JPH0333183A - 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子に関し
、詳しくは各種表示装置の発光体として用いられる有機
薄膜エレクトロルミネッセンス素子に関する。

〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕エレク
トロルミネッセンス素子（以下ＥＬ素子という〉は、自
己発光のため視認性が高く、また完全固体素子であるた
め耐衝撃性に優れるという特徴を有しており、現在、無
機、有機化合物を発光層に用いた様々なＥＬ素子が提案
され、実用化が試みられている。このうち、有機薄膜Ｅ
Ｌ素子は、印加電圧を大幅に低下させることができるた
め、各種材料が開発されつつある。

一方、紫外線発光固体素子は、研究室レベルにおいて、
ＢＮｐｎ接合型発光ダイオードが実現されている（Ｓｃ
ｉｅｎｃｅ、　２３８．１８Ｈ１９８７）及びＪ　Ｓ　
Ａ　Ｐ　Ｃａｔａｌｏｇ　Ｎｕｍｂｅｒ　８８１１０５
−０３．　ｐ、９１６）。

この素子は、２００〜４００　ｎｍの紫外線を発光する
ことが可能である。しかし、大型のＢＨの結晶を成長さ
せることは困難であり、現在のところ、わずか１ｍｍ大
の結晶により発光が得られているにすぎない。そのため
、実用化は極めて難しく、面発光は不可能である。

ところで、有機薄膜ＥＬ素子は、比較的簡易な素子構成
で可視光の面発光が、数十■の電圧を印加するだけで得
られているが、紫外光発光は未だ得られていない（Ｔｈ
ｉｎ　５ｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ、　９４　＋　１７１（
１９８２）　、特開昭６１−４３６８２号公報〜同６１
−４３６９１号公報、同５９−１９４３９３号公報、　
Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔ、　５１．９１３（
１９Ｂ？）及び米国特許第９７２０４３７号明細書）。

また、有機単結晶のＥＬ素子は、ｐ−ターフェニル、ナ
フタレンの結晶を用いて紫外光発光を得ているが、印加
電圧が１００Ｖ以上必要であり、しかも単結晶を用いな
ければならないので、生産性が低く実用的でない（Ｚ、
　Ｂｕｒｓｈｔｅｉｎ、　Ｍｏ１．　Ｃｒｙｓｔ。

並、　２０７（１９８０））。

〔課題を解決するための手段〕

そこで本発明者らは、上記従来技術の問題点を解消し、
低電圧を印加するだけで高輝度に発光し、しかも構成が
簡単で容易に製造でき、そのうえ不良品の発生が少なく
高い歩留りで製造することのできるＥＬ素子を開発すべ
く鋭意研究を重ねた。

その結果、特定の有機化合物を発光材料として用いるこ
と、あるいは所望によりこの有機化合物を電極間に設け
ることにより、これらの条件を達成でき、しかも紫外光
面発光を実現できることを見出した。本発明はかかる知
見に基いて完成したものである。すなわち、本発明は 一般弐Ｎ） 又は一般式（ＩＩ） 〔式中、Ｒｌ、　ＲＩ　Ｏはそれぞれ水素原子、炭素数
１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、水
酸基、スルホン酸基、カルボニル基。

カルボキシル基、アミ）基、ジメチルアミノ基。

シアノ基、ハロゲン原子、アシルオキシ基、アシル基、
アルコキシカルボニル基、了り−ルオキシカルボニル基
、アミノカルボニル基あるいはアジルアもノ基を示し、
また、これらＲ１〜ＲＩＯは互いに結合して置換、無置
換の飽和５員環あるいは置換、無置換の飽和６員環を形
成してもよい。ｎは２〜５の整数を示す。なお、複数の
Ｒ４−Ｒ６はそれぞれ同じでも異なってもよい。但し、
式ＣＩ）において、Ｒ’−Ｒ９のすべてが水素原子を示
し、かつｎが３を示す場合を除＜、〕 で表わされる化合物を発光材料として用いたことを特徴
とする有機薄膜ＥＬ素子を提供するものである。

本発明において、発光材料として用いられる有機化合物
は、上記一般式（１）あるいは（ＩＩ）で表わされる化
合物であり、この化合物は式中の置換基ＲＩ、　ＲＩ　
１１の種類により各種のものがあげられる。つまり、Ｒ
ｌ、　ＲＩ　Ｏはそれぞれ水素原子。

炭素数１〜６のアルキル基（メチル基、エチル基。

イソプロピル基、　ｔｅｒｔ−ブチル基等）、炭素数ｌ
〜６のアルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基。

プロポキシ基、ブトキシ基等）、水酸基、スルホン酸基
、カルボニル基、カルボキシル基、アξノ基、ジメチル
アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子（塩素、フッ素、臭
素、沃素）、アシルオキシ基（アセトキシ基、ベンゾイ
ルオキシ基など）、アシル基（アセチル基、ベンゾイル
基など）、アルコキシカルボニル基（メトキシカルボニ
ル基など）、アリールオキシカルボニル基（フェノキシ
カルボニル基など）、アミノカルボニル基あるいはアジ
ルアミノ基（アセトアミノ基、ベンズアミノ基など〉を
示し、また、これらＲＩ、　ＲＩ　Ｏは互いに結合して
置換、無置換の飽和５員環あるいは置換、無置換の飽和
６員遷を形成してもよい。ｎは２〜５の整数を示す。ま
た、ｎの数に対応する数のＲ４−Ｒ６の各々は、同じで
も異なってもよい。但し、式（１）において、Ｒ’−Ｒ
’のすべてが水素原子を示しかつｎが３を示す化合物は
、本発明の対象から除外される。

このような本発明の化合物のうち、特に一般式（１）あ
るいは（ＩＩ）中のフェニレン基（置換フェニレン基〉
がｐ−位において両側の隣接基と結合している化合物（
換言すれば、ｐ−フェニレン基（置換ｐ−］二二レンし
）を有する化合物）が、結晶性が良好で平滑な蒸着膜が
形成できるため好ましい。

このような本発明の化合物の具体例を挙げれば次のとお
りである。

本発明のＥＬ素子において、 上記発光材料から なる薄膜の膜厚は、適宜状況に応じて選定すればよいが
、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度とすればよい。

また、本発明のＥＬ素子の構成は各種の形態かあるが、
基本的には二つの電極（陽極と陰極、そのうち少なくと
も一方が透明または半透明）の間に、上記発光材料から
なる発光層を挟持した構成として、これに必要に応じて
他層を介在させればよい。

具体的には、（１）陽極／発光層／陰極、（２）陽極／
正孔注入層／発光Ｎ／陰極、（３）陽極／正孔注入層／
発光層／電子注入層／陰極、（４）陽極／発光層／電子
注入層／陰極などの構成がある。なお、これらのＥＬ素
子は、支持基板上に形成することが好ましい。

本発明のＥＬ素子における発光層は、以下の三つの機能
を併せ持つものである。即ち、■注入機能 電界印加時に、陽極又は正孔注入輸送層より正孔を注入
することができ、陰極又は電子注入輸送層より電子を注
入することができる機能 ■輸送機能 注入した電荷（電子と正札〉を電界の力で移動させる機
能 ■発光機能 電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげ
る機能 但し、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに
違いがあってもよく、また正札と電子の移動度で表わさ
れる輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電
荷を移動することが好ましい。

本発明のＥＬ素子において、発光材料（発光層）として
用いる前記一般式（Ｉ）または（ｎ）の化合物は、構造
上イオン化エネルギーが比較的小さく、適当な陽極金属
または陽極化合物を選べば、比較的正札を注入し易い。

また電子親和力は比較的大きく、適当な陰極金属または
陰極化合物を選べば、比較的電子を注入し易い。しかも
、電子。

正孔の輸送機能もすぐれている。さらに固体状態の蛍光
性が強いため、電子と正札の再結合時に形成された上記
化合物、その会合体または結晶等の励起状態を光に変換
する能力が大きい。

本発明のＥＬ素子において使用できる基板は、透明性を
有するものが好ましく、一般にガラス。

透明プラスチック、石英等が充当される。また、電極（
陽極、陰極）としては、金、アルミニウム。

インジウムなどの金属１合金、混合物あるいはインジウ
ムチンオキサイド（酸化インジウムと酸化錫の混合酸化
物；　ＩＴＯＬ　Ｓｎｏｗ、ＺｎＯ等の透明材料を用い
ることが好ましい。また、特開昭６３−２９５６９５号
公報に開示されている合金や混合物電極が好ましい。な
お陽極には、仕事関数の大きい金属または電気伝導性化
合物が好適であり、また陰極には、仕事関数の小さい金
属または電気伝導性化合物が好適である。これらの電極
は、少なくとも一方が透明あるいは半透明であることが
、発光の透過率を高める上で好ましい。

前述した（１）陽極／発光層／陰極よりなる構成のＥＬ
素子を作成するには、例えば次の如き手順にしたがえば
よい。即ち、まず、基板上に電極を蒸着もしくはスパッ
タ法にて製膜する。この際、膜状の電極の膜厚は、一般
に１０ｎｍ〜１μｍ、特に２００ｎｍ以下が、発光の透
過率を高める上で好ましい。次に、この電極の上に発光
材料（一般式（Ｉ）または（ｎ）の化合物）を、薄膜状
に形成して発光層とする。発光材料の薄膜化方法は、ス
ピンコード、キャスト、蒸着法等があるが、均一な膜が
得やすいこと、及びピンホールが生成しないことから、
とりわけ蒸着法が好ましい。発光材料の薄膜化に際して
蒸着法を採用する場合、その蒸着の条件は、例えばボー
ト加熱温度５０〜４００°Ｃ１真空度１　（Ｉ’〜１０
−’Ｐａ　、蒸着速度０．０３〜５０　ｎｍ７秒、基板
温度−５０〜＋３００°Ｃの範囲で膜厚５ｎｍ〜５μｍ
となるように選定すればよい。この薄膜形成後、対向電
極を蒸着法やスパッタ法にて膜厚５０〜２００　ｎｍで
形成すれば、ＥＬ素子が作成される。なお、発光層の形
成の条件は、一般式（１）または（ＩＩ）の化合物の種
類２分子堆積膜の目的とする結晶構造、会合構造等によ
って異なり、様々に変動しうるが、ボ−ト加熱温度は一
般式（１）または（ＩＩ）の化合物が分解しない温度に
とどめることが好ましい。

また、（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極の構成の
ＥＬ素子を作成するには、まず電極を上記（１）のＥＬ
素子と同様に形威し、その後、正孔注入材料（正孔伝達
化合物）を電極上に蒸着法で薄膜化して正孔注入輸送層
を形成する。この際の蒸着条件は、前記発光材料の薄膜
形成の蒸着条件に準じればよい。その後は上記（１）の
ＥＬ素子を作成する場合と同様に、発光材料の薄膜形成
及び対向電極の形成を行えば、所望する上記（２）の構
成のＥＬ素子が作成される。なお、この（２）の構成の
ＥＬ素子において、正孔注入層と発光層の作製順序を逆
にし、電極９発光層、正孔注入層、電極の順に作製する
ことも可能である。

さらに、（３）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層
／陰極の構成のＥＬ素子を作成するには、まず電極を上
記（１）のＥＬ素子と同様に形威し、その後、正孔注入
層を上記（２）のＥＬ素子と同様に形威し、その上から
上記（１）のＥＬ素子を作成する場合と同様に、発光材
料の薄膜を形成する。しかる後に、電子注入材料（電子
伝達化合物）を蒸着法にて薄膜化することにより、発光
層上に電子注入層を形成し、最後に上記（１）のＥＬ素
子を作成する場合と同様に、対向電極を形成すれば、目
的とする上記（３）の構成のＥＬ素子が作成される。（
４）の構成のＥＬ素子を作製するには、発光層の形成ま
では（１）の構成と同様であり、その後、（３）の構成
の電子注入層以降の作製方法に従えばよい。ここで、正
孔注入層９発光層、電子注入層あるいは発光層、電子注
入層の作製順序は、素子構成の（１）及び（２）と同様
逆の順序にしても構わない。

なお、本発明のＥＬ素子では、正孔注入層や電子注入層
は必ずしも必要ではないが、これらの層があると、発光
性能が一段と向上する。ここで、正孔注入層は、正孔伝
達化合物（正孔注入材料）よりなり、陽極より注入され
た正札を、発光層に伝達する機能を持つ。この層をＥＬ
素子の陽極と発光層間に挟むことにより低電圧でより多
くの正孔が発光層に注入され、素子の輝度は向上する。

ここで用いられる正孔注入層の正札伝達化合物は、電場
を与えられた二個の電極間に配置されて陽極から正孔が
注入された場合、正孔を適切に発光層へ伝達することが
できる化合物である。正孔注入層を陽極と発光層との間
に挟むことにより、より低い電界で多くの正孔が発光層
に注入される。

さらに、陰極や電子注入層から発光層に注入された電子
は、発光層と正孔注入層の界面に存在する電子の障壁に
より、この発光層内の界面付近に蓄積され発光効率が向
上する。ここで好ましい正札伝達化合物は、１０’〜１
０’ボルト／ｃｒｎの電場を与えられた電極間に層が配
置された場合、少なくとも１０−’ｃ１ｉｌ／ボルト・
秒の正孔移動度をもつ。

従って好ましい例としては、光導電材料において正孔の
電荷輸送材として用いられている各種化合物があげられ
る。

このような電荷輸送材として以下のような例があげられ
る。

■米国特許第３１１２１９７号明細書等に記載されてい
るトリアゾール誘導体、 ■米国特許第３１８９４４７号明細書等に記載されてい
るオキサジアゾール誘導体、 ■特公昭３７−１６０９６号公報等に記載されているイ
ミダゾール誘導体、 ■米国特許第３６１５４０２号、同３８２０９８９号、
同３５４２５４４号明細書や特公昭４５５５５号、同５
１−１０９８３号公報さらには特開昭５１−９３２２４
号、同５５−１７１０５号。

同５６−４１４８号、同５５−４０８６６７号。

同５５−１５６９５３号、同５６−３６６５６号公報等
に記載されているポリアリールアルカン誘導体、 ■米国特許筒３１８０７２９号、同４２７８７４６号明
細書や特開昭５５−８８０６４号、同５５−８８０６５
号、同４９−１０５５３７号、同５５−５１０８６号、
同５６−８００５１号、同５６−８８１４１号、同５７
−４５５４５号、同５４−１１２６３７号、同５５−７
４５４６号公報等に記載されているピラゾリン誘導体お
よびピラゾロン誘導体、 ■米国特許第３６１５４０４号明細書や特公昭５１−１
０１０５号、同４６−３７１２号、同４７−２５３３６
号公報さらには特開昭５４−５３４３５号、同５４−１
１０５３６号、同５４−１１９９２５号公報等に記載さ
れているフェニレンジアミン誘導体、 ■米国特許第３５６７４５０号、同３１８０７０３号、
同３２４０５９７号、同３６５８５２０号。

同４２３２１０３号、同４１７５９６１号、同４０１２
３７６号明細書や特公昭４９−３５７０２号、同３９−
２７５７７号公報さらには特開昭５５−１４４２５０号
、同５６−１１９１３２号。

同５６−２２４３７号公報、西独特許第１１１０５号明
細書等に記載されているアリールアミン誘導体、 ■米国特許第３５２６５０１号明細書等に記載されてい
るアミノ置換カルコン誘導体、 ■米国特許第３２５７２０３号明細書等に記載されてい
るオキサゾール誘導体、 ［相］特開昭５６−４６２３４号公報等に記載されて８ いるスチリルアントラセン誘導体、 ■特開昭５４−１１０８３７号公報等に記載されている
フルオレノン誘導体、 ＠米国特許第３７１７４６２号明細書や特開昭５４−５
９１４３号、同５５−５２０６３号、同５５−５２０６
４号、同５５−４６７６０号、同５５−８５４９５号、
同５７−１１３５０号、同５７−１４８７４９号公報等
に記載されているヒドラゾン誘導体、 ■特開昭６１−２１０３６３号、同６１−２２８４５１
号、同６１−１４６４２号、同６１−７２２５５号、同
６２−４７６４６号、同６２−３６６７４号、同６２−
１０６５２号、同６２−３０２５５号、同６０−９３４
４５号、同６〇−９４４６２号、同６０−１７４７４９
号、同６０−１７５０５２号公報等に記載されているス
チルベン誘導体などを列挙することができる。

さらに特に好ましい例としては、特開昭６３−２９’５
６９５号公報に開示されているホール輸送層としての化
合物（芳香族三級アミン）や正孔注入帯としての化合物
（ポルフィリン化合物）をあげることができる。

さらに特に正孔伝達化合物として好ましい例は、特開昭
５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、
同５４−１４９６３４号公報。

同５４−６４２９９号公報、同５５−７９４５０号公報
、同５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２
号公報、同６１−２９５５５８号公報、同６１−９８３
５３号公報及び米国特許第４１２７４１２号明細書等に
開示されているものである。それらの例を示せば次の如
くである。

これらの正孔伝達化合物から正孔注入層を形成するが、
この正孔注入層は一層からなってもよく、あるいは上記
−層と別種の化合物を用いた正孔注入層を積層してもよ
い。好ましい例としては特開昭６３−２９５６９５号公
報に開示されている。

一方、電子注入層は陰極より注入された電子を発光層に
伝達する機能を有する。

電子注入層を形成する電子伝達化合物（電子注入材料）
の好ましい例には、 などのニトロ置換フルオレノン誘導体、■特開昭５７−
１４９２５９号、同５Ｂ−５５４５０号、同６３−１０
４０６１号公報等に記載されているアントラキノジメタ
ン誘導体、 ■Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ、　Ｊａｐａｎ
　Ｖｏｌ、　３７．　Ｎａ５（１９８Ｂ）　、　ｐ、６
８１等に記載されているなどのジフェニルキノン誘導体
、 などのチオピランジオキシド誘導体、 ■Ｊ、　Ｊ、＾ＰＰ１．　Ｐｈｙｓ、、　２７．　Ｌ　
２６９（１９８Ｂ）等に記載されている で表わされる化合物、 ■Ａｐｐ１．　Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔ。

載されている Ｖｏｌ。

５ （１９８９）、Ｌ１４８９等に記 で表わされる化合物、 ■特開昭６０−６９６５７号１同６１−１４３７６号、
同６１−１４８１５９号公報等に記載されているフレオ
レニリデンメタン誘導体、 ■特開昭６１−２２５１５１号、同６１−２３３７５０
号公報等に記載されているアントラキノジメタン誘導体
及びアントロン誘導体などをあげることができる。

本発明のＥＬ素子は、印加電圧が交流の場合（交流駆動
）には、陽極側にプラスの電圧が印加されているバイア
ス状態の時のみ発光が観測される。

また、印加電圧が直梳の場合（直流駆動）には、陽極側
にプラスの電圧を印加することにより常に発光が観測さ
れる。

〔実施例〕

次に本発明を実施例及び比較例によりさらに詳しく説明
する。

実施例１ ２５ｍｍＸ７５ｍｍＸ１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴ
Ｏを蒸着法にて１１００ｎの厚さで製膜したものを透明
支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置（
日本真空技術■製）の基板ホルダーに固定しモリブテン
製の抵抗加熱ボートに３．５゜３１１１１　、　５１１
″′−テトラブチルキンクフェニル（Ｔ　Ｂ　Ｑ）を２
００■入れ、真空槽をＩ　Ｘ　１０−’Ｐａまで減圧し
た。

その後前記ボートを２７０〜２９０℃まで加熱し、ＴＢ
Ｑを蒸着速度０．２〜０．５　ｎ　ｍ　７秒で透明支持
基板上に蒸着して、膜厚０．７μｍの結晶性発光体薄膜
を得た。このときの基板温度は１５０°Ｃであった。こ
れを真空槽より取り出し、発光体薄膜上にステンレスス
チール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定し
た。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートに金２０■を入れて
真空槽を２　Ｘ　１０−’Ｐａまで減圧した。

その後、ボートを１４００℃まで加熱し、５０ｎｍの膜
厚で金電極を発光体薄膜上に形成し対向電極とした。

この素子に金電極を正極、ＩＴＯ電極を負極として直流
６０Ｖを印加した。その結果電流が５０μＡ流れ、近紫
外域から可視光青色の領域に及び暗所可視の画電極に挟
まれた領域全域からの面上発光を得た。発光波長域は分
光測定の結果、３８０ｎｍから５００ｎｍに分布し、極
大波長は４３５ｎｍであった。フォトダイオードにより
発光強度を測定すると０．０２　ｍＷ／ｃｆｆｌであっ
た。

実施例２ ２５ｎｍＸ　７５ａａｍＸ１．１　ｔｔｒｍのガラス基
板上にＩＴＯを蒸着法にて１１００ｎの厚さで製膜した
ものを透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の
蒸着装置（日本真空技術■製）の基板ホルダーに固定し
、モリブテン製の抵抗加熱ボートにＮ、Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１
’−ビフェニル）−４，４’シアξン（Ｔ　Ｐ　Ｄ　Ａ
）を２００■入れ、また別のモリブテン製ボートに実施
例１と同様にＴＢＱを２００■入れて真空槽をＩ　Ｘ　
１０−’Ｐａまで減圧した。

その後ＴＰＤＡの入った前記ボートを２１５〜２２０°
Ｃまで加熱し、ＴＰＤＡを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ
／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚９０ｎｍの正孔
注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった
。これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上
に、もう一つのボートよりＴＢＱを発光層として厚さ７
０ｎｍとなるように積層蒸着した。蒸着条件は基板温度
が室温であることを除いて実施例１と同様である。これ
を真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレスス
チール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定し
た。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボ
ン１ｇを入れ、また真空槽中心部基板ホルダー下に位置
する電子ビーム蒸着用電子銃のターゲットとして銅のペ
レットを装着した。その後真空槽を２　Ｘ　１０−’Ｐ
ａまで減圧してから、電子ビーム蒸着法により鋼を０．
０３〜０．０８　ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時に抵抗加
熱法によりモリブデンボートからマグネシウムを１．７
〜２．８ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し始めた。電子銃の
フィラメントのエミッシゴン電流は２３０〜２５０　ｍ
Ａ。

加速電圧は４ｋＶであった。またボートの温度は５００
°Ｃ程度であった。上記条件でマグネシウムと銅の混合
金属電極を発光層の上に９０ｎｍ積層蒸着し対向電極と
した。

この素子にＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムと銅の混合
金属電極を陰極として、直流２０Ｖを印加すると電流が
５０μＡ流れ、近紫外域から可視光青色に及ぶ発光を得
た。発光波長域は分光測定の結果、３８０　ｎｍから５
００ｎｍに分布し、極大波長は４３５　ｎｍであった。

また実施例１と同様により求めた発光強度は０．０８　
ｍＷ／ｃｒＡであった。

実施例３ ２５ｓＸ７５ｍｍＸ１．１印のガラス基板上にＩＴＯを
蒸着法にて１１００ｎの厚さで製膜したものを透明支持
基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本
真空技術■製）の基板ホルダーに固定しモリブテン製の
抵抗加熱ボートにｐ−クォーターフェニル（ＰＱＰ）を
２００■入れ、真空槽をＩ　Ｘ　１０−’Ｐａまで減圧
した。

その後前記ボートを２３０〜２５０°Ｃまで加熱し、Ｐ
ＱＰを蒸着速度０．２〜０．５　ｎ　ｍ７秒で透明支持
基板上に蒸着して、膜厚０．４μｍの結晶性発光体薄膜
を得た。このときの基板温度は室温であった。これを真
空槽より取り出し、発光体薄膜上にステンレススチール
製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートに金２０■を入れて
真空槽を２　Ｘ　１０−’Ｐａまで減圧した。

その後、ボートを１４００℃まで加熱し、５０ｎｍの膜
厚で金電極を発光体薄膜上に形威し対向電極とした。

この素子に金電極を正極、ＩＴＯ電極を負極として直流
４０Ｖを印加した。その結果電流が３．２ｍＡ流れ、近
紫外域から可視光青色の領域に及ぶ暗所可視の発光を得
た。発光波長域は分光測定の結果、３６０　ｎｍから５
５０　ｎｍに分布し、極大波長は４４０　ｎｍ及び４７
０ｎｍであった。また実施例１と同様により求めた発光
強度は０．０３ｍ　Ｗ　／　ａｆｌであった。

実施例４ ２５ｍａ＋Ｘ　７５ｍｍＸ１．１ｍｍのガラス基板上に
ＩＴＯ；ｌ：蒸着法にて１１００ｎの厚さで製膜したも
のを透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸
着装置（日本真空技術■製）の基板ホルダーに固定し、
モリブテン製の抵抗加熱ボートにＮ、Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’
−ビフェニル）−４，４’ジアミン（ＴＰＤＡ）を２０
０■入れ、また別のモリブテン製ボートに実施例３と同
様にＰＱＰを２００■入れて真空槽をＩ　Ｘ　１０−’
Ｐａまで減圧した。

その後ＴＰＤＡの入った前記ボートを２１５〜２２０　
’Ｃまで加熱し、ＴＰＤＡを蒸着速度０．１〜０．３ｎ
ｍ／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚９５ｎｍの正
孔注入輸送層を製膜させた。この時の基板温度は室温で
あった。これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入
輸送層の上に、もう一つのボートよりＰＱＰを発光層と
して厚さ６０ｎｍとなるように積層蒸着した。蒸着条件
は実施例３と同様である。これを真空槽より取り出し、
上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設置
し、再び基板ホルダーに固定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボ
ン１ｇを入れ、また真空槽中心部基板ホルダー下に位置
する電子ビーム蒸着用電子銃のターゲソトとして銅のペ
レットを装着した。その後真空槽を２　Ｘ　１０−’Ｐ
ａまで減圧してから、電子ビーム蒸着法により銅を０．
０３〜０．０８　ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時に抵抗加
熱法によりモリブデンボートからマグネシウムを１．７
〜２．８ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し始めた。電子銃の
フィラメントのエミ・ンション電流は２３０〜２５０ｍ
Ａ、加速電圧は４ｋＶであった。またボートの温度は５
００°Ｃ程度であった。上記条件でマグネシウムと銅の
混合金属電極を発光層の上に１３０ｎｍ積層蒸着し対向
電極とした。

この素子にＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムと銅の混合
金属電極を陰極として、直流２０Ｖを印加すると電流が
３．５ｍＡ流れ、近紫外域から可視光青色に及ぶ発光を
得た。発光波長域は分光測定の結果、３６０ｎｍから５
００ｎｍに分布し、極大波長は４２０ｎｍであった。ま
た実施例１と同様により求めた発光強度は０．２ｍＷ／
ｃ＋ｆｉであった。

実施例５ ２５ｍｍＸ　７５ａｍＸ１．　Ｉｎｎのガラス基板上に
ＩＴＯを蒸着法にて１１００ｎの厚さで製膜したものを
透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装
置（日本真空技術■製）の基板ホルダーに固定し、モリ
ブテン製の抵抗加熱ボートにＮ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ
、Ｎ’−ビス（３−メトキシフェニル）−（１，１’−
ビフェニル）−４，４’−ジアミン（Ｍ　Ｐ　Ｄ　Ａ）
を２００■入れ、また別のモリブテン製ボートにＰＱＰ
を２００■入れて真空槽をＩ　Ｘ　１０”Ｐａまで減圧
した。

その後ＭＰＤＡ入りの前記ボー゛トを２２０°Ｃまで加
熱し、ＭＰＤＡを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒で透
明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を
製膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを
真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、ＰＱ
Ｐを発光層として６０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボ
ート温度が２１８°Ｃで蒸着速度は０．３〜０．５ｎｍ
／秒、基板温度は室温であった。これを真空槽より取出
し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを
設置し、再び基板ホルダーに固定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボ
ン１ｇを入れ、また別のそりブテンボートにインジウム
５００■を装着した。その後、真空槽を２　Ｘ　１０−
’Ｐａまで減圧してから、インジウムを０．１ｎｍ／秒
の蒸着速度で、同時にもう一方のモリブテンボートから
マグネシウムを１．７〜２．８ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸
着し始めた。ボートの温度はインジウム、マグネシウム
各々、８００”Ｃ，５００°Ｃ程度であった。

上記条件で゛マグネシウムとインジウムの混合金属電極
を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し対向電極とした。

この素子にＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムとインジウ
ムの混合金属電極を陰極として、直流７．５ｖを印加す
ると電流が７　ｍ　Ａ　／　ｃｉ流れ、明所可視紫色の
発光を得た。

詳細な発光波長域は分光測定より３８０〜６００ｎｍで
、ピーク波長は４３６　ｎｍであった。発光強度はフォ
トダイオード測定によるパワー測定から、上記条件下、
０．０３　ｍＷ／ｃ＋ａであった。

実施例６ ２５ｍｍＸ　７５ｍｍＸ１．１ｍｍのガラス基板上にＩ
ＴＯを蒸着法にて１１００ｎの厚さで製膜したものを透
明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置
（日本真空技術■製）の基板ホルダーに固定し、モリブ
テン製の抵抗加熱ボートに１．　１−ヒス、（４−ジ−
パラ−トリルアミジフェニル）シクロヘキサン（Ｔ　Ｐ
　Ａ　Ｃ）を２００■入れ、また別のモリブテン製ボー
トにＰＱＰを２００■入れて真空槽をＩ　Ｘ　１０”’
Ｐａまで減圧した。

その後ＴＰＡＣ入りの前記ボートを２２０″Ｃまで加熱
し、：Ｔ’ＰＡＣを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒で
透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層
を製膜させた。この時の基板温度は室温であった。これ
を真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、Ｐ
ＱＰを発光層として６０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件は
ボート温度が２１８°Ｃで蒸着速度は０．３〜０．５ｎ
ｍ／秒、基板温度は室温であった。これを真空槽より取
出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスク
を設置し、再び基板ホルダーに固定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボ
ン１ｇを入れ、また別のそりブテンボートにインジウム
５００■を装着した。その後、真空槽を２　Ｘ　１０−
’Ｐａまで減圧してから、インジウムを０．１ｎｍ／秒
の蒸着速度で、同時にもう一方のモリブテンボートから
マグネシウムを１．７〜２．８ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸
着し始めた。ボートの温度はインジウム、マグネシウム
各々、８００’Ｃ，５００°Ｃ程度であった。

上記条件でマグネシウムとインジウムの混合金属電極を
発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し対向電極とした。

この素子にＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムとインジウ
ムの混合金属電極を陰極として直流１５Ｖを印加すると
電流が８．４ｍＡ／ｃｄ流れ、明所可視青紫色の発光を
得た。

詳細な発光波長域は分光測定より３８０〜６００ｎｍで
、ピーク波長は４５０ｎｍであった。またこの時の発光
強度はフォトダイオード測定により０、０５　ｍＷ／Ｃ
４であった。

実施例７ ２５ｍｍＸ　７５ｍｍＸ１．１ｍｍのガラス基板上にＩ
ＴＯを蒸着法にて１１００ｎの厚さで製膜したものを透
明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置
（日本真空技術■製）の基板ホルダーに固定しモリブテ
ン製の抵抗加熱ボートにＮ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ
’−ビス（２−メチルフェニル）−（１，１−ビフェニ
ル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤＡ’）を２００■入
れ、また別のモリブテン製ボートにＰＱＰを２００■入
れて真空槽をＩ　Ｘ　１０−’Ｐａまで減圧した。

その後ＴＰＤＡ’入りの前記ボートを２２０　’Ｃまで
加熱し、ＴＰＤＡ’を蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒
で透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入
層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった。こ
れを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、
ＰＱＰを発光層として６０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件
はボート温度が２１８℃で蒸着速度は０．３〜０．５ｍ
ｍ／秒、基板温度は室温であった。これを真空槽より取
出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスク
を設置し、再び基板ホルダーに固定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボ
７１ｇを入れ、また別のモリブテンボートにインジウム
５００■を装着した。その後、真空槽を２　Ｘ　１０−
’Ｐａまで減圧してから、インジウムをＱ、ｌｎｍ７秒
の蒸着速度で、同時にもう一方のモリブテンボートから
マグネシウムを１．７〜２．８ｍｍ／秒の蒸着速度で蒸
着し始めた。ボートの温度はインジウム、マグネシウム
各々、８００”Ｃ，５００°Ｃ程度であった。

上記条件でマグネシウムとインジウムの混合金属電極を
発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し対向電極とした。

この素子にＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムとインジウ
ムの混合金属電極を陰極として直流ｌＯＶを印加すると
電流が４．２ｍＡ／ｃＪ流れ、明所可視青紫色の発光を
得た。

詳細な発光波長域は分光測定より３８０〜７００ｎｍで
、ピーク波長は４３０　ｎｍであった。近紫外域から長
波長の広い波長域で発光しているのが観測された。また
発光強度は、フォトダイオード測定により０．０５　ｍ
Ｗ／ｃ＋ａであった。

実施例８ ２５ｍＸ７５ｍｍＸ１．１ｍのガラス基板上にＩＴＯを
蒸着法にて１１００ｎの厚さで製膜したものを透明支持
基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本
真空技術■製）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製
の抵抗加熱ボートに１，１′−ビス（４−ジ−パラ−ト
リルアごノフェニル）シクロヘキサン（Ｔ　Ｐ　Ａ　Ｃ
）を２００ｍｇ入れ、また別のモリブテン製ボートに３
．５，３°”、５”゛−テトラブチルキンクフェニル（
ＴＢＱ）を２００ｍｇ入れて真空槽をＩ　Ｘ　１０−’
Ｐａまで減圧した。

その後ＴＰＡＣ入りの前記ボートを２２０°Ｃまで加熱
し、ＴＰＡＣを蒸着速度０．１〜０．３ｍｍ／秒で透明
支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製
膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを真
空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、ＴＢＱ
を発光層として６０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボー
ト温度が２２０゛Ｃで蒸着速度は０．３〜０．５ｍｍ／
秒、基板温度は室温であった。これを真空槽より取出し
、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設
置し、再び基板ホルダーに固定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボ
ン１ｇを入れ、また別のそりブテンボートにインジウム
５００■を装着した。その後、真空槽を２　Ｘ　１０−
’Ｐａまで減圧してから、インジウムを０．’ｌｎｍ／
秒の蒸着速度で、同時にもう一方のモリブテンボートか
らマグネシウムを１．７〜２．８ｍｍ／秒の蒸着速度で
蒸着し始めた。ボートの温度はインジウム、マグネシウ
ム各々、８００”Ｃ，５００°Ｃ程度であった。

上記条件でマグネシウムとインジウムの混合金属電極を
発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し対向電極とした。

この素子にＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムとインジウ
ムの混合金属電極を陰極として直流１５Ｖを印加すると
電流が１１ｍＡ／ｃＪ流れ、°明所可視の発光を得た。

発光波長域は分光測定より４００ｎｍから長波長の広い
波長域で発光した。なお、上記条件での発光強度は、フ
ォトダイオード測定により０．０２ｍＷ／ｃ這であった
。

実施例９ ２５＋＋ａＸ　７５ｎｎｍＸ１．　ｌａｍａのガラス基
板上にＩＴＯを蒸着法にて１１００ｎの厚さで製膜した
ものを透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の
蒸着装置（日本真空技術■製）の基板ホルダーに固定し
、モリブテン製の抵抗加熱ボートに１．１′−ビス（４
−ジ−メタ−トリルアミノフェニル〉エーテル（Ｅ　Ｔ
　Ｐ　Ａ）を２００■入れ、また別のモリブテン製ボー
トに３．５．３”°、５１１−テトラブチルキンクフェ
ニル（Ｔ　Ｂ　Ｑ）を２００■入れて真空槽をＩ　Ｘ　
１０−’Ｐａまで減圧した。

その後ＥＴＰＡ入りの前記ボートを２１０°Ｃまで加熱
し、ＥＴＰＡを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ７秒で透明
支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製
膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを真
空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、ＴＢＱ
を発光層として６０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボー
ト温度が２２０°Ｃで蒸着速度は０．３〜０．５ｎｍ／
秒、基板温度は室温であった。これを真空槽より取出し
、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設
置し、再び基板ホルダーに固定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボ
ン１ｇを入れ、また別のモリブテンボートにインジウム
５００■を装着した。その後、真空槽を２　Ｘ　１０−
’Ｐａまで減圧してから、インジウムを０．１ｎｍ／秒
の蒸着速度で、同時にもう一方のモリブテンボートから
マグネシウムを１．７〜２．８ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸
着し始めた。ボートの温度はインジウム、マグネシウム
各々、８００’Ｃ，５００°Ｃ程度であった。

上記条件でマグネシウムとインジウムの混合金属電極を
発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し対向電極とした。

この素子にＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムとインジウ
ムの混合金属電極を陰極として直流１５Ｖを印加すると
電流が１．５ｍＡ／ａｆｌ流れ、明所可視の紫色の発光
を得た。発光波長域は分光測定より３６０　ｎｍ〜６０
０　ｎｍの範囲で、近紫外成分の発光が確認された。な
お、上記条件での発光強度は、フォトダイオード測定に
より０．０６ｍＷ／ｄであった。

実施例１０ ２５閣Ｘ７５ｍＸ１．１閣のガラス基板上にＩＴＯを蒸
着法にて１１００ｎの厚さで製膜したものを透明支持基
板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置く日本真
空技術■製）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の
抵抗加熱ボートにＮ、Ｎ’ジフェニル−Ｎ、Ｎ’　−ビ
ス（２−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）
−４，４’ジアミン（ＴＰＤＡ’）を２００■入れ、ま
た別のモリブテン製ボートに３　、　５　、　３　＋　
＋　＋　、　５　＋　ｔ　＋”−テトラブチルキンクフ
ェニル（Ｔ　Ｂ　Ｑ）を２００　ｍｇ入れて真空槽をＩ
　Ｘ　１０−’Ｐａまで減圧した。

その後ＴＰＤＡ’入りの前記ボートを２１０℃まで加熱
し、ＴＰＤＡ’を蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒で透
明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を
製膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを
真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、ＴＢ
Ｑを発光層として６０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボ
ート温度が２２０℃で蒸着速度は０．３〜０．５ｎｍ／
秒、基板温度は室温であった。これを真空槽より取出し
、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設
置し、再び基板ホルダーに固定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボ
ン１ｇを入れ、また別のそりブテンボートにインジウム
５００■を装着した。その後、真空槽を２　Ｘ　１０−
’Ｐａまで減圧してから、インジウムをＱ、ｌｎｍ７秒
の蒸着速度で、同時にもう一方のモリブテンボートから
マグネシウムを１．７〜２．８ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸
着し始めた。ボートの温度はインジウム、マグネシウム
各々、８００°Ｃ５５００℃程度であった。

上記条件でマグネシウムとインジウムの混合金属電極を
発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し対向電極とした。

この素子にＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムとインジウ
ムの混合金属電極を陰極として直流１５Ｖを印加すると
電流が２７ｍＡ／ｃｎ流れ、明所可視の紫色の発光を得
た。発光波長域は分光測定より３６０　ｎｍ−“５５０
　ｎｍの範囲で近紫外の発光成分が確認された。なお、
上記条件での発光強度は、フォトダイオードによるパワ
ー測定から２０Ｖ印加時、１．０ｍＷ／ｃ４であった。

実施例１１ ２５■Ｘ７５ａｉＸ１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１１００ｎの厚さで製膜したものを透明支
持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日
本真空技術■製）の基板ホルダーに固定し、モリブテン
製の抵抗加熱ボートにＮ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’
−ビス（３−メトキシフェニル）−（１，１’−ビフェ
ニル）−４，４’−シア業ン（Ｍ　Ｐ　Ｄ　Ａ）を２０
０ｍｇ入れ、また別のモリブテン製ボートに３．５．３
’″Ｚ５１１１１−テトラブチルキンクフェニル（Ｔ　
Ｂ　Ｑ）を２００■入れて真空槽をＩ　Ｘ　１０−’Ｐ
ａまで減圧した。

その後ＭＰＤＡ入りの前記ボートを２２０°Ｃまで加熱
し、ＭＰＤＡを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒で透明
支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製
膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを真
空槽より取り出すことなく、正札注入層の上に、ＴＢＱ
を発光層として６０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボー
ト温度が２２０℃で蒸着速度は０．３〜０．５ｎｍ／秒
、基板温度は室温であった。これを真空槽より取出し、
上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設置
し、再び基板ホルダーに固定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ポートにマグネシウムリボ
７１ｇを入れ、また別のモリブテンボートにインジウム
５００■を装着した。その後、真空槽を２　Ｘ　１０−
’Ｐａまで減圧してから、インジウムを０．１ｎｍ／秒
の蒸着速度で、同時にもう一方のモリブテンポートから
マグネシウムを１．７〜２．８ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸
着し、始めた。ボートの温度はインジウム、マグネシウ
ム各々、８００’Ｃ，５００°Ｃ程度であった。

上記条件でマグネシウムとインジウムの混合金属電極を
発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し対向電極とした。

この素子にＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムとインジウ
ムの混合金属電極を陰極として直流１５Ｖを印加すると
電流が１２ｍＡ／ｃｎｌ流れ、明所可視の紫色の発光を
得た。発光波長域は分光測定より４３０　ｎｍにピーク
を持ち、３７０〜５５０ｎｍの範囲に及んでいた。これ
より近紫外の発光成分の存在が確認された。発光強度は
、フォトダイオードによるパワー測定から２０Ｖ印加時
、０．７ｍ　Ｗ　／　ｃｌａであった。

〔発明の効果〕

上述の如く、本発明のＥＬ素子は低電圧を印加するだけ
で高輝度を得ることができ、その構成も簡単であり、容
易に製造することができる。また、このＥＬ素子によれ
ば、従来困難とされていた近紫外域から青色域の発光を
高輝度、高効率で達成することができる。この領域の光
はエネルギーが大きい為、ある種のエネルギー変換、例
えば蛍光などにより、これより低エネルギー、つまり長
波長の青、緑、赤の可視光を得ることが可能である。

さらに、ピンホールなどの不良も少なく、また大面積化
も容易であり、生産性が高く、各種機器の表示用のＥＬ
素子として安価で安定した製品を提供することが可能で
ある。

一］ 手続補正書（自発） 平底２年５月３１日

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼　　…（ I ） 又は一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼　　…（II） 〔式中、Ｒ＾１〜Ｒ＾１０はそれぞれ水素原子，炭素数
   １〜６のアルキル基，炭素数１〜６のアルコキシ基，水
   酸基，スルホン酸基，カルボニル基，カルボキシル基，
   アミノ基，ジメチルアミノ基，シアノ基，ハロゲン原子
   ，アシルオキシ基，アシル基，アルコキシカルボニル基
   ，アリールオキシカルボニル基，アミノカルボニル基あ
   るいはアシルアミノ基を示し、また、これらＲ＾１〜Ｒ
   ＾１０は互いに結合して置換，無置換の飽和５員環ある
   いは置換，無置換の飽和６員環を形成してもよい。ｎは
   ２〜５の整数を示す。なお、複数のＲ＾４〜Ｒ＾６はそ
   れぞれ同じでも異なってもよい。但し、式（ I ）にお
   いて、Ｒ＾１〜Ｒ＾９のすべてが水素原子を示し、かつ
   ｎが３を示す場合を除く。〕 で表わされる化合物を発光材料として用いたことを特徴
   とする有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子。
2. （２）請求項１の化合物からなる発光材料を、少なくと
   も一方が透明または半透明の二つの電極間に挟持したこ
   とを特徴とする有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
   。
3. （３）請求項１の化合物からなる発光材料層と正孔注入
   層を積層したものを、少なくとも一方が透明または半透
   明の二つの電極間に挟持したことを特徴とする有機薄膜
   エレクトロルミネッセンス素子。