KR970003805A - 반도체소자 제조방법 - Google Patents

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KR970003805A
KR970003805A KR1019950017502A KR19950017502A KR970003805A KR 970003805 A KR970003805 A KR 970003805A KR 1019950017502 A KR1019950017502 A KR 1019950017502A KR 19950017502 A KR19950017502 A KR 19950017502A KR 970003805 A KR970003805 A KR 970003805A
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silicon layer
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semiconductor device
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KR1019950017502A
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조병진
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체소자 제조방법에 관한것으로, 실리콘기판상부에 산화막을 형성하는 단계와, 소자분리마스크를 이용한 식각공정으로 액티브지역에 있는 상기 산화막을 식각하여 소자분리산화막을 형성하는 단계와, 노출된 실리콘기판에 선택적 다결정실리콘층을 증착하는 단계와, 실리콘 또는 게르마늄을 상기 다결정실리콘층으로 이온주입하여 다결정실리콘 층을 비정질실리콘층으로 형성하는 단계와, 고체 상 에피텍시 공정으로 상기 비정질실리콘층을 재결정화하여 단결정실리콘층으로 형성하는 단계로 포함한다. 그로인하여 상기 단결정실리콘층은 액티브지역으로 이용하고, 측면이 수직한 구조를 갖는 소자분리막을 제조하여 아주 좁은 영역에서 소자분리가 가능하며 4기가 디램이상의 초고집적회로에서 적용할 수 있다.

Description

반도체소자 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명의 실시예에 의해 소자분리막과 액티브영역의 단결정실리콘층을 형성하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (6)

  1. 반도체소자 제조방법에 있어서, 실리콘기판상부에 산화막을 형성하는 단계와, 소자분리마스크를 이용한 식각공정으로 액티브지역에 있는 상기 산화막을 식각하여 소자분리산화막을 형성하는 단계와, 노출된 실리콘기판에 선택적 다결정실리콘층을 증착하는 단계와, 실리콘 또는 게르마늄을 상기 결정실리콘층으로 이온주입하여 다결정실리콘층을 비정질실리콘층으로 형성하는 단계와, 고체 상 에피텍시 공정으로 상기 비정질실리층을 재결정화하여 단결정실리콘층으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 산화막은 1000~400의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 선택적 다결정실리콘층은 Si2H6를 사용하여 600~700℃의 온도에서 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 이온주입시 Rp(projection range)가 다결정실리콘층과 실리콘기판의 계면 근처에 있도록 이온주입에너지를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 이온주입시 실리콘 또는 게르마늄의 이온주입농도는 5×1014-5×1015atoms/㎠인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 고체 상 에피텍시 공정은 450~800℃의 온도와 질소 또는 아르곤 분위기에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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