JPH0661515A - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents

太陽電池及びその製造方法

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JPH0661515A
JPH0661515A JP4361560A JP36156092A JPH0661515A JP H0661515 A JPH0661515 A JP H0661515A JP 4361560 A JP4361560 A JP 4361560A JP 36156092 A JP36156092 A JP 36156092A JP H0661515 A JPH0661515 A JP H0661515A
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ルドルフ・ヘツェル
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    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡単な手段で効率のよい太陽電池を製造する
ことを目的とする。 【構成】 隆起領域（２４，２６，２８）を有する少な
くとも１つの半導体基板を具備し、この基板上にキャリ
アを伝達するための導電性コンタクト（２０）が設けら
れ、かつこの基板は、少なくとも導電性コンタクトの間
においてパッシベ−ション材料で覆われていることを特
徴とする太陽電池。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、入射する放射線エネル
ギ−により荷電キャリアが発生する半導体基板と、荷電
キャリアを導く導電性コンタクトとを具備する太陽電池
の製造方法であって、半導体基板の少なくとも一方の面
に隆起領域を設ける工程、前記隆起領域を形成した後
に、前記半導体基板を完全に又はほぼ完全にパッシベ−
ション層で覆う工程、前記隆起領域上に存在するパッシ
ベ−ション材料の少なくとも一部を除去する工程、及び
前記導電性コンタクトを形成する材料を、少なくとも露
出した前記隆起領域上及び隆起領域から延びる側面上の
パッシベ−ション材料上に間接的又は直接的に配置する
工程を具備する太陽電池の製造方法に関する。
【０００２】本発明は、更に、入射する放射線エネルギ
−により荷電キャリアが発生し、この荷電キャリアは電
場により分離可能であり、導電性コンタクトを介して伝
導し得るような半導体基板を具備し、この半導体基板の
少なくとも一方の面には、荷電キャリアを伝導する導電
性コンタクトを具備する側面を有する有する隆起領域が
形成され、前記半導体基板は、少なくとも前記コンタク
ト間の領域にパッシベ−ション層を形成するパッシベ−
ション材料で覆われており、これが、必要ならば半導体
材料が取り除かれた前記隆起領域の先端領域にコンタク
トが配置され、側面に沿ったパッシベ−ション材料上の
少なくともある領域において延びている太陽電池に関す
る。
【０００３】最後に本発明は、入射する放射線エネルギ
−により荷電キャリアが発生し、この荷電キャリアは、
前記半導体基板の一方に配置され、それぞれ少数及び多
数キャリアを回収する第１及び第２のコンタクトにより
伝導し得るものである半導体基板を有する太陽電池に関
する。
【０００４】
【従来の技術】光起電力太陽電池に高効率を達成するた
めの基本的な主要な条件は、適切な表面構造及びコンタ
クト配置による光の最適な捕捉に加え、結局、出来るだ
け低い接触面積及び半導体の活性領域における優れた表
面パッシベ−ションである。結果として、短絡電流、及
び−逆飽和電流の低下による−太陽電池の無付加電圧及
び充填率が増加する。ド−プトｐｎ接合により作られた
シリコン太陽電池の、現在の実験室における最も高い効
率（２４％付近）は、複雑なフォトリソグラフィ−によ
り形成した表面基板により、及び熱二酸化硅素層による
高温パッシベ−ションにより達成されている。この熱二
酸化硅素層には、荷電キャリアの伝導に必要な金属コン
タクトのためのフォトリソグラフィ−及びエッチングに
より、非常に小さい孔が設けられている（Ｍ．Ａ．Ｇｒ
ｅｅｎ，Ｓ，Ｒ．Ｗｅｎｈａｍ，Ｊ．Ｚｏｌｐｅｒ及び
Ａ．Ｗ．Ｂｌａｋｅｒｓ，第２１回ＩＥＥＥ光起電力専
門家会議、第２０７頁、１９９０）。コンタクト領域に
おける二重拡散は、逆飽和電流を更に減少させるのに役
立つ。しかし、恐らく、複雑な製造プロセスは、地球上
の太陽電池の安価な大量生産への可能性を制限するであ
ろう。
【０００５】文献（Ｒ．Ｈｅｚｅｌ，Ｗ．Ｈｏｆｆｍａ
ｎｎ及びＫ．Ｊａｅｇｅｒ，第１０回欧州光起電力太陽
エネルギ−会議、第５１１頁、リスボン１９９１）で
は、高効率を達成しつつ製造コストの減少に導く顕著な
ＭＩＳ反転層太陽電池が記載されている。生じたｐｎ接
合により、簡単な低温プロセスによる製造が達成され、
従って、２面性の（両側において感光性を示す）ものを
含むとりわけ非常に薄いものに適切である。太陽電池の
効率を更に増加させるために、コンタクト面積の減少に
加え、表面パッシベ−ションの大幅な改良もまた必要で
ある。
【０００６】シリコンの表面パッシベ−ション、従って
その効率も、４５０℃付近におけるプラズマ窒化硅素層
の堆積により増加さあせることが可能である（Ｗ．Ｂａ
ｕｃｈ及びＲ．Ｈｅｚｅｌ，第１９回Ｅ．Ｃ．光起電力
太陽エネルギ−会議、第３９０頁、フライバ−グ１９８
９）。しかし、このことは、パッシベ−ション層に孔を
形成するために、及びコンタクトグリッドの定義のた
め、２つのフォトリソグラフィ−工程を必要とし、これ
らのプロセスは安価な大量生産及び大きなセル領域に対
する大きな困難性をもってのみ実現可能である。
【０００７】ＩＥＥＥ電子デバイスレタ−第１１巻、Ｎ
Ｏ．１、１９９０年、ニュ−ヨ−ク第６−８頁、Ａ．Ｃ
ｕｅｖａｓら、から、フォトリソグラフィ−手段により
温度が達成される点接触コンセントレ−タ−太陽電池が
知られている。この太陽電池の表面は、多くの隆起領域
を有しており、その幾つかのみが前面コンタクトを形成
するための伝導性材料によりある領域において覆われて
いる。導電性材料は、その場所で露出し、Ｖ型断面を有
する半導体材料の領域上、及びパッシベ−ション層とし
ての酸化物層上を延びている。導電性材料は、隆起領域
の両側面に沿って延びている。フォトリソグラフィ−工
程のため、適切な電池の製造は非常に複雑であり、多く
の理由の中の高い製造コストを考慮すると、広範な商業
的用途に不適切である。
【０００８】ストリップ状の前面コンタクトを有する太
陽電池は、第１９回ＩＥＥＥ光起電力専門家会議、１９
９０年、５月４日、ニュ−オ−リンズ、ルイジアナ、米
国、第１４２４−１４２９頁、Ｄ．Ｂ．Ｂｉｃｋｌｅｒ
ら、から知られている。コンタクトは、ある領域におい
て酸化物層により覆われている半導体基体のプラト−状
領域上に独占的に延びている。この構造を得るために、
多数のフォトリソグラフィ−プロセス工程が必要であ
る。
【０００９】上に記載した太陽電池は、複雑なマスキン
グ、調整、及びエッチング技術を必要とする。
【００１０】エッチング方法及びマスキング技術は、応
用物理レタ−、第５５巻、Ｎｏ．１３、１９８９年９月
２５日、ニュ−ヨ−ク、ＵＳＡ、第１３６３−１３６５
頁、Ｓ．Ｗ．Ｂｌａｋｅｒｓら、から知られている。そ
こでは、前面コンタクトが孔を有する酸化物層上にイン
ラインに配置されている。
【００１１】異方性エッチングによるＭＩＳ太陽電池の
前面の形成は、もまた知られている（第５回国際光起電
力科学及び工学会議、１９９０年１１月２６日、京都、
日本、第７０１−７０４頁、Ｒ．Ｈｅｚｅｌら）。
【００１２】第５回国際光起電力科学及び工学会議、１
９９０年１１月２６日、京都、日本、第５３３−５３６
頁、Ｈ．Ｉｔｏｈら、から知られている太陽電池では、
Ｓｉ太陽電池基板があらかじめ形成されたガラス支持体
に適用される。
【００１３】応用物理レタ−、第４１巻、Ｎｏ．７、１
９８２年１０月１日、ニュ−ヨ−ク、ＵＳＡ、第６４９
−６５１頁、Ｐ．Ｇ．Ｂｏｒｄｅｎらでは、エッチング
及びフォトリソグラフィ−により形成された前面コンタ
クトがＣＶＤ酸化物層を覆っているＳｉ太陽電池が記載
されている。
【００１４】第１４回ＩＥＥＥ光起電力専門家会議、１
９８０年、１月７日、サンジエゴ、カルフォルニア、米
国、第７８３−７８５頁、Ｔ．Ｇ．スパ−クスらによる
と、異方性エッチングにより太陽電池の表面構造が形成
され、プラズマエッチング及び機械的マスクにより、そ
の上に前面コンタクトが堆積される。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明に存在する１つ
の問題は、簡単な技術により、必要ならば大表面の、特
に非常に簡単な加工方法を用いて、高温及び特に低温プ
ロセスの双方により、非常に効率のよい太陽電池を製造
することである。元素半導体及び化合物半導体、表面配
向した単結晶型、任意の粒径及び配向を有する多結晶
型、アモルファス状態、自己保持性（厚い）形態、及び
異なる基板上の薄膜半導体のようなすべての半導体につ
いての適用性が可能でなければならない。
【００１６】本発明に存在する他の問題は、特に大面積
の非集中系で有利に使用可能である太陽電池の一方の側
に、第１及び第２のコンタクトを容易に達成する配列を
提供することである。このことは、拡散により形成され
たｐｎ接合に基づき、及び金属による又は表面絶縁体電
荷による電場の誘導に基づき可能でなけらばならない。
加えて、裏面ダブルコンタクトグリッド構造を通る入射
光が利用されなければならず、結局、両側から照射さ
れ、両側において少数荷電キャリアを回収する簡単な太
陽電池が提供されなければならない。後者は、周囲の散
乱光の最良の利用のため、及び光で発生する荷電キャリ
アの非常に効果的な回収のために、特に少数荷電キャリ
アの減少した拡散長さを伴う安価な半導体基板が利用可
能であるときに、使用される。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記問題は、隆起領域
が、半導体材料の機械的除去又はエッチング除去により
マスクすることなく形成され、少なくともパッシベ−シ
ョン材料が、プラト−領域が形成され、その自由上面か
ら側面が延び、そこで半導体材料が露出するように、隆
起領域から除去されるプロセスにより実質的に解決され
る。
【００１８】導電性コンタクトを形成する材料は、特別
のマスクを用いることなく隆起領域のプラト−領域上
に、及び導電性コンタクトを形成する材料を具備するそ
れぞれの隆起領域の少なくとも１つの側面上に堆積され
るのが好ましい。
【００１９】更に、最初に課された問題は、隆起の領域
にあるパッシベ−ション層が、少なくともある領域にプ
ラト−状領域を有し、そこから側面が延び、そこでは半
導体材料又はそこに配置された層が露出していること、
及び導電性コンタクトを形成する材料がプラト−状領域
上及びそこから延びる少なくとも１つの側面にそって延
びることを特徴とする太陽電池によっても解決される。
【００２０】他の問題に対する解決は、半導体基板の一
方の面に配置され、それぞれ少数キャリア又は多数キャ
リアを収集する第１及び第２のコンタクトにより伝導し
得る入射放射エネルギ−によって荷電キャリアが発生す
る半導体基板を有する太陽電池を提供する。この場合、
前記コンタクトは、第１及び第２のコンタクトが隆起領
域を有する半導体基板上に配置され、あらかじめパッシ
ベ−ション材料で覆われ、次いで直接絶縁層（２１４）
上又は半導体材料の表面ド−プト層のこの材料が除去さ
れた隆起領域の部分上の少なくともある領域に配置され
ていることを特徴とする。
【００２１】一方、対応する太陽電池は、これらのコン
タクトにより形成された導電性コンタクト又は領域が、
第２の導電性コンタクト間の表面領域の全表面又はほぼ
全表面上を延び、第１及び第２の電気的コンタクトはそ
の高さが異なる半導体基板の領域上を走ることを特徴と
する。
【００２２】第１及び第２の導電性コンタクトは、好ま
しくはコ−ミックコンタクト及びＭＩＳコンタクトであ
る。
【００２３】サブクレ−ム及び発明の完全な記述の双方
において、発明の実施態様が詳細化される。
【００２４】本発明の理論によると、半導体との非常に
小さい接触面積を有する内部連結フィンガ−系、大きな
導電体断面、及び低いオブスキュレ−ションが、複雑な
マスク技術なしに、好ましくは自己調整により即ちマス
クなしに生じ、太陽電池の全面及び／又は裏面上の少数
又は多数キャリアのために使用され得る。
【００２５】本発明の概念の更に実質的な特徴は、コン
タクトグリッドを形成するコンタクト間の活性表面が、
半導体の表面再結合速度を最小にし、反射防止層の２倍
とする透明層により覆われることである。この層は、コ
ンタクトの製造前に、従って温度及びプロセスの時間に
関し何ら制限なく、最適なパッシベ−ション特性を達成
するために堆積される。使用可能な層の選択は、それに
よって制限されない。可能な層は、熱酸化硅素膜と呼ば
れ、高温（シリコンの場合に＞５００℃、好ましくは＞
７００℃）で形成された、これまで高効率太陽電池に使
用されてきた膜である。しかし、窒化硅素、酸窒化硅
素、酸化アルミニウムのような層も化学的気相堆積法
（ＣＶＤ）、好ましくはプラズマ促進されたＣＶＤのよ
うな他の方法により、半導体上に設けることが可能であ
る。その膜に含まれるか又は堆積中に発生した高度に活
性な水素の好ましい効果が、半導体の表面及び容積パッ
シベ−ションのために利用されるはずである。
【００２６】半導体の表面付近のパッシベ−ション層内
の電荷の導入もまた、パッシベ−ションのために有利で
あり、その結果、電荷の符号に応じて反転又は蓄積が半
導体内に生ずる（電荷により生じたパッシベ−ショ
ン）。低温において出来るだけ低い表面準位密度を達成
するためには、水素及び正の絶縁体電荷の導入を利用し
て、３００〜５００℃でのプラズマ促進によりテンパ−
又は堆積された窒化硅素が、非常に有利であることが証
明された。
【００２７】本発明の基本的なコンセプトは、平行溝の
構造を有する半導体表面を提供することである。この場
合、個々の溝は、上昇した、可能ならば先端が尖った半
導体領域−隆起領域により、相互に分離されている。パ
ッシベ−ション層は、好ましくは上述の方法により形成
された半導体の全表面上に形成される。この層は、均一
な厚さをもって、全表面を覆う。コンタクト領域を露出
させるためには、好ましくは上方に傾斜した半導体リッ
ジ−隆起領域の最小限の除去をもって、良好な絶縁性の
パッシベ−ション層が除かれる。コンタクトフィンガ−
構造を形成するコンタクトは、次いで、適切なメタラア
イゼ−ションプロセスにより選択的に堆積される。半導
体領域のサイズは、パッシベ−ション層から自由であ
り、そのため、実際のコンタクト領域は、好ましくは底
部に向かって広がるリッジの場合に溝を形成する時、選
択された間隔の溝に加え、除去の深さにより簡単に設定
することが出来る。
【００２８】上述の公知例と比較し、それぞれの隆起領
域上にコンタクトが堆積される。
【００２９】隆起領域間に機械的に生成された溝は、好
ましくは２５ないし２００μｍの深さ（溝の底部を隆起
領域の頂部との間隔）を有する。隆起領域同士の間隔
は、３０ないし２０００μｍが好ましく、特に５０ない
し３００μｍがよい。隆起領域間の間隔が溝領域の深さ
の１．５ないし１０倍の時に、特に良好な結果が得られ
る。
【００３０】本発明の理論によると、パッシベ−ション
層の簡単な選択的な除去及びその後の金属コンタクトフ
ィンガ−の選択的な適用の可能性があるだけでなく、溝
または類似の凹部領域の形の、上述の表面構造により、
半導体による光の捕捉が大幅に改良される。
【００３１】メタライゼ−ションプロセスとして、高真
空傾斜蒸着のような自己調整法を有利に使用することが
出来る。これは、リッジの一方の側には比較的厚く延ば
された金属層、平らな表面コンタクト領域上には低い蒸
着角のため薄く狭い金属層の堆積が、マスク及び調整な
しに可能である。結果として、目的とする半導体と金属
との小さい接触表面が、大きな金属断面で達成され、ま
た、非常に急な側面を考慮して金属フィンガ−による低
い光のオブスキュレ−ションもまた、溝内に反射され、
そのため非常に良好に利用される。
【００３２】傾斜蒸着では、それぞれの隆起領域は、次
の隆起領域の側面を暗くする。しかし、蒸着の入射角
は、好ましくは入射角が、隆起領域の自由上面により形
成された平面内で、３０ないし１°となるように選択さ
れる。傾斜蒸着は、一方において隆起領域の切頭プラト
−状上面に延び、他方において側面の一方上を延びる側
面の非対称コンタクトを形成させ、その内側には、半導
体材料またはその上の層またはそこから形成された層が
露出する。
【００３３】隆起領域のプラト−状領域の幅は、半導体
基板の表面を覆うパッシベ−ション層の厚さの２倍より
常に大きい。しかし、プラト−状領域の幅は、２００ｎ
ｍないし１０μｍであるのが好ましい。
【００３４】従って、電流を伝えるためのコンタクトフ
ィンガア−のような導電性コンタクトのより大きい部分
は、本発明によると、半導体上にはなく、絶縁パッシベ
−ション層上にあり、そのため、逆飽和電流の増加には
寄与しない。
【００３５】真空傾斜蒸着に加えて、他の方法により、
自己調整及びマスキングなしにメタライゼ−ションを達
成することが可能である。側面の横方向に位置するパッ
シベ−ション層によりマスキングが自動的に達成される
ので、電解金属体積又は無電流メタライゼ−ション（無
電極メッキ法）が特に適切である。最初、絶縁領域上に
は金属は堆積されず、そのため、金属は露出する水平リ
ッジ領域上に優先して位置し、そして最後に横方向への
成長により、パッシベ−トされた急な側面の両側上に部
分的に位置し、そのため、マッシュル−ムの形となる。
この自己調整メタライゼ−ション法は、拡散又はイオン
注入されたコンタクト領域又は合金化によりド−プされ
たコンタクト領域に特に適切である。
【００３６】導電性コンタクトを形成するための、更に
非常に適切な自己調整法は、パッシベ−ション層の除去
後の加工面を、導電性ペ−スト又は金属浴に選択的に浸
漬することを含む。この場合、浸漬深さに応じて、自由
半導体面を有するリッジの頂部だけでなく、パッシベ−
トされた側面領域もまた、金属で覆われる。従って、そ
れぞれの金属フィンガ−断面は、浸漬深さ、浴の粘度等
により決定され、実質的に光のアブスキュレ−シャに影
響を与えることなく広い領域において変化し得る。ここ
でもまた、傾斜蒸着と同様に、しかしリッジの両面上で
の、溝内への光の反射が生じ、そのため非常に有利な光
の捕捉が達成される。“スピンオン”法を用いて、金属
ペ−ストを、リッジの頂部の一方の側及び平らな水平リ
ッジ領域に選択的に適用することも可能である。
【００３７】隆起した中間領域を有する溝構造は、何ら
マスクキングすることなく、大きな領域に適用可能な機
械的方法により、経済的にかつ好ましく形成され得る
（機械的溝形成）。大きな表面に適用可能な方法、例え
ば１つ又はそれ以上の平行鋸歯（ソ−ダイシング）、適
切に構成された道具を有するミリング、又は長のこ盤
（マルチブレ−ドソ−イング）もまた適切である。後者
は、多くの平行金属ストリップを有する系を含み、その
鋸刃断面は、（角型、丸型、コ−ナ−部丸型等）の任意
の計上を有し得る。様々な金属ブレ−ドの配置及びその
構造は、様々な溝の遮断を有する所定の溝パタ−ンの生
成を可能とする。この型の構造は、例えば太陽電池にお
ける電流の主要な導電体（ブスバ−）の取付けのために
重要である。
【００３８】少ない切断による損傷及び他の利点のた
め、平行ワイヤを用いるソ−イング（マルチワイヤソ−
イング）は、表面の加工に特に適切である。この方法
は、近年、半導体ブロックを薄いウエハにうまく切断す
るために導入された。適切なスラリ−の選択もまた重要
である。適切なワイヤ径及びワイヤ間隔が用いられると
き、種々の幅、深さ及び間隔の、即ち種々の接触面積幅
を有する丸められた溝が、簡単に、かつ大面積上に形成
され得る。しかし、溝は、矩形断面を有するもの、非常
に急な側面と平らな底を有するもの、丸められたコ−ナ
−を有するもの、楕円断面を有するもの、又は頂点まで
傾斜しているものであってもよい。末端ワイヤ溝が形成
された、平行ワイヤにより加工は、先端がダイヤモンド
のワイヤ及び研磨材が液状スラリ−である平ワイヤの双
方を用いて達成され得る。
【００３９】しかし、本発明による表面加工のコンセプ
トは、太陽電池のための半導体材料に限られるものでは
ない。このコンセプトは、相互に平行に又は実質的に平
行に走り、そのため溝の間に隆起領域を提供する溝を形
成するための材料を加工するために適用可能である。こ
の目的に対し、この材料は、相互に平行に又は実質的に
平行に走り、加工される材料に相対的に移動する機械的
加工要素により加工される。既にのべたように、加工要
素は、ワイヤ、鋸歯、及び長のこ盤が好ましい。平行な
部分を形成するために適当に位置する単一ワイヤを幾つ
かのワイの代わりに用いることが出来ることはいうまで
もない。
【００４０】この方法を用いる可能性は、ガラスを加工
する光学的産業に特に存在する。光の反射を減少させる
ために、特に溝の底部、そして必要ならば壁、少なくと
も幾つかの領域は、付加的に特に加工されている。この
場合、好ましくはある結晶レベルを除去するエッチャン
トを用いる方法が、例としてのみ示されている。（１０
０）配向面の半導体表面が利用されるとき、非加工の平
らな側面（溝内への光の反射、特に側面が部分的に金属
でカバ−されている）及び加工された溝の底部をこの方
法を用いて有利に得ることが可能である。狭い水平コン
タクト領域もまた有利に加工され、その結果として、以
下に示すところに従って点接触が生成される。
【００４１】好ましくは本発明によるパッシベ−ション
層の大表面の除去、及び必要ならば、後のコンタクト領
域を形成する非常に狭い隆起領域における半導体の一部
の除去が、他の方法に加えて機械的な方法により特に有
利に達成され得る。均一なラッピング、ミリング、研
磨、及びブラッシング隆起領域からのパッシベ−ション
層の部分的除去のための機械的な方法に加えて、特に開
発されたウエット−化学的方法又は好ましくはドライエ
ッチング方法、例えば目的とするエッチングによる除去
（プラズマエッチング、イオンエッチング、レ−ザエッ
チング等）を用いることが出来る。
【００４２】例えば、表面に平行に当てられる粒子ビ−
ム又はレ−ザビ−ムは、主として、そして大きな損傷な
しに、必要な程度に、調整又はマスキングなしに、パッ
シベ−ション層とともに隆起領域をエッチング除去する
ことが可能である。機械的マスクを介するプラズマエッ
チングもまた適切である。
【００４３】パッシベ−ション層が簡単な方法で選択的
に除去され、コンタクト金属が堆積される、隆起領域の
形成のための本発明の理論は、溝が設けられる比較的厚
い自己保持性半導体ウエハにのみ関する。この原理はま
た、別の基板上に堆積された薄膜半導体又は薄膜太陽電
池にも適用可能である。この目的に対し、溝構造は既
に、一般に金属からなる（多くの場合、頂部に拡散バリ
アを有する）、導電性又は絶縁セラミック材料、グラフ
ァイト、又は類似の材料の別の基板に加工されている。
その上に堆積された、一般に多結晶又はアモルファスシ
リコン又は化合物半導体からなる半導体層には、パッシ
ベ−ション層を含む太陽電池が一般に形成され、本発明
のコンセプトに従って、パッシベ−ション層が隆起領域
から除去され、コンタクトメタライゼ−ションが、好ま
しくは上述の自己調整法を用いて行われる。薄膜太陽電
池の態様を以下に示す。
【００４４】特に、本発明により、既に加工された基板
上に、半導体材料を、バックコンタクトの２倍堆積する
ことによって、所望の構造、特に太陽電池の溝構造が達
成される。別の基板が、支持体基板から半導体材料に拡
散することを防止するため、既に記載された方法に従っ
て加工された基板が、拡散バリアとして作用する層、例
えば窒化硅素又は酸化アルミニウムにより覆われる。次
いで、この層は、そのご適用される半導体層のための小
さいコンタクト領域を提供するために、これまた既に説
明した方法を用いて、隆起領域の先端から除去される。
太陽電池は、次いで、本発明に従って形成され得る。
【００４５】本発明に従ってパッシベ−トされた太陽電
池においては、通常の方法、例えば機械的マスクを介し
ての真空蒸着により、スクリ−ン印刷又はその他の方法
により金属が堆積される代わりに、自己調整メタライゼ
−ションの適用がなされ得る。そうするためには、パッ
シベ−ション層が隆起領域から選択的に、後のメタライ
ゼ−ションの領域にのみ、又は全表面にわたり、除去さ
れる。しかし、後者の場合、あらかじめパッシバ−ショ
ン層が除去されているが、金属により覆われていない活
性太陽電池表面の隆起領域は、通常、金属フィンガ−が
ストリップ状に生成された後の金属コンタクトが耐え得
る低温で、パッシベ−トされねばならない。従来の電池
に対する後者の形態の利点は、半導体表面の主要部分が
優れたパッシベ−ションを具備し、そのため、非常に小
さい接触面積により高効率が達成し得る。
【００４６】隆起した半導体領域を形成するための、及
びこれらのコンタクト領域からパッシベ−ション層を選
択的に除去するための、本発明による理論は、非常に良
好にパッシベ−トされた点接触太陽電池の新しい型の簡
単な製造に、有利に拡張され得る。その製造はコンタク
トの製造前に生ずるので、本発明によると、生成され又
は８００℃−１０００℃又は４００℃−５００℃の温度
で後処理された熱二酸化ケイ素又はプラズナ窒化ケイ素
のような最適なパッシベ−ション層を、簡単な技術で用
いることが可能である。本発明によると、調整し得るサ
イズのピラミッドで覆われた単結晶シリコン表面上に、
最初に全表面にパッシベ−ション層が形成され、次いで
ピラミッドチップの区分された除去により（好ましくは
研磨又はラッピングにより）シリコンが小さい矩形領域
として（切頭ピラミッド）露出され、最後に全面上又は
ストリップ状に金属が堆積される。コンタクト領域のサ
イズは、ピラミッドの完全な除去による１００％の金属
の被覆まで、外側に傾斜したピラミッドの形状によりピ
ラミッドの除去の深さを変化させることにより、必要に
応じて増加させることが可能である。
【００４７】ピラミッドの表面密度及び点接触は、ピラ
ミッドの高さにより選択的に変化させることが可能であ
る。高さが増加するに従って、単位表面当たりのピラミ
ッドの数は減少する。ピラミッド又は異なる形状の隆起
領域は、例えば、光の反射を減少させるための太陽電池
の構造のために使用されるように、異方性エッチングに
より形成することが可能である。シリコンの場合、様々
な配向のため種々のエッチングレ−トを有する、高温で
のアルカリ溶液が使用され得る。ピラミッドの高さと密
度は、このエッチングプロセスにより、マスクなしで調
整され得る。
【００４８】このようにして、接触密度及び面積は、簡
単に、所望の値に制御され得る。
【００４９】本発明にしたがった理論は、おおむね、任
意の太陽電池に適用することができる。しかしながら、
種々の態様においては、ＭＩＳ反転層太陽電池及びドー
プされたｐｎ接合を有する電池のみが記載されている。
同一の部材のための同じ参照符号が、可能な場合には使
用され得る。
【００５０】図１（ａ）は、ＭＩＳ反転層太陽電池１０
の照射側前面を通る断面を示す。電池１０は、半導体基
板１２、絶縁層に電荷を注入することによって生じた
（ｐ型半導体の場合は、電子からなる）反転層１４、透
明な絶縁体又はパッシベーション層１６、及び金属２０
とともに、少数キャリアーを回収するためのＭＩＳコン
タクトを形成する薄いトンネル酸化物１８を具備する。
金属２０と半導体１２との仕事関数の差によって半導体
表面に形成された反転層には、参照符号２２が付されて
いる。太陽電池１０の裏面は、必要に応じて、例えば、
全表面の、又は、中間領域のパッシベーションを有す
る、若しくは裏面フィールド（ＢＳＦ）を有する、若し
くは隆起したオーミックコンタクト（欧州特許第８８１
０５２０１．３Ａ１参照）を有する中断されたオーミッ
クコンタクトから設計することができる。このオーミッ
クコンタクトは、上述の前面と同様の手法で、パッシベ
ーション層の部分的な除去、及び選択的なメタラリゼー
ションによって形成することができる。この範囲におい
て、欧州特許第８８１０５２１０１．３Ａ１中の開示が
参照される。
【００５１】太陽電池の製造は非常に単純である。溝構
造、−隆起領域２４、２６、２８、すなわち、互いに平
行に通るリッジ、及びそれらの間のフルート若しくはト
レンチのような溝領域３０、３２−を、好ましくは機械
的手段を用いて半導体表面に設けた後、そして、表面の
損傷を取り除いた後、パッシベーション層１６（例え
ば、ＳｉＯ2 、ＣＶＤ ＳｉＯ2 、シリコン窒化物、又
は、二重層ＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 、好ましくはプラズマ
により促進されたもの）が、表面全域に堆積される。コ
ンタクト領域の必要な広さに応じて、パッシベーション
層１６、及び半導体の一部は、好ましくは機械的手段に
よって隆起領域から除去される。形成された損傷を受け
た半導体基板層を除去した後、薄いトンネル絶縁層１８
（１．５μｍ厚さ、例えば、シリコン酸化物、シリコン
オキシナイトライド、又はシリコン窒化物）が形成さ
れ、続いて、金属２０の真空斜め蒸着が行なわれる。そ
の結果、水平コンタクト領域プロパー４０、４２、４４
（これは、正しいスケールで図に示されていない）上よ
り、実質的に多くの金属が、隆起領域２４、２６、２８
の側面３２、３４、３６に堆積される。ここでの蒸着角
度は、コンタクトフィンガー内に形成される堆積した金
属の幅を決定する。
【００５２】隆起領域２４、２６及び２８上に導電性コ
ンタクトを形成する金属は、一方において側面３４、３
６、及び３８に沿った領域に、他方において台地状領域
３５、３７、及び３９に沿って伸びている。半導体材料
への現実のコンタクト領域４０、４２、及び４４と、そ
の両側で前記領域を限定するパッシベーション層１６の
端部１７及び１９とは、台地状領域３５、３７、及び３
９の内側に走っている。したがって、台地状領域３５、
３７、及び３９の幅は、常にパッシベーション層１６の
幅の２倍より大きい。
【００５３】パッシベーション層１６上の金属層の実質
的により厚い部分、これは単にコンタクトとしても知ら
れているが、電流の真のキャリアーであり、そのコンタ
クトの抵抗は、オブスキュレーションを顕著に増加させ
ることなくその幅及び厚さを変えることによって、可能
なかぎり低くすることができる。
【００５４】本発明によると、半導体への水平コンタク
ト領域４０、４２、４４は、低い逆飽和電流（高い無負
荷電圧である）、及び低い光オブスキュレーションを得
るために非常に細く設計することができ、その幅はま
た、隆起領域２４、２６、２８から半導体材料を除去す
る深さによって調節し得る。理想的な場合は、コンタク
トは直線状、すなわち、パッシベーション材料のみが除
去されて、半導体材料は除去されない場合である図１
（ｂ）は、側面３４、３６、３８の金属層が、対向する
半導体側面上の入射光を非常に低いオブスキュレーショ
ンでどのように反射し、したがって、角度をもった光入
射のために、優れた光の取り込みと荷電キャリアーの回
収とをどのように確実にするかを示す。
【００５５】図１（ｂ）は、コンタクト、すなわち金属
層が、パッシベーション層材料の除去によって得られた
パッシベーション層１６の端部１７、１９を少なくとも
覆うことを明確に示す。
【００５６】それゆえ、以下に示す本発明の利益に注目
すべきである。
【００５７】高い導電率にもかかわらず、最少のコンタ
クト領域と光オブスキュレーションとをもって、コンタ
クト領域２０の自己調整、即ちマスクを用いない堆積、
金属コンタクト２０とは無関係に可能な優れた表面パッ
シベーション、これは同時に、最少の光反射及び半導体
表面の形成を確実にする。
【００５８】その結果、単純な手法で非常に高い効率を
達成し得るＭＩＳ反転層太陽電池が得られる。
【００５９】図１（ａ）、（ｂ）に相当する構造が、多
数の荷電キャリアーを回収するために使用されるならば
（図７）、トンネル酸化物が施され、金属はオーミック
コンタクトを形成するために、シリコンの場合は３５０
〜５００℃の温度で熱処理される。
【００６０】本発明にしたがった理論は、拡散又はイオ
ン注入によって形成されたｐｎ接合を有する通常の太陽
電池のため、有利に使用し得る。図２（ａ）、図２
（ｂ）、図３（ａ）、及び図３（ｂ）は、太陽電池（４
６）及び（４８）の２つの態様を示し、これらはいずれ
も、太陽電池４６及び４８の活性領域におけるパッシベ
ーション層１６の下層に高濃度ドープトエミッター層５
０を有するが、これらのコンタクト領域は、図２（ａ）
及び図２（ｂ）の場合はＭＩＳコンタクトであり、図３
（ａ）及び図３（ｂ）の場合は、ドープトコンタクトで
ある。
【００６１】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、半導体基板
１２、拡散又はイオン注入（ｐ型半導体に対してはｎ＋
層、ｎ型半導体に対してはｐ＋層）によって作られた高
度にドープしたエミッター層５０、表面パッシベーショ
ン層１６、少数の荷電キャリアーのためのトンネル層１
８（シリコンの場合は、約１．５ｎｍのシリコン酸化物
が好ましい）、及び、ＭＩＳコンタクトのための金属層
を示す。符号２２は、金属と半導体との仕事関数の差の
結果として金属２０の下層に形成された反転層を表わ
す。ｐ型半導体の場合は、それゆえ、活性な半導体表面
領域のｎ＋ドープト層５０が、ＭＩＳコンタクトの電子
反転層２２に直接カップリングされる。金属への電子の
移動は、一部は直接ｎ＋層から、また一部は反転層を通
って達成される。ここでも、斜め蒸着及び表面パッシベ
ーションの利点は、図１（ａ）及び図１（ｂ）に関して
説明したように、本発明にしたがった単純な手法で再度
得られる。
【００６２】図３（ａ）及び図３（ｂ）において、半導
体表面全体は、活性でよくパッシベートされた領域内で
あって、かつ金属フィンガー２０の下に、高度にドープ
した表面領域５０（ｐ型半導体に対してはｎ＋層、ｎ型
半導体に対してはｐ＋層）を有し、その表面領域を通っ
て、少数の荷電キャリアーは金属フィンガー又は通路２
０に供給される。ここで、半導体基板はここでも１２で
あり、活性領域における高度にドープした表面層は５０
であり、透明なパッシベーション層（例えば、Ｓｉ
Ｏ2 、ＣＶＤ ＳｉＯ2 、シリコン窒化物、又は二重
層）は１６であり、金属フィンガー２０の下の高度にド
ープした領域は５２であり、そして斜め蒸着によって得
られた金属コンタクトフィンガーは２０で示され、その
フィンガーは、半導体基板１２に関して非常に小さなコ
ンタクト面積しか有しておらず、パッシベーション層１
６上に広く伸びている。
【００６３】金属２０の下の高度にドープした層５２
は、好ましい場合（深いｐｎ接合）は、ドープされた領
域５４及び５６の高められた狭い領域における集中又は
重なりによって、又は、パッシベーション層１６の部分
的な除去（高められた領域２４、２６、２８の頭部を切
ることによって）の後に加えて適用されたドーピングに
よって形成することができる。
【００６４】コンタクト領域の一部、すなわち、コンタ
クトフィンガー２０の下層において、二重拡散又はイオ
ン注入によって形成された非常に高度にドープした層５
２（ｐ型シリコンのためのｎ++）が得られ、これは、太
陽電池４８の逆飽和電流をさらに低下させ、特に無負荷
電圧を増加させる。
【００６５】達成するのが簡単な小さなコンタクト間隔
と、ドープされた表面層５０及びコンタクトフィンガー
の高い導電率とのために、太陽電池４８はまた、特に集
中した光に適切である。
【００６６】半導体材料１２の溝構造、すなわち、トレ
ンチ又はフルート３０、３２、及びこれらを限定する隆
起領域又はリッジ２４、２６、２８は、本発明にしたが
って、機械的に形成させることができ、特に、ワイヤー
又は互いに平行なのこぎりの刃を用いて、半導体材料に
対して移動させること、又は、ガングソーを用いて形成
することができる。これは、３０μｍから２０００μｍ
の範囲、好ましくは５０μｍから３００μｍの範囲のよ
うな大きさの、隣接する隆起領域２４、２６、２８の間
の間隔ａをもたらす。
【００６７】トレンチ又はフルート３０、３２の深さ
ｔ、すなわち、トレンチ又はフルート３０、３２の底
と、隆起領域２４、２６、及び２８の除去された先端、
すなわち、台地状領域３５、３７、３９との間の距離
は、好ましくは２５μｍと２００μｍとの間である。特
に、フルート又はトレンチ３０及び３２の深さｔに対す
る、隆起領域２４、２６、及び２８の間隔ａは、１０＞
ａ／ｔ＞１．５である．前述の態様（図１（ａ）、
（ｂ）、図２（ａ）、（ｂ）、図３（ａ）、（ｂ））
は、示される溝構造が、すでに説明したように半導体基
板１２自体において機械的方法を用いて形成されるとい
う事実に基づく。しかしながら、本発明にしたがった理
論、及び、すでに説明された太陽電池前表面構造に伴な
う利益は、薄い半導体フィルム５８にも有利に適用する
ことができる。
【００６８】図４に示すように、対応するドープト半導
体フィルム６０は、溝６４、６６、６８（本発明にした
がった機械的方法を用いて構造は達成された）を具備す
る基板６２（例えば、金属、セラミック、グラファイト
等）上に堆積されている。半導体フィルム６０の上側
は、層７０（例えば、半導体の基本的なｐドーピングで
ｎ＋層を発生させ、均一ｐｎ接合とした）の形に高度に
ドープすることができ、又は、層７０は異層構造を発生
させるためにもう１つの半導体を含む。その後、パッシ
ベーション層７２は、全面にわたって堆積され、溝６
４、６６、６８の間の持ち上げられた領域、高められた
領域、又は隆起部７４、７６、７８の上部を切ることに
よって部分的に除去される。これに続いて、少数の注入
キャリアーの回収のための太陽電池５８の前面コンタク
トを形成する金属ストリップ２０の形のメタラリゼーシ
ョンの真空斜め蒸着が行なわれる。裏面コンタクトは、
例えば、基板６２、又は基板６２と半導体層６０との間
の導電層のいずれかによって提供されるこうして、薄い
半導体フィルムについても、本発明の理論を用いて、低
い遮光性を有する非常に小さいコンタクト領域と、優れ
た表面パッシベーションに関連した高いコンタクトフィ
ンガー導電率とを達成することが可能である。
【００６９】図１から図２（ｂ）の態様によると、反転
層の原理は、半導体フィルムの場合についての略述され
た例に加えて、ＭＩＳコンタクトと組合わされた活性領
域内の反転層、又はＭＩＳコンタクトと組合わされた活
性領域内の高度にドープしたエミッターに用いられ得
る。
【００７０】優れた表面パッシベーションと、したがっ
て高い効率を有する小さなコンタクト領域を簡単な技術
で得るための本発明のさらなる態様は、図５、図６
（ａ）、及び図６（ｂ）における太陽電池の前面に基づ
いて示される。
【００７１】両方の例において、半導体表面は、機械的
手段によって形成された平行な溝８４、８６、及び８８
によって特徴付けられるが、しかし、コンタクトフィン
ガーを形成するためのメタラリゼーションは、斜め蒸着
によって達成されない。
【００７２】図５において、パッシベーション層を具備
する隆起領域２４、２６、２８の先端は、コンタクトフ
ィンガー２０の領域において除去されるだけであり、例
えば、金属は、真空蒸着、又はカソードスパッタリング
によって、又はスクリーン印刷によって機械的マスクを
介して堆積される。しかしながら、ここではおおよその
調整が必要である。
【００７３】図５、図６（ａ）、及び図６（ｂ）におけ
る態様は、活性領域内及びコンタクト２０の下の高度に
ドープしたエミッター層５０についてのみ再現される。
しかし、反転層の場合（図１（ａ）、図１（ｂ）のよう
な）、及びこれらの態様についての、活性領域内の高度
にドープした層とＭＩＳコンタクトとの組合わせ（図２
（ａ）、図２（ｂ）のような）に適用することもでき
る。
【００７４】図５中、１２は半導体基板を、５０は高度
にドープしたエミッター層（例えば、ｐ型半導体につい
てはｎ＋層）を、１６は透明なパッシベーション層を、
２０は金属フィンガーを示す。
【００７５】金属フィンガー２０を調整する必要性を除
去するために、半導体１２のパッシベートされた隆起領
域２４、２６、２８は、図６にしたがって、その表面全
域にわたって頭部を切り落とされ、それによって、半導
体の狭い領域が露出する。ここで、金属フィンガー２０
は、必要ならば、すなわち調整なしに、半導体上に堆積
させることができる。しかしながら、追加のパッシベー
ション層９０（例えば、プラズマで促進されたＣＶＤシ
リコン窒化物）は、露出した半導体表面上に堆積されな
ければならないが、金属に適切な温度で金属によって覆
われない。
【００７６】図６は、半導体基板１２、高度にドープし
たエミッター層５０（例えば、ｐ型半導体の場合のｎ＋
層）、パッシベーション層１６（例えば、熱によるＳｉ
Ｏ2、ＣＶＤ ＳｉＯ2 、シリコン窒化物、二重層
等）、フィンガー状の金属被覆２０、及び第２のパッシ
ベーション層９０を模式的に示す。熱によるＳｉＯ2 に
ついては、高温においてのみ、適切な厚さに製造され得
るが、実現可能ではない。ここでは、プラズマにより促
進されたＣＶＤ ＳｉＯ2 、又はシリコン窒化物、又は
酸化アルミニウムが適切である。層１６と９０とを含む
二重パッシベーション層は、それぞれの厚さとプロセス
パラメータとを変化させることによって、パッシベーシ
ョン及び反射防止特性に関して最適にされなければなら
ない。
【００７７】図６（ｂ）の拡大した断面は、太陽電池の
コンタクト２０の領域、及び活性化領域９２の両方にお
ける隆起した水平面を加工できること、及び非常に小さ
なコンタクト領域を達成できることを示すことを意図す
る。
【００７８】コンタクトが形成される前に、半導体の最
適な表面パッシベーションを簡単な方法で可能にするた
め、及び自己調整コンタクトの形成により非常に小さな
コンタクト領域を可能とするための本発明を特徴付ける
提案は、少数の荷電キャリアー（好ましくは前面上の）
の回収のためだけではなく、好ましくは太陽電池の裏面
の多数荷電キャリアーの回収のためにも用いられ得る。
【００７９】図７は、オーミックストリップコンタクト
を有する構成された裏面９６、すなわち、部分的なメタ
ラリゼーションと部分的な裏面フィールドとを有する太
陽電池９４の一例にすぎない。半導体部材１２は、この
例においてはｐドープトシリコンであるべきだが、表面
パッシベーション層９８（例えば、ＳｉＯ2 、シリコン
窒化物、シリコンオキシナイトライド、アルミニウム酸
化物、二重層等）を具備する。さらに、ストリップ状の
金属コンタクト１００、１０２が設けられ、実施例にお
いては、これらは、真空斜め蒸着によって堆積され、オ
ーミックコンタクトを達成するために適切な温度で熱処
理されている。符号１０４は、少数の荷電キャリアーを
追い出すために部分的にｐｐ＋接合（裏面フィールド）
が利用できるように、拡散、イオン注入、又は合金化
（実施例においてはｐ＋シリコン）によって達成された
高度にドープした層を示す。パッシベーション層９８
は、本発明のコンセプトにしたがって、マスクとして倍
にされている。しかし、ドープした領域１０４の適用
は、完全になしで済ますこともできる。
【００８０】図７にしたがった太陽電池は、裏面からの
入射光を特別な効率で利用するために、２面感光性（２
面ある）太陽電池について特に適切である。
【００８１】金属層１００は、図１（ａ）〜図４に関し
て説明したように、部分的に堆積させることができる
が、その他の方法（無電流メタラリゼーション、浸漬、
スピンオン法）を用いた自己調整法でも堆積させ得る。
裏面９６の全面メタラリゼーションは可能であり、それ
によって、−金属はパッシベーション層９８上に広くあ
るので−小さなコンタクト領域を有する優れた最適な裏
面鏡をさらに提供する。
【００８２】図７においてｎドープト半導体材料１２が
使用された場合、層１０４は、ｎｎ＋接合が存在するよ
うな強くｎ型がドープされた（ｎ＋）領域を示す。パッ
シベーション層９８に覆われた溝又はフルート１０６
は、任意の形状（角を有する、又は角が丸い等）を有す
ることができる。ここでも、ワイヤーソー又はガングソ
ーを用いた溝１０６の形成は前面においてである。溝の
深さ及び間隔は、広い範囲内で変化させ得る。図７に示
すように溝１０６を具備する太陽電池裏面９６と図１
（ａ）〜図６に示す同様に構成された前面形状との組合
わせは、前面の溝領域が裏面のそれに垂直である場合に
特に有利である。
【００８３】ポイントコンタクト太陽電池を提供するた
めに、構成された太陽電池、即ち好ましくはピラミッド
状のまたは傾斜した突起を有する電池への本発明の理論
の適用は、図８ないし１１に基づいて説明される。
【００８４】ポイントコンタクトを形成するための本発
明は、ここではオーミックコンタクト、ＭＩＳコンタク
ト及びドープトコンタクトの例を用いて説明される。
【００８５】シリコン半導体基板の表面からのピラミッ
ドの突起は、まずパッシベーション層（例えば熱ＳｉＯ
2 、ＣＶＤ Ｓｉ3 Ｎ4 等）を有する。このシリコン
は、ピラミッド状の先端の除去によって露出され、次に
金属で被覆され、及びオーミックコンタクトの場合に
は、加えて４００〜５００℃の焼戻しに供される。これ
により、切頭ピラミッド上に四角いポイントコンタクト
が得られる。側面は、パッシベートされる。
【００８６】ＭＩＳコンタクトの場合は、ピラミッド先
端の除去後、薄いトンネル酸化物層を成長せしめる。次
に金属層を堆積する。また、この方法は、例えばパッシ
ベーション層をマスクとして重ね、これらの領域の選択
的または自己制御のドーピングを可能とするので、ポイ
ントコンタクトのため局部的な拡散またはイオン注入領
域を形成するために、有利に使用することが可能であ
る。半導体がｐ−ドープ型シリコンであるとき、少数キ
ャリヤを収集するポイントコンタクト（ｎ+ ｐ）は、ｎ
+ ドーピング（例えばリン）によって形成され得るもの
で、多数キャリヤを収集するコンタクト（ｐｐ+ ）は、
ｐ+ ドーピングにより生じ得る。同様のことがｎ−ドー
プ型シリコン（ｐ+ ｎ及びｎ+ ｎ）の使用に適用され
る。
【００８７】切頭ピラミッドに関する本発明の理論は、
まず前面において少数キャリヤを、背面において多数キ
ャリヤを収集する通常の太陽電池に利点を与えるために
使用され得る。どのような場合でも、半導体表面の最適
なパッシベーション、金属と半導体の非常に小さいコン
タクト面、及びその高い効率は、すでに記述した電池に
おけるように、簡単に達成される。
【００８８】この目的に対し、パッシベーション層を局
部的に除去するために、ピラミッドは、コンタクトが設
けられるべき位置に、例えばフィンガー構造の形で、適
当な方法、好ましくは機械的な研磨、ミリング又はラッ
ピング等を用いて、選択的に先端を切られなければなら
ない。最終的に、金属フィンガーが設けられねばならな
い。これは、例えば調整用の機械的マスクを用いた蒸着
またはスパッタにより、またはスクリーン印刷により達
成され得る。
【００８９】電池の前面上にＭＩＳコンタクトグリッド
が位置し、コンタクトフィンガーのような金属コンタク
ト間の活性面が、半導体との境界域に電荷を含む透明な
絶縁層で被覆されているＭＩＳ反転層太陽電池にこの方
法を適用するために、切頭ピラミッドが、約１ｎｍ−２
ｎｍの厚さのトンネル酸化物層を有するコンタクト領域
に設けられる。このため、ピラミッドは、金属フィンガ
ーが設けられた地点でのみ先端を切られる。すなわち、
図５に示す溝構造と同様である。コンタクト間のこの領
域は、パッシベーション層で完全に覆われる。
【００９０】しかしながら、上記の場合、先端を切頭ピ
ラミッドからなるコンタクト領域に、正確に金属を堆積
しなければならない。このため、ここでは調整が必要で
ある。調整の必要を除くために、太陽電池の前面に、図
８に示すような構造を使用し得る。
【００９１】図８に示す太陽電池（１０８）は、半導体
基板（１１０）と、トンネル酸化物薄膜（１１２）と、
ＭＩＳトンネルコンタクトのための金属層（１１４）
と、ピラミッド（１１６）、（１１８）の先端を切る前
及び金属層（１１４）を適用する前に、高温で設けられ
たパッシベーション層（１２０）（例えば熱ＳｉＯ、Ｃ
ＶＤ ＳｉＯ2 または二層）と、金属化後に適用された
パッシベーション絶縁層（１２２）等を含む。第２のパ
ッシベーション薄膜は、好ましくは酸化ケイ素であり、
半導体（１１０）及びパッシベーション層（１２２）の
間のピラミッドまたは後で先端を切られたピラミッド
（１１６）、（１１８）の領域内に設けられる。
【００９２】工程は以下のとおりである。
【００９３】太陽電池（１０８）の前面全体のパッシベ
ーションの後、ピラミッド（１１６）、（１１８）は、
先端を切られ、その後、パッシベーション層（１２０）
が局部的に除去される。その後、１ｎｍないし２ｎｍの
厚さのトンネル酸化物（１１２）は、露出された半導体
層上に形成され、金属グリッド（１１４）は、任意の点
に堆積される。最終的に、この様にして得られた構造
は、特に半導体領域（金属層間に残存して予め露出され
た切頭ピラミッド（１１６）すなわちコンタクトフィン
ガー）をパッシーベートし、かつ含まれている絶縁体の
電荷を用いてこれらの地点に反転層を形成するために、
好ましくは３５０℃以上の温度で気相から蒸着されたパ
ッシベーション層（１２２）で被覆される。セシウムの
コンタミネーションに関連するプラズマ窒化ケイ素は、
この目的に十分適応する。表面の大部分すなわち切頭ピ
ラミッド（１１６）の側面は、初めに堆積された優れた
パッシベーション層で覆われている。
【００９４】従来の拡散またはイオン注入太陽電池に対
する本発明の方法の適用は、非常に有利であることが分
った。３つの可能性がここで強調される。
【００９５】ａ）ＭＩＳコンタクトを有するドープされ
た活性領域の組み合わせ（図９ａ，９ｂ） 図９に示す単に概略的な断面（背面コンタクトを除く）
としての太陽電池（１２４）は、半導体基板（１２
６）、トンネル酸化物（１２８）、ＭＩＳコンタクトの
ための金属層（１３０）、拡散またはイオン注入によっ
て、高度に広くドープされた表面層（１３２）（エミッ
タ、ｐ−基板にはｎ+ 、及びｎ−基板にはｐ+ 、）及び
パッシベーション層（１３４）（例えば熱ＳｉＯ2 、Ｃ
ＶＤ ＳｉＯ2 、ＣＶＤ Ｓｉ3 Ｎ4 、二層）を含む。
例えば拡散またはイオン注入により、表面模様が施され
た隆起領域（１３６）、（１３８）、ピラミッドまたは
他の幾何学形状、及びポイントコンタクト部（１４
０）、（１４２）の下の全表面上にｐｎ−接合を生ず
る。コンタクト領域において、パッシベーション層（１
３４）は、ピラミッド（１３６）、（１３８）の先端を
切ることにより局部的に除去され、これにより得られた
ポイントコンタクト（１４０）、（１４２）は、約１ｎ
ｍないし２ｎｍの厚さのトンネル酸化物層を有する。こ
れは、その後に金属層（１３０）の局部的適用、好まし
くはｐ−シリコンの場合、アルミニウムの化学蒸着が続
く。ｎ+ 層は、金属（１３０）の下の反転層に直接結合
する。さらに、図８に示すように、パッシベーション層
は、金属フィンガー（１３０）を含む表面全体上に蒸着
される。ここでも、ピラミッドは、全面にわたって先端
が切断され、パッシベーション層は、メタライゼ−ショ
ンプロセス後の金属層に適合する温度で、表面全体上に
再び適用される。
【００９６】ｂ）コンタクト領域における二重拡散（図
１０ａ、１０ｂ）。
【００９７】図９ａ、９ｂに示すように、ピラミッド
（１３６）、（１３８）の先端を切ることにより、ドー
プ領域をまた、拡散されたまたはイオン注入された太陽
電池（１２４）内において大きく除去され、そのためｐ
ｎ−接合は、コンタクト領域において局部的に除去され
る。ｐ−型半導体における空乏化または反転、高温にお
ける合金化を達成するために、仕事関数の低い金属との
通常のコンタクトの場合（図９ａ、９ｂには図示しない
が）、基板（１２６）への短絡が生じる。
【００９８】図１０ａ及び１０ｂに示す態様では、この
ことは回避すべきである。
【００９９】線図の形で、断面として示された太陽電池
（１４４）は、ピラミッド（１４８），（１５０）のよ
うなポイント状の隆起領域を有するように構成された半
導体基板（１４６）を有する。半導体基板（１４６）
は、最初に形成されたドープ表面層（１５２）（エミッ
タ、ｐ−基板中のｎ+ 、ｎ−基板中のｐ+ ）、ピラミッ
ド（１４８），（１５０）の先端を切った後コンタクト
領域のみに生じた高ドープ層（１５４）、コンタクト金
属（１５６）及びパッシベーション層（１５８）を有す
る。
【０１００】高ドープ層（１５４）は、好ましくはコン
タクトポイントにおける拡散またはイオン注入によって
形成される。このとき、パッシベーション層はマスクと
して用いられる。通常にシリコン太陽電池技術に用いら
れるように、要求される特性を有する金属（１５６）を
堆積し、ドープ領域（１５４）との低い境界抵抗を有す
るオーミックコンタクトが形成される。切頭ピラミッド
の側面のドープ領域（１５２）の結果として、部分的に
非常に重くドープされた領域（１５４）（ｎ++）が二重
拡散により生じ、その結果として、これらのコンタクト
の逆飽和電流は非常に低く、このため、無負荷電圧及び
充填率は、非常に高い。本発明によれば、非常に小さい
コンタクト表面が、実質的に低い逆飽和電流に寄与す
る。
【０１０１】図８によるＭＩＳ反転層太陽電池の例と同
様に、拡散された、又はイオン注入された太陽電池（１
４４）を、金属グリッド（１５６）の調整を必要とせず
にすなわち、ピラミッドチップの全表面を除去した後、
全表面への第２の拡散またはイオン注入により、製造す
ることができる。高度にドープされた領域（１５４）
は、太陽電池表面上に作られる。図８における層（１２
２）のように、第２のパッシベーション層を全太陽電池
表面上に、ただしコンタクト（１５６）の損傷なしに、
堆積することもここでは有利である。
【０１０２】ｃ）ピラミッドの除去深さが低く、ｐｎ−
接合が低い場合、しかしながら、ピラミッド上部におけ
るドープ領域のオーバーラップ（例えば図６、図９ａ、
図９ｂ、図１０ａ、図１０ｂに示すように）により、切
頭コンタクト領域中に、重いドーピングを達成すること
が可能である。そのため、二重の拡散がもはや必要でな
くかつその後プロセスは簡単になる。このオ−バ−ラッ
プは、ド−ピングにおける有利な増加を生ずる。
【０１０３】好ましくは機械的方法を用いた、隆起領域
の形成及びパッシベーション層の部分的な除去のための
本発明の理論のさらに非常に有利な適用は、図８ないし
１０に示すような切頭ピラミッド形のポイントコンタク
ト配列を有する図１ないし６に示すような溝構造の組み
合わせから得られる。これらによいり、非常に小さいコ
ンタクト領域が容易に得られ、優れた表面パッシベーシ
ョンと非常に低い逆飽和電流が得られる。
【０１０４】図６ｂから明らかにされるように、溝の間
に設けられた隆起領域の表面模様から実質的な利点が得
られる。一方、太陽電池の活性領域内の、最適に作用す
るパッシベーション層（１６）によって被覆されない領
域は、ポイント型の領域であるため、非常に小さい。こ
のことは、荷電キャリヤの再結合を減少させる。一方、
金属と半導体のコンタクト領域プロパ−は、荷電キャリ
アを導くための導電性コンタクトによって被覆された領
域におけるポイントコンタクトによって、かなり減少す
る。既にのべたように、半導体又は高度にド−プされた
層の大部分は、最適化されたパッシベーション層（１
６）によって被覆されている。これらの表面構造の利点
は、図１ないし７に示すすべての態様について達成さ
れ、図１ａ及び図１ｂによる逆転層太陽電池の場合は、
とくに注目すべきである。
【０１０５】隆起したポイントコンタクトは、本発明に
従って他の方法により形成され得る。例えばワイヤーソ
ーイングにより形成された図１ないし７に示す溝構造に
基づき、相互に明確な間隔にあり、できるだけ接近し、
最初の溝に対して直角にある平行なワイヤーを用いて同
様にソーイングすることによって、そのベースに向かっ
て広がる規則的な円筒系を形成することが可能である。
このため、これらの円筒の断面およびポイントコンタク
トの形は、ソーイング角度により、直角、四角またはひ
し形になる。ポイントコンタクト表面に要求されるどの
ような変形でも、ワイヤー間隔の適切な選択によって達
成され得る。
【０１０６】多数荷電キャリヤの収集のための上記配列
における太陽電池の背面は、様々な変形に設計され得
る。この背面は、表面模様構造体または非表面模様構造
体であり、全表面上をまたはストリップの形の金属で覆
われており、後者の場合、パッシベーション層で覆われ
た中間層で被覆されている。本発明の概念によれば、コ
ンタクト領域中のピラミッドの先端を切ることにより、
またオーミックコンタクト比を減少し得る。
【０１０７】好ましくは太陽電池の裏面上に多数キャリ
アを収集するための図７に示す構造のように、本発明に
従って提供された切頭ピラミッドを、多数キャリア収集
のための裏面局部との点接触として、有利に使用するこ
とが可能である。
【０１０８】このようにして形成された太陽電池の裏面
の一例を図１１に示す。半導体基板（１６０）は、ピラ
ミッド（１６８）、円錐、円柱又は類似物により形成さ
れた構造の台形に、パッシベ−ション層（１６２）（単
一又は二重層、夏ＳｉＯ2 、窒化硅素等）、コンタクト
金属層（１６４）、及び高度にド−プされたゾ−ン（１
７０）（ｐ−半導体が使用されたときのｐ+ 層を示す）
を有し、そのためピラミッド（１６８）の切頭領域にお
いて、少数キャリアを追出すためのｐｐ+ 接合がある。
金属層（１６４）は、半導体又は高度にド−プされた層
（１７０）との良好なオ−ミック点接触を形成するよう
に、高温で適切に調質される。しかし、層（１７０）も
また適用され得る。金属（１６４）は、全面に堆積さ
れ、そのためパッシベ−ション層（１６２）を具備する
ピラミッドの側面上を主として走り、それ故、優れた裏
面ミラ−を形成する。
【０１０９】しかし、金属（１６４）は、図８ないし１
０に示すものと同様に、ストリップの形で適用され、そ
の場合、ストリップ間の半導体領域は、好ましくは第２
のパッシベ−ション層により覆われる。これは、裏面か
らの入射光の利用を可能とする。
【０１１０】図８に示すように、第２のパッシベ−ショ
ン層は、ピラミッドが全裏面上で切頭され、そのため、
半導体が部分的にパッシベ−ション層を除かれる時に、
特に特に必要である。図９に示すように、少数キャリア
を収集するための前面のコンタクトのように、ピラミッ
ド（１６８）は切頭され、金属コンタクトストリップの
領域にのみ高度にド−プされ得る。一方、ストリップ間
の小息においては、完全にパッシベ−トされたピラミッ
ド（１６８）が保持される。
【０１１１】図１２（ａ）ないし１３（ｂ）は、例示と
して、太陽電池の１表面上に配置されたコンタクトアレ
イ（少数及び多数キャリアを収集するためのコンタク
ト）の多くの変形例を示す。この構造は、好ましくは太
陽電池の裏面に用いられるべきであり、小さい接触表面
を有し、よくパッシベ−トされている。前面は何らコン
タクトを有するべきではなく、優れたパッシベ−ション
層（反射防止層）又は少数荷電キャリアを収集する追加
のコンタクト系を具備していればよい。
【０１１２】最前部は、半導体内の反転層と組合わされ
たインタ−ロックＭＩＳ及びオ−ミックコンタクトを有
する構造である。
【０１１３】図１２（ａ）及び１２（ｂ）に示す太陽電
池（２１０）は、半導体基板（２１２）（この場合、好
ましくはｐ型シリコン）、及びその中を電子が通り抜け
る薄い絶縁層（２１４）を具備する。絶縁層（２１４）
は、金属ストリップ（２１６）とともに、少数荷電キャ
リアを収集するためのＭＩＳコンタクト（２３０）（金
属（２１６）−絶縁体（２１４）−シリコン（２１
２））を形成する。
【０１１４】より広い金属ストリップ（２１８）は、多
数荷電キャリアを収集するためのオ−ミックコンタクト
を形成する。半導体基板表面は加工され、この態様で
は、ピラミッド状の隆起領域（２２０，（２２２），
（２２４）を有する。円錐又は円筒を用いた異なる幾何
学的形状も可能である。
【０１１５】ピラミッド（２２０，（２２２），（２２
４）のような隆起領域は、半導体との境界領域に正の電
荷（ｐ−シリコンが使用される場合には）を含む透明絶
縁層（２２６）で覆われる。ピイラミッドの頂部の除去
後、即ちパッシベ−ション層の除去後、必要ならば半導
体材料の除去後、金属との接触が生じ得る。
【０１１６】従って、アレイは、相互にある距離に（多
数荷電キャリアの収集のため、例えばシリコン上のアル
ミニウム）オ−ミックコンタクトを含み、その幾つかの
狭いＭＩＳコンタクト（２３０）（少数荷電キャリアの
収集のため、例えばアルミニウム １．４ｎｍシリコン
酸化物 ｐ−シリコン）が狭い間隔で位置している。そ
れぞれのコンタクトは、好ましくはポイント又はライン
であり、幾つかのポイントは、ともに単一のオ−ミック
コンタクトを形成し得る。
【０１１７】良好な導電性反転層（２２８）は、正の絶
縁体電荷のため半導体表面に生ずる。シリコン（２１
２）におけるＭＩＳコンタクト（２３０）の下にも反転
層があり、それは、金属と半導体との仕事関数の差によ
り生ずる。
【０１１８】このアレイにおける少数荷電キャリアを収
集するための操作モ−ドは、次の通りである。
【０１１９】前面又は裏面からの入射光により発生した
少数荷電キャリア（この場合電子）は、半導体の内部か
ら反転層層（２２８）に拡散し、この層に沿って水平に
ＭＩＳトンネルコンタクト（２３０）を通過し、そこを
通って半導体を出て外部回路（負極（２３４））に入
る。多数キャリア（この場合正孔）は、オ−ミックコン
タクト（２１８）間の領域の表面にある電場により、Ｍ
ＩＳコンタクトから追い出され、これらのオ−ミックコ
ンタクト（２１８）により収集され、外部回路（正極
（２３２）に入る。そのため、太陽電池が動作するのに
必要な、少数荷電キャリアと多数荷電キャリアの別々の
収集が生ずる。この場合、両方の荷電キャリアの型は、
一方の表面にのみ、好ましくは太陽電池（２１０）の裏
面に収集される。
【０１２０】例えば、２つのコンタクトシステムは、イ
ンタ−ロックグリッド、集中リングシステム、又はポイ
ントタイプコンタクトの形で達成され得る。
【０１２１】新しい構造は、切頭ピラミッド（２２
０）、（２２２）、（２２４）の存在においてだけでな
く、少数キャリアが反転層（２２８）に沿って水平方向
にＭＩＳコンタクト（２３０）へ流れなければならない
ということにおいても、すべての公知のアレイとは異な
っている。このため、このアレイは、大面積の地上の用
途に特に適切であり、強い光濃度から生ずる高電流のた
めにはそれほどでもない。
【０１２２】本発明によるＭＩＳコンタクト（２３０）
は、３つの理由から、出来るだけ小さくなければならな
い。
【０１２３】ａ）太陽電池（２１０）の低逆飽和電流、
即ち高無負荷電圧の達成（可能ならば２０％未満のカバ
レッジ）。
【０１２４】ｂ）荷電キャリアを発生させるための裏面
から電池（２１０）への光の入射の利用。
【０１２５】ｃ）長波長の光が太陽電池の裏面から逃げ
るのを可能とすること。その結果、太陽電池（２１０）
の加熱を減少し、より高い操作電圧が達成される。
【０１２６】透明絶縁層（２２６）、好ましくは熱酸化
ケイ素、プラズマ窒化ケイ素又はその類似物を、最適な
パッシベ−ションを達成するために、任意の温度で製造
及び／又は焼戻しすることが可能である。
【０１２７】高密度の正電荷が絶縁層中に存在すること
が有利であり、その絶縁層は、プラズマ窒化ケイ素の場
合に、好ましくはアルカリイオンを含むことにより簡単
に達成される。
【０１２８】図１２（ａ）に示す太陽電池（２１０）で
は、全裏面のピラミッドの先端をも除去することが可能
である（即ち、コンタクト領域においてだけでなく）。
しかし、このことは、金属で覆われていないピラミッド
表面をパッシベ−トするために、セルの全裏面に追加の
パッシベ−ション層の堆積を必要とする。
【０１２９】しかし、電流の知識によると、最初に述べ
たＩＢＣ太陽電池とは異なり、図１２（ａ）に示す太陽
電池（２１０）において基本的な問題が生ずる。それ
は、太陽電池の効率の急激な低下を導き得る。即ち、２
つの極（２３２）、（２３４）、ＭＩＳコンタクト（２
３０）、及びオ−ミックコンタクト（２１８）−それら
の間に光電電圧が印加される−は、低い平行抵抗（分
路）及びその結果実際にはショ−トに対応して、高度に
導電性の反転層（２３８）により内部的に連結される。
荷電ｋｙｒイアの大部分は、そのため、外部回路を介さ
ずに、半導体表面の高度に導電性の反転層（２２８）を
介して１つの極から他の極に流れなければならない。そ
の結果、無負荷電圧の減少だけでなく、特に太陽電池
（２１０）の充填率の大きな減少（低い平行抵抗）に至
る。１つの可能な救済手段は、反転層の局部的中断、蓄
積層を含むこと、又は反転層の抵抗の局部的増加のよう
な、様々の多かれ少なかれ複雑な方法の使用であり得
る。
【０１３０】しかし、驚くべきことに、この手段は、本
発明による裏面構造を有っし、連結した、又はそうでな
ければ隣接して配置されたオ−ミックコンタクト（２１
８）及びＭＩＳコンタクト（２３０）を有する太陽電池
には全く不必要である。即ち、以下の配置のみで十分で
ある。
【０１３１】１．ＭＩＳコンタクトとオ−ミックコンタ
クトとの間隔が出来るだけ小さいこと（ＭＩＳコンタク
ト自身の間の距離の約半分） ２．ＭＩＳコンタクト（２３０）とオ−ミックコンタク
ト（２１８）との間の残りの半導体表面、好ましくはｐ
−シリコンは、ＭＩＳコンタクト（２３０）間の領域の
ように、透明絶縁層（２２６）、好ましくはプラズマ窒
化ケイ素で覆われている。それは、半導体基板（２１
２）の高度に導電性の反転層（２２８）を形成させるた
めに、出来るだけ高い正電荷密度（例えばセシウムを含
ませることにより）を半導体基板（２１２）との境界面
に含んでいる。
【０１３２】これまでの意見に反し、出来るだけ多くの
少数キャリアが、この配置により、反転層（２２８）に
沿ってオ−ミックコンタクト（２１８）からＭＩＳコン
タクト（２３０）に移動せしめられる。反転層（２２
８）からオ−ミックコンタクト（２１８）への電子の伝
導は、従って平行抵抗の低下は、予想に反し、追加の手
段が無くても、生ずることはない。ＭＩＳコンタクト
（２３０）がオ−ミックコンタクト（２１８）に接近す
ればするほど、ショ−ト電流及び充填率は高くなり、そ
の結果、太陽電池の効率は高くなる。
【０１３３】コンタクトがストリップ状であるならば、
ＭＩＳコンタクト（２３０）間の相互の間隔は、コンタ
クト自身の幅よりも約１０−３０倍であるべきである。
ＭＩＳコンタクトよりも広いオ−ミックコンタクトの場
合には、同様の比であるべきである。オ−ミックコンタ
クト及びＭＩＳコンタクト（２１８）及び（２３０）に
よる遮光は、それぞれ、どの場合でも５−１０％であ
る。
【０１３４】オ−ミックコンタクト（２１８）とＭＩＳ
コンタクト（２３０）間の狭い間隔を達成するために
は、相互に関連して２つの金属グリッド構造の正確な調
整が必要である。これは、通常の方法で、例えば金属層
のフォトリソグラフィ−及びエッチングにより、又は調
整マスクが設けられた機械的マスクを通して金属を適用
することにより達成することが可能である。スクリ−ン
印刷による金属の選択的適用もまた、ここでは可能であ
る。
【０１３５】図１２（ａ）に示す太陽電池の裏面（２１
０）は、ＩＢＣ又はＰＣと同様に、ド−プされたポイン
トコンタクト用に設計されるのが有利である。この場
合、切頭ピラミッド上のパッシベ−ション層は理想的な
自己調整ド−ピングマスクとして適切である。ｐ−シリ
コンの場合、ｎ+ ポイントコンタクト（少数キャリアを
収集する）が切頭ピラミッド上のｐ+ ポイントコンタク
ト（多数キャリアを収集する）の近くに設けられ、中間
領域はパッシベ−ション層により覆われている。
【０１３６】発明それ自体である提案は、切頭ピラミッ
ドを含む簡単な自己調整プロセスにより、既に述べたよ
うに大量生産に不適切な調整操作の回避を提供する。
【０１３７】欧州特許出願ＥＰ８８１０５２１０．３Ａ
１に記載されているように、シリコンの裏面のような半
導体は、様々な方法により除去され、ある距離（ミリメ
−タ−の範囲）に隆起領域が止まるような構造を生成す
る。その領域には、多数キャリアを収集するためのオ−
ミックコンタクトが配置されている。コンタクトリッジ
を名付けられたこれらのオ−ミックコンタクト間の領域
には、少数キャリアを収集するコンタクトが、切頭、パ
ッシベ−トされたピラミッド上のＭＩＳフィンガ−構造
の形で、又は図１３（ａ）に示すように前面金属／絶縁
体／シリコン領域として配置される。
【０１３８】図１３（ａ）及び１３（ｂ）は、ピラミッ
ド状の隆起領域（２４０）、（２４２）を有するシリコ
ン基板（２３８）のような半導体を有する太陽電池（２
３６）の裏面の断面を示す。隆起領域（２４０）、（２
４２）の形成前には、リッジ状の突起（２４４）、（２
４５）が半導体基板から形成されている。次いで、オ−
ミックコンタクト（２５７）の形成のための金属（２４
８）が、これらの突起（２４４）、（２４５）上に堆積
される。半導体基板の全面は、次いでパッシベ−ション
層（２４６）により覆われる。最後に、ピラミッド又は
それに類似の隆起領域（２４０）、（２４２）の先端、
即ち、もし半導体材料の領域が必要ならば、パッシベ−
ション層は、露出する半導体基板上に薄い絶縁層を設け
るために除去される。オ−ミックコンタクト（２５７）
間の領域は、次いで金属（２５２）に覆われる。金属
（２５２）は、絶縁層（２５０）の表面の延長に対応し
て、かつその下に露出する半導体とともに、ＭＩＳコン
タクト（２５４）の金属として作用する。半導体の表面
には、反転層（２５３）が生ずる。
【０１３９】言い換えると、金属（２５２）、絶縁層
（２５０）及び半導体基板は、ある領域にＭＩＳコンタ
クト（２５４）を形成する。
【０１４０】隆起領域（２５７）自体はその表面が平で
あってもよく、又は中間領域のように、切頭ピラミッド
又は他の隆起領域を含み得る。隆起コンタクト（２５
７）のための金属は、隆起半導体領域、即ち隆起領域
（２４４）、（２４５）の形成前に、全面に堆積され、
又はその後に、好ましくは真空傾斜蒸着により自己調整
される。後者の場合、非常に浅い角度で蒸着が生じ、そ
のため、隆起半導体領域の１側面は、大量の金属で覆わ
れ、表面領域はかなり少ない。金属はまた、機械的マス
クの助けにより隆起領域上に堆積される。
【０１４１】隆起領域（２４４）、（２４５）のメタラ
イゼ−ションはまた、パッシベ−ション層（２４５）の
堆積後、及び領域（２４４）、（２４５）の上面からの
パッシベ−ション層の部分的除去後にのみ生じ得る。こ
の場合、金属は、少なくともある領域においてパッシベ
−ション層（２４５）を覆う。
【０１４２】部分的ショ−トの危険なしに、簡単な手段
によりオ−ミックコンタクト（２５７）からＭＩＳコン
タクト（２５４）への定義された最小の距離を得るため
には、ＭＩＳコンタクト（２５４）のための金属は、本
発明に従って、オ−ミックコンタクト（２５７）の完了
後に、真空堆積装置内で垂直に蒸着される。下層ＭＩＳ
コンタクト領域と隆起オ−ミックコンタクトの両方の均
一な被覆が達成され、一方、垂直又はすこし傾斜した側
面上には金属はわずかしか、又は全く堆積されない。金
属のエッチングプロセスは、隆起コンタクト領域の側面
が金属を除かれること、及びオ−ミックコンタクト（２
５７）とＭＩＳコンタクト（２５４）の正確な分離が特
別の調整なしに達成されることが保証される。
【０１４３】２５４で示され、オ−ミックコンタクト
（２５７）の間に設けられたＭＩＳコンタクトは、実際
にはＭＩＳコンタクト領域であり、個々のＭＩＳコンタ
クトから構成される。しかし、それらは負極（２５６）
を形成する金属層（２５２）により相互に導電的に接続
される。
【０１４４】単純化のため、オ−ミックコンタクト（２
５７）の間に延びるＭＩＳコンタクト領域はＭＩＳコン
タクト（２５４）と名付ける。
【０１４５】コンタクト（２５７）及び（２５４）間の
間隔は、隆起領域の高さ及び形状により決定される。高
さ及び形状を所望に調整するため、湿式化学エッチン
グ、プラズマエッチング、機械的除去又は他の方法を使
用することが可能である。その領域は、例えば湿式化学
異方性エッチングにより、又は垂直の、丸くされた、又
は他の形状の側壁により達成されるので、傾斜した側面
により制限される。それによって半導体が問題なく非常
に薄くされ得る（背面収集太陽電池にとっては重要であ
る）機械的支持機能から離れて、図１３（ａ）における
隆起領域の目的は、欧州特許出願ＥＰ８８１０５２１
０．３Ａ１に示すようなアレイのそれとはかなり異な
る。これは、その領域の高さプラス半導体基板の厚さが
少数荷電キャリアの拡散長さと同じオ−ダ−でなければ
ならず、そのため、後者はもはやオ−ミックコンタクト
に達しないという要求を含んでいた。しかし、この場
合、実際に、直接隣接する反転層（２５３）及びＭＩＳ
コンタクト（２５４）は、それらが隆起領域（２５７）
に入る前に側部に取り出され、ＭＩＳコンタクト（２５
４）を介して利用される少数キャリアに導くので、この
条件はそれほど重要ではない。隆起領域（２４４）、
（２４５）に達する少数キャリアは、側面に沿って反転
層を通ってＭＩＳコンタクト（２５４）に入る。両側に
おける少数キャリアのこの横方向の取り出しにより、多
数キャリアを収集するコンタクト（２５７）は、隆起領
域（２４４）、（２４５）が適切な幾何学的配列を有す
る（幅が拡散長さの２倍より小さいのが有利である）と
きに、少数キャリアによって到達することに対し、完全
に保護される。
【０１４６】そのため、簡単な方法により形成された裏
面アレイは、少数キャリアを追い出す効果において、通
常の裏面フィ−ルドに勝る。オ−ミックコンタクトを減
少させるために、金属の堆積前又はそれとともに、合金
化又は拡散プロセスが隆起領域に適用され得る（例え
ば、ｐｐ+ ）。その結果、少数キャリアのサ−ビスライ
フを改良するために、ゲッタ−プロセスが生ずる。
【０１４７】オ−ミックコンタクト相互の間隔を拡散長
さの２倍より大きく選択するためにの欧州特許出願ＥＰ
８８１０５２１０．３Ａ１に示す要求は、本発明のアレ
イにはもはや適用出来ない。間隔が非常に狭いときでさ
え、空間電荷ゾ−ンに隣接する反転層（２５３）による
引きだしのため、少数キャリアはもはや実際のオ−ミッ
ク金属コンタクト（２５７）に到達し得ないので、オ−
ミックコンタクト領域（２５７）は、必要に応じて、接
近して整列され得る。
【０１４８】一方の面にコンタクトを有する太陽電池
（２３６）の機能は、本発明により、電子が移動しな
い、即ち図１３（ａ）における２つのタ−ミナル（ＭＩ
Ｓコンタクト（２５４）、オ−ミックコンタクト（２５
７））を接続する反転層（２５３）を通して内部ショ−
トが生じない。直列の抵抗及び再結合を少なくするため
に、オ−ミックコンタクトは広すぎる（幅、１００μ
ｍ）べきではなく、それらの間隔は広すぎるべきではな
い。例えば、１５０μｍ−２００μｍの拡散長さ、１０
０μｍのコンタクト幅、及び８０μｍのコンタクト高さ
では、オ−ミックコンタクト（２５７）は、恐らく完全
に少数キャリアからシ−ルドされる。
【０１４９】図１２（ａ）−１３（ｂ）に示す裏面構造
のための太陽電池の前面構造の設計に関しては、それに
応じて太陽電池の型が必要とされる幾つかの可能性があ
る。
【０１５０】１）キャリアの裏面収集を伴い、かつ両面
での光の利用の可能性を有する太陽電池。
【０１５１】２）このアレイでは、両面での光の利用が
必要とされるときに、中断されたＭＩＳコンタクトを有
する裏面に対し、図１２（ａ）に示す構造が使用され得
る。
【０１５２】図１２（ｂ）に示す構造では、裏面での光
学的反射により、効率のよい単一面太陽電池が得られ
る。正孔及び電子の両方が裏面で収集されるので、前面
は、コンタクトを含まず、そのため光の遮蔽はない。
【０１５３】前面は非常に低い表面再結合速度を有して
いる、即ち、光によりその近傍に発生した荷電キャリア
は、この表面では再結合しないということは、非常に重
要である。この目的に対し、既にのべた反射層の下の前
面フィ−ルド（ＦＳＦ）と同様に、ｐｐ+ 接合が前面に
形成され得る。この場合、前期接合は、その電位障壁に
より、少数キャリアが表面に到達することを妨げる。し
かし、タンデム接合太陽電池の場合のように、多数キャ
リアを追出す表面ｐｎ接合を形成することも可能であ
る。ｐｐ接合またはｐｐ+ 接合の形成は、複雑な高温プ
ロセスを伴う。更に、反射防止層が堆積されなければな
らない。高温の要求を満たし、簡単で安価な製造プロセ
スを達成するために、表面パッシベ−ション及び反射防
止層が単一工程で設けられる。そうするためには、水素
を含み、適当な厚さを有する絶縁層が、太陽電池の前面
の自然の又は意図的に熱により形成された酸化物上に堆
積される。その結果、両面が飽和され、半導体表面にお
ける反射は減少する。ここでは絶縁体の電荷が利用さ
れ、そのため、シリコン表面は濃縮され、又は反転され
る。窒化硅素は非常に適切であり、好ましくは３５０〜
６００℃の温度（製造温度又は後処理温度）でのグロ−
放電内で、例えば水素を含む成分であるシラン（ＳｉＨ
4 ）とアンモニア（ＮＨ3 ）との反応により堆積され
る。
【０１５４】広い制限内で可変の屈折率（１．８〜２．
６）をもって、どのアレイについても最小の反射が達成
され得る。一方、不純物の浸透に対し、完全な保護が提
供される。
【０１５５】この型の層は、表面再結合速度を減少する
ために欧州特許出願ＥＰ８８１０５２１０．３Ａ１にお
いて既に使用されている。他の薄い絶縁層は、正又は負
の電荷を有利に含む、パッシベ−ション及び反射の減少
の両方に適切であり、熱酸化硅素もまた利用可能であ
る。その表面は、好ましくは表面形状加工されるべきで
ある。
【０１５６】本発明による太陽電池では、光は遮蔽なし
に半導体に当り、内側に、しかし比較的表面に近く電子
／正孔対を発生する。両方の電荷のキャリアの型は、裏
面に拡散しなければならず、少数キャリアはＭＩＳコン
タクト（２５４）により収集され、多数キャリアはオ−
ミックコンタクト（２５７）により収集され、外部回路
（正極（２５５）、負極（２５６）を介して出力を提供
するために使用される（図１３（ａ））。
【０１５７】半導体基板（２３８）の厚さは、少数キャ
リアの拡散長さより低くあｓｒうべきであり、そのた
め、これらのキャリアの出来るだけ多くが再結合なしに
裏面に到達する。少数キャリアは、直接及び反転層（２
５３）を介してＭＩＳコンタクトを通る。背後からの入
射光により裏面に発生したキャリアは任意に収集される
ので、背後からの入射光もまた良好に利用される。
【０１５８】２）両面における少数キャリアの収集を伴
う太陽電池 裏面への２つのコンタクトアレイに加えて、コンタクト
リッジが太陽電池の前面に適用され（図１２（ａ）〜１
３（ｂ））、少数キャリアを収集することが出来るなら
ば、太陽電池の挙動は大きく変化する。その結果は、前
面のみが照射されるとき、及び両面が照射されるときの
両方において、非常に有利である。
【０１５９】光が前面からのみ電池に到達するならば、
半導体材料の同一の厚さ及び質（拡散長さ）少数キャリ
アの収集の結果は、通常のＢＳＦ（裏面フィ−ルド）太
陽電池よりも高い収集効率である。改良の程度は、電池
の厚さと拡散長さとの比に依存する。そのため、より安
価な半導体材料（より短い拡散長さ）を用いることが可
能であり、更に高効率を達成する。ここで記載した形状
は、半導体材料の厚さとその拡散長さがコストの理由で
減少している場合に、特に有利である。
【０１６０】裏面におけるより高いオブスキュレ−ショ
ンとは別に、前面と裏面の光の入射の効率が等しいの
で、電池が両側から等しい強度の光を受けるとき、その
拡散長さにかかわらず、殆ど２倍の出力が得られる。こ
の点において、この電池は、一方の面において少数キャ
リアを収集する１）に記載の電池とは実質的に異なる。
前面の効率と裏面の効率は、拡散長さに非常に大きく依
存する。基板の厚さより少ない拡散長さの場合には、そ
の結果は非常に低い前面効率である。
【０１６１】本発明による裏面アレイは、簡単な低温プ
ロセスを用いて、好ましくはＭＩＳ反転層太陽電池に適
用された前面構造とともに、二重面太陽電池の達成を可
能とする。
【０１６２】両面に少数キャリアを収集するこの太陽電
池の操作モ−ドは、次の通りである。
【０１６３】前面及び裏面の両方からｐ−半導体素子に
入射する光は、電子／正孔対を発生する。正孔は裏面に
あるオ−ミックコンタクトに移動し、後者により収集さ
れる。少数キャリアとしての電子は拡散し、それらが前
面又は裏面のいずれに発生するかに応じて、ＭＩＳコン
タクトに到達する。少数キャリアを収集する前面及び裏
面のコンタクト系は、好ましくは外部において相互に接
続され、太陽電池の１つの極を形成するべきである。多
数キャリアを収集する裏面コンタクト系は、他の極を形
成する。これは、前面及び裏面の２つのＭＩＳダイオ−
ドの平行な接続に対応する。
【０１６４】少数キャリアの二面収集は、次のことを可
能とする。
【０１６５】ａ）長波範囲におけるスペクトル感度を増
加させることによる前面照射におけるより高い効率の達
成 ｂ）実質的により低い拡散長さの使用、それ故、同一の
半導体基板の厚さを有する、又は同一の拡散長さ及びよ
り高い半導体の厚さを有する、より安価な半導体材料の
使用が選択され、それ故、より多くの光が吸収される。
【０１６６】ｃ）少数キャリアは、最初に全半導体基板
を通して前面の収集コンタクトに拡散しなければならな
いので、ＭＩＳコンタクトによる追加のオブスキュレ−
ションとは別に、両側からの照射による公知の太陽電池
に対し、前面照射による効率の増加に加えて、実質的に
良好な背後からの光の利用（太陽電池の裏面におけるＭ
ＩＳコンタクトによるオブスキュレ−ションは、１０％
を越えるべきではなく、そのため、オ−ミック及びＭＩ
Ｓコンタクトによる裏面の全オブスキュレ−ションは約
２０％で停止する）。
【０１６７】ｄ）シリ−ズ抵抗の減少及びフィルファク
タ−の増加の達成、個々のＭＩＳコンタクトの電流負荷
の減少の結果としての太陽電池の効率の達成、大面積
の、少数キャリアの両面収集による反転層の達成。加え
て、ＭＩＳコンタクトの金属層の厚さが減少し得る。
【０１６８】ＭＩＳコンタクト及び反転層を有する、裏
面アレイに適合する、低温で製造された前面アレイノ代
わりに、拡散又はイオン注入により形成された全面ｎ+
ｐ接合又はｐ+ ｎ接合を有し、金属コンタクトグリッド
を有する通常のアレイもまた使用することが可能であ
る。この太陽電池の型では、少数キャリアは部分的に前
面ｎ+ ｐ接合又はｐ+ ｎ接合を介して、かつ部分的に裏
面少数ＭＩＳダイオ−ドを介して引き出される。
【０１６９】もちろん、切頭ピラミッドは、裏面におい
て少数キャリアのみを収集するバックＭＩＳ電池と呼ば
れる太陽電池の型（Ｒ．Ｈｅｚｅｌ及びＪａｅｇｅｒ，
Ｊ． Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１３６
（２），第５１８頁（１９８９））に対し用いることが
有利である。多数キャリアを収集するオ−ミックコンタ
クトグリッドは、切頭ピラミッドを有する全面上に位置
し得る。これの大きな利点は、裏面の実際のＭＩＳコン
タクトの領域が切頭ピラミッドの形状において非常に小
さくされているということである。全面のメタライゼ−
ションは、絶縁層により高度にパッシベ−トされている
表面を大きく覆っている。同時に、メタライゼ−ション
は、半導体に吸収されない光に対する顕著な裏面ミラ−
（ＢＳＭ）を表している。
【０１７０】図１４は、少数キャリア及び多数キャリア
を収集する裏面オ−ミックコンタクト（２５７）及びＭ
ＩＳコンタクト（２５４）を裏面に有する太陽電池の
（２５８）の他の態様を示す。
【０１７１】コンタクト（２５４）及び（２５７）の構
造を達成するために、本発明による機械的加工が、相互
に平行に走り、必要な間隔を有し、溝（２６０）及び
（２６２）を形成するために必要なワイヤ径、及び溝間
の隆起領域（２６４）を有するワイヤにより達成され
る。
【０１７２】オ−ミックコンタクト（２５７）を形成す
るために、その自由外面に金属層（２４８）が設けられ
ている突起（２４４）及び（２４５）の領域には、半導
体基板（２３８）がこれらの領域において除去されない
ように、ワイヤを残し、又はワイヤの径を変化させる。
【０１７３】図１４による太陽電池（２５８）の裏面の
態様では、ＭＩＳコンタクト（２５４）の構造及びオ−
ミックコンタクト（２５７）の幾何学的構造は、単一の
そぷさで製造される。
【０１７４】反転層（２５３）の代わりにｎ+ 層をｐ半
導体基板内に含め得る。そこでは、ｎ+ へのコンタクト
は、ＭＩＳ型又はオ−ミックコンタクトであり得る。
【０１７５】図１２（ａ）〜１４がＭＩＳ反転層太陽電
池（２１０），（２３６）（２５８）の裏面を示したと
しても、対応する裏面構造もまたｐｎ型の電池について
選択され得る。
【０１７６】本発明による加工は、図１５の断面に示す
太陽電池について使用された。支持基板（２６８）は、
溝（２７０）、（２７２）の間の隆起領域（２７４）を
形成するために、前に示したように、機械的手段によ
り、特に、平行に配置された鋸歯、ワイヤ、又はガング
ソ−を用いて加工される。
【０１７７】いったんこの構造が設けられると、全面
が、拡散障壁として役立つパッシベ−ション層（２７
６）で覆われる。適切な材料は、例えば、窒化硅素又は
酸化アルミニウムである。パッシベ−ション層（２７
６）は、次いで、例えば研磨により隆起領域において除
去され、そのため、基板（２６８）は、小さい領域上に
露出する。次いで、半導体層（２７８）が、基板（２６
８）の加工された面の全領域上に堆積され、それによっ
て基板（２６８）との良好な小面積オ−ミックコンタク
トが同時に形成される。しかし、残りの大表面では、基
板材料と半導体膜（２７８）との反応が問題となる。こ
れは、不純物が半導体材料に拡散することが出来ないこ
とを意味している。
【０１７８】太陽電池は、次いで、例えば図４における
それに対応する半導体膜（２７８）上に形成し得る。も
ちろん、ＭＩＳ反転層太陽電池は、半導体膜上に形成し
てもよい。
【０１７９】単結晶初期基板が仕様されるとき、パッシ
ベ−ション層（２７６）の形成及び、開口における核形
成による隆起領域（２７６）からの後者の少なくとも部
分的除去を伴う、エピタキシャル層を形成することが可
能である。しかし、この型の手順は、ピラミッド構造が
線状隆起領域の代わりに設けられるときに、特に有利で
あり、そのため、エピタキシャル層はピラミッドチップ
から出発する。
【０１８０】上述の手段は、基板表面の大部分、好まし
くは９５％以上がパッシベ−ション層（２７６）により
覆われているので、結晶質の低品位の半導体材料がエピ
タキシャル層に拡散し得ることにおいて、有利である。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＭＩＳ反転層太陽電池を示す断面図。
【図２】ｐｎ接合とＭＩＳコンタクトとを有する太陽電
池を示す断面図。
【図３】ｐｎ接合を有する太陽電池を示す断面図。
【図４】薄膜太陽電池を示す断面図。
【図５】太陽電池の他の態様を示す断面図。
【図６】図５の太陽電池の変形した態様を示す断面図。
【図７】多数キャリアの収集のための太陽電池の裏面を
示す図。
【図８】表面構造を有する点接触ＭＩＳ反転層太陽電池
の断面を示す図。
【図９】表面構造を有する点接触太陽電池の断面を示す
図。
【図１０】太陽電池の他の態様を示す断面図。
【図１１】点接触太陽電池の表面構造を有する裏面を示
す図。
【図１２】太陽電池の裏面の他の態様を示す図。
【図１３】太陽電池の裏面の他の態様を示す図。
【図１４】第１及び第２の導電性コンタクトを有する太
陽電池の裏面の断面を示す図。
【図１５】加工された支持基板を有する太陽電池の断面
を示す図。
【符号の説明】
１０・・・ＭＩＳ反転層太陽電池１０ １２・・・半導体基板 １４・・・反転層 １６・・・パッシベーション層 １８・・・トンネル酸化物 ２０・・・金属

Claims (34)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 入射する放射線エネルギ−により荷電キ
    ャリアが発生する半導体基板（１２，１１０，１２６，
    １４６，１６０，２１２，２３８）と、荷電キャリアを
    導く導電性コンタクト（２０，４０，４２，４４，１０
    ０，１０２，１１４，１２０，１５６，１６４，２１
    ８，２３０，２５４）とを具備する太陽電池の製造方法
    において、 半導体基板の少なくとも一方の面に隆起領域（２４，２
    ６，２８，１１６，１１８，１３６，１３８，１４８，
    １５０，１６８，２２０，２２２，２２４，２４０，２
    ４２，２７４）を設ける工程、 前記隆起領域を形成した後に、前記半導体基板を完全に
    又はほぼ完全にパッシベ−ション層（１６，９８，１３
    ４，１５８，１６２，２４６，２６０）で覆う工程、 前記隆起領域上に存在するパッシベ−ション材料の少な
    くとも一部を除去する工程、及び前記導電性コンタクト
    を形成する材料を、少なくとも露出した前記隆起領域上
    及び隆起領域から延びる側面上のパッシベ−ション材料
    上に間接的又は直接的に配置する工程を具備し、 前記隆起領域（２４，２６，２８，１１６，１１８，１
    ３６，１３８，１４８，１５０，１６８，２２０，２２
    ２，２２４，２４０，２４２，２７４）は、前記半導体
    材料の機械的除去又はエッチング除去によりマスクする
    ことなく形成され、少なくとも前記パッシベ−ション材
    料は、プラト−領域（３５，３７，３９，１４０）が形
    成され、その自由上面から側面（３４，３６，３８）が
    延び、そこで半導体材料が露出するように、前記隆起領
    域から除去されることを特徴とする太陽電池（１０，４
    ６，５８，８０，８２，９４，１０８，１２４，１４
    ４，２１０，２３６，２５８）の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記導電性コンタクト（２０，４０，４
    ２，４４，１００，１０２，１１４，１２０，１５６，
    １６４，２１８，２３０，２５４）は、特別のマスクを
    用いることなく前記隆起領域の前記プラト−領域上、及
    び側面の少なくとも１つの上に堆積される請求項１に記
    載の方法。
  3. 【請求項３】 前記パッシベ−ション材料の局部的除去
    は、イオンボンバ−ドメント及び／又はイオンエッチン
    グ、レ−ザエッチング、又はプラズマエッチングのよう
    なエッチングにより、機械的に及び／又は化学−機械的
    に達成される請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 半導体材料が前記パッシベ−ション材料
    とともに除去される請求項１に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記隆起領域（２４，２６，２８，１１
    ６，１１８，１３６，１３８，１４８，１５０，１６
    ８，２２０，２２２，２２４，２４０，２４２，２７
    ４）はストリップ状に設計され、前記導電性コンタクト
    （２０，４０，４２，４４，１００，１０２，１１４，
    １２０，１５６，１６４，２１８，２３０，２５４）を
    形成する材料は、すべての又は殆どすべての隆起領域上
    に堆積され、前記プラト−領域（３５，３７，３９，１
    ４０）の幅は、パッシベ−ション層（１６，９８，１３
    ４，１５８，１６２，２４６，２７６）の厚さの倍より
    大きい請求項１に記載の方法。
  6. 【請求項６】 パッシベ−ション材料及び必要ならば半
    導体基板材料は、大表面上の必要な程度に、かつ実質的
    に同時に、少なくとも幾つかの隆起領域（２４，２６，
    ２８，１１６，１１８，１３６，１３８，１４８，１５
    ０，１６８，２２０，２２２，２２４，２４０，２４
    ２，２７４）から除去される請求項１に記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記導電性コンタクト（２０，４０，４
    ２，４４，１００，１０２，１１４，１２０，１５６，
    １６４，２１８，２３０，２５４）を形成する材料は、
    真空中で、前記隆起領域（２４，２６，２８，２７４）
    のプラト−領域（３５，３７，３９，１４０）により形
    成される面に関し、９０°＞α＞０°、好ましくは３０
    °＞α＞１°の角度で堆積される請求項１に記載の方
    法。
  8. 【請求項８】 前記導電性コンタクト（２０，４０，４
    ２，４４，１００，１０２，１１４，１２０，１５６，
    １６４，２１８，２３０，２５４）を形成する材料は、
    無電流メタライゼ−ションにより電解的に堆積される請
    求項１に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記隆起領域（２４，２６，２８，１１
    ６，１１８，１３６，１３８，１４８，１５０，１６
    ８，２２０，２２２，２２４，２４０，２４２，２７
    ４）は、例えば、前記半導体材料又は支持体に関し平行
    に配置されかつ動く鋸歯又はワイヤによる、又は長のこ
    盤による、半導体材料又はそれを具備する支持体の除去
    により形成される請求項１に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記パッシベ−ション層（１６，９
    ８，１３４，１５８，１６２，２４６，２６０，２７
    ６）は、更に適用される又は形成される層、特に導電性
    コンタクトを形成する材料、又は前記半導体基板内のド
    −プト表面層の拡散又はイオン注入のためのマスクとし
    て使用される請求項１に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 材料（１２，１１０，１２６，１４
    ６，１６０，２１２，２３８，２６８）、特に半導体材
    料又は半導体材料のための支持体材料の加工方法、特に
    平行又は実質的に平行な隆起領域（２４，２６，２８，
    ２７４）の形成方法であって、前記材料（１２，１１
    ０，１２６，１４６，１６０，２１２，２３８，２６
    ８）は、相互に平行又はほぼ平行であり、加工される材
    料に対し移動する機械的加工要素により加工される方
    法。
  12. 【請求項１２】 加工要素としてワイヤ、鋸歯又は長の
    こ盤が使用される請求項１１に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 入射する放射線エネルギ−により荷電
    キャリアが発生し、この荷電キャリアは電場により分離
    可能であり、導電性コンタクト（２０，４０，４２，４
    ４，１００，１０２，１１４，１２０，１５６，１６
    ４，２１８，２３０，２５４，２５７）を介して伝導し
    得るような半導体基板（１２，１１０，１２６，１４
    ６，１６０，２１２，２３８）を具備し、この半導体基
    板の少なくとも一方の面には、荷電キャリアを伝導する
    導電性コンタクトを具備する側面（３４，３６，３８）
    を有する有する隆起領域（２４，２６，２８，１１６，
    １１８，１３６，１３８，１４８，１５０，１６８，２
    ２０，２２２，２２４，２４０，２４２，２７４）が形
    成され、前記半導体基板は、少なくとも前記コンタクト
    間の領域にパッシベ−ション層（１６，９８，１３４，
    １５８，１６２，２４６，２６０，２７６）を形成する
    パッシベ−ション材料で覆われており、これが、必要な
    らば半導体材料が取り除かれた前記隆起領域の先端領域
    にコンタクトが配置され、側面に沿ったパッシベ−ショ
    ン材料上の少なくともある領域において延びている太陽
    電池（１０，４６，５８，８０，８２，９４，１０８，
    １２４，１４４，２１０，２３６，２５８）であって、
    前記隆起領域（２４，２６，２８，１１６，１１８，１
    ３６，１３８，１４８，１５０，１６８，２２０，２２
    ２，２２４，２４０，２４２，２７４）にある前記パッ
    シベ−ション層（１６，９８，１３４，１５８，１６
    ２，２４６，２６０，２７６）は、プラト−状領域（３
    ５，３７，３９，１４０）の少なくともある部分に存在
    し、そのプラト−状領域から前記側面（３４，３６，３
    ８）が延び、かつプラト−状領域には半導体基板又はそ
    の上に配置された層が設けられ、前記導電性コンタクト
    （２０，４０，４２，４４，１００，１０２，１１４，
    １２０，１５６，１６４，２１８，２３０，２５４，２
    ５７）は、前記プラト−状領域（３５，３７，３９，１
    ４０）上を、そこから延びる少なくとも１つの側面に沿
    って延びている太陽電池。
  14. 【請求項１４】 前記隆起領域（２４，２６，２８）の
    側面（３４，３６，３８）は、少なくともある領域にお
    いて凹状に形成されている請求項１３に記載の太陽電
    池。
  15. 【請求項１５】 露出する半導体材料に沿った前記コン
    タクト（２０）は、前記側面に沿ったよりも低い横断領
    域を有する請求項１３に記載の太陽電池。
  16. 【請求項１６】 前記隆起領域（２４，２６，２８）
    は、平行か又はほぼ平行であり、好ましくは縦溝（ｆｌ
    ｕｔｅ）状の溝により区画されている請求項１３に記載
    の太陽電池。
  17. 【請求項１７】 前記隆起領域（２４，２６，２８，１
    １６，１１８，１３６，１３８，１４８，１５０，１６
    ８，２２０，２２２，２２４，２４０，２４２，２７
    ４）は、半導体基板面から突出する、ピラミッド又は切
    頭ピラミッド、円錐又は切頭円錐、又は円柱により形成
    されている請求項１３に記載の太陽電池。
  18. 【請求項１８】 前記太陽電池は、その前面及び裏面
    に、相互に平行な隆起領域又は溝領域を有し、前記裏面
    の隆起領域又は溝領域は、前面とは異なるパタ−ンを有
    し、対向面の前記隆起領域又は溝領域は、好ましくは相
    互に垂直又はほぼ垂直である請求項１３に記載の太陽電
    池。
  19. 【請求項１９】 前記隆起領域（８２）及び／又はそれ
    らの間を走る縦溝（ｆｌｕｔｅ）状溝領域は、それらの
    底部領域上で織ったように作られている請求項１３に記
    載の太陽電池。
  20. 【請求項２０】 ストリップ状隆起領域（２４，２６）
    間の間隔は、３０μｍ＜ａ＜２０００μｍ、好ましくは
    ５０μｍ＜ａ＜３００μｍである請求項１３に記載の太
    陽電池。
  21. 【請求項２１】 前記隆起領域（２４，２６，２８）間
    の縦溝（ｆｌｕｔｅ）状溝領域（３０，３２）は、２５
    μｍ＜ｔ＜２００μｍの深さを有する請求項１３に記載
    の太陽電池。
  22. 【請求項２２】 前記溝領域（３０，３２）の深さに関
    連した前記隆起領域（２４，２６，２８）の間隔は、１
    ０＜ａ／ｔ＜１．５である請求項１３に記載の太陽電
    池。
  23. 【請求項２３】 入射する放射線エネルギ−により荷電
    キャリアが発生し、この荷電キャリアは、前記半導体基
    板の一方に配置され、それぞれ少数及び多数キャリアを
    回収する第１及び第２のコンタクト（２１８，２３０）
    により伝導し得るものである半導体基板（２１８，２３
    ８）を有し、前記第１及び第２のコンタクト（２１８，
    ２３０）は、隆起領域（２２０，２２２，２２４）を有
    する半導体基板上に配置され、第１及び第２のコンタク
    トは、あらかじめパッシベ−ション材料で覆われ、次い
    でそれを取り除かれた隆起領域の部分上、又は絶縁層
    （２１４）上、又は前記半導体材料の表面ド−プ層上の
    少なくともある領域に配置されている太陽電池（２１
    ０，２３６）。
  24. 【請求項２４】 前記隆起領域（２２０，２２２，２２
    ４）は、半導体基板面から突出する、ピラミッド、円錐
    又は円柱形を有し、ストリップ状に配置され、平行か又
    はほぼ平行な縦溝（ｆｌｕｔｅ）状の溝により区画され
    ている請求項２３に記載の太陽電池。
  25. 【請求項２５】 前記第１のコンタクトはオ−ミックコ
    ンタクト（２１８）であり、前記第２のコンタクトはＭ
    ＩＳコンタクト（２３０）であり、オ−ミックコンタク
    ト（２１８）と隣接するＭＩＳコンタクトとの間隔は、
    ２つの隣接するＭＩＳコンタクトの間のそれよりも短い
    請求項２３に記載の太陽電池。
  26. 【請求項２６】 ＭＩＳコンタクト（２３０）とオ−ミ
    ックコンタクト（２１８）との間の間隔は、２つの連続
    したＭＩＳコンタクト間の間隔のほぼ半分である請求項
    ２５に記載の太陽電池。
  27. 【請求項２７】 前記第１及び第２のコンタクトの、前
    記半導体基板に平行な外部自由面は、単一面又はほぼ単
    一面にある請求項２３に記載の太陽電池。
  28. 【請求項２８】 入射する放射線エネルギ−により荷電
    キャリアが発生し、この荷電キャリアは、前記半導体基
    板の一方に配置され、それぞれ少数及び多数キャリアを
    回収する第１及び第２のコンタクト（２１８，２３０）
    により伝導し得るものである半導体基板（２１８，２３
    ８）を有し、それによって形成された前記第１の導電性
    コンタクト又は領域（２５４）は、前記第２の導電性コ
    ンタクト（２５７）間の表面領域の全面又はほぼ全面上
    に延びており、前記第１及び第２の導電性コンタクト
    は、種々のレベルのそれらの自由外面をもって走ってい
    る太陽電池（２３６，２５８）。
  29. 【請求項２９】 それによって形成された前記領域（２
    ５４）の前記第１のコンタクト及び前記第２のコンタク
    ト（２５７）は、前記太陽電池（２３６）の裏面の平面
    図において、閉鎖した又はほぼ閉鎖した面を形成する請
    求項２８に記載の太陽電池。
  30. 【請求項３０】 前記第１の導電性コンタクトは、ＭＩ
    Ｓコンタクト（２５４）であり、前記第２の導電性コン
    タクトは、オ−ミックコンタクト（２５７）であり、そ
    れらは順に前記半導体基板の隆起領域に配置されている
    請求項２８に記載の太陽電池。
  31. 【請求項３１】 パッシベ−ション層（２４６）が前記
    オ−ミックコンタクト（２５７）を覆う請求項２９に記
    載の太陽電池。
  32. 【請求項３２】 前記オ−ミックコンタクト（２５７）
    が、少なくとも部分的にパッシベ−ション層（２４６）
    を覆う金属層（２４８）により囲まれている請求項３０
    に記載の太陽電池。
  33. 【請求項３３】 半導体材料は単結晶、多結晶又はアモ
    ルファスであり、元素又は化合物半導体である請求項１
    ３に記載の太陽電池。
  34. 【請求項３４】 入射する放射線エネルギ−により荷電
    キャリアが発生し、この荷電キャリアは、電場により分
    離可能であり、導電性前面及び後面コンタクトにより導
    電性伝導し得るものである半導体材料を具備し、前記裏
    面コンタクトはキャリア基板の隆起領域（２７４）によ
    り形成され、前記キャリア基板は前記隆起領域の領域に
    おいて除去されたパッシベ−ション層（２７６）により
    覆われており、半導体材料は前記パッシベ−ション層及
    び前記露出する隆起領域上を延びている太陽電池（２６
    ６）。
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