JPH0669542A - ＧａＰ系発光素子基板の製造方法 - Google Patents
ＧａＰ系発光素子基板の製造方法Info
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- JPH0669542A JPH0669542A JP24265992A JP24265992A JPH0669542A JP H0669542 A JPH0669542 A JP H0669542A JP 24265992 A JP24265992 A JP 24265992A JP 24265992 A JP24265992 A JP 24265992A JP H0669542 A JPH0669542 A JP H0669542A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高輝度の発光素子を製造することができるＧ
ａＰ系発光素子基板の製造方法を提供する。 【構成】 ＧａＰ基板上にＧａＰエピタキシャル成長用
Ｇａ溶液を配置し、窒素ドープを行いながらｎ型ＧａＰ
層を０．６（μｍ／分）以上の成長速度で成長させる。
前記成長速度を得る条件としては、例えばＧａＰエピタ
キシャル成長用Ｇａ溶液の厚さを１．７ｍｍ以上とし、
エピタキシャル成長用Ｇａ溶液を含む系を２．５（℃／
分）以上の降温速度で降温させながら成長させる。
ａＰ系発光素子基板の製造方法を提供する。 【構成】 ＧａＰ基板上にＧａＰエピタキシャル成長用
Ｇａ溶液を配置し、窒素ドープを行いながらｎ型ＧａＰ
層を０．６（μｍ／分）以上の成長速度で成長させる。
前記成長速度を得る条件としては、例えばＧａＰエピタ
キシャル成長用Ｇａ溶液の厚さを１．７ｍｍ以上とし、
エピタキシャル成長用Ｇａ溶液を含む系を２．５（℃／
分）以上の降温速度で降温させながら成長させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＧａＰ系発光素子基板の
製造方法に関し、さらに詳しくは緑色発光するＧａＰ系
発光素子を製造する際に用いる複数のＧａＰ層が積層さ
れたＧａＰ系発光素子基板の製造方法に関する。
製造方法に関し、さらに詳しくは緑色発光するＧａＰ系
発光素子を製造する際に用いる複数のＧａＰ層が積層さ
れたＧａＰ系発光素子基板の製造方法に関する。
【０００２】
【発明の背景技術】発光ダイオード等の発光素子は、通
常、半導体基板上に更に複数の半導体層を積層してｐｎ
接合を有する多層半導体基板を作製し、これを素子化す
ることによって得られる。このうち、緑色発光する発光
ダイオードは、ｎ型ＧａＰ単結晶基板上にｎ型及びｐ型
のＧａＰ層を順次形成することにより作製した発光素子
基板を用いて得ることができる。
常、半導体基板上に更に複数の半導体層を積層してｐｎ
接合を有する多層半導体基板を作製し、これを素子化す
ることによって得られる。このうち、緑色発光する発光
ダイオードは、ｎ型ＧａＰ単結晶基板上にｎ型及びｐ型
のＧａＰ層を順次形成することにより作製した発光素子
基板を用いて得ることができる。
【０００３】上記のようにｎ型ＧａＰ単結晶基板（又は
その上に予めｎ型ＧａＰエピタキシャル層を形成してな
る多層ＧａＰ基板）上にＧａＰ層を形成する方法として
は、液相エピタキシャル成長法が採用される。この液相
エピタキシャル成長法では、例えば１０００℃でＧａ融
液にＧａＰ多結晶を溶解させた溶液を前記基板上に配置
し、これらを徐々に降温させてＧａ溶液中のＧａＰを基
板上に析出させてＧａＰ層を成長させる。
その上に予めｎ型ＧａＰエピタキシャル層を形成してな
る多層ＧａＰ基板）上にＧａＰ層を形成する方法として
は、液相エピタキシャル成長法が採用される。この液相
エピタキシャル成長法では、例えば１０００℃でＧａ融
液にＧａＰ多結晶を溶解させた溶液を前記基板上に配置
し、これらを徐々に降温させてＧａ溶液中のＧａＰを基
板上に析出させてＧａＰ層を成長させる。
【０００４】また、ｎ型ＧａＰ単結晶基板（又はその上
に予めｎ型ＧａＰエピタキシャル成長層を形成してなる
多層ＧａＰ基板）上にＧａ融液を配置し、その後、例え
ば１０００℃まで昇温して、前記基板の上部をＧａ融液
中に溶解させ、次に降温してＧａＰを基板上に析出させ
る方法もある。このような方法はメルトバック法と呼ば
れる。
に予めｎ型ＧａＰエピタキシャル成長層を形成してなる
多層ＧａＰ基板）上にＧａ融液を配置し、その後、例え
ば１０００℃まで昇温して、前記基板の上部をＧａ融液
中に溶解させ、次に降温してＧａＰを基板上に析出させ
る方法もある。このような方法はメルトバック法と呼ば
れる。
【０００５】ところで、ＧａＰは間接遷移型半導体であ
り、ｐｎ接合を形成してもそのままでは輝度が極めて低
いため、発光中心となる窒素（Ｎ）がｐｎ接合近傍のｎ
型ＧａＰ層に添加される。詳細は実施例の項で説明する
が、この窒素濃度が高いほど輝度は高くなる。
り、ｐｎ接合を形成してもそのままでは輝度が極めて低
いため、発光中心となる窒素（Ｎ）がｐｎ接合近傍のｎ
型ＧａＰ層に添加される。詳細は実施例の項で説明する
が、この窒素濃度が高いほど輝度は高くなる。
【０００６】具体的には、ｎ型ＧａＰ層の成長時にアン
モニア（ＮＨ3）をキャリアガス（例えば水素（Ｈ2））
及びドーパント源（例えば硫化水素（Ｈ2Ｓ）等）とと
もに炉内に流すことにより、Ｎ原子がｎ型ＧａＰ層内に
取込まれる。
モニア（ＮＨ3）をキャリアガス（例えば水素（Ｈ2））
及びドーパント源（例えば硫化水素（Ｈ2Ｓ）等）とと
もに炉内に流すことにより、Ｎ原子がｎ型ＧａＰ層内に
取込まれる。
【０００７】上記のようにして窒素ドープされたｎ型Ｇ
ａＰ層を有する発光素子基板から作製した発光ダイオー
ドは、ピーク波長が５６７ｎｍ前後のやや黄色がかった
緑色の発光が得られる。
ａＰ層を有する発光素子基板から作製した発光ダイオー
ドは、ピーク波長が５６７ｎｍ前後のやや黄色がかった
緑色の発光が得られる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法により製造
されたＧａＰ系発光素子基板は、ｐｎ接合近傍の窒素濃
度を十分高くできないため、これを用いて作製した緑色
発光するＧａＰ系発光素子では十分高い輝度が得られな
いという問題があった。
されたＧａＰ系発光素子基板は、ｐｎ接合近傍の窒素濃
度を十分高くできないため、これを用いて作製した緑色
発光するＧａＰ系発光素子では十分高い輝度が得られな
いという問題があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の液相エピタキシ
ャル成長法は、ｎ型ＧａＰ基板の一主面に接するように
ＧａＰエピタキシャル成長用Ｇａ溶液を配置し、液相エ
ピタキシャル成長法によりｎ型ＧａＰ層を前記ｎ型Ｇａ
Ｐ基板の前記一主面上に成長させる工程を含む、ＧａＰ
系発光素子基板を製造する方法において、窒素ドープを
行いながらｎ型ＧａＰ層を０．６（μｍ／分）以上の成
長速度で成長させるようにした。
ャル成長法は、ｎ型ＧａＰ基板の一主面に接するように
ＧａＰエピタキシャル成長用Ｇａ溶液を配置し、液相エ
ピタキシャル成長法によりｎ型ＧａＰ層を前記ｎ型Ｇａ
Ｐ基板の前記一主面上に成長させる工程を含む、ＧａＰ
系発光素子基板を製造する方法において、窒素ドープを
行いながらｎ型ＧａＰ層を０．６（μｍ／分）以上の成
長速度で成長させるようにした。
【００１０】前記成長速度を得る具体的条件としては、
例えばＧａＰエピタキシャル成長用Ｇａ溶液の厚さを
１．７ｍｍ以上とし、エピタキシャル成長用Ｇａ溶液を
含む系を２．５（℃／分）以上の降温速度で降温させな
がら前記ｎ型ＧａＰ層を成長させる。
例えばＧａＰエピタキシャル成長用Ｇａ溶液の厚さを
１．７ｍｍ以上とし、エピタキシャル成長用Ｇａ溶液を
含む系を２．５（℃／分）以上の降温速度で降温させな
がら前記ｎ型ＧａＰ層を成長させる。
【００１１】ｎ型ＧａＰ基板としては、ｎ型ＧａＰ単結
晶基板そのものを用いてもよいし、ｎ型ＧａＰ単結晶基
板の一主面上に予めｎ型ＧａＰ層を形成させた多層Ｇａ
Ｐ基板を用いてもよい。また、ＧａＰエピタキシャル成
長用Ｇａ溶液としては、Ｇａ融液中にＧａＰ多結晶を溶
解させたＧａ溶液を用いてもよいし、前記メルトバック
法のようにＧａ融液中に前記ｎ型ＧａＰ基板の上部を溶
解させたＧａ溶液を用いてもよい。
晶基板そのものを用いてもよいし、ｎ型ＧａＰ単結晶基
板の一主面上に予めｎ型ＧａＰ層を形成させた多層Ｇａ
Ｐ基板を用いてもよい。また、ＧａＰエピタキシャル成
長用Ｇａ溶液としては、Ｇａ融液中にＧａＰ多結晶を溶
解させたＧａ溶液を用いてもよいし、前記メルトバック
法のようにＧａ融液中に前記ｎ型ＧａＰ基板の上部を溶
解させたＧａ溶液を用いてもよい。
【００１２】窒素ドープの方法は、ＮＨ3をＧａＰエピ
タキシャル成長用Ｇａ溶液の周囲に流しながら行う。
タキシャル成長用Ｇａ溶液の周囲に流しながら行う。
【００１３】
【作用】前述のように、緑色発光するＧａＰ系発光素子
の輝度を高くするには、ｎ型ＧａＰ層のｐｎ接合近傍の
窒素濃度を高くすればよい。
の輝度を高くするには、ｎ型ＧａＰ層のｐｎ接合近傍の
窒素濃度を高くすればよい。
【００１４】本発明者等は、窒素ドープしながらｎ型Ｇ
ａＰ層を成長させる場合に、その成長速度が大きければ
大きいほどｎ型ＧａＰ層の窒素濃度が高くなることを見
出した。そこで本発明では、ｎ型ＧａＰ層を成長させる
際に、その成長速度を所定の速度以上で行うことにより
成長層の窒素濃度を高めている。具体的には０．６（μ
ｍ／分）以上の成長速度で行う。
ａＰ層を成長させる場合に、その成長速度が大きければ
大きいほどｎ型ＧａＰ層の窒素濃度が高くなることを見
出した。そこで本発明では、ｎ型ＧａＰ層を成長させる
際に、その成長速度を所定の速度以上で行うことにより
成長層の窒素濃度を高めている。具体的には０．６（μ
ｍ／分）以上の成長速度で行う。
【００１５】この成長速度を大きくするには、エピタキ
シャル成長用Ｇａ溶液の降温速度を大きくするか、又
は、エピタキシャル成長用Ｇａ溶液の厚さを大きくすれ
ばよい。しかし、エピタキシャル成長用Ｇａ溶液の降温
速度は成長を行う炉の性能に依存するので、現実には降
温速度を大幅に大きくすることは困難である。
シャル成長用Ｇａ溶液の降温速度を大きくするか、又
は、エピタキシャル成長用Ｇａ溶液の厚さを大きくすれ
ばよい。しかし、エピタキシャル成長用Ｇａ溶液の降温
速度は成長を行う炉の性能に依存するので、現実には降
温速度を大幅に大きくすることは困難である。
【００１６】そこで、エピタキシャル成長用Ｇａ溶液を
厚くする方法が最も効果的であることが分かる。すなわ
ち、降温速度を一般的な値である２．５℃／分とした場
合、エピタキシャル成長用Ｇａ溶液の厚さを１．７ｍｍ
以上とするのが好ましい。
厚くする方法が最も効果的であることが分かる。すなわ
ち、降温速度を一般的な値である２．５℃／分とした場
合、エピタキシャル成長用Ｇａ溶液の厚さを１．７ｍｍ
以上とするのが好ましい。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例について、メルトバッ
ク法を用いた場合を例にとり、添付図面を参照しながら
説明する。図１は、本実施例の方法において用いる装置
を示す。
ク法を用いた場合を例にとり、添付図面を参照しながら
説明する。図１は、本実施例の方法において用いる装置
を示す。
【００１８】本装置では、炉心管１２内にＧａＰエピタ
キシャル成長を行うボート１３が配置される。このボー
ト１３には所定の凹部１９が複数個設けられ、この凹部
１９の底部に、ｎ型ＧａＰバッファ層２１がｎ型ＧａＰ
単結晶基板２０上に形成されてなる多層ＧａＰ基板１６
が固定され、さらに凹部１９に厚さＬのエピタキシャル
成長用Ｇａ融液（又はＧａ溶液）１７が満たされてい
る。ボート１３上部には孔１５を有するスライド１４が
設けられている。なお、図では一箇所の凹部１９のみを
示し、他を省略する。
キシャル成長を行うボート１３が配置される。このボー
ト１３には所定の凹部１９が複数個設けられ、この凹部
１９の底部に、ｎ型ＧａＰバッファ層２１がｎ型ＧａＰ
単結晶基板２０上に形成されてなる多層ＧａＰ基板１６
が固定され、さらに凹部１９に厚さＬのエピタキシャル
成長用Ｇａ融液（又はＧａ溶液）１７が満たされてい
る。ボート１３上部には孔１５を有するスライド１４が
設けられている。なお、図では一箇所の凹部１９のみを
示し、他を省略する。
【００１９】炉心管１２の一方の端部付近には、ｐ型ド
ーパントとなるＺｎ１８が配置されている。炉心管１２
の外周部には、多層ＧａＰ基板１６及びＧａ融液（又は
溶液）１７等を昇降温するためのメイン炉１０とＺｎ１
８を昇降温するためのサブ炉１１とが設けられている。
炉心管１２のＺｎ１８が配置された側の端部の開口部か
らはＮＨ3やｎ型ドーパント源となるＨ2Ｓ等がキャリア
ガス（例えばＨ2）とともに炉心管１２内に供給され
る。
ーパントとなるＺｎ１８が配置されている。炉心管１２
の外周部には、多層ＧａＰ基板１６及びＧａ融液（又は
溶液）１７等を昇降温するためのメイン炉１０とＺｎ１
８を昇降温するためのサブ炉１１とが設けられている。
炉心管１２のＺｎ１８が配置された側の端部の開口部か
らはＮＨ3やｎ型ドーパント源となるＨ2Ｓ等がキャリア
ガス（例えばＨ2）とともに炉心管１２内に供給され
る。
【００２０】次に、上記装置を用い、メルトバック法に
よるエピタキシャル成長層の成長方法の実施例について
図２を参照しながら説明する。図２はその工程図であ
り、図１中の多層ＧａＰ基板１６及びＧａ融液（又は溶
液）１７を含む系のみを示している。
よるエピタキシャル成長層の成長方法の実施例について
図２を参照しながら説明する。図２はその工程図であ
り、図１中の多層ＧａＰ基板１６及びＧａ融液（又は溶
液）１７を含む系のみを示している。
【００２１】まず、図２（ａ）に示すように、ｎ型Ｇａ
Ｐ単結晶基板２０上にｎ型ＧａＰバッファ層２１が形成
された多層ＧａＰ基板１６の上部にＧａ融液１７を配置
する。このときの温度は、例えばメイン炉１０は６００
℃に、サブ炉１１はそれより十分低い温度に設定する。
Ｐ単結晶基板２０上にｎ型ＧａＰバッファ層２１が形成
された多層ＧａＰ基板１６の上部にＧａ融液１７を配置
する。このときの温度は、例えばメイン炉１０は６００
℃に、サブ炉１１はそれより十分低い温度に設定する。
【００２２】次に、メイン炉１０の温度を１０００℃程
度まで昇温させる。すると、ｎ型ＧａＰバッファ層２１
の上部は徐々にＧａ融液１７中に溶解し、Ｇａ融液はこ
の温度におけるＧａＰの飽和溶液となる（図２
（ｂ））。
度まで昇温させる。すると、ｎ型ＧａＰバッファ層２１
の上部は徐々にＧａ融液１７中に溶解し、Ｇａ融液はこ
の温度におけるＧａＰの飽和溶液となる（図２
（ｂ））。
【００２３】次に、ＮＨ3及びｎ型ドーパントとなるＨ2
ＳをキャリアガスのＨ2とともに炉内に流しながら、前
記濃度で１５０分以上にホールドした後、メイン炉１０
の温度を例えば２．５℃／分の降温速度で降温させ、Ｇ
ａ溶液１７中に溶解しているＧａＰをｎ型ＧａＰバッフ
ァ層２１上に析出させる。このようにして窒素及び硫黄
（Ｓ）がドープされたｎ型ＧａＰ層２２が形成される
（図２（ｃ））。
ＳをキャリアガスのＨ2とともに炉内に流しながら、前
記濃度で１５０分以上にホールドした後、メイン炉１０
の温度を例えば２．５℃／分の降温速度で降温させ、Ｇ
ａ溶液１７中に溶解しているＧａＰをｎ型ＧａＰバッフ
ァ層２１上に析出させる。このようにして窒素及び硫黄
（Ｓ）がドープされたｎ型ＧａＰ層２２が形成される
（図２（ｃ））。
【００２４】次に、ＮＨ3及びＨ2Ｓを流すのをやめ、サ
ブ炉１１の温度を例えば７００℃程度に昇温させ、引き
続きメイン炉１０の降温を行う。これにより、Ｚｎがキ
ャリアガスのＨ2とともに流れ、Ｚｎがドープされたｐ
型ＧａＰ層２３がｎ型ＧａＰ層２２上に形成される（図
２（ｄ））。
ブ炉１１の温度を例えば７００℃程度に昇温させ、引き
続きメイン炉１０の降温を行う。これにより、Ｚｎがキ
ャリアガスのＨ2とともに流れ、Ｚｎがドープされたｐ
型ＧａＰ層２３がｎ型ＧａＰ層２２上に形成される（図
２（ｄ））。
【００２５】上記のようにして、ＧａＰ基板上に窒素ド
ープされたｎ型ＧａＰ層及びｐ型ＧａＰ層が順次積層さ
れた発光素子基板が得られる。この基板のＧａＰ単結晶
基板側にｎ電極を、ｐ型ＧａＰ層側にｐ電極をそれぞれ
形成し、ダイシングした後、支持体にボンディングし、
さらにエポキシ等で封止することにより、緑色発光する
発光ダイオードが得られる。
ープされたｎ型ＧａＰ層及びｐ型ＧａＰ層が順次積層さ
れた発光素子基板が得られる。この基板のＧａＰ単結晶
基板側にｎ電極を、ｐ型ＧａＰ層側にｐ電極をそれぞれ
形成し、ダイシングした後、支持体にボンディングし、
さらにエポキシ等で封止することにより、緑色発光する
発光ダイオードが得られる。
【００２６】図３は、ｎ型ＧａＰ層の窒素濃度を種々の
値にしてＧａＰ系発光素子基板を製造した場合の、これ
らから作製した発光ダイオードの輝度（相対値）と前記
窒素濃度との関係を示したものである。図から分かるよ
うに、前記ｎ型ＧａＰ層中の窒素濃度が高いほど発光素
子の輝度は高くなり、高輝度の緑色発光するＧａＰ系発
光素子（輝度（相対値）１０以上）を得るには、前記窒
素ドープｎ型ＧａＰ層中の窒素濃度を５×１０18ａｔｏ
ｍｓ／ｃｃ以上にすることが必要である。
値にしてＧａＰ系発光素子基板を製造した場合の、これ
らから作製した発光ダイオードの輝度（相対値）と前記
窒素濃度との関係を示したものである。図から分かるよ
うに、前記ｎ型ＧａＰ層中の窒素濃度が高いほど発光素
子の輝度は高くなり、高輝度の緑色発光するＧａＰ系発
光素子（輝度（相対値）１０以上）を得るには、前記窒
素ドープｎ型ＧａＰ層中の窒素濃度を５×１０18ａｔｏ
ｍｓ／ｃｃ以上にすることが必要である。
【００２７】図４は、窒素ドープｎ型ＧａＰ層の成長速
度を種々の値にしてＧａＰ系発光素子基板を製造し、そ
の成長速度と前記ｎ型ＧａＰ層中の窒素濃度の関係を示
したものである。図から分かるように、成長速度が大き
ければ大きいほどｎ型ＧａＰ層中に取り込まれる窒素の
濃度が高くなり、成長速度を０．６μｍ／ｃｃ以上にす
ることにより、その窒素濃度を５×１０18ａｔｏｍｓ／
ｃｃ以上にすることができる。これにより、高輝度、す
なわち輝度（相対値）１０以上の緑色発光ＧａＰ系発光
素子が得られる。
度を種々の値にしてＧａＰ系発光素子基板を製造し、そ
の成長速度と前記ｎ型ＧａＰ層中の窒素濃度の関係を示
したものである。図から分かるように、成長速度が大き
ければ大きいほどｎ型ＧａＰ層中に取り込まれる窒素の
濃度が高くなり、成長速度を０．６μｍ／ｃｃ以上にす
ることにより、その窒素濃度を５×１０18ａｔｏｍｓ／
ｃｃ以上にすることができる。これにより、高輝度、す
なわち輝度（相対値）１０以上の緑色発光ＧａＰ系発光
素子が得られる。
【００２８】次に、窒素ドープｎ型ＧａＰ層の成長速度
を０．６μｍ／分以上にする方法を図５を用いて説明す
る。図５は、エピタキシャル成長用Ｇａ溶液の厚さＬ
（図２）が種々の場合の、炉の降温速度と前記ｎ型Ｇａ
Ｐ層の成長速度との関係を示す。図から、ｎ型ＧａＰ層
の成長速度を大きくするには、Ｇａ溶液の厚さＬを大き
くするか、又は炉の降温速度、すなわちＧａ溶液を含む
系の降温速度を大きくすればよいことが分かる。
を０．６μｍ／分以上にする方法を図５を用いて説明す
る。図５は、エピタキシャル成長用Ｇａ溶液の厚さＬ
（図２）が種々の場合の、炉の降温速度と前記ｎ型Ｇａ
Ｐ層の成長速度との関係を示す。図から、ｎ型ＧａＰ層
の成長速度を大きくするには、Ｇａ溶液の厚さＬを大き
くするか、又は炉の降温速度、すなわちＧａ溶液を含む
系の降温速度を大きくすればよいことが分かる。
【００２９】ここで、前記ｎ型ＧａＰ層の成長速度を
０．６μｍ／分以上にするためには、図５に示す成長速
度が０．６μｍ／分以上になる成長条件、例えば、炉の
降温速度を２．５℃／分とした場合、Ｇａ溶液の厚さＬ
を１．７ｍｍ以上の成長条件でｎ型ＧａＰ層の成長をす
ればよい。これにより、窒素濃度５×１０18ａｔｏｍｓ
／ｃｃ以上の窒素ドープｎ型ＧａＰ層が得られる。
０．６μｍ／分以上にするためには、図５に示す成長速
度が０．６μｍ／分以上になる成長条件、例えば、炉の
降温速度を２．５℃／分とした場合、Ｇａ溶液の厚さＬ
を１．７ｍｍ以上の成長条件でｎ型ＧａＰ層の成長をす
ればよい。これにより、窒素濃度５×１０18ａｔｏｍｓ
／ｃｃ以上の窒素ドープｎ型ＧａＰ層が得られる。
【００３０】しかし、窒素濃度が１×１０19ａｔｏｍｓ
／ｃｃ以上になると、ｐｎ接合近傍で生じた光が窒素ド
ープｎ型ＧａＰ層を通過する間に吸収される率が高くな
って輝度の低下を招くので、窒素濃度が１×１０19ａｔ
ｏｍｓ／ｃｃ以上になる成長条件を用いることは好まし
くない。
／ｃｃ以上になると、ｐｎ接合近傍で生じた光が窒素ド
ープｎ型ＧａＰ層を通過する間に吸収される率が高くな
って輝度の低下を招くので、窒素濃度が１×１０19ａｔ
ｏｍｓ／ｃｃ以上になる成長条件を用いることは好まし
くない。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
窒素濃度の十分大きな窒素ドープｎ型ＧａＰ層を含むＧ
ａＰ系発光素子基板を得ることができるので、この基板
を用いて製造した緑色発光ＧａＰ系発光素子は、十分高
い輝度が得られるという効果がある。
窒素濃度の十分大きな窒素ドープｎ型ＧａＰ層を含むＧ
ａＰ系発光素子基板を得ることができるので、この基板
を用いて製造した緑色発光ＧａＰ系発光素子は、十分高
い輝度が得られるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例の方法で使用する装置の構成
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図２】本発明の一実施例の方法を説明する工程図であ
る。
る。
【図３】本発明の一実施例の方法において、ｎ型ＧａＰ
層中の窒素濃度と輝度との関係を示す図である。
層中の窒素濃度と輝度との関係を示す図である。
【図４】本発明の一実施例の方法において、ｎ型ＧａＰ
層の成長速度とｎ型ＧａＰ層中の窒素濃度との関係を示
す図である。
層の成長速度とｎ型ＧａＰ層中の窒素濃度との関係を示
す図である。
【図５】本発明の一実施例の方法において、炉の降温速
度とｎ型ＧａＰ層の成長速度との関係を示す図である。
度とｎ型ＧａＰ層の成長速度との関係を示す図である。
１０ メイン炉 １１ サブ炉 １２ 炉心管 １３ ボート １４ スライド １５ 孔 １６ 多層ＧａＰ基板 １７ Ｇａ融液 １８ Ｚｎ １９ 凹部 ２０ ｎ型ＧａＰ単結晶基板 ２１ ｎ型ＧａＰバッファ層 ２２ ｎ型ＧａＰ層 ２３ ｐ型ＧａＰ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 雄輝 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越半 導体株式会社磯部工場内 (72)発明者 樋口 晋 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越半 導体株式会社磯部工場内
Claims (2)
- 【請求項１】 ｎ型ＧａＰ基板の一主面に接するように
ＧａＰエピタキシャル成長用Ｇａ溶液を配置し、液相エ
ピタキシャル成長法によりｎ型ＧａＰ層を前記ｎ型Ｇａ
Ｐ基板の前記一主面上に成長させる工程を含む、ＧａＰ
系発光素子基板の製造方法において、窒素ドープを行い
ながら前記ｎ型ＧａＰ層を０．６（μｍ／分）以上の成
長速度で成長させることを特徴とするＧａＰ系発光素子
基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記ＧａＰエピタキシャル成長用Ｇａ溶
液の厚さを１．７ｍｍ以上とし、前記ｎ型ＧａＰ層を成
長させる、請求項１に記載のＧａＰ系発光素子基板の製
造方法。
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| JP24265992A JP3042566B2 (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | ＧａＰ系発光素子基板の製造方法 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0735599A2 (en) * | 1995-03-27 | 1996-10-02 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for growth of a nitrogen-doped gallium phosphide epitaxial layer |
-
1992
- 1992-08-19 JP JP24265992A patent/JP3042566B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0735599A2 (en) * | 1995-03-27 | 1996-10-02 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for growth of a nitrogen-doped gallium phosphide epitaxial layer |
| EP0735599A3 (en) * | 1995-03-27 | 1999-05-12 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for growth of a nitrogen-doped gallium phosphide epitaxial layer |
| US5985023A (en) * | 1995-03-27 | 1999-11-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for growth of a nitrogen-doped gallium phosphide epitaxial layer |
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