JPH06507048A - インシトゥー・メタライゼーションを提供する封止電子パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 インシトゥー・メタライゼーションを提供する封止電子パッケージ 発明の分野 この発明は、電子部品のパッケージングに関する。より特定的には、この発明は それらの製造後に気密封止されかつエンクロージャに入れた後に同調、調整、ま たは再形成（ｒｅｃｏｎｆ　ｉｇｕｒａｔ　１ｏｎ）を行うことによって利益と なるが、エンクロージャに入るとアクセスできない、圧電装置のような装置のた めのパッケージングに関する。

発明の背景 圧電装置が技術的に良く知られておりかつ水晶発振器及び表面音響波共振器を含 む。圧電装置は圧電作用を示す任意の材料で良いと考えられる。

これらの装置の大部分はその上に薄い金属電極が被着された水晶またはクォーツ （ｑｕａｒｔｚ）の薄いスラブ（ｓｌａｂ）からなる。これらの装置の電気的性 質は、水晶の温度、該水晶のスラブがカットされる方向、該スラブの物理的寸法 、並びに該水晶の表面上に被着された電極の数および寸法、を含む数多くの要因 に依存する。

実際上、全ての圧電装置においては、いったん前記水晶スラブの寸法及び形状が 選択されると、圧電装置の性能に影響を与える唯一の残りの変数は電極の数及び 寸法である。

例えば、特定のスラブの水晶及び該水晶の対向面上の少なくとも２つの電極から なる、水晶共振器はその共振周波数が、部分的に、その上に被着された電極の大 きさ及び厚さによって決定される。さらに、任意の与えられた面積の電極に対し 、水晶共振器の共振周波数は前記電極の厚さくすなわち、質量負荷）を増大する ことにより低下させることができ、一方該共振周波数は前記厚さまたは電極の質 量を低減することにより増大することができる。一般に単一片（ｓｉｎｇｌｅ　 ｐｉｅｃｅ）の水晶の上の２つまたはそれ以上の個々の共振段からなるモノリシ ック水晶フィルタは、通過帯域周波数及び帯域幅ならびに入力−出力結合を含む 、その特性が結晶のカットの幾何学的形状のみならず前記電極の厚さ及び表面積 によっても大きな影響を受ける。

圧電装置の製造においては、クォーツの形状が選択された後、前記電極が該クォ ーツの表面上にスパッタリング、蒸着、その他のような良く知られた技術を使用 して被着される。クォーツまたは圧電装置の最終的なチューニングは典型的には （非常にやっかいな）電極材料の選択的な除去を含むか、あるいはそれは導電性 電極材料を制御された環境において付加して装置を所望の一組の仕様を満たすよ うにすることを含む。

封止されたあるいは気密封止された容器に装着されたパッケージングされた圧電 装置（すなわち、メタライズされたクォーツのスラブ）の製造における主な欠陥 の発生源は他の状態で同調された圧電素子が気密封止されたパッケージに実装さ れた場合に受ける周波数シフトである。いわゆる表面実装圧電パッケージを使用 した電子回路基板の製造の間でも、前記メタライズされたクォーツ結晶（水晶） はパッケージまたはケースに納められ、排気され、適切な材料によって封止され 、封止プロセスの間にかつ回路基板の組立プロセスの間にある温度に加熱され、 かつ次に冷却される。メタライズされたクォーツがパッケージに実装される水晶 パッケージそれ自身の最終的な製造の間に、並びに電子回路基板の最終的な組立 の間に、圧電装置の所望の動作周波数特性は、はんの少しであっても、圧電体の エレメントのパッケージへの挿入の前の最終的な同調の間に得られたものから常 に変化し、かつ多くの場合使用できない欠陥部品を生み出すことになる。

パッケージングされた圧電装置の製造の間に受けるこの周波数シフトに対する従 来技術の解決方法は装置のパッケージングの間に受ける予期される周波数シフト に対する補償を行なうことであった。例えば、もしクォーツ共振器が４５．００ メガヘルツの共振周波数を持つことが希望されるが、クォーツスラブのパッケー ジング処理の間にその共振周波数が２０００ヘルツだけ低下することが知られて いれば、クォーツの最終チューニングプロセスにおけるプレート仕上げ操作での 共振周波数は、パッケージング処理の間に、４５メガヘルツに失われる２０００ ヘルツを加えたものに調整することができる。しかしながら、この従来の技術は 、仕上げられるクォーツ片に同じ欠陥、すなわち、同じ周波数シフトを常に挿入 するためにそれ以外の場合では不完全な製造プロセスに依存する。

最終的な動作特性を達成するためあるいは最終的な動作特性に影響を及ぼすため にそれらの面に対する材料の正確な付加または除去を必要とし、かつ加えられる 欠陥の一貫性に依存する必要性を除去する、圧電装置のような、電子部品のため の改良されたパッケージは従来技術に対する改善になるであろう。そのようなパ ッケージは装置が回路基板に導入されても周波数調整を可能にする。

発明の概要 封止電子装置パッケージが提供され、該パッケージはその中にある容積を取り囲 み、そこに電子装置が配置され、かつ該パッケージは前記囲まれた容積内に封じ 込められた後にその封じ込められた装置の調整を可能にする。前記装置はその中 に電子装置が配置される容積を取り囲むベース及びカバーからなる。前記容積内 にそれを閉じる前に所定の雰囲気（ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ）が与えられ、該雰囲 気では適切な電極電位がスパッタリング可能な電極材料及び該電極材料がスパッ タリングされるべき電子装置の上の面に印加された時前記取り囲まれた装置の表 面に対しスパッタリング可能な電極材料がスパッタリングできるようにする。

好ましい実施例では、この封止パッケージは圧電装置が、例えば、その最終的な 組立の後に最終的にその共振周波数にチューニングできるようにする。少量の電 極材料が圧電プレートの面上の電極に被着でき、その質量負荷を増大してその共 振周波数を低減できる。また、電極面から材料をスパッタリング除去（ｄｅ−ｓ 　ｐｕ　ｔ　ｔ　ｅ　ｒ）　して、質量負荷を低減することも可能である。

図面の簡単な説明 第１図は、半導体装置を包含する電子装置パッケージの側面図を示す。

第２図は、圧電装置を取り囲む気密封止パッケージの側面図を示す。

第３図は、第４図に示されるエンクロージャ内に示されるアセンブリの分解斜視 図を示す。

第４図は、好ましい実施例の側面図を示す。

第５図は、別の実施例の側面図を示す。

好ましい実施例の説明 第１図は、パッケージ（１０）内に収容された電子装置の調整及び／または再形 成（ｒｅｃｏｎｆ　ｉｇｕｒａｔ　１ｏｎ）を可能にする対重電子パッケージ（ １０）の側面図を示す。収容された電子袋ｆｆ１（２０）は例えばＥＥＰＲＯＭ または他の集積回路を含むことができる。パッケージ（１０）は少なくとも機械 的にカバー（１４）に結合されたベース（１２）からなり、該パッケージ（１０ ）はベース及びカバーが一緒に結合された時ある容積（１６）を取り囲む。

ベース及びカバー（１２及び１４）をそれぞれ接合することによって前記容積（ １６）を取り囲む前に、前記取り囲まれた容積（１６）は排気されて望ましくな い汚染物を除去する。排気の後、前記容積（１６）は非常に少量のガスが充満さ れ、該ガスは前記容積内にプラズマを生成することを助け、該プラズマによって 電子が前記材料（２２）の表面からスパッタリングできるようにする。前記容積 に加えられた所定の気体雰囲気はカバー及びベースが一緒に接合された時この所 定の気体雰囲気が前記容積（１６）内に封入されるようにする。

適切な電子袋［（２０）（例えば集積回路またはＥＥＰＲＯＭのような、材料を その面の１つの上に選択的にスパッタリングすることにより再形成できるもの） は該電子装置（２０）が永久的にパッケージ（１ｏ）内に収容された後でも、第 １図に示されるようにその上部面のような、少なくとも１つの面上に導電性材料 を被着することにより電気的に再形成することができる。メタライズされるべき 面に適切な電位を選択的に印加することにより、かつ前記容積（１６）内に包含 されるスパッタリング可能な電気的材料（２２）の量によって、電極材料は前記 装置（２０）上に被着てきる。適切な電位をスパッタリング可能な電極材料（２ ２）にかつ電子装置（２０）の導電面に印加することにより、前記容積（１６） に加えられた気体の存在により前記容積（］６）の内側にプラズマを生成するこ とができ、該プラズマは電子袋ｆｊｌ（２０）の面をメタライズしあるいは選択 的にメタライズするために使用できる。

当業者にはこの発明から利益を得るためには、電子装置（２０）はその面上に金 属原子を選択的に被着することが可能なこ吉から利益を受けるものであるべきで あることは明らかである。いわゆる溶融リンク（ｆｕｓｉｂｌｅ　１ｉｎｋｓ） を使用したいくつかの集積回路はプログラミング動作において溶融された面上に 導電性材料をスパッタリングし戻すことによりこれらのリンクを再接続すること ができることから利益を受けるかもしれない。

第２図は、気密封止された圧電パッケージ（１００）の断面図または側面図を示 す。第２図は、好ましくはセラミックであり、カバー（１４）に結合されたベー ス（１２）を示しており、前記カバー（］４）はまた好ましくはセラミックであ り、第２図に示される実施例においてはベース（１２）とカバー（１４）は−緒 に気密的に結合されてカバー（１４）とベース（１２）との間の封止層（ｓｅａ ｌｌａｙｅｒ）（２５）により前記容積（１６）を取り囲んでいる。

最終的な組立の前にまたはベース（１２）をカバー（１４）に結合する前に、し かしながら好ましくはその容積（１６）の排気の前に、前記取り囲まれた容積（ １６）はそこに所定の量のアルゴンガス（１８）が加えられる。該アルゴンガス は前記容積（１６）内にプラズマが形成できるようにし、前記カバー（１４）上 に被着されたスパッタリング可能な電極材料（２２）が該スパッタリング可能な 材料の面から解放できるようにする。（アルゴン以外のガスも同様に使用できる 。）当業者は前記包含された気体（１８）の圧力の適切な選択におけるパッシェ ンの法則（Ｐａｓｃｈｅｎ’　ｓ　Ｉａ、ｗ）と前記スパッタリング可能な電極 材料（２２）の発生源から圧電装置（４０）の面上の電極（４８，５０及び５２ ）を分離する距離の同等に重要な考察事項との関連性を認識するであろう。技術 的にプラズマを確立するのに必要なブレークダウン電圧は前記電極と前記包含さ れた容積（１６）内の雰囲気の圧力との間の距離に依存することが良く知られて いるから、スパッタリング電圧／アルゴン圧力／電極間隔の種々の組合せを特定 の構造及び装置に対して選択できる。

第２図に示されるように、適切な電極電位がスイッチ手段（例えば４または５） の閉成に応じてＤＣ電源（例えば、２または３）から印加することができ、該電 源（単数または複数）は第２図に示されるように互いに独立に各電極（４８また は５０）を選択的にメタライズし、それらに対する質量負荷を増大することがで きかつそれによって圧電装５１（４０）のチューニングを調整することができる 。

（第２図は、圧電クォーツ素子（４０）の底部側のグランド層と組合わされた電 極（４０または５０）からなる第１の共振器を有する圧電フィルタの断面図を示 しており、前記底部層は明瞭化のために図示されていない。）例えば電極（４８ ）を参照すると、圧電パッケージ（１００）の外部への導電経路はクォーツプレ ート（４０）の左側を包むメタリゼーションによって形成され金属ばね部材（８ ８）によって圧電素子を左側で宙づりにしあるいは保持するために使用される導 電性接着塊（ドロップ）に到達する。前記金属サポート（８８）のパターンはフ ィードスル一部（２０）に結合されており、該フィードスル一部（２０）には前 記パッケージが組立てられた製品の中にある場合には信号源にあるいは組立てら れた装置の最終チューニングの間に使用できる電源（２）に接続を行うことがで きる。

前記フィルタを構成する第２の共振器の上部電極（５ｏ）は接着ドロップ（５６ ）、保持部材（８６）、フィードスル一部（３０）及びスイッチ（５）を通って 存在する信号経路によって他の電源（３）に接続されている。前記電源の極性を 適切に選択することによりスパッタリング可能な電極材料（２２）に関して電極 （４８または５０）との間で適切な電位が確立できる。

水晶フィルタに加えて、第２図に示される圧電装置は同様に例えば単一の上部電 極と下部グランドまたは基準電極からなる単一の水晶共振器とすることもできる 。前記圧電装置はまた例えばいわゆる表面音響波装置とすることもできる。第５ 図に示される他の実施例は例えば他のアクティブまたはパッシブ電子部品が実装 されたクォーツ片から成る水晶発振器を含むことができる。

前記好ましい実施例において、容積（１６）内に含められた気体は１及び１００ ミクロンの間の水銀圧のアルゴンガスであった。スパッタリング可能な電極材料 は例えば金または銀を含むが、また同様に任意の導電性材料とすることもできる 。前記カバーはパッケージの外部と前記スパッタリング可能な電極材料（２２） との間の導電経路をも提供する適切なはんだ（ｓｏｌｄｅｒ）を使用してベース に封止される。

第３図は、ベース（１２）、圧電素子（４０）及びそれに含まれるメタライズさ れた電極、及び開口（ａｐｅｒｔｕｒｅ）マスク（７０）の分解斜視図を示す。

スパッタリング用メタライゼーションの実質的な改善は第３図に示されるいわゆ るインシトウ−（ｉｎ−ｓｉｔｕ）または開［１マスク（７０）を使用して行う ことができる。そのようなマスクの使用は「インシトゥー仕上げプレートマスク を備えた表面実装可能な圧電装置」に対する、Ｋ　ｎ　ｅ　ｃ　ｈ　ｔによる、 米国特許出願シリアル番号箱６８９，３９７号に開示されており、この出願は本 特許出願の譲受人に譲渡されている。

前記開口マスク（７０）を参照すると、その中には３つの開ｌ１Ｆ（７２，７４ 及び７６）が含まれており、該開口はマスク（７０）が圧電素子（４０）がそこ から宙づりにされたベース（１２）に実装された時、実質的に圧電素子（４０） の上部面（４２）上の３つのメタライゼーション傾城（それぞれ、５０．５２及 び４８）と整列する。前記圧電素子（４０）は導電性接着ドロップ（５４，５６ ，５７及び５８）によってマスク（７０）に取付けられかつ該マスク（７０）か ら宙づりにされ、前記導電性接着ドロップ（５４，５６，５７及び５８）は前記 マスク（７０）の下側の而及び−ヒに述べた米国特許出願に述べられているよう に前記マスクから切り離されている接続リード（８６及び８８）の相手側の面に 接触している。基板（１２）におけるフィードスル一部またはビア（ｖｉａｓ） （２６，２８及び３０）はメタライズド領域または電極（４８，５２及び５０） への電気的接触ができるようにする。

第４図を参照すると、本発明の好ましい実施例の断面図が示されている。第４図 に示される構造はインシトゥー・メタライゼーション・プロセスによって収容さ れた圧電装ｆｉｌ（４０）の最終的なチューニングかできるようにしており、該 インシトゥー・メタライゼーション・プロセスは所定のプラズマをサポートする アルゴンガスが加えられた前記取り囲まれた容積（１６）内にスパッタリング可 能な材料（２２）を含めることにより可能になる。

この図においては、ベースはバスタブ形状の構造（１２）となっており、該構造 内には第３図に示すものと同様の構造体が配置される。カバー（１４）は該カバ ー（１４）とベース（１２）との間のはんだシール（２５）によって気密封止さ れる。

封入された容積（１６）は所定量のアルゴンガス（１８）が充填される。電極（ ４８）への電気的接続はベース（１２）の底部の導電性ビア（２６）によって第 ３図に示されるフォイル（８８）の部分に行なわれ、かつ導電性ドロップ（５４ ）の第２の共振器素子電極（５ｏ）への接続は前記導電性ビア（３０）及びこれ も第３図に示されたマスク（７０）の第２の信号リード（８６）によって行なわ れる。

マスクの開口（７２，７４及び７６）は実質的に電極（５０，５２及び４８）と 整列し、それによってスパッタリング可能な電極材料（２２）の発生源がらクォ ーツへのそれらの通り道を見つけるスパッタリングされた分子が前記電極の面の 上にあるものに制限されかつクォーツ素子（４０）の他のメタライズされていな い領域へ被着することが制限される。適切な電極電位を印加することによりがつ 第４図に示される実施例において、両方の電極（５０及び４８）には同じ電位が 印加され、分子はスパッタリング可能な材料（２２）からクォーツ素子（４ｏ） の面に対してスパッタリングされて質量負荷を増大することができかつそれによ って装置の共振周波数を低下させることができる。当業者は前記電位発生源（２ ）の電位を適切に選択することによりイオンまたは分子が前記電極面からデスバ ッタリングされあるいは除去されかつたぶんスパッタリング可能な材料（２２） に戻り、そしてそれによって第４図に示される装置の共振周波数を増大させるこ とが可能なことを認識するであろう。

第４図に示される実施例においては、中心電極（５２）は実際には、通常フィー ドスル一部（２８）によってグランドに接続される結合電極である。明瞭化のた め、これを行うのに必要な第３図に示されたフォイルの部分は第４図では示され ていない。

第５図は、水晶発振器をチューニングするために開口マスク（ａｐｅｒｔｕｒｅ 　ｍａｓｋ）を使用する電子装置の他の実施例を示す。第５図においては、種々 の能動（ａｃｔｉｖｅ）及び受動（ｐａｓｓｉｖｅ）部品（９０，９２及び９４ ）が圧電素子それ自体のあるいは該圧電素子のための適切な基板の適切な面上に 配置されている。第５図において注目すべきことはカバー（１４）がそれ自体ス パッタリング可能な材料であり、該カバーは例えばアルミニウム、金または銀の ような材料に選択できる。該カバーはベース（１２）に適切に接合されかつスパ ッタリングのための直接的な電気接続が行なわれる。

前記パッケージ（３００）の外部の適切な電位を結合するための接続手段は、図 示のごとく、圧電素子（４０）に対し被着された適切な信号リードに加えて導電 性ビア（２６及び３０）から構成される。

前記好ましい実施例においては、前記ベース及びカバーはセラミックであった。

シール層（２５）は表面実装製造技術において使用するのに適した溶融温度を有 する適切なはんだであった。前記容積が排気された後に前記取り囲まれた容積（ １６）に逆充填される（ｂａｃｋｆ　ｉ　ｌ　１ｅｄ）アルゴンの雰囲気は電極 間の電位及び間隔に対して選択された１及び１００ミクロン（ｍｉｃｒｏｎｓ） の間の水銀圧（Ｈｇ）を有するアルゴンガスである。もちろん、圧電装置はスパ ッタリングされた材料が被着され得る少なくとも１つの電極を持たなければなら ない。

前記圧電装置をチューニングする方法は主に封入された容積内の気体雰囲気の提 供及びその中にスパッタリング可能な材料を含めることから構成されている。図 面に示されたいずれかの実施例において、それ自体がスパッタリング可能な材料 である頭部（１４）を、第５図に示されるもののように、使用することによって エンクロージャ内に別個のかつ分離した量のそのような材料を加える必要がなく なる。図面に示された本発明のいずれかのさらに他の実施例はそれ自体がスパッ タリング可能な電極材料である（しかしながら回路基板への取付けのために適切 な構造を有する）ベースを使用することも考えられ、また両方ともスル・ツタリ ング可能な電極材料であるベース及びカッく−の双方を含むエンクロージャ全体 を使用することも可能である。（もしこれらのスパッタリング可能な頭部及び／ または底部が使用されれば、パッケージ内の信号経路の適切な電気的絶縁ももち ろん必要である。）しかしながら、各々の電極に適切な電位を選択的に印加する ことにより、装置の質量負荷は増大できる。当業者は装置の質量負荷を質量負荷 を増大するために選択された電位を反転することにより低減できることも少なく とも概念的に可能であることを認識するであろう。そのようなデスバッタリング は圧電素子の面上の電極から材料を除去するために使用できる。

上に述べた構造を使用することにより、パッケージ内に封入された電子装置のそ れ自身による（インシトウ一二１ｎ−ｓｉｔｕ）再形成を行うことが可能である 。もし封入された装置が圧電装置であれば、その動作周波数特性は該圧電装置が ハウジングに永久的に封入された後に調整することができ、前記ハウジングは今 まではその中に装置を封入した後にその装置の特性を調整することを排除してき た。

周波数ずれ（ｏｆ　ｆ　ｆ　ｒｅｑｕｅｎｃｙ）または周波数シフトに起因する 製造上の欠陥は前記圧電面に適切に材料を付加することによって最小にすること ができる。さらに、以上述べた発明を使用して無線機のような電子装置にそれを 導入または包含させた後に発振器の共振周波数を前記電極を適切に付勢すること により調整することも可能である。

前に述べた本発明のそのような使用は無線機またはセルラ電話のような無線通信 装置に使用される発振器の共振周波数に対するいわゆる実時間変更を可能にする 。

フロントページの続き （７２）発明者　クラウス・ジョセフ　ピーアメリカ合衆国イリノイ州　６０１ ８７、ホイートン、キャッスルウッド・ドライブ

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. １．封入された電子装置の調整を可能にする、封止電子装置パッケージであって 、 ベース、 前記ベースに結合されかつそれによってある容積を封入する、カバー、 前記封入された容積内の所定の雰囲気、その面上に少なくとも１つの電極を有す る、前記容積内に封入された電子装置、 前記封入された容積内の、スパッタリング可能な電極材料、 前記電子装置パッケージの外部の電位を前記少なくとも１つの電極の各々、及び 前記封入された容積内の前記スパッタリング可能な電極材料に結合するための接 続手段、を具備する封入された電子装置の調整を可能にする、封止電子装置パッ ケージ。
2. ２．さらに、前記電子装置と前記スパッタリング可能な電極材料との間に開口マ スクを含む、請求の範囲第１項に記載の装置。
3. ３．気密封止圧電パッケージであって、ベース、 前記ベースに結合されかつそれによってある気密封止された容積を封入する、カ バー、 前記封入された容積内の所定の雰囲気、その面上に少なくとも１つの電極を有す る、圧電装置、前記封入された容積内に封入された、スパッタリング可能な電極 材料、 前記圧電パッケージの外部の電位を前記少なくとも１つの電極の内の各々、及び 前記封入された容積内の前記スパッタリング可能な電極材料に結合するための接 続手段、を具備する、気密封止圧電パッケージ。
4. ４．気密封止圧電パッケージであって、セラミックベース、 前記ベースに結合されかつそれによって気密封止されたある容積を封入する、セ ラミックカバー、前記封入された容積内の実質的に１及び１００ミクロンＨｇの 間の圧力を有するアルゴンガスの雰囲気、開口マスク、 前記開口マスクに結合され、その面上に少なくとも１つの電極を有する、圧電装 置、 前記封入された容積内に封入された、スパッタリング可能な電極材料、 前記圧電パッケージの外部の電位を前記少なくとも１つの電極の各々、及び前記 封入された容積内の前記スパッタリング可能な電極材料に結合するための接続手 段、を具備する気密封止圧電パッケージ。
5. ５．ベース及びカバーを有する封入されたパッケージ内の圧電装置をチューニン グする方法であって、前記ベース及びカバーは一緒になってその面上に少なくと も１つの電極を有する圧電装置がその中に配置されるある容積を取り囲み、前記 方法は、 前記封入された容積内に所定の雰囲気を提供する段階、前記封入された容積内に ある量のスパッタリング可能な電極材料を提供する段階、 前記量のスパッタリング可能な電極材料の各々に対しかっ前記圧電装置上の前記 少なくとも１つの電極に対し選択的に電位を印加して前記圧電装置上の前記少な くとも１つの電極の質量負荷を増大する段階、 を具備するベース及びカバーを有する封入されたパッケージ内の圧電装置をチュ ーニングする方法。
6. ６．さらに、前記圧電装置に結合された開口マスクを提供する段階を具備する、 請求の範囲第５項に記載の方法。
7. ７．封入された圧電装置の調整を可能にする、封止圧電装置パッケージであって 、 ベース、 スパッタリング可能な電極材料からなり、前記ベースに結合されかつそれによっ てある容積を封入する、カバー、前記封入された容積内の所定の雰囲気、その面 上に少なくとも１つの電極を有する、前記容積内に封入された圧電装置、 前記圧電装置パッケージの外部の電位を前記少なくとも１つの電極の各々、及び 前記スパッタリング可能な電極材料に結合するための接続手段、 を具備する、封入された圧電装置の調整を可能にする、封止圧電装置パッケージ 。
8. ８．さらに、前記圧電装置と前記スパッタリング可能な電極材料との間に配置さ れた開口マスクを含む、請求の範囲第７項に記載の装置。
9. ９．対人された圧電装置の調整を可能にする、封止圧電装置パッケージであって 、 スパッタリング可能な電極材料からなるベース、前記ベースに結合されかつそれ によってある容積を封入する、カバー、 前記封入された容積内の所定の雰囲気、前記容積内に封入され、その面上に少な くとも１つの電極を有する圧電装置、 前記圧電装置の外部の電位を前記少なくとも１つの電極の各々、及び前記スパッ タリング可能な電極材料に結合するための接続手段、 を具備する封入された圧電装置の調整を可能にする、封止圧電装置パッケージ。
10. １０．さらに、前記圧電装置と前記スパッタリング可能な電極材料との間に開口 マスクを含む、請求の範囲第９項に記載の装置。