JPH065368A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
- Publication number
- JPH065368A JPH065368A JP4161334A JP16133492A JPH065368A JP H065368 A JPH065368 A JP H065368A JP 4161334 A JP4161334 A JP 4161334A JP 16133492 A JP16133492 A JP 16133492A JP H065368 A JPH065368 A JP H065368A
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- light emitting
- light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は上記の実情を鑑みてなされたもの
で、本発明の目的は、ハレーション防止機能を有し、外
光の反射防止を可能にしたＥＬ素子を提供することにあ
る。 【構成】 本発明の上記目的は、透明基板上に少なくと
も透明電極と有機層と上部電極を設けてなる有機エレク
トロルミネッセンス素子において、透明基板の有機エレ
クトロルミネッセンス素子を設置した側と反対側の表面
を平均粗さ0.1〜100μmの範囲に表面加工を施すことを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子により達
成される。
で、本発明の目的は、ハレーション防止機能を有し、外
光の反射防止を可能にしたＥＬ素子を提供することにあ
る。 【構成】 本発明の上記目的は、透明基板上に少なくと
も透明電極と有機層と上部電極を設けてなる有機エレク
トロルミネッセンス素子において、透明基板の有機エレ
クトロルミネッセンス素子を設置した側と反対側の表面
を平均粗さ0.1〜100μmの範囲に表面加工を施すことを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子により達
成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜エレクトロルミネッ
センス素子に関し、特に平面光源及びフラットディスプ
レイなどに用いられる有機薄膜エレクトロルミネッセン
ス素子（以後有機ＥＬ素子と称す）に関する。
センス素子に関し、特に平面光源及びフラットディスプ
レイなどに用いられる有機薄膜エレクトロルミネッセン
ス素子（以後有機ＥＬ素子と称す）に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＥＬ素子は、有機発光層および該層をは
さんだ一対の対向電極から構成されており、その発光は
一方の電極から注入された電子、もう一方の電極から注
入された正孔により、発光層内で再結合がおこり発光体
がより高いエネルギー準位に励起され、励起された発光
体が元の基底状態にもどる際にエネルギーを光として放
出することにより発生する。このようなキャリア注入型
ＥＬ素子は、発光層として有機化合物薄膜を用いるよう
になってから発光強度の強いものが得られるようになっ
てきた。例えば、米国特許3,530,325号には発光体とし
て単結晶アントラセン等を用いたもの、特開昭57-51781
号にはポルフィリン化合物を正孔注入層に用いたもの、
特開昭59-194393号には正孔注入層と有機発光体層を組
合せたもの、特開昭63-295695号には正孔注入輸送層と
有機電子注入輸送層を組合せたもの、特開平2-155595号
には芳香族三級アミン化合物を正孔注入層に用いたもの
およびJpn.Journal of Applied Physics,vo127,No2,P26
9〜271には正孔移動層と発光層と電子移動層を組合せた
ものなどが開示されており、ほぼ10Ｖ付近で数10cd/m2
の高輝度がえられるようになって以来、数多くの発光強
度の改良がなされてきた。
さんだ一対の対向電極から構成されており、その発光は
一方の電極から注入された電子、もう一方の電極から注
入された正孔により、発光層内で再結合がおこり発光体
がより高いエネルギー準位に励起され、励起された発光
体が元の基底状態にもどる際にエネルギーを光として放
出することにより発生する。このようなキャリア注入型
ＥＬ素子は、発光層として有機化合物薄膜を用いるよう
になってから発光強度の強いものが得られるようになっ
てきた。例えば、米国特許3,530,325号には発光体とし
て単結晶アントラセン等を用いたもの、特開昭57-51781
号にはポルフィリン化合物を正孔注入層に用いたもの、
特開昭59-194393号には正孔注入層と有機発光体層を組
合せたもの、特開昭63-295695号には正孔注入輸送層と
有機電子注入輸送層を組合せたもの、特開平2-155595号
には芳香族三級アミン化合物を正孔注入層に用いたもの
およびJpn.Journal of Applied Physics,vo127,No2,P26
9〜271には正孔移動層と発光層と電子移動層を組合せた
ものなどが開示されており、ほぼ10Ｖ付近で数10cd/m2
の高輝度がえられるようになって以来、数多くの発光強
度の改良がなされてきた。
【０００３】しかしながら上述した構成の従来のＥＬ素
子においては、発光強度は改良されてきてはいるが、Ｅ
Ｌ発光を観察する側の基体表面を荒らしていない為、ハ
レーションを防止する機能がなく、外光が反射しＥＬに
よる表示が見づらい等の欠点がありその改良が望まれて
いた。
子においては、発光強度は改良されてきてはいるが、Ｅ
Ｌ発光を観察する側の基体表面を荒らしていない為、ハ
レーションを防止する機能がなく、外光が反射しＥＬに
よる表示が見づらい等の欠点がありその改良が望まれて
いた。
【０００４】
【発明の目的】本発明は上記の実情を鑑みてなされたも
ので、本発明の目的は、ハレーション防止機能を有し、
外光の反射防止を可能にしたＥＬ素子を提供することに
ある。
ので、本発明の目的は、ハレーション防止機能を有し、
外光の反射防止を可能にしたＥＬ素子を提供することに
ある。
【０００５】
【発明の構成】本発明の上記目的は、透明基板上に少な
くとも透明電極と有機層と上部電極を設けてなる有機エ
レクトロルミネッセンス素子において、透明基板の有機
エレクトロルミネッセンス素子を設置した側と反対側の
表面を平均粗さ0.1〜100μmの範囲に表面加工を施すこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子によ
り達成される。
くとも透明電極と有機層と上部電極を設けてなる有機エ
レクトロルミネッセンス素子において、透明基板の有機
エレクトロルミネッセンス素子を設置した側と反対側の
表面を平均粗さ0.1〜100μmの範囲に表面加工を施すこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子によ
り達成される。
【０００６】上記透明基板の両表面を加工する方法とし
ては例えば以下の方法が挙げられる。
ては例えば以下の方法が挙げられる。
【０００７】１）薬品による方法：上記透明基板の観察
側の表面を例えば弗酸、弗化アンモニウム、弗化剤等の
水溶性の艶消液に浸漬して加工する方法が挙げられる。
側の表面を例えば弗酸、弗化アンモニウム、弗化剤等の
水溶性の艶消液に浸漬して加工する方法が挙げられる。
【０００８】２）機械による方法：上記透明基板の観察
側の表面を艶消す方法としては例えばサンドブラスト
法、液体ホーニング法が挙げられる。
側の表面を艶消す方法としては例えばサンドブラスト
法、液体ホーニング法が挙げられる。
【０００９】本発明に係る上記透明基板の両表面の表面
平均粗さは0.1〜100μmの範囲が好ましい。
平均粗さは0.1〜100μmの範囲が好ましい。
【００１０】上記範囲が0.1μm以下ではハレーション防
止効果が少なく、100μm以上では光のにじみが発生す
る。
止効果が少なく、100μm以上では光のにじみが発生す
る。
【００１１】次に本発明を詳細に説明する。
【００１２】まず本発明のＥＬ有機素子の作成について
図１を用いて説明する。
図１を用いて説明する。
【００１３】図１（１）はガラス基板１の上に櫛型陽極
２を設けた状態を示し、同図（２）は陽極２を覆って発
光機能を有する有機積層体７を設け、同図（３）は更に
櫛型陰極３を前記陽極２に対し格子状に設け、陽極リー
ド線lp、陰極リード線lnを夫々の極に連結する。次に前
記構成体にケースＣを嵌め（同図（４））、次いで不活
性物質ＳをケースＣ一杯に充填し、この上を空気を排し
て透明天板Ｔで覆い密閉する（同図（５））ことによっ
て完成する。
２を設けた状態を示し、同図（２）は陽極２を覆って発
光機能を有する有機積層体７を設け、同図（３）は更に
櫛型陰極３を前記陽極２に対し格子状に設け、陽極リー
ド線lp、陰極リード線lnを夫々の極に連結する。次に前
記構成体にケースＣを嵌め（同図（４））、次いで不活
性物質ＳをケースＣ一杯に充填し、この上を空気を排し
て透明天板Ｔで覆い密閉する（同図（５））ことによっ
て完成する。
【００１４】本発明の有機ＥＬ素子の層構成には各種態
様があるが、基本的には発光機能を有する有機積層体層
および該層を挟んだ一対の対向電極から構成されてお
り、本発明においてはｐ層及び／又はｎ層を必須に設け
た構成になっている。図２に具体的に例示する。基板
／陽極／ｐ層／発光層／陰極（図２(１)）、基板／陽
極／発光層／ｎ層／陰極（図２(２)）、基板／陽極／
ｐ層／発光層／ｎ層／陰極（図２(３)）などが挙げられ
るが、本発明は必ずしもこの構成に限定されるものでは
なく、それぞれにおいて発光層、ｐ層、ｎ層を複数層設
けたり、またそれぞれにおいてｐ層／発光層、発光層／
ｎ層、ｐ層／発光層／ｎ層を繰返し積層した構成にした
り、発光層とｎ層との間に電子注入材と発光材との混合
層、ｐ層と発光層との間に正孔注入材と発光材との混合
層を設けたりまたそれぞれにおいて他の層を設けてもさ
しつかえない。
様があるが、基本的には発光機能を有する有機積層体層
および該層を挟んだ一対の対向電極から構成されてお
り、本発明においてはｐ層及び／又はｎ層を必須に設け
た構成になっている。図２に具体的に例示する。基板
／陽極／ｐ層／発光層／陰極（図２(１)）、基板／陽
極／発光層／ｎ層／陰極（図２(２)）、基板／陽極／
ｐ層／発光層／ｎ層／陰極（図２(３)）などが挙げられ
るが、本発明は必ずしもこの構成に限定されるものでは
なく、それぞれにおいて発光層、ｐ層、ｎ層を複数層設
けたり、またそれぞれにおいてｐ層／発光層、発光層／
ｎ層、ｐ層／発光層／ｎ層を繰返し積層した構成にした
り、発光層とｎ層との間に電子注入材と発光材との混合
層、ｐ層と発光層との間に正孔注入材と発光材との混合
層を設けたりまたそれぞれにおいて他の層を設けてもさ
しつかえない。
【００１５】発光層は蒸着法、スピンコート法、キャス
ト法などにより形成してその膜厚は２〜100nmが好まし
く、より好ましくは５〜20nmである。ｐ層は蒸着法、ス
ピンコート法、キャスト法などにより形成しその膜厚は
10〜200nmが好ましく、より好ましくは20〜100nmであ
る。ｎ層は蒸着法、スピンコート法、キャスト法などに
より形成しその膜厚は10〜200nmが好ましく、より好ま
しくは20〜100nmである。
ト法などにより形成してその膜厚は２〜100nmが好まし
く、より好ましくは５〜20nmである。ｐ層は蒸着法、ス
ピンコート法、キャスト法などにより形成しその膜厚は
10〜200nmが好ましく、より好ましくは20〜100nmであ
る。ｎ層は蒸着法、スピンコート法、キャスト法などに
より形成しその膜厚は10〜200nmが好ましく、より好ま
しくは20〜100nmである。
【００１６】基板１は、例えばソーダガラス、無蛍光ガ
ラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラスなどのガラス板、石
英及びアルミナなどの金属板及び金属ホイル、アクリル
系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エ
ポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコー
ン系樹脂などのプラスチック板およびプラスチックフィ
ルム、アルミナなどの金属板および金属ホイルなどが用
いられる。
ラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラスなどのガラス板、石
英及びアルミナなどの金属板及び金属ホイル、アクリル
系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エ
ポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコー
ン系樹脂などのプラスチック板およびプラスチックフィ
ルム、アルミナなどの金属板および金属ホイルなどが用
いられる。
【００１７】陽極２は４ｅＶより大きい仕事関数を持つ
ものが好ましく、炭素、アルミニウム、バナジウム、
鉄、コバルト、ニッケル、クロム、銅、亜鉛、タングス
テン、銀、錫、白金、金などの金属およびこれらの合
金、酸化亜鉛、酸化インジウム、ＩＴＯ、ＮＥＳＡ等の
酸化錫もしくは酸化錫インジウム系等の複合化合物、沃
化銅などの化合物、ＺｎＯ：Ａｌ、ＳｎＯ2：Ｓｂなど
の酸化物と金属の混合物、更にはポリ(3-メチルチオフ
ェン) 、ポリピロール、ポリアニリンなどの誘導性ポリ
マーなどが用いられる。膜厚は10〜1000nmが好ましく、
より好ましくは10〜200nmである。
ものが好ましく、炭素、アルミニウム、バナジウム、
鉄、コバルト、ニッケル、クロム、銅、亜鉛、タングス
テン、銀、錫、白金、金などの金属およびこれらの合
金、酸化亜鉛、酸化インジウム、ＩＴＯ、ＮＥＳＡ等の
酸化錫もしくは酸化錫インジウム系等の複合化合物、沃
化銅などの化合物、ＺｎＯ：Ａｌ、ＳｎＯ2：Ｓｂなど
の酸化物と金属の混合物、更にはポリ(3-メチルチオフ
ェン) 、ポリピロール、ポリアニリンなどの誘導性ポリ
マーなどが用いられる。膜厚は10〜1000nmが好ましく、
より好ましくは10〜200nmである。
【００１８】陰極３は４ｅＶより小さい仕事関数を持つ
ものが好ましく、マグネシウム、カルシウム、ナトリウ
ム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウ
ム、リチウム、ガドリニウム、イッテルビウム、ルテニ
ウム、マンガン、アルミニウム、銀、錫、鉛などの金属
及びこれらの合金、アルミニウム／酸化アルミニウム複
合体などが用いられる。膜厚は10〜1000nmが好ましく、
より好ましくは10〜900nmである。
ものが好ましく、マグネシウム、カルシウム、ナトリウ
ム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウ
ム、リチウム、ガドリニウム、イッテルビウム、ルテニ
ウム、マンガン、アルミニウム、銀、錫、鉛などの金属
及びこれらの合金、アルミニウム／酸化アルミニウム複
合体などが用いられる。膜厚は10〜1000nmが好ましく、
より好ましくは10〜900nmである。
【００１９】電極より光を取り出す場合は、陽極２、陰
極３のうち少なくともどちらか一方は、透過率10％以上
の透明又は半透明であり、陽極２のみが透過率10％以上
の透明または半透明である場合は基板１も透明又は半透
明であることが好ましい。
極３のうち少なくともどちらか一方は、透過率10％以上
の透明又は半透明であり、陽極２のみが透過率10％以上
の透明または半透明である場合は基板１も透明又は半透
明であることが好ましい。
【００２０】又本発明は下記に示すような不活性物質を
使用することも出来る。
使用することも出来る。
【００２１】・鉱油系絶縁油（変圧器油、コンデンサ
油、電力ケーブル油） 例：ASTM DI040、WEMCO-C CSA C50 IEC-296 BS148、J
ISC2320 ・合成絶縁油 例：アルキルベンゼン、ポリブテン、ジアリルエタン、
アルキルナフタレン、o-オレフィン、燐酸エステル、カ
ルボン酸エステル、シリコーン、シロキサン、五塩化ジ
フェニル、三塩化ジフェニル、弗素油、スルホン化油、
エーテル類、スルホネート ・流動パラフィン、パラフィン 尚、不活性物質は水分、酸素を通過しないものが好まし
い。
油、電力ケーブル油） 例：ASTM DI040、WEMCO-C CSA C50 IEC-296 BS148、J
ISC2320 ・合成絶縁油 例：アルキルベンゼン、ポリブテン、ジアリルエタン、
アルキルナフタレン、o-オレフィン、燐酸エステル、カ
ルボン酸エステル、シリコーン、シロキサン、五塩化ジ
フェニル、三塩化ジフェニル、弗素油、スルホン化油、
エーテル類、スルホネート ・流動パラフィン、パラフィン 尚、不活性物質は水分、酸素を通過しないものが好まし
い。
【００２２】またケースに用いる素材には通常の可視線
に対して透明な樹脂が用いられる。
に対して透明な樹脂が用いられる。
【００２３】前記樹脂としては、エチレン-ビニルアル
コール共重合体 塩化ビニリデン-メチルアクリレート
共重合体、ポリエチレン-イソフタレート系コポリマ
ー、テレフタル酸-イソフタル酸-ヘキサメチレンジアミ
ン共重合体、ポリアクリロニトリル系樹脂、ポリ-ｐ-フ
ェニレンテレフタルアミド、ポリプレン、ポリ-４-メチ
ルペンテン-１、ポリエステル、ポリエーテルイミド、
ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリテトラフルオ
ルエチレン、テトラフルオルエチレン-パーフルオルア
ルキルビニルエーテル共重合体、テトラフルオルエチレ
ン-ヘキサフルオルプロピレン共重合体、ポリクロルト
リフルオルエチレン、テトラフルオルエチレン-エチレ
ン共重合体、ポリビニリデンフルオライド、ポリビニル
フルオライド、ポリサルホン、ブチラール樹脂、芳香族
ナイロン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテル
エーテルケトン、セロハン、スチロールが挙げられる。
コール共重合体 塩化ビニリデン-メチルアクリレート
共重合体、ポリエチレン-イソフタレート系コポリマ
ー、テレフタル酸-イソフタル酸-ヘキサメチレンジアミ
ン共重合体、ポリアクリロニトリル系樹脂、ポリ-ｐ-フ
ェニレンテレフタルアミド、ポリプレン、ポリ-４-メチ
ルペンテン-１、ポリエステル、ポリエーテルイミド、
ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリテトラフルオ
ルエチレン、テトラフルオルエチレン-パーフルオルア
ルキルビニルエーテル共重合体、テトラフルオルエチレ
ン-ヘキサフルオルプロピレン共重合体、ポリクロルト
リフルオルエチレン、テトラフルオルエチレン-エチレ
ン共重合体、ポリビニリデンフルオライド、ポリビニル
フルオライド、ポリサルホン、ブチラール樹脂、芳香族
ナイロン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテル
エーテルケトン、セロハン、スチロールが挙げられる。
【００２４】更に「改訂第３版エンジニアリングプラス
チックス 化学工業日報社」記載のもの及び「新しい包
装材料 共立出版」記載のものが参照される。
チックス 化学工業日報社」記載のもの及び「新しい包
装材料 共立出版」記載のものが参照される。
【００２５】次にｐ層５に用いられる正孔輸送能を有す
る正孔注入化合物について述べる。該正孔注入化合物の
具体例としては例えば、トリアゾール誘導体（米国特許
3,112,197号などに記載のもの）、オキサジアゾール誘
導体（米国特許3,189,447号などにも記載のもの）、イ
ミダゾール誘導体（特公昭37-16096号などに記載のも
の）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許3,615,40
2号、同3,820,989号、同3,542,544号、特公昭45-555
号、同51-10983号、特開昭51-93224号、同55-17105号、
同56-4148号、同55-108667号、同56-36656号、同55-156
953号などに記載のもの）、ピラゾリン誘導体及びピラ
ゾロン誘導体（米国特許3,180,729、同4,278,746号、特
開昭55-88064号、同55-88065号、同49-105537号、同55-
51086号、同56-80051号、同56-88141号、同57-45545
号、同54-112637号、同55-74546号などに記載のも
の）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許3,615,404
号、特公昭51-10105号、同46-3712号、同47-25336号、
特開昭54-53435号、同54-110536号、同54-119925号など
に記載のもの）、アリールアミン誘導体（米国特許3,56
7,450号、同3,180,703号、同3,240,597号、同3,658,520
号、同4,232,103、同4,175,961号、同4,012,376号、特
公昭49-35702号、同39-27577号、特開昭55-144250号、
同56-223437号、西ドイツ特許1,110,518号などに記載の
もの）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許3,526,50
1号などに記載のもの）、オキサゾール誘導体（米国特
許3,257,203号などに記載のもの）、スチリルアントラ
セン誘導体（特開昭56-46234号などに記載のもの）、フ
ルオレノン誘導体（特開昭54-110837号などに記載のも
の）、ヒドラゾン誘導体（米国特許3,717,462号、特開
昭54-59143号、同55-52063号、同55-52064号、同55-467
60号、同55-8495号、同57-148749号、特開平3-136059
号、同3-138654号などに記載のもの）、スチルベン誘導
体（特開昭61-210363号、同61-228451号、同61-14642
号、同61-72255号、同62-47646号、同62-36674号、同62
-10652号、同62-30255号、同60-934454号、同60-94462
号、同60-174749号、同60-175052号、同63-149652号、
特開平1-173034号、同1-200262号などに記載のもの）、
ポリフィリン化合物（特開昭63-295695号、特開平2-127
95号などに記載のもの）、芳香族第三級アミン化合物及
びスチリルアミン化合物（米国特許4,127,412号、特開
昭53-27033号、同54-58445号、同54-149634号、同54-64
299号、同55-79450号、同55-144250号、同56-119132
号、同61-295558号、同61-98353号、同63-295695号、特
開平1-274154号、同1-243393号、同3-111485号などに記
載のもの）、ブタジエン化合物（特開平3-111484号など
に記載のもの）、ポリスチレン誘導体（特開平3-95291
号などに記載のもの）、ヒドラゾン誘導体（特開平3-13
7187号などに記載のもの）、トリフェニルメタン誘導
体、テトラフェニルベンジジン誘導体（特開平3-54289
号などに記載のもの）などを使用することができるが、
特に好ましくは、ポリフィリン化合物、芳香族第三級ア
ミン化合物及びスチリルアミン化合物である。
る正孔注入化合物について述べる。該正孔注入化合物の
具体例としては例えば、トリアゾール誘導体（米国特許
3,112,197号などに記載のもの）、オキサジアゾール誘
導体（米国特許3,189,447号などにも記載のもの）、イ
ミダゾール誘導体（特公昭37-16096号などに記載のも
の）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許3,615,40
2号、同3,820,989号、同3,542,544号、特公昭45-555
号、同51-10983号、特開昭51-93224号、同55-17105号、
同56-4148号、同55-108667号、同56-36656号、同55-156
953号などに記載のもの）、ピラゾリン誘導体及びピラ
ゾロン誘導体（米国特許3,180,729、同4,278,746号、特
開昭55-88064号、同55-88065号、同49-105537号、同55-
51086号、同56-80051号、同56-88141号、同57-45545
号、同54-112637号、同55-74546号などに記載のも
の）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許3,615,404
号、特公昭51-10105号、同46-3712号、同47-25336号、
特開昭54-53435号、同54-110536号、同54-119925号など
に記載のもの）、アリールアミン誘導体（米国特許3,56
7,450号、同3,180,703号、同3,240,597号、同3,658,520
号、同4,232,103、同4,175,961号、同4,012,376号、特
公昭49-35702号、同39-27577号、特開昭55-144250号、
同56-223437号、西ドイツ特許1,110,518号などに記載の
もの）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許3,526,50
1号などに記載のもの）、オキサゾール誘導体（米国特
許3,257,203号などに記載のもの）、スチリルアントラ
セン誘導体（特開昭56-46234号などに記載のもの）、フ
ルオレノン誘導体（特開昭54-110837号などに記載のも
の）、ヒドラゾン誘導体（米国特許3,717,462号、特開
昭54-59143号、同55-52063号、同55-52064号、同55-467
60号、同55-8495号、同57-148749号、特開平3-136059
号、同3-138654号などに記載のもの）、スチルベン誘導
体（特開昭61-210363号、同61-228451号、同61-14642
号、同61-72255号、同62-47646号、同62-36674号、同62
-10652号、同62-30255号、同60-934454号、同60-94462
号、同60-174749号、同60-175052号、同63-149652号、
特開平1-173034号、同1-200262号などに記載のもの）、
ポリフィリン化合物（特開昭63-295695号、特開平2-127
95号などに記載のもの）、芳香族第三級アミン化合物及
びスチリルアミン化合物（米国特許4,127,412号、特開
昭53-27033号、同54-58445号、同54-149634号、同54-64
299号、同55-79450号、同55-144250号、同56-119132
号、同61-295558号、同61-98353号、同63-295695号、特
開平1-274154号、同1-243393号、同3-111485号などに記
載のもの）、ブタジエン化合物（特開平3-111484号など
に記載のもの）、ポリスチレン誘導体（特開平3-95291
号などに記載のもの）、ヒドラゾン誘導体（特開平3-13
7187号などに記載のもの）、トリフェニルメタン誘導
体、テトラフェニルベンジジン誘導体（特開平3-54289
号などに記載のもの）などを使用することができるが、
特に好ましくは、ポリフィリン化合物、芳香族第三級ア
ミン化合物及びスチリルアミン化合物である。
【００２６】以下にｐ層に使用される具体的例示化合物
の構造式を示すが本発明はこれらに限定されるものでは
ない。
の構造式を示すが本発明はこれらに限定されるものでは
ない。
【００２７】
【化１】
【００２８】またｎ層６に用いられる電子輸送能を有す
る電子注入化合物の具体例としては、ニトロ置換フルオ
レノン誘導チオピランジオキサイド誘導体、ジフェノキ
ノン誘導体（「Polymer Preprints、Japan,vo1.37,No3,
P681,(1988)」，特開平3-152184号などに記載のも
の）、ペリレンテトラカルボキシル誘導体（「Jpn.Jour
nalof Applied Physics,vol.27,No2,L269(1988)」「Bul
1.Chem.Soc.Jpn.,vol.25,L411(1952)」などに記載のも
の）、アントラキノジメタン誘導体（特開昭57-149259
号、同58-55450号、同61-225151号、同61-133750号、同
63-104061号などに記載のもの）、フレオレニリデンメ
タン誘導体（特開昭60-69657号、同61-143764号、同61-
148159号などに記載のもの）、アントロン誘導体（特開
昭61-225151号、同61-233750号などに記載のもの）、オ
キサジアゾール誘導体（特開平3-79692号などに記載の
もの）、ペリノン誘導体（特開平2-289676号などに記載
のもの）、キノリン錯体誘導体などの化合物を使用する
ことができる。
る電子注入化合物の具体例としては、ニトロ置換フルオ
レノン誘導チオピランジオキサイド誘導体、ジフェノキ
ノン誘導体（「Polymer Preprints、Japan,vo1.37,No3,
P681,(1988)」，特開平3-152184号などに記載のも
の）、ペリレンテトラカルボキシル誘導体（「Jpn.Jour
nalof Applied Physics,vol.27,No2,L269(1988)」「Bul
1.Chem.Soc.Jpn.,vol.25,L411(1952)」などに記載のも
の）、アントラキノジメタン誘導体（特開昭57-149259
号、同58-55450号、同61-225151号、同61-133750号、同
63-104061号などに記載のもの）、フレオレニリデンメ
タン誘導体（特開昭60-69657号、同61-143764号、同61-
148159号などに記載のもの）、アントロン誘導体（特開
昭61-225151号、同61-233750号などに記載のもの）、オ
キサジアゾール誘導体（特開平3-79692号などに記載の
もの）、ペリノン誘導体（特開平2-289676号などに記載
のもの）、キノリン錯体誘導体などの化合物を使用する
ことができる。
【００２９】以下に上述したｎ層に使用される具体的例
示化合物の構造式を示すが本発明はこれらに限定される
ものではない。
示化合物の構造式を示すが本発明はこれらに限定される
ものではない。
【００３０】
【化２】
【００３１】
【実施例】以下に実施例を述べるが本発明はこれらに限
定されるものではない。
定されるものではない。
【００３２】実施例１ ガラス基板の片側を平均粒径100μmのダイヤモンド砂と
水とともにワイヤーブラシにて摺接させ、平均粗さ50μ
mの面粗度を形成した。その裏側にITO／CTM１80nm／ETM
１ 63nm／MgAg合金のＥＬ素子を作成した。
水とともにワイヤーブラシにて摺接させ、平均粗さ50μ
mの面粗度を形成した。その裏側にITO／CTM１80nm／ETM
１ 63nm／MgAg合金のＥＬ素子を作成した。
【００３３】実施例２ 実施例１においてダイヤモンド砂の平均粒径10μmとし
ガラス基板の片側を平均粗さ５μmの面粗度にした以外
は実施例１と同様にＥＬ素子を作成した。
ガラス基板の片側を平均粗さ５μmの面粗度にした以外
は実施例１と同様にＥＬ素子を作成した。
【００３４】実施例３ 実施例１においてダイヤモンド砂の平均粒径を５μmと
しガラス基板の片側を１μmの面粗度にした以外は実施
例１と同様にしてＥＬ素子を作成した。
しガラス基板の片側を１μmの面粗度にした以外は実施
例１と同様にしてＥＬ素子を作成した。
【００３５】実施例４ 実施例１においてダイヤモンド砂の平均粒径を0.2μmと
しガラス基板の片側を0.1μmの面粗度にした以外は実施
例１と同様にしてＥＬ素子を作成した。
しガラス基板の片側を0.1μmの面粗度にした以外は実施
例１と同様にしてＥＬ素子を作成した。
【００３６】比較例１ 実施例１においてダイヤモンド砂の平均粒径を0.1μmと
しガラス基板の片側を0.05μmの面粗度にした以外は実
施例１と同様にしてＥＬ素子を作成した。
しガラス基板の片側を0.05μmの面粗度にした以外は実
施例１と同様にしてＥＬ素子を作成した。
【００３７】比較例２ 実施例１においてダイヤモンド砂の平均粒径を60μmと
しガラス基板の片側を150μmの面粗度にした以外は実施
例１と同様にしてＥＬ素子を作成した。
しガラス基板の片側を150μmの面粗度にした以外は実施
例１と同様にしてＥＬ素子を作成した。
【００３８】比較例３ 表面加工処理をしない他は実施例１と同様にしてＥＬ素
子を作成した。
子を作成した。
【００３９】但しガラス基板の片側の面粗度は0.5μmで
あった。
あった。
【００４０】結果を表１に示す。
【００４１】
【表１】
【００４２】以下に上記実施例を使用したCTM１、ETM１
の構造式を示す。
の構造式を示す。
【００４３】
【化３】
【００４４】実施例５ ガラス基板をＨＦ30％溶液で片側を５分間処理し平均粗
さ50μmを得た。その上にITO／CTM２ 80nm／ETM２ 63nm
／MgAg合金のＥＬ素子を作成した。
さ50μmを得た。その上にITO／CTM２ 80nm／ETM２ 63nm
／MgAg合金のＥＬ素子を作成した。
【００４５】実施例６ 実施例５においてＨＦ20％溶液を使用しガラス基板の片
側の表面平均粗さを20μmとした以外は実施例５と同様
にしてＥＬ素子を作成した。
側の表面平均粗さを20μmとした以外は実施例５と同様
にしてＥＬ素子を作成した。
【００４６】実施例７ 実施例５においてＨＦ５％溶液を使用しガラス基板の片
側の表面平均粗さを0.2μmとした以外は実施例５と同様
にしてＥＬ素子を作成した。
側の表面平均粗さを0.2μmとした以外は実施例５と同様
にしてＥＬ素子を作成した。
【００４７】比較例４ 実施例５においてＨＦ50％溶液を使用しガラス基板の表
面平均粗さを150μmとした以外は実施例５と同様にして
ＥＬ素子を作成した。
面平均粗さを150μmとした以外は実施例５と同様にして
ＥＬ素子を作成した。
【００４８】比較例５ 実施例５においてＨＦ１％溶液を使用しガラス基板の表
面平均粗さを0.05μmとした以外は実施例５と同様にし
てＥＬ素子を作成した。
面平均粗さを0.05μmとした以外は実施例５と同様にし
てＥＬ素子を作成した。
【００４９】結果を表２に示す。
【００５０】
【表２】
【００５１】次に上記実施例で使用したCTM２、ETM２の
構造式を示す。
構造式を示す。
【００５２】
【化４】
【００５３】尚前記表１，表２中の評価項目の評価方
法、基準は以下に示す。
法、基準は以下に示す。
【００５４】〈評価方法〉 （光反射強度／光強度）比の測定方法 3000cd/m2の蛍光灯点灯の室内環境下でミノルタＬＳ−1
10を用いて、各ＥＬ素子試料の光反射強度、光強度を測
定する。
10を用いて、各ＥＬ素子試料の光反射強度、光強度を測
定する。
【００５５】１）光反射強度：有機ＥＬ素子をoffにし
て輝度を測定する ２）光強度 ：有機ＥＬ素子をonにして輝度を測定す
る 〈評価基準〉 ○：（光反射強度／光強度）比が10％以下 △：（光反射強度／光強度）比が30％以下 ×：（光反射強度／光強度）比が30％以上 上述の評価基準に基いて各ＥＬ素子を評価した結果表
１，表２から明らかな如く本発明の実施例が比較例に比
して優れていることが判る。
て輝度を測定する ２）光強度 ：有機ＥＬ素子をonにして輝度を測定す
る 〈評価基準〉 ○：（光反射強度／光強度）比が10％以下 △：（光反射強度／光強度）比が30％以下 ×：（光反射強度／光強度）比が30％以上 上述の評価基準に基いて各ＥＬ素子を評価した結果表
１，表２から明らかな如く本発明の実施例が比較例に比
して優れていることが判る。
【００５６】
【発明の効果】本発明によるＥＬ素子はハレーション防
止機を持ち、外光の反射防止を可能にすることが出来
る。
止機を持ち、外光の反射防止を可能にすることが出来
る。
【図１】ＥＬ素子作成手順の説明図
【図２】ＥＬ素子の層構成を示す断面図
【図３】実施例１のＥＬ素子の構造を示す図
１ 基板 ２ 陽極 ３ 陰極 ４ 発光層 ５ ｐ層 ６ ｎ層 ７ 有機積層体 Ｓ 不活性物質 Ｃ ケース Ｔ 透明天板
Claims (1)
- 【請求項１】 透明基板上に少なくとも透明電極と有機
層と上部電極を設けてなる有機エレクトロルミネッセン
ス素子において、透明基板の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子を設置した側と反対側の表面を平均粗さ0.1〜1
00μmの範囲に表面加工を施すことを特徴とする有機エ
レクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4161334A JPH065368A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4161334A JPH065368A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065368A true JPH065368A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15733112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4161334A Pending JPH065368A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065368A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11121167A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-04-30 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| WO2013108835A1 (ja) * | 2012-01-18 | 2013-07-25 | 日本電気硝子株式会社 | 有機ｅｌデバイス用ガラス基板及びそれを用いた有機ｅｌデバイス |
-
1992
- 1992-06-19 JP JP4161334A patent/JPH065368A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11121167A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-04-30 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| WO2013108835A1 (ja) * | 2012-01-18 | 2013-07-25 | 日本電気硝子株式会社 | 有機ｅｌデバイス用ガラス基板及びそれを用いた有機ｅｌデバイス |
| JP2013149406A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス基板及びそれを用いた有機ｅｌデバイス |
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