JPH0651000Y2 - モールド型ホトダイオード - Google Patents

モールド型ホトダイオード

Info

Publication number
JPH0651000Y2
JPH0651000Y2 JP16127388U JP16127388U JPH0651000Y2 JP H0651000 Y2 JPH0651000 Y2 JP H0651000Y2 JP 16127388 U JP16127388 U JP 16127388U JP 16127388 U JP16127388 U JP 16127388U JP H0651000 Y2 JPH0651000 Y2 JP H0651000Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photodiode
lead frame
resistor
chip
earth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP16127388U
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0282054U (ja
Inventor
洋志 滝川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Priority to JP16127388U priority Critical patent/JPH0651000Y2/ja
Publication of JPH0282054U publication Critical patent/JPH0282054U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0651000Y2 publication Critical patent/JPH0651000Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、例えばリードフレーム上にホトダイオード等
の半導体チップを実装したモールド型ホトダイオードに
関するものである。
〔従来の技術〕
従来、このようなホトダイオードは、第3図に示すよう
に構成されている。即ち、第3図において、ホトダイオ
ード1は、二つのリードフレーム2及び3を含んでお
り、一方のリードフレーム2の拡大された先端部2a上に
ホトダイオードチップ4をダイボンディングすると共
に、このホトダイオードチップ4の上面と他方のリード
フレーム3の先端部3aとを金線等によりワイヤボンディ
ングした後に、これら二つのリードフレーム2,3の先端
部及びホトダイオードチップ4とそのワイヤボンディン
グ部分を包囲するように樹脂モールド5を施すことによ
り、構成されている。
このように構成されたホトダイオード1は、二つのリー
ドフレーム2,3の樹脂モールド5から突出している自由
端2b,3bに適宜リード線を接続することによって、例え
ば第4図に示すように、一方のリードフレーム2を定電
圧電源に接続すると共に、他方のリードフレーム3をア
ンプ6の入力端子及び抵抗7を介してアース端子に接続
するようにして、ホトダイオードチップ4に光が入射し
たときに生じる光電流を抵抗7にて分圧して電圧変換
し、この電圧をアンプ6により増幅して、光の入射を検
出することができる。
〔考案が解決しようとする問題点〕
しかしながら、上述のように構成されたホトダイオード
1においては、リードフレーム2,3の間に電圧が印加さ
れた場合に、樹脂モールド5を介して該リードフレーム
2,3の間にリーク電流が流れることとなり、電気的には
該ホトダイオードチップ4に対して並列に絶縁抵抗8が
接続されたと同様の状態になり、抵抗7の電圧は該リー
ドフレーム2,3間のリーク電流だけ上昇し、さらに電流
ノイズが発生している場合には、ホトダイオードチップ
1に入射する光信号の他に絶縁抵抗8を通して電流ノイ
ズがアンプ6の入力に重畳されることになる。従って、
アンプ6の入力端子に印加される抵抗7の電圧が変化す
ることから、ホトダイオードチップ4に入射する光の検
出が正確に行なわれ得なくなってしまう等、動作信頼性
の点で問題があった。
本考案は、以上の点に鑑み、二つのリードフレーム間に
て樹脂モールドを介してリーク電流が流れないようにし
た、動作信頼性の高いモールド型ホトダイオードを提供
することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕
上記目的は、本考案によれば、拡大された先端部に半導
体チップがダイボンディングされた第一のリードフレー
ムと、先端部がこの半導体チップの上面にワイヤボンデ
ィングされる第二のリードフレームとを有するモールド
型ホトダイオードにおいて、上記第一のリードフレーム
と第二のリードフレームとの間に、導電性材料からなり
アース端子に接続されたアースガードを配設したことに
より達成される。
この考案によれば、半導体チップが接続されるべき第一
及び第二のリードフレームの間に、アースに接続される
べきアースガードが存在するので、樹脂モールド中をリ
ーク電流が流れたとしても、このリーク電流は第一及び
第二のリードフレーム間には流れず、それぞれ該第一及
び第二のリードフレームから上記アースガードに流れる
だけであるため、例えば定電圧に対して本ホトダイオー
ド及び抵抗を直列に接続した場合、該抵抗の両端に発生
する電圧がリーク電流によって上昇するようなことは実
質的に排除される。従って半導体チップとしてホトダイ
オードチップを使用して、このホトダイオードチップに
入射する光を検出するような場合にも、動作信頼性が高
く、この光検出が正確に行なわれ得ることになる。
〔実施例〕
以下、図面に示した実施例に基づいて本考案を詳細に説
明する。
第1図は、本考案によるモールド型ホトダイオードの一
実施例を示している。このホトダイオード10は、二つの
リードフレーム11及び12を含んでおり、一方のリードフ
レーム11の拡大された先端部11a上にホトダイオードチ
ップ13をダイボンディングすると共に、このホトダイオ
ードチップ13の上面と他方のリードフレーム12の先端部
12aとを金線等によりワイヤボンディングした後に、こ
れら二つのリードフレーム11,12の先端部11a,12a及びホ
トダイオードチップ13とそのボンディングワイヤ周辺部
分を包囲するように樹脂モールド14を施すことにより、
構成されている。
以上の構成は、第3図に示した従来のホトダイオード1
と同様の構成であるが、本考案によるホトダイオード10
においては、樹脂モールド14を施す前に、リードフレー
ム11及び12の間にて、該リードフレーム11のホトダイオ
ードチップ13を載置した先端部11aを包囲するように形
成された導電性材料から成るアースガード15が配設され
ており、このアースガード15を含むように樹脂モールド
14が施されている。
本考案実施例は以上のように構成されており、二つのリ
ードフレーム11,12の樹脂モールド14から突出している
自由端11b,12bに適宜リード線を接続し、且つアースガ
ード15をアース端子に接続することによって、例えば第
2図に示すように、一方のリードフレーム11を定電圧電
源に接続すると共に、他方のリードフレーム12をアンプ
16の入力端子及び抵抗17を介してアース端子に接続する
ようにし、ホトダイオードチップ13に光が入射したとき
に生じる光電流を該抵抗17により電圧変換し、この電圧
をアンプ16により増幅して、光の入射を検出することが
できる。
この場合、樹脂モールド14中をリーク電流が流れると、
リードフレーム11,12の間にはアース端子に接続される
ことによりアース電位に保持されたアースガード15が存
在しているので、上記リードフレーム11,12の先端部11
a,12aから樹脂モールド14中に流れるリーク電流は、ア
ースガード15に到達して、該アースガード15を通ってア
ース端子に逃がされる。そのため、電気的には第2図に
示すように、ホトダイオードチップ13の両端が絶縁抵抗
18または19を介してアース端子に接続されたと同様の状
態になる。
このとき、ホトダイオードチップ13の定電圧側の絶縁抵
抗18は直接にアース端子に接続されているので、このホ
トダイオードチップ13と抵抗17の電圧には全く影響しな
い。また該ホトダイオードチップ13の他側の絶縁抵抗19
は抵抗17に対して並列に接続されているので、見かけ上
の抵抗17の抵抗値がわずかに減少することになるが、一
般に抵抗17に比較し、抵抗19は無視できる程大きいの
で、該ホトダイオードチップ13に対する負荷特性に変化
を与えるものではなく、アンプ16の入力電位に対して影
響を与えない。従って実質的には抵抗17の電圧はリーク
電流によって電圧上昇を生じないので、アンプ16の入力
端子に印加される電圧は変化せず、かくして正確な光検
出動作が行なわれ得る。
〔考案の効果〕
以上述べたように本考案によれば、拡大された先端部に
半導体チップがダイボンディングされた第一のリードフ
レームと、先端部が該半導体チップの上面にワイヤボン
ディングされる第二のリードフレームとを含むホトダイ
オードにおいて、上記第一のリードフレームと第二のリ
ードフレームとの間に、導電性材料からなりアース端子
に接続されたアースガードが配設されているように構成
したから、樹脂モールド中をリーク電流が流れたとして
も、このリーク電流は第一及び第二のリードフレーム間
には流れず、それぞれ該第一及び第二のリードフレーム
から上記アースガードに流れるだけである。そのため、
例えば定電圧に対して本ホトダイオード及び抵抗を直列
に接続した場合、該抵抗の両端に発生する電圧がリーク
電流によって上昇するようなことが実質的に排除され
る。従って、半導体チップとしてホトダイオードチップ
を使用して、このホトダイオードチップに入射する光を
検出するような場合にも、動作信頼性が高く、この光検
出が正確に行なわれ得ることになる。
かくして、本考案によれば、二つのリードフレーム間に
て樹脂モールドを介してリーク電流が実質的に流れるこ
とがなく、従って動作信頼性の高い、極めて優れたホト
ダイオードが提供され得ることとなる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案によるモールド型ホトダイオードの一実
施例を示す概略平面図、第2図は第1図のホトダイオー
ドの電気的構成を示す回路図である。 第3図は従来のホトダイオードの一例を示す概略平面
図、第4図は第3図のホトダイオードの電気的構成を示
す回路図である。 10……半導体装置;11,12……リードフレーム;11a,12a…
…先端部;13……ホトダイオードチップ;14……樹脂モー
ルド;15……アースガード;16……アンプ;17……抵抗;1
8,19……絶縁抵抗。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】拡大された先端部に半導体チップがダイボ
    ンディングされた第一のリードフレームと、先端部が該
    半導体チップの上面にワイヤボンディングされる第二の
    リードフレームとを含むモールド型ホトダイオードにお
    いて、 第一のリードフレームと第二のリードフレームとの間
    に、導電性材料からなりアース端子に接続されたアース
    ガードが配設されていることを特徴とするモールド型ホ
    トダイオード。
JP16127388U 1988-12-14 1988-12-14 モールド型ホトダイオード Expired - Lifetime JPH0651000Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16127388U JPH0651000Y2 (ja) 1988-12-14 1988-12-14 モールド型ホトダイオード

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16127388U JPH0651000Y2 (ja) 1988-12-14 1988-12-14 モールド型ホトダイオード

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0282054U JPH0282054U (ja) 1990-06-25
JPH0651000Y2 true JPH0651000Y2 (ja) 1994-12-21

Family

ID=31444060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16127388U Expired - Lifetime JPH0651000Y2 (ja) 1988-12-14 1988-12-14 モールド型ホトダイオード

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0651000Y2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0282054U (ja) 1990-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001015655A (ja) パワーmosfetダイと、小型感知mosfetを備えた制御および保護回路ダイとを有するハイブリッドパッケージ
JPH07174599A (ja) 半導体センサー装置およびその製造方法
US4198564A (en) Pyroelectric detector circuits and devices
US3978343A (en) Optically coupled isolator circuit having increased common mode rejection
US4977317A (en) Resin-molded type photosensor
JPH0651000Y2 (ja) モールド型ホトダイオード
EP0102101A1 (en) Pyroelectric infra-red radiation detector
JP2824360B2 (ja) 電流検出用半導体装置
JP3497977B2 (ja) 受光素子およびこれを用いた光結合装置
US6949731B2 (en) Light-receiving module having a light-receiving device on a die-capacitor
US4439673A (en) Two terminal integrated circuit light-sensor
JP3300651B2 (ja) 安定化電源装置
JP2001091613A (ja) 磁気センサ用マルチチップモジュール
JPH01191481A (ja) 受光素子
JP2589876B2 (ja) 半導体集積回路装置
WO2021130809A1 (ja) 半導体装置および半導体モジュール
JPH01100955A (ja) チップ封止用パッケージ
JPH04106985A (ja) ホトカプラ
GB1354009A (en) Strain sensor
JPH04206778A (ja) 半導体加速度検出装置
JPH07169990A (ja) 光受信装置
JPH0288135U (ja)
JPH04367285A (ja) 光電変換半導体装置
JPS6192840U (ja)
JPH05346361A (ja) 半導体圧力センサ