JPH0670965B2 - 半導体層の形成方法 - Google Patents
半導体層の形成方法Info
- Publication number
- JPH0670965B2 JPH0670965B2 JP60240517A JP24051785A JPH0670965B2 JP H0670965 B2 JPH0670965 B2 JP H0670965B2 JP 60240517 A JP60240517 A JP 60240517A JP 24051785 A JP24051785 A JP 24051785A JP H0670965 B2 JPH0670965 B2 JP H0670965B2
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- Japan
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- single region
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体層の形成方法に関する。本発明は、例
えばTFT（Thin Film Transistor）の製造技術として具
体化して、利用することができる。
えばTFT（Thin Film Transistor）の製造技術として具
体化して、利用することができる。
本発明は、表面に凹部を有する絶縁性基板上に半導体層
を形成し、垂線より所定角度傾いた方向からイオン注入
を行って上記凹部の影となる単一領域以外を非晶質化す
ることにより小部分の該単一領域を種として残し、この
単一領域を種として上記非晶質化された領域の固相成長
を行うことによって、結晶性の改善された半導体層を得
るものである。
を形成し、垂線より所定角度傾いた方向からイオン注入
を行って上記凹部の影となる単一領域以外を非晶質化す
ることにより小部分の該単一領域を種として残し、この
単一領域を種として上記非晶質化された領域の固相成長
を行うことによって、結晶性の改善された半導体層を得
るものである。
この種の技術、例えばPolySiTFTにおいては、固相成長
によって結晶を改善して特性向上を図り得ることが知ら
れている。
によって結晶を改善して特性向上を図り得ることが知ら
れている。
この場合、横方向固相成長により、その結晶をさらに改
善することができる。この横方向固相成長は、第３図の
ように、段差を有する絶縁性基板１（例えばSiO2）上に
PolySi2を成長させ、イオン注入で非晶質化すると、基
板１の段差を反映して形成されたPolySi2の段差部にお
いて、その下部即ち第３図で符号10で示した黒塗り部分
が非晶質化されずにPolySiのまま残るので、この部分12
を種にして結晶成長させると、横方向に結晶が成長して
いく。この再結晶部をチャンネルとしてTFTを作成すれ
ば、特性の良好なトランジスタが得られる。これは、種
となる部分10が微小であるので、結晶性の良い均一な結
晶が成長するからと考えられる。
善することができる。この横方向固相成長は、第３図の
ように、段差を有する絶縁性基板１（例えばSiO2）上に
PolySi2を成長させ、イオン注入で非晶質化すると、基
板１の段差を反映して形成されたPolySi2の段差部にお
いて、その下部即ち第３図で符号10で示した黒塗り部分
が非晶質化されずにPolySiのまま残るので、この部分12
を種にして結晶成長させると、横方向に結晶が成長して
いく。この再結晶部をチャンネルとしてTFTを作成すれ
ば、特性の良好なトランジスタが得られる。これは、種
となる部分10が微小であるので、結晶性の良い均一な結
晶が成長するからと考えられる。
ところが上記方法であると結晶成長が両側から生じるた
めに、その双方の成長結晶同士がぶつかり、即ち真中に
おいて結晶が衝突し、その部分にいわゆるグレインバウ
ンダリーが生じてしまう。この結果、特性が悪くなると
いう問題があった。
めに、その双方の成長結晶同士がぶつかり、即ち真中に
おいて結晶が衝突し、その部分にいわゆるグレインバウ
ンダリーが生じてしまう。この結果、特性が悪くなると
いう問題があった。
本発明は上記問題点を解決して、グレインバウンダリー
などが生じず、よって特性の良好な半導体層を得ること
ができる製造方法を提供することを目的とする。
などが生じず、よって特性の良好な半導体層を得ること
ができる製造方法を提供することを目的とする。
本発明の半導体層形成方法は、上記問題点を解決するた
め、以下のような手段をとる。
め、以下のような手段をとる。
即ち、後記詳述する本発明の一実施例を図示する第１図
を例示として説明すると、本発明においては、表面に凹
部11を有する絶縁性基板１上に半導体層２を形成し、垂
線ｌより所定角度θ傾いた方向からイオン注入を行って
上記凹部11の影となる単一領域３以外を非晶質化し、そ
の後該単一領域３を種として上記非晶質化された領域の
固相成長を行う。
を例示として説明すると、本発明においては、表面に凹
部11を有する絶縁性基板１上に半導体層２を形成し、垂
線ｌより所定角度θ傾いた方向からイオン注入を行って
上記凹部11の影となる単一領域３以外を非晶質化し、そ
の後該単一領域３を種として上記非晶質化された領域の
固相成長を行う。
本発明によれば、凹部の影となる単一領域３は充分微細
に形成でき、これを種として非晶質化された部分を固相
成長させると、結晶性の良い半導体層が得られる。しか
も第３図で説明した従来技術と異なり、イオン注入が垂
線ｌに対して傾いているため、単一領域３以外の部分
（第１図（ａ）の凹部11の左の角の部分）には種となる
結晶質は残らない。よって従来技術の如き、固相成長が
両側方から起こるということがなく、従って両者の衝突
によるグレインバウンダリーというものも生じない。こ
の結果、結晶の改善された半導体層が得られる。
に形成でき、これを種として非晶質化された部分を固相
成長させると、結晶性の良い半導体層が得られる。しか
も第３図で説明した従来技術と異なり、イオン注入が垂
線ｌに対して傾いているため、単一領域３以外の部分
（第１図（ａ）の凹部11の左の角の部分）には種となる
結晶質は残らない。よって従来技術の如き、固相成長が
両側方から起こるということがなく、従って両者の衝突
によるグレインバウンダリーというものも生じない。こ
の結果、結晶の改善された半導体層が得られる。
次に本発明の一実施例を説明する。第１図の例は、本発
明をTFTの製造技術に適用したものである。
明をTFTの製造技術に適用したものである。
本実施例では、絶縁性の基板１としてSiO2基板を用い、
その上の半導体層２はPolySiをCVDなどで堆積させて形
成した。このような第１図（ａ）の構造に矢印のような
方向でSi+イオン注入し、非晶質化を行った。
その上の半導体層２はPolySiをCVDなどで堆積させて形
成した。このような第１図（ａ）の構造に矢印のような
方向でSi+イオン注入し、非晶質化を行った。
この場合、イオン注入は角度をつけてこの非晶質化を行
う。こうすると、凹部11より生じている両角の一方（第
１図（ａ）の左側の角）は非晶質化するが、影になった
領域（単一領域）３は、PolySiとして残る。
う。こうすると、凹部11より生じている両角の一方（第
１図（ａ）の左側の角）は非晶質化するが、影になった
領域（単一領域）３は、PolySiとして残る。
この状態で固相成長させると、一方からのみつまり該単
一領域３からのみ結晶が成長し、このためのグレインバ
ウンダリーは生じない。
一領域３からのみ結晶が成長し、このためのグレインバ
ウンダリーは生じない。
平面図でみると、第１図（ｂ）の如き４角のパターンの
一方向のみが種（単一領域３）となり、結晶成長を矢印
方向の一方向に制御することができる。
一方向のみが種（単一領域３）となり、結晶成長を矢印
方向の一方向に制御することができる。
この結果、結晶の改善された半導体層が得られる。
次に、本発明の別の実施例を述べる。
この例は、第２図（ａ）に略示するように、垂線に対し
角度をもったイオン注入Ａと、垂直なイオン注入Ｂとを
併用したものである。これにより一層小さな単一領域３
が形成でき、結晶性が更に改善される。
角度をもったイオン注入Ａと、垂直なイオン注入Ｂとを
併用したものである。これにより一層小さな単一領域３
が形成でき、結晶性が更に改善される。
例えば、まず第２図（ｂ）のように垂直なイオン注入Ｂ
を行い、凹部11に対応する両方の角部にPolySiの領域3,
3′を残す。次いで第２図（ｃ）のように角度をもった
イオン注入Ａを行うことにより、一方の領域（単一領
域）３を一層小さくするとともに、他方の領域３′を非
晶質化するものである。これによれば、更に微小な種部
により結晶成長がなされるので、有利である。
を行い、凹部11に対応する両方の角部にPolySiの領域3,
3′を残す。次いで第２図（ｃ）のように角度をもった
イオン注入Ａを行うことにより、一方の領域（単一領
域）３を一層小さくするとともに、他方の領域３′を非
晶質化するものである。これによれば、更に微小な種部
により結晶成長がなされるので、有利である。
上述の如く本発明によれば、グレインバウンダリーなど
が生じず、よって特性の良好な半導体層を得ることがで
きるという効果がもたらされる。
が生じず、よって特性の良好な半導体層を得ることがで
きるという効果がもたらされる。
なお当然のことではあるが、本発明は上記説明した実施
例にのみ限定されるものではない。
例にのみ限定されるものではない。
第１図は本発明の一実施例を示し、第１図（ａ）は断面
図、第１図（ｂ）は平面図である。第２図は本発明の別
例を示し、第２図（ａ）は全体の構成説明図、第２図
（ｂ）（ｃ）は製造工程説明図である。第３図は従来例
を示す。 １……絶縁性基板、２……半導体層、３……単一領域、
ｌ……垂線、θ……角度。
図、第１図（ｂ）は平面図である。第２図は本発明の別
例を示し、第２図（ａ）は全体の構成説明図、第２図
（ｂ）（ｃ）は製造工程説明図である。第３図は従来例
を示す。 １……絶縁性基板、２……半導体層、３……単一領域、
ｌ……垂線、θ……角度。
Claims (1)
- 【請求項１】表面に凹部を有する絶縁性基板上に半導体
層を形成し、 垂線より所定角度傾いた方向からイオン注入を行って上
記凹部の影となる単一領域以外を非晶質化し、 その後該単一領域を種として上記非晶質化された領域の
固相成長を行う半導体層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60240517A JPH0670965B2 (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 半導体層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60240517A JPH0670965B2 (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 半導体層の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62102517A JPS62102517A (ja) | 1987-05-13 |
| JPH0670965B2 true JPH0670965B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=17060700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60240517A Expired - Lifetime JPH0670965B2 (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 半導体層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0670965B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02143414A (ja) * | 1988-11-24 | 1990-06-01 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶膜の形成方法 |
| CA2071192C (en) * | 1991-06-14 | 1997-09-30 | Toshiaki Aiba | Method for forming a seed and a semiconductor film using said seed |
| US8847233B2 (en) * | 2011-05-12 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP60240517A patent/JPH0670965B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62102517A (ja) | 1987-05-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |