JPH0669415A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0669415A
JPH0669415A JP4220106A JP22010692A JPH0669415A JP H0669415 A JPH0669415 A JP H0669415A JP 4220106 A JP4220106 A JP 4220106A JP 22010692 A JP22010692 A JP 22010692A JP H0669415 A JPH0669415 A JP H0669415A
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 大電流を高速スイッチングさせて使用する大
電力用半導体装置の内部インダクタンスを極めて小さく
する。 【構成】 放熱板９上に固着された第１の導体１１と、
この導体上に固着された第１の絶縁層１３と、この上に
固着された第２の導体１５と、この上に固着された半導
体素子および第２の絶縁層２３と、この上に固着された
第３の導体１５と、前記半導体素子の表面電極と導体１
５を電気的に接続する第４の導体１７と、導体１５上に
固着された第１の電力端子３と導体１５上に固着された
第２の電力端子５とを具備し、その内部インダクタンス
を小さくするために、これらの電力端子が、高さより幅
の方が長い平板部を持って、平行且つ近接する様に構成
され、これら電力端子内を流れる主電流の向きが、互い
に逆になる様に構成され、導体１５内を流れる主電流と
導体１７を流れる主電流の向きが互いに逆になる様に構
成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大電流を高速スイッチ
ングさせて使用する大電力用半導体装置に関し、特に、
その内部インダクタンスを極めて小さくすることができ
る大電力用半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電力変換、制御等のパワーエレ
クトロニスク分野に使用される大電力用半導体装置は、
図１０に示す様な２個のトランジスタと２個のダイオー
ドからなる等価回路を基本構成としていた。
【０００３】そして、これらの大電力用半導体装置の主
な用途は、３相モータ駆動回路で、参考のためその結線
の様子を図１１に示す。図１１に示す様に、３相モータ
駆動のためには、制御トランジスタが６回路必要であ
り、図１０に示される２回路の大電力用半導体装置を使
用する場合、半導体装置が３個必要となる。
【０００４】この様な用途に使用される大電力用半導体
装置の回路構成としては、図１０の様な回路の他に、図
１２（ａ），（ｂ）に示す様な１回路持つものや６回路
持つものなどがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】さて、上述の如き大電
力用半導体装置を用いて構成されるモータ制御回路は、
一般的にＰＷＭ制御方式であり、そのキャリア周波数は
近年半導体装置の進歩もあり、１０ｋHz以上になってき
ており、キャリア周波数を高く出来れば、モータの騒音
を小さく出来るという利点がある。しかしながら、キャ
リア周波数を上げて使用する、すなわち、半導体装置を
高速スイッチング動作させて使用すると、スイッチング
ターンオン時およびスイッチングターンオフ時における
主回路電流の急激な変化によって、主回路インダクタン
スＬに電圧が誘起され、−Ｌ（ｄｉ／ｄｔ）なるサージ
電圧が発生する。このサージ電圧が過度に大きい場合、
半導体装置内の半導体素子を破壊に至らしめたり、半導
体装置外部の制御回路や保護回路の誤動作、破壊等を引
き起こしたりするものであった。従って、極力サージ電
圧を小さくする必要があった。
【０００６】一般的にサージ電圧を大きく左右するもの
はインダクタンスＬであるので、サージ電圧を小さくす
るための対策として、従来の大電力用半導体装置の外部
の配線に対して、インダクタンスＬが極小となる様な最
適配線がなされたり、抵抗、コンデンサ、ダイオード等
で構成された図１３（ａ），（ｂ）に代表される様なス
ナバ回路が設けられたりしているものであった。
【０００７】しかしながら、上記従来技術における対策
は、大電力用半導体装置の外部のインダクタンスＬにつ
いてのみの対策であり、大電力用半導体装置の内部の回
路構成における内部インダクタンスＬに対しては何の対
策も施されていないものであった。
【０００８】そこで、サージ電圧を極めて小さくするた
めには、大電力用半導体装置の内部のインダクタンスＬ
を極力小さくすることが望まれているものであった。
【０００９】ここで、大電力用半導体装置の内部インダ
クタンスＬは、図１０中に示す如く、電力端子部のイン
ダクタンスＬC1、電力端子部のインダクタンスＬC2E1、
電力端子部のインダクタンスＬE2、およびボンディング
ワイヤ部のインダクタンスＬB'g から構成されている。
【００１０】ところで、一般的に導体のイダクタンス
は、電流が導体の断面内を一様な密度で流れている時、
図１４（ａ）に示す様な長さｌ、半径ａ、透磁率μの円
筒状導線の自己インダクタンスＬS は、
【数１】 で表わされる。
【００１１】また、図１４（ｂ）に示す様な間隔ｄで平
行する長さｌ、半径ａおよびｂの２つの円筒状導線間に
は、上記自己インダクタンスＬS の他に、
【数２】 なる相互インダクタンスＭが働く。ここで、相互インダ
クタンスＭの値は、各々の導体を同じ方向に電流が流れ
る場合正の値を取り、逆向きに流れる場合負の値を取
る。
【００１２】従って、図１４（ｂ）に示す如き導体のイ
ンダクタンスＬは、最終的に、 Ｌ＝Ｌs ＋Ｍ …（３） で表され、導体の長さｌ、断面積、導体間距離ｄ、電流
の方向に大きく左右されている。
【００１３】そして、従来の大電力用半導体装置では、
その内部の各電力端子部の配線が長く、断面積が小さく
なっていたため、その各電力端子部の自己インダクタン
スＬS が大きいものであった。
【００１４】また、従来の大電力用半導体装置では、上
記各電力端子間の距離や電流方向が、その相互インダク
タンスＭを低減させる様に設定出来なかったため、上記
各電力端子部の相互インダクタンスＭが大きな値となっ
ているものであった。従って、結果として、図１０に示
す上記各電力端子部のインダクタンスＬC1，ＬC2E1，Ｌ
E2が大きな値となってしまっているものであった。
【００１５】また、従来の大電力用半導体装置では、そ
の内部のボンディングワイヤ部におけるワイヤと基板上
の導体間の電流方向も、その相互インダクタンスＭを低
減させる様に設定出来なかったため、上記ボンディング
ワイヤ部の相互インダクタンスＭが大きな値となってい
るものであった。
【００１６】すなわち、上述の如き理由により、従来の
大電力用半導体装置においては、その内部インダクタン
スが、その外部回線の外部インダクタンスに対してかな
り大きな値となっており、前述したサージ電圧低減化の
大きな妨げとなっているものであった。
【００１７】本発明は、上述した如き従来の問題点を解
決するためになされたもので、その目的は、その内部イ
ンダクタンスを極めて小さくすることができる大電力用
半導体装置を提供することである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の特徴は、大電流を高速スイッチングさせて
使用する大電力用半導体装置において、放熱板と、前記
放熱板上に固着された第１の導体と、前記第１の導体上
に固着された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に固
着された第２の導体と、前記第２の導体上に固着された
半導体素子および第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上
に固着された第３の導体と、前記半導体素子の表面電極
と前記第３の導体を電気的に接続する第４の導体と、前
記第２の導体上に固着された第１の電力端子と、前記第
３の導体上に固着された第２の電力端子とを具備し、そ
の内部インダクタンスを小さくするために、前記第１お
よび第２の電力端子が、高さより幅の方が長い平板部を
持つと共に、前記第１および第２の電力端子が実質的に
平行且つ近接する様に構成され、且つ前記第１および第
２の電力端子内を流れる主電流の向きが、互いに逆にな
る様に構成され、前記第２の導体内を流れる主電流と前
記第４の導体を流れる主電流の向きが互いに逆になる様
に構成されていることである。
【００１９】
【作用】上述の如き構成によれば、各部における自己イ
ンダクタンスおよび相互インダクタンスが大きく減少
し、それにより、サージ電圧が低減されるものである。
【００２０】従って、大電流を高速スイッチングする使
用（ｄｉ／ｄｔの大きな使用）に対して、破壊せず、外
部回路の誤動作、破壊も防止できる半導体装置を提供出
来るものである。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。
【００２２】図１，図２は、本発明を実施した大電力用
半導体装置の内部構成を示すもので、図１は、その各電
力端子を基板部の所定位置に接続する前の状態を示し、
図２は、上記各電力端子を基板部の所定位置に接続した
状態を示すものである。また、図３は、図２に示す内部
構成を有する大電力用半導体装置の樹脂成形完成後の外
観斜視図である。
【００２３】図１および図２において、この大電力用半
導体装置は、ダイオードやトランジスタの取り付けられ
た基板部１と、その基板部１の所定位置に接続される各
電力端子３，５，７とを有しており、上記基板部１は、
Ｃｕ等からなる厚さ３．５mm程の放熱板９を有してい
る。そして、上記放熱板９上の右側には、ＤＢＣ法（Di
rect Bonding Copper 法）により積層して形成された第
１のＣｕ層１１、Ａｌ2Ｏ3 やＡｌＮ等の第１の絶縁セ
ラミック板１３および、上記第１の絶縁セラミック板１
３上に隔てて形成された第３および第４のＣｕ層１５，
１７からなる実装基板１９（以下第１のＤＢＣ基板１９
と称す）が半田により接続され、上記第３のＣｕ層１５
上には、Ａｌ2 Ｏ3 やＡｌＮ等の第２の絶縁セラミック
板２３、および第６のＣｕ層２５からなり、幅が狭い部
分と広い部分が規則的に同数箇所（本実施例では３箇
所）形成された実装基板２７（以下第２のＤＢＣ基板２
７と称す）がＤＢＣ法により積層形成されている。そし
て、上記第３のＣｕ層１５上には、トランジスタ２９の
コレクタまたはドレイン領域（チップ裏面電極）および
ダイオード３１のカソード領域（チップ裏面電極）が半
田により接続されている。また、トランジスタ２９のエ
ミッタまたはソース領域（チップ表面電極）およびダイ
オード３１のアノード領域（チップ表面電極）は、Ａｌ
ボンディングワイヤ３３によって、第２のＤＢＣ基板２
７上の第６のＣｕ層２５へ接続されている。
【００２４】ここで、上記トランジスタ２９およびダイ
オード３１の裏面電極と接続されている上記第３のＣｕ
層１５と、上記トランジスタ２９およびダイオード３１
の表面電極と接続されている上記第６のＣｕ層２５は、
幅の広い一様な平板であるため、上記第３のＣｕ層１５
および上記第６のＣｕ層２５中を主電流が流れる際に、
主電流がその中を均一に分散し、電流集中を抑えること
が出来る。従って、上記構成によれば、上記第３のＣｕ
層１５および第６のＣｕ層２５内に存在する自己インダ
クタンス成分ＬS が低減されるものである。
【００２５】さらに、図４に示す如く、上記第３のＣｕ
層１５と上記Ａｌボンディングワイヤ３３とは実質的に
平行で近接しており、かつ、第３のＣｕ層１５とＡｌボ
ンディングワイヤ３３にはそれぞれ逆の電流が流れるこ
とになるので、この領域における相互インダクタンスＭ
は負となり、この領域のインダンタンス成分がさらに低
減されるものである。
【００２６】また、上記トランジスタ２９のベースまた
はゲート領域は、Ａｌボンディングワイヤ３５によって
上記第１のＤＢＣ基板１９上の第４のＣｕ層１７へ接続
されている。以上の如き構成によって、右側１回路、す
なわち、Ｃ1 回路３７が構成されている。
【００２７】そして、上記放熱板９上には、上記右側の
Ｃ1 回路３７と、前記放熱板９の中心点３９に対して、
点対称な構成を有するもう一方の回路である左側のＣ2
回路４１が形成されている。ここで、上記左側のＣ2 回
路４１は、右側のＣ1 回路と同様の構成を有しているの
で、詳細な説明は省略する。
【００２８】次に、上記Ｃ2 回路４１内の第２のＤＢＣ
基板２７の幅が部分的に狭くなっており、上記第１のＤ
ＢＣ基板１９上の第３のＣｕ層１５が露出されている第
１の領域４５と、この第１の領域４５に向い合う上記Ｃ
1 回路３７内の第２のＤＢＣ基板２７の幅が広くなって
いる第２の領域４７上の第６のＣｕ層２５とが、ジャン
パープレート４９により互いに複数箇所（本実施例の場
合３箇所）接続されており、それによって上記Ｃ1 回路
３７とＣ2 回路４１とが接続されているものである。
【００２９】ここで、上記ジャンパープレート４９の一
拡大図を図５に示す。このジャンパープレート４９は、
Ｃｕ等からなる導体で、その厚みは例えば０．５mm程度
である。形状は単に平板でも良いが、成形のための樹脂
封止の際に樹脂がジャンパープレート４９直下に上手く
まわり込めず、気泡の発生を招き、絶縁性や耐水性の信
頼性を劣化させる一原因となるので、図５に示す如き形
状にすることが望ましい。
【００３０】また、長さｌおよび高さｈは、ジャンパー
プレート４９のインダンタンスを低減させるため、極力
短いことが望ましい。また、幅ｗは極力広いことが望ま
しい。何故なら、上記Ｃ1 回路３７からＣ2 回路４１へ
流れる（またはその逆）主電流を均等に分散し、電流集
中を抑え、インダンタンスを低減出来るからである。
【００３１】しかし、上記ジャンパープレートの長さ
ｌ、高さｈが極端に短く、幅ｗが極端に広すぎると、成
形時に樹脂がまわり込めなくなるので、長さｌ、高さ
ｈ、幅ｗの値は最適化する必要がある。例えば、この場
合、長さｌが６mm、高さｈが３mm幅ｗが５mmとなってい
る。
【００３２】次に、上記Ｃ2 Ｅ1 電力端子３、Ｅ2 電力
端子５およびＣ1 電力端子７は、図６（ａ）および
（ｂ）に示す端子形状をしている。ここで、図６（ａ）
は、構造の同じなＣ2 Ｅ1 電力端子３およびＥ2 電力端
子５の一方（この場合端子５）を示しており、図６
（ｂ）は、Ｃ1 電力端子７を示している。
【００３３】上記各電力端子５，７は、それぞれ平板部
５１，５３と、複数箇所（本実施例は３箇所）のクッシ
ョン部５５，５７と、複数箇所（本実施例は２箇所）の
スクリュー穴５９，６１とを有している。
【００３４】上記クッション部５５，５７は、樹脂成形
時に上記電力端子３，５，７にかかる上下方向の応力を
吸収する目的、および半導体装置使用時の熱変化にて生
ずる応力を緩和する目的で設けられたものである。
【００３５】ここで、図６（ａ），（ｂ）に示した様な
端子形状とすれば、以下の如くの理由から、各々の電力
端子３，５，７の自己インダクタンスＬC1S ，ＬE2S ，
ＬC2 E1S を小さくすることができる。
【００３６】すなわち、第１の理由としては、各々の電
力端子３，５，７は、前記Ｃ1 回路３７またはＣ2 回路
４１から垂直に導出される様な最短の配線長になってい
ることであり、第２の理由としては、各々の電力端子
３，５，７が、高さｌより幅ｗの方が長い平板部５１，
５１，５３と、複数のクッション部５５，５５，５７
と、複数のスクリュー穴５９，５９，６１とから構成さ
れることにより、前記Ｃ1回路３７ないしＣ2 回路４１
から上記複数のクッション部５５，５５，５７と平板部
５１，５１，５３を介し、複数のスクリュー部５９，５
９，６１に取り付けられた外部回路の主電力配線へ流れ
る（またはその逆に流れる）主電流が、上記端子内を均
一に分散し、電流集中が抑えられ自己インダクタンスが
低減されるものである。
【００３７】なお、上記複数のクッション部５５，５
５，５７の内の両脇側のものは、本実施例の如くに、上
記平板部５１，５１，５３の実質的な、両端部にあるこ
とが望ましく、上記平板部５１，５１，５３の幅ｗは、
上記Ｃ1 回路３７ないしＣ2 回路４１上の第３のＣｕ層
１５の幅と実質的に同等の幅とすることが望ましい。ま
た、上記クッション部５５，５５，５７およびスクリュ
ー穴５９，５９，６１は出来るかぎり数多いことが望ま
しい。
【００３８】もし、上記クッション部５５，５５，５７
およびスクリュー穴５９，５９，６１が１箇所の極僅か
な領域にしか設けられていない場合や、上記平板部５
１，５１，５３の幅ｗが短い場合には、主電流が電流集
中し、電力端子の自己インダクタンスが減ぜられないも
のである。
【００３９】そして、上記Ｃ2 Ｅ1 電力端子３のクッシ
ョン部５５は、上記Ｃ2 回路４１内の第１のＤＢＣ基板
１９中の第３のＣｕ層１５上に、上記Ｅ2 電力端子５の
クッション部５５は、上記Ｃ2 回路４１内の第２のＤＢ
Ｃ基板２７の幅の広くなっている領域の第６のＣｕ層２
５上に、上記Ｃ1 電力端子７のクッション部５７は、上
記Ｃ1 回路３７内の第２のＤＢＣ基板２７の幅が狭くな
っており、第１のＤＢＣ基板１９上の第３のＣｕ層１５
が露出されている領域上に、それぞれ半田により接続さ
れている。
【００４０】また、上記Ｅ2 電力端子５とＣ1 電力端子
７とは、実質的に向い合う平板部５１，５３およびクッ
ション部５５，５７の双方において、実質的に平行で、
かつその距離ｄは端子幅ｗの短い方の端子幅ｗに対する
１／５倍以下の距離に設けられている。すなわち、図４
および図７に示す如く、上記Ｅ2 端子５とＣ1 端子７を
流れる主電流の向きは逆向きに流れる。従って、この
時、上記Ｅ2 端子５およびＣ1 端子７には、負の値を示
す相互インダクタンスＭE2C1が働き、Ｅ2 端子５および
Ｃ1 端子７のインダクタンスＬE2およびＬC1を低減する
様に作用する。
【００４１】ところで、相互インダクタンスの大きさ
は、端子幅ｗと、Ｃ1 端子・Ｅ2 端子間距離ｄにより変
化する。つまり、端子のインダクタンスも、端子幅ｗと
Ｃ1 端子・Ｅ2 端子間距離ｄにより変化する。図８は、
端子幅ｗとＣ1 端子・Ｅ2 端子間距離ｄの比ｄ／ｗと、
端子の単位長さ当りのインダクタンスの関係を示したも
のである。図８から判る様に、端子の単位長さ当りのイ
ンダクタンスは、ｄ／ｗの増加に伴い指数関数的に増加
するもので、特にその増加はｄ／ｗが０．２を越えると
急激に増加する。よって、上記ｄ／ｗは、０．２以下す
なわちｄ≦ｗ／５にすることが望ましい。
【００４２】なお、上記Ｃ2 Ｅ1 電力端子３、Ｅ2 電力
端子５、Ｃ1 電力端子７は、図３に示す如く、予め樹脂
で形成されたターミナルホルダ７１に位置決めされてお
り、それぞれの端子が前記説明の如き位置に固着された
後に、樹脂ケース７３が放熱板９に接着され、樹脂封止
される。それによって、図３に示した様な外形図をなす
半導体装置が形成される。
【００４３】以上の様な構成を持つ半導体装置であれ
ば、上記Ｃ1 電力端子７、Ｅ2 電力端子５、Ｃ2 Ｅ1 電
力端子３は、上記Ｃ1 回路３７、Ｃ2 回路４１から垂直
に立設されているため、各々の電力端子長さを最短距離
にすることが出来る。かつ、上記各電力端子３，５，７
は高さｌより幅ｗの方が長い平板部および複数のクッシ
ョン部５５，５５，５７および複数のスクリュー穴５
９，５９，６１を具備し、かつ、半導体素子（トランジ
スタ，ダイオード）と電気的に接続される第３のＣｕ層
１５および第６のＣｕ層２５の幅が広いため、主電流を
均等に分散できる。従って、各端子における自己インダ
クタンスを低減することが出来る。
【００４４】また、上記Ｃ1 電力端子７とＥ2 電力端子
５は、実質的に平行で近接する様に配置され、Ｃ1 電力
端子７とＥ2 電力端子５には逆方向の電流が流れるの
で、Ｃ1 電力端子７とＥ2 電力端子５の相互インダクタ
ンスを低減出来る。
【００４５】さらに、２層絶縁層構造の実装基板（第１
のＤＢＣ基板１９および第２のＤＢＣ基板２７）を使用
しているため、図４に示す様に、ボンディングワイヤ３
３と第３のＣｕ層１５に流れる電流も逆方向の向きを採
る。従って、この部分の相互インダクタンスも低減出来
る。よって半導体装置の内部インダクタンスは極めて小
さくなるものである。
【００４６】以上、本発明の一実施例として、２回路を
持つ半導体装置について説明したが、本発明は、１回
路，４回路，６回路を持つ半導体装置にも当然適用出来
る。また、ＤＢＣ基板のＣｕパターンや、端子のクッシ
ョン形状および個数、スクリュー穴の個数等は、上述し
た実施例に限定されるものではない。また、基板はＤＢ
Ｃ法以外の方法で形成した基板でもかまわない。更に本
発明の他の実施例として、第１５図に示す様に、第２の
絶縁層２３の下に第５のＣｕ層２１がある構成でもかま
わない。
【００４７】尚、第１５図の実施例の場合は、ＤＢＣ法
により積層し、形成された第５のＣｕ層２１、Ａｌ2 Ｏ
3 やＡｌＮ等の第２の絶縁セラミックス板２３、および
第６のＣｕ層２５からなり、幅が狭い部分と広い部分が
規則的に同数箇所（本実施例では３箇所）形成された実
装基板２７（第２のＤＢＣ基板２３）が前記第３のＣｕ
層１５上に半田により接続されているものである。
【００４８】
【発明の効果】以上述べた様に、本発明によれば、半導
体装置の内部インダクタンスを効果的に低減出来る。従
来例と本発明の半導体装置のスイッチングターンオフ時
のサージ電圧波形を図９（ａ），（ｂ）に示す。ここ
で、図９（ａ）は、従来例におけるサージ電圧波形を示
し、図９（ｂ）は、本発明におけるサージ電圧波形を示
すものである。
【００４９】図９（ａ），（ｂ）に示す様に、本発明の
半導体装置は、内部インダクタンスの低減により従来の
半導体装置に比べ約５０％サージ電圧ΔＶが低減され
る。従って、大電流を高速スイッチングする使用（ｄｉ
／ｄｔの大きな使用）に対しても、破壊せず、外部回路
の誤動作、破壊も防止できる半導体装置を提供出来るも
のである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を実施した大電力用半導体装置の内部構
成を示す図で、特に、その各電力端子を基板部の所定位
置に接続する前の状態を示す斜視図である。
【図２】本発明を実施した大電力用半導体装置の内部構
成を示す図で、特に、その各電力端子を基板部の所定位
置に接続した状態を示す斜視図である。
【図３】図２に示す内部構成を有する大電力用半導体装
置の樹脂成形後の外観斜視図である。
【図４】図２に示す内部構成の要部拡大斜視図である。
【図５】図２に示す内部構成におけるジャパープレート
の拡大図である。
【図６】各電力端子の形状を示す図である。
【図７】図２に示す内部構成の要部拡大側面図である。
【図８】電力端子幅ｗと電力端子間距離ｄの比ｄ／ｗと
電力端子の単位長さ当りのインダクタンスの関係を示す
グラフである。
【図９】従来例および本発明に従う半導体装置における
スイッチングターンオフ時のサージ電圧波形を示すグラ
フである。
【図１０】従来の大電力用半導体装置の等価回路図であ
る。
【図１１】大電力用半導体装置の使用される３相モータ
駆動回路の回路図である。
【図１２】従来の他の構成を有する大電力用半導体装置
の等価回路図である。
【図１３】半導体装置におけるサージ電圧を小さくする
ためのスナバ回路を示す図である。
【図１４】一般の導体におけるインダクタンスを説明す
るための説明図である。
【図１５】本発明に従う大電力用半導体装置の他の実施
例の内部構造を示す図である。
【符号の説明】
１ 基板部 ３ Ｃ2 Ｅ1 電力端子 ５ Ｅ2 電力端子 ７ Ｃ1 電力端子 ９ 放熱板 １１ 第１のＣｕ層 １３ 第１の絶縁セラミック板 １５ 第３のＣｕ層 １７ 第４のＣｕ層 １９ 第１のＤＢＣ基板 ２１ 第５のＣｕ層 ２３ 第２のセラミック板 ２５ 第６のＣｕ層 ２７ 第２のＤＢＣ基板 ２９ トランジスタ ３１ ダイオード ３３，３５ Ａｌボンディングワイヤ ３７ Ｃ1 回路 ３９ 中心点 ４１ Ｃ2 回路 ４５ 第１の領域 ４７ 第２の領域 ４９ ジャンパープレート ５１，５３ 平板部 ５５，５７ クッション部 ５９，６１ スクリュー穴 ７１ ターミナルホルダ ７３ 樹脂ケース

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 放熱板と、前記放熱板上に固着された第
    １の導体と、前記第１の導体上に固着された第１の絶縁
    層と、前記第１の絶縁層上に固着された第２の導体と、
    前記第２の導体上に固着された半導体素子および第２の
    絶縁層と、前記第２の絶縁層上に固着された第３の導体
    と、前記半導体素子の表面電極と前記第３の導体を電気
    的に接続する第４の導体と、前記第２の導体上に固着さ
    れた第１の電力端子と、前記第３の導体上に固着された
    第２の電力端子とを具備したことを特徴とした半導体装
    置。
  2. 【請求項２】 前記第２の絶縁層が前記半導体素子と前
    記第１の電力端子の間に存在する領域を具備した事を特
    徴とした請求項１に記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記第２の導体内を流れる主電流と前記
    第４の導体を流れる主電流の向きが互いに逆になる様に
    構成されていることを特徴とした請求項２に記載の半導
    体装置。
  4. 【請求項４】 第１の導体と、前記第１の導体上に固着
    された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に固着され
    た第２の導体と、前記第２の導体上に固着された第２の
    絶縁層と、前記第２の絶縁層導体上に固着された第３の
    導体とからなる実装基板が複数、放熱板上に固着され、
    少なくとも一つの前記実装基板内の前記第２の導体上に
    半導体素子が固着された半導体装置において、複数の前
    記実装基板相互を少なくとも複数箇所電気的に接続する
    第４の導体を具備したことを特徴とした半導体装置。
  5. 【請求項５】 前記実装基板が点対称に向き合う様に前
    記放熱板上に固着されたことを特徴とした請求項４に記
    載の半導体装置。
  6. 【請求項６】 前記実装基板が同一構造であることを特
    徴とした請求項４に記載の半導体装置。
  7. 【請求項７】 第１の導体と、前記第１の導体上に固着
    された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に固着され
    た第２の導体と、前記第２の導体上に固着された半導体
    素子と、前記半導体素子の表面電極と電気的に接続する
    第１の電力端子と、前記半導体素子の裏面電極と電気的
    に接続する第２の電力端子を具備する半導体装置におい
    て、前記第１の電力端子あるいは前記第２の電力端子
    が、高さより幅の方が長い平板部を持つことを特徴とし
    た半導体装置。
  8. 【請求項８】 前記平板部が、クッション部を有するこ
    とを特徴とした請求項７に記載の半導体装置。
  9. 【請求項９】 前記平板部が、複数のクッション部を並
    列に有することを特徴とした請求項７に記載の半導体装
    置。
  10. 【請求項１０】 前記平板部の幅が、両端に位置する前
    記クッション間の距離以上の幅を有することを特徴とし
    た請求項９に記載の半導体装置。
  11. 【請求項１１】 前記第１の電力端子と前記第２の電力
    端子の双方が前記平板部を具備しており、前記第１の電
    力端子の平板部と、前記第２の電力端子の平板部が実質
    的に平行であることを特徴とした請求項７に記載の半導
    体装置。
  12. 【請求項１２】 前記第１の電力端子の平板部と前記第
    ２の電力端子の平板部の間隔が、前記第１の電力端子の
    平板部ないし前記第２の電力端子の平板部のどちらか一
    方の短い幅の１／５倍以下になっていることを特徴とし
    た請求項１１に記載の半導体装置。
  13. 【請求項１３】 前記第１の電力端子の平板部と前記第
    ２の電力端子の平板部の双方がクッション部を具備しか
    つ、前記双方のクッション部も実質的に平行であること
    を特徴とした請求項１１に記載の半導体装置。
  14. 【請求項１４】 前記第１の電力端子あるいは前記第２
    の電力端子が、外部配線結線用の穴を複数具備すること
    を特徴とした請求項７に記載の半導体装置。
  15. 【請求項１５】 前記第１および第２の電力端子内を流
    れる主電流の向きが、互いに逆になる様に構成されてい
    ることを特徴とした請求項７に際の半導体装置。
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