JPH0651900B2 - 非晶質金属細線 - Google Patents
非晶質金属細線Info
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- JPH0651900B2 JPH0651900B2 JP60166560A JP16656085A JPH0651900B2 JP H0651900 B2 JPH0651900 B2 JP H0651900B2 JP 60166560 A JP60166560 A JP 60166560A JP 16656085 A JP16656085 A JP 16656085A JP H0651900 B2 JPH0651900 B2 JP H0651900B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C45/00—Amorphous alloys
- C22C45/04—Amorphous alloys with nickel or cobalt as the major constituent
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は，Ｃｏ系非晶質合金が有する低磁歪，高透磁
率，高飽和磁束密度の優れた性質を維持しながら，バイ
アス磁場に対して安定な性質を有し，断面が円形な非晶
質金属細線に関するものである。
率，高飽和磁束密度の優れた性質を維持しながら，バイ
アス磁場に対して安定な性質を有し，断面が円形な非晶
質金属細線に関するものである。
（従来の技術） 非晶質磁性合金材料は，その材料の優れた電磁気特性か
ら種々の実用化研究が進められている。特にCo-Fe-Si-B
系非晶質合金は，特定の組成をとることによって極めて
低い磁歪を実現できるため，磁気ヘッド，磁気センサー
等の構成材料としての期待が大きく，さらに透磁率，磁
束密度等を向上させるために，Co-Fe-Si-B系非晶質合金
に各種の元素を添加して電磁特性を改善することが盛ん
に行われている。例えば，Nb,Ni,V,Ta,Ti,Zr,Cr,Mo,W等
の元素を適当量添加して透磁率を向上させたリボン状の
非晶質合金がある（特開昭５４−７２７１５号公報，特
開昭５４−８９９１８号公報，特開昭５４−１０７８２
６号公報，特開昭５４−１０７８２７号公報，特開昭５
７−１３１３７号公報及び特開昭５８−３１０５３号公
報参照）。
ら種々の実用化研究が進められている。特にCo-Fe-Si-B
系非晶質合金は，特定の組成をとることによって極めて
低い磁歪を実現できるため，磁気ヘッド，磁気センサー
等の構成材料としての期待が大きく，さらに透磁率，磁
束密度等を向上させるために，Co-Fe-Si-B系非晶質合金
に各種の元素を添加して電磁特性を改善することが盛ん
に行われている。例えば，Nb,Ni,V,Ta,Ti,Zr,Cr,Mo,W等
の元素を適当量添加して透磁率を向上させたリボン状の
非晶質合金がある（特開昭５４−７２７１５号公報，特
開昭５４−８９９１８号公報，特開昭５４−１０７８２
６号公報，特開昭５４−１０７８２７号公報，特開昭５
７−１３１３７号公報及び特開昭５８−３１０５３号公
報参照）。
一方，断面が円形なＣｏ系非晶質金属細線としては，特
開昭５７−７９０５２号公報がある。この公報には，真
円度が９０％以上で，線径斑が４％以下の非常に均一な
形状を有する高品質の金属細線が記載されている。
開昭５７−７９０５２号公報がある。この公報には，真
円度が９０％以上で，線径斑が４％以下の非常に均一な
形状を有する高品質の金属細線が記載されている。
（発明が解決しようとする問題点） 従来のＣｏ系非晶質金属，例えば前記した特開昭５４−
１０７８２７号公報に記載されている(Co0.92Fe0.06Ta
0.02)75Si10B15からなる組成，及び特開昭５８−３１０
５３号公報に記載されている(Co0.91Fe0.06Nb0.03)77Si
15B8からなる組成等で本発明者らが，片ロール法を用い
て非晶質金属リボン材を作製したところ，低磁歪，高透
磁率，高飽和磁束密度であったが，バイアス磁場が印加
されると透磁率が急激に低下した。すなわち，Co-Fe-Ta
-Si-B系合金，Co-Fe-Nb-Si-B系合金などの溶湯を銅等の
熱伝導度の大きな材料からなる回転冷却ロールに噴出
し，厚さ約５〜１００μｍ，幅２〜１００mmの非晶質金
属リボン材を作製したところ，この非晶質金属リボン材
は，バイアス磁場の影響を受け，透磁率の低下が著しか
った。
１０７８２７号公報に記載されている(Co0.92Fe0.06Ta
0.02)75Si10B15からなる組成，及び特開昭５８−３１０
５３号公報に記載されている(Co0.91Fe0.06Nb0.03)77Si
15B8からなる組成等で本発明者らが，片ロール法を用い
て非晶質金属リボン材を作製したところ，低磁歪，高透
磁率，高飽和磁束密度であったが，バイアス磁場が印加
されると透磁率が急激に低下した。すなわち，Co-Fe-Ta
-Si-B系合金，Co-Fe-Nb-Si-B系合金などの溶湯を銅等の
熱伝導度の大きな材料からなる回転冷却ロールに噴出
し，厚さ約５〜１００μｍ，幅２〜１００mmの非晶質金
属リボン材を作製したところ，この非晶質金属リボン材
は，バイアス磁場の影響を受け，透磁率の低下が著しか
った。
このように，バイアス磁場により透磁率が低下するリボ
ン材は，例えば，座標読取装置に適用すると，東西南北
の方角の相違による地磁気の影響及び計器付近の着磁体
による影響等，微弱なバイアス磁場によって得られる信
号が急激に弱くなるため，実用に供することはできなか
った。
ン材は，例えば，座標読取装置に適用すると，東西南北
の方角の相違による地磁気の影響及び計器付近の着磁体
による影響等，微弱なバイアス磁場によって得られる信
号が急激に弱くなるため，実用に供することはできなか
った。
一方，特開昭５７−７９０５２号公報に記載されている
Ｃｏ系非晶質金属細線は，電磁特性，耐食性等に優れて
いるが，これもバイアス磁場により透磁率が低下し，例
えば，前記した座標読取装置用の材料としては不充分で
あった。
Ｃｏ系非晶質金属細線は，電磁特性，耐食性等に優れて
いるが，これもバイアス磁場により透磁率が低下し，例
えば，前記した座標読取装置用の材料としては不充分で
あった。
（問題点を解決するための手段） そこで本発明者らは，これらの現状に鑑み，Ｃｏ系非晶
質合金が有する低磁歪，高透磁率，高飽和磁束密度を維
持しながら，バイアス磁場の影響を受けにくい非晶質磁
性合金材料を提供することを目的として鋭意研究した結
果，特定の組成を有するCo-Fe-Si-B系の合金組成に特定
量のNb,Ta,Pd,Pt,Cuを添加し，断面を円形にすると，上
記の目的が達成される非晶質金属細線が得られるという
事実，及び得られた細線がバイアス磁場に対して安定で
あり、しかも透磁率を向上させ，飽和磁束密度を下げな
いという優れた性質を有するという事実を見い出し，本
発明に到達したものである。
質合金が有する低磁歪，高透磁率，高飽和磁束密度を維
持しながら，バイアス磁場の影響を受けにくい非晶質磁
性合金材料を提供することを目的として鋭意研究した結
果，特定の組成を有するCo-Fe-Si-B系の合金組成に特定
量のNb,Ta,Pd,Pt,Cuを添加し，断面を円形にすると，上
記の目的が達成される非晶質金属細線が得られるという
事実，及び得られた細線がバイアス磁場に対して安定で
あり、しかも透磁率を向上させ，飽和磁束密度を下げな
いという優れた性質を有するという事実を見い出し，本
発明に到達したものである。
すなわち，本発明は組成式 (Co1-a-bFeaMb)100-X-YSiXBY （但し，ＭはNb,Ta,Pd,Pt,Cuのうちの少なくとも１種の
元素で，Ｘ＜２０原子％，７原子％≦Ｙ＜３５原子％，
７原子％＜Ｘ＋Ｙ≦３５原子％，0.01≦ａ≦0.1,0.001
≦ｂ≦0.05である。）で示される組成よりなり，バイア
ス磁場に対して安定な性質を有し，断面が円形な非晶質
金属細線である。
元素で，Ｘ＜２０原子％，７原子％≦Ｙ＜３５原子％，
７原子％＜Ｘ＋Ｙ≦３５原子％，0.01≦ａ≦0.1,0.001
≦ｂ≦0.05である。）で示される組成よりなり，バイア
ス磁場に対して安定な性質を有し，断面が円形な非晶質
金属細線である。
本発明の非晶質金属細線は，低磁歪，高透磁率，高飽和
磁束密度を有し，バイアス磁場の影響を受けにくい，靱
性の優れた材料であり、その合金組成は上記の特性を満
足するために以下のように限定することが必要である。
磁束密度を有し，バイアス磁場の影響を受けにくい，靱
性の優れた材料であり、その合金組成は上記の特性を満
足するために以下のように限定することが必要である。
すなわち、ＳｉとＢの総和は７原子％を超え，３５原子
％以下であることが必要で，１５原子％以上，３２原子
％以下であることか好ましい。ＳｉとＢの総和が７原子
％以下，あるいは３５原子％を超えると，非晶質単相の
金属細線は得られず，靱性に乏しくなり，後加工の段階
で大きな問題を生じ，工業的に好ましくない。
％以下であることが必要で，１５原子％以上，３２原子
％以下であることか好ましい。ＳｉとＢの総和が７原子
％以下，あるいは３５原子％を超えると，非晶質単相の
金属細線は得られず，靱性に乏しくなり，後加工の段階
で大きな問題を生じ，工業的に好ましくない。
また，上記したようなＳｉとＢの総和の適正量範囲内で
あっても，Ｓｉは２０原子％未満であることが必要で，
7.5原子％以上，17.5原子％以下であることが好まし
い。Ｓｉの量が２０原子％以上の場合には，非晶質単相
の金属細線は得られず，靱性に乏しくなる。同様に，Ｂ
に関しても７原子％以上で３５原子％未満であることが
必要で，7.5原子％以上で２５原子％以下であることが
好ましい。Ｂの量が７原子％未満あるいは３５原子％以
上であると，靱性に乏しくなる。
あっても，Ｓｉは２０原子％未満であることが必要で，
7.5原子％以上，17.5原子％以下であることが好まし
い。Ｓｉの量が２０原子％以上の場合には，非晶質単相
の金属細線は得られず，靱性に乏しくなる。同様に，Ｂ
に関しても７原子％以上で３５原子％未満であることが
必要で，7.5原子％以上で２５原子％以下であることが
好ましい。Ｂの量が７原子％未満あるいは３５原子％以
上であると，靱性に乏しくなる。
次に，ＣｏとＦｅとＭの総和を１とした場合，Ｆｅの比
率は0.01以上0.1以下であることが必要である。Ｆｅ量
が0.1を超えた場合は，磁歪は正に大きくなり，またＦ
ｅが0.01未満の場合は，磁歪は負に大きくなる。
率は0.01以上0.1以下であることが必要である。Ｆｅ量
が0.1を超えた場合は，磁歪は正に大きくなり，またＦ
ｅが0.01未満の場合は，磁歪は負に大きくなる。
また，Ｍに関してはNb,Ta,Pd,Pt,Cuのうちの少なくとも
１種の元素で，0.001以上で0.05以下であることが必要
で，0.003以上で0.04以下であることが好ましい。0.05
を越えると，靱性は極めて低下し，脆くなり実用に供さ
ず，0.001未満では，添加元素の効果はみられず，バイ
アス磁場の影響により透磁率の低下が大きくなる。さら
に本発明の細線には，通常の工業材料中に存在する程度
の不純物が含まれていてもよい。
１種の元素で，0.001以上で0.05以下であることが必要
で，0.003以上で0.04以下であることが好ましい。0.05
を越えると，靱性は極めて低下し，脆くなり実用に供さ
ず，0.001未満では，添加元素の効果はみられず，バイ
アス磁場の影響により透磁率の低下が大きくなる。さら
に本発明の細線には，通常の工業材料中に存在する程度
の不純物が含まれていてもよい。
本発明の細線を製造するのには，前記合金組成を用い，
製造法として特に好ましい回転液中紡糸法により急冷固
化させればよい。回転液中紡糸法としては，特開昭５６
−１６５０１６号公報や特開昭５７−７９０５２号公報
に記載されているように，回転ドラムの中に水を入れ，
遠心力でドラム内壁に水膜を形成させ，この水膜中に溶
融した合金を約８０〜２００μｍ径の紡糸ノズルより噴
出し，円形断面を有する細線を得る方法があげられる。
特に，均一な連続細線を得るには，回転ドラムの周速度
を紡糸ノズルより噴出される溶融金属流の速度と同速度
にするか，またはそれ以上にすることが望まれ，特に回
転ドラムの周速度を紡糸ノズルより噴出される溶融金属
流の速度よりも５〜３０％速くすることが好ましい。ま
た，紡糸ノズルより噴出される溶融金属流とドラム内壁
に形成された水膜との角度は２０°以上が好ましい。
製造法として特に好ましい回転液中紡糸法により急冷固
化させればよい。回転液中紡糸法としては，特開昭５６
−１６５０１６号公報や特開昭５７−７９０５２号公報
に記載されているように，回転ドラムの中に水を入れ，
遠心力でドラム内壁に水膜を形成させ，この水膜中に溶
融した合金を約８０〜２００μｍ径の紡糸ノズルより噴
出し，円形断面を有する細線を得る方法があげられる。
特に，均一な連続細線を得るには，回転ドラムの周速度
を紡糸ノズルより噴出される溶融金属流の速度と同速度
にするか，またはそれ以上にすることが望まれ，特に回
転ドラムの周速度を紡糸ノズルより噴出される溶融金属
流の速度よりも５〜３０％速くすることが好ましい。ま
た，紡糸ノズルより噴出される溶融金属流とドラム内壁
に形成された水膜との角度は２０°以上が好ましい。
本発明の細線は，線径が約５０〜２５０μｍであり，し
かも６０％以上，好ましくは８０％以上，特に好ましく
は９０％以上の真円度を有し，好ましくは線径斑が４％
以下の均一な形状を有する細線である。
かも６０％以上，好ましくは８０％以上，特に好ましく
は９０％以上の真円度を有し，好ましくは線径斑が４％
以下の均一な形状を有する細線である。
本発明の非晶質金属細線は，低磁歪，高透磁率，高飽和
磁束密度を有し，靱性に優れ，かつバイアス磁場による
透磁率の低下のほとんどない材料である。例えば，円形
断面を有する高品質の(Co0.93Fe0.065Nb0.005)72.5Si
12.5B15からなる非晶質磁性金属細線は，１８０°密着
曲げが可能で靱性に優れ，磁場を２０ｅ印加した時の
磁束密度(B20)は7.5ＫＧであり，周波数１００ＫHzにお
ける透磁率（μ100）も１９４０と高く，磁歪もほとん
ど零であった。さらに，Ｈｃも0.060ｅと従来の(Co
0.94Fe0.06)72.5Si12.5B15非晶質金属細線のＨｃ0.036
ｅよりも大きく，バイアス磁場による影響を受けにく
く，磁気的に安定であった。ところが，同一組成である
(Co0.93Fe0.065Nb0.005)72.5Si12.5B15非晶質リボン材
では，靱性及びＢ20は上記の同組成の本発明の非晶質金
属細線と同程度であるが，μ100は９５０と低く，また
Ｈｃも0.003ｅと非常に小さいため，地磁気等微弱な
バイアス磁場にも影響を受け，透磁率が大きく低下し，
例えば座標読取装置等に用いる場合，得られる信号が極
めて小さくなる場合もあり，安定性が非常に欠落してい
た。
磁束密度を有し，靱性に優れ，かつバイアス磁場による
透磁率の低下のほとんどない材料である。例えば，円形
断面を有する高品質の(Co0.93Fe0.065Nb0.005)72.5Si
12.5B15からなる非晶質磁性金属細線は，１８０°密着
曲げが可能で靱性に優れ，磁場を２０ｅ印加した時の
磁束密度(B20)は7.5ＫＧであり，周波数１００ＫHzにお
ける透磁率（μ100）も１９４０と高く，磁歪もほとん
ど零であった。さらに，Ｈｃも0.060ｅと従来の(Co
0.94Fe0.06)72.5Si12.5B15非晶質金属細線のＨｃ0.036
ｅよりも大きく，バイアス磁場による影響を受けにく
く，磁気的に安定であった。ところが，同一組成である
(Co0.93Fe0.065Nb0.005)72.5Si12.5B15非晶質リボン材
では，靱性及びＢ20は上記の同組成の本発明の非晶質金
属細線と同程度であるが，μ100は９５０と低く，また
Ｈｃも0.003ｅと非常に小さいため，地磁気等微弱な
バイアス磁場にも影響を受け，透磁率が大きく低下し，
例えば座標読取装置等に用いる場合，得られる信号が極
めて小さくなる場合もあり，安定性が非常に欠落してい
た。
（実施例） 以下，本発明を実施例により具体的に説明する。
実施例１〜16，比較例１〜23 表−１に示す各種組成からなるＣｏ系合金をアルゴンガ
ス雰囲気中で溶融した後，アルゴンガス噴出圧4.5kg／c
m2で孔径0.13mmの石英ガラス製紡糸ノズルにより，３０
０rpmで回転している内径５００mmの円筒ドラム内に形
成された温度４℃，深さ２５mmの冷却液中に噴出して急
冷凝固させ，円形断面を有する直径１２０μｍの連続し
た非晶質金属細線を作製した。
ス雰囲気中で溶融した後，アルゴンガス噴出圧4.5kg／c
m2で孔径0.13mmの石英ガラス製紡糸ノズルにより，３０
０rpmで回転している内径５００mmの円筒ドラム内に形
成された温度４℃，深さ２５mmの冷却液中に噴出して急
冷凝固させ，円形断面を有する直径１２０μｍの連続し
た非晶質金属細線を作製した。
このとき，紡糸ノズルと回転冷却液面との距離を３mmに
保持し，紡糸ノズルより噴出された溶融金属流とその回
転冷却液面とのなす角は約６５°であった。
保持し，紡糸ノズルより噴出された溶融金属流とその回
転冷却液面とのなす角は約６５°であった。
また，比較のため，表−１に示す組成で，銅からなる回
転冷却ロールに噴出して，断面が偏平な非晶質合金（リ
ボン材）を作製した（比較例３，４，11,12,17,18）。
転冷却ロールに噴出して，断面が偏平な非晶質合金（リ
ボン材）を作製した（比較例３，４，11,12,17,18）。
得られた非晶質合金の電磁特性，１８０°密着曲げ性及
び形状について測定し，その結果を表−１にまとめて示
す。ここで，真円度として連続した細線の長さ方向を１
０点選び，その各点の断面の長径(R)と短径(r)との比ｒ
／Ｒ×１００(%)の平均値で求めたものであり，また，
線径斑としてレーザー線径測定機により細線を５０ｍ走
行させ，連続的な平均線径を測定させることにより得ら
れた平均線径の変動率を求めたものである。また，交流
５０Hzにおける保磁力Hc及び２０ｅにおける磁束密度
Ｂ20の測定は，理研電子社製ＢＨカーブトレーサーによ
り交流磁化曲線から行い，透磁率μ（１０ｍｅ，１０
０ＫHz）の測定は，長さ４０cmの細線材またはリボン材
試料をコイル中に挿入し，ＹＨＰ社製インピーダンスア
ナライザーを用いて測定した。磁歪に関しては，成瀬科
学機械社製磁歪測定装置を用いて低磁歪であることを確
認した。
び形状について測定し，その結果を表−１にまとめて示
す。ここで，真円度として連続した細線の長さ方向を１
０点選び，その各点の断面の長径(R)と短径(r)との比ｒ
／Ｒ×１００(%)の平均値で求めたものであり，また，
線径斑としてレーザー線径測定機により細線を５０ｍ走
行させ，連続的な平均線径を測定させることにより得ら
れた平均線径の変動率を求めたものである。また，交流
５０Hzにおける保磁力Hc及び２０ｅにおける磁束密度
Ｂ20の測定は，理研電子社製ＢＨカーブトレーサーによ
り交流磁化曲線から行い，透磁率μ（１０ｍｅ，１０
０ＫHz）の測定は，長さ４０cmの細線材またはリボン材
試料をコイル中に挿入し，ＹＨＰ社製インピーダンスア
ナライザーを用いて測定した。磁歪に関しては，成瀬科
学機械社製磁歪測定装置を用いて低磁歪であることを確
認した。
表中でＶＨで示されているバイアス磁場に対する安定度
は，次の様にして決定した。すなわち，インピーダンス
アナライザーを用いて，試料の繊維軸方向にバイアス磁
場を０ｅから0.4ｅまで連続的に変化させながら透
磁率μ（１００ＫHz）を測定し，バイアス磁場−透磁率
曲線から下記の式を用いてバイアス磁場に対する透磁率
の変化率ＶＨを算出した。
は，次の様にして決定した。すなわち，インピーダンス
アナライザーを用いて，試料の繊維軸方向にバイアス磁
場を０ｅから0.4ｅまで連続的に変化させながら透
磁率μ（１００ＫHz）を測定し，バイアス磁場−透磁率
曲線から下記の式を用いてバイアス磁場に対する透磁率
の変化率ＶＨを算出した。
（μ100)０；バイアス磁場の印加されていないときの透
磁率 （μ100)0.4；バイアス磁場が0.4ｅ印加されたときの
透磁率 表−１より，実施例１，２，７，８，11,12は，同組成
の比較例３，４，11,12,17,18と比較して，ＶＨの値は
非常に小さいことが明らかである。すなわち，同一組成
の合金であっても非晶質金属リボン材の場合は，ＶＨの
値が大きく，バイアス磁場に対する安定性が本発明の円
形断面である非晶質金属細線特有なものであることを示
している。
磁率 （μ100)0.4；バイアス磁場が0.4ｅ印加されたときの
透磁率 表−１より，実施例１，２，７，８，11,12は，同組成
の比較例３，４，11,12,17,18と比較して，ＶＨの値は
非常に小さいことが明らかである。すなわち，同一組成
の合金であっても非晶質金属リボン材の場合は，ＶＨの
値が大きく，バイアス磁場に対する安定性が本発明の円
形断面である非晶質金属細線特有なものであることを示
している。
また，実施例１〜16は，ＶＨの値が0.22〜0.60であり，
添加元素のない比較例１のＶＨの値2.01と比較して非常
に小さく，バイアス磁場に対して非常に安定しているこ
とを示している。例えば，比較例１，実施例１，比較例
３のバイアス磁場の影響による透磁率の低下は，比較例
１ではバイアス磁場のない場合μ100＝１８２０であっ
たものが，バイアス磁場が0.4ｅ印加されるとμ100＝
２８６に低下した。また，比較例３は，バイアス磁場の
ない場合μ100＝９５０であったものが，バイアス磁場
が0.4ｅ印加されるとμ100＝９０に低下した。これら
に対し実施例１は，バイアス磁場のない場合にはμ100
＝１９４０であったものが，バイアス磁場が0.4ｅ印
加されてもμ100＝１５８０と透磁率の低下は極めて小
さかった。
添加元素のない比較例１のＶＨの値2.01と比較して非常
に小さく，バイアス磁場に対して非常に安定しているこ
とを示している。例えば，比較例１，実施例１，比較例
３のバイアス磁場の影響による透磁率の低下は，比較例
１ではバイアス磁場のない場合μ100＝１８２０であっ
たものが，バイアス磁場が0.4ｅ印加されるとμ100＝
２８６に低下した。また，比較例３は，バイアス磁場の
ない場合μ100＝９５０であったものが，バイアス磁場
が0.4ｅ印加されるとμ100＝９０に低下した。これら
に対し実施例１は，バイアス磁場のない場合にはμ100
＝１９４０であったものが，バイアス磁場が0.4ｅ印
加されてもμ100＝１５８０と透磁率の低下は極めて小
さかった。
次に，比較例２，８，10,14,16,20,22は，組成が本発明
の範囲外であるため，バイアス磁場による透磁率の低下
が大きく，従ってＶＨの値も大きくなっている。また，
比較例５〜７，９，13,15,19,21,23は，組成が本発明の
範囲外であるため，靱性に乏しく，１８０°密着曲げが
不可能であった。中でも比較例６，７，23は，非晶質相
とはならず，結晶化をおこし，脆く，軟磁性をも示さな
かった。
の範囲外であるため，バイアス磁場による透磁率の低下
が大きく，従ってＶＨの値も大きくなっている。また，
比較例５〜７，９，13,15,19,21,23は，組成が本発明の
範囲外であるため，靱性に乏しく，１８０°密着曲げが
不可能であった。中でも比較例６，７，23は，非晶質相
とはならず，結晶化をおこし，脆く，軟磁性をも示さな
かった。
（発明の効果） 本発明の非晶質金属細線は，低磁歪，高透磁率，高飽和
磁束密度であり，しかも靱性に優れ，バイアス磁場に対
して安定な性質を有している。そのため，従来適用が困
難であった座標読取装置，電流センサー，うず電流セン
サー，磁気センサー，変位センサー等の電磁用材料とし
て用いることができる。
磁束密度であり，しかも靱性に優れ，バイアス磁場に対
して安定な性質を有している。そのため，従来適用が困
難であった座標読取装置，電流センサー，うず電流セン
サー，磁気センサー，変位センサー等の電磁用材料とし
て用いることができる。
さらに本発明の非晶質金属細線は，耐食性，疲労特性に
も優れ，腐食性雰囲気あるいは歪のかかるような箇所に
おいても，その使用に何ら支障をきたさないという特長
も有している。
も優れ，腐食性雰囲気あるいは歪のかかるような箇所に
おいても，その使用に何ら支障をきたさないという特長
も有している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−25449（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】組成式 (Co1-a-bFeaMb)100-X-YSiXBY （但し，ＭはNb,Ta,Pd,Pt,Cuのうちの少なくとも１種の
元素で，Ｘ＜２０原子％，７原子％≦Ｙ＜３５原子％，
７原子％＜Ｘ＋Ｙ≦３５原子％，0.01≦ａ≦0.1,0.001
≦ｂ≦0.05である。） で示される組成よりなり，バイアス磁場に対して安定な
性質を有し，断面が円形な非晶質金属細線。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60166560A JPH0651900B2 (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 非晶質金属細線 |
| CA000514392A CA1281561C (en) | 1985-07-26 | 1986-07-22 | Fine amorphous metallic wires |
| EP86305696A EP0212863B1 (en) | 1985-07-26 | 1986-07-24 | Fine amorphous metallic wires |
| DE8686305696T DE3662404D1 (en) | 1985-07-26 | 1986-07-24 | Fine amorphous metallic wires |
| US06/889,709 US4657604A (en) | 1985-07-26 | 1986-07-28 | Fine amorphous metal wires |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60166560A JPH0651900B2 (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 非晶質金属細線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6227539A JPS6227539A (ja) | 1987-02-05 |
| JPH0651900B2 true JPH0651900B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=15833524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60166560A Expired - Fee Related JPH0651900B2 (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 非晶質金属細線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0651900B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6428884B1 (ja) | 2017-09-11 | 2018-11-28 | 愛知製鋼株式会社 | 磁気センサ用感磁ワイヤおよびその製造方法 |
| JP6791227B2 (ja) * | 2018-11-02 | 2020-11-25 | 愛知製鋼株式会社 | 磁気センサ用感磁ワイヤおよびその製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5713137A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-23 | Toshiba Corp | Amorphous alloy for magnetic head |
| JPS5779052A (en) * | 1980-10-16 | 1982-05-18 | Takeshi Masumoto | Production of amorphous metallic filament |
| JPS5825449A (ja) * | 1981-08-05 | 1983-02-15 | Toshiba Corp | 磁気ヘツド用非晶質磁性合金 |
| JPS5831053A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-23 | Toshiba Corp | 非晶質合金 |
-
1985
- 1985-07-26 JP JP60166560A patent/JPH0651900B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6227539A (ja) | 1987-02-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |