JPH0672994A - 22−オキサコレカルシフェロール誘導体とその製造方法 - Google Patents

22−オキサコレカルシフェロール誘導体とその製造方法

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JPH0672994A
JPH0672994A JP4354362A JP35436292A JPH0672994A JP H0672994 A JPH0672994 A JP H0672994A JP 4354362 A JP4354362 A JP 4354362A JP 35436292 A JP35436292 A JP 35436292A JP H0672994 A JPH0672994 A JP H0672994A
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哲弘 三上
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Noboru Kubodera
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清成 越智
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Abstract

(57)【要約】 [構成] (式中Rは水素原子または水酸基を表す。RとR
は、同一または異なってC〜Cの低級アルキル基を
表す。)で示される22−オキサコレカルシフェロール
誘導体とその製造方法。 [効果] 本発明の化合物は、強力な分化誘導作用、増
殖抑制作用を有し、抗腫瘍剤や抗リウマチ剤、乾癬治療
剤、副甲状腺機能亢進症治療薬としての用途が期待され
る。本製造法は、副生成物を低減して所望の22−オキ
サコレカルシフェロール誘導体効率よく製造できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、医薬品として期待され
る22−オキサコレカルシフェロール誘導体およびその
有用な合成中間体、その中間体を経由して22−オキサ
コレカルシフェロール誘導体を製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】これ
まで22−オキサコレカルシフェロール誘導体は、例え
ば特開昭61−267550号公報記載の方法で製造さ
れていた。この方法は、一般式(II)
【化14】 (式中Rは水素原子、水酸基または保護された水酸基
を表す。Rは水酸基また
【0003】は保護された水酸基を表す。RとR
は、それぞれ水素原子を表すか、一緒になって二重結
合を表す。)
【0004】で示される化合物を、式1
【式1】 (式中R、R、R、Rは一般式(II)に同
じ)
【0005】に示すように、塩基性触媒存在下、1−ブ
ロモ−3−プロペンを反応させて20S−(3−ブテニ
ルオキシ)体とし、次いで触媒存在下、酸素酸化して2
0S−(3−オキソブチルオキシ)体とし、次いでグリ
ニヤー試薬を反応させて20S−(3−ヒドロキシ−3
−メチルブチルオキシ)体を製造する方法である。
【0006】しかし、この方法の反応工程は、操作が煩
雑であり、さらに1−ブロモ−3−プロペンを反応させ
る工程は、かなりの割合で20S−(2−ブテニルオキ
シ)体が副生するため目的物の収量が低く、また分離精
製が容易でない等の欠点があった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
した結果、一般式(III)
【化15】 (式中RはC〜Cのジアルキルアミノ基を表
す。)
【0008】で示される化合物により20位の水酸基の
O−アルキル化を行って側鎖を構築する方法を見いだ
し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。
【0009】すなわち、本発明は、一般式(II)で示
される化合物を出発物質とする。
【化16】 (式中Rは水素原子、水酸基または保護された水酸基
を表す。Rは水酸基または保護された水酸基を表す。
とRは、それぞれ水素原子を表すか、一緒になっ
て二重結合を表す。)
【0010】この化合物は、例えば特開昭61−267
550号公報記載の方法で製造することができる。
【0011】本発明で水酸基を保護して反応する場合、
保護基として用いられるのは、塩基性条件下で脱離しな
いものであり、このようなものとしては、トリメチルシ
リル基、トリエチルシリル基、tert−ブチルジメチ
ルシリル基等の低級アルキルシリル基をあげることがで
きる。好ましくは、tert−ブチルジメチルシリル基
が用いられる。
【0012】次ぎに、一般式(II)で示される化合物
と一般式(III)
【化17】 (式中RはC〜Cのジアルキルアミノ基を表
す。)で示される化合物を塩基触媒存在下、反応に付
す。
【0013】一般式(III)で示される化合物として
は、ジメチルアクリルアミド、ジエチルアクリルアミド
等のアクリル酸アミド類が用いられる。
【0014】反応に用いる塩基としては、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等の金属水酸
化物や水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化カル
シウム等の金属水素化物が用いられる。
【0015】反応に用いる溶媒は、塩基として金属水酸
化物を用いる場合には、反応試薬の溶解度を高め、水と
混合しやすくアルカリに安定な有機溶媒が用いられる。
この目的に好ましい溶媒としては、テトラヒドロフラン
(THF)、ジオキサン、ジグリム等のエーテル系溶媒
が用いられる。
【0016】また、アルカリに安定な有機溶媒であれ
ば、水とは混合しない有機溶媒でも本反応に用いられ、
その例としては、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳
香族炭化水素系溶媒があげられる。この場合は、相間移
動触媒を用いるのが好ましく、テトラブチルアンモニウ
ム塩等が好ましく用いられる。
【0017】塩基として金属水素化物を用いる場合は、
前述の溶媒を乾燥して用いることが好ましい。すなわ
ち、THF、ジオキサン、ジグリム等のエーテル系やト
ルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒
が乾燥して用いられ、好ましくはTHFが用いられる。
【0018】反応温度、反応時間は適宜選択し得るが、
アクリル酸アミド類の重合反応を防止するためには、室
温あるいは室温以下で反応するのが好ましい。
【0019】この反応で得られた化合物は、新規であり
種々の22−オキサコレカルシフェロール誘導体合成の
有用な中間体である。次に、この有用な中間体である一
般式(IV)
【化18】 (式中Rは水素原子、水酸基または保護された水酸基
を表す。Rは水酸基または保護された水酸基を表す。
とRは、それぞれ水素原子を表すか、一緒になっ
て二重結合を表す。RはC〜Cのジアルキルアミ
ノ基を表す。)
【0020】で示される化合物は、一般式(V)
【化19】 (式中、RはC〜Cの低級アルキル基を表し、X
はアルカリ金属、アルカリ土類金属ハロゲン化物、セリ
ウムハロゲン化物を表す。)で示される化合物を反応さ
せて、一般式(VI)で示される化合物に変換する。
【0021】
【化20】 (式中RとR3は、同一または異なってC〜C
低級アルキル基を表す。Rは水素原子、水酸基または
保護された水酸基を表す。Rは水酸基または保護され
た水酸基を表す。RとRは、それぞれ水素原子を表
すか、一緒になって二重結合を表す。)
【0022】この反応に用いる一般式(V)の代表的化
合物としては、メチルリチウム、ブチルリチウム、メチ
ルマグネシウムブロミド、エチルマグネシウムブロミ
ド、メチルセリウムクロリド等があげられる。
【0023】反応溶媒としては、有機金属化合物を分解
せず、副生成物を制御できる非プロトン性溶媒がよく、
好ましくは、THF、ジメチルエーテル等のエーテル系
溶媒が用いられる。これらの溶媒は、常法により無水の
状態にして用いられる。
【0024】反応温度、反応時間は適宜選択できるが、
脱離反応により一般式(II)に戻るのを可能な限り抑
制するために、−30℃〜室温で数十分から数時間で行
うのが好ましい。
【0025】ここで一般式(VI)においてRとR
がそれぞれ水素原子を表す場合は、この化合物をビタミ
ンD骨格に導いていくために、RとRが二重結合を
表す化合物(5,7−ジエン化合物)に変換しなければ
ならない。
【0026】そこで、常法により、例えば特開昭53−
71055号公報記載の方法で式2
【式2】 (式中R、R、R、Rは、一般式(VI)に同
じ)
【0027】に示すようにアリル位ハロゲン化試薬によ
りステロイドの7位をハロゲン化、次いで塩基による脱
ハロゲン化水素反応を行うことによって容易に5,7−
ジエン化合物に変換される。
【0028】アリル位ハロゲン化試薬としては、N−ブ
ロモコハク酸イミド、N−クロロコハク酸イミド、1,
3−ジブロモ−5,5−ジメチルヒダントイン等が用い
られる。
【0029】反応溶媒としては、ハロゲン化に不活性な
溶媒、好ましくは、n−ヘキサン、四塩化炭素等の無極
性溶媒が用いられる。さらに反応をよく進行させるため
に光照射する、あるいはアゾビスイソブチロニトリル
(AIBN)等のラジカル反応開始剤を添加する等の手
段を用いてもよい。
【0030】脱ハロゲン化水素反応に用いる塩基は、
2,4,6−トリメチルピリジン(γ−コリジン)、
2,6−ルチジン、ピリジン系のイオン交換樹脂等の有
機塩基、炭酸リチウム、炭酸カリウム等の無機塩基等が
用いられる。
【0031】反応溶媒、反応温度、反応時間は、塩基の
種類により適宜選択し得るが、塩基にγ−コリジンを用
いてトルエン中約10分加熱還流することが好ましい。
【0032】この反応は、目的とする5,7−ジエン化
合物以外に、二重結合が移動した4,6−ジエン化合物
を副生することがある。この場合、精製は反応混合物を
そのままシリカゲルカラムクロマトグラフィー等で行っ
てもよいが、5,7−ジエン化合物に一般式(VII)
【化21】
【0033】で示される化合物を1,4−付加させて分
離精製し、脱離反応を行って5,7−ジエン化合物に復
帰させてもよい。(4,6−ジエン化合物は付加体を形
成しない。)
【0034】これまで、1,4−付加化合物の脱離反応
は、水素化アルミニウムリチウム等の強力な還元剤、あ
るいは高沸点溶媒中無機塩基を用いて行われてきた。こ
のため、還元反応に耐えられない官能基を有する場合あ
るいは塩基に弱い官能基を有する場合には適用できなか
った。従って、本件のような分離精製法としての使用に
は制限があった。
【0035】しかし、本発明者らは、中性条件でほとん
どの官能基に影響を及ぼすことなく脱離反応する方法を
見いだした。
【0036】すなわち、触媒を用いることなく、1,3
−ジメチル−2−イミダゾリジノン(DMI)、N,N
−ジメチルホルムアミド(DMF)等の非プロトン性極
性溶媒中加熱することにより、高収率で脱離反応させる
方法である。
【0037】反応温度、反応時間は適宜選択できるが、
DMIを用いて、100〜150℃数時間加熱させるこ
とが、副生成物が少なく、目的物が高収率で得られる。
【0038】ここで用いられる一般式(VII)で示さ
れる化合物としては、4−フェニル−1,2,4−トリ
アゾリン−3,5−ジオンが好ましい。
【0039】次に得られた一般式(VI)でRとR
が一緒になって二重結合を表す示される化合物は、R
あるいはRが保護されている水酸基の場合は、常法に
より脱保護反応に付し、RあるいはRが水酸基を表
す化合物に変換される。
【0040】このようにして得られた化合物は、常法に
より、例えば特開昭50−84555号公報記載の方法
に準じ、不活性溶媒中光照射反応、続いて熱異性化反応
に付すことにより、容易に一般式(I)で示される22
−オキサコレカルシフェロール誘導体に変換される。
【化22】 (式中Rは水素原子または水酸基を表す。RとR
は、同一または異なってC〜Cの低級アルキル基を
表す。)
【0041】一般式(I)においてRが水素原子、R
とRがメチル基である化合物は、新規な22−オキ
サコレカルシフェロール誘導体であり、分化誘導作用、
細胞増殖抑制作用を有する。
【0042】
【実施例】次に実施例で本発明をさらに詳しく説明する
が、これにより本発明が限定されるものではない。
【0043】
【実施例1】1α,3β−ジヒドロキシ−20S−(3−メチル−3
−ヒドロキシブチルオキシ)−9,10−セコプレグナ
−5,7,10(19)−トリエンの製造方法
【0044】1)1α,3β−ビス(tert−ブチル
ジメチルシリルオキシ)−20S−{2−(ジメチルア
ミノカルボニル)エチルオキシ}−5−プレグネンの製
【0045】1α,3β−ビス(tert−ブチルジメ
チルシリルオキシ)−20S−ヒドロキシ−5−プレグ
ネン1.95kgをTHF121に溶解して0℃に冷却
した。この溶解にジメチルアクリルアミド1.06kg
および水素化ナトリウム215gを加え、0℃で8時間
反応した。冷却下、反応液に飽和塩化アンモニウム水溶
液2.81を滴下し、さらに飽和食塩水151と酢酸エ
チル181を加えた。有機層を飽和水溶液で洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を濃縮した。得られた
反応混合物にn−ヘキサン61を加えて結晶化させた。
生じた結晶を濾過して乾燥することにより標記化合物の
結晶1.66kg(収率73%)を得た。
【0046】 融点:148−150℃(メタノールから再結晶)
【0047】2)1α,3β−ビス(tert−ブチル
ジメチルシリルオキシ)−20S−(3−メチル−3−
ヒドロキシブチルオキシ)−5−プレグネンの製法
【0048】塩化セリウム(III)七水和物3.08
kgを電気炉で脱水し(250℃、2時間)、得られた
無水物を反応容器にいれてさらに減圧乾燥した(120
℃、3時間)。反応容器をアルゴン置換後、乾燥THF
8.01を加えて室温で1時間撹拌した。−20℃に冷
却してメチルマグネシウムブロミド溶液(1mol/l
THF溶液)7.51を加え、30分反応した。この
反応液に−20℃で1α,3β−ビス(tert−ブチ
ルジメチルシリルオキシ)−20S−{2−(ジメチル
アミノカルボニル)エチルオキシ}−5−プレグネン
1.62kgを加え、同温度で30分間反応した。反応
液を塩化アンモニウム1.0kgを溶解した水20lに
滴下し、有機層を分離、水層は酢酸エチル10lで再抽
出し、有機層を合わせて無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶媒を濃縮して、1α,3β−ビス(tert−ブ
チルジメチルシリルオキシ)−20S−(3−オキソブ
チルオキシ)−5−プレグネンを得た。
【0049】 融点:105−106℃(メタノールから再結晶)
【0050】この生成物を再度、前述の反応に付して、
標記化合物の粗生成物を得、これをメタノールに懸濁さ
せて生じた結晶を濾過し、乾燥して標記化合物1.12
kg(収率73%)を得た。
【0051】 融点:168−169℃(メタノールから再結晶)
【0052】3)1α,3β−ビス(tert−ブチル
ジメチルシリルオキシ)−20S−(3−メチル−3−
ヒドロキシブチルオキシ)−5,7−プレグナジエンの
製法
【0053】1α,3β−ビス(tert−ブチルジメ
チルシリルオキシ)−20S−(3−メチル−3−ヒド
ロキシブチルオキシ)−5−プレグネン32.5gをn
−ヘキサン300mlに溶解し、N−ブロモスクシンイ
ミド(NBS)11.1g、アゾビスイソブチロニトリ
ル(AIBN)2.46gを加えて30分間加熱還流し
た。冷却後、不溶物を濾去し母液を濃縮した。残渣をト
ルエン200mlに溶解し、γ−コリジン25mlを加
え時間加熱還流した。冷却後、不溶物を濾去し、濾液に
n−ヘキサン200mlを加えて、1N塩酸300m
l、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液200ml、飽和食
塩水200mlで洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後、濃縮した(約100ml)。濃縮液にア
セトニリル500mlを加え、氷冷下1時間撹拌した。
生じた結晶を濾取し、得られた粗結晶を酢酸エチル10
0mlに溶解してアセトニトリル500mlに加えた。
氷冷下1時間撹拌し、生じた結晶を濾取して乾燥するこ
とにより標記化合物12.8g(収率40%)を得た。
【0054】○1,4−付加体を経由する精製操作 前記反応で得た粗結晶および精製結晶を濾取した母液を
濃縮し、塩化メチレン200mlに溶解した。これに4
−フェニル−1,2,4−トリアゾリン−3,5−ジオ
ン(PTAD)3.0gを加え、室温で30分間撹拌し
た。溶媒を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーに付し、n−ヘキサン:酢酸エチル=3:1の
混合溶媒で溶出して油状のPTADの1,4−付加体
3.63gを得た。
【0055】
【0056】この1,4−付加体をDMI36mlに溶
解して、140℃で2時間加熱した。冷却後、n−ヘキ
サン40mlを加え、飽和食塩水で3回洗浄した。無水
硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を留去した。得られた残
渣にメタノール20mlを加えて結晶化し、標記化合物
1.7g(収率5.3%)を得た。 標記化合物の総得量14.5g(収率45.3%)
【0057】 融点:150−151℃(アセトニトリルから再結晶)
【0058】4)1α,3β−ジヒドロキシ−20S−
(3−メチル−3−ヒドロキシブチルオキシ)−5,7
−プレグナジエンの製法
【0059】1α,3β−ビス(tert−ブチルジメ
チルシリルオキシ)−20S−(3−メチル−3−ヒド
ロキシブチルオキシ)−5,7−プレグナジエン14.
3gをTHF70mlに溶解し、テトラ−n−ブチルア
ンモニウムフロリド(TBAF)溶液(1mol/lT
HF溶液)133mlを加え、2時間加熱還流した。反
応液に酢酸エチル100mlを加え、0.5N塩酸、飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄後、無
水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去して得られ
た残渣をアセトンで結晶化して標記化合物8.59g
(収率93%)を得た。
【0060】 融点:181−183℃(アセトニトリルから再結晶)
【0061】5)1α,3β−ジヒドロキシ−20S−
(3−メチル−3−ヒドロキシブチルオキシ)−9,1
0−セコプレグナ−5(10),6,8−トリエンの製
【0062】1α,3β−ジヒドロキシ−20S−(3
−メチル−3−ヒドロキシブチルオキシ)−5,7−プ
レグナジエン12.6gをTHF220mlに溶解し、
バイコールフィルターを用いて高圧水銀灯で225分間
光照射した。反応液を濃縮して得られた残渣にアセトン
90mlを用いて結晶化させることにより原料化合物
5.57g(回率44%)を回収した。母液を分取用高
速液体クロマトグラフィー(ウォーターズ社製:SYS
TEM−500、溶媒;酢酸エチル:塩化メチレン=
5:2)で精製することにより、粗な標記化合物3.6
4g(収率29%)を得た。
【0063】 融点:81−94℃(酢酸エチルにより精製)
【0064】6)1α,3β−ジヒドロキシ−20S−
(3−メチル−3−ヒドロキシブチルオキシ)−9,1
0−セコプレグナ−5,7,10(19)−トリエンの
製法
【0065】粗な1α,3β−ジヒドロキシ−20S−
(3−メチル−3−ヒドロキシブチルオキシ)−9,1
0−セコプレグナ−5(10),6,8−トリエン3.
64gをTHF70mlに溶解し、室温で4日間放置L
た。溶媒を濃縮し得られた残渣を分取用高速液体クロマ
トグラフィー(ウォーターズ社製:SYSTEM−50
0、溶媒;酢酸エチル:塩化メチレン=5:4)で精製
することにより油状の標記化合物1.40gを得た。酢
酸エチルおよびn−ヘキサンを用いて結晶化することに
より結晶の標記化合物1.08gを得た(1α,3β−
ジヒドロキシ−20S−(3−メチル−3−ヒドロキシ
ブチルオキシ)−5,7−プレグナジエンからの収率
8.6%)。
【0066】融点:112−115℃(酢酸エチル−n
−ヘキサン系混合溶媒から結晶化)
【0067】
【実施例2】1α,3β−ビス(tert−ブチルジメチルシリルオ
キシ)−20S−(3−メチル−3−ヒドロキシブチル
オキシ)−5,7−プレグナジエンの製造方法
【0068】1)1α,3β−ビス(tert−ブチル
ジメチルシリルオキシ)−20S−{2,(ジメチルア
ミノカルボニル)エチルオキシ}−5,7−プレグナジ
エンの製法
【0069】1α,3β−ビス(tert−ブチルジメ
チルシリルオキシ)−20S−ヒドロキシ−5,7−プ
レグナジエン825gをTHF1.21に溶解して0℃
に冷却した。この溶液にジメチルアクリルアミド688
gおよび水素化ナトリウム175gを加え、0℃で8時
間反応した。冷却下、反応液に飽和塩化アンモニウム水
溶液700mlを滴下し、さらに飽和食塩水41と酢酸
エチル51を加えた。有機層を飽和水溶液で洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を濃縮した。得られた
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、n
−ヘキサン:酢酸エチル=3:1続いて酢酸エチルのみ
で溶出して標記化合物の結晶822g(収率85%)を
得た。
【0070】 融点:137−139℃(酢酸エチルから再結晶)
【0071】2)1α,3β−ビス(tert−ブチル
ジメチルシリルオキシ)−20S−(3−メチル−3−
ヒドロキシブチルオキシ)−5,7−プレグナジエンの
製法
【0072】塩化セリウム(III)七水和物561g
を電気炉で脱水し(250℃、2時間)、得られた無水
物を反応容器にいれてさらに減圧乾燥した(140℃、
2時間)。反応容器をアルゴン置換後、乾燥THF1.
35lを加えて室温で1時間撹拌した。−20℃に冷却
してメチルマグネシウムブロミド溶液(1mol/lT
HF溶液)1.36lを加え、30分反応した。この反
応液に−20℃で1α,3β−ビス(tert−ブチル
ジメチルシリルオキシ)−20S−{2−(ジメチルア
ミノカルボニル)エチルオキシ}−5,7−プレグナジ
エン300gを加え、同温度で30分間反応した。
【0073】反応液を塩化アンモニウム200gを溶解
した水4lに滴下し、有機層を分離、水層も酢酸エチル
5lで再抽出し、有機層を併せて無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。溶媒を濃縮して、1α,3β−ビス(te
rt−ブチルジメチルシリルオキシ)−20S−(3−
オキソブチルオキシ)−5,7−プレグナジエンを得
た。この生成物を再度、前述の反応に付して、標記化合
物の粗生成物を得、これをメタノールに懸濁させて生じ
た結晶を濾過し、乾燥して標記化合物229g(収率8
0%)を得た。
【0074】 融点:150−151℃(アセトニトリルから再結晶)
【0075】
【実施例3】1)3β−(tert−ブチルジメチルシリルオキシ)
−5−アンドロステン−17−オンの製法
【0076】デヒドロエピアンドロステロン56.7g
をDMF300mlに溶解し、イミダゾール41.7g
およびtert−ブチルジメチルクロロシラン46.0
8gを加えて室温で2時間撹拌した。反応終了後メタノ
ール150mlを加え、生じた結晶を濾取、メタノール
100mlで洗浄後、乾燥して標記化合物73.7g
(収率93.1%)を得た。
【0077】融点:149℃(メタノールから再結晶)
【0078】2)3β−(tert−ブチルジメチルシ
リルオキシ)−プレグナ−5,17(20)−ジエンの
製法
【0079】エチルトリフェニルホスホニウムブロミド
250gをTHF400mlに溶解し、カリウム−t−
ブトキシド70.0gを加えて、40℃で1時間30分
撹拌した。続いて、3β−(tert−ブチルジメチル
シリルオキシ)−5−アンドロステン−17−オン7
0.0gを加え、60℃で1時間30分撹拌した。冷却
後、反応液をn−ヘキサン200mlと水400mlに
注ぎ、有機層を分離、水層はn−ヘキサン300mlで
再抽出し、有機層を合わせて無水硫酸マグネシウムで乾
燥した。濃縮して得られた残渣にn−ヘキサン300m
lを加え室温で2時間撹拌した。析出した結晶を濾別
し、濾液を濃縮した。アセトン200mlとメタノール
300mlで結晶化することにより標記化合物68.8
g(収率95.4%)を得た。
【0080】 融点:98−101℃(メタノールから再結晶)
【0081】3)3β−(tert−ブチルジメチルシ
リルオキシ)−20S−ヒドロキシ−5,プレグネンの
製法
【0082】9−ボラビシクロ[3,3,1]ノナン溶
液(9−BBN、0.5M THF溶液)500mlに
3β−(tert−ブチルジメチルシリルオキシ)−プ
レグナ−5,17(20)−ジエン65.7gを加え、
40℃で2時間撹拌した。反応液を0℃に冷却し、3N
水酸化ナトリウム水溶液420mlおよび30%過酸化
水素水340gを滴下して、室温で3時間激しく撹拌し
た。反応液に酢酸エチル500mlを加えて有機層を分
離、水層は、酢酸エチル150mlで2回抽出し、有機
層を合わせて飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および飽和
食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶
媒を濃縮して得られた残渣にメタノール250mlを加
えて結晶化させた。生じた結晶を濾取、乾燥することに
より標記化合物56.3g(収率82%)を得た。
【0083】 融点:162−163℃(メタノールから再結晶)
【0084】4)3β−(tert−ブチルジメチルシ
リルオキシ)−20S−{2−(ジメチルアミノカルボ
ニル)エチルオキシ}−5−プレグネンの製法
【0085】3β−(tert−ブチルジメチルシリル
オキシ)−20S−ヒドロキシ−5−プレグネン53.
0gをTHF420mlに溶解して0℃に冷却した。こ
の溶液にジメチルアクリルアミド48.6gおよび水素
化ナトリウム9.8gを加え、0℃で8時間反応した。
冷却下、反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液100m
lを滴下し、さらに酢酸エチル400mlを加えた。有
機層を飽和水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥後溶媒を濃縮した。得られた反応混合物にn−ヘキサ
ン200mlを加えて結晶化させた。生じた結晶を濾過
して乾燥することにより標記化合物の結晶26.4gを
得た。さらに濾液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーにて精製して標記化合物292gを得た。総
得量55.6g(収率73%)。
【0086】融点:142℃(メタノールから再結晶)
【0087】5)3β−(tert−ブチルジメチルシ
リルオキシ)−20S−(3−メチル−3−ヒドロキシ
ブチルオキシ)−5−プレグネンの製法
【0088】あらかじめ無水処理した塩化セリウム(I
II)109gを反応容器にいれてさらに減圧乾燥した
(140℃、2時間)。反応容器をアルゴン置換後、乾
燥THF320mlを加えて室温で1時間撹拌した。−
10℃に冷却してメチルマグネシウムブロミド溶液(1
mol/lTHF溶液)400mlを加え、30分反応
した。この反応液に−10℃で3β−(tert−ブチ
ルジメチルシリルオキシ)−20S−{2−(ジメチル
アミノカルボニル)エチルオキシ}−5−プレグネン3
5.2gを加え、同温度で30分間反応した。反応液を
1N塩化アンモニウム水溶液に滴下し、有機層を分離、
水層は酢酸エチル200mlで再抽出し、有機層を合わ
せて無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を濃縮し
て、3β−(tert−ブチルジメチルシリルオキシ)
−20S−(3−オキソブチルオキシ)−5−プレグネ
ンを得た。
【0089】 融点:109−110℃(メタノールから再結晶)
【0090】この生成物を再度、前述の反応に付して、
標記化合物の粗生成物を得、これをメタノールに懸濁さ
せて生じた結晶を濾過し、乾燥して標記化合物45.0
g(収率87%)を得た。
【0091】融点:168℃(メタノールから再結晶)
【0092】6)3β−(tert−ブチルジメチルシ
リルオキシ)−20S−(3−メチル−3−ヒドロキシ
ブチルオキシ)−5,7−プレグナジエンの製法
【0093】3β−(tert−ブチルジメチルシリル
オキシ)−20S−(3−メチル−3−ヒドロキシブチ
ルオキシ)−5−プレグネン25.9gをn−ヘキサン
300mlに溶解し、NBS11.1g、AIBN2.
46gを加えて30分間加熱還流した。冷却後、不溶物
を濾去し母液を濃縮した。残渣をトルエン200mlに
溶解し、γ−コリジン25mlを加え1時間加熱還流し
た。冷却後、不溶物を濾去し、濾液にn−ヘキサン20
0mlを加えて、1N塩酸180ml、飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液50ml、飽和食塩水50mlで洗浄し
た。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した
(約100ml)。濃縮液をアセトニトリル400ml
に加え、氷冷下15分間撹拌した。生じた結晶を濾取
し、得られた粗結晶を塩化メチレン30mlに溶解して
アセトニトリル300mlに加えた。氷冷下15分間撹
拌し、生じた結晶を濾取して乾燥することにより標記化
合物5.52g(収率21%)を得た。
【0094】○1,4−付加体を経由する精製操作 前記反応で得た粗結晶および精製結晶を濾取した母液を
濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、
n−ヘキサン:酢酸エチル=10:1の混合溶媒で溶出
して標記化合物を含有する分画を集めて濃縮し、塩化メ
チレン200mlに溶解した。これにPTAD6.0g
を加え、室温で45分間撹拌した。溶媒を濃縮し、残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、n−ヘ
キサン:酢酸エチル=10:1次いで2:1の混合溶媒
で溶出してPTADの1,4−付加体4.71gを得
た。
【0095】 融点:196−197℃(アセトニトリルから再結晶)
【0096】この1,4−付加体をDMI50mlに溶
解して、160℃で2時間加熱した。冷却後、トルエン
40mlを加え、飽和食塩水50mlで洗浄した。無水
硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を留去した。得られた残
渣にアセトニトリル50mlを加えて結晶化し、標記化
合物2.47g(収率9%)を得た。 標記化合物の総得量7.99g(収率30%)
【0097】 融点:147−149℃(アセトニトリルから再結晶)
【0098】7)3β−ヒドロキシ−20S−(3−メ
チル−3−ヒドロキシブチルオキシ)−5,7−プレグ
ナジエンの製法
【0099】3β−(tert−ブチルジメチルシリル
オキシ)−20S−(3−メチル−3−ヒドロキシブチ
ルオキシ)−5,7−プレグナジエン7.60gをTH
F40mlに溶解し、TBAF溶液(1mol/lTH
F溶液)45mlを加え、室温で10時間撹拌した。反
応液に酢酸エチル50mlを加え、1N塩酸90ml、
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液100ml、飽和食塩水
100mlで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶媒を留去して得られた残渣をアセトン50mlで
結晶化して標記化合物4.50g(収率79%)を得
た。
【0100】 融点:162−164℃(アセトニトリルから再結晶)
【0101】8)3β−ヒドロキシ−20S−(3−メ
チル−3−ヒドロキシブチルオキシ)−9,10−セコ
プレグナ−5,7,10(19)−トリエンの製法
【0102】3β−ヒドロキシ−20S−(3−メチル
−3−ヒドロキシブチルオキシ)−5,7−プレグナジ
エン2.30gをTHF230mlに溶解し、バイコー
ルフィルターを用いて高圧水銀灯で 分間光照射した。
反応液を濃縮して得られた残渣にアセトン mlを用い
て結晶化させることにより原料化合物0.90g(回収
率39%)を回収した。母液を分取用高速液体クロマト
グラフィー(東ソー製:HLC−837、溶媒;酢酸エ
チル:塩化メチレン=1:5)で精製することにより、
粗な3β−ヒドロキシ−20S−(3−メチル−3−ヒ
ドロキシブチルオキシ),9,10−セコプレグナ−5
(10),6,8−トリエン0.33g(収率14%)
を得た。
【0103】
【0104】粗な3β−ジヒドロキシ−20S−(3−
メチル−3−ヒドロキシブチルオキシ)−9,10−セ
コプレグナ−5(10),6,8−トリエン0.33g
をTHF15mlに溶解し、2時間還流した。溶媒を濃
縮し得られた残渣を分取用高速液体クロマトグラフィー
(東ソー製:HLC−837、溶媒;酢酸エチル:塩化
メチレン=1:5)で精製することにより油状の標記化
合物0.06gを得た。(3β−ヒドロキシ−20S−
(3−メチル−3−ヒドロキシブチルオキシ)−5,7
−プレグナジエンからの収率3%)。
【0105】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保寺 登 静岡県御殿場市駒門1丁目135番地 中外 製薬株式会社内 (72)発明者 越智 清成 東京都北区浮間5丁目5番1号 中外製薬 株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 (式中Rは水素原子または水酸基を表す。RとR
    は、同一または異なってC〜Cの低級アルキル基を
    表す。)で示される22−オキサコレカルシフェロール
    誘導体を製造するにあたり、一般式(II) 【化2】 (式中Rは水素原子、水酸基または保護された水酸基
    を表す。Rは水酸基または保護された水酸基を表す。
    とRは、それぞれ水素原子を表すか、一緒になっ
    て二重結合を表す。)で示される化合物に有機溶媒中あ
    るいは水−有機溶媒の二層系で一般式(III) 【化3】 (式中RはC〜Cのジアルキルアミノ基を表
    す。)で示される化合物を反応させることにより、一般
    式(IV) 【化4】 (式中Rは水素原子、水酸基または保護された水酸基
    を表す。Rは水酸基または保護された水酸基を表す。
    とRは、それぞれ水素原子を表すか、一緒になっ
    て二重結合を表す。RはC〜Cのジアルキルアミ
    ノ基を表す。)で示される化合物を製造し、次いで一般
    式(IV)の化合物に一般式(V) 【化5】 (式中、RはC〜Cの低級アルキル基を表し、X
    はアルカリ金属、アルカリ土類金属ハロゲン化物、セリ
    ウムハロゲン化物を表す。)で示される有機金属化合物
    を反応させて一般式(VI) 【化6】 (式中RとRは、同一または異なってC〜C
    低級アルキル基を表す。Rは水素原子、水酸基または
    保護された水酸基を表す。Rは水酸基または保護され
    た水酸基を表す。RとRは、それぞれ水素原子を表
    すか、一緒になって二重結合を表す。)で示される化合
    物を製造し、次いで、一般式(VI)においてRとR
    が一緒になって二重結合表す場合はそのまま、また、
    とRがそれぞれ水素原子を表す場合は、アリル位
    のハロゲン化、次いで塩基触媒による脱ハロゲン化水素
    反応に付して、RとRが一緒になって二重結合を表
    す化合物に変換した後、有機溶媒中で紫外線照射し、次
    いで有機溶媒中で熱異性化することを特徴とする一般式
    (I)で示される22−オキサコレカルシフェロール誘
    導体の製造方法。
  2. 【請求項2】 一般式(II)で 【化7】 (式中Rは水素原子、水酸基または保護された水酸基
    を表す。Rは水酸基または保護された水酸基を表す。
    とRは、それぞれ水素原子を表すか、一緒になっ
    て二重結合を表す。)示される化合物に一般式(II
    I) 【化8】 (式中RはC〜Cのジアルキルアミノ基を表す。
    で示される化合物を反応させることを特徴とする一般式
    (IV) 【化9】 (式中Rは水素原子、水酸基または保護された水酸基
    を表す。Rは水酸基または保護された水酸基を表す。
    とRは、それぞれ水素原子を表すか、一緒になっ
    て二重結合を表す。RはC〜Cのジアルキルアミ
    ノ基を表す。で示される化合物の製造方法。
  3. 【請求項3】 一般式(IV) 【化10】 (式中Rは水素原子、水酸基または保護された水酸基
    を表す。Rは水酸基または保護された水酸基を表す。
    とRは、それぞれ水素原子を表すか、一緒になっ
    て二重結合を表す。RはC〜Cのジアルキルアミ
    ノ基を表す。)で示される化合物。
  4. 【請求項4】 請求項1において、一般式(VI) 【化11】 (式中RとRは、同一または異なってC〜C
    低級アルキル基を表す。Rは水素原子、水酸基または
    保護された水酸基を表す。Rは水酸基または保護され
    た水酸基を表す。RとRは、それぞれ水素原子を表
    すか、一緒になって二重結合を表す。)で示される化合
    物のうち、RとRがそれぞれ水素原子を表す化合物
    をRとRが二重結合を表す化合物に変換する際、目
    的物を反応混合物より精製するために一般式(VII) 【化12】 (式中R10は、水素原子、C〜Cの低級アルキル
    基または置換あるいは無置換のアリール基を表す。)で
    示される化合物を1,4−付加させた化合物とするが、
    その脱離反応を無触媒で非プロトン性極性溶媒中加熱す
    ることにより行うことを特徴とする脱保護方法。
  5. 【請求項5】 一般式(VIII)で示される22
    −オキサコレカルシフェロール誘導体。 【化13】 (式中RとRは、同一または異なってC〜C
    低級アルキル基を表す。)
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