JPH0652022U - 光磁気ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光記録層を覆う樹脂保護層の膜厚に着目し、
この膜厚を最適化することでフライングヘッドの吸着や
接触を極力防止できる信頼性の高い光磁気ディスクを提
供すること。 【構成】 基板１の一主面側に設けた光記録層３を樹脂
保護層３で被覆し、光記録層２に浮上式の記録ヘッド５
を用いて情報の書き込みを行う光磁気ディスクＤにおい
て、光記録層２の記録領域内の樹脂保護層３の膜厚を15
μm 以下とし、かつ樹脂保護層３の最大高さと光記録層
２の記録領域内の樹脂保護層３の最大高さとの差が記録
ヘッド５の浮上量未満としたことを特徴とする。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、基板の一主面側に設けた光記録層を樹脂保護層で被覆し、光記録層 に浮上式の記録ヘッドを用いて情報の書き込みを行う光磁気ディスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】

現在、記録情報を一度だけ書き込めるライト・ワンス型、情報の再書き込みが 可能なリライタブル型等の光磁気ディスクが開発され実用化され始めている。こ れらの光磁気ディスクは、通常、基板の一主面側に光記録層と該光記録層を保護 する樹脂保護層とを順次積層したものが一般的に使用されている。

【０００３】 このような光磁気ディスクのうち、情報の書き込みに浮上式の記録ヘッド（以 下、フライングヘッドともいう）を使用するものでは、フライングヘッドが光磁 気ディスクの回転開始時及び停止時に樹脂保護層表面に接触した場合、フライン グヘッドが動作不良となったり、樹脂保護層に傷やクラック等が発生して光記録 層を損傷させるという問題があった。

【０００４】 そこで、樹脂保護層に潤滑剤やフィラーを混入させて、保護層の表面硬度を向 上させるとともに潤滑性をもたせることでフライングヘッドの接触による問題を 解消する提案がなされている（特開平2-40149 号公報等参照) 。また、樹脂保護 層を粗面化してフライングヘッドの吸着を防止し、フライングヘッドの摺動摩擦 や衝撃を避ける提案もなされている（特開平2-232836号公報等参照) 。

【０００５】

【従来技術の課題】

しかしながら、上記いずれの提案でも、樹脂保護層が厚すぎるとフライングヘ ッドと光記録層とが離れ過ぎ、光記録層への情報記録が良好に行われないことが ある上、図２（ｂ）に示すように、樹脂保護層３をスピンコート法で形成させる と、基板の外周部に隆起３ａが生じるため、この隆起３ａにフライングヘッド５ が接触するなどして情報記録が良好に行われないという問題があった。

【０００６】

【考案の目的】

そこで、本考案では光記録層を覆う樹脂保護層の膜厚に着目し、この膜厚を最 適化することでフライングヘッドの吸着や接触を極力防止できる信頼性の高い光 磁気ディスクを提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成させる本考案の光磁気ディスクは、基板の一主面側に設けた光 記録層を樹脂保護層で被覆し、光記録層に浮上式の記録ヘッドを用いて情報の書 き込みを行う光磁気ディスクにおいて、光記録層の記録領域内の樹脂保護層の膜 厚を15μm 以下とし、かつ樹脂保護層の最大高さと光記録層の記録領域内の樹脂 保護層の最大高さとの差が記録ヘッドの浮上量未満としたことを特徴とする。な おここで、光記録層とは誘電体層、光磁気記録層、反射層などを積層した周知の 層構成を成すものであり、少なくとも光磁気記録層を含む層をいう。

【０００８】 本考案者等は、樹脂保護層の膜厚は、光記録層上で15μm 以下であれば、通常 の光磁気ディスクの磁界変調記録方式におけるフライングヘッドの情報記録が良 好に行えることを確認した。すなわち、フライングヘッドの浮上量は5 〜10μm 程度が一般的であり（光磁気ディスクでは、記録領域の大きさを決定するのはレ ーザー光のスポットサイズであるため、フライングヘッドによる磁場の広がりは 比較的大きくてよく、その浮上量も大きくてよい。なお、ハードディスク等に使 用される磁気ヘッドでは、記録領域の大きさが磁気ヘッド自体に関係するために 、その浮上量ができる限り小さくなるように追究されており、現在では1 μm 程 度である。) 、フライングヘッドと光記録層との距離が25μm を越えると、フラ イングヘッドの記録に要する磁場が光記録層に到達しなくなり記録不能となるこ とが判った。

【０００９】 また、一般に樹脂保護層はスピンコート法により光記録層上に塗布形成される ため、基板の外周に樹脂保護層が厚く形成され隆起が生じる。この隆起の高さが 高すぎると、フライングヘッドがこれに衝突し、光記録層への情報記録が困難と なる。そこで、フライングヘッドの安定した浮上及び確実な記録を実現させるた めに、光記録層上の樹脂保護層の膜厚を15μm 以下とし、かつ樹脂保護層の最大 高さと光記録層の記録領域内の樹脂保護層の最大高さとの差が記録ヘッドの浮上 量未満としたのである。

【００１０】

【作用】

上記構成の光磁気ディスクによれば、また、ディスクの最外周において、フラ イングヘッドが樹脂保護層に接触せずに安定した浮上を行うことができ、光記録 層が形成されている領域全般にわたり、フライングヘッドの確実な情報記録が実 現される。

【００１１】

【実施例】

本考案に係る一実施例を図面に基づいて詳細に説明する。 図１に示す光磁気ディスクＤは、ポリカーボネート等の樹脂から成るディスク 状の基板１( 厚み1.2 mm) の一主面上に、光記録層２をスパッタリングで形成し 、さらにスピンコート法により樹脂保護層３と基板１の他の主面にハードコート 層４を形成したものである。

【００１２】 ここで、光記録層２は、窒化珪素の第１誘電体層、非晶質Gd-Dy-Fe系の光磁気 記録層、窒化珪素の第２誘電体層、及び金属アルミニウムの反射層を順次積層し たものである。なお、光記録層２は上記材料に限定されるものではなく周知の材 料で構成し得る。

【００１３】 また、樹脂保護層３は下部層と上部層とから成り、下部層はウレタンアクリル 系の紫外線硬化型樹脂を 4〜14μm 厚に塗布形成したものであり、上部層はアク リル系の紫外線硬化型樹脂にシリカのフィラー（粒径 1〜10μm , 平均粒径約 4 μm ) を含有させた樹脂を約 6μm 厚に塗布形成したものであり、樹脂保護層全 体として表１及び表２に示すような種々の膜厚を有する光磁気ディスクの試料を 作製した。

【００１４】 なお、下部層及び上部層の材料としては、上記材料の他に例えばアクリル系、 エポキシ系、ポリエステル系、アクリル酸エステル系、ウレタンアクリル系、ポ リエーテル系、シリコン系等の紫外線硬化型、熱硬化型、嫌気性硬化型、湿気性 硬化型などが使用可能である。また、上部層のフィラーは上記材料の他に Al ₂ O ₃ ,Si ₃ N ₄ ,SiC,CdS,ZnS,SiO等のセラミックとを樹脂に混合しても良く、さ らに導電性のあるセラミック例えばＩＴＯ( SnO ₂ 添加のIn₂ O ₃ ),Sb₂ O ₃ ,I rO₂ ,MoO₂ ,NbO₂ ,PtO₂ ,RuO₂ ,WO ₂ 等の酸化物、MoC,NbC,TaC,TiC,WC等の炭化 物、NbN,Ta₂ N,TiN,ZrN,VN等の窒化物等を混合しても良い。

【００１５】 次に、これら各試料について電気的特性の一つであるＣ／Ｎ値を測定した。す なわち、ディスク回転時における測定位置での線速度を約15m/s とし、荷重約 4 g 、浮上量約10μm のフライングヘッドを用いて、磁界変調方式による記録再生 を行いＣ／Ｎ値を測定した。

【００１６】

【表１】

【００１７】

【表２】

【００１８】 表１に、樹脂保護層３の膜厚によるＣ／Ｎ値の変化を示す。この結果から明ら かなように、膜厚が15μm 以下ではＣ／Ｎ値は45dB以上であるが、膜厚が15μm を越えるとＣ／Ｎ値は45dB未満となり、フライングヘッドによる記録が不十分で あった。この結果より、磁界変調記録方式においては樹脂保護層の膜厚は、光記 録層２の記録領域内では15μm 以下が好適であることが判明した。

【００１９】 表２に、光記録層２の記録領域最外周の樹脂保護層３の高さ（図３に示すよう に、光記録層２の記録領域内では最大の高さｈ₁ となる。）と、基板１の外周部 における樹脂保護層３の高さ（この箇所は、樹脂保護層３のスピンコート法によ る形成の際に隆起するので、図３に示すように、樹脂保護層３の最大の高さｈ₂ となっている（隆起３ａ）。）との差、及び試料のＣ／Ｎ値を測定した結果を示 す。表２から明らかなように、膜厚差がフライングヘッドの浮上量の10μm 以下 では、Ｃ／Ｎ値は45dB以上であり、図２（ａ）に示すように、光記録層２の記録 領域最外周を情報記録する場合にも、フライングヘッド５により良好で安定した 情報記録がなされるのに対して、膜厚差が10μm を越えると、光記録層２の記録 領域最外周を記録するときに、図２（ｂ）に示すように、基板１の外周に形成さ れた樹脂保護層３の隆起３ａにフライングヘッド５が接触し、接触音が発生した 。しかも、このときのＣ／Ｎ値は45dB未満となった上、フライングヘッドの浮上 特性が悪化した結果、記録不能となった。このことから、光記録層２の記録領域 と基板１の外周での樹脂保護層３の膜厚差はフライングヘッドの浮上量より小さ くする必要があることが判明した。

【００２０】 なお、樹脂保護層３の層構造は上述した実施例に限定されるものではなく、例 えば単層構造や３層以上の構造であってもよく、本考案の要旨を逸脱しない範囲 内で適宜変更し実施しうる。

【００２１】

【考案の効果】

以上述べたように、本考案の光磁気ディスクによれば、樹脂保護層の膜厚を最 適化したので、フライングヘッドを安定に浮上させることができ、情報記録を確 実に行うことのできる信頼性のきわめて高い光磁気ディスクを提供することがで きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案に係る一実施例の光磁気ディスクの部分
断面図である。

【図２】（ａ），（ｂ）はそれぞれフライングヘッドと
樹脂保護層との位置関係を説明する光磁気ディスクの部
分断面図である。

【図３】光磁気ディスクの基板外周部の部分拡大図であ
る。

【符号の説明】

１ ・・・ 基板 ２ ・・・ 光記
録層 ３ ・・・ 樹脂保護層 ４ ・・・ ハー
ドコート層 ５ ・・・ フライングヘッド Ｄ ・・・ 光磁気ディスク

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の一主面側に設けた光記録層を樹脂
   保護層で被覆し、前記光記録層に浮上式の記録ヘッドを
   用いて情報の書き込みを行う光磁気ディスクにおいて、
   前記光記録層の記録領域内の前記樹脂保護層の膜厚を15
   μm 以下とし、かつ前記樹脂保護層の最大高さと前記光
   記録層の記録領域内の樹脂保護層の最大高さとの差が記
   録ヘッドの浮上量未満としたことを特徴とする光磁気デ
   ィスク。