JPH065598A - 半導体装置における配線形成方法 - Google Patents
半導体装置における配線形成方法Info
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- JPH065598A JPH065598A JP15807192A JP15807192A JPH065598A JP H065598 A JPH065598 A JP H065598A JP 15807192 A JP15807192 A JP 15807192A JP 15807192 A JP15807192 A JP 15807192A JP H065598 A JPH065598 A JP H065598A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、半導体装置におけるＡｌ合金での
配線の製造方法に関するもので、ヒロックの発生による
配線間のショートやコロージョンといった腐蝕を除去す
る方法を提供することを目的とするものである。 【構成】 前記目的のため本発明は、配線金属としてＡ
ｌ−Ｓｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金２を使用し、それにボロン
（Ｂ+ ）を注入して該合金に含まれているＴｉをホウ化
物５とするようにしたものである。
配線の製造方法に関するもので、ヒロックの発生による
配線間のショートやコロージョンといった腐蝕を除去す
る方法を提供することを目的とするものである。 【構成】 前記目的のため本発明は、配線金属としてＡ
ｌ−Ｓｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金２を使用し、それにボロン
（Ｂ+ ）を注入して該合金に含まれているＴｉをホウ化
物５とするようにしたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置における
Ａｌ合金での配線の製造方法を、その金属の組成を含め
て提供するものである。
Ａｌ合金での配線の製造方法を、その金属の組成を含め
て提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は、半導体装置であるＬＳＩにおけ
る従来のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金を用いた配線の形成方法
を概略的に示すものである。
る従来のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金を用いた配線の形成方法
を概略的に示すものである。
【０００３】そのプロセスを簡単に説明すると、半導体
基板上に形成した層間絶縁膜２１上にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ
の合金ターゲットのスパッタリング法によって、Ａｌ−
Ｓｉ−Ｃｕ合金の薄膜２２を形成する（図２（ａ））。
その後、その上にレジスト２３を塗布する（図２
（ｂ））。次いで、所定の位置を露光し現像する（図２
（ｃ））。その後、そのレジスト２３をマスクにしてＡ
ｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金膜２２をエッチングし（図２
（ｄ））、レジスト２３を除去する（図２（ｅ））。そ
の後、その上に再び層間絶縁膜２４を形成する（図２
（ｆ））。
基板上に形成した層間絶縁膜２１上にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ
の合金ターゲットのスパッタリング法によって、Ａｌ−
Ｓｉ−Ｃｕ合金の薄膜２２を形成する（図２（ａ））。
その後、その上にレジスト２３を塗布する（図２
（ｂ））。次いで、所定の位置を露光し現像する（図２
（ｃ））。その後、そのレジスト２３をマスクにしてＡ
ｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金膜２２をエッチングし（図２
（ｄ））、レジスト２３を除去する（図２（ｅ））。そ
の後、その上に再び層間絶縁膜２４を形成する（図２
（ｆ））。
【０００４】以上が従来のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金を用い
た配線の形成方法である。
た配線の形成方法である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ａｌ−
Ｓｉ−Ｃｕ合金を用いた上記の形成方法では、Ａｌ膜の
性質であるヒロックの発生による配線間のショート及び
コロージョンといった腐蝕が生じるという問題点があっ
た。
Ｓｉ−Ｃｕ合金を用いた上記の形成方法では、Ａｌ膜の
性質であるヒロックの発生による配線間のショート及び
コロージョンといった腐蝕が生じるという問題点があっ
た。
【０００６】この発明は以上述べたＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合
金を用いた配線におけるヒロックによる配線ショートと
配線の腐蝕の問題を除去することを目的とする。
金を用いた配線におけるヒロックによる配線ショートと
配線の腐蝕の問題を除去することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は前記目的のた
め、ＬＳＩにおける配線の形成方法において、配線材料
にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金を用いて配線を形成し、
その後、合金配線内に高硬度及び耐蝕性に優れていると
されるホウ化物の中で、特に比抵抗が低く（６．４〜
９．１μΩ・ｃｍ）また熱膨張係数が小さく（４．６×
１０4 ｄｅｇ-1）配線中の析出物に適したＴｉのホウ化
物を形成するようにしたものである。
め、ＬＳＩにおける配線の形成方法において、配線材料
にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金を用いて配線を形成し、
その後、合金配線内に高硬度及び耐蝕性に優れていると
されるホウ化物の中で、特に比抵抗が低く（６．４〜
９．１μΩ・ｃｍ）また熱膨張係数が小さく（４．６×
１０4 ｄｅｇ-1）配線中の析出物に適したＴｉのホウ化
物を形成するようにしたものである。
【０００８】
【作用】前述したように本発明は、配線材料にＡｌ−Ｓ
ｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金を用い、ボロンをイオン注入し合金
配線内にＴｉのホウ化物を形成するようにしたので、配
線のヒロックによるショート及び、腐蝕を防ぐことが出
来る。
ｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金を用い、ボロンをイオン注入し合金
配線内にＴｉのホウ化物を形成するようにしたので、配
線のヒロックによるショート及び、腐蝕を防ぐことが出
来る。
【０００９】
【実施例】図１は、この発明の実施例を示すプロセスを
断面図で示したものである。半導体基板（図示せず）上
に形成した層間絶縁膜１上に、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ−Ｔｉ
の合金ターゲットを使用してのスパッタリング法によっ
て、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金の薄膜２を形成する
（図１（ａ））。
断面図で示したものである。半導体基板（図示せず）上
に形成した層間絶縁膜１上に、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ−Ｔｉ
の合金ターゲットを使用してのスパッタリング法によっ
て、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金の薄膜２を形成する
（図１（ａ））。
【００１０】その後、その上にレジスト３を塗布し（図
１（ｂ））、その後、所定の位置を露光し現像する（図
１（ｃ））。その後、次いで、前記パターニングされた
レジスト３をマスクにして、前記合金２をエッチングし
（図１（ｄ））、レジスト３を除去する（図１
（ｅ））。
１（ｂ））、その後、所定の位置を露光し現像する（図
１（ｃ））。その後、次いで、前記パターニングされた
レジスト３をマスクにして、前記合金２をエッチングし
（図１（ｄ））、レジスト３を除去する（図１
（ｅ））。
【００１１】その後、合金配線２内にボロン（Ｂ+ ）を
イオン注入する（図１（ｆ））。その後、合金配線２内
にイオン注入されたボロンは、再び層間絶縁膜４を形成
する際の処理熱によって合金配線２中のＴｉとＴｉのホ
ウ化物５を形成する（図１（ｇ））。
イオン注入する（図１（ｆ））。その後、合金配線２内
にイオン注入されたボロンは、再び層間絶縁膜４を形成
する際の処理熱によって合金配線２中のＴｉとＴｉのホ
ウ化物５を形成する（図１（ｇ））。
【００１２】ここでは、配線材料にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ−
Ｔｉ合金を用い、配線２上の層間絶縁膜４を形成する前
に配線２表面にボロンをイオン注入したので、Ａｌ−Ｓ
ｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金２中のＴｉとボロンが層間絶縁膜形
成時の処理熱によって、合金配線２内に高硬度かつ耐蝕
性に優れたホウ化物、その中でも特に比抵抗が低く
（６．４〜９．１μΩ・ｃｍ）また熱膨張係数が小さく
（４．６×１０4 ｄｅｇ-1）、配線析出物に適したＴｉ
のホウ化物５を形成することができる。
Ｔｉ合金を用い、配線２上の層間絶縁膜４を形成する前
に配線２表面にボロンをイオン注入したので、Ａｌ−Ｓ
ｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金２中のＴｉとボロンが層間絶縁膜形
成時の処理熱によって、合金配線２内に高硬度かつ耐蝕
性に優れたホウ化物、その中でも特に比抵抗が低く
（６．４〜９．１μΩ・ｃｍ）また熱膨張係数が小さく
（４．６×１０4 ｄｅｇ-1）、配線析出物に適したＴｉ
のホウ化物５を形成することができる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
配線材料にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金を用い、ボロン
をイオン注入し、合金配線内にＴｉのホウ化物を形成す
るようにしたので、配線のヒロックによるショート及び
腐蝕を防ぐことが出来る。
配線材料にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金を用い、ボロン
をイオン注入し、合金配線内にＴｉのホウ化物を形成す
るようにしたので、配線のヒロックによるショート及び
腐蝕を防ぐことが出来る。
【図１】本発明の実施例
【図２】従来例
１，４ 層間絶縁膜 ２ Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金 ３ レジスト ５ ホウ化物
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に、配線の材料としてＡｌ
−Ｓｉ−Ｃｕ−Ｔｉ合金を使用して形成し、形成された
該配線合金にボロンを注入して、熱処理により前記合金
に含まれているＴｉのホウ化物が形成されるようにした
ことを特徴とする半導体装置における配線形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15807192A JPH065598A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 半導体装置における配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15807192A JPH065598A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 半導体装置における配線形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065598A true JPH065598A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15663670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15807192A Pending JPH065598A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 半導体装置における配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065598A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100272548B1 (ko) * | 1998-03-16 | 2000-12-01 | 김영환 | 반도체소자의배선형성방법 |
| KR20040034939A (ko) * | 2002-10-17 | 2004-04-29 | 학교법인 국민학원 | 신뢰성 있는 확산방지막을 구비한 Ｃｕ 합금 배선 및 그의제조방법 |
-
1992
- 1992-06-17 JP JP15807192A patent/JPH065598A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100272548B1 (ko) * | 1998-03-16 | 2000-12-01 | 김영환 | 반도체소자의배선형성방법 |
| KR20040034939A (ko) * | 2002-10-17 | 2004-04-29 | 학교법인 국민학원 | 신뢰성 있는 확산방지막을 구비한 Ｃｕ 합금 배선 및 그의제조방법 |
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