JPH05346361A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH05346361A JPH05346361A JP17935592A JP17935592A JPH05346361A JP H05346361 A JPH05346361 A JP H05346361A JP 17935592 A JP17935592 A JP 17935592A JP 17935592 A JP17935592 A JP 17935592A JP H05346361 A JPH05346361 A JP H05346361A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- pressure
- stress
- stress relaxation
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 モールド封止形圧力センサの出力特性精度の
向上を図る。 【構成】 モールドパッケージにおいて、圧力検出部分
に加わる圧力以外の応力を緩和するように応力緩和溝９
を圧力検出部分から離れた位置に配置した。 【効果】 モールド封止後の残留応力や熱応力が応力緩
和溝に集中し、圧力検出部分の応力が緩和され、圧力に
対する出力特性精度が向上する。
向上を図る。 【構成】 モールドパッケージにおいて、圧力検出部分
に加わる圧力以外の応力を緩和するように応力緩和溝９
を圧力検出部分から離れた位置に配置した。 【効果】 モールド封止後の残留応力や熱応力が応力緩
和溝に集中し、圧力検出部分の応力が緩和され、圧力に
対する出力特性精度が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体圧力センサの
アセンブリ構造に関するものである。
アセンブリ構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５、図６は従来のモールド封止形半導
体圧力センサの断面図と斜視図であり、図において、１
は半導体圧力センサチップ、２はそのダイヤフラム領
域、３はこのダイヤフラム領域２のチップ表面側に形成
される歪ゲージ抵抗、４はガラス台座、５はこのガラス
台座４がダイボンドされるダイパッド、６はアウターリ
ード、７はこのアウターリード６と圧力センサチップ１
上に形成される電極パッドとを接続するワイヤ、８はモ
ールド樹脂である。
体圧力センサの断面図と斜視図であり、図において、１
は半導体圧力センサチップ、２はそのダイヤフラム領
域、３はこのダイヤフラム領域２のチップ表面側に形成
される歪ゲージ抵抗、４はガラス台座、５はこのガラス
台座４がダイボンドされるダイパッド、６はアウターリ
ード、７はこのアウターリード６と圧力センサチップ１
上に形成される電極パッドとを接続するワイヤ、８はモ
ールド樹脂である。
【０００３】次に動作について説明する。ダイヤフラム
領域２は真空中で圧力センサチップ１とガラス台座４を
接合することで真空室となり、この真空室が基準圧力と
なり外圧が圧力センサチップ表面に加わると、薄肉化し
ているダイヤフラム領域２が歪む。これにより歪みゲー
ジ抵抗３の抵抗値がピエゾ抵抗効果により変化すること
で、図示しない歪ゲージ抵抗４本のブリッジ回路により
圧力に応じた電気出力信号がワイヤ７、アウターリード
６を介して取り出される。ここで、圧力検知部分である
ダイヤフラム領域２のチップ表面側はモールド封止され
ておらず、また、ガラス台座４をダイボンドするダイパ
ッド５は、もとアウターリード６と一体となったリード
フレームである。
領域２は真空中で圧力センサチップ１とガラス台座４を
接合することで真空室となり、この真空室が基準圧力と
なり外圧が圧力センサチップ表面に加わると、薄肉化し
ているダイヤフラム領域２が歪む。これにより歪みゲー
ジ抵抗３の抵抗値がピエゾ抵抗効果により変化すること
で、図示しない歪ゲージ抵抗４本のブリッジ回路により
圧力に応じた電気出力信号がワイヤ７、アウターリード
６を介して取り出される。ここで、圧力検知部分である
ダイヤフラム領域２のチップ表面側はモールド封止され
ておらず、また、ガラス台座４をダイボンドするダイパ
ッド５は、もとアウターリード６と一体となったリード
フレームである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体圧力セン
サは以上のように構成されているので、モールド樹脂の
応力、熱応力が直接圧力センサ素子に加わり、圧力以外
の外力で出力信号が変化して圧力に対する出力特性精度
が悪いなどの問題点があった。
サは以上のように構成されているので、モールド樹脂の
応力、熱応力が直接圧力センサ素子に加わり、圧力以外
の外力で出力信号が変化して圧力に対する出力特性精度
が悪いなどの問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、モールド樹脂が圧力センサ素
子、特に圧力検知部分である歪ゲージ抵抗近傍へ加える
応力を緩和することを目的とする。
ためになされたもので、モールド樹脂が圧力センサ素
子、特に圧力検知部分である歪ゲージ抵抗近傍へ加える
応力を緩和することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体圧
力センサは、モールド樹脂で形成されるパッケージに応
力緩和溝を設けたものである。
力センサは、モールド樹脂で形成されるパッケージに応
力緩和溝を設けたものである。
【０００７】
【作用】この発明においては、モールド時に発生する残
留応力や熱変化によってモールド樹脂が伸縮することで
発生する熱応力が応力緩和溝に集中し、応力検知部分を
低応力化する。
留応力や熱変化によってモールド樹脂が伸縮することで
発生する熱応力が応力緩和溝に集中し、応力検知部分を
低応力化する。
【０００８】
実施例１．以下この発明の一実施例を図について説明す
る。図１、図２において、１〜８は上記従来例と同一部
品を示しており、９はモールド樹脂８で形成されるパッ
ケージに設けられた応力緩和溝である。ここで応力緩和
溝９は、モールド樹脂８によりパッケージを形成すると
きと同時に形成され、かつ圧力検知部分から離れた位置
に配置されている。
る。図１、図２において、１〜８は上記従来例と同一部
品を示しており、９はモールド樹脂８で形成されるパッ
ケージに設けられた応力緩和溝である。ここで応力緩和
溝９は、モールド樹脂８によりパッケージを形成すると
きと同時に形成され、かつ圧力検知部分から離れた位置
に配置されている。
【０００９】次に動作について説明する。圧力に対して
電気信号を取り出す方法は従来と同様であるが、ここで
モールド樹脂がパッケージ形成後に圧力センサ素子に加
える残留応力や熱変化で発生する熱応力は、応力緩和溝
９に集中し、歪みゲージ抵抗に加わる圧力以外の応力は
緩和され、応力による電気出力信号の誤差が減少する。
電気信号を取り出す方法は従来と同様であるが、ここで
モールド樹脂がパッケージ形成後に圧力センサ素子に加
える残留応力や熱変化で発生する熱応力は、応力緩和溝
９に集中し、歪みゲージ抵抗に加わる圧力以外の応力は
緩和され、応力による電気出力信号の誤差が減少する。
【００１０】実施例２．また上記実施例１に加え、図
３、図４のごとく、受圧部分の外周にも測定用応力緩和
溝１０を設けると、実施例１の効果に加え、測定用応力
緩和溝１０に測定用ゴムパイプを装着できるため、特性
検査が容易に行える効果が生まれる。
３、図４のごとく、受圧部分の外周にも測定用応力緩和
溝１０を設けると、実施例１の効果に加え、測定用応力
緩和溝１０に測定用ゴムパイプを装着できるため、特性
検査が容易に行える効果が生まれる。
【００１１】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、モール
ド樹脂に応力緩和溝を設けたことで、圧力以外の応力が
圧力検知部分に加わることが抑制でき、これによって圧
力センサの圧力に対する電気出力特性精度の向上が図れ
る。
ド樹脂に応力緩和溝を設けたことで、圧力以外の応力が
圧力検知部分に加わることが抑制でき、これによって圧
力センサの圧力に対する電気出力特性精度の向上が図れ
る。
【図１】この発明の実施例１による断面図。
【図２】この発明の実施例１による斜視図。
【図３】この発明の実施例２による断面図。
【図４】この発明の実施例２による斜視図。
【図５】従来の半導体圧力センサの断面図。
【図６】従来の半導体圧力センサの斜視図。
１ 半導体圧力センサチップ ２ ダイヤフラム領域 ３ 歪ゲージ抵抗 ４ ガラス台座 ５ ダイパッド ６ アウターリード ７ ワイヤ ８ モールド樹脂 ９ 応力緩和溝 １０ 測定用応力緩和溝
Claims (2)
- 【請求項１】 裏面にダイヤフラム領域を形成した圧力
センサチップとガラス台座とを真空室を介して接合した
圧力センサ素子を、圧力検知部分である上記ダイヤフラ
ム領域のチップ表面側を残してモールド封止してなる半
導体圧力センサにおいて、上記モールド樹脂の外面の上
記圧力検知部分から離れた位置に応力緩和溝を備えた半
導体圧力センサ。 - 【請求項２】 受圧部分の外周にも測定用圧力緩和溝を
設けた請求項１記載の半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17935592A JPH05346361A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17935592A JPH05346361A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05346361A true JPH05346361A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=16064399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17935592A Pending JPH05346361A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05346361A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2016017155A1 (ja) * | 2014-07-30 | 2017-05-25 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 三次元形状造形物の製造方法および三次元形状造形物 |
-
1992
- 1992-06-12 JP JP17935592A patent/JPH05346361A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2016017155A1 (ja) * | 2014-07-30 | 2017-05-25 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 三次元形状造形物の製造方法および三次元形状造形物 |
| US10413970B2 (en) | 2014-07-30 | 2019-09-17 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Method for manufacturing three-dimensional shaped object and three-dimensional shaped object |
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