JPH0657406B2 - 半導体ウェハ回収方法 - Google Patents
半導体ウェハ回収方法Info
- Publication number
- JPH0657406B2 JPH0657406B2 JP60282941A JP28294185A JPH0657406B2 JP H0657406 B2 JPH0657406 B2 JP H0657406B2 JP 60282941 A JP60282941 A JP 60282941A JP 28294185 A JP28294185 A JP 28294185A JP H0657406 B2 JPH0657406 B2 JP H0657406B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- blade
- semiconductor wafer
- sliced
- separated
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はウエハスライシング技術、特に、スライスされ
るウエハの回収に適用して効果のある技術に関するもの
である。
るウエハの回収に適用して効果のある技術に関するもの
である。
シリコンなどの半導体材料の単結晶よりなるインゴット
からウエハをスライシングして切り離す場合、スライズ
されたウエハ（スライスウエハ）の回収のため、スライ
スウエハの下方に回収皿を挿入し、ウエハを保持してい
るベースを切り離して落下したウエハを回収皿で受け取
って外部に回収することが行われている。
からウエハをスライシングして切り離す場合、スライズ
されたウエハ（スライスウエハ）の回収のため、スライ
スウエハの下方に回収皿を挿入し、ウエハを保持してい
るベースを切り離して落下したウエハを回収皿で受け取
って外部に回収することが行われている。
ところが、このベース切り離し時には、ウエハが冷却液
の膜からの吸引力により、高速回転中のブレードに吸引
され、ブレードの高速回転による遠心力でブレード回転
方向に飛ばされて回収不能となる場合があること、さら
には、飛散されたウエハの作用で回転系のバランスがく
ずれ、ウエハ切断精度が低下することを本発明者は見い
出した。
の膜からの吸引力により、高速回転中のブレードに吸引
され、ブレードの高速回転による遠心力でブレード回転
方向に飛ばされて回収不能となる場合があること、さら
には、飛散されたウエハの作用で回転系のバランスがく
ずれ、ウエハ切断精度が低下することを本発明者は見い
出した。
なお、ウエハのスライシングについては、株式会社工業
調査会、昭和５７年１１月１５日発行、「電子材料」１
９８３年１１月号別冊、Ｐ５１〜Ｐ５２に記載されてい
る。
調査会、昭和５７年１１月１５日発行、「電子材料」１
９８３年１１月号別冊、Ｐ５１〜Ｐ５２に記載されてい
る。
本発明の目的は、スライスウエハを確実に回収すること
のできる技術を提供することにある。
のできる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、スライスされているウエハとブレードの下面
との間に流体を噴射することにより、ブレードとスライ
スウエハとを分離させ、回収部に確実に回収することが
でき、ウエハの飛散防止によって高精度のスライシング
を安定して確保できる。
との間に流体を噴射することにより、ブレードとスライ
スウエハとを分離させ、回収部に確実に回収することが
でき、ウエハの飛散防止によって高精度のスライシング
を安定して確保できる。
第１図は本発明による一実施例であるスライスウエハ回
収装置の要部の正面図、第２図はその平面図である。
収装置の要部の正面図、第２図はその平面図である。
この実施例において、たとえばシリコン（Ｓｉ）などの
半導体材料の単結晶よりなるインゴット１は内周刃式の
高速回転型のブレード２で所定厚さの薄板状のウエハ３
に１枚ずつスライシングされる。
半導体材料の単結晶よりなるインゴット１は内周刃式の
高速回転型のブレード２で所定厚さの薄板状のウエハ３
に１枚ずつスライシングされる。
スライスウエハ回収装置はこのようにしてスライスされ
たウエハ３を所定枚数毎に支持用のベース４から切り離
して回収するものである。
たウエハ３を所定枚数毎に支持用のベース４から切り離
して回収するものである。
そのため、スライスウエハ回収装置は、アーム５と、こ
のアーム５に取付けられてスライスウエハ３の下方に挿
入される回収皿６と、回収されるスライスウエハ３の飛
散を防止するサイドガード７，８とを有している。
のアーム５に取付けられてスライスウエハ３の下方に挿
入される回収皿６と、回収されるスライスウエハ３の飛
散を防止するサイドガード７，８とを有している。
また、本実施例では、ブレード２の回転方向Ｒとは反対
側におけるサイドガード８にエアノズル（流体供給手
段）９が止ねじ１０とホルダ１１とにより取付けられて
いる。このエアノズル９の空気噴出口１２は、切り離さ
れるスライスウエハ３とブレード２の下面との間に空気
を効率的に噴射できるよう配向されている。
側におけるサイドガード８にエアノズル（流体供給手
段）９が止ねじ１０とホルダ１１とにより取付けられて
いる。このエアノズル９の空気噴出口１２は、切り離さ
れるスライスウエハ３とブレード２の下面との間に空気
を効率的に噴射できるよう配向されている。
次に、本実施例の作用について説明する。
まず、半導体材料のインゴット１をブレード２の内周刃
で１枚ずつウエハ３にスライスする。そして、所定枚数
のウエハ３がスライスされた場合、ベース４を切断して
未切断のインゴット１とスライス済みのウエハ３とを分
離し、回収皿６上に落下させて回収する。
で１枚ずつウエハ３にスライスする。そして、所定枚数
のウエハ３がスライスされた場合、ベース４を切断して
未切断のインゴット１とスライス済みのウエハ３とを分
離し、回収皿６上に落下させて回収する。
この時、スライスされているウエハ３とブレード２の下
面との間には冷却液（図示せず）が入り込んでその吸引
力でウエハ３がブレード２の方向に吸引される。
面との間には冷却液（図示せず）が入り込んでその吸引
力でウエハ３がブレード２の方向に吸引される。
そこで、本実施例では、ウエハ３の切り落としの直前に
エアノズル９によってウエハ３とブレード２の下面との
間にエアを噴射する。それにより、ウエハ３とブレード
２とはエアノズル９からのエアで互いに分離される。そ
の結果、ウエハ３はブレード２に吸着することがない。
従って、従来生じていたブレード２に吸着しその高速回
転で回転方向に飛散されることを防止できる。
エアノズル９によってウエハ３とブレード２の下面との
間にエアを噴射する。それにより、ウエハ３とブレード
２とはエアノズル９からのエアで互いに分離される。そ
の結果、ウエハ３はブレード２に吸着することがない。
従って、従来生じていたブレード２に吸着しその高速回
転で回転方向に飛散されることを防止できる。
(1)．スライスされるウエハとブレードの下面との間に
流体を噴射する流体供給手段を有することにより、この
流体の働きでウエハとブレードとが確実に強制分離され
るので、ウエはの切り落とし、回収を確実に行うことが
できる。
流体を噴射する流体供給手段を有することにより、この
流体の働きでウエハとブレードとが確実に強制分離され
るので、ウエはの切り落とし、回収を確実に行うことが
できる。
(2)．前記(1)により、回収すべきウエハがブレードの高
速回転によって飛散することを防止でき、精度の良い、
安定したスライシングが可能となる。
速回転によって飛散することを防止でき、精度の良い、
安定したスライシングが可能となる。
(3)．前記(1)により、ウエハが大口径化しても、確実な
ウエハ回収が可能となる。
ウエハ回収が可能となる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、エアノズルの構造や、噴射される流体の種類
などは他のものであってもよい。
などは他のものであってもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるシリコンウエハのス
ライシングに適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではなく、たとえば、ＧａＡｓなどの化
合物半導体のウエハのスライシングなど、薄片ウエハの
スライシングにおける回収に広く適用できる。
をその背景となった利用分野であるシリコンウエハのス
ライシングに適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではなく、たとえば、ＧａＡｓなどの化
合物半導体のウエハのスライシングなど、薄片ウエハの
スライシングにおける回収に広く適用できる。
第１図は本発明の一実施例であるスライスウエハ回収装
置の要部正面図、 第２図はその部分平面図である。 １……インゴット、２……ブレード、３……スライスさ
れたウエハ（スライスウエハ）、４……ベース、５……
アーム、６……回収皿、７，８……サイドガード、９…
…エアノズル（流体供給手段）、１０……止ねじ、１１
……ホルダ、１２……空気噴出口。
置の要部正面図、 第２図はその部分平面図である。 １……インゴット、２……ブレード、３……スライスさ
れたウエハ（スライスウエハ）、４……ベース、５……
アーム、６……回収皿、７，８……サイドガード、９…
…エアノズル（流体供給手段）、１０……止ねじ、１１
……ホルダ、１２……空気噴出口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石原 隆男 山梨県中巨摩郡竜王町西八幡（番地なし) 株式会社日立製作所武蔵工場甲府分工場 内 (56)参考文献 特開 昭60−9709（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−54384（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−46885（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】ウェハスライシング装置でインゴットから
切り離された、半導体ウェハを回収する方法であって、 スライスされた半導体ウェハの飛散防止のために切り離
される半導体ウェハ側に設けるサイドガードにエアノズ
ルを設け、半導体ウェハが切り離される直前に、切り離
される半導体ウェハとブレードとの間にブレードの回転
方向に向けてブレードに沿って気体を噴射し、切り離さ
れる半導体ウェハとブレードとの間に流れる該気体によ
って半導体ウェハとブレードとを強制分離することを特
徴とする半導体ウェハ回収方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60282941A JPH0657406B2 (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 半導体ウェハ回収方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60282941A JPH0657406B2 (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 半導体ウェハ回収方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62142613A JPS62142613A (ja) | 1987-06-26 |
| JPH0657406B2 true JPH0657406B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=17659093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60282941A Expired - Lifetime JPH0657406B2 (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 半導体ウェハ回収方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0657406B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01141703A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-02 | Mitsubishi Metal Corp | ウエハー切断装置 |
| JP2519841B2 (ja) * | 1991-03-05 | 1996-07-31 | 東伸工業株式会社 | 自動スクリ―ン捺染機におけるスクリ―ンの型合せ調節装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4940855Y2 (ja) * | 1971-03-18 | 1974-11-09 | ||
| JPS5845039U (ja) * | 1981-09-22 | 1983-03-26 | 三菱電線工業株式会社 | 石綿テ−プ |
| JPS602310A (ja) * | 1983-06-20 | 1985-01-08 | 株式会社日立製作所 | 内周式切断機 |
| JPS609709A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-18 | 信越半導体株式会社 | 薄型内周切断刃の洗浄装置および方法 |
| JPS6046885U (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-02 | 株式会社フランセコンフエクシヨナリ− | カステラ類の分離搬送装置 |
| JPS6165749A (ja) * | 1984-09-04 | 1986-04-04 | Osaka Titanium Seizo Kk | ウエハ−の枚葉取出し装置 |
| JPS6165750A (ja) * | 1984-09-04 | 1986-04-04 | Osaka Titanium Seizo Kk | ウエハ−の枚葉取出し装置 |
-
1985
- 1985-12-18 JP JP60282941A patent/JPH0657406B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62142613A (ja) | 1987-06-26 |
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