JPH04367285A - 光電変換半導体装置 - Google Patents
光電変換半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光電変換半導体装置に
関し、特に受光素子または受光素子とその出力信号処理
回路が同一チップ内に集積化された半導体素子のパッケ
ージ構造に関する。
関し、特に受光素子または受光素子とその出力信号処理
回路が同一チップ内に集積化された半導体素子のパッケ
ージ構造に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は、この種従来の光電変換半導体装
置の断面図と樹脂封止前の平面図である。同図に示され
るように、リードフレーム23のダイパット23b上に
光電変換半導体素子21をダイボンドし、次に半導体素
子21のパッドとリードフレーム23のリード23aと
の間をボンディングワイヤ26により接続する。
置の断面図と樹脂封止前の平面図である。同図に示され
るように、リードフレーム23のダイパット23b上に
光電変換半導体素子21をダイボンドし、次に半導体素
子21のパッドとリードフレーム23のリード23aと
の間をボンディングワイヤ26により接続する。
【0003】次に、半導体素子21の表面を軟質樹脂2
7で被覆し、続いてトランスファモールド法により透明
樹脂体25により封止する。
7で被覆し、続いてトランスファモールド法により透明
樹脂体25により封止する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の光電変換半導体
装置は上記のように構成されたものであったため、以下
の問題があった。■ 従来例では、組み立てにダイボ
ンディング、ワイヤボンディング、軟質樹脂による被覆
、トランスファモールド等多くの工数が必要であり、ま
た、高価なボンディング装置を2種類必要とするので、
組み立て工程のコスト高が避け難かった。
装置は上記のように構成されたものであったため、以下
の問題があった。■ 従来例では、組み立てにダイボ
ンディング、ワイヤボンディング、軟質樹脂による被覆
、トランスファモールド等多くの工数が必要であり、ま
た、高価なボンディング装置を2種類必要とするので、
組み立て工程のコスト高が避け難かった。
【0005】■ ボンディングワイヤが後の工程で垂
れて他のリードと短絡したり、断線事故を起こすことが
あり、また、ワイヤが受光素子上に懸かる場合には受光
感度の低下問題も生じた。
れて他のリードと短絡したり、断線事故を起こすことが
あり、また、ワイヤが受光素子上に懸かる場合には受光
感度の低下問題も生じた。
【0006】■ 半導体素子表面を覆う軟質樹脂はそ
の形状が一定になりにくいので、受光素子への集光が一
定化されずそのため製品間のばらつきが大きくなった。
の形状が一定になりにくいので、受光素子への集光が一
定化されずそのため製品間のばらつきが大きくなった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明による光電変換半
導体装置は、透明絶縁基板上にリードを接着し、そのリ
ード上にフリップチップ型の光電変換半導体素子をフェ
イスダウンボンディングし、全体を透明樹脂でモールド
したものである。
導体装置は、透明絶縁基板上にリードを接着し、そのリ
ード上にフリップチップ型の光電変換半導体素子をフェ
イスダウンボンディングし、全体を透明樹脂でモールド
したものである。
【0008】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は本発明の第1の実施例の断面図と封
止前の平面図である。本実施例を組み立てるには、まず
、図1の(b)に示すように、リードフレーム13のリ
ード13aの先端の集合した部分に透明絶縁基板14を
貼着する。次に、半田バンプ12を有する光電変換半導
体素子11をリード13a上にフェイスダウンボンディ
ングし、全体を透明樹脂15によりモールドする。その
後、半導体装置をリードフレーム13から切断分離する
。
て説明する。図1は本発明の第1の実施例の断面図と封
止前の平面図である。本実施例を組み立てるには、まず
、図1の(b)に示すように、リードフレーム13のリ
ード13aの先端の集合した部分に透明絶縁基板14を
貼着する。次に、半田バンプ12を有する光電変換半導
体素子11をリード13a上にフェイスダウンボンディ
ングし、全体を透明樹脂15によりモールドする。その
後、半導体装置をリードフレーム13から切断分離する
。
【0009】本発明の光電変換半導体装置はこのように
、素子−リード間の接続にワイヤを使用していないので
、ワイヤの断線、短絡が発生することがなく、また受光
素子上にワイヤが懸かることがなくなる。
、素子−リード間の接続にワイヤを使用していないので
、ワイヤの断線、短絡が発生することがなく、また受光
素子上にワイヤが懸かることがなくなる。
【0010】また、ボンディング工程が一工程で済むこ
とから、工程が簡素化されコストダウンを図ることがで
きる。さらに、素子表面を軟質樹脂で覆わなくなったの
で、受光素子の表面の状態を一定化することができ光学
的特性のばらつきを抑えることができる。
とから、工程が簡素化されコストダウンを図ることがで
きる。さらに、素子表面を軟質樹脂で覆わなくなったの
で、受光素子の表面の状態を一定化することができ光学
的特性のばらつきを抑えることができる。
【0011】また、リードの先端部を透明絶縁板上に固
定しているので、リードの先端部の形状が作業工程中に
変形することがなくなり、安定したボンディングが可能
となる。
定しているので、リードの先端部の形状が作業工程中に
変形することがなくなり、安定したボンディングが可能
となる。
【0012】図2は、本発明の第2の実施例の断面図で
ある。本実施例の先の実施例と相違する点は、透明絶縁
板14にレンズ部14aが設けられ、半田に代えて高温
半田14aが用いられ、また、透明樹脂体15の外周部
にレンズ部14aを保護するための突起部15aが形成
されている点である。本実施例は先の実施例と同様の効
果を有する外、パッケージ自体が集光機能を持っている
ためより効果的に集光を行わせることができる。
ある。本実施例の先の実施例と相違する点は、透明絶縁
板14にレンズ部14aが設けられ、半田に代えて高温
半田14aが用いられ、また、透明樹脂体15の外周部
にレンズ部14aを保護するための突起部15aが形成
されている点である。本実施例は先の実施例と同様の効
果を有する外、パッケージ自体が集光機能を持っている
ためより効果的に集光を行わせることができる。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光電変換
半導体装置は、透明絶縁基板上にリードを設け、リード
上にフリップチップ型光電変換半導体素子をフェイスダ
ウンボンディングした後、透明樹脂によりモールドした
ものであるので、本発明によれば、ボンディングワイヤ
を用いたときに生じたワイヤのたるみや断線、他のリー
ドとの短絡等の不良が発生することがなくなる。そして
、従来2種類必要であったボンディング工程が1種だけ
になり、しかもギャングボンディング方式を採用してい
るので、工程の簡素化、組み立て時間の短縮、設備費用
の削減の効果が期待できる。
半導体装置は、透明絶縁基板上にリードを設け、リード
上にフリップチップ型光電変換半導体素子をフェイスダ
ウンボンディングした後、透明樹脂によりモールドした
ものであるので、本発明によれば、ボンディングワイヤ
を用いたときに生じたワイヤのたるみや断線、他のリー
ドとの短絡等の不良が発生することがなくなる。そして
、従来2種類必要であったボンディング工程が1種だけ
になり、しかもギャングボンディング方式を採用してい
るので、工程の簡素化、組み立て時間の短縮、設備費用
の削減の効果が期待できる。
【0014】さらに、軟質樹脂で、素子表面を被覆する
ことがなくなるので光学的特性を安定化させることがで
きる。また、リードを絶縁基板上に固定しているので、
現状では勿論、リードの細線化、薄膜化が現在以上に進
行した場合であっても、安定した組み立て工程を行わせ
ることが可能となる。
ことがなくなるので光学的特性を安定化させることがで
きる。また、リードを絶縁基板上に固定しているので、
現状では勿論、リードの細線化、薄膜化が現在以上に進
行した場合であっても、安定した組み立て工程を行わせ
ることが可能となる。
【図1】 本発明の第1の実施例の断面図と樹脂封止
前の平面図。
前の平面図。
【図2】 本発明の第2の実施例の断面図。
【図3】 従来例の断面図と樹脂封止前の平面図。
【符号の説明】
11、21…光電変換半導体素子、 12…半田
バンプ、 12a…高温半田、 13、2
3…リードフレーム、 13a、23a…リード
、23b…ダイパッド、 14…透明絶縁基板、
14a…レンズ部、 15、25…透明
樹脂体、 15a…突起部、 26…ボン
ディングワイヤ、27…軟質樹脂。
バンプ、 12a…高温半田、 13、2
3…リードフレーム、 13a、23a…リード
、23b…ダイパッド、 14…透明絶縁基板、
14a…レンズ部、 15、25…透明
樹脂体、 15a…突起部、 26…ボン
ディングワイヤ、27…軟質樹脂。
Claims (2)
- 【請求項1】 透明絶縁基板上に複数のリードが接着
され、リード上にフリップチップ型光電変換半導体素子
の電極がボンディングされ、全体が透明樹脂により樹脂
封止されている光電変換半導体装置。 - 【請求項2】 前記透明絶縁基板が集光レンズ作用を
有している請求項1記載の光電変換半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3168994A JPH04367285A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 光電変換半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3168994A JPH04367285A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 光電変換半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04367285A true JPH04367285A (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=15878384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3168994A Pending JPH04367285A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 光電変換半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04367285A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008545278A (ja) * | 2005-06-30 | 2008-12-11 | サンディスク コーポレイション | 非対称なリードフレームコネクションを有するダイパッケージ |
-
1991
- 1991-06-14 JP JP3168994A patent/JPH04367285A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008545278A (ja) * | 2005-06-30 | 2008-12-11 | サンディスク コーポレイション | 非対称なリードフレームコネクションを有するダイパッケージ |
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