JPH064848U - 反射型光電スイッチ - Google Patents
反射型光電スイッチInfo
- Publication number
- JPH064848U JPH064848U JP4545392U JP4545392U JPH064848U JP H064848 U JPH064848 U JP H064848U JP 4545392 U JP4545392 U JP 4545392U JP 4545392 U JP4545392 U JP 4545392U JP H064848 U JPH064848 U JP H064848U
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- JP
- Japan
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- light
- photoelectric switch
- light receiving
- package
- receiving
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光出力のＳ／Ｎ比を向上し、高信頼性の反射
型光電スイッチを実現する。 【構成】 発光素子２と、反射光を受光する受光素子３
とがパッケージ５内に併置されてなる反射型光電スイッ
チにおいて、前記パッケージ５内に、前記受発光素子の
各々の前面に形成された円形スリット１０、１１を有す
る遮光部１２と、前記受発光素子間を遮光する遮光壁１
３とを設け、且つ前記遮光部１２の前記受発光素子寄り
の前記パッケージ５の内壁側に櫛状の縦縞段差部１４を
形成してなることを特徴とする。
型光電スイッチを実現する。 【構成】 発光素子２と、反射光を受光する受光素子３
とがパッケージ５内に併置されてなる反射型光電スイッ
チにおいて、前記パッケージ５内に、前記受発光素子の
各々の前面に形成された円形スリット１０、１１を有す
る遮光部１２と、前記受発光素子間を遮光する遮光壁１
３とを設け、且つ前記遮光部１２の前記受発光素子寄り
の前記パッケージ５の内壁側に櫛状の縦縞段差部１４を
形成してなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【０００１】
【０００２】
本考案は無接触によって物体、スリットの有無等を検出する反射型光電スイッ チに関する。
【０００３】
【０００２】
【０００４】
従来の技術について図３及び図４を参照して説明する。図３は従来例による反 射型光電スイッチの断面図、図４は従来例による反射型光電スイッチの光出力特 性図である。 従来は図３に示すように、ステム１上に発光素子２（レーザ素子 ；波長＝780nm)及び受光素子３（フォトダイオード）が搭載されており、各素子 に対向する位置にレンズ部を有する一体型集光レンズ４が設けられ、これら全体 がキャンパッケージ５に収納されている。
【０００５】
【０００３】 上記構造において、発光素子２より放射された光Ｌ1は集光レンズ４を通り検 出物体６(例えば、横幅D＝50um)にて反射され、該反射光Ｌ2は再び集光レンズ４ を通って受光素子３に入射される。このような１パッケージ化された反射型光電 スイッチはＦＡ及びＯＡ用の微小物体検出用（例；銅素線、微小スリット等）に 用いられていた。
【０００６】
【０００４】 この従来例の反射型光電スイッチの受光特性は、例えば図４のようになる。図 ４において、横軸の移動距離ｌは検出物体６が発光素子２の鉛直線上から受光素 子３へ向かう方向を＋，逆方向を−とした距離（ｍｍ）、縦軸の受光比Ｒは検出 物体６からの反射受光量／白紙からの反射受光量（反射率90%)×100で示される 値（％）である。 図４に示すように、検出物体ありの場合は受光比Ｒの変動によって検知できる 。
【０００７】
【０００５】
【０００８】
ところが、前述の従来構造によれば発光素子２からの乱反射光Ｌ3（ステム１ からの反射光、集光レンズ４からの反射光、ケース５からの反射光等）が受光素 子３へ入射するため光出力のＳ／Ｎ比が悪くなる。（例えば、Ｓ／Ｎ比＝2.48) そこで、本考案の目的は受光素子への乱反射光の入射を防止し、Ｓ／Ｎ比を向上 できる反射型光電スイッチを提供することにある。
【０００９】
【０００６】
【００１０】
前記目的を達成するために本考案は、検出物体に対して照射光を発する発光素 子と、前記検出物体からの反射光を受光する受光素子とがパッケージ内に併置さ れてなる反射型光電スイッチにおいて、前記パッケージ内に、前記受発光素子の 各々の前面に形成された円形スリットを有する遮光部と、前記受発光素子間を遮 光する遮光壁とを設け、且つ前記遮光部の前記受発光素子寄りの前記パッケージ 内壁側に櫛状の縦縞段差部を形成してなることを特徴とする。
【００１１】
【０００７】
【００１２】
本考案の反射型光電スイッチは、以上のように、パッケージ内に前記受発光素 子の各々の前面に形成された円形スリットを有する遮光部と、前記受発光素子間 を遮光する遮光壁とを設けているので、発光素子からの直接光やステム、発光側 レンズ及びケースの内壁で反射された乱反射光の受光素子側への入射を防止でき る。
【００１３】
【０００８】 しかも、前述のように、遮光部の受発光素子側の内壁に、櫛状に縦縞段差部を 形成しているので、前記乱反射光がこの縦縞段差部によってさらに拡散され、受 光素子側への入射防止をより確実なものとでき、光出力のＳ／Ｎ比を向上できる 。
【００１４】
【０００９】
【００１５】
本考案の一実施例について、図１及び図２を参照して説明する。
【００１６】
【００１０】 図１は本実施例による反射型光電スイッチの縦断面図、図２（ａ）乃至（ｄ）は それぞれ、本実施例による反射型光電スイッチのケースの平面図、左側面図、縦 断面図及び裏面図である。
【００１７】
【００１１】 なお、図１及び図２に示した従来例と同一機能部分には同一記号を付している 。ここでは、従来例と異なる部分についてのみ説明する。
【００１８】
【００１２】 本実施例の反射型光電スイッチは図１に示すように、キャンパッケージ５内に 収納されるケース７を有している。そして、単体の発光側レンズ８及び受光側レ ンズ９がそれぞれケース７の上面に嵌め込まれるようなっている。
【００１９】
【００１３】 このケース７には、図２（ａ）乃至（ｄ）に示されるように、発光素子２の前 面にあって発光素子２からの放射光を限定する円形の発光側スリット１０、及び 受光素子の前面にあって検出物体６からの反射光を限定する円形の受光側スリッ ト１１を設けた遮光部１２が設けられ、さらに、この遮光部１２の受発光素子側 及び上面のレンズ側には、遮光部１２の垂直方向に延びて受発光間を遮光する遮 光板１３が設けられている。
【００２０】
【００１４】 また、遮光部１２の受発光素子寄りのケース７内壁には、櫛状に縦縞段差部１ ４が形成されている。そして、上記遮光部１２、遮光板１３及び縦縞段差部１４ はケース７に一体的に形成されている。
【００２１】
【００１５】 以上のように、本実施例の反射型光電スイッチには、円形の受発光側スリット を有する遮光部１２及び遮光板１３が設けられているので、発光素子２からの直 接光やステム１、発光側レンズ８、受光側レンズ９及びケース７の内壁で反射さ れた乱反射光の受光素子３側への入射を防止できる。
【００２２】
【００１６】 しかも、前述のように、遮光部１２の受発光素子寄りのケース７内壁に、櫛状 の縦縞段差部１４を形成しているので、前記乱反射光がこの縦縞段差部によって さらに拡散され、受光素子３側への入射防止をより確実なものとできる。また、 櫛状の縦縞段差部１４は金型の成型も容易であるという利点もある。
【００２３】
【００１７】 このように本実施例によれば、光出力のＳ／Ｎ比を向上でき、高信頼性の反射 型光電スイッチを実現できる。
【００２４】
【００１８】
【００２５】
以上説明したように本考案によれば、光出力のＳ／Ｎ比を向上でき、高信頼性 の反射型光電スイッチを実現できる。
【提出日】平成４年７月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【０００１】
本考案は無接触によって物体、スリットの有無等を検出する反射型光電スイッ チに関する。
【０００２】
従来の技術について図３及び図４を参照して説明する。図３は従来例による反 射型光電スイッチの断面図、図４は従来例による反射型光電スイッチの光出力特 性図である。 従来は図３に示すように、ステム１上に発光素子２（レーザ素子 ；波長＝780nm)及び受光素子３（フォトダイオード）が搭載されており、各素子 に対向する位置にレンズ部を有する一体型集光レンズ４が設けられ、これら全体 がキャンパッケージ５に収納されている。
【０００３】 上記構造において、発光素子２より放射された光Ｌ1は集光レンズ４を通り検 出物体６(例えば、横幅D＝50um)にて反射され、該反射光Ｌ2は再び集光レンズ４ を通って受光素子３に入射される。このような１パッケージ化された反射型光電 スイッチはＦＡ及びＯＡ用の微小物体検出用（例；銅素線、微小スリット等）に 用いられていた。
【０００４】 この従来例の反射型光電スイッチの受光特性は、例えば図４のようになる。図 ４において、横軸の移動距離ｌは検出物体６が発光素子２の鉛直線上から受光素 子３へ向かう方向を＋，逆方向を−とした距離（ｍｍ）、縦軸の受光比Ｒは検出 物体６からの反射受光量／白紙からの反射受光量（反射率90%)×100で示される 値（％）である。 図４に示すように、検出物体ありの場合は受光比Ｒの変動によって検知できる 。
【０００５】
ところが、前述の従来構造によれば発光素子２からの乱反射光Ｌ3（ステム１ からの反射光、集光レンズ４からの反射光、ケース５からの反射光等）が受光素 子３へ入射するため光出力のＳ／Ｎ比が悪くなる。（例えば、Ｓ／Ｎ比＝2.48) そこで、本考案の目的は受光素子への乱反射光の入射を防止し、Ｓ／Ｎ比を向上 できる反射型光電スイッチを提供することにある。
【０００６】
前記目的を達成するために本考案は、検出物体に対して照射光を発する発光素 子と、前記検出物体からの反射光を受光する受光素子とがパッケージ内に併置さ れてなる反射型光電スイッチにおいて、前記パッケージ内に、前記受発光素子の 各々の前面に形成された円形スリットを有する遮光部と、前記受発光素子間を遮 光する遮光壁とを設け、且つ前記遮光部の前記受発光素子寄りの前記パッケージ 内壁側に櫛状の縦縞段差部を形成してなることを特徴とする。
【０００７】
本考案の反射型光電スイッチは、以上のように、パッケージ内に前記受発光素 子の各々の前面に形成された円形スリットを有する遮光部と、前記受発光素子間 を遮光する遮光壁とを設けているので、発光素子からの直接光やステム、発光側 レンズ及びケースの内壁で反射された乱反射光の受光素子側への入射を防止でき る。
【０００８】 しかも、前述のように、遮光部の受発光素子側の内壁に、櫛状に縦縞段差部を 形成しているので、前記乱反射光がこの縦縞段差部によってさらに拡散され、受 光素子側への入射防止をより確実なものとでき、光出力のＳ／Ｎ比を向上できる 。
【０００９】
本考案の一実施例について、図１及び図２を参照して説明する。
【００１０】 図１は本実施例による反射型光電スイッチの縦断面図、図２（ａ）乃至（ｄ）は それぞれ、本実施例による反射型光電スイッチのケースの平面図、左側面図、縦 断面図及び裏面図である。
【００１１】 なお、図１及び図２に示した従来例と同一機能部分には同一記号を付している 。ここでは、従来例と異なる部分についてのみ説明する。
【００１２】 本実施例の反射型光電スイッチは図１に示すように、キャンパッケージ５内に 収納されるケース７を有している。そして、単体の発光側レンズ８及び受光側レ ンズ９がそれぞれケース７の上面に嵌め込まれるようなっている。
【００１３】 このケース７には、図２（ａ）乃至（ｄ）に示されるように、発光素子２の前 面にあって発光素子２からの放射光を限定する円形の発光側スリット１０、及び 受光素子の前面にあって検出物体６からの反射光を限定する円形の受光側スリッ ト１１を設けた遮光部１２が設けられ、さらに、この遮光部１２の受発光素子側 及び上面のレンズ側には、遮光部１２の垂直方向に延びて受発光間を遮光する遮 光板１３が設けられている。
【００１４】 また、遮光部１２の受発光素子寄りのケース７内壁には、櫛状に縦縞段差部１ ４が形成されている。そして、上記遮光部１２、遮光板１３及び縦縞段差部１４ はケース７に一体的に形成されている。
【００１５】 以上のように、本実施例の反射型光電スイッチには、円形の受発光側スリット を有する遮光部１２及び遮光板１３が設けられているので、発光素子２からの直 接光やステム１、発光側レンズ８、受光側レンズ９及びケース７の内壁で反射さ れた乱反射光の受光素子３側への入射を防止できる。
【００１６】 しかも、前述のように、遮光部１２の受発光素子寄りのケース７内壁に、櫛状 の縦縞段差部１４を形成しているので、前記乱反射光がこの縦縞段差部によって さらに拡散され、受光素子３側への入射防止をより確実なものとできる。また、 櫛状の縦縞段差部１４は金型の成型も容易であるという利点もある。
【００１７】 このように本実施例によれば、光出力のＳ／Ｎ比を向上でき、高信頼性の反射 型光電スイッチを実現できる。
【００１８】
以上説明したように本考案によれば、光出力のＳ／Ｎ比を向上でき、高信頼性 の反射型光電スイッチを実現できる。
【図１】本考案の一実施例による反射型光電スイッチの
縦断面図である。
縦断面図である。
【図２】（ａ）乃至（ｄ）はそれぞれ、本考案の一実施
例による上面図、左側面図、縦断面図、裏面図である。
例による上面図、左側面図、縦断面図、裏面図である。
【図３】従来例による反射型光電スイッチの断面図であ
る。
る。
【図４】従来例による反射型光電スイッチの光出力特性
図である。
図である。
２ 発光素子 ３ 受光素子 ５ キャンパッケージ １０ 発光側円形スリット １１ 受光側円形スリット １２ 遮光部 １３ 縦縞段差部
【手続補正書】
【提出日】平成４年７月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【考案の名称】 反射型光電スイッチ
【実用新案登録請求の範囲】
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の一実施例による反射型光電スイッチの
縦断面図である。
縦断面図である。
【図２】（ａ）乃至（ｄ）はそれぞれ、本考案の一実施
例による上面図、左側面図、縦断面図、裏面図である。
例による上面図、左側面図、縦断面図、裏面図である。
【図３】従来例による反射型光電スイッチの断面図であ
る。
る。
【図４】従来例による反射型光電スイッチの光出力特性
図である。
図である。
【符号の説明】 ２ 発光素子 ３ 受光素子 ５ キャンパッケージ １０ 発光側円形スリット １１ 受光側円形スリット １２ 遮光部 １３ 縦縞段差部
Claims (1)
- 【請求項１】 検出物体に対して照射光を発する発光素
子と、前記検出物体からの反射光を受光する受光素子と
がパッケージ内に併置されてなる反射型光電スイッチに
おいて、 前記パッケージ内に、前記受発光素子の各々の前面に形
成された円形スリットを有する遮光部と、前記受発光素
子間を遮光する遮光壁とを設け、且つ前記遮光部の前記
受発光素子寄りの前記パッケージ内壁側に櫛状の縦縞段
差部を形成してなることを特徴とする反射型光電スイッ
チ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4545392U JPH064848U (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 反射型光電スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4545392U JPH064848U (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 反射型光電スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH064848U true JPH064848U (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=12719771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4545392U Pending JPH064848U (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 反射型光電スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH064848U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006023508A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Omron Corp | 光学素子位置調整機構 |
| DE102004012270B4 (de) * | 2003-03-14 | 2014-04-24 | Omron Corp. | Verfahren zu Herstellung eines photoelektrischer Sensor |
-
1992
- 1992-06-30 JP JP4545392U patent/JPH064848U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004012270B4 (de) * | 2003-03-14 | 2014-04-24 | Omron Corp. | Verfahren zu Herstellung eines photoelektrischer Sensor |
| JP2006023508A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Omron Corp | 光学素子位置調整機構 |
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