JPH0650793B2 - 基板の形成パターン保護構造 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、基板上にパターン形成された導体膜や抵抗体
膜等を保護するための基板の形成パターン保護構造に関
する。

＜従来の技術＞ 従来、ハイブリッドＩＣ等に於て、第３図に示すよう
に、セラミック等からなる基板２１上に所望のパターン
に形成された例えば導体膜２２、２３を外乱から保護す
ると共に両膜間を互いに絶縁するべく、両膜表面を含む
基板２１の表面を全面に亘りガラス保護膜２４にて覆っ
ている。

上記ガラス保護膜２４としては、特に熱によって抵抗値
が変化し易い抵抗体膜に対してその影響を及ぼすことが
ないように、一般に酸化鉛を多く含み融点が５００℃〜
５５０℃の低融点ガラスを用い、これを塗布した後焼成
することにより成膜していた。

しかしながら、上記したような形成パターンの互いに隣
接する部分間、即ち例えば第３図に示す導体膜２２と導
体膜２３との間は０．３mm程度と近接しており、かつ上
記低融点ガラスはその絶縁性及び耐電圧性が比較的低い
ことから、互いに隣接する部分間に発生する静電気によ
りガラス保護膜２４が損傷し易くなるため、両部分間の
絶縁性が低下し、場合によっては両部分間が短絡するこ
とが考えられる。

＜発明が解決しようとする課題＞ このような従来技術の問題点に鑑み、本発明の主な目的
は、基板上にパターン形成された配線の互いに隣接する
部分間を好適に絶縁すると共に外乱から保護することが
可能な基板の形成パターン保護構造を提供することにあ
る。

［発明の構成］ ＜課題を解決するための手段＞ このような目的は、本発明によれば、基板上にパターン
形成された導体膜、抵抗体膜等の保護構造であって、前
記形成パターンの互いに隣接する部分が各々相対的に絶
縁性、耐電圧性及び融点の低い材料からなるガラス保護
膜に覆われ、かつ前記部分間の露出する基板表面が、相
対的に絶縁性、耐電圧性及び融点の高い材料からなるガ
ラス保護膜により覆われ、前記各ガラス保護膜により前
記各部分間が絶縁されたことを特徴とする基板の形成パ
ターン保護構造を提供することにより達成される。

＜作用＞ このように、パターンの両部分が温度の影響を受け易い
場合でも焼成温度は高いが絶縁性及び耐電圧性の良い高
融点ガラス保護膜をこの両部分が形成されるべき領域間
に形成した後、このパターン部分を形成し、その後、低
融点ガラス保護膜にて覆うようにすることにより、パタ
ーンに熱影響を及ぼすことなく両部分間を好適に絶縁で
きる。

＜実施例＞ 以下、本発明の好適実施例を添付の図面について詳しく
説明する。

第１図は、本発明に基づく保護構造が適用されたハイブ
リッドＩＣに於て、導体膜及び抵抗体膜等が所望のパタ
ーンで形成されたセラミック基板１を示す。

セラミック基板１上にパターン形成された互いに隣接す
る導体膜または抵抗体膜からなる配線パターン２、３
は、耐電圧性及び融点の低い主成分が酸化鉛からなる低
融点ガラス保護膜４及５に覆われている。また、配線パ
ターン２、３の間には、上記低融点ガラスよりも絶縁
性、耐電圧性及び融点の高い材料からなる高融点ガラス
保護膜６が充塞されている。この高融点ガラス保護膜６
は、各パターン２、３と図示されない別のパターンとの
間にも設けられている。

ここで、低融点ガラス保護膜４、５は従来のガラス保護
膜と同様であるが、高融点ガラス保護膜６は、その性質
上低融点ガラス保護膜４、５よりも厚く、更には両パタ
ーン２、３よりも厚くなる。また、高融点ガラス保護膜
６は、主成分が酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化硼素（Ｂ
_２Ｏ_３）、二酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化カルシウム
（ＣａＯ）及びアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、焼成温度が８
５０℃〜９００℃の例えばＬＳ−６０１（商品名：田中
マッシー社製クロスオーバ用ガラス）であって良い異種
ガラスからなるガラスペーストを焼成したものからな
り、絶縁性及び耐電圧性に優れている。従って、両導体
膜２、３間を好適に絶縁できると共に外乱からも好適に
保護できる。

第２図に本実施例に於ける製造手順をフロー図で示す。
ここで、この基板はハイブリッドＩＣ用基板であり、絶
縁されるべきパターンの部分（導体膜または抵抗体膜）
間の距離は０．３mm程度であり、高融点ガラス保護膜の
膜厚は４０μｍ、低融点ガラス保護膜の膜厚は１５μｍ
程度である。このように、導体膜（熱に強いパターン）
→高融点ガラス保護膜→抵抗体膜（熱に弱いパターン）
→低融点ガラス保護膜の順に形成することにより、熱に
弱いパターン部分に影響を及ぼすことがない。従って、
焼成温度の高い異種ガラスからなる高融点ガラス保護膜
にて覆うことができない場合であっても、上記同様なク
ロスオーバ用ガラスであって良い異種ガラスからなる高
融点ガラス保護膜６を両パターン間に充塞することで、
両パターン間を好適に絶縁することができる。また、ガ
ラス保護膜全体を絶縁性、耐電圧性の高い例えばクロス
オーバ用ガラスであって良い異種ガラスからなる高融点
ガラスにて形成すると、その焼成温度が高いことから例
えば抵抗体膜等の比較的熱に弱いパターンに熱による影
響を与えるばかりでなく、このような高融点ガラスはそ
の性質上粘度が高く膜厚が厚くなることから、基板が重
量化すると共に膜強度が低下することが考えられるが、
本発明によれば、上記構造により熱影響、基板の重量化
及び膜強度の低下を伴うことなく隣接するパターン間を
絶縁することができ、更に高価な高融点ガラスの使用量
を最小限にすることができる。

尚、実際には、低融点ガラス保護膜４、５を焼結後にチ
ップ部品、リード線等がはんだ付けされ、ハイブリッド
ＩＣ全体がエポキシ樹脂によりコーティングされること
となる。

［発明の効果］ このように本発明によれば、、基板上の形成パターンに
於て、互いに隣接する部分が形成されるべき領域間に焼
成温度は高いが絶縁性及び耐電圧性に優れた高融点ガラ
ス保護膜を予め設け、各部分を形成し、これら部分を各
々低融点ガラス保護膜にて覆うことで、重量化及び膜強
度の低下を伴うことなく両部分間を好適に絶縁できる。
また、絶縁を必要とするパターン間に耐電圧性の高い高
融点ガラス保護膜を設け、残りの部分を低融点ガラス保
護膜で覆うことで、レイアウト上、またはパターンの熱
的性質上、高融点ガラス保護膜で覆い難いパターン同士
の絶縁をも確実に行い得ると共に高価な高融点ガラスの
使用量を最小限にすることができる。従って、両部分を
互いに一層近接させることが可能となり、基板を高密度
化することも可能となる。以上のことから本発明の効果
は極めて大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に基づく好適実施例を示すハイブリッ
ドＩＣの基板の要部断面図である。 第２図は、第１図のハイブリッドＩＣの形成手順の要部
を示すフローチャートである。 第３図は、従来のハイブリッドＩＣの基板の要部断面図
である。 １…セラミック基板、２、３…導体膜 ４、５…低融点ガラス保護膜 ６…高融点ガラス保護膜 ２１…セラミック基板、２２、２３…導体膜 ２４…ガラス保護膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上にパターン形成された導体膜、抵抗
   体膜等の保護構造であって、 前記形成パターンの互いに隣接する部分が各々相対的に
   絶縁性、耐電圧性及び融点の低い材料からなるガラス保
   護膜に覆われ、かつ前記部分間の露出する基板表面が、
   相対的に絶縁性、耐電圧性及び融点の高い材料からなる
   ガラス保護膜により覆われ、前記各ガラス保護膜により
   前記各部分間が絶縁されたことを特徴とする基板の形成
   パターン保護構造。