ：シキ
ロヘキシレン基、Ｆ置換されていてもよいフェニレン
基、ピリミジン環、ピリジン環、ｎ：０又は１、Ｘ：−
ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−Ｏ−又は単結合、Ｒ2：Ｈ
又はＣ1〜Ｃ12のアルキル基）で表わされる化合物及び
それを含有する液晶組成物。 【効果】 この化合物は、母体液晶に添加することによ
り、しきい値電圧を低減あるいはあまり上昇させること
なく、液晶相の温度範囲を高温域に拡大することができ
る。従って、これを用いて容易に温度範囲が広く、低電
圧駆動が可能で、応答性に優れた液晶組成物を得ること
ができる。更に、工業的製造も容易であり、表示用液晶
光スイッチング素子の材料として有用である。
ロヘキシレン基、Ｆ置換されていてもよいフェニレン
基、ピリミジン環、ピリジン環、ｎ：０又は１、Ｘ：−
ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−Ｏ−又は単結合、Ｒ2：Ｈ
又はＣ1〜Ｃ12のアルキル基）で表わされる化合物及び
それを含有する液晶組成物。 【効果】 この化合物は、母体液晶に添加することによ
り、しきい値電圧を低減あるいはあまり上昇させること
なく、液晶相の温度範囲を高温域に拡大することができ
る。従って、これを用いて容易に温度範囲が広く、低電
圧駆動が可能で、応答性に優れた液晶組成物を得ること
ができる。更に、工業的製造も容易であり、表示用液晶
光スイッチング素子の材料として有用である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気光学的液晶表示材料
として有用なテトラヒドロフラン環を有する新規化合物
に関する。
として有用なテトラヒドロフラン環を有する新規化合物
に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は、時計、電卓をはじめと
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子
手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いら
れるようになっている。液晶表示方式としては、その代
表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩
れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲス
ト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等が知
られているが、このうち現在最もよく用いられているの
はＴＮ型及びＳＴＮ型である。また駆動方式としても従
来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般
的になり、更に単純マトリックス方式、最近ではアクテ
ィブマトリックス方式が実用化されている。
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子
手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いら
れるようになっている。液晶表示方式としては、その代
表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩
れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲス
ト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等が知
られているが、このうち現在最もよく用いられているの
はＴＮ型及びＳＴＮ型である。また駆動方式としても従
来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般
的になり、更に単純マトリックス方式、最近ではアクテ
ィブマトリックス方式が実用化されている。
【０００３】これらに用いられる液晶材料としては、こ
れまでにも多数の化合物が合成され、知られている。し
かしながら、これらの表示方式や用途に応じた種々の要
求特性を、単独で満足するような化合物は知られておら
ず、その要求特性に応じて多数の化合物を混合し、液晶
組成物として用いられているのが実状である。そのた
め、ある特定の性質に優れた液晶化合物の開発は、非常
に重要である。
れまでにも多数の化合物が合成され、知られている。し
かしながら、これらの表示方式や用途に応じた種々の要
求特性を、単独で満足するような化合物は知られておら
ず、その要求特性に応じて多数の化合物を混合し、液晶
組成物として用いられているのが実状である。そのた
め、ある特定の性質に優れた液晶化合物の開発は、非常
に重要である。
【０００４】液晶化合物は通常、その基本骨格として、
２個あるいは３個以上の環構造（ベンゼン環やその置換
体、シクロヘキサン環、あるいはピリジン環、ピリミジ
ン環、ジオキサン環等の複素環等）が、直結あるいは連
結基を介して結合した構造を有している。これらの環構
造では通常６員環が用いられているが、フラン環、チオ
フラン環、あるいはチアジアゾール環等の５員環を含む
液晶化合物も知られている。しかしながら、テトラヒド
ロフラン環を含有する液晶化合物はほとんど知られてい
ない。
２個あるいは３個以上の環構造（ベンゼン環やその置換
体、シクロヘキサン環、あるいはピリジン環、ピリミジ
ン環、ジオキサン環等の複素環等）が、直結あるいは連
結基を介して結合した構造を有している。これらの環構
造では通常６員環が用いられているが、フラン環、チオ
フラン環、あるいはチアジアゾール環等の５員環を含む
液晶化合物も知られている。しかしながら、テトラヒド
ロフラン環を含有する液晶化合物はほとんど知られてい
ない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】液晶材料の種々の特性
のうち、液晶相の温度範囲及びしきい値電圧（Ｖth）は
非常に重要な物性である。上記の各表示方式、駆動方式
のいずれにおいても、その液晶相の温度範囲はなるべく
広く、しきい値電圧（Ｖth）はなるべく低いことが要求
されている。 通常、しきい値電圧は式（１）
のうち、液晶相の温度範囲及びしきい値電圧（Ｖth）は
非常に重要な物性である。上記の各表示方式、駆動方式
のいずれにおいても、その液晶相の温度範囲はなるべく
広く、しきい値電圧（Ｖth）はなるべく低いことが要求
されている。 通常、しきい値電圧は式（１）
【０００６】
【数１】
【０００７】（式中、ｋは比例定数を、Ｋは弾性定数
を、Δεは誘電率異方性を表わす。）で表わされるが、
この式からわかるように、しきい値電圧を低くするため
には弾性定数を小さくするか、あるいは誘電率異方性を
大きくする必要がある。ところが、誘電率異方性の大き
い液晶化合物は粘性の大きい化合物が多く、高速応答に
は適さないことが多く、また、高い比抵抗値が得にくい
ため、アクティブマトリックス駆動にも用いにくい。そ
のため、このような目的に用いるためには弾性定数を小
さくする必要がある。
を、Δεは誘電率異方性を表わす。）で表わされるが、
この式からわかるように、しきい値電圧を低くするため
には弾性定数を小さくするか、あるいは誘電率異方性を
大きくする必要がある。ところが、誘電率異方性の大き
い液晶化合物は粘性の大きい化合物が多く、高速応答に
は適さないことが多く、また、高い比抵抗値が得にくい
ため、アクティブマトリックス駆動にも用いにくい。そ
のため、このような目的に用いるためには弾性定数を小
さくする必要がある。
【０００８】一方、液晶化合物の液晶相の温度範囲を特
に高温域に広げるためには、３環あるいは４環の液晶相
の上限温度の高い化合物を添加する必要がある。しかし
ながら、このように上限温度の高い化合物は弾性定数の
大きいものが多く、液晶組成物に添加するとしきい値電
圧を高くしてしまう傾向を有していた。そのため、誘電
率異方性を大きくせずに、液晶相の温度範囲が高温域ま
で広く、且つしきい値電圧が低い液晶組成物を得ること
はかなり困難であった。
に高温域に広げるためには、３環あるいは４環の液晶相
の上限温度の高い化合物を添加する必要がある。しかし
ながら、このように上限温度の高い化合物は弾性定数の
大きいものが多く、液晶組成物に添加するとしきい値電
圧を高くしてしまう傾向を有していた。そのため、誘電
率異方性を大きくせずに、液晶相の温度範囲が高温域ま
で広く、且つしきい値電圧が低い液晶組成物を得ること
はかなり困難であった。
【０００９】本発明が解決しようとする課題は、以上の
目的に応じ、液晶相の上限温度が高く、且つ弾性定数が
小さい化合物を提供し、液晶組成物に添加することによ
り、組成物のしきい値電圧を高くすることなく液晶相の
上限温度を上昇させる化合物、更には、液晶相は示さな
いかあるいは液晶相の上限温度の低い化合物であって
も、その弾性定数が小さく、添加することにより組成物
のしきい値電圧を低下させる化合物を提供することにあ
る。
目的に応じ、液晶相の上限温度が高く、且つ弾性定数が
小さい化合物を提供し、液晶組成物に添加することによ
り、組成物のしきい値電圧を高くすることなく液晶相の
上限温度を上昇させる化合物、更には、液晶相は示さな
いかあるいは液晶相の上限温度の低い化合物であって
も、その弾性定数が小さく、添加することにより組成物
のしきい値電圧を低下させる化合物を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、一般式（Ｉ）
決するために、一般式（Ｉ）
【００１１】
【化２】
【００１２】で表わされるテトラヒドロフラン誘導体を
提供する。上記一般式中、Ｒ1は炭素原子数１〜１２の
直鎖状アルキル基を表わすが、好ましくは炭素原子数１
〜７の直鎖状アルキル基を表わす。環Ａ、環Ｂ及び環Ｃ
はそれぞれ独立的にトランス−１，４−シクロヘキシレ
ン基、フッ素原子によって置換されていてもよい１，４
−フェニレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基又はピ
リジン−２，５−ジイル基を表わすが、特に環Ｃは１，
４−フェニレン基が好ましい。ｎは０又は１を表わす。
Ｘは−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−Ｏ−又は単結合を表
わすが、好ましくは−ＣＨ2Ｏ−、−Ｏ−又は単結合を
表わす。Ｒ2は水素原子又は炭素原子数１〜１２の直鎖
状アルキル基を表わすが、好ましくは水素原子又は炭素
原子数１〜３のアルキル基を表わす。
提供する。上記一般式中、Ｒ1は炭素原子数１〜１２の
直鎖状アルキル基を表わすが、好ましくは炭素原子数１
〜７の直鎖状アルキル基を表わす。環Ａ、環Ｂ及び環Ｃ
はそれぞれ独立的にトランス−１，４−シクロヘキシレ
ン基、フッ素原子によって置換されていてもよい１，４
−フェニレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基又はピ
リジン−２，５−ジイル基を表わすが、特に環Ｃは１，
４−フェニレン基が好ましい。ｎは０又は１を表わす。
Ｘは−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−Ｏ−又は単結合を表
わすが、好ましくは−ＣＨ2Ｏ−、−Ｏ−又は単結合を
表わす。Ｒ2は水素原子又は炭素原子数１〜１２の直鎖
状アルキル基を表わすが、好ましくは水素原子又は炭素
原子数１〜３のアルキル基を表わす。
【００１３】本発明の一般式（Ｉ）の化合物において、
特に、ｎ＝１である化合物の場合、液晶相の上限温度が
高くなる傾向を有し、ｎ＝０である化合物の場合、弾性
定数がより小さくなる傾向を有する。更に、Ｒ2がアル
キル基である場合、テトラヒドロフラン環はトランス配
置又はシス配置をとるが、一般的にはトランス配置のほ
うが、液晶相の上限温度が高くなる傾向を有しているの
で好ましい。ただし、Ｒ2の炭素原子数が小さい場合に
はその分離が困難であることが多く、そのような場合に
はトランス、シスの混合物であっても、使用が可能であ
る。
特に、ｎ＝１である化合物の場合、液晶相の上限温度が
高くなる傾向を有し、ｎ＝０である化合物の場合、弾性
定数がより小さくなる傾向を有する。更に、Ｒ2がアル
キル基である場合、テトラヒドロフラン環はトランス配
置又はシス配置をとるが、一般的にはトランス配置のほ
うが、液晶相の上限温度が高くなる傾向を有しているの
で好ましい。ただし、Ｒ2の炭素原子数が小さい場合に
はその分離が困難であることが多く、そのような場合に
はトランス、シスの混合物であっても、使用が可能であ
る。
【００１４】本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化合物
は、Ｘにより異なるが、例えば、以下の製造方法に従っ
て製造することができる。 （１） 一般式（Ｉ）において、Ｘが単結合である一般
式（Ｉａ）の化合物の場合 一般式（ＩＩ）
は、Ｘにより異なるが、例えば、以下の製造方法に従っ
て製造することができる。 （１） 一般式（Ｉ）において、Ｘが単結合である一般
式（Ｉａ）の化合物の場合 一般式（ＩＩ）
【００１５】
【化３】
【００１６】（式中、Ｒ1、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及びｎは
一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わし、Ｙは塩素原
子、臭素原子又は沃素原子を表わす。）で表わされる化
合物を有機リチウム化合物あるいはグリニヤール化合物
とし、これを一般式（ＩＩＩ）
一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わし、Ｙは塩素原
子、臭素原子又は沃素原子を表わす。）で表わされる化
合物を有機リチウム化合物あるいはグリニヤール化合物
とし、これを一般式（ＩＩＩ）
【００１７】
【化４】
【００１８】（式中、Ｒ2は一般式（Ｉ）におけると同
じ意味を表わす。）で表わされるラクトール誘導体と反
応させることにより得ることができる。あるいは一般式
（ＩＩＩ）のラクトール誘導体に代えて、一般式（Ｉ
Ｖ）
じ意味を表わす。）で表わされるラクトール誘導体と反
応させることにより得ることができる。あるいは一般式
（ＩＩＩ）のラクトール誘導体に代えて、一般式（Ｉ
Ｖ）
【００１９】
【化５】
【００２０】（式中、Ｒ2は一般式（Ｉ）におけると同
じ意味を表わす。）で表わされるラクトン誘導体と反応
させた後、還元して１，４−ジオール誘導体として、酸
触媒存在下に環化させても得ることができる。
じ意味を表わす。）で表わされるラクトン誘導体と反応
させた後、還元して１，４−ジオール誘導体として、酸
触媒存在下に環化させても得ることができる。
【００２１】
【化６】
【００２２】（上記中、Ｒ2は一般式（Ｉ）におけると
同じ意味を表わす。）また、上記のように環Ｃがフッ素
原子によって置換されていてもよい１，４−フェニレン
基である場合には、一般式（ＩＩ）においてＹが水素原
子である化合物と、一般式（Ｖ）で表わされる４−オキ
ソアルカン酸クロリドとを塩化アルミニウム等のルイス
酸存在下に反応させた後に還元して１，４−ジオール誘
導体とし、上記と同様に環化させることによっても得る
ことができる。
同じ意味を表わす。）また、上記のように環Ｃがフッ素
原子によって置換されていてもよい１，４−フェニレン
基である場合には、一般式（ＩＩ）においてＹが水素原
子である化合物と、一般式（Ｖ）で表わされる４−オキ
ソアルカン酸クロリドとを塩化アルミニウム等のルイス
酸存在下に反応させた後に還元して１，４−ジオール誘
導体とし、上記と同様に環化させることによっても得る
ことができる。
【００２３】（２） 一般式（Ｉ）において、Ｘが−Ｏ
−である一般式（Ｉｂ）の化合物の場合 一般式（ＶＩ）
−である一般式（Ｉｂ）の化合物の場合 一般式（ＶＩ）
【００２４】
【化７】
【００２５】（式中、Ｒ1、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及びｎは
一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）で表わさ
れるフェノールあるいはアルコール誘導体と、一般式
（ＶＩＩ）
一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）で表わさ
れるフェノールあるいはアルコール誘導体と、一般式
（ＶＩＩ）
【００２６】
【化８】
【００２７】（式中、Ｒ2は一般式（Ｉ）におけると同
じ意味を表わす。）で表わされるジヒドロフラン誘導体
とを酸触媒存在下に反応させることにより得ることがで
きる。あるいは一般式（ＶＩＩ）のジヒドロフラン誘導
体に代えて、一般式（ＩＩＩ）のラクトール誘導体と反
応させることによっても得ることができる。
じ意味を表わす。）で表わされるジヒドロフラン誘導体
とを酸触媒存在下に反応させることにより得ることがで
きる。あるいは一般式（ＶＩＩ）のジヒドロフラン誘導
体に代えて、一般式（ＩＩＩ）のラクトール誘導体と反
応させることによっても得ることができる。
【００２８】（３） 一般式（Ｉ）において、Ｘが−Ｃ
Ｈ2Ｏ−である一般式（Ｉｃ）の化合物の場合 一般式（Ｉｂ）の化合物の合成において、一般式（Ｖ
Ｉ）の化合物に代えて、一般式（ＶＩＩＩ）
Ｈ2Ｏ−である一般式（Ｉｃ）の化合物の場合 一般式（Ｉｂ）の化合物の合成において、一般式（Ｖ
Ｉ）の化合物に代えて、一般式（ＶＩＩＩ）
【００２９】
【化９】
【００３０】（式中、Ｒ1、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及びｎは
一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）で表わさ
れるアルコール誘導体を用いて、一般式（ＩＩＩ）のラ
クトール誘導体、あるいは一般式（ＶＩＩ）のジヒドロ
フラン誘導体と反応させることにより、同様に得ること
ができる。
一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）で表わさ
れるアルコール誘導体を用いて、一般式（ＩＩＩ）のラ
クトール誘導体、あるいは一般式（ＶＩＩ）のジヒドロ
フラン誘導体と反応させることにより、同様に得ること
ができる。
【００３１】（４） 一般式（Ｉ）において、Ｘが−Ｏ
ＣＨ2−である一般式（Ｉｄ）の化合物の場合 一般式（ＶＩ）で表わされる化合物を塩基存在下に、一
般式（ＩＸ）
ＣＨ2−である一般式（Ｉｄ）の化合物の場合 一般式（ＶＩ）で表わされる化合物を塩基存在下に、一
般式（ＩＸ）
【００３２】
【化１０】
【００３３】（式中、Ｚは塩素原子、臭素原子、沃素原
子あるいはｐ−トルエンスルホニル基等の脱離基を表わ
し、Ｒ2は一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わ
す。）で表わされるテトラヒドロフラン誘導体と反応さ
せることにより得ることができる。
子あるいはｐ−トルエンスルホニル基等の脱離基を表わ
し、Ｒ2は一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わ
す。）で表わされるテトラヒドロフラン誘導体と反応さ
せることにより得ることができる。
【００３４】上記（１）〜（４）で用いた出発原料のう
ち、一般式（ＩＩ）の化合物（Ｙが水素原子である場合
も含む。）及び一般式（ＶＩ）の化合物は、液晶性化合
物の合成原料としてよく知られている化合物である。ま
た、一般式（ＶＩＩＩ）の化合物も、対応するカルボン
酸あるいはそのエステルを還元することにより容易に得
ることができる。一般式（ＩＩＩ）のラクトール誘導体
は一般式（ＩＶ）のラクトン誘導体を水素化ジイソブチ
ルアルミニウム（ＤＩＢＡＬ−Ｈ）等で還元して得るこ
とができる。
ち、一般式（ＩＩ）の化合物（Ｙが水素原子である場合
も含む。）及び一般式（ＶＩ）の化合物は、液晶性化合
物の合成原料としてよく知られている化合物である。ま
た、一般式（ＶＩＩＩ）の化合物も、対応するカルボン
酸あるいはそのエステルを還元することにより容易に得
ることができる。一般式（ＩＩＩ）のラクトール誘導体
は一般式（ＩＶ）のラクトン誘導体を水素化ジイソブチ
ルアルミニウム（ＤＩＢＡＬ−Ｈ）等で還元して得るこ
とができる。
【００３５】一般式（ＶＩ）のジヒドロフラン誘導体
は、一般式（ＩＩＩ）のラクトール誘導体を脱水しても
得ることができ、あるいは１，４−ブタンジオール誘導
体を触媒存在下に酸化的に環化しても得ることができ
る。
は、一般式（ＩＩＩ）のラクトール誘導体を脱水しても
得ることができ、あるいは１，４−ブタンジオール誘導
体を触媒存在下に酸化的に環化しても得ることができ
る。
【００３６】一般式（ＩＶ）のラクトン誘導体は、Ｒ2
が水素原子あるいはメチル基の場合には安価に市販され
ており、その他の場合も下記の合成方法に示すように、
マロン酸エステルと対応するオキシランから容易に合成
することができる。
が水素原子あるいはメチル基の場合には安価に市販され
ており、その他の場合も下記の合成方法に示すように、
マロン酸エステルと対応するオキシランから容易に合成
することができる。
【００３７】
【化１１】
【００３８】また、一般式（ＩＸ）の化合物は対応する
一般式（Ｘ）
一般式（Ｘ）
【００３９】
【化１２】
【００４０】（式中、Ｒ2は一般式（Ｉ）におけると同
じ意味を表わす。）で表わされるフルフラール誘導体を
還元して、テトラヒドロフルフリルアルコール誘導体と
して、これをハロゲン化するかあるいはｐ−トルエンス
ルホニル化することによって得ることができる。
じ意味を表わす。）で表わされるフルフラール誘導体を
還元して、テトラヒドロフルフリルアルコール誘導体と
して、これをハロゲン化するかあるいはｐ−トルエンス
ルホニル化することによって得ることができる。
【００４１】斯くして製造される一般式（Ｉ）で表わさ
れる化合物の代表的なものの例を第１表に掲げる。
れる化合物の代表的なものの例を第１表に掲げる。
【００４２】
【表１】
【００４３】（表中、Ｃｒは結晶相を、Ｎはネマチック
相を、ＳＢはスメクチックＢ相を、ＳＸは帰属不明のス
メクチック相を、Ｉは等方性液体相をそれぞれ表わし、
相転移温度は、数字の左側の相と右側の相との間の転移
温度を表わし、例えば、Ｃｒ１３７ Ｉは結晶相と等方
性液体相の間の相転移温度が１３７℃であることを表わ
す。以下同様。）
相を、ＳＢはスメクチックＢ相を、ＳＸは帰属不明のス
メクチック相を、Ｉは等方性液体相をそれぞれ表わし、
相転移温度は、数字の左側の相と右側の相との間の転移
温度を表わし、例えば、Ｃｒ１３７ Ｉは結晶相と等方
性液体相の間の相転移温度が１３７℃であることを表わ
す。以下同様。）
【００４４】本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化合物
は、例えば、正又は負の誘電率異方性を有する他のネマ
チック液晶化合物との混合物の状態で、特にＴＮ型ある
いはＳＴＮ型といった電界効果型表示セルの材料とし
て、組成物のしきい値電圧の低下、あるいはその上昇を
抑えるといった目的に使用することができる。
は、例えば、正又は負の誘電率異方性を有する他のネマ
チック液晶化合物との混合物の状態で、特にＴＮ型ある
いはＳＴＮ型といった電界効果型表示セルの材料とし
て、組成物のしきい値電圧の低下、あるいはその上昇を
抑えるといった目的に使用することができる。
【００４５】このように、一般式（Ｉ）で表わされる化
合物と混合して使用することのできるネマチック液晶化
合物の好ましい代表例としては、例えば、４−置換安息
香酸４−置換フェニルエステル、４−置換シクロヘキサ
ンカルボン酸４−置換フェニルエステル、４−置換シク
ロヘキサンカルボン酸４′−置換ビフェニルエステル、
４−（４−置換シクロヘキサンカルボニルオキシ）安息
香酸４−置換フェニルエステル、４−（４−置換シクロ
ヘキシル）安息香酸４−置換フェニルエステル、４−
（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換シクロヘ
キシルエステル、４，４′−置換ビフェニル、１−（４
−置換フェニル）−４−置換シクロヘキサン、４，４″
−置換ターフェニル、１−（４′−置換ビフェニリル）
−４−置換シクロヘキサン、１−（４−置換シクロヘキ
シル）−４−（４−置換フェニル）シクロヘキサン、２
−（４−置換フェニル）−５−置換ピリミジン、２−
（４′−置換ビフェニリル）−５−置換ピリミジンなど
を挙げることができる。
合物と混合して使用することのできるネマチック液晶化
合物の好ましい代表例としては、例えば、４−置換安息
香酸４−置換フェニルエステル、４−置換シクロヘキサ
ンカルボン酸４−置換フェニルエステル、４−置換シク
ロヘキサンカルボン酸４′−置換ビフェニルエステル、
４−（４−置換シクロヘキサンカルボニルオキシ）安息
香酸４−置換フェニルエステル、４−（４−置換シクロ
ヘキシル）安息香酸４−置換フェニルエステル、４−
（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換シクロヘ
キシルエステル、４，４′−置換ビフェニル、１−（４
−置換フェニル）−４−置換シクロヘキサン、４，４″
−置換ターフェニル、１−（４′−置換ビフェニリル）
−４−置換シクロヘキサン、１−（４−置換シクロヘキ
シル）−４−（４−置換フェニル）シクロヘキサン、２
−（４−置換フェニル）−５−置換ピリミジン、２−
（４′−置換ビフェニリル）−５−置換ピリミジンなど
を挙げることができる。
【００４６】一般式（Ｉ）の化合物の効果は後述の実施
例にも示したが、以下の例からも明らかである。ネマチ
ック液晶材料として現在汎用されているフェニルシクロ
ヘキサン系の母体液晶（Ａ）
例にも示したが、以下の例からも明らかである。ネマチ
ック液晶材料として現在汎用されているフェニルシクロ
ヘキサン系の母体液晶（Ａ）
【００４７】
【化１３】
【００４８】（上記中、シクロヘキサン環はトランス配
置を表わし、「％」は『重量％』を表わす。）は５４．
５℃以下でネマチック相を示し、その誘電率異方性（Δ
ε）は６．７、屈折率異方性（Δｎ）は０．０９２であ
り、これを用いて作製したＴＮセルのしきい値電圧（Ｖ
th）は１．６０Ｖであった。
置を表わし、「％」は『重量％』を表わす。）は５４．
５℃以下でネマチック相を示し、その誘電率異方性（Δ
ε）は６．７、屈折率異方性（Δｎ）は０．０９２であ
り、これを用いて作製したＴＮセルのしきい値電圧（Ｖ
th）は１．６０Ｖであった。
【００４９】この母体液晶（Ａ）８０重量％及び第１表
中のＮｏ．４の化合物２０重量％からなる液晶組成物
（Ｍ−１）を調製した。この（Ｍ−１）のネマチック相
の上限温度は６４．３℃と上昇した。また、Δεは６．
０、Δｎは０．１０３であり、この組成物を用いて同様
に作製したセルのＶthを測定したところ、Δεが減少し
ているにもかかわらず、１．６５Ｖとその上昇をわずか
に抑えることができた。これはＮｏ．４の化合物の弾性
定数（Ｋ）がかなり低いことを示している。
中のＮｏ．４の化合物２０重量％からなる液晶組成物
（Ｍ−１）を調製した。この（Ｍ−１）のネマチック相
の上限温度は６４．３℃と上昇した。また、Δεは６．
０、Δｎは０．１０３であり、この組成物を用いて同様
に作製したセルのＶthを測定したところ、Δεが減少し
ているにもかかわらず、１．６５Ｖとその上昇をわずか
に抑えることができた。これはＮｏ．４の化合物の弾性
定数（Ｋ）がかなり低いことを示している。
【００５０】これに対し、Ｎｏ．４の化合物に代えて、
これまで同様の目的に用いられてきた化合物である式
（Ｒ−１）
これまで同様の目的に用いられてきた化合物である式
（Ｒ−１）
【００５１】
【化１４】
【００５２】の化合物２０重量％及び母体液晶（Ａ）８
０重量％からなる液晶組成物（Ｎ−１）のネマチック相
上限温度は７６．２℃であり、（Ｍ−１）に比べてやや
高くなったが、Δεは６．１、Δｎは０．１００であ
り、いずれも（Ｍ−１）と比べてあまり変わらなかっ
た。しかしながら、同様にして作製したセルのＶthを測
定したところ、Δεが（Ｍ−１）と同程度であるにもか
かわらず、１．９９Ｖとかなり高くなった。これは式
（Ｒ−１）の化合物の弾性定数がＮｏ．４の化合物より
かなり大きいことを示している。
０重量％からなる液晶組成物（Ｎ−１）のネマチック相
上限温度は７６．２℃であり、（Ｍ−１）に比べてやや
高くなったが、Δεは６．１、Δｎは０．１００であ
り、いずれも（Ｍ−１）と比べてあまり変わらなかっ
た。しかしながら、同様にして作製したセルのＶthを測
定したところ、Δεが（Ｍ−１）と同程度であるにもか
かわらず、１．９９Ｖとかなり高くなった。これは式
（Ｒ−１）の化合物の弾性定数がＮｏ．４の化合物より
かなり大きいことを示している。
【００５３】また、やはり同様の目的に用いられている
式（Ｒ−２）
式（Ｒ−２）
【００５４】
【化１５】
【００５５】の化合物２０重量％及び母体液晶（Ａ）８
０重量％からなる液晶組成物（Ｎ−２）を調製したとこ
ろ、ネマチック相の上限温度は７６．７℃であり、Δε
は６．８、Δｎは０．１１５であったが、同様にして作
製したセルのＶthを測定したところ、Δεが（Ｍ−１）
より大きいにもかかわらず、１．８７Ｖとやはりかなり
高くなった。
０重量％からなる液晶組成物（Ｎ−２）を調製したとこ
ろ、ネマチック相の上限温度は７６．７℃であり、Δε
は６．８、Δｎは０．１１５であったが、同様にして作
製したセルのＶthを測定したところ、Δεが（Ｍ−１）
より大きいにもかかわらず、１．８７Ｖとやはりかなり
高くなった。
【００５６】従って、本発明の一般式（Ｉ）の化合物は
その弾性定数が小さく、液晶組成物に少量添加すること
により、そのしきい値電圧（Ｖth）をあまり高くするこ
となく、液晶相の温度範囲を高温域に拡大できることが
明らかである。
その弾性定数が小さく、液晶組成物に少量添加すること
により、そのしきい値電圧（Ｖth）をあまり高くするこ
となく、液晶相の温度範囲を高温域に拡大できることが
明らかである。
【００５７】
【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に
説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。
説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。
【００５８】なお、相転移温度の測定は温度調節ステー
ジを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計（ＤＳＣ）を
併用して行った。また、化合物の構造は核磁気共鳴スペ
クトル（1Ｈ−ＮＭＲ）、赤外吸収スペクトル（Ｉ
Ｒ）、質量スペクトル（ＭＳ）等により確認した。ＩＲ
における（ｎｅａｔ）は液膜による測定を、（ＫＢｒ）
は錠剤成形による測定を表わす。ＮＭＲにおけるＣＤＣ
ｌ3は溶媒を表わし、ｓは１重線、ｄは２重線、ｔは３
重線、ｍは多重線を表わし、例えば、ｄｄは２重の２重
線を表わし、Ｊはカップリング定数を表わす。ＭＳにお
けるＭ+は親ピークを表わす。なお、組成物中における
「％」は『重量％』を表わす。
ジを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計（ＤＳＣ）を
併用して行った。また、化合物の構造は核磁気共鳴スペ
クトル（1Ｈ−ＮＭＲ）、赤外吸収スペクトル（Ｉ
Ｒ）、質量スペクトル（ＭＳ）等により確認した。ＩＲ
における（ｎｅａｔ）は液膜による測定を、（ＫＢｒ）
は錠剤成形による測定を表わす。ＮＭＲにおけるＣＤＣ
ｌ3は溶媒を表わし、ｓは１重線、ｄは２重線、ｔは３
重線、ｍは多重線を表わし、例えば、ｄｄは２重の２重
線を表わし、Ｊはカップリング定数を表わす。ＭＳにお
けるＭ+は親ピークを表わす。なお、組成物中における
「％」は『重量％』を表わす。
【００５９】（実施例１） ２−［４−［４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］ベンジル
オキシ］テトラヒドロフラン（第１表中のＮｏ．４の化
合物）の合成 ４−［４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
フェニル］ベンジルアルコール１．０ｇをジクロロメタ
ン６ｍｌに溶解した。これにジヒドロフラン３１０ｍｇ
を加え、更にｐ−トルエンスルホン酸ピリジン塩３７ｍ
ｇを加えて、室温で４時間攪拌した。反応液にエーテル
及び飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、水層が中性
になるまで有機層を水で洗滌した。無水硫酸ナトリウム
で脱水乾燥した後、溶媒を溜去し、得られた粗生成物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸
エチル＝２０／１）を用いて精製して、２−［４−［４
−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニ
ル］ベンジルオキシ］テトラヒドロフラン１．１４ｇ
（収率９５％）を得た。
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］ベンジル
オキシ］テトラヒドロフラン（第１表中のＮｏ．４の化
合物）の合成 ４−［４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
フェニル］ベンジルアルコール１．０ｇをジクロロメタ
ン６ｍｌに溶解した。これにジヒドロフラン３１０ｍｇ
を加え、更にｐ−トルエンスルホン酸ピリジン塩３７ｍ
ｇを加えて、室温で４時間攪拌した。反応液にエーテル
及び飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、水層が中性
になるまで有機層を水で洗滌した。無水硫酸ナトリウム
で脱水乾燥した後、溶媒を溜去し、得られた粗生成物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸
エチル＝２０／１）を用いて精製して、２−［４−［４
−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニ
ル］ベンジルオキシ］テトラヒドロフラン１．１４ｇ
（収率９５％）を得た。
【００６０】この化合物は室温でＳＢ相を示し、氷点下
に長時間放置しても結晶化しなかった。またその透明点
（ＳＢ−Ｉ）は１１７℃であった。
に長時間放置しても結晶化しなかった。またその透明点
（ＳＢ−Ｉ）は１１７℃であった。
【００６１】ＮＭＲ：δ＝０．９４（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝
４．７Ｈｚ），１．０〜２．０（ｍ，２１Ｈ），２．３
（ｍ，１Ｈ），３．９（ｍ，２Ｈ），４．５（ｄ，１
Ｈ，１２Ｈｚ），４．８（ｄ，１Ｈ，１２Ｈｚ），５．
２（ｍ，１Ｈ），７．２〜７．６（ｍ，８Ｈ） ＩＲ：１４９５，１４４０，１３９０，１３４０，１１
９５，１１２０，１０９０，１０５０，１０００，９６
５，９１５，８０５cm-1 ＭＳ：ｍ／ｅ＝４０６（Ｍ+）
４．７Ｈｚ），１．０〜２．０（ｍ，２１Ｈ），２．３
（ｍ，１Ｈ），３．９（ｍ，２Ｈ），４．５（ｄ，１
Ｈ，１２Ｈｚ），４．８（ｄ，１Ｈ，１２Ｈｚ），５．
２（ｍ，１Ｈ），７．２〜７．６（ｍ，８Ｈ） ＩＲ：１４９５，１４４０，１３９０，１３４０，１１
９５，１１２０，１０９０，１０５０，１０００，９６
５，９１５，８０５cm-1 ＭＳ：ｍ／ｅ＝４０６（Ｍ+）
【００６２】（実施例２） ２−［４−［４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］ベンジル
オキシ］−５−メチルテトラヒドロフラン（第１表中の
Ｎｏ．５の化合物）の合成 ４−［４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
フェニル］ベンジルアルコール１．０ｇをジクロロメタ
ン６ｍｌに溶解した。これにｐ−トルエンスルホン酸３
３ｍｇを加え、これに２−ヒドロキシ−５−メチルテト
ラヒドロフラン（この化合物はγ−バレロラクトンを水
素化ジイソブチルアルミニウム（ＤＩＢＡＬ−Ｈ）で還
元して合成した。）３６０ｍｇを滴下し、室温で３時間
攪拌した。実施例１と同様に処理して、２−［４−［４
−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニ
ル］ベンジルオキシ］−５−メチルテトラヒドロフラン
０．４８ｇ（収率３８％）を得た。なお、得られた化合
物は、トランス体とシス体の重量比が５５／４５の混合
物であった。この化合物は室温でＳＢ相を示し、氷点下
に長時間放置しても結晶化しなかった。またその透明点
（ＳＢ−Ｉ）は１１６℃であった。
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］ベンジル
オキシ］−５−メチルテトラヒドロフラン（第１表中の
Ｎｏ．５の化合物）の合成 ４−［４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
フェニル］ベンジルアルコール１．０ｇをジクロロメタ
ン６ｍｌに溶解した。これにｐ−トルエンスルホン酸３
３ｍｇを加え、これに２−ヒドロキシ−５−メチルテト
ラヒドロフラン（この化合物はγ−バレロラクトンを水
素化ジイソブチルアルミニウム（ＤＩＢＡＬ−Ｈ）で還
元して合成した。）３６０ｍｇを滴下し、室温で３時間
攪拌した。実施例１と同様に処理して、２−［４−［４
−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニ
ル］ベンジルオキシ］−５−メチルテトラヒドロフラン
０．４８ｇ（収率３８％）を得た。なお、得られた化合
物は、トランス体とシス体の重量比が５５／４５の混合
物であった。この化合物は室温でＳＢ相を示し、氷点下
に長時間放置しても結晶化しなかった。またその透明点
（ＳＢ−Ｉ）は１１６℃であった。
【００６３】ＮＭＲ：δ＝０．８８（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝６
Ｈｚ），１．０〜２．１（ｍ，２４Ｈ），２．５（ｍ，
１Ｈ），４．２（ｍ，１Ｈ），４．４（ｄ，１Ｈ，１２
Ｈｚ），４．７（ｄ，１Ｈ，１２Ｈｚ），５．２（ｍ，
１Ｈ），７．２〜７．６（ｍ，８Ｈ） ＩＲ：１４９５，１４４０，１３７５，１３４５，１２
６０，１１９５，１０９０，１０６０，１０１５，１０
００，８０５cm-1 ＭＳ：ｍ／ｅ＝４２０（Ｍ+）
Ｈｚ），１．０〜２．１（ｍ，２４Ｈ），２．５（ｍ，
１Ｈ），４．２（ｍ，１Ｈ），４．４（ｄ，１Ｈ，１２
Ｈｚ），４．７（ｄ，１Ｈ，１２Ｈｚ），５．２（ｍ，
１Ｈ），７．２〜７．６（ｍ，８Ｈ） ＩＲ：１４９５，１４４０，１３７５，１３４５，１２
６０，１１９５，１０９０，１０６０，１０１５，１０
００，８０５cm-1 ＭＳ：ｍ／ｅ＝４２０（Ｍ+）
【００６４】（実施例３） ２−［４−（トランス−４
−プロピルシクロヘキシル）ベンジルオキシ］テトラヒ
ドロフラン（第１表中のＮｏ．６の化合物）の合成 実施例１において、４−［４−（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）フェニル］ベンジルアルコールに代
えて、４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
ベンジルアルコールを用いた以外は実施例１と同様にし
て、２−［４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ベンジルオキシ］テトラヒドロフランを得た。この
化合物は室温で油状物であり、氷点下に冷却しても結晶
化しなかった。
−プロピルシクロヘキシル）ベンジルオキシ］テトラヒ
ドロフラン（第１表中のＮｏ．６の化合物）の合成 実施例１において、４−［４−（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）フェニル］ベンジルアルコールに代
えて、４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
ベンジルアルコールを用いた以外は実施例１と同様にし
て、２−［４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ベンジルオキシ］テトラヒドロフランを得た。この
化合物は室温で油状物であり、氷点下に冷却しても結晶
化しなかった。
【００６５】ＮＭＲ：δ＝０．９（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．
６Ｈｚ），１．０〜２．０（ｍ，７Ｈ），２．４（ｍ，
１Ｈ），３．９（ｍ，２Ｈ），４．４（ｄ，１Ｈ，１２
Ｈｚ），４．７（ｄ，１Ｈ，１２Ｈｚ），５．２（ｄ
ｄ，１Ｈ，３．６，２．２Ｈｚ），７．２（ｄｄ，１
Ｈ，３３，８．４Ｈｚ） ＭＳ：ｍ／ｅ＝３０２（Ｍ+）
６Ｈｚ），１．０〜２．０（ｍ，７Ｈ），２．４（ｍ，
１Ｈ），３．９（ｍ，２Ｈ），４．４（ｄ，１Ｈ，１２
Ｈｚ），４．７（ｄ，１Ｈ，１２Ｈｚ），５．２（ｄ
ｄ，１Ｈ，３．６，２．２Ｈｚ），７．２（ｄｄ，１
Ｈ，３３，８．４Ｈｚ） ＭＳ：ｍ／ｅ＝３０２（Ｍ+）
【００６６】（実施例４） ２−［４−［２−（４−ペ
ンチルフェニル）ピリジン−５−イル］フェノキシ］テ
トラヒドロフラン（第１表中のＮｏ．２の化合物）の合
成 実施例１において、４−［４−（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）フェニル］ベンジルアルコールに代
えて、４−［２−（４−ペンチルフェニル）ピリジン−
５−イル］フェノールを用いた以外は実施例１と同様に
して、２−［４−［２−（４−ペンチルフェニル）ピリ
ジン−５−イル］フェノキシ］テトラヒドロフランを得
た。この化合物の融点は１３７℃であり、Ｉ相からの冷
却時に、１７９℃以下でネマチック相を、１３６℃以下
でＳＢ相を、更に１０９℃以下で帰属不明のスメクチッ
ク相を示した。
ンチルフェニル）ピリジン−５−イル］フェノキシ］テ
トラヒドロフラン（第１表中のＮｏ．２の化合物）の合
成 実施例１において、４−［４−（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）フェニル］ベンジルアルコールに代
えて、４−［２−（４−ペンチルフェニル）ピリジン−
５−イル］フェノールを用いた以外は実施例１と同様に
して、２−［４−［２−（４−ペンチルフェニル）ピリ
ジン−５−イル］フェノキシ］テトラヒドロフランを得
た。この化合物の融点は１３７℃であり、Ｉ相からの冷
却時に、１７９℃以下でネマチック相を、１３６℃以下
でＳＢ相を、更に１０９℃以下で帰属不明のスメクチッ
ク相を示した。
【００６７】ＮＭＲ：δ＝０．９（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝８Ｈ
ｚ），１．０〜２．０（ｍ，１０Ｈ），２．７（ｔ，２
Ｈ，８Ｈｚ），４．０（ｔ，２Ｈ，７Ｈｚ），５．９
（ｍ，１Ｈ），７．１〜８．０（ｍ，１０Ｈ），８．９
（ｍ，１Ｈ） ＩＲ：１６００，１５１５，１４７０，１３６０，１２
４０，１１８０，１１７０，１１３０，８１０cm-1 ＭＳ：ｍ／ｅ＝３８７（Ｍ+）
ｚ），１．０〜２．０（ｍ，１０Ｈ），２．７（ｔ，２
Ｈ，８Ｈｚ），４．０（ｔ，２Ｈ，７Ｈｚ），５．９
（ｍ，１Ｈ），７．１〜８．０（ｍ，１０Ｈ），８．９
（ｍ，１Ｈ） ＩＲ：１６００，１５１５，１４７０，１３６０，１２
４０，１１８０，１１７０，１１３０，８１０cm-1 ＭＳ：ｍ／ｅ＝３８７（Ｍ+）
【００６８】（実施例５） ２−［４−（２−ヘキシル
ピリミジン−５−イル）フェノキシ］テトラヒドロフラ
ン（第１表中のＮｏ．３の化合物）の合成 実施例１において、４−［４−（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）フェニル］ベンジルアルコールに代
えて、４−（２−ヘキシルピリミジン−５−イル）フェ
ノールを用いた以外は実施例１と同様にして、２−［４
−［２−（４−プロピルフェニル）ピリミジン−５−イ
ル］フェノキシ］テトラヒドロフランを得た。この化合
物の融点は６９℃であり、液晶相は示さなかった。
ピリミジン−５−イル）フェノキシ］テトラヒドロフラ
ン（第１表中のＮｏ．３の化合物）の合成 実施例１において、４−［４−（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）フェニル］ベンジルアルコールに代
えて、４−（２−ヘキシルピリミジン−５−イル）フェ
ノールを用いた以外は実施例１と同様にして、２−［４
−［２−（４−プロピルフェニル）ピリミジン−５−イ
ル］フェノキシ］テトラヒドロフランを得た。この化合
物の融点は６９℃であり、液晶相は示さなかった。
【００６９】（実施例６） ２−［４−（トランス−４
−プロピルシクロヘキシル）フェニル］−５−メチルテ
トラヒドロフラン（第１表中のＮｏ．１の化合物）の合
成
−プロピルシクロヘキシル）フェニル］−５−メチルテ
トラヒドロフラン（第１表中のＮｏ．１の化合物）の合
成
【００７０】
【化１６】
【００７１】（６−ａ）１−ブロモ−４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼン５．０ｇをエー
テル１５ｍｌに溶解し、０℃に冷却した。これにｎ−ブ
チルリチウム１．７Ｍヘキサン溶液１２ｍｌを５分間で
滴下した。室温に戻して１時間攪拌した後、内容物を、
γ−バレロラクトン５．３ｇの３０ｍｌトルエン溶液に
０℃で１０分間で滴下した。室温で１時間攪拌した後、
飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、有機層を水で洗滌
した。無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した後、溶媒を溜
去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン
／酢酸エチル混合系）を用いて精製して、１−（４−ヒ
ドロキシ）ペンタノイル−４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）ベンゼン４．１ｇ（収率６３％）を
得た。
４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼン５．０ｇをエー
テル１５ｍｌに溶解し、０℃に冷却した。これにｎ−ブ
チルリチウム１．７Ｍヘキサン溶液１２ｍｌを５分間で
滴下した。室温に戻して１時間攪拌した後、内容物を、
γ−バレロラクトン５．３ｇの３０ｍｌトルエン溶液に
０℃で１０分間で滴下した。室温で１時間攪拌した後、
飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、有機層を水で洗滌
した。無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した後、溶媒を溜
去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン
／酢酸エチル混合系）を用いて精製して、１−（４−ヒ
ドロキシ）ペンタノイル−４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）ベンゼン４．１ｇ（収率６３％）を
得た。
【００７２】（６−ｂ）水素化アルミニウムリチウム
（ＬＡＨ）２６０ｇをエーテル１０ｍｌ中に懸濁させ
た。氷冷下、これに１−（４−ヒドロキシ）ペンタノイ
ル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベ
ンゼン１．４ｇをエーテル５ｍｌに溶解して、１５分間
で滴下した。０℃で２時間攪拌した後、水を加えて過剰
の水素化物を分解した。これに適量の稀塩酸を加え、無
機物を沈澱させた。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱
水乾燥した後、減圧下に溶媒を溜去して、１−（１，４
−ジヒドロキシ）ペンチル−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）ベンゼン１．２ｇ（収率８５％）
を得た。
（ＬＡＨ）２６０ｇをエーテル１０ｍｌ中に懸濁させ
た。氷冷下、これに１−（４−ヒドロキシ）ペンタノイ
ル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベ
ンゼン１．４ｇをエーテル５ｍｌに溶解して、１５分間
で滴下した。０℃で２時間攪拌した後、水を加えて過剰
の水素化物を分解した。これに適量の稀塩酸を加え、無
機物を沈澱させた。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱
水乾燥した後、減圧下に溶媒を溜去して、１−（１，４
−ジヒドロキシ）ペンチル−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）ベンゼン１．２ｇ（収率８５％）
を得た。
【００７３】（６−ｃ）１−（１，４−ジヒドロキシ）
ペンチル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ベンゼン１．２ｇをトルエン３０ｍｌに溶解し、ｐ
−トルエンスルホン酸７０ｍｇを加え、８０℃で１時間
加熱攪拌した。放冷後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液、水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した。
溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
（ヘキサン／酢酸エチル混合系）を用いて精製して、２
−［４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル］−５−メチルテトラヒドロフラン１．０ｇ（収
率９５％）を得た。これはトランス体とシス体の重量比
が約１／１の混合物であり、室温で油状物質であった。
ペンチル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ベンゼン１．２ｇをトルエン３０ｍｌに溶解し、ｐ
−トルエンスルホン酸７０ｍｇを加え、８０℃で１時間
加熱攪拌した。放冷後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液、水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した。
溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
（ヘキサン／酢酸エチル混合系）を用いて精製して、２
−［４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル］−５−メチルテトラヒドロフラン１．０ｇ（収
率９５％）を得た。これはトランス体とシス体の重量比
が約１／１の混合物であり、室温で油状物質であった。
【００７４】ＮＭＲ：δ＝０．９（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝６Ｈ
ｚ），１．０〜２．２（ｍ，２０Ｈ），２．４（ｍ，１
Ｈ），４．２（ｍ，１Ｈ），４．８（ｍ，１Ｈ），７．
２（ｍ，４Ｈ） ＭＳ：ｍ／ｅ＝２８６（Ｍ+）
ｚ），１．０〜２．２（ｍ，２０Ｈ），２．４（ｍ，１
Ｈ），４．２（ｍ，１Ｈ），４．８（ｍ，１Ｈ），７．
２（ｍ，４Ｈ） ＭＳ：ｍ／ｅ＝２８６（Ｍ+）
【００７５】（実施例７） 液晶組成物の調製 以下の組成からなる母体液晶（Ａ）
【００７６】
【化１７】
【００７７】（上記中、シクロヘキサン環はトランス配
置を表わす。）を調製したところ、５４．５℃以下でネ
マチック（Ｎ）相を示した。その物性値及びこれを用い
て作製したＴＮセルのしきい値電圧（Ｖth）は以下の通
りであった。
置を表わす。）を調製したところ、５４．５℃以下でネ
マチック（Ｎ）相を示した。その物性値及びこれを用い
て作製したＴＮセルのしきい値電圧（Ｖth）は以下の通
りであった。
【００７８】 誘電率異方性（Δε） ６．７ 屈折率異方性（Δｎ） ０．０９２ しきい値電圧（Ｖth） １．６０Ｖ
【００７９】この母体液晶（Ａ）８０％及び実施例１で
得られたＮｏ．４の化合物２０％からなる液晶組成物
（Ｍ−１）を調製した。この（Ｍ−１）のＮ相の上限温
度（ＴN-I）及びその物性値は以下の通りであった。
得られたＮｏ．４の化合物２０％からなる液晶組成物
（Ｍ−１）を調製した。この（Ｍ−１）のＮ相の上限温
度（ＴN-I）及びその物性値は以下の通りであった。
【００８０】 Ｎ相の上限温度（ＴN-I） ６４．３℃ 誘電率異方性（Δε） ６．０ 屈折率異方性（Δｎ） ０．１０３ しきい値電圧（Ｖth） １．６５Ｖ このようにネマチック相の上限温度が約１０度も上昇し
ているにもかかわらず、そのしきい値電圧はわずかしか
高くなっていないことがわかる。誘電率異方性（Δε）
は小さくなっており、前述の式（１）から考えて、Ｎ
ｏ．１の化合物の弾性定数（Ｋ）が非常に低いことを示
している。
ているにもかかわらず、そのしきい値電圧はわずかしか
高くなっていないことがわかる。誘電率異方性（Δε）
は小さくなっており、前述の式（１）から考えて、Ｎ
ｏ．１の化合物の弾性定数（Ｋ）が非常に低いことを示
している。
【００８１】（比較例１）実施例７において、Ｎｏ．１
の化合物に代えてこれまで同様の目的に用いられてきた
化合物である式（Ｒ−１）
の化合物に代えてこれまで同様の目的に用いられてきた
化合物である式（Ｒ−１）
【００８２】
【化１８】
【００８３】の化合物２０％及び母体液晶（Ａ）８０％
からなる液晶組成物（Ｎ−１）を調製した。この（Ｎ−
１）のＮ相の上限温度（ＴN-I）及びその物性値は以下
の通りであった。
からなる液晶組成物（Ｎ−１）を調製した。この（Ｎ−
１）のＮ相の上限温度（ＴN-I）及びその物性値は以下
の通りであった。
【００８４】 Ｎ相の上限温度（ＴN-I） ７６．２℃ 誘電率異方性（Δε） ６．１ 屈折率異方性（Δｎ） ０．１００ しきい値電圧（Ｖth） １．９９Ｖ このようにＮ相の上限温度は（Ｍ−１）に比べて高くな
っているものの、そのしきい値電圧（Ｖth）はかなり高
い値となった。誘電率異方性（Δε）は（Ｍ−１）とほ
とんど変わらないので、式（１）から考えて、式（Ｒ−
１）の化合物の弾性定数はＮｏ．１の化合物と比べると
かなり大きいと考えられる。
っているものの、そのしきい値電圧（Ｖth）はかなり高
い値となった。誘電率異方性（Δε）は（Ｍ−１）とほ
とんど変わらないので、式（１）から考えて、式（Ｒ−
１）の化合物の弾性定数はＮｏ．１の化合物と比べると
かなり大きいと考えられる。
【００８５】（比較例２）実施例７において、Ｎｏ．１
の化合物に代えて、これまで同様の目的に用いられてき
た化合物である式（Ｒ−２）
の化合物に代えて、これまで同様の目的に用いられてき
た化合物である式（Ｒ−２）
【００８６】
【化１９】
【００８７】の化合物２０％及び母体液晶（Ａ）８０％
からなる液晶組成物（Ｎ−２）を調製した。この（Ｎ−
１）のＮ相の上限温度（ＴN-I）及びその物性値は以下
の通りであった。
からなる液晶組成物（Ｎ−２）を調製した。この（Ｎ−
１）のＮ相の上限温度（ＴN-I）及びその物性値は以下
の通りであった。
【００８８】 Ｎ相の上限温度（ＴN-I） ７６．７℃ 誘電率異方性（Δε） ６．８ 屈折率異方性（Δｎ） ０．１１５ しきい値電圧（Ｖth） １．８７Ｖ Ｎ相の上限温度は（Ｎ−１）と同程度であった。誘電率
異方性（Δε）は（Ｍ−１）に比べるとかなり高いにも
かかわらず、そのしきい値電圧（Ｖth）は（Ｍ−１）に
比べるとかなり高い値となったことから、式（Ｒ−１）
の化合物の弾性定数はＮｏ．１の化合物と比べるとかな
り大きいと考えられる。
異方性（Δε）は（Ｍ−１）に比べるとかなり高いにも
かかわらず、そのしきい値電圧（Ｖth）は（Ｍ−１）に
比べるとかなり高い値となったことから、式（Ｒ−１）
の化合物の弾性定数はＮｏ．１の化合物と比べるとかな
り大きいと考えられる。
【００８９】以上の結果から一般式（Ｉ）の化合物は、
母体液晶（Ａ）に少量添加することにより、母体液晶の
しきい値電圧（Ｖth）をほとんど上昇させることなし
に、液晶相の上限温度を高くできる効果を有することが
明らかである。
母体液晶（Ａ）に少量添加することにより、母体液晶の
しきい値電圧（Ｖth）をほとんど上昇させることなし
に、液晶相の上限温度を高くできる効果を有することが
明らかである。
【００９０】
【発明の効果】本発明に係わる一般式（Ｉ）で表わされ
る化合物は、ネマチック液晶として現在汎用されている
母体液晶との相溶性に優れており、これに少量添加する
ことにより、それを用いた液晶セルのしきい値電圧（Ｖ
th）をほとんど高くすることなく、液晶相の温度範囲を
高温域に拡大することが可能であるので、各種液晶表示
素子の材料として適している。
る化合物は、ネマチック液晶として現在汎用されている
母体液晶との相溶性に優れており、これに少量添加する
ことにより、それを用いた液晶セルのしきい値電圧（Ｖ
th）をほとんど高くすることなく、液晶相の温度範囲を
高温域に拡大することが可能であるので、各種液晶表示
素子の材料として適している。
【００９１】また、一般式（Ｉ）の化合物は、実施例に
示したように工業的にも容易に製造でき、熱、光等に対
し、化学的に安定であるので、各種液晶表示素子の材料
として、非常に有用である。
示したように工業的にも容易に製造でき、熱、光等に対
し、化学的に安定であるので、各種液晶表示素子の材料
として、非常に有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｋ 19/34 7457−4Ｈ 19/42 7457−4Ｈ
Claims (3)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1は炭素原子数１〜１２の直鎖状アルキル基
を表わし、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃはそれぞれ独立的に、ト
ランス−１，４−シクロヘキシレン基、フッ素原子によ
って置換されていてもよい１，４−フェニレン基、ピリ
ミジン−２，５−ジイル基又はピリジン−２，５−ジイ
ル基を表わし、ｎは０又は１を表わし、Ｘは−ＣＨ2Ｏ
−、−ＯＣＨ2−、−Ｏ−又は単結合を表わし、Ｒ2は水
素原子又は炭素原子数１〜１２の直鎖状アルキル基を表
わす。）で表わされる化合物。 - 【請求項２】 Ｘが−ＣＨ2Ｏ−、−Ｏ−又は単結合で
あることを特徴とする請求項１記載の化合物。 - 【請求項３】 請求項１記載の一般式（Ｉ）で表わされ
る化合物を含有する液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22712792A JPH0673041A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | テトラヒドロフラン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22712792A JPH0673041A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | テトラヒドロフラン誘導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0673041A true JPH0673041A (ja) | 1994-03-15 |
Family
ID=16855906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22712792A Pending JPH0673041A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | テトラヒドロフラン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0673041A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7534547B2 (en) * | 2001-03-29 | 2009-05-19 | Osaka Gas Company Limited | Optically active compound and photosensitive resin composition |
| JP2012001502A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Jnc Corp | ５員環を有する化合物、液晶組成物および液晶表示素子 |
| CN103333139A (zh) * | 2012-06-20 | 2013-10-02 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 一类含有四氢呋喃结构的液晶化合物 |
| CN103525433A (zh) * | 2013-09-25 | 2014-01-22 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 含二氟亚甲基醚基化合物的液晶组合物 |
| CN103525431A (zh) * | 2013-09-12 | 2014-01-22 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 一种快速响应的液晶组合物 |
| CN103740378A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-23 | 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 | 一种含有四氢呋喃类化合物的液晶组合物及其应用 |
| CN103773387A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-05-07 | 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 | 含有四氢呋喃类化合物的液晶组合物、以及它的应用 |
| CN103805210A (zh) * | 2014-01-25 | 2014-05-21 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 一种用于快速响应tft-lcd的液晶组合物 |
| CN110573152A (zh) * | 2017-03-06 | 2019-12-13 | 首尔大学校产学协力团 | 用于预防或治疗瘙痒症的、包含吡唑类衍生物作为有效成分的药物组合物以及用于其检测的筛选方法 |
| CN115491211A (zh) * | 2022-09-08 | 2022-12-20 | 重庆汉朗精工科技有限公司 | 一种负性液晶组合物及其在液晶显示装置中的应用 |
-
1992
- 1992-08-26 JP JP22712792A patent/JPH0673041A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7534547B2 (en) * | 2001-03-29 | 2009-05-19 | Osaka Gas Company Limited | Optically active compound and photosensitive resin composition |
| US8999197B2 (en) | 2010-06-18 | 2015-04-07 | Jnc Corporation | Compound having a five-membered ring, the liquid crystal composition and the liquid crystal display device |
| JP2012001502A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Jnc Corp | ５員環を有する化合物、液晶組成物および液晶表示素子 |
| US8685274B2 (en) | 2010-06-18 | 2014-04-01 | Jnc Corporation | Compound having a five-membered ring, the liquid crystal composition and the liquid crystal display device |
| CN103333139A (zh) * | 2012-06-20 | 2013-10-02 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 一类含有四氢呋喃结构的液晶化合物 |
| CN103525431A (zh) * | 2013-09-12 | 2014-01-22 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 一种快速响应的液晶组合物 |
| CN103525431B (zh) * | 2013-09-12 | 2015-09-09 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 一种快速响应的液晶组合物 |
| CN103525433A (zh) * | 2013-09-25 | 2014-01-22 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 含二氟亚甲基醚基化合物的液晶组合物 |
| CN103525433B (zh) * | 2013-09-25 | 2015-12-23 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 含二氟亚甲基醚基化合物的液晶组合物 |
| CN103773387A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-05-07 | 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 | 含有四氢呋喃类化合物的液晶组合物、以及它的应用 |
| CN103740378A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-23 | 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 | 一种含有四氢呋喃类化合物的液晶组合物及其应用 |
| CN103740378B (zh) * | 2013-12-30 | 2015-11-25 | 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 | 一种含有四氢呋喃类化合物的液晶组合物及其应用 |
| CN103805210A (zh) * | 2014-01-25 | 2014-05-21 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 一种用于快速响应tft-lcd的液晶组合物 |
| CN110573152A (zh) * | 2017-03-06 | 2019-12-13 | 首尔大学校产学协力团 | 用于预防或治疗瘙痒症的、包含吡唑类衍生物作为有效成分的药物组合物以及用于其检测的筛选方法 |
| CN115491211A (zh) * | 2022-09-08 | 2022-12-20 | 重庆汉朗精工科技有限公司 | 一种负性液晶组合物及其在液晶显示装置中的应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3975562B2 (ja) | 誘電率異方性値が負の液晶性化合物、この液晶性化合物を含有する液晶組成物、及びこの液晶組成物を用いた液晶表示素子 | |
| JPH0977692A (ja) | ビシクロヘキサン誘導体 | |
| JPH0673041A (ja) | テトラヒドロフラン誘導体 | |
| WO2004050797A1 (ja) | インダン化合物を含有するネマチック液晶組成物 | |
| JP3797435B2 (ja) | ５−置換アルコキシベンゼン誘導体 | |
| JPH06256339A (ja) | クロマン誘導体 | |
| JP3632772B2 (ja) | ４−アルケニルオキシ−３，５−ジフルオロベンゼン誘導体 | |
| JP4193077B2 (ja) | １，３−フェニレン誘導体 | |
| JP3716436B2 (ja) | ５−置換アルキルベンゼン誘導体 | |
| JP4311046B2 (ja) | インダン化合物およびそれを含有するネマチック液晶組成物 | |
| JP3797433B2 (ja) | ベンジル（５−置換フェニル）エーテル誘導体 | |
| JPH10120600A (ja) | 新規アルケニルトラン誘導体 | |
| JP3065094B2 (ja) | エーテル結合を有するハロゲン化フェニルシクロヘキシルジオキサン | |
| JP3797436B2 (ja) | 光学活性化合物 | |
| JP4239242B2 (ja) | フェニルナフタレン誘導体 | |
| JPH0656718A (ja) | フルオロシクロヘキサン誘導体 | |
| JP3433756B2 (ja) | ジフルオロシクロプロパン誘導体 | |
| JP3668991B2 (ja) | アルキルベンゼン誘導体 | |
| JPH06247885A (ja) | ４−アルキル−３，５−ジフルオロベンゼン誘導体 | |
| JPH11228520A (ja) | フッ素置換４−（３−アルケニル）安息香酸とそのフェニルエステル誘導体及びそれを含有する液晶組成物 | |
| JP3575049B2 (ja) | フルオロシクロプロパン誘導体及び液晶組成物 | |
| JPH06122636A (ja) | ４−フルオロアルキルベンゼン誘導体 | |
| JPH09291048A (ja) | シクロヘキサン誘導体 | |
| JP3668990B2 (ja) | ３−置換フェニルアセチレン誘導体 | |
| JP4779493B2 (ja) | ２−ナフチル−１，３−ジオキサン誘導体 |